DE102011088431A1 - Bondverbindung, Verfahren zum Herstellen einer Bondverbindung und Bondwerkzeug - Google Patents

Bondverbindung, Verfahren zum Herstellen einer Bondverbindung und Bondwerkzeug Download PDF

Info

Publication number
DE102011088431A1
DE102011088431A1 DE102011088431A DE102011088431A DE102011088431A1 DE 102011088431 A1 DE102011088431 A1 DE 102011088431A1 DE 102011088431 A DE102011088431 A DE 102011088431A DE 102011088431 A DE102011088431 A DE 102011088431A DE 102011088431 A1 DE102011088431 A1 DE 102011088431A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
component
bond
conduit element
bonding tool
surveys
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102011088431A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102011088431B4 (de
Inventor
Michael Guenther
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE102011088431.9A priority Critical patent/DE102011088431B4/de
Publication of DE102011088431A1 publication Critical patent/DE102011088431A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102011088431B4 publication Critical patent/DE102011088431B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/36Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L24/37Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/39Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L24/40Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/77Apparatus for connecting with strap connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/84Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04034Bonding areas specifically adapted for strap connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • H01L2224/056Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05647Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/35Manufacturing methods
    • H01L2224/352Mechanical processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001Core members of the connector
    • H01L2224/3701Shape
    • H01L2224/37011Shape comprising apertures or cavities
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001Core members of the connector
    • H01L2224/37099Material
    • H01L2224/371Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/37124Aluminium [Al] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001Core members of the connector
    • H01L2224/37099Material
    • H01L2224/371Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/37147Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401Disposition
    • H01L2224/40151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/404Connecting portions
    • H01L2224/4046Connecting portions with multiple bonds on the same bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73263Layer and strap connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/77Apparatus for connecting with strap connectors
    • H01L2224/7725Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/773Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/77313Wedge
    • H01L2224/77314Shape
    • H01L2224/77315Shape of the pressing surface, e.g. tip or head
    • H01L2224/77316Shape of the pressing surface, e.g. tip or head comprising protrusions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/842Applying energy for connecting
    • H01L2224/84201Compression bonding
    • H01L2224/84203Thermocompression bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/842Applying energy for connecting
    • H01L2224/84201Compression bonding
    • H01L2224/84205Ultrasonic bonding
    • H01L2224/84207Thermosonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Bondverbindung (100) zwischen einem elektronischen Bauteil (1) und einem flächigen Leitungselement (10; 10a), wobei eine Vielzahl von elektrisch leitenden Kontaktstellen (15) zwischen dem Leitungselement (10; 10a) und einer vorzugsweise eine Metallisierung (3) aufweisenden Oberfläche des Bauteils (1) ausgebildet sind. Erfindungsgemäß ist es vorgesehen, dass zwischen den Kontaktstellen (15) Freiräume (16) ausgebildet sind, in denen das Bauteil (1) zu der ihm zugewandten Seite des Leitungselements (10; 10a) beabstandet ist.

Description

  • Stand der Technik
  • Die Erfindung betrifft eine Bondverbindung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen einer erfindungsgemäßen Bondverbindung und ein Bondwerkzeug zum Herstellen der Bondverbindung.
  • Eine Bondverbindung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 ist aus der DE 10 2006 025 866 A1 der Anmelderin bekannt. Mittels eines mehrere Erhebungen aufweisenden Bondwerkzeugs bzw. Bondkopfes wird dabei zwischen einem Bondbändchen und einem zu kontaktierenden elektronischen Bauteil eine Vielzahl von elektrisch leitenden Kontaktstellen erzeugt. Die Erhebungen des Bondwerkzeugs weisen insbesondere unterschiedliche Höhen in Bezug auf zwischen den Erhebungen angeordnete, ebene Flächenabschnitte des Bondwerkzeugs auf. Beim Ausbilden der Bondverbindung werden die Erhebungen des Bondwerkzeugs gegen das Bondbändchen verfahren und drücken sich in das Bondbändchen ein. Die zwischen den Erhebungen angeordneten Flächenabschnitte liegen auf der Oberseite des Bondbändchens auf. Die eigentliche Ausbildung der Bondverbindung erfolgt durch Ultraschallschweißen, d.h., dass das Bondwerkzeug mit einer entsprechenden Frequenz und Amplitude bewegt wird, um an den Stellen der Erhebungen die angesprochenen Kontaktstellen auszubilden.
  • Dadurch, dass beim Eindringen der Erhebungen in das Bondbändchen Material aus dem Bondbändchen in den Bereich der zwischen den Erhebungen angeordneten Bereiche verdrängt wird, kommt es zu einem Verdichtungsprozess des Materials des Bondbändchens zwischen den Erhebungen, wobei es sich bei metallurgischen Untersuchungen herausgestellt hat, dass selbst in den Bereichen zwischen den Erhebungen das Material des Bondbändchens auf der Oberfläche des zu kontaktierenden elektronischen Bauteils aufgrund des angesprochenen Verdichtungseffekts aufliegt und aufgrund der Übertragung der Energie des Bondkopfs auch zumindest an der Oberfläche des Bauteils anhaftet. Nachteilig dabei ist, dass bei mechanischen Beanspruchungen des Bondbändchens das Bondbändchen durch das zwischen den eigentlichen Kontaktstellen anhaftende Material des Bondbändchens eine relativ geringe Elastizität bzw. Flexibilität aufweist. Derartige mechanische Belastungen im Bereich der Kontaktstellen können insbesondere bei Temperaturwechselbeanspruchungen auftreten, so dass es aufgrund der relativ starren und großflächigen Anbindung des Bondbändchens im Verbindungsbereich bzw. der mangelnden Flexibilität des Bondbändchens zwischen den Kontaktstellen mit dem elektronischen Bauteil zu Unterbrechungen bzw. Beschädigungen an den Kontaktstellen kommen kann.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Ausgehend von dem dargestellten Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Bondverbindung zwischen einem elektronischen Bauteil und einem flächigen Leitungselement nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 derart weiterzubilden, dass dessen mechanische Belastbarkeit, insbesondere beim Auftreten von Spannungen zum Beispiel infolge von Temperaturwechseleinflüssen, verbessert wird. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß bei einer Bondverbindung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 dadurch gelöst, dass zwischen den Kontaktstellen Freiräume ausgebildet sind, in denen das Bauteil zu der ihm zugewandten Seite des Leitungselements (Bondbändchen) beabstandet ist. Mit anderen Worten gesagt bedeutet dies, dass in den Bereichen zwischen den Kontaktstellen zwischen der Oberfläche des elektronischen Bauteils und dem Leitungselement definierte Freiräume bzw. Lücken ausgebildet sind, in denen keinerlei Kontakt zwischen der Oberfläche des elektronischen Bauteils und der Oberfläche des Leitungselements stattfindet. Dadurch können diese Bereiche beim Auftreten von mechanischen Spannungen, insbesondere in Folge von Temperaturwechseleinflüssen, sich elastisch verformen, so dass Spannungen von diesen Bereichen auf die eigentlichen Kontaktstellen zumindest verringert, im besten Falle vollständig vermieden werden können.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Bondverbindung sind in den Unteransprüchen aufgeführt. In den Rahmen der Erfindung fallen sämtliche Kombinationen aus zumindest zwei von in den Ansprüchen, der Beschreibung und/oder den Figuren offenbarten Merkmalen.
  • Um über die gesamte Oberfläche des elektronischen Bauteils eine möglichst gleichmäßige Stromführung erzielen zu können ist es besonders bevorzugt vorgesehen, dass die elektrisch leitenden Kontaktstellen zumindest im Wesentlichen dieselbe Größe und Einbringtiefen aufweisen.
  • Eine ganz besonders bevorzugte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass das Leitungselement als vorgeprägtes Element mit die Kontaktstellen ausgebildeten Vertiefungen, insbesondere in Form einer vorgeprägten Folie ausgebildet ist. Eine derartige Ausbildung bzw. Verwendung einer vorgeprägten Folie hat den besonderen Vorteil, dass die erforderliche Kontaktkraft eines Bondwerkzeugs senkrecht zur Bauteileoberfläche verringert werden kann, da durch die Vertiefungen der durch die Erhebungen des Bondwerkzeugs stattfindende Verformungsprozess bereits größtenteils vorweggenommen ist. Darüber hinaus wird durch das vorgeprägte Material sichergestellt, dass zwischen der Bauteiloberfläche und dem Leitungselement die angesprochenen Freiräume bzw. Abstände sicher eingehalten werden.
  • Bevorzugte Materialien im Bereich der Bondverbindungen sehen für das Leitungselement vor, dass diese als eine zumindest im Wesentlichen Kupfer enthaltende Folie ausgebildet ist, und dass die Oberfläche des Bauteils mit einer Metallisierung ausgestattet ist, die vorzugsweise aus Kupfer oder einer Kupferlegierung besteht und eine Dicke von 5µm bis 50µm, vorzugsweise 20µm bis 35µm aufweist.
  • Die Erfindung umfasst auch ein Verfahren zum Herstellen einer erfindungsgemäßen Bondverbindung. Dieses Verfahren sieht folgende Schritte vor: Zunächst wird ein flächiges Leitungselement mit einer zu kontaktierenden Oberfläche eines elektronischen Bauteils in Überdeckung gebracht. Anschließend wird ein Bondwerkzeug auf die Oberseite des flächigen Leitungselements im Bereich einer Vielzahl von Erhebungen des Bondwerkzeugs abgesenkt und es wird zumindest eine Kontaktkraft auf das Bondwerkzeug aufgebracht. Dies hat zur Folge, dass Material aus den Zwischenbereichen der Erhebungen des Bondwerkzeugs derart verdrängt wird, dass zwischen der Oberfläche des Bauteils und dem flächigen Leitungselement verbindungsfreie Freiräume ausgebildet werden.
  • Besonders bevorzugt ist ein Verfahren, bei der als flächiges Leitungselement ein Vertiefungen aufweisendes, vorgeprägtes Leitungselement verwendet wird, und dass die Erhebungen des Bondwerkzeugs mit den Vertiefungen ausgerichtet werden.
  • Die Verbindung selbst kann entweder als Ultraschallbondverbindung, ggf. unter zusätzlicher Einwirkung von Wärme und/oder mechanischem Druck, oder aber als Thermokompressionsverbindung ausgebildet sein.
  • Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele sowie anhand der Zeichnung.
  • Diese zeigt in:
  • 1 eine Anordnung zum Ausbilden einer Bondverbindung zwischen einem elektronischen Bauteil und einem flächigen Leitungselement im vereinfachten Längsschnitt vor dem Ausbilden der Bondverbindung, und
  • 2 die Anordnung gemäß 1, nachdem die Bondverbindung ausgebildet wurde, ebenfalls im vereinfachten Längsschnitt,
  • 3 eine Draufsicht auf die Anordnung gemäß 2 und
  • 4 eine Anordnung gemäß 2 unter Verwendung einer vorgeprägten Folie als Verbindungselement.
  • Gleiche Bauteile bzw. Bauteile mit gleicher Funktion sind in den Fig. mit den gleichen Bezugsziffern versehen.
  • In der 1 ist eine Anordnung zum Ausbilden einer Bondverbindung 100 zwischen einem elektronischen Bauteil 1 und einem flächigen Leitungselement 10 dargestellt. Das elektronische Bauteil 1 ist insbesondere als Leistungshalbleiterbauelement in Form eines IGBTs, eines MOSFETs, einer Diode oder ähnlichem ausgebildet, und weist neben dem eigentlichen Halbleiterbereich 2 auf seiner Oberseite eine Metallisierung 3 mit einer Dicke von 5µm bis 50µm, vorzugsweise 20m bis 35µm auf, die vorzugsweise im aus Kupfer oder einer Kupferlegierung besteht. Das elektronische Bauteil 1 ist mittels einer Fügeschicht 4 auf an sich bekannte Art und Weise mit der Oberseite eines Schaltungsträgers 5 verbunden. Der Schaltungsträger 5 ist insbesondere als ein Leiterbahnen aufweisendes Substrat ausgebildet. Als Leitungselement 10 findet eine Folie bzw. ein Folienabschnitt Verwendung, der vorzugsweise aus Kupfer (alternativ auch Aluminium) besteht, derart, dass die Folie bzw. das Leitungselement 10 eine Dicke aufweist, in der dieses sich flexibel verformen lässt.
  • Zum Ausbilden der Bondverbindung 100 zwischen der Oberseite des elektronischen Bauteils 1 bzw. dessen Metallisierung 3 mit der zugewandten Unterseite des Leitungselements 10 dient ein lediglich in der 1 erkennbares Bondwerkzeug 50 mit einem Bondkopf 51. Der Bondkopf 51 weist eine Vielzahl von nadelartigen Erhebungen 52 auf, die vorzugsweise dieselbe Höhe bzw. Länge und denselben Querschnitt aufweisen. Die Erhebungen 52 gehen von der Unterseite einer im Wesentlichen ebenen Begrenzungsfläche 53 des Bondkopfs 51 aus und sind senkrecht zur Oberfläche des Leitungselements 10 bzw. zur Oberfläche der Metallisierung 3 ausgerichtet. Das Bondwerkzeug 50 bzw. der Bondkopf 51 sind in Richtung des Doppelpfeils 54, d.h. in Richtung der Erhebungen 52 auf- und abbewegbar angeordnet.
  • Vorzugsweise ist das Bondwerkzeug 50 zur Verwendung einer Bondverbindung 100 ausgebildet, bei der diese als Ultraschallschweißverbindung ausgebildet ist. Zusätzlich können jedoch Einrichtungen vorgesehen sein, die den in der 1 dargestellten Bauteileverbund und/oder den Bondkopf 51 beheizen bzw. in Richtung zur Oberfläche des Leitungselements 10 mit einem mechanischen Druck beaufschlagen (Thermosonicbonden oder Thermokompressionsbonden).
  • Die Bondverbindung 100 zwischen dem elektronischen Bauteil 1 und dem Leitungselement 10 wird dadurch ausgebildet, dass zunächst entsprechend der 1 das Leitungselement 10 in dem Bereich, in dem die Bondverbindung 100 ausgebildet werden soll, in Überdeckung mit der Metallisierung 3 des elektronischen Bauteils 1 gebracht wird. Anschließend wird der zunächst beabstandet zum Leitungselement 10 beabstandete Bondkopf 51 auf das Leitungselement 10 abgesenkt, derart, dass durch die in das Material des Leitungselements 10 eindringenden Erhebungen 52 im Bereich zwischen der Metallisierung 3 und der ihr zugewandten Oberfläche des Leitungselements 10 eine Kontaktkraft entsteht, die unter Einwirkung der angesprochenen Ultraschallschwingungen bzw. des mechanischen Drucks zur Ausbildung von Kontaktstellen 15 zwischen der Metallisierung 3 und dem Leitungselement 10 führen (2). Die Anzahl der Kontaktstellen 15 entspricht dabei der Anzahl der Erhebungen 52 des Bondkopfs 51.
  • Wesentlich dabei ist, dass die Erhebungen 51 eine derartige Höhe bzw. einen derartigen Abstand zur Begrenzungsfläche 53 des Bondkopfes 51 aufweisen, dass das beim Eindrücken der Erhebungen 52 in die Oberfläche des Verbindungselements 10 verdrängte Material in den Bereich zwischen die Erhebungen 52 gelangt, wobei jedoch das verdrängte Material bzw. das Leitungselement 10 zwischen den Erhebungen 52 nicht in Anlagekontakt mit der Begrenzungsfläche 53 des Bondkopfs 51 gerät. Dies hat zur Folge, dass nach dem Ausbilden der Bondverbindung 100 und wieder von der Oberfläche des Leitungselements 10 abgehobenem Bondkopf 51 zwischen der Metallisierung 3 und dem Leitungselement 10 in dem Bereich zwischen den Kontaktstellen 15 (verursacht durch die Erhebungen 52) Freiräume 16 ausgebildet sind, in denen zwischen der Metallisierung 3 und dem Leitungselement 10 keinerlei Kontakt besteht.
  • In der 3 ist in Draufsicht die Verbindung zwischen dem Bauteil 1 und dem Leitungselement 10 nach dem Ausbilden der Bondverbindung dargestellt. Insbesondere erkennt man, dass im Bereich des Bauteils 1 bzw. des Verbindungselements 10 in Folge der Erhebungen 52 die entsprechenden Kontaktstellen 15 ausgebildet sind, die im Wesentlichen über die gesamte Oberfläche des Bauteils 1 in dem Bereich angeordnet sind, in dem das Bauteil 1 von dem Verbindungselement 10 überdeckt ist. Hierbei weisen die Kontaktstellen 15 im Wesentlichen dieselbe Größe und Eindringtiefen auf.
  • In der 4 ist ein modifiziertes Leitungselement 10a in Form einer vorgeprägten Folie dargestellt. Die vorgeprägte Folie 10a weist an ihrer Oberseite 11 sowie ihrer Unterseite 12 jeweils Vertiefungen 13 auf, die als gleichmäßiges Muster ausgebildet sind. Bei der Verwendung des Leitungselements 10a müssen die Erhebungen 52 mit den Vertiefungen 13 auf der Oberseite 11 des Leitungselements 10a ausgerichtet werden. Die Bondverbindung 100 zwischen dem Leitungselement 10a und der Metallisierung 3 erfolgt im Bereich der Unterseite 12 des Leitungselements 10a zwischen den Vertiefungen 13.
  • Das beschriebene erfindungsgemäße Verfahren zur Ausbildung der Bondverbindung 100 zwischen dem Bauteil 1 und dem Leitungselement 10, 10a findet bevorzugt Verwendung bei Leistungshalbleitern, die eine relativ große zu kontaktierende Oberfläche aufweisen, bei der Kontaktierung von Solarzellen oder ähnlichem. Derartige Bauteile können beispielsweise Bestandteil von Wechselrichtern, aktiven Gleichrichtern, Leistungsendstufen, einer Motorsteuerung oder Geräte bzw. Einrichtungen zum Betrieb von Solarzellen sein.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102006025866 A1 [0002]

Claims (10)

  1. Bondverbindung (100) zwischen einem elektronischen Bauteil (1) und einem flächigen Leitungselement (10; 10a), wobei eine Vielzahl von elektrisch leitenden Kontaktstellen (15) zwischen dem Leitungselement (10; 10a) und einer vorzugsweise eine Metallisierung (3) aufweisenden Oberfläche des Bauteils (1) ausgebildet sind, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen den Kontaktstellen (15) Freiräume (16) ausgebildet sind, in denen das Bauteil (1) zu der ihm zugewandten Seite des Leitungselements (10; 10a) beabstandet ist.
  2. Bondverbindung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitenden Kontaktstellen (15) zumindest im Wesentlichen dieselbe Größe und Eindringtiefen aufweisen.
  3. Bondverbindung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Leitungselement (10a) als vorgeprägtes Element mit die Kontaktstellen (15) ausbildenden Vertiefungen (13), insbesondere in Form einer vorgeprägten Folie, ausgebildet ist.
  4. Bondverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Leitungselement (10; 10a) als eine zumindest im Wesentlichen Kupfer enthaltende Folie ausgebildet ist, und dass die Oberfläche des Bauteils mit einer Metallisierung (3) ausgestattet ist, die vorzugsweise aus Kupfer oder einer Kupferlegierung besteht und eine Dicke von 5µm bis 50µm, vorzugsweise 20µm bis 35µm aufweist.
  5. Verfahren zum Herstellen einer Bondverbindung (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 4 mit folgenden Schritten: – In Überdeckung bringen eines flächigen Leitungselements (10; 10a) mit einer zu kontaktierenden Oberfläche eines elektronischen Bauteils (1) – Absenken eines Bondwerkzeugs (50) auf die Oberseite des flächigen Leitungselements (10; 10a) im Bereich einer Vielzahl zum Erhebungen (52) des Bondwerkzeugs (50) und Aufbringen zumindest einer Kontaktkraft auf das Bondwerkzeug (50) – Verdrängen von Material des Leitungselements (10; 10a) aus Flächenbereichen zwischen den Erhebungen (52) des Bondwerkzeugs (50) derart, dass zwischen dem Bauteil (1) und dem flächigen Leitungselement (10; 10a) Freiräume (16) ausgebildet werden.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass als flächiges Leitungselement (10a) ein Vertiefungen (13) aufweisendes, vorgeprägtes Leitungselement (10a), insbesondere in Form einer Folie verwendet wird, und dass die Erhebungen (52) des Bondwerkzeugs (50) mit den Vertiefungen (13) ausgerichtet werden.
  7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Bondverbindung (100) als Ultraschallschweißverbindung, ggf. unter zusätzlicher Einwirkung von Wärme und/oder mechanischem Druck ausgebildet wird.
  8. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Bondverbindung (100) als Thermokompressionsverbindung ausgebildet wird.
  9. Bondwerkzeug (50) zum Durchführen eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 5 bis 8, mit Erhebungen (52), die Kontaktstellen (15) zwischen einem flächigen Leitungselement (10; 10a) und einem elektronischen Bauteil (1) ausbilden, dadurch gekennzeichnet, dass die Erhebungen (52) sich von einer Begrenzungsfläche (53) eines Bondkopfs (51) erheben und eine Höhe aufweisen, die bei vollständig auf das Bauteil (1) abgesenkten Erhebungen (52) einen Abstand zwischen dem Bauteil (1) und dem Leitungselement (10; 10a) lassen.
  10. Elektronischer Schaltungsträger (5), umfassend ein elektronisches Bauteil (1), das mittels seiner Bondverbindung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 4 mit einem flächigen Verbindungselement (10; 10a) elektrisch kontaktiert ist.
DE102011088431.9A 2011-12-13 2011-12-13 Bondverbindung, Verfahren zum Herstellen einer Bondverbindung und Bondwerkzeug Active DE102011088431B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011088431.9A DE102011088431B4 (de) 2011-12-13 2011-12-13 Bondverbindung, Verfahren zum Herstellen einer Bondverbindung und Bondwerkzeug

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011088431.9A DE102011088431B4 (de) 2011-12-13 2011-12-13 Bondverbindung, Verfahren zum Herstellen einer Bondverbindung und Bondwerkzeug

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102011088431A1 true DE102011088431A1 (de) 2013-06-13
DE102011088431B4 DE102011088431B4 (de) 2022-04-14

Family

ID=48464463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102011088431.9A Active DE102011088431B4 (de) 2011-12-13 2011-12-13 Bondverbindung, Verfahren zum Herstellen einer Bondverbindung und Bondwerkzeug

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102011088431B4 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016071079A1 (en) * 2014-11-07 2016-05-12 Danfoss Silicon Power Gmbh Power semiconductor contact structure and method for the production thereof
US10332858B2 (en) 2014-11-07 2019-06-25 Danfoss Silicon Power Gmbh Electronic sandwich structure with two parts joined together by means of a sintering layer

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006025866A1 (de) 2006-06-02 2007-12-06 Robert Bosch Gmbh Bondkeil

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006025866A1 (de) 2006-06-02 2007-12-06 Robert Bosch Gmbh Bondkeil

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016071079A1 (en) * 2014-11-07 2016-05-12 Danfoss Silicon Power Gmbh Power semiconductor contact structure and method for the production thereof
CN107112303A (zh) * 2014-11-07 2017-08-29 丹佛斯硅动力有限责任公司 功率半导体接触结构及其生产方法
US10079219B2 (en) 2014-11-07 2018-09-18 Danfoss Silicon Power Gmbh Power semiconductor contact structure and method for the production thereof
US10332858B2 (en) 2014-11-07 2019-06-25 Danfoss Silicon Power Gmbh Electronic sandwich structure with two parts joined together by means of a sintering layer
CN107112303B (zh) * 2014-11-07 2019-08-27 丹佛斯硅动力有限责任公司 功率半导体接触结构及其生产方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE102011088431B4 (de) 2022-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102014213564B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102012201172B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls mit geprägter Bodenplatte
DE102011079708B4 (de) Trägervorrichtung, elektrische vorrichtung mit einer trägervorrichtung und verfahren zur herstellung dieser
DE102009043587A1 (de) Funktionelles Laminat
DE102014008587A1 (de) Halbleiterschaltung und Verfahren zur Herstellung der Halbleiterschaltung
DE19522338B4 (de) Chipträgeranordnung mit einer Durchkontaktierung
DE10223738B4 (de) Verfahren zur Verbindung integrierter Schaltungen
DE102013103351B4 (de) Elektronikmodul
DE102007041921A1 (de) Verfahren zur Herstellung und Kontaktierung von elektronischen Bauelementen mittels einer Substratplatte, insbesondere DCB-Keramik-Substratplatte
DE102011088431B4 (de) Bondverbindung, Verfahren zum Herstellen einer Bondverbindung und Bondwerkzeug
DE102010001666A1 (de) Elektrisches oder elektronisches Verbundbauteil
DE102016224068B4 (de) Leistungshalbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen derselben
DE102015220639A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
DE102014206606A1 (de) Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements auf einem Substrat
DE102019111963A1 (de) Halbleitermodul mit einem Halbleiter und mit einem Metallformteil, der vom Halbleiter elektrisch kontaktiert wird
EP2927940B1 (de) Vorrichtung zur schweisstechnischen verbindung von anschlusselementen mit dem substrat eines leistungshalbleitermoduls und zugehöriges verfahren
DE102009024371A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Stromrichteranordnung mit Kühleinrichtung und Stromrichteranordnung
DE102010012231A1 (de) Verfahren zum NTV-Sintern eines Halbleiterbausteins
DE102012208251A1 (de) Elektrische Kontaktierung für Halbleiter
DE102011088418B4 (de) Bondverbindung
EP2092806B1 (de) Verfahren zur herstellung einer leiterplatte mit additiven und integrierten und mittels ultraschall kontaktierten kupferelementen
DE102019115573B4 (de) Leistungselektronische Schalteinrichtung und Verfahren zur Herstellung
WO2012062300A2 (de) Dickdraht-bondanordnung und verfahren zum herstellen
WO2021069459A1 (de) Kontaktieranordnung für ein elektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines elektronischen bauteils
DE102009005996A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer elektrischen und mechanischen Verbindung und Anordnung, die eine solche aufweist

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final