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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Schichten gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und eine Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 11.
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Die Erfindung bezieht sich insbesondere auf die Herstellung von dünnen Schichten, z. B. TCO (transparent conductive oxides) Schichten, wie Aluminium-Zink-Oxidschichten, welche Anwendung im Bereich von Photovoltaik, Displays sowie im Bereich der Elektronik auf festen und flexiblen Substraten finden. Als Herstellungsverfahren für die oben genannten Schichten werden in der Regel Vakuumverfahren eingesetzt, wie Verdampfungsverfahren oder Sputtertechnologie.
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Um die Abscheidung einer Schicht mit gleich bleibenden Parametern zu gewährleisten, ist es erforderlich, den Arbeitspunkt des Beschichtungsprozesses während des Beschichtungsvorgangs konstant zu halten. Insbesondere für Schichteigenschaften, wie Homogenität, Zusammensetzung, Transmission und Schichtwiderstand, ist die Stabilität der Beschichtungsparameter entscheidend. Hier spielt u.a. eine relativ homogene Temperaturverteilung innerhalb der Beschichtungsstation eine wichtige Rolle. Um sie zu erreichen, werden im Herstellungsprozess beim Einfahren von Beschichtungsanlagen lange Einlaufzeiten benötigt. Die nötige Einfahrzeit wird durch mehrere Prozesse bedingt. Zum einen müssen die Targets der Beschichtungsanlage freigesputtert werden. Zum anderen wird die nötige Einfahrzeit durch das langsame Aufheizen der Anlage verursacht. Das langsame Erwärmen der Anlagen, insbesondere von Blenden und ihrer Umgebung, kann zu unterschiedlichem Abdampfen/Kondensieren von Materialien, beispielsweise von Zn bei den AlO:Zn Schichten, führen und damit die optischen Eigenschaften der Schichten beeinflussen. Es wird teilweise eine sehr lange Zeit beim Einfahren von Beschichtungsanlagen benötigt, bis die Schichteigenschaften stabil sind.
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Die lange Einfahrzeit der Beschichtungsanlagen ist ebenfalls nachteilig für die effiziente Herstellung von Schichten, da diese nicht nur zu längeren Produktionszeiten führt, sondern auch zu einem hohen Materialaufwand, der auf den Materialverlust aufgrund der schlechten Qualität der in der Einfahrzeit hergestellten Schichten zurückzuführen ist. Jede Verkürzung der Zeit bis zur Aufnahme der Produktion der Schichten mit reproduzierbaren guten Schichteigenschaften ist von wirtschaftlichem Vorteil.
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Die Verkürzung der Einfahrzeit könnte beispielsweise durch Reduzierung der zur Beschichtung notwendigen Temperatur erreicht werden. Aus dem Stand der Technik sind einige Ansätze zur Reduzierung der Temperaturbudgets während der Beschichtung des Substrats bei gleichzeitiger Herstellung der Schichten mit stabilen Schichteigenschaften bekannt. Der prinzipielle Ansatz der bekannten Methoden besteht darin, das Tempern des Substrats über einen kurzen Hochtemperaturprozess zu realisieren. Dabei werden zwar kürzere Beschichtungszeiten erreicht, allerdings können die temperaturempfindlichen Substrate degradieren, in ihren mechanischen Eigenschaften beschädigt oder sogar völlig zerstört werden.
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Die Druckschrift
DE 10 2006 047 472 A1 beschreibt ein Verfahren zur oberflächennahen Behandlung von flächigen Substraten, auf denen in Beschichtungsanlagen dünne Funktionsschichten abgeschieden worden sind, indem im Anschluss an eine Schichtabscheidung in einem Beschichtungsmodul eine thermische Nachbehandlung der abgeschiedenen Schichten auf dem Substrat vorgenommen wird. Die thermische Nachbehandlung erfolgt dabei auf die Oberfläche des beschichteten Substrats mittels einer impulsartig einwirkenden kurzweiligen elektromagnetischen Strahlung unter Vermeidung einer sofortigen Aufheizung des gesamten Substrats. Damit wird allerdings keine Einfahrzeit der Beschichtungsanlage reduziert.
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Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein effizientes Verfahren zur Herstellung von Schichten zu schaffen, das Schichten von reproduzierbarer Güte während der Einfahrzeit ermöglicht. Dabei soll eine möglichst geringe Temperaturbelastung des Substrats gewährleistet werden. Weiterhin soll eine für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens geeignete Vorrichtung geschaffen werden.
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Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Weitere Ausgestaltungen der Erfindung gehen aus den zugehörigen Unteransprüchen hervor.
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Nach Maßgabe der Erfindung wird zumindest während der Einfahrphase im Anschluss an die Schichtabscheidung ein Kurzzeittemperschritt der auf dem Substrat beschichteten Schicht unter Vermeidung einer sofortigen Aufheizung des gesamten Substrats vorgenommen. Dabei wird der Energieeintrag des Kurzzeittemperschritts der auf dem Substrat abgeschiedenen Schicht so eingestellt, dass eine vorgebbare Endtemperatur der abgeschiedenen Schicht erhalten wird. Mit dem Begriff „Kurzzeittempern“ ist hier eine thermische Nachbehandlung der abgeschiedenen Schicht in Form einer impulsartig einwirkenden, kurzweiligen elektromagnetischen Bestrahlung der abgeschiedenen Schicht gemeint und nachstehend auch mit dem Begriff beschrieben.
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Die Endtemperatur entspricht der Temperatur der abgeschiedenen Schicht, die zur Ausheilung der Strukturdefekte, die aufgrund der Schwankungen der Beschichtungsbedingungen entstanden sind, notwendig ist und damit im Ergebnis eine vorgegebene Kristallstruktur der abgeschiedenen Schicht ermöglicht. Somit ist durch das erfindungsgemäße Verfahren eine gezielte Beeinflussung der Schichteigenschaften der abgeschiedenen Schicht in einem Verfahrensschritt möglich, der unempfindlich gegenüber Schwankungen in den Beschichtungsbedingungen ist. Das bedeutet, dass der Wert des Energieeintrags des Kurzzeittemperschritts so angepasst wird, dass er die Schwankungen in der Temperatur, die insbesondere während der Einfahrphase auftreten, d.h. die inhomogene Temperaturverteilung und/oder die Temperatur, die zur Herstellung der stabilen Schichten unzureichend ist, in einem Verfahrensschritt kompensieren kann. Da das Optimum für Schichteigenschaften, insbesondere für Widerstand und Transmission, der abgeschiedenen Schicht in einem relativ breiten Temperaturbereich des Kurzzeittemperprozesses eingestellt werden kann, spielt eine Schwankung in den Temperaturbedingungen und eine Temperatur der Beschichtungsstation, bei der die Substrate durch den Prozess gefahren werden und die für die Herstellung der stabilen Schichten unzureichend ist, eine zu vernachlässigende Rolle. Durch die Unempfindlichkeit des Kurzzeittemperschrittes wird die Prozessdrift beim Einfahren des Prozesses eliminiert und damit können nach der Einsputterzeit des Targets Substrate während der übrigen Einfahrzeit als Substrate mit hinreichender Güte hergestellt werden, die nicht mehr verworfen werden müssen. Darin kann auch eine Verkürzung der Einfahrzeit der Beschichtungsanlage im Herstellungsverfahren gesehen werden, die sich bis auf die Einsputterzeit des Targets reduziert. Somit kann die produktive Herstellung von Substraten mit der Herstellung einer Schicht hinreichender Güte auf dem Substrat im Anschluss an das Freisputtern des Targets erfolgen.
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In einer bevorzugten Ausgestaltung des Verfahrens ist vorgesehen, dass unmittelbar vor dem Kurzzeittemperschritt eine Temperaturmessung der abgeschiedenen Schicht erfolgt. Aufgrund der gemessenen Temperatur wird der Wert des Energieeintrags für die thermische Nachbehandlung ermittelt und so angepasst, dass eine vorgebbare Endtemperatur für den Kurzzeittemperschritt erhalten wird. Es kann dabei auch eine Temperaturmessung des Substrats vorgenommen werden und bei der Ermittlung des Energieeintrags berücksichtigt werden. Der Energieeintrag wird dabei so gewählt und mit der jeweils höchstmöglichen Schichttemperatur, d.h. Maximaltemperatur der Schichten, abgestimmt, dass der Kurzzeittemperschritt keine Beschädigung der abgeschiedenen Schicht verursacht, sondern vorgebbare bzw. optimale Schichteigenschaften erreicht. Das heißt, der Energieeintrag ist so eingestellt, dass er die höchstmögliche Schichttemperatur der abgeschiedenen Schicht nicht überschreitet.
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Vorzugsweise werden aus dem ermittelten Energieeintrag Prozessparameter, wie zum Beispiel Temperatur, Dauer und Art der thermischen Behandlung zur Steuerung des Kurzzeittemperschritts bestimmt. Da die thermische Nachbehandlung in der abgeschiedenen Schicht erfolgt, kann diese gezielt auf signifikant höhere Temperaturen erhitzt werden, während das eigentliche Substratmaterial sich nur geringfügig oder mit einer deutlichen zeitlichen Verzögerung auf eine wesentliche niedrige Temperatur erwärmt. Damit und durch die zusätzlich mögliche Anpassung der Blitzpulse hinsichtlich Pulsform, Wellenlänge, Energiedichte, Zeitdauer und Anzahl der Pulse bei Multiflash-Folgen kann eine optimale Schichttemperung von Materialsystemen auf temperaturkritischen Substraten erreicht werden. Das Substrat wird während des Prozesses nicht geschädigt und der Durchsatz durch die deutliche Verringerung der Einfahrzeit signifikant erhöht.
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Gemäß der vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung wird der Kurzzeittemperschritt als RTP ausgeführt. Mit dem Begriff „RTP“ (Rapid Thermal Processing), auch „RTA“ (Rapid Thermal Annealing) bezeichnet, ist eine schnelle thermische Behandlung gemeint, bei der die Schichten in einem Hochtemperaturprozess bearbeitet werden, indem eine sehr rasche Erhitzung der Schicht beispielsweise mit Blitzlampen erzielt wird. Vorzugsweise erfolgt die thermische Nachbehandlung durch eine oder mehrere Gasentladungslampen durch mindestens einen Blitzimpuls. Dabei ist die Dauer der Blitzimpulse im Bereich zwischen 0,2 bis 100 ms und die Pulsenergiedichte der Blitzimpulse im Bereich von 0,1 bis 100 Jcm–2 einstellbar. Es ist vorteilhaft, dass die Pulsintensität, die Pulswiederholfrequenz, die Pulsform und die Pulsdauer aufeinander folgender Blitzpulse in Abhängigkeit von der Dicke der thermisch zu behandelnden Schichten variiert werden.
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Alternativ kann die thermische Nachbehandlung durch Vorbeifahren an einer CW-Lampe („continuous-wave“), einer kontinuierlich betriebenen Lampe, realisiert werden.
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In einer vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens erfolgt der Kurzzeittemperschritt in-situ nach der Schichtabscheidung des Substrats in derselben Behandlungskammer oder dem gleichen Vakuum, wobei über geeignete Mittel, beispielsweise Blenden, eine Kontamination der RTA-behandelten Schicht mit Sputterdampf vermieden wird.
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In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens wird nach der thermischen Behandlung der abgeschiedenen Schicht eine weitere Schichtabscheidung vorgenommen. Vorzugsweise wird nach der oder jeder weiteren Schichtabscheidung eine weitere thermische Nachbehandlung vorgenommen. Dabei wird der Energieeintrag bei der thermischen Nachbehandlung so angepasst, dass eine vorgebbare Endtemperatur der zu behandelnden Schicht erhalten wird.
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Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe wird vorrichtungsgemäß auch durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 11 gelöst. Weitere Ausgestaltungen der Erfindung gehen aus den zugehörigen Unteransprüchen hervor.
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Nach Maßgabe der Erfindung umfasst die Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens zumindest ein Beschichtungsmodul, auch nachstehend als Beschichtungsstation bezeichnet, welchem eine Einrichtung zum Kurzzeittempern der auf dem Substrat abgeschiedenen Schicht und ein Mittel zur Steuerung des Energieeintrags der Einrichtung zum Kurzzeittempern zugeordnet ist. Mit der Formulierung „Mittel zur Steuerung des Energieeintrags der Einrichtung zum Kurzzeittempern“ ist gemeint, dass die Einrichtung zum Kurzzeittempern über den Wert des Energieeintrags des oben genannten Mittels steuerbar ist. Dieses Mittel ermöglicht die Einrichtung des Kurzzeittemperns so einzustellen, dass die abgeschiedene Schicht den Energieeintrag im Schritt des Kurzzeittemperns erhält, der notwendig ist, um die abgeschiedene Schicht auf eine vorgebbare Endtemperatur zu bringen. Der Energieeintrag ist für jede neu abgeschiedene Schicht ermittelbar und stellt eine Regelgröße dar, mit der die Einrichtung zum Kurzzeittempern gesteuert wird. Damit wird der Einrichtung zum Kurzzeittempern für die jeweils zu behandelnde Schicht vorgegeben, mit welchem Energieeintrag sie die abgeschiedene Schicht thermisch nachzubehandeln hat. Nach jeder Abscheidung der Schicht auf dem Substrat wird der Energieeintrag für die neu abgeschiedene Schicht ermittelt und an die Einrichtung des Kurzzeittemperns übermittelt. Diesbezüglich ermöglicht das Mittel zur Steuerung durch die Anpassung des Energieeintrags die Schwankungen der Temperatur im Herstellungsprozess der Schichten zu kompensieren. Damit sind mit der Vorrichtung stabile Schichten von reproduzierbarer Güte während Einfahrzeit der Beschichtungsanlage nach dem Freisputtern des Targets herstellbar. Weiterhin sind die Bedingungen der thermischen Nachbehandlung auf einfache Weise über den Energieeintrag einstellbar.
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In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist dem Beschichtungsmodul ein Mittel zur Temperaturmessung der abgeschiedenen Schicht zugeordnet. Damit kann die Temperatur der abgeschiedenen Schicht im Anschluss der Abscheidung gemessen und ermittelt werden. Der ermittelte Wert dient dann als Grundlage zur Bestimmung des Energieeintrags für die nachträgliche thermische Behandlung der Schicht. Dazu wird die Temperatur der abgeschiedenen Schicht gleich nach der Schichtabscheidung gemessen und weiter an die Mittel zur Steuerung des Energieeintrags der Einrichtung zum Kurzzeittempern übermittelt. Dort wird aufgrund der gemessenen Temperatur und der Materialeigenschaften der abgeschiedenen Schicht der notwendige Energieeintrag ermittelt bzw. mittels mathematischer Verknüpfung berechnet und als Regelgröße zur Steuerung der Einrichtung zum Kurzzeittempern an die Einrichtung zum Kurzzeittempern übermittelt.
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Bevorzugt ist zumindest ein Mittel zur Temperaturmessung vorgesehen, das über der abgeschiedenen Schicht angeordnet ist. Vorteilhaft ist das Mittel zur Temperaturmessung nach der Beschichtungsstation beabstandet angeordnet, so dass die Temperaturmessung der Schicht nicht von der Temperatur der Beschichtungsstation beeinflusst wird. Es können auch mehrere Mittel zur Temperaturmessung über die abgeschiedene Schicht angeordnet werden. In dem Fall wird aus den Temperaturmessungen ein Mittelwert der Temperatur der abgeschiedenen Schicht ermittelt und dieser an die Mittel zur Steuerung des Energieeintrags der Einrichtung zum Kurzzeittempern übermittelt.
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In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist das Mittel zur Steuerung des Energieeintrags der Einrichtung zum Kurzzeittempern nach dem Mittel zur Temperaturmessung und vor der Einrichtung zur thermischen Nachbehandlung der abgeschiedenen Schicht angeordnet. Alternativ ist das Mittel zur Temperaturmessung in dem Mittel zur Steuerung des Energieeintrags der Einrichtung zum Kurzzeittempern integriert.
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In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist die Einrichtung zum Kurzzeittempern der abgeschiedenen Schicht, das Mittel zur Temperaturmessung und das Mittel zur Steuerung des Energieeintrags der Einrichtung zum Kurzzeittempern und zumindest einem Beschichtungsmodul innerhalb einer gemeinsamen Bearbeitungskammer oder dem gleichen Vakuum angeordnet, wobei geeignete Mittel, beispielsweise Blenden vorgesehen sind, um eine Kontamination der RTA-behandelten Schicht mit Sputterdampf zu vermeiden..
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Gemäß der vorteilhaften Ausführung der Erfindung ist die Bearbeitungskammer mit einer Transporteinrichtung zum Transport der Substrate durch die Bearbeitungskammer sowie mit Ein- und Ausgangsschleusen versehen. Vorzugsweise ist die Transporteinrichtung als in-line Transporteinrichtung ausgeführt.
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In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist innerhalb der Bearbeitungskammer in Transportrichtung des Substrats nach der Einrichtung zum Kurzzeittempern mindestens eine Beschichtungsstation angeordnet.
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Die Erfindung soll nachfolgend an Ausführungsbeispielen näher erläutert werden. In den zugehörigen Zeichnungen zeigt
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1 eine schematische Darstellung eines aus dem Stand der Technik bekannten Anlagesystems zur kombinierten Beschichtung und nachfolgenden thermischen Behandlung mittels Blitzlampen und
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2 eine schematische Darstellung eines erfindungsgemäßen Anlagesystems zur kombinierten Beschichtung und nachfolgenden Kurzzeittemperschritt mit Regelung des Energieeintrags der Temperung.
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Die im Folgenden detailliert beschriebenen konkreten Prozessschritte und Apparaturen sind nur als illustrative Beispiele zu verstehen. Die Erfindung ist daher nicht auf die hier genannten Prozessparameter, Apparaturen und Materialien beschränkt.
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1 zeigt schematisch ein aus dem Stand der Technik bekanntes Anlagesystem 1 zur kombinierten Beschichtung und nachfolgenden thermischen Behandlung mittels Blitzlampen. Diese an sich bekannte Vorrichtung wird erfindungsgemäß zur Behandlung der Schichtung während der Einfahrphase des Beschichtungsanlagensystems 1 verwendet.
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Ein Substrat 10 wird mittels einer geeigneten Vakuumschleusenvorrichtung in die Vakuumkammer eines Anlagesystems 1 eingebracht. Mittels eines Transportsystems 11 wird das Substrat 10 durch die Anlage 1 bewegt. In einem Beschichtungsmodul 30 wird auf das Substrat 10 eine Beschichtung 20 aufgebracht. Nach der erfolgten Beschichtung wird das mit der Schicht 20 versehene Substrat 10 sofort in eine Position zur Behandlung mit einer Blitzlampenvorrichtung 51 gebracht. Die Blitzlampenvorrichtung 51 besteht aus einem Spiegelsystem 53, das durch eine geeignete Anordnung und Geometrie das Licht der Blitzlampen homogen auf das mit der Schicht 20 versehene Substrat 10 projiziert. Eine Quarzglasscheibe 52 trennt die Blitzlampenvorrichtung 51 von der eigentlichen Vakuumprozesskammer ab.
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2 zeigt den prinzipiellen Aufbau des erfindungsgemäßen Anlagesystems
2 zur kombinierten Beschichtung und nachfolgenden Kurzzeittemperschritt mit Regelung des Energieeintrags der Temperung. Es ist eine längserstreckte Vakuumanlage
2 mit einem Substrattransportsystem
12, mittels dessen die Substrate
10 in einer Transportrichtung unter verschiedenen Bearbeitungsstationen, u.a. Beschichtungsmodule
31, hindurch bewegt werden. In einem Beschichtungsmodul
31 wird auf das Substrat
10 eine Beschichtung
21 gebracht. Nach der erfolgten Beschichtung wird die Temperatur der auf dem Substrat
10 abgeschiedenen Schicht
21 gemessen und ermittelt. Die Temperaturmessung der auf dem Substrat
10 abgeschiedenen Schicht
21 wird in
2 mit Temperaturmessmittel
40, beispielsweise berührungslos mit Pyrometern, durchgeführt. Zur Temperaturmessung an Substraten und Vakuumbeschichtungsanlage mittels Pyrometer wird hierzu auf die Druckschrift
DE 102 008 026 002 A1 Bezug genommen. Die vorliegende Erfindung ist allerdings nicht auf eine bestimmte Verwendung oder Anordnung der Temperaturmessmittel begrenzt, es können hier auch andere Temperaturmessmittel mit verschiedener Variation bezüglich ihrer Anordnung und Anzahl verwendet werden. Dabei kann die Temperaturmessung im Vorbeifahren der auf dem Substrat
10 abgeschiedenen Schicht
21 realisiert werden.
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In der 2 ist ein Temperaturmessmittel 40 nach dem Beschichtungsmodul 31 unmittelbar über dem Substrat 10 mit der abgeschiedenen Schicht 21 angeordnet. Das Temperaturmessmittel 40 ist zur Messung der Temperatur der abgeschiedenen Schicht 21 vorgesehen. Es kann damit auch die Temperaturmessung des Substrats 10 gemessen werden. Aus der Messung der abgeschiedenen Schicht werden in einer Steuereinrichtung 41 die Temperaturwerte erfasst und eine Regelgröße zur Steuerung des nachfolgenden Kurzzeittemperschritts der abgeschiedenen Schicht ermittelt. Die Steuereinrichtung 41 stellt das Mittel zur Steuerung des Energieeintrags der Einrichtung zum Kurzzeittempern der abgeschiedenen Schicht dar. Die Regelgröße entspricht einem Energieeintrag, der notwendig ist, um eine vorgebbare Endtemperatur der abgeschiedenen Schicht im nachfolgenden Schritt der thermischen Behandlung zu erhalten. Dabei muss die Endtemperatur der abgeschiedenen Schicht 21 innerhalb bestimmter Grenzen erreicht werden, in denen eine Einstellung ihrer Schichteigenschaften, wie zum Beispiel Transmission und Widerstand erfolgt, und nicht eine Zerstörung der Struktur, wie Versprödung, aufgrund der Überschreitung der Maximaltemperatur der abgeschiedenen Schicht verursacht. Gegebenenfalls kann die Endtemperatur bzw. der Energieeintrag an die Substrattemperatur angepasst werden. Diesbezüglich wird der Energieeintrag aus der gemessenen Temperatur der abgeschiedenen Schicht bzw. aus der Temperatur der abgeschiedenen Schicht und des Substrats als auch unter Berücksichtigung der anderen Prozessparameter, wie beispielsweise der Materialeigenschaften sowohl der abgeschiedenen Schicht als auch des Substrats, und der Temperaturumgebung ermittelt.
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Der ermittelte Wert des Energieeintrags wird über die Steuereinrichtung 41 an die Einrichtung zur Durchführung des Kurzzeittemperschritts 60 übermittelt und dient als Regelgröße zur Bestimmung der Temperaturparameter des Kurzzeittemperschritts und zur Durchführung des nachfolgenden Kurzzeittemperschritts 60. Das bedeutet, dass die Temperaturparameter des Kurzzeittemperschritts, wie Temperatur, Dauer, Art und Weise der thermischen Nachbehandlung, so angepasst werden, dass die zu behandelnde Schicht den ermittelten Energieeintrag erhält und dadurch die Schicht die vorgebbare Endtemperatur erreicht.
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Die Vorrichtung zur Durchführung des Kurzzeittemperschritts 60 ist in 2, wie in 1, eine Blitzlampenvorrichtung 61. Nach der erfolgten Temperaturmessung wird das mit der Schicht versehene Substrat 10 sofort in eine Position zur Behandlung mit einer Blitzlampenvorrichtung 61 gebracht. Die Blitzlampenvorrichtung 61 besteht aus einem Spiegelsystem 63, das durch eine geeignete Anordnung und Geometrie das Licht der Blitzlampen homogen auf die auf dem Substrat 10 abgeschiedene Schicht 21 projiziert. Eine Quarzglasscheibe 62, wie in der Vorrichtung der 1, trennt die Blitzlampenvorrichtung 61 von der eigentlichen Vakuumprozesskammer ab.
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Nach erfolgter Blitzlampenbehandlung kann die auf dem Substrat 10 abgeschiedene Schicht anschließend zu einer weiteren Bearbeitungsstation transportiert werden. Hierzu sind verschiedene Ausgestaltungen möglich. Es können mehrere derartige Beschichtungsmodule nebeneinander oder in Form eines Clusters mit beispielsweise zwei Beschichtungsmodulen eingesetzt werden, wobei bei der Ermittlung des Energiewertes für ein Multischichtsystem bestehend aus mehreren Schichten Prozessparameter bzw. Materialeigenschaften von allen im Temperschritt zu behandelnden Schichten berücksichtigt werden sollen.
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Bezugszeichenliste
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- 1
- Beschichtungsanlagesystem
- 2
- Beschichtungsanlagesystem
- 10
- Substrat
- 11
- Transportsystem
- 12
- Transportsystem
- 20
- Beschichtung/Schicht
- 21
- Beschichtung/Schicht
- 30
- Beschichtungsmodul/Beschichtungsstation
- 31
- Beschichtungsmodul/Beschichtungsstation
- 40
- Mittel zur Temperaturmessung
- 41
- Mittel zur Regelung des Energieeintrags der Einrichtung zum Kurzzeittempern
- 50
- Einrichtung zur thermischen Nachbehandlung
- 51
- Blitzlampenvorrichtung
- 52
- Quarzglasscheibe
- 53
- Spiegelsystem
- 54
- Blitzlampen
- 60
- Einrichtung zum Kurzzeittempern
- 61
- Blitzlampenvorrichtung
- 62
- Quarzglasscheibe
- 63
- Spiegelsystem
- 64
- Blitzlampen
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- DE 102006047472 A1 [0006]
- DE 102008026002 A1 [0031]
