DE102008026002A1 - Verfahren zur Temperaturmessung an Substraten und Vakuumbeschichtungsanlage - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 2
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/0003—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/0003—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter
- G01J5/0007—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter of wafers or semiconductor substrates, e.g. using Rapid Thermal Processing
Abstract
Es wird ein Verfahren zur Temperaturmessung an Substraten (13) beschrieben, die durch eine Vakuumkammer bewegt werden, wobei Pyromter (9, 10, 11, 12) zur Bestimmung der Substrattemperaturen an verschiedenen Stellen der Vakuumkammer durch Vergleich von gemessener und berechneter Abkühlung der Substrate (13) im Vakuum kalibriert werden. Zur Durchführung des Verfahrens wird eine Vakuumbeschichtungsanlage zum kontinuierlichen Vorbehandeln und Beschichten von Substraten (13) vorgeschlagen mit mindestens einer Wärmequelle und mit einer Einrichtung zur Temperaturmessung, umfassend mindestens zwei Pyrometer (9, 10, 11, 12), die hinter der Wärmequelle und in der Transportrichtung des Substrats (13) gesehen mit einem Abstand zueinander hintereinander angeordnet sind, wobei zwischen den Pyrometern (9, 10, 11, 12) ein von Wärmequellen freier Abstand vorhanden ist.
Description
- Die Anmeldung betrifft ein Verfahren und die zugehörige Einrichtung zur Temperaturmessung beim kontinuierlichen Beschichten von ebenen Substraten oder Bahnen unter Vakuumbedingungen.
- Es ist bekannt, ebene Substrate oder Bahnen im Vakuum mit metallischen und nichtmetallischen Schichten durch thermisches Verdampfen oder Sputtern der Auftragwerkstoffe zu beschichten. In der Regel müssen die zu beschichtenden Flächen für bestimmte Schichteigenschaften vorbehandelt werden. Beispielsweise müssen die Substrate für eine notwendige Haftfestigkeit der aufgebrachten Schicht auf dem Substrat eine Temperatur aufweisen, die in der Regel durch Beheizen des Substrats oder in einer Plasmabehandlung hergestellt werden kann. Die Temperatur des Substrats muss innerhalb bestimmter Grenzen eingestellt werden. Beispielsweise werden für haftfeste Aluminium-Schichten auf Stahlband Substrattemperaturen von 280°C bis 320°C eingestellt. Beim Beschichten von Wafern mit Aluminium für Solarzellen sollen 400°C nicht überschritten werden. In beiden Fällen darf das Einlegieren von Al in das Grundmaterial nicht erfolgen. Oft erfolgt das Beschichten bei veränderten Substratgeschwindigkeiten. Der Prozess muss an die Substratdicke, die Substratgeschwindigkeit und die Dicke der aufgebrachten Schicht angepasst werden. Zur Einstellung der Prozessparameter muss die Temperatur des Substrats vor und nach der Beschichtung gemessen werden. Beispielsweise kann aus der Temperatur nach der Beschichtung auf die Dicke der aufgebrachten Schicht geschlossen werden, die durch ihre Kondensationswärme zu einer weiteren Erwärmung des Substrates führt.
- Temperaturmessungen am Substrat im Vakuum werden vorwiegend berührungslos mit Pyrometern durchgeführt. Diese müssen mit den thermischen Emissionswerten der Substrate bzw. der aufgebrachten Schichten kalibriert werden. Die Emissionswerte hängen empfindlich von den Oberflächeneigenschaften der Substrate oder Schichten ab. Der Emissionsgrad ε kann in Kalibriereinrichtungen bestimmt werden. Es wird die Temperatur einer aufgeheizten Probe mit einem aufgesetzten oder einem angepunkteten Thermoelement und einem Pyrometer gemessen und der Emissionsgrad ε des Pyrometers so eingestellt, dass beide Temperaturwerte gleich groß sind. Bei einer anderen Methode wird mit einem Pyrometer die Temperatur einer aufgeheizten Probe auf einem geschwärzten Bereich der Probe mit Emissionsgrad ε = 1 und einem nicht geschwärzten Bereich gemessen und der Emissionsgrad ε so eingestellt, dass die Temperaturangabe auf dem geschwärzten mit der auf dem ungeschwärzten Substrat übereinstimmt. Beide Methoden sind nicht gut angepasst an die Kalibrierung von Proben mit veränderlichen Eigenschaften, die im Durchlauf beschichtet werden. Ein durchlaufendes Substrat kann nicht geschwärzt werden. Es hat sich auch gezeigt, dass eine Kalibrierung der Pyrometer im Vakuum mit aufgesetzten Thermoelementen sehr fehlerhaft ist, insbesondere wenn das das Substrat bewegt wird. Die thermische Ankopplung des Thermoelements an das Substrat ist im Vakuum sehr gering, da Luft als Wärmevermittler fehlt. Das Thermoelement mit seiner Auswerteeinheit selbst muss kalibriert werden, so dass eine zweifache Kalibrierung notwendig ist. Quotientenpyrometer werden erst ab einer Temperatur ca. 500°C eingesetzt. Die Temperaturen der hier genannten Beschichtungen liegen unter dieser Temperatur.
- Vorstehende Nachteile sollen mit dem nachfolgend beschriebenen Verfahren sowie der Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens vermieden werden.
- Es wurde gefunden, dass die Kalibrierung der Pyrometer durch ein Pyrometer selbst durchgeführt werden kann. Ein Pyrometer misst ursächlich die Strahlungsleistung eines zu messenden Objektes und ordnet der Strahlungsleistung durch ein Rechenverfahren eine Temperatur zu. Grundlage des Rechenverfahrens ist das Planck'sche Gesetz für die Emission von Strahlung durch Festkörper. Oberflächeneigenschaften des Objektes werden durch einen Emissionsfaktor ε in der Rechnung berücksichtigt. Beispielsweise strahlen die wenigsten Körper als schwarze Körper. Sie haben ein Emissionsvermögen ε < 1. Ein zu beschichtendes Stahlblech hat zum Beispiel den Wert ε = 0,2. Grundlage des vorgestellten Verfahrens ist die Tatsache, dass sich ein durchlaufendes Substrat nach der Erwärmung bei der Bewegung durch nachfolgend angeordnete kalte Vakuumkammern durch Strahlung wieder abkühlt. Die Temperatur T10 des Substrats wird nach der Erwärmung oder der Beschichtung mit einem Pyrometer P1 und nach Durchlauf einer kalten Kammer die Temperatur T20 mit einem zweiten Pyrometer P2 gemessen. Beiden Pyrometern ist das gleiche ε = ε0 zugeordnet. Parallel wird mit Hilfe der Planck'schen Strahlungsformel eine Temperatur T30 aufgrund der Abkühlung des Substrats in der kalten Kammer durch reine Wärmeabstrahlung berechnet, da im Vakuum keine Wärmeabfuhr durch Konvektion erfolgt. Wenn die gemessene Temperatur T20 und die berechnete Temperatur T30 nicht übereinstimmen, wird der Emissionsgrad auf ε = ε1 korrigiert bis die gemessene Temperatur T21 = T31 ist. Mit der Korrektur von ε0 auf ε1 ändert sich naturgemäß auch die gemessene Temperatur T10 auf T11, da beide Pyrometer P1 und P2 mit gleichem Emissionsgrad ε = ε1 zu kalibrieren sind. Es zeigt sich, dass eine genaue Bestimmung des Emissionsgrads und damit eine Kalibrierung der Pyrometer P1 und P2 möglich ist. Diese Genauigkeit steigt mit der Erwärmungstemperatur T1, der Durchlaufzeit durch die kalte Kammer und mit abnehmender Dicke des Substrats.
- Nachfolgendes Beispiel wurde bei einer Stahlbandbeschichtung ermittelt. Stahlband wurde bei einer Bandgeschwindigkeit von 20 m/min durch eine Plasmabehandlung auf T10 = 165°C erwärmt. Nach dem Durchgang durch eine kalte Kammer wurde eine Temperatur von T20 = 150°C gemessen. Beide Pyrometer waren mit Emissionsgrad ε = ε0 = 0,2 eingestellt. Die Berechnung der Abkühlung ergab für T30 = 145°C. Der Emissionsgrad war auf Emissionsgrad auf ε = ε1 = 0,22 zu korrigieren und als Werte für die Temperaturen ergaben sich dann T11 = 160°C und T21 = 148°C. Mit diesem Wert für den Emissionsgrad konnte dann die Plasmaleistung korrigiert werden, um die geforderte Substrattemperatur zu erreichen.
- Nachfolgend wird eine mögliche Anwendung des beschriebenen Verfahrens erläutert. In einer getakteten Anlage zum Beschichten von Wafern werden die Wafer in aufeinander folgenden Kammern vorbehandelt und beschichtet. Am Ausgang jeder Kammer sind Pyrometer angeordnet. Beim Einfahren des Prozesses wird in jeder Kammer die Temperatur nach der Behandlung gemessen und in der nachfolgenden, noch kalten Kammer nach einer angepassten Zeitspanne erneut gemessen. Die Abkühlung der Substrate innerhalb dieser Zeitspanne wird rechnerisch ermittelt. Anschließend werden die berechnete und die gemessene Temperatur verglichen und der Emissionsgrad so eingestellt, dass beide Ergebnisse übereinstimmen.
- Nachfolgend wird die beschriebene Vorrichtung anhand eines Ausführungsbeispiels näher beschrieben. Dabei zeigt
1 einen Längsschnitt durch die Vakuumbeschichtungsanlage. - In einer Vakuumanlage, s. Bild 1, wird im Durchlauf von Luft zu Luft ein bandförmiges Substrat, nämlich Stahlband
13 beschichtet. Das Substrat13 tritt durch Eingangsschleusen1 in die Anlage ein. Es wird in einer ersten Prozesskammer2 zunächst mit Plasmaätzern3 gereinigt und erwärmt. In einer nachfolgenden Kammer4 wird mittels Elektronenstrahl7 aus einem Tiegel5 Metall verdampft. Zwischen Substrat13 und Tiegel5 befindet sich eine schwenkbare gekühlte Blende6 , die beim Bedampfen geöffnet wird. Das Substrat13 verlässt die Anlage durch mehre Schleusenkammern8 . Am Ausgang der Eingangsschleuse1 , der Ätzkammer2 , der Bedampfungskammer4 und in der folgenden ersten Kammer der Ausgangsschleuse8 sind Pyrometer9 ,10 ,11 und12 angeordnet, so dass die Emissionswerte von unbeschichtetem und beschichtetem Substrat13 durch Temperaturmessungen und Modellierung der Abkühlung in jeweils aufeinander folgenden Kammern bestimmt werden können. -
- 1
- Eingangsschleuse
- 2
- Ätzerkammer
mit drei Ätzern
3 - 3
- Ätzer
- 4
- Bedampfungskammer
- 5
- Verdampfertiegel
- 6
- bewegliche Blende
- 7
- Elektronenkanone und Elektronenstrahl
- 8
- Ausgangsschleuse
- 9
- Pyrometer
- 10
- Pyrometer
- 11
- Pyrometer
- 12
- Pyrometer
- 13
- Substrat
Claims (9)
- Verfahren zur Temperaturmessung an Substraten (
13 ), die durch eine Vakuumkammer bewegt werden, wobei Pyrometer (9 ,10 ,11 ,12 ) zur Bestimmung der Substrattemperaturen an verschiedenen Stellen der Vakuumkammer durch Vergleich von gemessener und berechneter Abkühlung der Substrate (13 ) im Vakuum kalibriert werden. - Verfahren nach Anspruch 1, wobei mit je einem Pyrometer (
9 ,10 ,11 ,12 ) eine erste Substrattemperatur und eine zweite Substrattemperatur gemessen wird, die geringer ist als die erste Substrattemperatur, und wobei mindestens ein Pyrometer (9 ,10 ,11 ,12 ) fortlaufend kalibriert wird, indem die zweite Substrattemperatur zusätzlich berechnet wird, die berechnete und die gemessene zweite Substrattemperatur miteinander verglichen werden und der Emissionsgrad so eingestellt wird, dass die berechnete und gemessene zweite Substrattemperatur gleich sind. - Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass am Beginn der Vakuumkammer mit einem Pyrometer (
9 ,10 ,11 ,12 ) die Substrateingangstemperatur gemessen wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (
13 ) zunächst erwärmt wird und anschließend der Emissionsgrad bei unterschiedlichen Temperaturen dadurch ermittelt wird, dass die Abkühlung des Substrats (13 ) durch mindestens zwei hintereinander angeordnete Py rometer (9 ,10 ,11 ,12 ) ermittelt wird. - Vakuumbeschichtungsanlage zum kontinuierlichen Vorbehandeln und Beschichten von Substraten (
13 ) mit mindestens einer Wärmequelle und mit einer Einrichtung zur Temperaturmessung, umfassend mindestens zwei Pyrometer (9 ,10 ,11 ,12 ), die hinter der Wärmequelle und in der Transportrichtung des Substrats (13 ) gesehen mit einem Abstand zueinander hintereinander angeordnet sind, wobei zwischen den Pyrometern (9 ,10 ,11 ,12 ) ein von Wärmequellen freier Abstand ist. - Vakuumbeschichtungsanlage nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass ein weiteres Pyrometer (
9 ,10 ,11 ,12 ) vor einer Wärmequelle angeordnet ist. - Vakuumbeschichtungsanlage nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass eine Wärmequelle eine Ätzeinrichtung (
2 ,3 ) ist. - Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass eine Wärmequelle eine Beschichtungseinrichtung (
4 ,5 ,6 ,7 ) ist. - Vakuumbeschichtungsanlage nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass in einer Vakuumkammer hintereinander eine Ätzeinrichtung (
2 ,3 ) und eine Beschichtungseinrichtung (4 ,5 ,6 ,7 ) angeordnet sind und dass je ein Pyrometer (9 ,10 ,11 ,12 ) vor der Ätzeinrichtung (2 ,3 ), hinter der Ätzeinrichtung (2 ,3 ), hinter der Beschichtungseinrichtung (4 ,5 ,6 ,7 ) und hinter einer an die Beschichtungseinrichtung (4 ,5 ,6 ,7 ) anschließenden Abkühlstrecke angeordnet ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE200810026002 DE102008026002B9 (de) | 2008-05-29 | 2008-05-29 | Verfahren zur Temperaturmessung an Substraten und Vakuumbeschichtungsanlage |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE200810026002 DE102008026002B9 (de) | 2008-05-29 | 2008-05-29 | Verfahren zur Temperaturmessung an Substraten und Vakuumbeschichtungsanlage |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102008026002A1 true DE102008026002A1 (de) | 2009-12-17 |
DE102008026002B4 DE102008026002B4 (de) | 2013-04-25 |
DE102008026002B9 DE102008026002B9 (de) | 2013-05-16 |
Family
ID=41317571
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE200810026002 Expired - Fee Related DE102008026002B9 (de) | 2008-05-29 | 2008-05-29 | Verfahren zur Temperaturmessung an Substraten und Vakuumbeschichtungsanlage |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102008026002B9 (de) |
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DE102015105844A1 (de) | 2015-04-16 | 2016-10-20 | Von Ardenne Gmbh | Verschlusseinrichtung, Pyrometer-Anordnung und Vakuum-Substratbehandlungsanlage |
DE102015105844B4 (de) | 2015-04-16 | 2019-08-14 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Verschlusseinrichtung, Pyrometer-Anordnung und Vakuum-Substratbehandlungsanlage |
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Publication number | Publication date |
---|---|
DE102008026002B9 (de) | 2013-05-16 |
DE102008026002B4 (de) | 2013-04-25 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20130726 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: PATENTANWAELTE LIPPERT, STACHOW & PARTNER, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: VON ARDENNE GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: VON ARDENNE ANLAGENTECHNIK GMBH, 01324 DRESDEN, DE Effective date: 20140701 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: PATENTANWAELTE LIPPERT, STACHOW & PARTNER, DE Effective date: 20140701 |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
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