DE102010056046A1 - Verfahren zur Herstellung von sauberen visuell fleckenfreien Wafern, derart erhaltene Wafer sowie deren Verwendung - Google Patents
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Abstract
Es wird ein Verfahren zur Herstellung von sauberen und visuell fleckenfreien Wafern beschrieben. Das Verfahren umfasst ein Zersägen von Blöcken zu dünnen Waferscheiben und darauffolgendes stufenweises Reinigen von so erhaltenen Waferscheiben durch Entfernen von absorbierten und kovalent gebundenen Verunreinigungen in einem wässrigen Fluid, und Abtragen von Wafermaterial an der Waferoberfläche durch alkalisches Ätzen sowie Neutralisieren der Waferoberfläche mit einer Säure, welches dadurch gekennzeichnet ist, dass das Neutralisieren mittels einer Lösung erfolgt, die 0,5–6 g/l einer komplexierenden Dicarbonsäure enthält. Die mit dem Verfahren erhaltenen Wafer sind besonders zur Herstellung von elektronischen Bauteilen sowie Photovoltaikzellen geeignet.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Wafern mit einer sauberen und visuell fleckenfreien bzw. belagfreien Oberfläche, derart erhaltene Wafer, sowie deren Verwendung.
- Wafer dienen als Trägersubstrat insbesondere für darauf angeordnete elektronische Funktionsschichten, wie beispielsweise integrierte Schaltungen, für elektronische Rechen- und Steuereinrichtungen oder auch für Photovoltaikschichten in der Solarindustrie zur Erzeugung von elektrischem Strom. Üblicherweise bestehen Wafer aus kristallinem Material. Ein besonders häufig verwendetes Material für Halbleiterwafer oder Solarwafer ist reines multikristallines oder einkristallines Silizium. Zu ihrer Herstellung wird Reinstsiliziumrohstoff aufgeschmolzen und danach durch Abkühlen zu einem Ingot kristallisiert. Derartige einkristalline zylindrische Ingots oder multikristalline quaderförmige Ingots werden üblicherweise zu Blöcken weiterverarbeitet, welche nachfolgend mittels einer Drahtsäge zu dünnen Waferscheiben zersägt werden. Das Zersägen erfolgt üblicherweise mit sogenannten Multi Wire Sägen, wobei in diesen Sägen aus einem dünnen metallischen Draht ein Drahtfeld gebildet wird, das mit einer Kühlflüssigkeit beaufschlagt wird und in dem sich der bewegende Draht in einer Vielzahl benachbarter Schnittspalte in den Kristallblock einarbeitet, indem er durch die Schnittspalte hindurch gezogen wird. Dabei werden entweder am Draht fest angeordnete Schleifkörner (gebundenes Korn) oder in der Kühlflüssigkeit aufgeschlämmte Schleifkörner (loses Korn) über eine Schneidfront bewegt, wobei die Schneidkörner das kristalline Material abspanen.
- Es hat sich gezeigt, dass solche Kühl- bzw. Sägeflüssigkeiten, insbesondere glykolhaltige Sägeflüssigkeiten mit einem Wassergehalt von 5–20% bei Eintrag von Sägeabrieb „verschlammen”, d. h. eine starke Viskositätserhöhung von bis zu 300 Pas aufweisen können.
- Nach Beendigung des Zersägens verbleibt dieser Schlamm sowie die Kühlflüssigkeit an den durch Sägen entstandenen Waferoberflächen zumindest teilweise haften und muss in typischerweise mindestens zwei Reinigungsschritten (1. Schritt: Vorreinigung, 2. Schritt: Feinreinigung) vollständig entfernt werden. Der Schlamm besteht im wesentlichen ausabgespantem Wafermaterial und aus gebrochenen oder lose vorliegenden Schneidkörnen, sowie andere Bestandteile, insbesonders Abrieb von der Sägedrahtoberfläche und chemische Reaktionsprodukte aus Abrieb und Bestandteilen der Kühlflüssigkeit.
- Im Prozess der Waferherstellung wird der am Ende des Wafersägens vorliegende Waferkamm in der Vorreinigung gereinigt und werden die Wafer entkittet, d. h. wird die Klebeverbindung zwischen Wafer und Beam gelöst. Nach einer nachfolgenden manuellen oder automatischen Separierung (Vereinzelung) der Wafer druchlaufen diese die Feinreinigung.
- Die
DE 10 2005 062 527 A1 beschreibt nun eine Anlage, die sowohl für die Feinreinigung der Wafer im Waferherstellungsprozess als auch für den ersten Schritt der Prozessierung der Wafer zu Solarzellen, den Isotexturierungsprozess, eingesetzt werden kann. Dabei wird auch auf die verwendeten Prozesschemikalien in beiden Prozessen eingegangen. Für den Stand der Technik zu vorliegender Patentanmeldung ist die Füllung des Beckens mit NaOH relevant. Die Füllung des Beckens für den Prozess der Isotexturierung monokristalliner Wafer wird ebenso eine NaOH-Füllung gewählt wogegen bei der Isotexturierung multikristalliner Wafer typischerweise das genannte Gemisch aus HF und/oder HCl und/oder HNO3 gewählt wird. - Die Prozessierung von Wafern zu Solarzellen beginnt üblicherweise mit einer Isotexturierung, die eine Reinigung, Schadensätzung und die Texturierung der Waferoberflächen umfasst. Diese kann beispielsweise auch bestehen aus einer wässrigen Vorreinigung durch ein saures Oxidätzen mit HF/HNO3, einer weiteren Reinigung mit einer wässrigen ammoniakalischen Wasserstoffperoxidlösung mit anschließendem Eintauchen in eine wässrige Flusssäure-Lösung, worauf eine zweite Reinigung mit einer wässrigen Salzsäure- und Wasserstoffperoxidlösung folgt. Hiervon ausgehend beschreibt die
DE 10 2007 058 876 A1 ein Verfahren zur Bearbeitung von Waferoberflächen durch eine simultane Reinigung, Schadensätzung und Texturierung mittels einer alkalischen mindestens ein Texturmittel enthaltenden Behandlungslösung, wobei diese Behandlungslösung als benetzender Flüssigkeitsfilm kontinuierlich über die Waferoberfläche geleitet wird. Als Texturmittel werden dabei organische Säuren, wie beispielsweise Oxalsäure, Malonsäure, Adipinsäure, Apfelsäure, Zitronensäure, Toluolsulfonsäure und/oder Toluolsäure verwendet. - Aus der
EP 1 047 121 A1 ist eine Reinigungslösung für Substrate von elektronischen Vorrichtungen bekannt, welche eine oder mehrere organische Säuren und mindestens eine Verbindung enthält, die ausgewählt ist aus Dispergiermitteln und oberflächenaktiven Mitteln. - Vorliegende Erfindung geht von einem an sich bekannten Reinigungsverfahren aus, bei dem derartige Wafer zuerst in einer Vorreinigungsanlage von groben Vorverschmutzungen durch Spülen mittels einer wässrigen Lösung in einem ersten Modul vorgereinigt werden.
- Nach der Entkittung und der Vereinzelung der Wafer erfolgt bekannterweise in einer Feinreinigungsanlage ein Anätzen der Oberfläche mittels einer 4–5%igen NaOH-Lösung bei einem pH von 12 bis 14, wobei ein Oberflächenabtrag von ca. 1 μm erfolgt. Danach wird die alkalische Ätzlösung durch Spülen mit Wasser entfernt und in einem weiteren Schritt in einem Säurebad, welches üblicherweise Essig- und/oder Zitronensäure enthält, neutralisiert. Nach einem weiteren Waschen erfolgt eine Trocknung des gereinigten Wafer.
- Es hat sich jedoch gezeigt, dass mit den bisher bekannten gängigen Verfahren zwar gereinigte Waferoberflächen erhalten werden, diese jedoch häufig auch noch nach Durchlaufen einer Reinigung nach vorgenanntem Stand der Technik noch äußerst fleckig sind bzw. an ihrer Oberfläche noch rote bzw. braune und schwarze Beläge aufweisen. Solche Wafer werden von der weiteren Verarbeitung ausgeschlossen. Diese Beläge sind auch durch zusätzliches Ätzen bislang nicht ohne weiteres entfernbar, sofern dies durch zusätzliches Ätzen doch noch gelingt, so entsteht eine verätzte Oberfläche in den „Nichtfleckenbereichen” Diese Bereiche weisen dann eine durch anisotropes Ätzen entstandene glänzend erscheinende Fläche auf, die mit Gräben und Vertiefungen durchsetzt ist und die dann zusätzlich eine Ätzstufe zu dem Bereich des Flecks von ca. 1 um aufweist. Die gesamte Waferoberfläche erscheint dann nicht mehr einheitlich matt sondern weist glänzende und nicht glänzende Bereiche auf. Der Bereich des ehemaligen Flecks erscheint so, als hätte der Fleck als ein Schutzlack gewirkt, der den zusätzlichen Ätzangriff im Fleckenbereich abmilderte. Eine durch zusätzliches Ätzen entstandene gewünschte Oberfläche im Bereich des Flecks führt somit zu den geschilderten Überätzungen in den „Nichtfleckenbereichen” des Wafers so, dass auch diese verworfen werden müssen.
- Die Erfindung hat daher zum Ziel, ein Verfahren zur Herstellung von sauberen und visuell fleckenfreien Wafern bereitzustellen, die auch auf der Oberfläche keine visuell unterschiedlich geätzten Bereiche aufweisen. Die fleckenfreie Oberfläche ist insbesonders als rückstandsfreie Oberfläche zu verstehen.
- Dieses Ziel wird mit den in den Ansprüchen definierten Merkmalen erreicht.
- Erfindungsgemäß wurde nämlich gefunden, dass sich saubere und visuell fleckenfreie Waferoberflächen erhalten lassen, auf denen sich auch mittels REM/EDX keine metallischen Verunreinigungen mehr nachweisen lassen wenn im Schritt Feinreinigung nach einem Abätzen der Waferoberfläche diese Oberfläche mit einem komplexierenden Mittel, vorzugsweise Dicarbonsäure, neutralisiert wird.
- Die erfindungsgemäß einzusetzenden komplexierenden Mittel, sind insbesondere solche, welche metallische Bestandteile des Sägedrahtes, insbesondere Eisen, Kobalt, Nickel, Kupfer und/oder Zink komplexieren. Ein bevorzugtes Mittel ist Oxalsäure. Auf diese Weise lassen sich auch solche Flecke bzw. Beläge entfernen, die bislang nicht entfernbar waren.
- Dieser Neutralisierungsschritt erfolgt üblicherweise mindestens bei Raumtemperatur, wobei eine Mindesttemperatur von 30, insbesondere 35°C bevorzugt ist. Zweckmäßige Maximaltemperaturen sind insbesondere 60 vorzugsweise 50 bzw. 45°C, wobei Temperaturen von 40 bis 50°C besonders bevorzugt sind. Bei der Neutralisation beträgt die Kontaktzeit der Waferoberfläche mit der insbesondere wässrigen das komplexierende Mittel enthaltenden Lösung für einen Zeitraum von mindestens 10 insbesondere mindestens 20 Sekunden, wobei eine Mindestkontaktzeit von 30 Sekunden besonders zweckmäßig ist. Typische Maximalzeiten betragen 300 Sekunden, wobei 120 insbesondere höchstens 60 Sekunden aus verfahrensökonomischen Gründen sich als besonders zweckmäßig erwiesen haben.
- Dem erfindungsgemäß modifizierten Schritt Feinreinigung der Wafer geht zweckmäßigerweise eine Vorreinigung voraus. Dabei wird vorzugsweise der nach dem Wafersägen entstandene Waferkamm vor dem Ablösen der Wafer von einem Maschinenträger der Wafersäge, der gegebenenfalls als Sägeunterlage eine Opferplatte, einen sogenannten Beam enthält, vorgereinigt. Dabei wird die in den Sägespalten zwischen den Wafern anhaftende Sägeslurry abgespült.
- Dies erfolgt in einem ersten Schritt der Vorreinigung üblicherweise mittels einer wässrigen Spülflüssigkeit, welche gegebenenfalls Detergenzien enthält. Vorzugsweise wird jedoch hierzu ein Gemisch aus deionisiertem Wasser und einem anionischem Tensid verwendet.
- In einem zweiten Schritt der Vorreinigung hat es sich auch als zweckmäßig erwiesen, vor dem Vereinzeln der Wafer deren Oberfläche von absorbierten und kovalent gebundenen Verunreinigungen zu befreien.
- Ein nach diesen Vorreinigungsschritten im erfindungsgemäßen Schritt Feinreinigung folgendes Abtragen durch Ätzen dient im Wesentlichen dazu, beim Sägen in die Waferoberfläche mechanisch eingedrückte Partikel zu entfernen. Derartige Partikel können sowohl ganze oder abgebrochene Sägepartikel sein wie beispielsweise Siliciumcarbid, Korund oder auch Diamant, sowie Bruchstücke davon. Ebenfalls in die Oberfläche eingedrückt werden aber auch abgespannte Partikel aus Wafermaterial selbst. Durch den Ätzabtrag werden diese Partikel freigesetzt und können von der Oberfläche weggespült werden.
- Durch das Ätzen wird üblicherweise so wenig Wafermaterial abgetragen, dass dieses nicht ohne weiteres messbar ist. Insbesondere beträgt der Abtrag jedoch weniger als 1 μm und vorzugsweise weniger als 0,5, insbesondere weniger als 0,1 μm.
- Der alkalische Ätzabtrag von Wafermaterial an der Waferoberfläche wird üblicherweise mit einer NaOH-Lösung mit einer mindestens 0,1 molaren Konzentration, insbesondere einer 0,5 molaren NaOH-Lösung durchgeführt. Bevorzugte Mindestkonzentrationen sind 0,6 bzw. 0,7 molar, wobei 0,8 molar als Untergrenze besonders bevorzugt ist. Typische Maximalkonzentrationen betragen 10 bzw. 5 molar und vorzugsweise höchstens 3 molar, wobei eine höchstens 2-molare alkalische Lösung besonders bevorzugt ist.
- Üblicherweise weisen alkalische Ätzlösungen einen pH-Wert von mindestens 9 bzw. mindestens 10 auf, wobei pH-Werte von 12–14 bevorzugt sind. Typische alkalische Lösungen sind insbesondere NaOH- und KOH-Lösungen, wobei NaOH bevorzugt ist. Der alkalische Ätzabtrag wird vorzugsweise unter Ultraschall durchgeführt.
- Ultraschallbehandlungen werden typischerweise bei Frequenzen von mindestens 10 kHz durchgeführt, wobei mindestens 20, insbesondere mindestens 30 kHz bevorzugt sind. In der Praxis haben sich dabei Frequenzen von bis zu 150 kHz, insbesondere bis zu 130 bzw. 100 kHz als zweckmäßig erwiesen. Typische Frequenzen für die Ultraschallbehandlung betragen 45 bis 40 kHz. Eine derartige Ultraschallbehandlung wird vorzugsweise dann durchgeführt, wenn die Belege auf der Waferoberfläche bereits angetrocknet sind.
- In einer bevorzugten Ausführungsform enthält das Fluid zum Ätzen der Waferoberfläche anionische Tenside.
- Anionische Tenside weisen die allgemeinen Formel R-X auf, wobei X eine anionische polare funktionelle Gruppe darstellt, die vorzugsweise ausgewählt ist aus einer Carboxylatgruppe, einer Nitratgruppe, Phosphonat und/oder einer Phosphatgruppe. Der polare Rest R ist üblicherweise ein gesättigter oder ungesättigter linearer oder auch verzweigter Alkylrest. In einer bevorzugten Ausführungsform weist R die allgemeine Formel CnH2n+1 auf, wobei n eine ganze Zahl von mindestens 5 und höchstens 22 bedeutet und üblicherweise maximal 20, insbesondere maximal 18 bedeutet. Zweckmäßige Maximalwerte für n betragen 17 bzw. 16. Bevorzugte Minimalwerte für n betragen 5 insbesondere 7, wobei mindestens 8 bzw. mindestens 10 besonders bevorzugt sind. Typische anionische Tenside sind insbesondere Alkylcarboxylate wie verseifte Fettsäuren, Alkylbenzolsulfonate, wie Natriumdedecylbenzolsulfonat, sekundäre Alkansulfonate, sowie Fettalkoholsulfate, wie z. B. Natriumlaurylsulfat. In dem erfindungsgemäßen Verfahren wird das anionische Tensid in einer Konzentration von mindestens 0,001‰, insbesondere mindestens 0,01‰ eingesetzt, wobei typischerweise maximale Obergrenzen von 5‰ insbesondere 3‰ zweckmäßig sind. Typischerweise werden die Tenside in einer Konzentration von 0,01 bis 1‰ insbesondere 0,02 bis 0,06 insbesondere 0,04 g/l verwendet.
- Erfindungsgemäß hatte sich gezeigt, dass durch den Zusatz derartiger anionischer Tenside auch dicke auf der Waferoberfläche abgelagerte Schichten wie beispielsweise beim Sägen gebildete metallische Silikate wie beispielsweise Eisensilikate, problemlos entfernt werden können.
- Diese Reinigung wird typischerweise über einen Zeitraum von mindestens 30 Sekunden, vorzugsweise mindestens 60 Sekunden durchgeführt, wobei mindestens 120 Sekunden besonders bevorzugt sind. Maximale Reinigungszeiten betragen höchstens 300 Sekunden, wobei vorzugsweise höchstens 240 Sekunden, insbesondere höchstens 180 Sekunden bevorzugt sind.
- Im erfindungsgemäßen Verfahren hat es sich als zweckmäßig erwiesen, den Ätzabtrag zu wiederholen, wobei die Behandlung in der ersten Ätzstufe um die Zeitdauer der Behandlung der zweiten Stufe verringert wird. Es hat sich nämlich gezeigt, dass mit einer stufenweise in separaten Bädern durchgeführten Behandlung ein deutlich besserer und kontinuierlicherer Ätzabtrag erreicht werden kann. Darüber hinaus muss das Behandlungsmedium in der zweiten Stufe nicht gleichzeitig mit dem Behandlungsmedium der ersten Stufe ausgetauscht werden.
- Durch das alkalische Anätzen der Oberfläche wird erreicht, dass beim Zersägen des Ingots zu Waferscheiben in die Waferoberfläche eingedrückten Schneidekörner bzw. zerbrochene Teile davon wieder abgelöst werden. Ein typisches Anätzen der Oberfläche beträgt maximal 1,5 μm, wobei ein maximaler Ätzabtrag von 1,2, insbesondere 1,1 oder 1 μm bevorzugt ist. Besonders bevorzugt ist ein Abätzen der Oberfläche von weniger als 1 μm.
- Das erfindungsgemäße Verfahren wird üblicherweise bei Temperaturen von mindestens Raumtemperatur, vorzugsweise mindestens 30°C bzw. 35°C durchgeführt, wobei mindestens 40°C besonders bevorzugt ist. Typische Obergrenzen betragen 65°C, wobei höchstens 60 bzw. 55°C bevorzugt sind. Besonders bevorzugt ist eine Obergrenze von höchstens 50°C.
- In einer besonders bevorzugten Ausführungsform wird die Waferoberfläche zusätzlich mit einer wässrigen Lösung von Fe(III)Chlorid und/oder verdünnter Schwefelsäure behandelt. Dabei beträgt die Konzentration an Fe(III)Chlorid üblicherweise mindestens 0,01 mol pro Liter bzw. 0,5 insbesondere mindestens 0,1 mol pro Liter. Typische Obergrenzen sind insbesondere 2 mol Fe(III)Chlorid bzw. 1 mol Fe(III)Chlorid pro Liter, wobei 0,8 bzw. 0,5 mol pro Liter besonders bevorzugt sind. Es hat sich außerdem als zweckmäßig erwiesen, hierzu einen pH-Wert von mindestens 2 insbesondere mindestens 3 zu verwenden, wobei maximaler pH-Wert von 5 insbesondere 4,5 besonders zweckmäßig ist. Typische pH-Werte betragen 4 +/– 1. Bei der Verwendung von Schwefelsäure als zusätzliche Spüllösung wird eine Schwefelsäurelösung von mindestens 0,1 insbesondere 0,5 mol verwendet, wobei eine maximale Konzentration von 1 mol insbesondere 0,5 mol zweckmäßig ist. Insbesondere haben sich hier Maximalkonzentrationen von 0,3 mol als zweckmäßig erwiesen. Typische Behandlungskonzentrationen betragen 0,1 mol +/– 0,05 mol. Es hat sich gezeigt, dass mit dieser zusätzlichen Behandlung auch ganz besonders hartnäckige Flecken entfernbar sind. Die Behandlung mit Eisenchlorid und/oder verdünnter Schwefelsäure kann in den typischen modulmäßigen Ablauf bei der Waferherstellung eingeschoben werden. Dabei wird üblicherweise nach dem Zersägen das noch am Maschinenträger hängende zersägte Gut zuerst in einem Einlauf bzw. einer Spüle zur Entfernung von noch vorliegenden anhaftenden Sägeslurry vorgereinigt, wonach in einem weiteren Modul die alkalische Reinigung erfolgt. Hierbei hat es sich auch als zweckmäßig erwiesen, die alkalische Reinigung zuerst in einem Vormodul durchzuführen und anschließend in einem weiteren Modul nach gleicher Konzentration nochmals nachzubehandeln. Anschließend wird im nächsten Modul mit einer wässrigen Lösung gespült. Diese Lösung kann gegebenenfalls Tenside enthalten. Anschließend wird in einem weiteren Modul die zuvor beschriebene Neutralisation mittels Oxalsäure durchgeführt, welche anschließend in einem zusätzlichen Modul gespült wird. Nach einer derartigen Behandlung werden die vereinzelten Wafer getrocknet.
- Sofern die zuvor beschriebene Behandlung mittels Fe(III)Chlorid und/oder Schwefelsäure nicht bereits in einem weiteren Modul des zuvor geschilderten Ablaufs durchgeführt wird, können Wafer, welche auch nach der zuvor beschriebenen Behandlung noch Flecken halten in einem zusätzlichen Schritt mit Schwefelsäure und Fe(III)Chlorid nachbehandelt werden. Auch nach einer derartigen Behandlung erfolgt ein übliches Spülen der Wafer zum Entfernen anhaftender Behandlungslösungen.
- Findet die Behandlung mit Fe(III)Chlorid und/oder verdünnter Schwefelsäure in der zuvor beschriebenen modularen Reinigungsanlage statt, dann erfolgt diese Behandlung vorzugsweise nach dem alkalischen Anätzen und vor dem Neutralisieren mittels Oxalsäure.
- Bei der erfindungsgemäßen Behandlung von zersägten Wafern werden diese nach der zuvor beschriebenen groben Vorreinigung vom Maschinenträger bzw. dem Beam abgelöst, d. h. vereinzelt und dann einzeln dem Reinigungs- und Behandlungsverfahren unterworfen. Dabei können die Wafer bzw. deren Oberfläche sowohl durch eine Spülung mit dem jeweiligen Fluid oder durch Eintauchen in ein Tauchbad behandelt werden, bzw. kann die Behandlung entsprechend weiter erfolgen.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
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- DE 102005062527 A1 [0006]
- DE 102007058876 A1 [0007]
- EP 1047121 A1 [0008]
Claims (10)
- Verfahren zur Herstellung von sauberen und visuell fleckenfreien Wafern umfassend ein Zersägen von Blöcken zu dünnen Waferscheiben und darauffolgendes stufenweises Reinigen von so erhaltenen Waferscheiben, umfassend – Entfernen von absorbierten und kovalent gebundenen Verunreinigungen in einem wässrigen Fluid und – Abtragen von Wafermaterial an der Waferoberfläche durch alkalisches Ätzen sowie – Neutralisieren der Waferoberfläche mit einer Säure dadurch gekennzeichnet, dass das Neutralisieren mittels einer Lösung erfolgt, die 0,5–6 g/l einer komplexierenden Dicarbonsäure enthält.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicarbonsäure Oxalsäure ist.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Abtragen von Wafermaterial durch alkalisches Ätzen in Gegenwart von NaOH in einer Konzentration von 0,75 bis 1,5 mol/l erfolgt.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das anionische Tensid die allgemeine Formel R-X aufweist, wobei X eine anionische polare funktionelle Gruppe darstellt, die vorzugsweise ausgewählt aus einer Carboxylgruppe, einer Nitratgruppe, Phosphonat und/oder einer Phosphatgruppe ist.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass das Neutralisieren der alkalisch angeätzten Waferoberfläche mit einer sauren wässrigen Lösung bei einem ph-Wert von 0–5 durchgeführt wird.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass der durch die Ätzbehandlung erfolgte Materialabtrag maximal 1,5 μm beträgt.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass die Waferoberfläche mit einer wässrigen Lösung, die Fe-(III)-Chlorid und/oder Schwefelsäure enthält, behandelt wird.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass das Neutralisieren und/oder die Behandlung mit der Dicarbonsäure 10–120 Sekunden durchgeführt wird.
- Wafer erhältlich nach dem Verfahren der Ansprüche 1–8.
- Verwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 8 zur Herstellung von elektronischen Bauteilen und Photovoltaikzellen.
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|---|---|---|---|
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Publications (1)
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| DE102010056046A1 true DE102010056046A1 (de) | 2012-06-28 |
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Country Status (1)
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Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| EP1047121A1 (de) | 1999-04-20 | 2000-10-25 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Reinigungslösung für Substraten von elektronischen Anordnungen |
| DE102005062527A1 (de) | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Substraten |
| DE102007058876A1 (de) | 2007-12-06 | 2009-06-10 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Waferoberflächen |
| US20100248494A1 (en) * | 2009-01-14 | 2010-09-30 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method of cleaning semiconductor wafers |
-
2010
- 2010-12-23 DE DE102010056046A patent/DE102010056046A1/de not_active Withdrawn
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