DE102010044559A1 - Licht emittierendes Halbleiterbauelement, Verfahren zu seiner Herstellung, Bildanzeigevorrichtung und elektronisches Gerät - Google Patents

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Takahiro Koyama
Kensuke Kojima
Arata Kobayashi
Hiroyuki Okuyama
Makoto Oogane
Takayuki Kawasumi
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Abstract

Ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement umfasst eine aktive Schicht, eine Verbindungshalbleiterschicht auf der aktiven Schicht, eine Kontaktschicht auf der Verbindungshalbleiterschicht sowie eine Elektrode auf der Kontaktschicht, wobei die Kontaktschicht im Wesentlichen dieselbe Größe wie die Elektrode aufweist.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement, ein Verfahren zu seiner Herstellung, eine Bildanzeigevorrichtung und ein elektronisches Gerät.
  • 2. Beschreibung bekannter Technik
  • Ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement weist eine aktive Schicht auf, die zur Erzeugung von Licht betrieben werden kann, und es wird in der aktiven Schicht erzeugtes Licht emittiert. Derartige Licht emittierende Halbleiterbauelemente sind in verschiedenartigen technischen Gebieten und Anwendungen weit verbreitet, etwa in Anzeigevorrichtungen. Ausgehend von einem Licht emittierenden Halbleiterbauelement, das eine aus einem AlGaInP-Verbindungshalbleiter mit einem großen Energieband bestehende aktive Schicht enthält, lassen sich etwa Licht emittierende Dioden (LEDs), die zur Erzeugung von Licht mit Wellenlängen von ungefähr 560 bis 680 nm betrieben werden können, durch Ändern des Kristallmischverhältnisses in der aktiven Schicht erzielen. Deshalb sind Licht emittierende Halbleiterbauelemente in Anzeigevorrichtungen wie Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtungen weit verbreitet.
  • Ein solches Licht emittierendes Halbleiterbauelement mit einer aktiven Schicht aus einem AlGaInP-Verbindungshalbleiter weist im Allgemeinen einen Aufbau auf, bei dem eine n-Typ AlGaInP-Schicht, eine undotierte aktive Schicht und eine p-Typ AlGaInP-Schicht gestapelt sind, und Licht wird durch Injektion eines Stromes in die undotierte aktive Schicht erzeugt. Im Übrigen kann es erforderlich sein, eine metallische Elektrode (n-seitige Elektrode) auszubilden, um Elektronen in die n-Typ AlGaInP-Schicht zu injizieren, als auch eine metallische Elektrode (p-seitige Elektrode), um Löcher in die p-Typ AlGaInP-Schicht zu injizieren. Auch ist eine Technologie zum Ausbilden einer GaAs-Schicht bekannt, um die Barriere zwischen der Elektrode und der AlGaInP-Schicht zu reduzieren und günstige elektrische Eigenschaften zu ermöglichen. Jedoch ist die Bandlücke in der GaAs-Schicht kleiner als die Bandlücke in der undotierten und aus der AlGaInP-Verbindungshalbleiterschicht bestehenden undotierten aktiven Schicht, so dass das in der aktiven Schicht erzeugte Licht in der GaAs-Schicht absorbiert werden würde, was zu einer reduzierten Lichtausbeute führt.
  • Um dieses Problem zu lösen und eine hohe Leuchteffizienz zu erzielen, ist eine Technologie bekannt, bei der eine p-Typ GaP-Schicht anstelle der p-Typ GaAs-Schicht zwischen der p-Typ AlGaInP-Schicht und der p-seitigen Elektrode ausgebildet wird (vgl. etwa japanische Patentoffenlegung Nr. 2008-177393 ). Die GaP-Schicht absorbiert das in der aktiven Schicht erzeugte Licht nicht, so dass das Licht effizient nach außen geführt werden kann.
  • Jedoch ist es schwierig, einen p-Typ Fremdstoff in die p-Typ GaP-Schicht mit hoher Konzentration einzubringen. Deshalb kann es zur Erniedrigung des Schichtwiderstandes erforderlich sein, die Dicke der p-Typ GaP-Schicht auf einen Wert von nicht weniger als das Zehnfache der Dicke der p-Typ GaAs-Schicht einzustellen. Jedoch ist es äußerst schwierig, eine derart dicke p-Typ GaP-Schicht nass zu ätzen, um ein Licht emittierendes Bauelement mit winzigen Abmessungen herzustellen, insbesondere mit einer Größe von weniger als 1000 μm2.
  • Selbst falls die p-Typ GaAs-Schicht zwischen der p-Typ AlGaInP-Schicht und der p-seitigen Elektrode ausgebildet wird, führt die Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements winziger Größe, insbesondere einer Größe von weniger als 1000 μm2, notwendigerweise dazu, dass die p-Typ GaAs-Schicht eine reduzierte Größe aufweist. Folglich steigt der elektrische Widerstand der p-Typ GaAs-Schicht an und damit steigt auch eine Ansteuerspannung an.
  • In einem Verfahren zum Herstellen eines Nitrid-Halbleiterlaserbauelements kann das Problem auftreten, dass eine Oberseite (eine Kontaktfläche zur Kontaktierung mit einer zweiten Elektrode) einer zweiten Kontaktschicht kontaminiert ist und eine Erhöhung im elektrischen Widerstand verursacht, was zu einem Anstieg der Betriebsspannung führt. Um ein solches Problem zu vermeiden, ist eine Technologie zur Erzielung eines Nitrid-Halbleiterlaserbauelements bekannt, bei welcher der Ausbildung einer zweiten Kontaktschicht unmittelbar die Ausbildung einer zweiten Elektrode auf der zweiten Kontaktschicht folgt, so dass die zweite Elektrode an ihrer Kontaktfläche zur zweiten Kontaktschicht im Wesentlichen dieselbe Breite aufweist wie die zweite Kontaktschicht, wie in der japanischen Patentoffenlegung Nr. 2002-335048 offenbart ist. Jedoch ist das in der Patentoffenlegung beschriebene Halbleiterbauelement ein Nitrid-Halbleiterlaserbauelement. Zudem erwähnt dieses Dokument keine Maßnahmen, um das bei der Nassätzung einer dicken p-Typ GaP-Schicht, die als Kontaktschicht ausgebildet ist, auftretende Problem zu lösen, oder das Problem des Anstiegs in der Ansteuerspannung infolge des Anstiegs des elektrischen Widerstands der p-Typ GaAs-Schicht.
  • Somit besteht ein Bedürfnis nach einem Licht emittierenden Halbleiterbauelement und einem Verfahren zu seiner Herstellung, bei dem kein Problem bei der Prozessierung des Licht emittierenden Halbleiterbauelements durch eine Nassätztechnik auftreten würde und ein Anstieg in einer Ansteuerspannung vermieden werden kann. Ebenso besteht ein Bedürfnis nach einer Bildanzeigevorrichtung und einem elektronischen Gerät, in denen ein solches Licht emittierendes Halbleiterbauelement verwendet wird.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Verschiedene Aspekte und Merkmale der Erfindung sind in den beiliegenden Ansprüchen definiert.
  • Um den obigen Bedürfnissen gerecht zu werden, wird erfindungsgemäß ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement angegeben, umfassend eine aktive Schicht, eine Verbindungshalbleiterschicht auf der aktiven Schicht, eine Kontaktschicht auf der Verbindungshalbleiterschicht und eine Elektrode auf der Kontaktschicht, wobei die Kontaktschicht im Wesentlichen dieselbe Größe wie die Elektrode aufweist.
  • Eine weitere Ausführungsform gemäß der Erfindung betrifft ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement, bei dem die Kontaktschicht schmäler ist als die Verbindungshalbleiterschicht.
  • Eine weitere Ausführungsform gemäß der Erfindung betrifft ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement, bei dem die Elektrode die Kontaktschicht bedeckt.
  • Eine weitere Ausführungsform gemäß der Erfindung betrifft ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement, bei dem die mittlere Fläche St der Kontaktschicht und die mittlere Fläche S2 der Elektrode die Beziehung 1/2 ≤ S2/S1 ≤ 2 erfüllen.
  • Eine weitere Ausführungsform gemäß der Erfindung betrifft ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement, bei dem die mittlere Fläche S1 der Kontaktschicht und die mittlere Fläche S2 der Elektrode die Beziehung S2/S1 = 1.05 erfüllen.
  • Eine weitere Ausführungsform gemäß der Erfindung betrifft ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement, bei dem die aktive Schicht eine Mehrfachquantentrogstruktur aufweist, die wenigstens eine Trogschicht umfassend GaZIn(1-Z)P und wenigstens eine Barrierenschicht umfassend AlX'GaY'In(1-X'-Z') enthält, wobei Z = 0.51, X' = 0.30 und Y' = 0.21 gilt.
  • Eine weitere Ausführungsform gemäß der Erfindung betrifft ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement, bei dem die Trogschichten die Barrierenschichten der aktiven Schicht mit Se in einer Konzentration von 5 × 1016/cm3 dotiert sind.
  • Eine weitere Ausführungsform gemäß der Erfindung betrifft ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement, bei dem die Kontaktschicht mit Zn in einer Konzentration von 1 × 1020/cm3 dotiert ist.
  • Eine weitere Ausführungsform gemäß der Erfindung betrifft ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement, bei dem die Kontaktschicht mit Mg in einer Konzentration von 1 × 1018/cm3 dotiert ist.
  • Eine weitere Ausführungsform gemäß der Erfindung betrifft ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement, bei dem die Lichtemissionswellenlänge λ der aktiven Schicht zwischen 560 und 680 nm liegt.
  • Eine weitere Ausführungsform gemäß der Erfindung betrifft eine Lichtemissionsdiode umfassend eine aktive Schicht, eine Verbindungshalbleiterschicht auf der aktiven Schicht, eine Kontaktschicht auf der Verbindungshalbleiterschicht und eine Elektrode auf der Kontaktschicht, wobei die Kontaktschicht im Wesentlichen dieselbe Größe wie die Elektrode aufweist.
  • Eine weitere Ausführungsform gemäß der Erfindung betrifft eine Lichtemissionsdiode, bei der die Kontaktschicht schmäler ist als die Verbindungshalbleiterschicht.
  • Eine weitere Ausführungsform gemäß der Erfindung betrifft eine Lichtemissionsdiode, bei der die Elektrode die Kontaktschicht bedeckt.
  • Eine weitere Ausführungsform gemäß der Erfindung betrifft eine Lichtemissionsdiode, bei der die mittlere Fläche S1 der Kontaktschicht und die mittlere Fläche S2 der Elektrode die Beziehung 1/2 ≤ S2/S1 ≤ 2 erfüllen.
  • Eine weitere Ausführungsform gemäß der Erfindung betrifft Lichtemissionsdiode, bei der die mittlere Fläche S1 der Kontaktschicht und die mittlere Fläche S2 der Elektrode die Beziehung S2/S1 = 1.05 erfüllen.
  • Eine weitere Ausführungsform gemäß der Erfindung betrifft eine Lichtemissionsdiode, bei der die aktive Schicht eine Mehrfachquantentrogstruktur aufweist, die wenigstens eine Trogschicht umfassend GaZIn(1-Z)P und wenigstens eine Barrierenschicht umfassend AlX'GaY'In(1-X'-Y') enthält, wobei Z = 0.51, X' = 0.30 und Y' = 0.21 gilt.
  • Eine weitere Ausführungsform gemäß der Erfindung betrifft eine Lichtemissionsdiode, bei der die Trogschichten und die Barrierenschichten mit Se in einer Konzentration von 5 × 1016/cm3 dotiert sind.
  • Eine weitere Ausführungsform gemäß der Erfindung betrifft eine Lichtemissionsdiode, bei der die Kontaktschicht mit Zn in einer Konzentration von 1 × 1020/cm3 dotiert ist.
  • Eine weitere Ausführungsform gemäß der Erfindung betrifft eine Lichtemissionsdiode, bei der die Kontaktschicht mit Mg in einer Konzentration von 1 × 1018/cm3 dotiert ist.
  • Eine weitere Ausführungsform gemäß der Erfindung betrifft eine Lichtemissionsdiode, bei der die Lichtemissionswellenlänge λ der aktiven Schicht zwischen 560 und 680 nm liegt.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ABBILDUNGEN
  • Ausführungsformen der Erfindung werden nun mit Bezug auf die begleitenden Abbildungen beschrieben, wobei ähnliche oder gleiche Teile mit ähnlichen oder gleichen Bezugskennzeichen versehen sind:
  • 1A und 1B zeigen eine schematische Querschnittsansicht und eine konzeptionelle Ansicht eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements gemäß einem Beispiel 1 der Erfindung;
  • 2A und 2B zeigen schematische Querschnittsansichten eines Substrats und desgleichen, um ein Verfahren zum Herstellen eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements gemäß dem Beispiel 1 zu veranschaulichen;
  • 3 ist ein Diagramm mit Messergebnissen der Strom-Leuchteffizienzcharakteristik des Licht emittierenden Halbleiterbauelements gemäß dem Beispiel 1 und vergleichenden Beispielen 1 bis 3;
  • 4 ist ein Diagramm mit Messergebnissen der Strom-Ansteuerspannungscharakteristik der Licht emittierenden Halbleiterbauelemente gemäß dem Beispiel 1 und vergleichenden Beispielen 1 bis 3;
  • 5 ist ein Diagramm einer Strom-Leistungsausbeutecharakteristik der Licht emittierenden Halbleiterbauelemente gemäß Beispiel 1 und vergleichenden Beispielen 1 bis 3;
  • 6 zeigt eine Skizze eines Auswertungsverfahrens des Licht emittierenden Halbleiterbauelements von Beispiel 1 und dergleichen;
  • 7 ist eine schematische Draufsicht auf eine Licht emittierende Einheit in einer Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß einem Beispiel 2 der Erfindung;
  • 8A, 8B und 8C sind schematische Querschnittsansichten entlang der Pfeile A-A, B-B und C-C von 7 in Bezug auf eine Licht emittierende Einheit in der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß Beispiel 2;
  • 9A, 9B und 9C sind schematische Querschnittsansichten entlang der Pfeile D-D, E-E und F-F von 7 in Bezug auf eine Licht emittierende Einheit in der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß Beispiel 2;
  • 10A, 10B und 10C sind schematische Querschnittsansichten einer Licht emittierenden Diode und dergleichen zur Veranschaulichung des Verfahrens zum Herstellen der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß Beispiel 2;
  • 11A und 11B sind schematische Querschnittsansichten einer Licht emittierenden Diode und dergleichen zur Veranschaulichung des Verfahrens zum Herstellen der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß Beispiel 2 im Anschluss an die 10C;
  • 12A, 12B und 12C sind schematische Querschnittsansichten einer Licht emittierenden Diode und dergleichen zur Veranschaulichung des Verfahrens zum Herstellen der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß Beispiel 2 im Anschluss an die 11B;
  • 13A und 13B sind schematische Querschnittsansichten einer Licht emittierenden Diode und dergleichen zur Veranschaulichung des Verfahrens zum Herstellen der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß Beispiel 2 im Anschluss an die 12C;
  • 14A und 14B sind schematische Querschnittsansichten einer Licht emittierenden Diode und dergleichen zur Veranschaulichung des Verfahrens zum Herstellen der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß Beispiel 2 im Anschluss an die 13B;
  • 15A, 15B und 15C sind schematische Querschnittsansichten, die denen entlang der Pfeile B-B, E-E und F-F von 7 entsprechen, um das Verfahren zum Herstellen der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß Beispiel 2 zu veranschaulichen;
  • 16A. 16B und 16C sind schematische Querschnittsansichten, die denen entlang der Pfeile B-B, E-E und F-F von 7 entsprechen, um das Verfahren zum Herstellen der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß Beispiel 2 im Anschluss an die 15A, 15B und 15C zu veranschaulichen;
  • 17A, 17B und 17C sind schematische Querschnittsansichten, die denen entlang der Pfeile B-B, E-E und F-F von 7 entsprechen, um das Verfahren zum Herstellen der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß Beispiel 2 im Anschluss an die 16A, 16B und 16C zu veranschaulichen;
  • 18A, 18B und 18C sind schematische Querschnittsansichten, die denen entlang der Pfeile B-B, E-E und F-F von 7 entsprechen, um das Verfahren zum Herstellen der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß Beispiel 2 im Anschluss an die 17A, 17B und 17C zu veranschaulichen;
  • 19A, 19B und 19C sind schematische Querschnittsansichten, die denen entlang der Pfeile B-B, E-E und F-F von 7 entsprechen, um das Verfahren zum Herstellen der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß Beispiel 2 im Anschluss an die 18A, 18B und 18C zu veranschaulichen;
  • 20A, 20B und 20C sind schematische Querschnittsansichten, die denen entlang der Pfeile B-B, E-E und F-F von 7 entsprechen, um das Verfahren zum Herstellen der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß Beispiel 2 im Anschluss an die 19A, 19B und 19C zu veranschaulichen;
  • 21A, 21B und 21C sind schematische Querschnittsansichten, die denen entlang der Pfeile B-B, E-E und F-F von 7 entsprechen, um das Verfahren zum Herstellen der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß Beispiel 2 im Anschluss an die 20A, 20B und 20C zu veranschaulichen;
  • 22A, 22B und 22C sind schematische Querschnittsansichten, die denen entlang der Pfeile B-B, E-E und F-F von 7 entsprechen, um das Verfahren zum Herstellen der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß Beispiel 2 im Anschluss an die 21A, 21B und 21C zu veranschaulichen;
  • 23A, 23B und 23C sind schematische Querschnittsansichten, die denen entlang der Pfeile B-B, E-E und F-F von 7 entsprechen, um das Verfahren zum Herstellen der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß Beispiel 2 im Anschluss an die 22A, 22B und 22C zu veranschaulichen;
  • 24A, 24B und 24C sind schematische Querschnittsansichten, die denen entlang der Pfeile B-B, E-E und F-F von 7 entsprechen, um das Verfahren zum Herstellen der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß Beispiel 2 im Anschluss an die 23A, 23B und 23C zu veranschaulichen;
  • 25A, 25B und 25C sind schematische Querschnittsansichten, die denen entlang der Pfeile A-A, B-B und C-C von 7 ähneln, und betreffen eine Licht emittierende Einheit in einer Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß einem Beispiel 3;
  • 26A, 26B und 26C sind schematische Querschnittsansichten, die denen entlang der Pfeile A-A, B-B und C-C von 7 ähneln, und betreffen eine Licht emittierende Einheit in einer Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß Beispiel 3;
  • 27A, 27B und 27C sind schematische Querschnittsansichten, die denen entlang der Pfeile A-A, B-B und C-C von 7 ähneln, und betreffen eine Licht emittierende Einheit in einer Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß Beispiel 3;
  • 28A, 28B und 28C sind schematische Querschnittsansichten, die denen entlang der Pfeile B-B, E-E und F-F von 7 entsprechen, um das Verfahren zum Herstellen der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß Beispiel 3 im Anschluss an die 27A, 27B und 27C zu veranschaulichen;
  • 29A, 29B und 29C sind schematische Querschnittsansichten, die denen entlang der Pfeile B-B, E-E und F-F von 7 entsprechen, um das Verfahren zum Herstellen der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß Beispiel 3 im Anschluss an die 28A, 28B und 28C zu veranschaulichen;
  • 30 ist eine schematische Draufsicht auf eine Licht emittierende Einheit gemäß einer Modifikation der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung von Beispiel 2;
  • 31A und 31B sind schematische Draufsichten zur Veranschaulichung des Verfahrens zum Herstellen der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß Beispiel 2; und
  • 32A und 32B sind schematische Draufsichten zur Veranschaulichung des Verfahrens zum Herstellen der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung gemäß Beispiel 2.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Nachfolgend werden Ausführungsformen der Erfindung basierend auf Beispielen und mit Bezug zu den Abbildungen erläutert. Die Erfindung ist jedoch nicht auf die Beispiele beschränkt und verschiedene numerische Werte und Materialien in den Beispielen dienen lediglich der Veranschaulichung. [Allgemeine Beschreibung des Licht emittierenden Halbleiterbauelements, des Verfahrens zu seiner Herstellung, der Bildanzeigevorrichtung und des elektronischen Gerätes gemäß Ausführungsformen der Erfindung]
  • In dem Licht emittierenden Halbleiterbauelement gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, dem Verfahren zum Herstellen des Licht emittierenden Halbleiterbauelements gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, der Bildanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung oder des elektronischen Gerätes gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, kann ein erster Leitungstyp ein n-Typ sein, ein zweiter Leitungstyp kann ein p-Typ sein und eine aktive Schicht kann mit einem n-Typ Fremdstoff dotiert sein. In diesem Fall liegt die Dotierstoffkonzentration des n-Typ Fremdstoffs in der aktiven Schicht bevorzugt im Bereich von 5 × 1015/cm3 bis 1 × 1018/cm3 und vorzugsweise zwischen 1 × 1016/cm3 bis 1 × 1018/cm3. Im Übrigen sind der erste Leitungstyp, der zweite Leitungstyp und der Leitungstyp der aktiven Schicht nicht auf die oben genannten Typen beschränkt. Weitere Beispiele der Kombination aus (erstem Leitungstyp, zweitem Leitungstyp, Leitungstyp der aktiven Schicht) umfassen (n-Typ, p-Typ, p-Typ), (p-Typ, n-Typ, n-Typ) sowie (p-Typ, n-Typ, p-Typ).
  • In dem Licht emittierenden Halbleiterbauelement gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, der Bildanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung oder des elektronischen Geräts gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, welche die obigen bevorzugten Arten umfassen, beträgt die Fläche der aktiven Schicht bevorzugt nicht mehr als 1 × 10–9 m2 (1 × 103 μm2), obwohl dies nicht als Beschränkung zu verstehen ist. In dem Licht emittierenden Halbleiterbauelement gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, dem Verfahren zum Herstellen des Licht emittierenden Halbleiterbauelements gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, der Bildanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung und dem elektronischen Gerät gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, welche die obigen bevorzugten Arten umfassen, liegt die Fläche der aktiven Schicht vorzugsweise im Bereich von 1 × 10–11 bis 5 × 10–10 m2, und besonders bevorzugt im Bereich von 3 × 10–11 bis 3 × 10–10 m2.
  • In dem Verfahren zum Herstellen des Licht emittierenden Halbleiterbauelements gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, einschließlich der obigen verschiedenen bevorzugten Arten, erfüllt die Ätzrate ERU der Nassätzung der zweiten GaAs-Schicht und die Ätzrate ERL der zweiten AlGaInP-Verbindungshalbleiterschicht bei der Nassätzung der zweiten GaAs-Schicht bevorzugt die Beziehung: ERU/ERL ≥ 1 × 102, vorzugsweise ERU/ERL ≥ 3 × 102.
  • Zudem wird die Nassätzung der zweiten GaAs-Schicht vorzugsweise unter Verwendung der strukturierten zweiten Elektrode als Ätzmaske ausgeführt.
  • In dem Licht emittierenden Halbleiterbauelement gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, dem Verfahren zum Herstellen des Licht emittierenden Halbleiterbauelements gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, der Bildanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung oder dem elektronischen Gerät gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, einschließlich den oben beschriebenen bevorzugten Arten (nachfolgend wird hierauf in allgemeiner Weise einfach mit „diese Erfindung” Bezug genommen), ist die Größe der zweiten GaAs-Schicht kleiner als die Größe der zweiten AlGaInP-Verbindungshalbleiterschicht und im Wesentlichen gleich groß wie die zweite Elektrode. Hierin kommt dem Ausdruck „im Wesentlichen gleich wie” die Bedeutung zu, dass die mittlere Fläche S1 der zweiten GaAs-Schicht und die mittlere Fläche S2 der zweiten Elektrode die Beziehung 1/2 ≤ S2/S1 ≤ 2 erfüllen.
  • Zudem ist es bevorzugt, dass die mittlere Fläche S3 der zweiten AlGaInP-Verbindungshalbleiterschicht die Beziehung 1/200 ≤ S2/S3 ≤ 1/3, vorzugsweise 1/50 ≤ S2/S3 ≤ 1/5 erfüllen.
  • Beispiele der Lichtemissionswellenlänge des Licht emittierenden Halbleiterbauelements gemäß einer Ausführungsform der Erfindung schließen Wellenlängen im Bereich von 560 bis 680 nm ein.
  • Beispiele des Licht emittierenden Halbleiterbauelements in Ausführungsformen der Erfindung sind Licht emittierende Dioden (LEDs) und Halbleiterlaser. Beispiele für das elektronische Gerät dieser Erfindung schließen Licht emittierende Diodenanzeigevorrichtungen, Rückseitenbeleuchtungen unter Verwendung von Licht emittierenden Dioden, Beleuchtungseinrichtungen mit Licht emittierenden Dioden, und Werbemedien ein. Das elektronische Gerät kann ein beliebiges Gerät sein, einschließlich tragbarer und stationärer Geräte, und spezifische Beispiele hierfür umfassen Mobiltelefone, mobile Geräte, Roboter, Personalcomputer, Fahrzeuggeräte und verschiedenartige Haushaltsausstattungen und Haushaltsgeräte. Die Licht emittierenden Halbleiterbauelemente, die zum Aufbau des elektronischen Geräts oder der Bildanzeigevorrichtung verwendet werden, liegen in Mehrzahl vor. Die Anzahl, Art, Montage (Layout), Abstände und dergleichen der Licht emittierenden Halbleiterbauelemente werden entsprechend der Verwendung und Funktion des elektronischen Geräts, der für das elektronische Gerät oder die Bildanzeigevorrichtung erforderlichen Spezifikationen, usw. festgelegt. Das Licht emittierende Halbleiterbauelement gemäß einer Ausführungsform der Erfindung kann als rotes Licht emittierende Diode verwendet werden. Andererseits können eine grünes Licht emittierende Diode und eine blaues Licht emittierende Diode etwa aus einem Licht emittierenden GaN-Halbleiterbauelement mit einer GaN-Verbindungshalbleiterschicht aufgebaut sein.
  • Die Bildanzeigevorrichtung oder das elektronische Gerät gemäß einer Ausführungsform der Erfindung umfasst insbesondere:
    • (a) eine Mehrzahl erster Leiterbahnen, die sich entlang einer ersten Richtung erstrecken;
    • (b) eine Mehrzahl zweiter Leiterbahnen, die sich entlang einer zweiten Richtung erstrecken, die verschieden ist von der ersten Richtung; und
    • (c) eine Mehrzahl der Licht emittierenden Halbleiterbauelemente, von denen jedes eine erste Elektrode aufweist, die elektrisch mit der ersten Leiterbahn verbunden ist, sowie eine zweite Elektrode, die elektrisch mit der zweiten Leiterbahn verbunden ist.
  • In der Bildanzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform dieser Erfindung ist jede der Mehrzahl erster elektrischer Leitungen in ihrer Gesamtform bandartig und erstreckt sich entlang der ersten Richtung, wobei jede der Mehrzahl zweiter elektrischer Leitungen in ihrer Gesamtform bandartig ist und sich entlang der zweiten Richtung erstreckt, die von der ersten Richtung verschieden ist (beispielsweise entlang einer Richtung, die senkrecht zur ersten Richtung ist). Im Übrigen kann die Leiterbahn, die in ihrer Gesamtform bandartig ist, einen Leiterstamm aufweisen, der sich in bandartiger Form erstreckt, sowie eine Mehrzahl von Leiterzweigen, die sich vom Leiterstamm aus erstrecken.
  • Andererseits kann das elektronische Gerät gemäß einer Ausführungsform der Erfindung einen Aufbau aufweisen, bei dem die erste Leiterbahn eine Mehrzahl von Leitern umfasst, von denen sich jeder entlang der ersten Richtung als Ganzes erstreckt, und die zweite Leiterbahn umfasst ebenso eine Mehrzahl von Leitern, von denen sich jeder entlang der zweiten Richtung als Ganzes erstreckt, die verschieden ist von der ersten Richtung (etwa in einer zur ersten Richtung senkrechten Richtung). Oder es kann alternativ ein Aufbau zum Einsatz kommen, bei dem die erste Leiterbahn einen gemeinsamen Leiter (gemeinsame Elektrode) aufweist, wobei die zweite Leiterbahn eine Mehrzahl von Leitern umfasst, von denen sich jeder als Ganzes entlang einer Richtung erstreckt. Außerdem kann ein Aufbau zum Einsatz kommen, bei dem die erste Leiterbahn eine Mehrzahl von Leitern aufweist, von denen sich jeder als Ganzes entlang einer Richtung erstreckt, und wobei die zweite Leiterbahn einen gemeinsamen Leiter umfasst (gemeinsame Elektrode). Außerdem kann ein Aufbau zum Einsatz kommen, bei dem die erste Leiterbahn einen gemeinsamen Leiter (gemeinsame Elektrode) aufweist und die zweite Leiterbahn ebenso einen gemeinsamen Leiter (gemeinsame Elektrode) aufweist. Im Übrigen kann die Leiterbahn beispielsweise einen Leiterstamm sowie eine Mehrzahl von Leiterzweigen umfassen, die sich vom Leiterstamm aus erstrecken.
  • Beispiele für das Material der ersten Leiterbahn und der zweiten Leiterbahn umfassen: Verschiedene Metalle wie Gold (Au), Silber (Ag), Kupfer (Cu), Palladium (Pd), Platin (Pt), Chrom (Cr), Nickel (Ni), Kobalt (Co), Zirkonium (Zr), Aluminium (Al), Tantal (Ta), Niob (Nb), Molybdän (Mo), Wolfram (W), Titan (Ti), Eisen (Fe), Indium (In), Zink (Zn), Zinn (Sn), usw.; Legierungen (z. B. MoW) oder Verbindungen (z. B. TiW; Nitride wie TiN, WN, usw.; Silizide wie WSi2, MoSi2, TiSi2, TaSi2, usw.), welche beliebige dieser Metalle enthalten; leitfähige Partikel aus beliebigen dieser Metalle; leitfähige Partikel aus Legierungen, welche beliebige dieser Metalle enthalten; Halbleiter wie Silizium (Si), usw.; Dünnfilme aus Kohlenstoff wie Diamant, usw.; und leitfähige metallische Oxide wie ITO (Indiumzinnoxid), Indiumoxid, Zinkoxid, usw. Weitere Beispiele umfassen Stapelstrukturen aus Schichten, die beliebige dieser Elemente enthalten. Weitere Beispiele umfassen organische Materialien (leitfähige Polymere) wie Poly(3,4-ethylendioxythiophen)/Polystyrolsulfonsäure [PEDOT/PSS]. Beispiele des Verfahrens zum Herstellen der ersten Leiterbahn und der zweiten Leiterbahn, welche naturgemäß von dem die Leiterbahnen ausbildenden Material abhängen, umfassen: verschiedene physikalische Gasphasenabscheideverfahren (PVD-Verfahren) einschließlich Vakuumverdampfungsverfahren, Elektronenstrahl-Gasphasenabscheidung, Heiß-Filament-Gasphasenabscheidung, usw., Sputtern, Ionenplattierung, Laserablation, usw.; verschiedene chemische Gasphasenabscheideverfahren (CVD-Verfahren) einschließlich MOCVD; Spincoating, verschiedene Druckverfahren wie Siebdruck, Inkjetdruck, Offsetdruck, Metallmaskendruck, Tiefdruck, usw.; verschiedene Beschichtungsverfahren wie Airdoktor-Beschichtung, Blade-Coater-Verfahren, Rod-Coater-Verfahren, Knife-Coater-Verfahren, Squeeze-Coater-Verfahren, Reverse-Roll-Coater-Verfahren, Transfer-Roll-Coater-Verfahren, Gravure-Coater-Verfahren, Kiss-Coater-Verfahren, Cast-Coater-Verfahren, Spray Coater-Verfahren, Slit-Orifice-Coater-Verfahren, Calender-Coater-Verfahren, Eintauchverfahren, usw.; Stempelverfahren; Lift-off-Verfahren; Schattenmaskenverfahren; Plattierverfahren wie Elektroplattierung, stromlose Plattierung oder eine Kombination hieraus; Lift-off-Verfahren, Sol-Gel-Verfahren; Sprühverfahren, usw., welche mit einer Strukturierungstechnologie nach Erfordernis kombiniert werden können. Im Übrigen umfassen Beispiele von PVD-Verfahren (a) verschiedene Vakuumverdampfungsverfahren wie Elektronenstahlerhitzungsverfahren, Widerstandserhitzungsverfahren, Blitzverdampfung, usw., (b) Plasmagasphasenabscheideverfahren, (c) verschiedene Sputterverfahren wie Zweipolsputtern, DC(Gleichstrom)-Sputtern, DC-Magnetronsputtern, Hochfrequenzsputtern, Magnetronsputtern, Ionenstrahlsputtern, Bias-Sputtern, usw., und (d) verschiedene Ionenplattierverfahren wie DC-Verfahren, RF-Verfahren, Multikathodenverfahren, aktivierte Reaktionsverfahren, Feldverdampfungsverfahren, Hochfrequenz-Ionenplattierungsverfahren, reaktive Ionenplattierungsverfahren, usw. Das die erste Leiterbahn ausbildende Material und das die zweite Leiterbahn ausbildende Material können übereinstimmen oder voneinander verschieden sein. Zudem lassen sich bei geeigneter Auswahl des Verfahrens zum Herstellen der Leiterbahnen strukturierte erste und zweite Leiterbahnen direkt erzeugen.
  • Der die obere Schicht der ersten Verbindungshalbleiterschicht sowie die untere Schicht der zweiten Verbindungshalbleiterschicht ausbildende Verbindungshalbleiter ist in Ausführungsformen der Erfindung ein AlGaInP-Verbindungshalbleiter, wie oben erwähnt, und insbesondere ein AlXGaYIn(1-X-Y)P-Verbindungshalbleiter. Andererseits ist der die aktive Schicht ausbildende Verbindungshalbleiter ein GaZIn(1-Z)P-Verbindungshalbleiter, wie oben erwähnt. Hierin werden X, Y und Z vorzugsweise so eingestellt, dass beispielsweise die folgenden Beziehungen erfüllt sind. 0.1 ≤ X ≤ 0.4 0.1 ≤ Y ≤ 0.4 0.4 ≤ X + Y ≤ 0.6 0.4 < Z ≤ 0.6.
  • Falls der erste Leitfähigkeitstyp ein n-Typ ist, umfassen Beispiele für den n-Typ Fremdstoff Silizium (Si), Selen (Se), Germanium (Ge), Zinn (Sn), Kohlenstoff (C) und Titan (Ti). Falls der zweite Leitfähigkeitstyp ein p-Typ ist, umfassen Beispiele für den p-Typ Fremdstoff Zink (Zn), Magnesium (Mg), Beryllium (Be), Cadmium (Cd), Kalzium (Ca), Barium (Ba) und Sauerstoff (O). Die aktive Schicht kann aus einer einzelnen Verbindungshalbleiterschicht aufgebaut sein oder eine einzelne Quantentrogstruktur [QW-Struktur] oder eine Mehrfachquantentrogstruktur [MQW-Struktur) aufweisen. Beispiele für das Herstellungsverfahren (Schichtherstellungsverfahren) der verschiedenen Verbindungshalbleiterschichten einschließlich der aktiven Schicht umfassen metallorganische chemische Gasphasenabscheideverfahren (MOCVD-Verfahren, MOVPE-Verfahren), ein metallorganisches Molekularstrahlepitaxieverfahren (MOMBE-Verfahren), und ein Hydridgasphasenepitaxieverfahren (HVPE-Verfahren), in dem ein Halogen zum Transport oder zur Reaktion beiträgt.
  • Falls das Ausbilden (Kristallwachstum) der Verbindungshalbleiterschicht auf dem MOCVD-Verfahren basiert, umfassen Beispiele für eine Gallium(Ga)-Quelle beim Herstellen der Verbindungshalbleiterschicht Trimethylgallium(TMG)-Gas und Triethylgallium(TEG)-Gas, wobei Beispiele für eine Arsen(As)-Quelle tertiäres Butylarsin (TBAs)-Gas und Arsin(AsH3)-Gas umfassen, und Beispiele für eine Phosphor(P)-Quelle umfassen tertiäres Butylphosphin(TBP)-Gas und Phosphin(PH3)-Gas. Zudem kann Trimethylaluminium(TMA)-Gas als Aluminium(Al)-Quelle verwendet werden, und Trimethylindium(TMI)-Gas kann als Indium(In)-Quelle verwendet werden. Falls Silizium (Si) als n-Typ Fremdstoff (n-Typ Dotierstoff) verwendet wird, kann Monosilan(SiH4)-Gas als Si-Quelle verwendet werden. Falls Selen (Se) als n-Typ Fremdstoff (n-Typ Dotierstoff) verwendet wird, kann Selenwasserstoff(SeH4)-Gas als Se-Quelle verwendet werden. Falls Magnesium (Mg) als p-Typ Fremdstoff (p-Typ Dotierstoff) verwendet wird, können Cyclopentadienylmagnesiumgas, Methylcyclopentadienylmagnesium oder Bis(cyclopentadienyl)magnesium (Cp2Mg) als Mg-Quelle verwendet werden. Falls Zink (Zn) als p-Typ Fremdstoff (p-Typ Dotierstoff) verwendet wird, kann Dimethylzink(DMZ)-Gas als Zn-Quelle zum Einsatz kommen.
  • Um die erste Elektrode mit der ersten Verbindungshalbleiterschicht elektrisch zu verbinden, kann die erste Elektrode beispielsweise derart ausgebildet werden, dass sie in Kontakt mit der ersten Verbindungshalbleiterschicht steht (insbesondere der ersten GaAs-Schicht). In einigen Fällen kann die erste Elektrode auf einem Substrat zur Herstellung des Licht emittierenden Bauelements ausgebildet werden, wobei das Substrat mit der ersten Verbindungshalbleiterschicht versehen war. Die zweite Elektrode wird auf der zweiten GaAs-Schicht ausgebildet. Nachfolgend wird der Einfachheit halber die Elektrode, die elektrisch mit der mit dem p-Typ Fremdstoff dotierten Verbindungshalbleiterschicht verbunden ist als „p-seitige Elektrode” bezeichnet, wohingegen die Elektrode, die mit der mit dem n-Typ Fremdstoff dotierten Verbindungshalbleiterschicht verbunden ist, als „n-seitige Elektrode” bezeichnet wird. Beispiele für die p-seitige Elektrode umfassen Au/AuZn, Au/Pt/Ti(/Au)/AuZn, Au/Pt/TiW(/Ti)(/Au)/AuZn, Au/AuPd, Au/Pt/Ti(/Au)/AuPd, Au/Pt/TiW(/Ti)(/Au)/AuPd, Au/Pt/Ti, Au/Pt/TiW(/Ti), Au/Pt/TiW/Pd/TiW(/Ti), Ti/Cu, Pt, Ni, Ag, Ag/Ni und Ge. Im Übrigen umfassen Beispiele für die n-seitige Elektrode Au/Ni/AuGe, Au/Pt/Ti(/Au)/Ni/AuGe, AuGe/Pd, Au/Pt/TiW(/Ti)/Ni/AuGe, Ti und Ti/Al. Die Schicht der vorstehenden Seite von ”/” ist elektrisch weiter von der aktiven Schicht weg positioniert. Oder, alternativ hierzu, kann die n-seitige Elektrode unter Verwendung eines transparenten leitfähigen Materials wie ITO, IZO, ZnO:Al, ZnO:B, usw. hergestellt worden sein. Falls eine aus einem transparenten leitfähigen Material ausgebildete Schicht als Stromdiffusionsschicht verwendet wird, kann die n-seitige Elektrode einen Aufbau aufweisen, bei dem die metallische Stapelstruktur, die oben als p-seitige Elektrode erwähnt ist, und die Stromdiffusionsschicht miteinander kombiniert sind.
  • Beispiele für das Substrat zum Herstellen des Licht emittierenden Bauelements umfassen GaAs-Substrate, GaP-Substrate, AlN-Substrate, AlP-Substrate, InN-Substrate, InP-Substrate, AlGaInN-Substrate, AlGaN-Substrate, AlInN-Substrate, GaInN-Substrate, AlGaInP-Substrate, AlGaP-Substrate, AlInP-Substrate, GaInP-Substrate, ZnS-Substrate, Saphirsubstrate, SiC-Substrate, Aluminiumsubstrate, ZnO-Substrate, LiMgO-Substrate, LiGaO2-Substrate, MgAl2O4-Substrate, Si-Substrate, Ge-Substrate und solche, die durch Ausbilden einer Basisschicht oder einer Pufferschicht auf einer Oberfläche (Grundfläche) eines dieser Substrate erhalten werden.
  • [Beispiel 1]
  • Beispiel 1 betrifft ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement gemäß einer Ausführungsform der Erfindung sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Eine schematische Querschnittsansicht eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements gemäß Beispiel 1 (insbesondere einer Licht emittierenden Diode (LED) in Beispiel 1) ist in 1A gezeigt und eine konzeptionelle Ansicht hiervon ist in 1B gezeigt.
  • Ein Licht emittierendes AlGaInP-Verbindungshalbleiterbauelement (Licht emittierende Diode 10) als Licht emittierendes Halbleiterbauelement in Beispiel 1 umfasst:
    • (A) Eine Stapelstruktur 10B umfassend eine erste Verbindungshalbleiterschicht 11, die einen ersten Leitungstyp (insbesondere n-Typ) aufweist und eine erste GaAs-Schicht (erste Kontaktschicht) 11A und eine erste AlGaInP-Verbindungshalbleiterschicht (erste Mantelschicht) 11B von der unteren Seite aus in dieser Reihenfolge gestapelt aufweist, eine aktive Schicht 13 mit einer GaInP-Verbindungshalbleiterschicht, und eine zweite Verbindungshalbleiterschicht 12, die einen vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyp (insbesondere p-Typ) aufweist und eine zweite AlGaInP-Verbindungshalbleiterschicht (zweite Mantelschicht) 12B und eine zweite GaAs-Schicht (zweite Kontaktschicht) 12A von der unteren Seite aus in dieser Reihenfolge gestapelt aufweist;
    • (B) eine erste Elektrode 14, die elektrisch mit der ersten GaAs-Schicht 11A verbunden ist; und
    • (C) eine zweite Elektrode 15, die über der zweiten GaAs-Schicht 12A ausgebildet ist.
  • Im Übrigen ist die aktive Schicht 13 mit einem Fremdstoff dotiert, und die Größe der zweiten GaAs-Schicht 12A ist kleiner als die Größe der zweiten AlGaInP-Verbindungshalbleiterschicht 12B und im Wesentlichen gleich groß wie die zweite Elektrode 15.
  • Insbesondere weisen die die Stapelstruktur 10B aufbauenden Verbindungshalbleiterschichten die folgenden Zusammensetzungen auf.
  • Die erste GaAs-Schicht (erste Kontaktschicht) 11A weist eine Dicke von 50 nm auf und ist mit Se mit einer Dotierstoffkonzentration von 1 × 1018/cm3 dotiert. Zusätzlich weist die erste AlGaInP Verbindungshalbleiterschicht (erste AlXGaYIn(1-X-Y)P-Verbindungshalbleiterschicht; erste Mantelschicht) 11B eine Dicke von 1 μm auf und ist mit Se mit einer Dotierstoffkonzentration von 5 × 1017/cm3 dotiert, wobei
    X = 0.35, und
    Y = 0.16.
  • Zudem weist die aktive Schicht 13 eine Mehrfachquantentrogstruktur auf, die Trogschichten mit GaZIn(1-Z)P und Barriereschichten mit AlX'GaY'In(1-X'-Y') aufweist, wobei
    Z = 0.51,
    X' = 0.30, und
    Y' = 0.21,
    die Anzahl der Trogschichten 15 beträgt und die Anzahl der Barriereschichten 14 beträgt. Im Übrigen sind die die aktive Schicht 13 ausbildenden Trogschichten und Barrierenschichten mit Se mit einer Dotierstoffkonzentration von 5 × 1018/cm3 dotiert. Hierbei beträgt die Lichtemissionswellenlänge λ der aktiven Schicht 13 635 nm. Der Anteil (Anteilsverhältnis) von Indium in den Trogschichten kann basierend auf der gewünschten Lichtemissionswellenlänge festgelegt werden.
  • Zusätzlich weist die zweite AlGaInP-Verbindungshalbleiterschicht (zweite AlXGaYIn(1-X-Y)P-Verbindungshalbleiterschicht; zweite Mantelschicht) 12B eine Dicke von 1 μm auf und ist mit Mg mit einer Dotierstoffkonzentration von 1 × 1018/cm3 dotiert. Zudem weist die zweite GaAs-Schicht (zweite Kontaktschicht) 12A eine Dicke von 50 nm auf und ist mit Zn mit einer Dotierstoffkonzentration von 1 × 1020/cm3 dotiert. Hierbei sind
    X = 0.35, und
    Y = 0.16.
  • Zudem erfüllen die mittlere Fläche S1 der zweiten GaAs-Schicht 12B und die mittlere Fläche S2 der zweiten Elektrode 15 die Beziehung: = 1.05.
  • Nachfolgend wird das Verfahren zum Herstellen eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements gemäß Beispiel 1 mit Bezug auf die 2A und 2B erläutert, welche schematische Querschnittsansichten eines Substrats und dergleichen zeigen.
  • (Schritt 100)
  • Zunächst wird eine Stapelstruktur 10B ausgebildet.
  • [Schritt 100A]
  • Unter Verwendung eines n-Typ GaAs-Substrats (Dotierstoffkonzentration: 1 × 1018/cm3) mit einer (001)-Ebene als Hauptoberfläche eines Substrats 16 zum Herstellen eines Licht emittierenden Bauelements (nachfolgend wird dieses Substrat vereinfacht als „Substrat 16” bezeichnet) wird zunächst eine Substratreinigung bei einer Substrattemperatur von 800°C und einem Trägergas, das Wasserstoff aufweist, für 10 Minuten durchgeführt, gefolgt von einer Erniedrigung der Substrattemperatur auf 720°C. Dann wird Trimethylgallium(TMG)-Gas als Ga-Quelle zugeführt, während basierend auf dem MOCVD-Verfahren Arsin(AsH3)-Gas als Arsenquelle und Monosilan(SiH4)-Gas als Si-Quelle zugeführt werden, wodurch eine Pufferschicht 17 mit einer GaAs-Schicht einer Dicke von 0.5 μm durch Kristallwachstum auf dem Substrat 16 ausgebildet wird. Im Übrigen wurde die Dotierstoffkonzentration des n-Typ Fremdstoffs (Si) in der Pufferschicht 17 auf 5 × 1017/cm3 eingestellt. Ebenso kann Se als n-Typ Fremdstoff verwendet werden.
  • [Schritt 100B]
  • Dann wird die Zufuhr des AsH3-Gases gestoppt, und es werden TMG-Gas als Ga-Quelle, Trimethylaluminium(TMA)-Gas als Al-Quelle, Trimethylindium(TMI)-Gas als In-Quelle und SiH4-Gas zugeführt, während Phosphin(PH3)-Gas als Phosphorquelle bereitgestellt wird, wodurch eine Ätzstoppschicht 18 mit einem AlGaInP-Verbindungshalbleiter sowie einer Dicke von 0.5 μm durch Kristallwachstum auf der Pufferschicht 17 ausgebildet wird. Im Übrigen wird die Dotierstoffkonzentration des n-Typ Fremdstoffs (Si) in der Ätzstoppschicht 18 auf 5 × 1017/cm3 eingestellt. Ebenso kann Se als n-Typ Fremdstoff gewählt werden.
  • [Schritt 100C]
  • Danach wird die Zufuhr von TMG-Gas, TMA-Gas, TMI-Gas, PH3-Gas und SiH4-Gas gestoppt und es werden TMG-Gas, AsH3-Gas und Selenwasserstoff(SeH2)-Gas als Se-Quelle zugeführt, wodurch eine erste GaAs-Schicht (erste Kontaktschicht) 11A, die mit einem n-Typ Fremdstoff (Se) dotiert ist und eine Dicke von 50 nm aufweist, durch Kristallwachstum ausgebildet wird. Im Übrigen wurde die Dotierstoffkonzentration auf 1 × 1018/cm3 eingestellt.
  • [Schritt 100D]
  • Dann wird die Zufuhr von TMG-Gas, AsH3-Gas und SeH2-Gas gestoppt und es werden TMG-Gas, TMA-Gas, TMI-Gas, PH3-Gas und SeH2-Gas zugeführt, wodurch eine erste AlGaInP-Verbindungshalbleiterschicht (erste Mantelschicht) 11B mit einer Dicke von 1 μm durch Kristallwachstum ausgebildet wird. Im Übrigen wurde die Dotierstoffkonzentration auf 5 × 1017/cm3 eingestellt.
  • [Schritt 100E]
  • Während dann die Versorgung mit PH3-Gas und SeH2-Gas bestehen bleibt, wird von TMG-Gas, TMA-Gas und TMI-Gas Verwendung gemacht und diese Gase werden durch Ventilumstellungen zugeführt, wodurch eine aktive Schicht 13 mit einer Mehrfachquantentrogstruktur ausgebildet wird, die Barrierenschichten mit AlGaInP und Trogschichten mit GaInP umfasst. Im Übrigen wurde die Dotierstoffkonzentration auf 5 × 1016/cm3 eingestellt.
  • [Schritt 100F]
  • Dann wird, während die Zufuhr von PH3-Gas beibehalten wird, mit der Zufuhr von TMG-Gas, TMA-Gas und TMI-Gas fortgefahren und zudem wird Bis(cyclopentadienyl)magnesium(Cp2Mg)-Gas als Mg-Quelle eingeleitet, wodurch eine zweite AlGaInP-Verbindungshalbleiterschicht (zweite Mantelschicht) 12B durch Kristallwachstum ausgebildet wird. Im Übrigen wurde die Dotierstoffkonzentration von Mg auf 1 × 1018/cm3 eingestellt.
  • [Schritt 100G]
  • Danach wird die Zufuhr von TMG-Gas, TMA-Gas, TMI-Gas, PH3-Gas und SeH2-Gas gestoppt, und es werden AsH3-Gas, TMG-Gas und Dimethylzink(DMZ)-Gas als Zn-Quelle zugeführt, wodurch eine zweite GaAs-Schicht (zweite Kontaktschicht) 12A mit einer Dicke von 50 nm durch Kristallwachstum ausgebildet wird. Im Übrigen wurde die Dotierstoffkonzentration auf 1 × 1020/cm3 eingestellt. Dann wurde die Zufuhr von TMG-Gas und DMZ-Gas gestoppt und die Substrattemperatur erniedrigt. Bei Erniedrigung der Substrattemperatur auf 300°C wurde die Zufuhr von AsH3-Gas gestoppt und die Substrattemperatur wurde auf Raumtemperatur erniedrigt, wodurch das Substratwachstum abgeschlossen wurde.
  • [Schritt 110]
  • Nachdem das Kristallwachstum abgeschlossen wurde, erfolgte eine Ausheilbehandlung in einer Stickstoffgasatmosphäre, um den p-Typ Fremdstoff (p-Typ Dotierstoff) zu aktivieren.
  • [Schritt 120]
  • Danach wurde eine Ätzmaske über der Stapelstruktur 11B durch Fotolithografie ausgebildet und diejenigen Bereiche der zweiten GaAs-Schicht 12A, die nicht mit der Ätzmaske belegt waren, wurden unter Verwendung einer Mischlösung aus Phosphorsäure, Wasserstoffperoxid und Wasser weggeätzt. Wird eine Mischlösung aus Phosphorsäure, Wasserstoffperoxid und Wasser verwendet, so wird die zweite AlGaInP-Verbindungshalbleiterschicht 12B im Wesentlichen nicht geätzt, und die zweite GaAs-Schicht 12A wird selektiv weggeätzt.
  • [Schritt 130]
  • Dann werden die zweite AlGaInP-Verbindungshalbleiterschicht 12B, die aktive Schicht 13 und die die erste AlGaInP-Verbindungshalbleiterschicht 11A einer Nassätzung unter Verwendung von Salzsäure unterzogen, um eine Bauelementisolation zu erzielen. Da in diesem Fall die erste GaAs-Schicht 11A nicht mit Salzsäure geätzt wird, kann die Ätzung dort enden, wo die erste GaAs-Schicht 11A freigelegt ist. Indem die Größe der verwendeten Ätzmaske sowie die Ätzdauer gesteuert werden, ist es möglich, die Größe der Licht emittierenden Halbleiterbauelemente über die Elementisolation zu steuern. Nach Beendigung der Ätzung wird die Ätzmaske entfernt. Die Größe des Licht emittierenden Halbleiterbauelements (die Fläche der aktiven Schicht 13) wurde nach der Bauelementtrennung auf einen Wert von nicht mehr als 1 × 103 μm2 eingestellt, insbesondere auf einen Wert von 200 μm2. Auf diese Weise lässt sich die in 2A gezeigte Beschaffenheit erzielen. Im Übrigen erfüllen die Ätzrate ERU bei der Nassätzung der zweiten GaAs-Schicht 12A und die Ätzrate ERL der zweiten AlGaInP-Verbindungshalbleiterschicht 12B bei der Nassätzung der zweiten GaAs-Schicht 12A (insbesondere kann die zweite AlGaInP-Verbindungshalbleiterschicht 12B während der Nassätzung der zweiten GaAs-Schicht 12A ebenso in der letzten Stufe (Endstufe) der Nassätzung geätzt werden, und die Ätzrate der zweiten AlGaInP-Verbindungshalbleiterschicht 12B wird hierbei durch ERL dargestellt) die Bedingung: ERU/ERL = 500.
  • [Schritt 140]
  • Dann wird eine zweite Elektrode 15 auf der freigelegten zweiten GaAs-Schicht 12A ausgebildet. Insbesondere wird die zweite Elektrode 15 über ein Lift-off-Verfahren ausgebildet. Insbesondere werden nach Ausbildung einer Gasphasenabscheidungsmaske durch Fotolithografie eine Ti-Schicht (100 nm)/Pt-Schicht (100 nm)/Au-Schicht (400 nm) in dieser Reihenfolge von der Seite der aktiven Schicht aus aufeinander folgend unter Verwendung eines Gasphasenabscheidungsgeräts ausgebildet und danach wird die Gasphasenabscheidungsmaske entfernt. Auf diese Weise kann die zweite Elektrode (p-seitige Elektrode) 15 mit einem Durchmesser von 3 μm erzielt werden (siehe 2B).
  • [Schritt 150]
  • Danach wird die zweite GaAs-Schicht 12B mit der zweiten Elektrode (p-seitige Elektrode) als Ätzmaske einer Nassätzung unter Verwendung einer Mischlösung aus Phosphorsäure, Wasserstoffperoxid und Wasser unterzogen. Auf diese Weise können diejenigen Bereiche der zweiten GaAs-Schicht 12B entfernt werden, die nicht mit der zweiten Elektrode 15 bedeckt sind (siehe 1A). im Übrigen werden die zweite AlGaInP-Verbindungshalbleiterschicht 12B, die aktive Schicht 13 und die erste AlGaInP-Verbindungshalbleiterschicht 11B im Wesentlichen nicht mit der Mischlösung aus Phosphorsäure, Wasserstoffperoxid und Wasser geätzt. Eine Ätzmaske wird durch Fotolithografie vorübergehend über den Gebieten ausgebildet, in denen die erste GaAs-Schicht freigelegt wird, so dass die erste GaAs-Schicht 11A nicht geätzt wird.
  • [Schritt 160]
  • Dann wird eine erste Elektrode (n-seitige Elektrode) auf der freigelegten ersten GaAs-Schicht 11A ausgebildet. Insbesondere wird eine Gasphasenabscheidungsmaske durch Fotolithografie ausgebildet, und es werden aufeinander folgend Schichten umfassend eine Pd-Schicht (10 nm)/eine AuGe-Legierungsschicht (85 nm)/eine Au-Schicht (250 nm) über der gesamten Fläche unter Verwendung eines Gasphasenabscheidungsgerätes ausgebildet, wonach die Gasphasenabscheidungsmaske entfernt wird. Auf diese Weise lässt sich eine ringförmige erste Elektrode 14 mit einem Durchmesser von 10 μm erzielen. Zudem wird die Wärmebehandlung bei 200°C in Stickstoffgas durchgeführt, wodurch die erste Elektrode 14 und die erste GaAs-Schicht 11A einer gegenseitigen Legierungsbehandlung ausgesetzt werden. Mittels der obigen Schritte lässt sich eine winzige Licht emittierende Diode auf dem Substrat ausbilden.
  • [Vergleichsbeispiel 1]
  • Zu Vergleichszwecken wird in einem dem [Schritt 100E] ähnlichen Schritt eine aktive Schicht durch Beenden der Zufuhr von SeH2-Gas ausgebildet, wodurch ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement erzielt wird. Das so erzielte Licht emittierende Halbleiterbauelement wird mit „Vergleichsbeispiel 1” bezeichnet. Mit anderen Worten ist die aktive Schicht des Licht emittierenden Halbleiterbauelements nach Vergleichsbeispiel 1 nicht mit einem n-Typ Fremdstoff dotiert.
  • [Vergleichsbeispiel 2]
  • Zudem wird durch Weglassen des [Schritts 150] ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement erzielt, bei dem die zweite GaAs-Schicht 12A nach der Bauelementisolation über der gesamten Oberseite der zweiten AlGaInP-Verbindungshalbleiterschicht 12B verbleibt. Das so erzielte Licht emittierende Halbleiterbauelement wird als Licht emittierendes Halbleiterbauelement gemäß „Vergleichsbeispiel 2” bezeichnet.
  • [Vergleichsbeispiel 3)
  • Indem eine aktive Schicht durch Beenden der Zufuhr des SeH2-Gases in einem dem [Schritt 100E] ähnlichen Schritt und Weglassen des [Schritts 150] ausgebildet wird, ließ sich ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement erzielen, bei dem die zweite GaAs-Schicht 12A nach der Bauelementisolation über der gesamten Oberseite der zweiten AlGaInP-Verbindungshalbleiterschicht verbleibt. Das so erzielte Licht emittierende Halbleiterbauelement wird als Licht emittierendes Halbleiterbauelement gemäß „Vergleichsbeispiel 3” bezeichnet.
  • Die Bedingungen des Beispiels 1 und der Vergleichsbeispiele 1, 2 und 3 sind in der unteren Tabelle 1 zusammengefasst. Im Übrigen wird zur Auswertung der Licht emittierenden Halbleiterbauelemente vereinfachend und basierend auf Lithografie- und Ätztechniken die erste GaAs-Schicht 11A freigelegt, die zweite Elektrode 15 auf der zweiten GaAs-Schicht 12A ausgebildet, die erste Elektrode 14 auf der ersten GaAs-Schicht 11A ausgebildet, Messspitzen wurden unter Verwendung einer Messeinrichtung angeordnet und vom Substrat 16 zur Herstellung des Licht emittierenden Bauelements emittiertes Licht wurde detektiert. 6 zeigt das Auswertungsverfahren schematisch dargestellt. [Tabelle 1]
    Dotierung der aktiven Schicht mit Se Entfernen eines Teils der zweiten GaAs-Schicht
    Beispiel 1 vorhanden vorhanden
    Vergleichsbeispiel 1 nicht vorhanden vorhanden
    Vergleichsbeispiel 2 vorhanden nicht vorhanden
    Vergleichsbeispiel 3 nicht vorhanden nicht vorhanden
  • Die Messergebnisse der Strom-Leuchteffizienzcharakteristik (Watt/Ampere), die im Beispiel 1 und den Vergleichsbeispielen 1 bis 3 erzielt wurden, sind in 3 gezeigt. Der 3 kann entnommen werden, dass im Beispiel 1 (gekennzeichnet hier und in den 4 und 5 durch offene Dreiecksmarkierungen und Kurve „A”) sowie im Vergleichsbeispiel 1 (gekennzeichnet hier und in den 4 und 5 durch Markierung „x” und Kurve „B”) die Leuchteffizienz verbessert wurde gegenüber dem Vergleichsbeispiel 2 (gekennzeichnet hier und in den 4 und 5 durch eine offene rautenförmige Markierung und Kurve „C”) sowie gegenüber dem Vergleichsbeispiel 3 (gekennzeichnet hier und in den 4 und 5 durch eine offene quadratische Markierung und Kurve „D”). Dies liegt daran, dass der Absorption von Licht aus der aktiven Schicht in der zweiten GaAs-Schicht als Ergebnis des teilweisen Entfernens der zweiten GaAs-Schicht verhindert wurde.
  • Nachfolgend sind in 4 die Messergebnisse der Strom-Ansteuerspannungscharakteristik für das Beispiel 1 und die Vergleichsbeispiele 1 bis 3 gezeigt. Wie der 4 entnommen werden kann, wurde die Ansteuerspannung für einen gegebenen Stromwert im Beispiel 1 und im Vergleichsbeispiel 1 erhöht gegenüber den Vergleichsbeispielen 2 und 3. Dies liegt wohl an einer Konzentration des Stroms im Licht emittierenden Halbleiterbauelement als Folge des teilweisen Entfernens der zweiten GaAs-Schicht. Ein Vergleich zwischen dem Beispiel 1 und dem Vergleichsbeispiel 1 im Hinblick auf die Ansteuerspannung bei einem gegebenen Stromwert, mit besonderem Augenmerk auf das Vorhandensein oder Nichtvorhandensein der Dotierung der aktiven Schicht mit Se, zeigt, dass die Ansteuerspannung bei einem gegebenen Stromwert im Beispiel 1 niedriger ausfällt, wobei hier die Dotierung der aktiven Schicht mit Se erfolgte. Mit anderen Worten zeigt die Dotierung der aktiven Schicht mit einem Fremdstoff einen die Ansteuerspannung erniedrigenden Effekt.
  • Somit lässt sich die Leuchteffizienz verbessern, indem diejenigen Bereiche der zweiten GaAs-Schicht 12A entfernt werden, die nicht unterhalb der zweiten Elektrode 15 angeordnet sind. Zudem verspricht die Dotierung der aktiven Schicht 13 mit einem Fremdstoff eine Erniedrigung in der Ansteuerspannung.
  • Die Messergebnisse der Strom-Leistungsausbeute (Watt/Watt) für das Beispiel 1 und die Vergleichsbeispiele 1 bis 3 sind in 5 gezeigt. Im Übrigen kann die Leistungsausbeute erhalten werden, indem die in 3 gezeigte Leuchteffizienz (Watt/Ampere) mit der Spannung (Volt) geteilt wird. Wie der 5 entnommen werden kann, ist die im Beispiel 1 (gekennzeichnet durch Kurve „A”) erhaltene Leistungsausbeute größer als die in den Vergleichsbeispielen 1 bis 3 (gekennzeichnet mit Kurven „B” bis „D”) erhaltene Leistungsausbeute.
  • [Beispiel 2]
  • Beispiel 2 betrifft eine Bildanzeigevorrichtung sowie ein elektronisches Gerät gemäß Ausführungsformen der Erfindung. Die Bildanzeigevorrichtung im Beispiel 2 weist Licht emittierende Halbleiterbauelemente auf, die zur Anzeige eines Bildes betrieben werden können. Zudem weist das elektronische Gerät im Beispiel 2 ebenso Licht emittierende Halbleierbauelemente auf. Diese Licht emittierenden Halbleiterbauelemente weisen jeweils das im Beispiel 1 beschriebene Licht emittierende Halbleiterbauelement auf.
  • Die Bildanzeigevorrichtung oder das elektronische Gerät in Beispiel 2 umfassen:
    • (a) eine Mehrzahl erster Leiterbahnen, die sich entlang einer ersten Richtung erstrecken;
    • (b) eine Mehrzahl zweiter Leiterbahnen, die sich entlang einer zweiten Richtung erstrecken, die verschieden ist von der ersten Richtung; und
    • (c) eine Mehrzahl von Licht emittierenden Halbleiterbauelementen, von denen jedes eine erste Elektrode 14 aufweist, die elektrisch mit der ersten Leiterbahn verbunden ist, sowie eine zweite Elektrode 15, die elektrisch mit der zweiten Leiterbahn verbunden ist.
  • Die Bildanzeigevorrichtung im Beispiel 2 weist insbesondere eine Licht emittierende Diodenanzeigevorrichtung auf. Hierbei weist ein Pixel in der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung eine Zusammenstellung (Licht emittierende Einheit) aus einer ersten Licht emittierenden Diode 110, einer zweiten Licht emittierenden Diode 210 und einer dritten Licht emittierenden Diode 310 auf. Im Übrigen weisen die ersten Licht emittierenden Dioden 110 der ersten, zweiten und dritten Licht emittierenden Dioden 110, 210 und 310 das im Beispiel 1 beschriebene Licht emittierende Halbleiterbauelement auf. Eine Mehrzahl der Licht emittierenden Einheiten ist entlang einer ersten Richtung und entlang einer zur ersten Richtung senkrechten zweiten Richtung im Muster einer zweidimensionalen Matrix angeordnet. Zudem sind die erste Elektrode 114 der ersten Licht emittierenden Diode 110, die erste Elektrode 214 der zweiten Licht emittierenden Diode 210 und die erste Elektrode 314 der dritten Licht emittierenden Diode 310 in jeder Licht emittierenden Einheit mit einem ersten Verbindungsglied verbunden (nachfolgend kann das erste Verbindungsglied als „gemeinsame Subelektrode 43” bezeichnet werden). Andererseits ist eine Herausführelektrode 116, die in der ersten Licht emittierenden Diode 110 in jeder der Licht emittierenden Einheiten vorliegt und entlang der zweiten Richtung angeordnet ist, mit der zweiten Leiterbahn verbunden, die sich entlang der zweiten Richtung erstreckt (nachfolgend wird diese zweite Leiterbahn als „erste gemeinsame Elektrode” oder „erste gemeinsame Leiterbahn” 401 bezeichnet). Zudem ist eine Herausführelektrode 216, die in der zweiten Licht emittierenden Diode 210 vorliegt, mit der zweiten Leiterbahn verbunden, die sich entlang der zweiten Richtung erstreckt (nachfolgend wird diese zweite Leiterbahn als „zweite gemeinsame Elektrode” oder „zweite gemeinsame Leiterbahn” 402 bezeichnet). Zudem ist eine Herausführelektrode 316, die in der dritten Licht emittierenden Diode 310 vorliegt, mit der zweiten Leiterbahn verbunden, die sich entlang der zweiten Richtung erstreckt (nachfolgend wird diese zweite Leiterbahn als „dritte gemeinsame Elektrode” oder „dritte gemeinsame Leiterbahn” 403 bezeichnet). Im Übrigen ist die in den Licht emittierenden Einheiten entlang der zweiten Richtung angeordnete gemeinsame Subelektrode 43 mit der ersten Leiterbahn verbunden, die sich entlang der ersten Richtung erstreckt (nachfolgend wird diese erste Leiterbahn als „vierte gemeinsame Elektrode” oder „vierte gemeinsame Leiterbahn” 404 bezeichnet).
  • Angenommen, eine gewünschte Anzahl der ersten Licht emittierenden Dioden, die die Licht emittierende Einheit aufbauen, betrage N1, eine gewünschte Anzahl der zweiten Licht emittierenden Dioden, die die Licht emittierende Einheit aufbauen, betrage N2, und eine gewünschte Anzahl der dritten Licht emittierenden Dioden, die die Licht emittierende Einheit aufbauen, betrage N3, so kann N1 1 oder eine ganze Zahl von nicht weniger als 2 sein, N2 kann 1 oder eine ganze Zahl nicht weniger als 2 sein und N3 kann 1 oder eine ganze Zahl nicht weniger als 2 sein. Die Werte N1, N2 und N3 können übereinstimmen oder voneinander abweichen. Falls die Werte N1, N2 und N3 ganze Zahlen von nicht weniger als 2 sind, können die Licht emittierenden Dioden in einer Licht emittierenden Einheit in Serie oder auch parallel zueinander verschalten sein. Die Kombination der Werte von (N1, N2, N3) ist nicht beschränkt und Beispiele von Kombinationen umfassen (1, 1, 1), (1, 2, 1), (2, 2, 2) und (2, 4, 2). Im Übrigen betrug im Beispiel 2 die Kombination der Werte für (N1, N2, N3) insbesondere (1, 1, 1). Die Licht emittierende Diodenanzeigevorrichtung oder das elektronische Gerät gemäß Beispiel 2 weist einen Aufbau auf, bei dem eine Mehrzahl der Licht emittierenden Einheiten, von denen jede die gewünschte Anzahl an ersten Licht emittierenden Diode(n) 110 zur Emission von rotem Licht, die gewünschte Anzahl von zweiten Licht emittierenden Diode(n) 210 zur Emission von grünem Licht und die gewünschte Anzahl von dritten Licht emittierenden Diode(n) 310 zur Emission von blauem Licht aufweist, entlang einer ersten Richtung und entlang einer zur ersten Richtung senkrechten zweiten Richtung im Muster einer zweidimensionalen Matrix angeordnet sind.
  • Eine schematische Draufsicht auf eine Licht emittierende Einheit ist in 7 gezeigt und schematische Querschnittsansichten entlang der Pfeile A-A, B-B, C-C, D-D, E-E und F-F von 7 sind jeweils in den 8A, 8B, 8C, 9A, 9B und 9C gezeigt. Im Übrigen ist die eine Licht emittierende Einheit in 7 von einer strichpunktierten Linie umgeben; die Licht emittierenden Dioden sind mit unterbrochenen Linien gekennzeichnet; Grenzbereiche der drei zweiten Leiterbahnen (der ersten gemeinsamen Elektrode 401, der zweiten gemeinsamen Elektrode 402 und der dritten gemeinsamen Elektrode 403) sind kreuzschraffiert; und Grenzbereiche der zweiten Verbindungsglieder (des zweiten A-Verbindungsglieds 124, des zweiten B-Verbindungsglieds 224 und des zweiten C-Verbindungsglieds 324), das dritte Verbindungsglied 424 und die erste Leiterbahn (die vierte gemeinsame Elektrode 404) sind mit durchgezogenen Linien dargestellt.
  • Hierbei sind die erste gemeinsame Elektrode 401, die zweite gemeinsame Elektrode 402 und die dritte gemeinsame Elektrode 403 auf dem Anzeigevorrichtungssubstrat 61 ausgebildet und die gemeinsame Subelektrode 43 ist auf einer Fixierschicht 34 ausgebildet, die auf dem Anzeigevorrichtungssubstrat 61 fixiert ist. Zudem sind die erste Licht emittierende Diode 110, die zweite Licht emittierende Diode 210 und die dritte Licht emittierende Diode 310 in der Licht emittierenden Einheit auf der Fixierschicht 34 fixiert und die Fixierschicht 34 ist von einer zweiten isolierenden Materialschicht 71 umgeben. Hierbei bedeckt die zweite isolierende Materialschicht 71 die erste gemeinsame Elektrode 401, die zweite gemeinsame Elektrode 402 und die dritte gemeinsame Elektrode 403, die auf dem Anzeigevorrichtungssubstrat 61 ausgebildet sind.
  • In der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung oder dem elektronischen Gerät gemäß Beispiel 2 wird das Licht von der ersten Licht emittierenden Diode 110, der zweiten Licht emittierenden Diode 210 und der dritten Licht emittierenden Diode 310 über die erste Elektrodenseite emittiert. Zusätzlich weist die gemeinsame Subelektrode 43 eine lichtdurchlässige Struktur auf. Die gemeinsame Subelektrode 43 kann aus einer metallischen Schicht oder einer Legierungsschicht bestehen. Alternativ weist die gemeinsame Subelektrode 43 eine lichtdurchlässige Elektrode 42 und eine metallische Schicht 41, die sich von der lichtdurchlässigen Elektrode 42 aus erstreckt, auf. Zudem sind die erste Licht emittierende Diode 110, die zweite Licht emittierende Diode 210 und die dritte Licht emittierende Diode 310 in der Licht emittierenden Einheit auf der gemeinsamen Subelektrode 43 derart angeordnet, dass ihre ersten Elektroden 114, 214 und 314 mit der gemeinsamen Subelektrode 43 verbunden sind. Insbesondere sind die entsprechenden ersten Elektroden 114, 214 und 314 der ersten Licht emittierenden Diode 110, der zweiten Licht emittierenden Diode 210 und der dritten Licht emittierenden Diode 310 in Kontakt mit der lichtdurchlässigen Elektrode 42. Insbesondere ist die lichtdurchlässige Elektrode 42 auf den ersten Elektroden 114, 214, 314 und in der Umgebung der ersten Elektroden 114, 214, 314 ausgebildet. Andererseits ist ein vierter Kontaktlochteil 421 in Kontakt mit der metallischen Schicht 41. Insbesondere ist der vierte Kontaktlochteil 421 auf der metallischen Schicht ausgebildet. Hier ist die lichtdurchlässige Elektrode 42 unter Verwendung eines transparenten leitfähigen Materials wie ITO und IZO ausgebildet. Andererseits wurde die metallische Schicht 41 unter Verwendung eines üblichen metallischen Leiterbahnmaterials wie etwa Au, Cu oder Al ausgebildet.
  • Während die gemeinsame Subelektrode 43 etwa aus einer metallischen Schicht oder einer Legierungsschicht aufgebaut sein kann, kann die gemeinsame Subelektrode 43 insbesondere als gitterförmige Elektrode oder kammartige Elektrode ausgebildet sein. Alternativ kann die gemeinsame Subelektrode 43 etwa aus einer lichtdurchlässigen Elektrode und einer metallischen Schicht oder einer Legierungsschicht, die sich von der lichtdurchlässigen Elektrode aus erstreckt, aufgebaut sein. In diesem Fall kann die lichtdurchlässige Elektrode insbesondere unter Verwendung eines durchlässigen leitfähigen Materials wie ITO, IZO, usw. ausgebildet sein, oder auch aus einer gitterförmigen Elektrode oder einer kammartigen Elektrode bestehen. Im Übrigen muss die gitterförmige Elektrode oder kammartige Elektrode selbst nicht notwendigerweise lichtdurchlässig sein, sofern die Elektrode eine lichtdurchlässige Struktur aufweist. Zudem umfassen Materialbeispiele für die metallische Schicht oder Legierungsschicht elementare Metalle wie Ti, Cr, Ni, Au, Ag, Cu, Pt, W, Ta, Al, usw. sowie Legierungen hiervon. Ebenso kann die gemeinsame Subelektrode 43 einen Multischichtaufbau aufweisen, der zwei oder mehrere Schichten umfasst. Während die entsprechenden ersten Elektroden der ersten Licht emittierenden Diode, der zweiten Licht emittierenden Diode und der dritten Licht emittierenden Diode jeweils in Kontakt mit der lichtdurchlässigen Elektrode sind, kann die lichtdurchlässige Elektrode insbesondere auf der ersten Elektrode ausgebildet sein oder auf der ersten Elektrode sowie in der Umgebung der ersten Elektrode. Während der vierte Kontaktlochteil vorzugsweise in Kontakt mit der metallischen Schicht oder Legierungsschicht ist, kann der vierte Kontaktlochteil insbesondere auf der metallischen Schicht oder Legierungsschicht ausgebildet sein.
  • Die in der ersten Licht emittierenden Diode 110 vorhandene Herausführelektrode 116 ist mit der ersten gemeinsamen Elektrode 401 über den in der Fixierschicht 34 ausgebildeten ersten Kontaktlochteil 121 und ein zweites Verbindungsglied (das zweite A-Verbindungsglied 124 und ein Kontaktteil 123), der sich von der Oberseite der Fixierschicht 34 zur zweiten isolierenden Materialschicht 71 erstreckt, verbunden. Die in der zweiten Licht emittierenden Diode 210 vorhandene Herausführelektrode 216 ist mit der zweiten gemeinsamen Elektrode 402 über einen in der Fixierschicht 34 ausgebildeten zweiten Kontaktlochteil 221 und ein zweites Verbindungsglied (das zweite B-Verbindungsglied 224 und ein Kontaktteil 223), das sich von der Oberseite der Fixierschicht 34 zur zweiten isolierenden Materialschicht 71 erstreckt, verbunden. Die in der dritten Licht emittierenden Diode 310 vorhandene Herausführelektrode 316 ist mit der dritten gemeinsamen Elektrode 403 über einen in der Fixierschicht 34 ausgebildeten dritten Kontaktlochteil 321 und ein zweites Verbindungsglied (das zweite C-Verbindungsglied 324 und ein Kontaktteil 323), das sich von der Oberseite der Fixierschicht 34 zur zweiten isolierenden Materialschicht 71 erstreckt, verbunden. Das erste Verbindungsglied (die gemeinsame Subelektrode 43) ist mit der auf der zweiten isolierenden Materialschicht 71 ausgebildeten ersten Leiterbahn (der vierten gemeinsamen Elektrode 404) über einen in der Fixierschicht 34 ausgebildeten vierten Kontaktlochteil 421 und ein sich von der Oberseite der Fixierschicht 34 zur Oberseite der zweiten isolierenden Materialschicht 71 erstreckendes drittes Verbindungsglied 424 verbunden. Im Übrigen ist im Beispiel 2 ein erster Anschlussbereichsteil 122, der in der Fixierschicht 34 ausgebildet ist, zwischen dem ersten Kontaktlochteil 121 und dem zweiten A-Verbindungsglied 124 bereitgestellt. Ein zweiter Anschlussbereichsteil 222, der in der Fixierschicht 34 ausgebildet ist, ist zwischen dem zweiten Kontaktlochteil 221 und dem zweiten B-Verbindungsglied 224 bereitgestellt. Ein dritter Anschlussbereichsteil 322, der in der Fixierschicht 34 ausgebildet ist, ist zwischen dem dritten Kontaktlochteil 321 und dem zweiten C-Verbindungsglied 324 bereitgestellt. Ein vierter Anschlussbereichsteil 422, der in der Fixierschicht 34 ausgebildet ist, ist zwischen dem vierten Kontaktlochteil 421 und dem dritten Verbindungsglied 424 bereitgestellt.
  • Beispiele für die Materialien, die zur Ausbildung der Herausführelektroden 116, 216, 316 verwendet werden können, umfassen die obigen verschiedenartigen Materialien zur Ausbildung der ersten und zweiten Leiterbahnen. Beispiele für das Verfahren zur Herstellung der Herausführelektroden 116, 216, 316 umfassen verschiedenartigen PVD-Verfahren. Zudem ist es durch geeignete Auswahl des Herstellungsverfahrens ebenso möglich, die strukturierten Herausführelektroden direkt auszubilden.
  • Der erste Kontaktlochteil 121, der zweite Kontaktlochteil 221, der dritte Kontaktlochteil 321 und der vierte Kontaktlochteil 421 sind jeweils unter Verwendung eines Leiterbahnmaterials wie Al, Cu, usw. ausgebildet. Ebenso sind der erste Anschlussbereichsteil 122, der zweite Anschlussbereichsteil 222, der dritte Anschlussbereichsteil 322 und der vierte Anschlussbereichsteil 422 jeweils unter Verwendung eines Leiterbahnmaterials wie etwa Al, Cu, usw. ausgebildet. Zudem sind das zweite A-Verbindungsglied 124, das zweite B-Verbindungsglied 224, das zweite C-Verbindungsglied 324 und das dritte Verbindungsglied 424 jeweils unter Verwendung eines Leiterbahnmaterials wie etwa Al, Cu, usw. ausgebildet.
  • Der erste Kontaktlochteil 121, der zweite Kontaktlochteil 221, der dritte Kontaktlochteil 321 und der vierte Kontaktlochteil 421 können mit einem Verfahren zum Ausbilden von Öffnungsgebieten in der Fixierschicht 34, das auf Lithografietechnik basiert, sowie einem Verfahren, das den obigen Verfahren zum Ausbilden der Elektroden basierend auf dem Elektrodenmaterial ähnelt, hergestellt werden. Zudem kann das Verfahren zum Herstellen des sich vom ersten Kontaktlochteil 121 und über die Fixierschicht 34 erstreckenden ersten Anschlussbereichsteils 122, das Verfahren zum Herstellendes sich vom zweiten Kontaktlochteil 221 und über die Fixierschicht 34 erstreckenden zweiten Anschlussbereichsteils 222, das Verfahren zum Herstellen des sich vom dritten Kontaktlochteil 321 und über die Fixierschicht 34 erstreckenden dritten Anschlussbereichsteils 322 und das Verfahren zum Herstellen des sich vom vierten Kontaktlochteil 421 und über die Fixierschicht 34 erstreckenden vierten Anschlussbereichsteils 422 jeweils geeignet aus den obigen Verfahren zum Herstellen der gemeinsamen Elektroden und dergleichen ausgewählt werden. Zudem können die Verfahren zum Herstellen der zweiten Verbindungsglieder (des zweiten A-Verbindungsglieds 124, des Kontaktteils 123, des zweiten B-Verbindungsglieds 224, des Kontaktteils 223, des zweiten C-Verbindungsglieds 324, des Kontaktteils 323) im Bereich von der Fixierschicht 34 zur zweiten isolierenden Materialschicht 71 und das Verfahren zum Herstellen des dritten Verbindungsglieds 424 im Bereich von der Fixierschicht 34 zur zweiten isolierenden Materialschicht 71 geeignet aus den obigen Verfahren zum Herstellen der gemeinsamen Elektroden und dergleichen ausgewählt werden.
  • Während die erste Verbindungshalbleiterschicht 11 elektrisch mit den ersten Elektroden 114, 214, 314 verbunden ist, sind die ersten Elektroden 114, 214, 314 auf der ersten Verbindungshalbleiterschicht 11 (insbesondere auf der ersten GaAs-Schicht 11A) ausgebildet. Die zweite Elektrode ist auf der zweiten Verbindungshalbleiterschicht 12 ausgebildet (insbesondere auf der zweiten GaAs-Schicht 12A). Zudem werden die erste gemeinsame Elektrode 401, die zweite gemeinsame Elektrode 402, die dritte gemeinsame Elektrode 403 und die vierte gemeinsame Elektrode 404 unter Verwendung eines Leiterbahnmaterials wie Al, Cu, usw. ausgebildet. Die Fixierschicht 34 weist beispielsweise einen zweischichtigen Aufbau bestehend aus einer isolierenden Materialschicht 32 und einer vergrabenen Materialschicht 33 auf, die in dieser Reihenfolge von der Seite eines ersten Transfersubstrats ausgebildet sind. Die isolierende Materialschicht 32 umfasst ein Polyimidharz und die vergrabene Materialschicht umfasst ein UV-härtendes Harz. Zudem umfasst die zweite isolierende Materialschicht 71 ein Polyimidharz. Beispiele für das Verfahren zum Fixieren der ersten Licht emittierenden Diode 110, der zweiten Licht emittierenden Diode 210 und der dritten Licht emittierenden Diode 310 in Bezug auf die Fixierschicht 34 schließen ein Verfahren ein, bei dem ein Teil der vergrabenen Materialschicht 33 vorübergehend gehärtet wird, wobei die verbleibenden Teile der vergrabenen Materialschicht 33 ungehärtet verbleiben und in diesem Zustand werden die erste Licht emittierende Diode 110, die zweite Licht emittierende Diode 210 und die dritte Licht emittierende Diode 310 in den ungehärteten Teilen der vergrabenen Materialschicht 33 vergraben, gefolgt von einem Härten der ungehärteten Teile der vergrabenen Materialschicht 33.
  • Die vergrabene Materialschicht 33 kann aus einem beliebigen Material aufgebaut sein, das sich auf Basis eines bestimmten Verfahrens härten oder verfestigen lässt, wie etwa einem Material, das sich durch Bestrahlung mit energetischer Strahlung wie Licht (insbesondere UV-Strahlung, usw.), radioaktiver Strahlung (Röntgenstrahlung, usw.), Elektronenstrahlen, usw. erhärten oder verfestigen lässt, einem Material, das sich durch Wärmebehandlung, Druckbehandlung oder dergleichen erhärten oder verfestigen lässt. Beispiele für solche Materialien umfassen verschiedenartige Materialien, die bei der Beschreibung eines Haftvermittlers zum Ausbildung der Haftvermittlungsschicht (zweite isolierende Schicht) erwähnt werden.
  • Nun wird das Verfahren zum Herstellen der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung oder des elektronischen Geräts in Beispiel 2 mit Bezug auf die 12A bis 12C, 13A und 13B, 14A und 14B, 15A bis 15C, 16A bis 16C, 17A bis 17C, 18A bis 18C, 19A bis 19C, 20A bis 20C, 21A bis 21C, 22A bis 22C, 23A bis 23C und 24A bis 24C erläutert. Hierbei sind 15A, 16A, 17A, 18A, 19A, 20A, 21A, 22A, 23A und 24A schematische Querschnittsansichten, die denjenigen entlang des Pfeils B-B von 7 entsprechen; 15B, 16B, 17B, 18B, 19B, 20B, 21B, 22B, 23B und 24B sind schematische Querschnittsansichten, die denjenigen entlang des Pfeils E-E von 7 entsprechen; und 15C, 16C, 17C, 18C, 19C, 20C, 21C, 22C, 23C und 24C sind schematische Querschnittsansichten, die denjenigen entlang des Pfeils F-F von 7 entsprechen.
  • [Schritt 200]
  • Zunächst werden Schritte ähnlich zu [Schritt 100] bis [Schritt 150] des Beispiels 1 ausgeführt, wodurch die zweite Elektrode 15 ausgebildet wird, und eine Mehrzahl von Licht emittierenden Bauelementteilen 10A, die zueinander isoliert sind, erzielt werden (siehe 10A).
  • Dann wird eine isolierende Schicht 21 mit Öffnungen 21A über der gesamten Oberfläche ausgebildet, wobei ein mittlerer Bereich der Oberseite der zweiten Elektrode 15 jedes Licht emittierenden Bauelementteils 10A freigelegt wird. Dann wird ein fotoempfindlicher Polyimidlack mit einem Schleuderverfahren auf die gesamte Oberfläche aufgetragen. Danach erfolgt eine Belichtung des fotoempfindlichen Polyimidlacks mit Licht unter Verwendung einer in den Abbildungen nicht dargestellten Maske. Dann wird der fotoempfindliche Polyimidlack einer Entwicklung und Aushärtung unterzogen. Auf diese Weise kann die isolierende Schicht 21 mit den Öffnungen 21A erzielt werden, wobei der mittlere Bereich der Oberseite der zweiten Elektrode 15 jedes Licht emittierenden Bauelementteils 10A freigelegt ist (siehe 10B).
  • Anders als oben erwähnt umfassen Beispiele des Materials zum Ausbilden der isolierenden Schicht anorganische isolierende Materialien, wie Siliziumoxidmaterialien, Siliziumnitrid (SiN) und isolierende Schichten aus Metalloxiden mit hoher dielektrischer Konstante, sowie organische isolierende Materialien wie Polymethylmethacrylat (PMMA), Polyvinylphenol (PVP) und Polyvinylalkohol (PVA) oder eine Kombination hieraus. Ebenso können andere fotoempfindliche isolierende Materialien (z. B. Polyamidharz) verwendet werden. Beispiele für die Siliziumoxidmaterialien umfassen Siliziumoxid (SiOx), Siliziumoxynitrid (SiON), SOG (Spin-On-Glass), und SiOx-Materialien mit geringer dielektrischer Konstante. Weitere Beispiele für die organischen isolierenden Materialien, die von den oben erwähnten Materialien verschieden sind, umfassen Polyarylether, Cycloperfluoro-Kohlenstoffpolymere, Benzocyclobutene, cyclisches Fluorharz, Polytetrafluoroethylene, fluorhaltige Arylether, fluorinierte Polyimide, amorphen Kohlenstoff und organisches SOG. Weitere Beispiele für das Verfahren zum Herstellen der isolierenden Schicht, die vom Schleuderverfahren abweichen, umfassen verschiedenartige PVD-Verfahren, verschiedenartige CVD-Verfahren, die oben erwähnten verschiedenartigen Druckverfahren, die oben erwähnten verschiedenartigen Beschichtungsverfahren, ein Eintauchverfahren, ein Gießverfahren sowie ein Sprühverfahren.
  • Jeder Licht emittierende Bauelementteil 10A wird mit einer Herausführelektrode 22 versehen, die im Bereich von der Oberseite der in einem unteren Bereich der Öffnung 21A freigelegten zweiten Elektrode 15 zur Oberseite der isolierenden Schicht 21 strukturiert wird (siehe 10C). Basierend auf einem physikalischen Gasphasenabscheideverfahren (PVD-Verfahren) wie einem Sputterverfahren wird eine Herausführelektrodenschicht mit einer Stapelstruktur aus einer Titanschicht (untere Schicht)/Kupferschicht (obere Schicht) im Bereich von der Oberseite der zweiten Elektrode 15, die in einem unteren Bereich jeder Öffnung 21A freigelegt ist, bis zur Oberseite der isolierenden Schicht 21 ausgebildet, und danach wird die Herausführelektrodenschicht mit einem bekannten Verfahren strukturiert, so dass die Herausführelektrode 22 erhalten wird.
  • Nachdem die Haftvermittlungsschicht (zweite isolierende Schicht) 23, welche die gesamte Oberfläche bedeckt, ausgebildet ist, wird ein Trägersubstrat 24 unter Verwendung der Haftvermittlungsschicht (zweite isolierende Schicht) 23 angebracht. Zunächst wird die Haftvermittlungsschicht 23, die ein teilweises Freiliegen der Herausführelektroden 22 ermöglicht, auf den Herausführelektroden 22 ausgebildet (siehe 11A). Insbesondere wird die Haftvermittlungsschicht 23, die ein wärmehärtendes Epoxidharz aufweist, auf der gesamten Oberfläche basierend auf einem Schleuderverfahren aufgetragen und die Haftvermittlungsschicht 23 wird getrocknet. Durch Einstellen der physikalischen Eigenschaften wie der Viskosität der Haftvermittlungsschicht 23, der Optimierung der Schleuderbedingungen und dergleichen, lässt sich die Haftvermittlungsschicht 23, die ein teilweises Freiliegen der Herausführelektroden 22 ermöglicht, über den Herausführelektroden 22 ausbilden. Danach wird das Trägersubstrat 24 unter Verwendung einer Heißpressung über der Haftvermittlungsschicht 23 angebracht (siehe 11B).
  • Der die Haftvermittlungsschicht (zweite isolierende Schicht) 23 ausbildende Haftvermittler kann aus einem beliebigen Material bestehen, das auf Basis eines Verfahrens eine Haftvermittlungsfunktion aufweist, wie aus Materialien, die eine Haftvermittlungsfunktion zeigen, falls sie mit energetischer Strahlung wie Licht (insbesondere UV-Strahlung, usw.), radioaktiver Strahlung (Röntgenstrahlung, usw.), Elektronenstrahlung, usw. bestrahlt werden oder falls Hitze, Druck oder dergleichen auf sie einwirkt. Beispiele für Materialien, die sich auf einfache Weise ausbilden lassen und eine Haftvermittlungsfunktion aufweisen, umfassen Harzbasierte Haftvermittlungsmaterialien, insbesondere fotoempfindliche Haftvermittler, wärmehärtende Haftvermittler und thermoplastische Haftvermittler. Als fotoempfindliche Haftvermittler lassen sich die bekannten Vertreter verwenden. Spezifische Beispiele für bekannte fotoempfindliche Haftvermittler sind solche vom Negativ-Typ, bei denen die belichteten Bereiche einer Vernetzungsreaktion unterzogen werden, die sich schwer lösen lässt, wie etwa Polyvinylcinnamat, Polyvinylazidbenzal, usw. oder solche, bei denen die belichteten Bereiche einer Fotopolymerisationsreaktion unterzogen werden, die sich nur schwer lösen lässt, wie Acrylamide, usw; und fotoempfindliche Haftvermittler vom Positiv-Typ, bei denen sich die belichteten Bereiche leicht lösen lassen, durch Ausbilden von Carbonsäure durch Fotozersetzung von Chinondiazidgruppen wie o-Chinondiazid-Novolakharz. Als wärmehärtender Haftvermittler lassen sich die bekannten Vertreter verwenden, wobei Beispiele hierfür Epoxidharz, Phenolharz, Polyurethanharz, Polyimidharz, usw. umfassen. Als Thermoplasthaftvermittler lassen sich die bekannten Vertreter verwenden, wobei Beispiele hierfür Polyethylenharz, Polystyrenharz, Polyvinylchloridharz, Polyamidharz, usw. umfassen. Falls beispielsweise ein fotoempfindlicher Haftvermittler verwendet wird, kann der fotoempfindliche Haftvermittler mit Licht oder UV-Strahlen bestrahlt werden, wodurch dem Haftvermittler eine Haftvermittlungsfunktion zukommt. Falls der wärmehärtende Haftvermittler verwendet wird, lässt sich dieser unter Verwendung einer Heißpressung oder dergleichen erhitzen, so dass dem Haftvermittler seine Haftvermittlungsfunktion zukommt. Falls ein thermoplastischer Haftvermittler verwendet wird, kann ein Teil des thermoplastischen Haftvermittlers selektiv durch Bestrahlung mit Licht oder Ähnlichem erhitzt werden, so dass dieser Teil schmilzt und flüssig wird, gefolgt von einer Abkühlung, wodurch der Haftvermittler seine Haftvermittlungsfunktion erhält. Weitere Beispiele für die Haftvermittlungsschicht oder den Haftvermittler aufbauende Materialien, die von obigen Materialien abweichen, umfassen druckempfindliche Haftvermittler (die beispielsweise aus einem Acrylharz oder dergleichen aufgebaut sind) und solche, die eine Haftvermittlungsfunktion unmittelbar bei deren Herstellung erhalten.
  • (Schritt 210)
  • Danach werden die erste Licht emittierende Diode(n) 110, die zweite Licht emittierende Diode(n) 210) und die dritte Licht emittierende Diode(n) 310 vorläufig an einem Substrat 53 zum Herstellen der Licht emittierenden Einheit befestigt, um eine Licht emittierende Einheit zu erhalten, die eine gewünschte Anzahl der ersten Licht emittierenden Diode(n) 110, eine gewünschte Anzahl der zweiten Licht emittierenden Diode(n) 210 und eine gewünschte Anzahl der dritten Licht emittierenden Diode(n) 310 aufweist und in der die entsprechenden ersten Elektroden 114, 214, 314 der ersten Licht emittierenden Diode(n) 110, der zweiten Licht emittierenden Diode(n) 210 und der dritten Licht emittierenden Diode(n) 310 mit der gemeinsamen Subelektrode 43 verbunden sind.
  • [Schritt 210A]
  • Die erste Licht emittierende Diode(n) 110 auf einem ersten Trägersubstrat wird auf die Fixierschicht 34 übertragen, die zweite Licht emittierende Diode(n) 210 auf einem zweiten Trägersubstrat wird auf die Fixierschicht 34 übertragen und die dritte Licht emittierende Diode(n) 310 auf einem dritten Trägersubstrat wird auf die Fixierschicht 34 übertragen. Die Reihenfolge dieser Übertragungsvorgänge ist beliebig. Deshalb wird ein erstes Transfersubstrat 31, das mit der Fixierschicht 34 ausgestattet ist, vorab bereitgestellt. Wie oben erwähnt weist die Fixierschicht 34 einen zweischichtigen Aufbau auf, der aus der isolierenden Materialschicht 32 und der vergrabenen Materialschicht 33 besteht, die in dieser Reihenfolge auf der Seite des ersten Transfersubstrats angeordnet sind. Die isolierende Materialschicht 32 wird unter Verwendung eines Polyimidharzes ausgebildet und die vergrabene Materialschicht 33 wird unter Verwendung eines fotoempfindlichen Harzes ausgebildet. Diejenigen Bereiche der vergrabenen Materialschicht 33, in denen die ersten Licht emittierenden Dioden 110, die zweiten Licht emittierenden Dioden 210 und die dritten Licht emittierenden Dioden 310 vergraben werden sollen, verbleiben ungehärtet, während die anderen Bereiche vorab gehärtet werden.
  • Beispiele für das Material, das die Trägersubstrate und die in den vorhergehenden Herstellungsschritten verwendeten verschiedenartigen Substrate ausbildet, umfassen zusätzlich zu den oben erwähnten Materialien für das Substrat zum Herstellen des Licht emittierenden Bauelements Glasplatten, metallische Platten, Legierungsplatten, keramische Platten, Plastikplatten. Beispiele für das Verfahren zum gegenseitigen Befestigen der verschiedenartigen Substrate oder zum Fixieren derselben umfassen Verfahren, bei denen ein Haftvermittlungsmaterial verwendet wird, Metallbondverfahren, Halbleiterbondverfahren, Metall-Halbleiter-Bondverfahren, usw. Andererseits umfassen Beispiele für Verfahren zum Abtragen verschiedenartiger Substrate oder zum Entfernen derselben Laserablationsverfahren, Erhitzungsverfahren, Ätzverfahren, usw. Zudem schließen Beispiele für Verfahren zum Trennen der Licht emittierenden Halbleiterbauelemente oder Licht emittierenden Bauelementteile von dem Trägersubstrat oder dergleichen Laserbestrahlungsverfahren, Trockenätzverfahren, Nassätzverfahren und Schneidverfahren ein.
  • [Schritt 210A-(1)]
  • Zunächst wird, wie oben erwähnt, das Substrat 16 zum Herstellen des Licht emittierenden Bauelements an dem Trägersubstrat (vorübergehendes Fixiersubstrat) 24 befestigt, so dass die Herausführelektroden 22 in Kontakt mit dem Trägersubstrat 24 kommen (siehe 11B). Dann wird das Substrat 16 zum Herstellen des Licht emittierenden Bauelements von den emittierenden Dioden 10 (110, 210, 310) entfernt. Danach werden die ersten Elektroden 14 (114, 214, 314) auf der freigelegten ersten Verbindungshalbleiterschicht ausgebildet. Die Grenzfläche zwischen den Licht emittierenden Dioden 10 (110, 210, 310) (insbesondere die erste Verbindungshalbleiterschicht 11) und das Substrat 16 zum Herstellen des Licht emittierenden Bauelements werden mit Excimer-Laserstrahlen durch das Substrat 16 hindurch bestrahlt. Hierdurch wird eine Laserablation bewirkt und folglich lässt sich das Substrat 16 zum Herstellen der Licht emittierenden Diode von den Licht emittierenden Dioden 10 (110, 210, 310) lösen (siehe 12A). Das Substrat 16 zum Herstellen des Licht emittierenden Bauelements kann mit einem Verfahren entfernt werden, bei dem das Substrat 16 von der Rückseite aus durch Lappen gedünnt wird und zudem wird das Substrat 16 in einer Mischlösung aus Ammoniakwasser und einer wässrigen Wasserstoffperoxidlösung geätzt. Weiterhin erfolgt das Ätzen mit einer Mischlösung aus Ammoniakwasser und einer wässrigen Wasserstoffperoxidlösung, um eine Pufferschicht 17 zu entfernen, und das Ätzen mit der Chlorwasserstoffsäure erfolgt, um die Ätzstoppschicht 18 zu entfernen, wodurch die erste Verbindungshalbleiterschicht 11 (insbesondere die erste GaAs-Schicht 11A) freigelegt wird. Dann werden die ersten Elektroden 14 (114, 214, 314) auf der ersten Verbindungshalbleiterschicht 11 (insbesondere auf der ersten GaAs-Schicht 11A) durch ein Lift-Off-Verfahren und ein Vakuumverdampfungsverfahren im Wesentlichen auf dieselbe Weise wie in [Schritt 160] des Beispiels 1 ausgebildet. Auf diese Weise lässt sich ein wie in 12B gezeigter Aufbau erzielen. Danach erfolgt eine Ätzung, um die Licht emittierenden Dioden 10 zu isolieren. Auf diese Weise lässt sich ein wie in 12C gezeigter Aufbau erhalten.
  • [Schritt 210A-(2)]
  • Dann werden die gewünschten Licht emittierenden Dioden 10 (110, 210, 310) von dem Trägersubstrat 24 auf ein Ausrichtungssubstrat 25 übertragen. Insbesondere werden die Licht emittierenden Dioden 10 (110, 210, 310), die am Trägersubstrat 24 angebracht sind, am Ausrichtungssubstrat 25 befestigt. Insbesondere wird zunächst, wie in 31A schematisch dargestellt ist, eine leicht klebrige Schicht 26, die auf einer Oberfläche des eine Glasplatte umfassenden Ausrichtungssubstrats 25 ausgebildet ist, gegen die Licht emittierenden Dioden 10 (110, 210, 310) auf dem Trägersubstrat 24, auf dem die Licht emittierenden Dioden 10 in einem Anordnungsmuster (zweidimensionale Matrix) vorliegen, gepresst (siehe 13A und 13B). In den 31A, 31B, 32A und 32B kennzeichnen die Kreise mit einem „G” in der Mitte die zweiten Licht emittierenden Dioden 210, die grünes Licht emittieren; in 32B kennzeichnen die Kreise mit einem „R” in der Mitte die ersten Licht emittierenden Dioden 110, die rotes Licht emittieren und die Kreise mit einem „B” in der Mitte kennzeichnen die dritten Licht emittierenden Dioden 310, die blaues Licht emittieren. Die leicht klebrige Schicht 26 besteht beispielsweise aus Silikonkautschuk. Das Ausrichtungssubstrat 25 wird von einem Positioniergerät gehalten (nicht dargestellt). Durch Bedienung des Positioniergeräts lässt sich der örtliche Zusammenhang zwischen dem Ausrichtungssubstrat 25 und dem Trägersubstrat 24 steuern. Dann werden die zu befestigenden Licht emittierenden Dioden 10 (110, 210, 310) bestrahlt, z. B. mit Excimer-Laserstrahlen von der Rückseite des Trägersubstrats 24 aus (siehe 14A). Hierdurch erfolgt eine Laserablation und die Licht emittierenden Dioden 10 (110, 210, 310), die mit dem Excimer-Laserstrahl bestrahlt wurden, werden vom Trägersubstrat 24 abgelöst. Danach wird der Kontakt zwischen dem Ausrichtungssubstrat 25 und den Licht emittierenden Dioden 10 unterbrochen, worauf die Licht emittierenden Dioden 10, die vom Trägersubstrat 24 abgelöst sind, sich in einem Zustand befinden, in dem sie an der leicht klebrigen Schicht 26 haften (siehe 14B). Die Beschaffenheit des Trägersubstrats 24 ist schematisch in 31B gezeigt. Wie dargestellt, ist eine Licht emittierende Diode in Bezug auf jede sechste Licht emittierende Diode in der zweiten Richtung und eine Licht emittierende Diode in Bezug auf jede dritte Licht emittierende Diode in der ersten Richtung in einem Zustand, in dem sie an der leicht klebrigen Schicht 26 haftet.
  • Dann werden die Licht emittierenden Dioden 10 (110, 210, 310) auf der vergrabenen Materialschicht 33 angeordnet (umgesetzt oder übertragen). Unter Berücksichtigung der Ausrichtungsmarkierungen, die auf dem ersten Transfersubstrat 31 ausgebildet sind, werden die Licht emittierenden Dioden 10 (110, 210, 310) von dem Ausrichtungssubstrat 25 auf der vergrabenen Materialschicht 33 des ersten Transfersubstrats 31 angeordnet. Da die Licht emittierenden Dioden 10 (110, 210, 310) lediglich schwach an der leicht klebrigen Schicht 26 haften, führt die Bewegung des Ausrichtungssubstrats 25 weg von dem ersten Transfersubstrat 31 in einem Zustand, in dem die Licht emittierenden Dioden 10 (110, 210, 310) in Kontakt mit (gedrückt gegen) der vergrabenen Materialschicht 33 sind, dazu, dass die Licht emittierenden Dioden 10 (110, 210, 310) auf der vergrabenen Materialschicht 33 verbleiben, die im ungehärteten Zustand ist. Dann werden die Licht emittierenden Dioden 10 (110, 210, 310) mit einer Rolle tief in der vergrabenen Materialschicht 33 oder dergleichen vergraben, wodurch die Licht emittierenden Dioden 10 (110, 210, 310) in der Fixierschicht 34 fixiert (angeordnet) werden können. Der Zustand des ersten Transfersubstrats 31 ist schematisch in 32A gezeigt.
  • Ein System, in dem das Ausrichtungssubstrat 25 wie oben beschrieben verwendet wird, wird der Einfachheit halber als „Stufentransferverfahren” bezeichnet. Solch ein Stufentransferverfahren wird einer gewünschten Anzahl entsprechend wiederholt, wodurch eine gewünschte Anzahl von Licht emittierenden Dioden 10 (110, 210, 310) auf der leicht klebrigen Schicht 26 im Muster einer zweidimensionalen Matrix anbracht werden, und auf das erste Transfersubstrat 31 übertragen werden. Im Beispiel 2 werden in einer einzelnen Übertragungsstufe 120 × 90 = 10800 Licht emittierende Dioden 10 (110, 210, 310) an der leicht klebrigen Schicht 26 im Muster einer zweidimensionalen Matrix befestigt und auf das erste Transfersubstrat 31 übertragen. Dies wird 4 × 3 Mal wiederholt. Dann erfolgt die Übertragung auf das erste Transfersubstrat 31 für jede dieser Gruppen von Licht emittierenden Dioden 110, von Licht emittierenden Dioden 210 und von Licht emittierenden Dioden 310, so dass die Übertragung insgesamt 4 × 3 × 3 = 36 Mal erfolgt. Auf diese Weise kann eine vorgegebene Anzahl von rotes Licht emittierenden Dioden, grünes Licht emittierenden Dioden und blaues Licht emittierenden Dioden auf dem ersten Transfersubstrat 31 mit vorgegebenen Intervallen oder Abständen befestigt werden. Der Zustand des ersten Transfersubstrats 31 ist schematisch in 32B gezeigt. In 32B ist die Licht emittierende Einheit von einer strichgepunkteten Linie umgeben. Schließlich werden die Licht emittierenden Einheiten auf ein Anzeigevorrichtungssubstrat 61 übertragen und fixiert, um eine Licht emittierende Diodenanzeigevorrichtung zu erhalten, bei der eine Mehrzahl von Licht emittierenden Einheiten in einer ersten Richtung und in einer zur ersten Richtung senkrechten zweiten Richtung im Muster einer zweidimensionalen Matrix angeordnet sind. Falls hierbei in einem einzelnen Arbeitslauf 480 × 270 = 129600 Licht emittierende Einheiten auf das Anzeigevorrichtungssubstrat 61 übertragen werden, ist es durch 16-maliges Wiederholen der Übertragung möglich, eine Licht emittierende Diodenanzeigevorrichtung mit 1920 × 1080 Licht emittierenden Einheiten zu schaffen.
  • Danach wird die vergrabene Materialschicht 33, die ein fotoempfindliches Harz in einem ungehärteten Zustand aufweist und in der die Licht emittierenden Dioden 10 (110, 210, 310) angeordnet sind, mit UV-Strahlen bestrahlt, wodurch das die vergrabene Materialschicht 33 ausbildende fotoempfindliche Harz härtet. Folglich wird ein Zustand erzielt, in dem die Licht emittierenden Dioden 10 (110, 210, 310) in der vergrabenen Materialschicht 33 fixiert sind (siehe 15A, 15B und 15C). Hierbei sind die ersten Elektroden 14 (114, 214, 314) der Licht emittierenden Dioden 10 (110, 210, 310) in einem freigelegten Zustand.
  • [Schritt 210B]
  • Dann wird die gemeinsame Subelektrode 43 basierend auf einem Sputterverfahren und einem Lift-Off-Verfahren ausgebildet, die sich von der Oberseite der entsprechenden ersten Elektroden 114, 214, 314 in der Licht emittierenden Diodengruppe 110, 210, 310 bestehend aus einer gewünschten Anzahl (im Beispiel 2 N1 = 1) erster Licht emittierender Diode(n) 110, einer gewünschten Anzahl (im Beispiel 2 N2 = 1) zweiter Licht emittierender Diode(n) 210 und einer gewünschten Anzahl (im Beispiel 2 N3 = 1) dritter Licht emittierender Diode(n) zum Ausbilden der Licht emittierenden Einheit bis zur Oberseite der Fixierschicht 34 erstreckt.
  • Insbesondere wird zunächst eine metallische Schicht 41 basierend auf dem Sputterverfahren und dem Lift-Off-Verfahren auf denjenigen Bereichen der Fixierschicht ausgebildet, die entfernt von den ersten Elektroden 113, 214, 314 (siehe 16A, 16B und 16C) sind.
  • Dann wird eine lichtdurchlässige Elektrode 42 basierend auf dem Sputterverfahren und dem Lift-Off-Verfahren auf der Fixierschicht 34 ausgebildet und erstreckt sich von der Oberseite der metallischen Schicht 41 zur Oberseite der ersten Elektroden 114, 214, 314 (vgl. 17A, 17B und 17B).
  • [Schritt 210C]
  • Danach werden die Licht emittierenden Diodengruppen 110, 210, 310 zum Ausbilden der Licht emittierenden Einheiten an dem Substrat 53 zum Herstellen der Licht emittierenden Einheit mittels der Fixierschicht 34 und der gemeinsamen Subelektrode 43 angebracht und vorübergehend fixiert, worauf das erste Transfersubstrat 31 entfernt wird. Insbesondere wird das Substrat 53 zum Herstellen der Licht emittierenden Einheit bereitgestellt, das ausgestattet ist mit einer Laserablationsschicht 52 bestehend aus einer Harzschicht mit einer Laserablationseigenschaft, z. B. einem Epoxidharz, einem Polyimidharz, usw. sowie einer dritten isolierenden Schicht 51, die aus einem Epoxidharz oder dergleichen besteht und ebenso als Haftvermittlungsschicht wirkt. Die Fixierschicht 34 und die gemeinsame Subelektrode 43 sind an der dritten isolierenden Schicht 51 angebracht und vorübergehend fixiert (siehe 18A, 18B und 18C). Danach wird die Anordnung beispielsweise mit Excimer-Laserstrahlen von der Seite des ersten Transfersubstrats 31 aus bestrahlt. Hierdurch wird eine Laserablation erzeugt und das erste Transfersubstrat löst sich von der isolierenden Materialschicht 32 ab (siehe 19A, 19B und 19C).
  • [Schritt 210D]
  • Dann wird ein mit der Herausführelektrode 116 der ersten Licht emittierenden Diode 110 verbundener erster Kontaktlochteil 121 in der Fixierschicht 34 ausgebildet und es wird ein erster Anschlussbereichsteil 122 ausgebildet, der sich oberhalb der Fixierschicht 34 vom ersten Kontaktlochteil 121 aus erstreckt. Ebenso wird ein mit der Herausführelektrode 216 der zweiten Licht emittierenden Diode 210 verbundener zweiter Kontaktlochteil 221 in der Fixierschicht 34 ausgebildet und es wird ein zweiter Anschlussbereichsteil 222 ausgebildet, der sich oberhalb der Fixierschicht 34 vom zweiten Kontaktlochteil 221 aus erstreckt. Zudem wird ein mit der Herausführelektrode 316 der Licht emittierenden Diode 310 verbundener dritter Kontaktlochteil 321 in der Fixierschicht 34 ausgebildet und es wird ein dritte Anschlussbereichsteil 322 ausgebildet, der sich oberhalb der Fixierschicht 34 vom dritten Kontaktlochteil 321 aus erstreckt. Zudem wird ein mit der gemeinsamen Subelektrode 43 verbundener vierter Kontaktlochteil 421 in der Fixierschicht 34 ausgebildet und ein vierter Anschlussbereichsteil 422 wird erzeugt, der sich oberhalb der Fixierschicht 34 vom vierten Kontaktlochteil 421 aus erstreckt. Auf diese Weise ist es möglich, die Licht emittierende Einheit zu erzielen. Basierend auf bekannter Lithografietechnik und Ätztechnik werden in der isolierenden Materialschicht 32 Öffnungsgebiete 501, 502, 503, 504 auf der Oberseite der Herausführelektroden 116, 216, 316 und der metallischen Schicht 41 ausgebildet. Dann wird eine metallische Materialschicht auf der isolierenden Materialschicht 32 einschließlich des Inneren der Öffnungsgebiete 501, 502, 503, 504 mit einem Sputterverfahren erzeugt und die metallische Materialschicht wird mit bekannter Lithografietechnik und Ätztechnik strukturiert. Auf diese Weise lassen sich der erste Kontaktlochteil 121, der erste Anschlussbereichsteil 122, der zweite Kontaktlochteil 221, der zweite Anschlussbereichsteil 222, der dritte Kontaktlochteil 321, der dritte Anschlussbereichsteil 322, der vierte Kontaktlochteil 421 und der vierte Anschlussbereichsteil 422 (siehe 20A, 20B und 20C sowie 21A, 21B und 21C) erzielen.
  • [Schritt 210E]
  • Dann werden die Licht emittierenden Einheiten mit den Licht emittierenden Dioden 110, 210, 310 mit einem Laserbestrahlungsverfahren an der Fixierschicht 34 isoliert. In 21A, 21B und 21C sind diejenigen Bereiche, in denen eine Laserbestrahlung erfolgt, mit offenen Pfeilen gekennzeichnet.
  • Im Beispiel 2 beträgt der Layout-Abstand der ersten Licht emittierenden Dioden 110 in der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung oder im elektronischen Gerät ein ganzzahliges Vielfaches des Fertigungsabstands der ersten Licht emittierenden Dioden 110 im ersten Trägersubstrat; der Layout-Abstand der zweiten Licht emittierenden Dioden 210 in der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung oder im elektronischen Gerät beträgt ein ganzzahliges Vielfaches des Fertigungsabstands der zweiten Licht emittierenden Dioden 210 im zweiten Trägersubstrat; und der Layout-Abstand der dritten Licht emittierenden Dioden 310 in der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung oder im elektronischen Gerät beträgt ein ganzzahliges Vielfaches des Fertigungsabstands der Licht emittierenden Dioden 310 im dritten Trägersubstrat. Insbesondere wurde der Layout-Abstand der Licht emittierenden Dioden 110, 210, 310 in der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung oder im elektronischen Gerät entlang der zweiten Richtung sechs Mal so groß eingestellt wie der Fertigungsabstand der Licht emittierenden Dioden 110, 210, 310 im Trägersubstrat, und der Layout-Abstand der Licht emittierenden Dioden 110, 210, 310 in der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung oder im elektronischen Gerät entlang der ersten Richtung wurde drei Mal so groß eingestellt wie der Fertigungsabstand der Licht emittierenden Dioden 110, 210, 310 im Trägersubstrat.
  • (Schritt 220)
  • Zunächst werden die Licht emittierenden Einheiten vom Substrat 53 zum Herstellen des Licht emittierenden Bauelements auf das Anzeigevorrichtungssubstrat 61 übertragen und hierauf fixiert, um dadurch ein elektronisches Gerät mit einer Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung zu erhalten, in der eine Mehrzahl von Licht emittierenden Einheiten in einer ersten Richtung sowie einer hierzu senkrechten zweiten Richtung in Form eines Musters einer zweidimensionalen Matrix angeordnet sind.
  • Insbesondere wird ein Anzeigevorrichtungssubstrat 61 bereitgestellt, das eine zweite isolierende Materialschicht 71, eine erste gemeinsame Elektrode 401, eine zweite gemeinsame Elektrode 402 und eine dritte gemeinsame Elektrode 403 entlang einer zweiten Richtung aufweist. Hierbei werden die erste gemeinsame Elektrode 401, die zweite gemeinsame Elektrode 402 und die dritte gemeinsame Elektrode 403 von der zweiten isolierenden Materialschicht 71 bedeckt. Das Anzeigevorrichtungssubstrat 61 wird von einer vierten isolierenden Schicht 62 bedeckt und die erste gemeinsame Elektrode 401, die zweite gemeinsame Elektrode 402 und die dritte gemeinsame Elektrode 403 sind auf der vierten isolierenden Schicht 62 ausgebildet. Zudem sind die vierte isolierende Schicht 62, die erste gemeinsame Elektrode 401, die zweite gemeinsame Elektrode 402 und die dritte gemeinsame Elektrode 403 mit einer fünften isolierenden Schicht 63 bedeckt, die ebenso als Haftvermittlungsschicht wirkt. Zudem ist die zweite isolierende Materialschicht 71 insbesondere auf der fünften isolierenden Schicht 63 ausgebildet. Die zweite isolierende Materialschicht 71 ist nicht auf denjenigen Bereichen des Anzeigevorrichtungssubstrats 61 ausgebildet, auf denen die Licht emittierenden Einheiten zu fixieren sind. Diejenigen Bereiche der fünften isolierenden Schicht 63, in welcher die Licht emittierenden Einheiten zu fixieren sind, verbleiben ungehärtet, wohingegen die anderen Bereiche der fünften isolierenden Schicht 63 in einem gehärteten Zustand sind. Das Anzeigevorrichtungssubstrat 61 mit einem derartigen Aufbau und Struktur lässt sich mit einem bekanntem Verfahren herstellen.
  • [Schritt 220A]
  • Zunächst werden die Licht emittierenden Einheiten auf einem zweiten Transfersubstrat befestigt (nicht gezeigt) und dann wird das Substrat 53 zum Herstellen der Licht emittierenden Einheit entfernt. Insbesondere reicht es aus, einen Schritt auszuführen, der im Wesentlichen dem oben beschriebenen [Schritt 210A-(2)] entspricht. Die Anordnung wird z. B. mit Excimer-Laserstrahlen von der Rückseite des Substrats 53 zum Herstellen der Licht emittierenden Einheit bestrahlt. Hierdurch wird eine Laserablation erzeugt und das Substrat 53 zum Herstellen der Licht emittierenden Einheit löst sich von der Laserablationsschicht 52.
  • [Schritt 220B]
  • Dann werden die Licht emittierenden Einheiten auf dem Anzeigevorrichtungssubstrat 61 so angeordnet, dass sie von der zweiten isolierenden Materialschicht 71 umgeben sind und daraufhin wird das zweite Transfersubstrat entfernt. Insbesondere werden die Licht emittierenden Einheiten und die sie umgebende Fixierschicht 34 auf der freigelegten fünften isolierenden Schicht 63, die von der zweiten isolierenden Materialschicht 71 umgeben ist, angeordnet (dorthin positioniert oder übertragen) (siehe 22A, 22B und 22C). Insbesondere werden die Licht emittierenden Einheiten und die sie umgebende Fixierschicht 34 von dem zweiten Transfersubstrat 31 auf der freigelegten isolierenden Schicht 63, die von der zweiten isolierenden Materialschicht 71 umgeben ist, unter Berücksichtigung der auf dem zweiten Transfersubstrat ausgebildeten Ausrichtungsmarkierungen positioniert. Da die Licht emittierenden Einheiten und die sie umgebende Fixierschicht 34 lediglich schwach an der leicht klebrigen Schicht (nicht gezeigt) haften, verbleiben die Licht emittierenden Einheiten und die sie umgebende Fixierschicht 34 auf der fünften isolierenden Schicht 63, wenn das zweite Transfersubstrat vom Anzeigevorrichtungssubstrat 61 in dem Zustand wegbewegt wird, in dem die Licht emittierenden Einheiten und die sie umgebende Fixierschicht 34 in Kontakt mit der fünften isolierenden Schicht 63 kommen oder gegen diese gedrückt werden. Zudem werden die Licht emittierenden Einheiten und die sie umgebende Fixierschicht 34 tief innerhalb der fünften isolierenden Schicht 63 mittels einer Rolle oder dergleichen vergraben, wodurch die Licht emittierenden Einheiten und die sie umgebende Fixierschicht 34 in der fünften isolierenden Schicht 63 fixiert (angeordnet) werden können. Nachdem die Anordnung aller Licht emittierenden Einheiten abgeschlossen ist, wird die fünfte isolierende Schicht 63 gehärtet.
  • [Schritt 220C]
  • Dann wird eine Planarisierungsschicht 72, die aus einem isolierenden Harz besteht, auf der gesamten Oberfläche durch ein Schleuderverfahren aufgetragen, um eine Planarisierungsschicht 72 zu erhalten, die eine planarisierte Oberfläche aufweist. Auf diese Weise lässt sich eine wie in 23A, 23B und 23C gezeigte Struktur erzielen.
  • [Schritt 220D]
  • Dann werden ein zweites A-Verbindungsglied 124 und ein Kontaktteil 123 zur elektrischen Verbindung eines ersten Anschlussbereichsteils 122 mit der ersten gemeinsamen Elektrode 401 ausgebildet und erstrecken sich von der Fixierschicht 34 zur zweiten isolierenden Materialschicht 71. Zusätzlich werden ein zweites B-Verbindungsglied 224 und ein Kontaktteil 223 zur elektrischen Verbindung eines zweiten Anschlussbereichsteils 222 mit der zweiten gemeinsamen Elektrode 402 ausgebildet und erstrecken sich von der Fixierschicht 34 zur zweiten isolierenden Materialschicht 71. Zudem werden ein zweites C-Verbindungsglied 324 und ein Kontaktteil 323 zur elektrischen Verbindung eines dritten Anschlussbereichsteils 322 mit der dritten gemeinsamen Elektrode 403 ausgebildet und erstrecken sich von der Fixierschicht 34 zur zweiten isolierenden Materialschicht 71. Zusätzlich wird die vierte gemeinsame Elektrode 404 auf der zweiten isolierenden Materialschicht 71 ausgebildet. Auch wird ein drittes Verbindungsglied 424 zur elektrischen Verbindung eines vierten Anschlussbereichteils 422 mit der vierten gemeinsamen Elektrode 404 ausgebildet und erstreckt sich von der Fixierschicht 34 zur zweiten isolierenden Materialschicht 71 (siehe 24A, 24B und 24C).
  • Insbesondere wird basierend auf Lithografietechnik und Ätztechnik ein Öffnungsgebiet (in dem in 24A bis 24C gezeigten Beispiel ein Öffnungsgebiet 512) in der Planarisierungsschicht 72, der zweiten isolierenden Materialschicht 71 und der fünften isolierenden Schicht 63 ausgebildet. Dann werden basierend auf einer Sputtertechnik, einer Lithografietechnik sowie einer Ätztechnik das zweite A-Verbindungsglied 124, der Kontaktteil 123, das zweite B-Verbindungsglied 224, der Kontaktteil 223, das zweite C-Verbindungsglied 324, der Kontaktteil 323 und das dritte Verbindungsglied 424 ausgebildet. Auf diese Weise lässt sich eine wie in den 8A, 8B und 8C sowie 9A, 9B und 9C gezeigte Struktur erzielen.
  • In Beispiel 2 oder in Beispiel 3, das später beschrieben wird, werden eine Mehrzahl Licht emittierender Einheiten, in denen die entsprechenden ersten Elektroden 114, 214, 314 der ersten Licht emittierenden Diode(n) 110, der zweiten Licht emittierenden Diode(n) 210 und der dritten Licht emittierenden Diode(n) 310 mit der gemeinsamen Subelektrode verbunden sind, auf das Anzeigevorrichtungssubstrat 61 übertragen; zusätzlich werden diese auf dem Anzeigevorrichtungssubstrat 61 mit den nach oben gerichteten zweiten Elektroden fixiert. Dadurch wird das nachfolgende Festsetzen der entsprechenden zweiten Elektroden der die Licht emittierenden Einheiten ausbildenden ersten Licht emittierenden Diode(n) 110, der zweiten Licht emittierenden Diode(n) 210 und der dritten Licht emittierenden Diode(n) 310 zu den gemeinsamen Elektroden (gemeinsamen Leiterbahnen) 401, 402, 403 sowie das Festsetzen der ersten Elektroden 114, 214, 314 zur ersten Leiterbahn (vierten gemeinsamen Elektrode 404) erleichtert. Dies verspricht eine Vereinfachung der Feinjustage und einen vereinfachten Fertigungsprozess der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung oder des elektronischen Geräts. Da zudem das Verhältnis der Fläche der Licht emittierenden Dioden 110, 210, 310 zur Fläche eines Pixels gering ist und zudem die Licht emittierenden Dioden 110, 210, 310 nahe beieinander positioniert sind, wird die Wahrscheinlichkeit des Auftretens des so genannten Farbbruchs (color breakup) verringert.
  • [Beispiel 3]
  • Beispiel 3 ist eine Modifikation von Beispiel 2. Der Aufbau und die Struktur einer Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung oder eines elektronischen Geräts, welche mit einem Verfahren zum Herstellen einer Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung oder eines elektronischen Geräts gemäß dem in den schematischen Querschnittsansichten von 25A, 25B, 25C und 26A, 26B, 26C gezeigten Beispiel 3 erhalten werden, entsprechen im Wesentlichen dem Aufbau und der Struktur der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung oder des elektronischen Geräts des obigen Beispiels 2, abgesehen davon, dass der erste Anschlussbereichsteil, der zweite Anschlussbereichsteil, der dritte Anschussbereichsteil und der vierte Anschlussbereichsteil nicht ausgebildet sind und deshalb auf eine detaillierte Beschreibung hierzu verzichtet wird. 25A, 25B, 25C, 26A, 26B und 26C sind schematische Querschnittsansichten, die denjenigen entlang der Pfeile A-A, B-B, C-C, D-D, E-E und F-F von 7 entsprechen.
  • Nun wird das Verfahren zum Herstellen einer Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung oder eines elektronischen Geräts nach Beispiel 3 mit Bezug auf die 27A, 27B, 27C, 28A, 28B, 28C und 29A, 29B, 29C beschrieben. 27A, 28A und 29A sind schematische Querschnittsansichten, die denjenigen entlang des Pfeils B-B von 7 entsprechen; 27B, 28B und 29B sind schematische Querschnittsansichten, die denjenigen entlang des Pfeils E-E von 7 entsprechen; und 27C, 28C und 29C sind schematische Querschnittsansichten, die denjenigen entlang des Pfeils F-F von 7 entsprechen.
  • [Schritt 300]
  • Zunächst werden die Licht emittierenden Dioden 10 (110, 210, 310) mit einem dem [Schritt 200] von Beispiel 2 ähnlichen Schritt hergestellt. Dann werden [Schritt 210A] und [Schritt 210B] von Beispiel 2 ausgeführt. Weiter wird die Licht emittierende Diodengruppe 110, 210, 310 zum Herstellen der Licht emittierenden Einheiten am Substrat 53 zum Herstellen der Licht emittierenden Einheit über die Fixierschicht 34 und die gemeinsame Subelektrode 43 auf dieselbe Weise wie in [Schritt 210C] von Beispiel 2 angebracht. Dann wird das erste Transfersubstrat 31 entfernt. Danach erfolgt ein Schritt ähnlich zu [Schritt 210E] von Beispiel 2, wodurch die Licht emittierenden Einheiten an der Fixierschicht 34 isoliert werden.
  • (Schritt 310)
  • Außerdem wird auf dieselbe Weise wie in Beispiel 2 ein Anzeigevorrichtungssubstrat 61 bereitgestellt, in dem eine zweite isolierende Materialschicht 71 und eine erste gemeinsame Elektrode 401, eine zweite gemeinsame Elektrode 402 und eine dritte gemeinsame Elektrode 403 entlang der ersten Richtung ausgebildet und mit der isolierenden Materialschicht 71 bedeckt sind.
  • [Schritt 310A]
  • Dann werden die Licht emittierenden Einheiten auf dieselbe Weise wie in [Schritt 220A] von Beispiel 2 an einem zweiten Transfersubstrat (nicht gezeigt) befestigt und danach wird das Substrat 53 zum Herstellen der Licht emittierenden Einheit entfernt.
  • [Schritt 310B]
  • Dann werden die Licht emittierenden Einheiten auf dieselbe Weise wie in [Schritt 220B] und [Schritt 220C] von Beispiel 2 auf einem Anzeigevorrichtungssubstrat 61 so angeordnet, dass sie von der zweiten isolierenden Materialschicht 71 umgeben sind und daraufhin wird das zweite Transfersubstrat entfernt (siehe 27A, 27B, 27C und 28A, 28B, 28C).
  • [Schritt 310C]
  • Danach wird ein erster Kontaktlochteil 121 in der Fixierschicht 34 ausgebildet und es werden ein erstes Verbindungsglied 124 und ein Kontaktteil 123 ausgebildet, die sich von der Fixierschicht 34 zu einer Planarisierungsschicht 72 und zur zweiten isolierenden Schicht 71 erstrecken, um eine Herausführelektrode 116 der ersten Licht emittierenden Diode 110 und die erste gemeinsame Elektrode 401 miteinander zu verbinden. Zudem wird ein zweiter Kontaktlochteil 221 in der Fixierschicht 34 ausgebildet und es werden ein zweites Verbindungsglied 224 und ein Kontaktteil 223 ausgebildet, die sich von der Fixierschicht 34 zur Planarisierungsschicht 72 und zur zweiten isolierenden Materialschicht 71 erstrecken, um eine Herausführelektrode 216 der zweiten Licht emittierenden Diode 210 und die zweite gemeinsame Elektrode 402 miteinander zu verbinden. Auch wird ein dritter Kontaktlochteil 321 in der Fixierschicht 34 ausgebildet und es werden ein drittes Verbindungsglied 324 und ein Kontaktlochteil 323 ausgebildet, die sich von der Fixierschicht 34 zur Planarisierungsschicht 72 sowie zur zweiten isolierenden Materialschicht 71 erstrecken, um eine Herausführelektrode 316 der dritten Licht emittierenden Diode 310 und die dritte gemeinsame Elektrode 403 miteinander zu verbinden. Zudem wird die vierte gemeinsame Elektrode 404 auf der zweiten isolierenden Materialschicht 71 ausgebildet. Auch wird ein vierter Kontaktlochteil 421 in der Fixierschicht 34 ausgebildet und es wird ein viertes Verbindungsglied 424 ausgebildet, das sich von der Fixierschicht 34 zur Planarisierungsschicht 72 sowie zur zweiten isolierenden Materialschicht 71 erstreckt, um eine gemeinsame Subelektrode 43 und die vierte gemeinsame Elektrode 404 miteinander zu verbinden.
  • Insbesondere werden mit bekannter Lithografietechnik und Ätztechnik Öffnungsgebiete 521, 522, 523, 524 in der Planarisierungsschicht 72, der zweiten isolierenden Materialschicht 71 und der isolierenden Materialschicht 32, die auf der Oberseite der Herausführelektroden 116, 216, 316 und der metallischen Schicht 41 positioniert sind, ausgebildet. Zudem werden Öffnungsgebiete in der Planarisierungsschicht 72, der zweiten isolierenden Materialschicht 71 und der isolierenden Materialschicht 32, die auf der Oberseite der ersten gemeinsamen Elektrode 401, der zweiten gemeinsamen Elektrode 402, der dritten gemeinsamen Elektrode 403 und der vierten gemeinsamen Elektrode 404 angeordnet sind, ausgebildet (siehe 29A, 29B und 29C). In der 29A ist lediglich das Öffnungsgebiet 526 gezeigt. Dann wird eine metallische Materialschicht auf der isolierenden Materialschicht 32 einschließlich dem Inneren der Öffnungsgebiete 521, 522, 523, 524 und 526 durch Sputtern ausgebildet. Daraufhin wird die metallische Materialschicht mit bekannter Lithografietechnik und Ätztechnik strukturiert, wodurch es möglich wird, den ersten Kontaktlochteil 121, den zweiten Kontaktlochteil 221, den dritten Kontaktlochteil 321, den vierten Kontaktlochteil 421, das zweite A-Verbindungsglied 124, den Kontaktteil 123, das zweite B-Verbindungsglied 224, den Kontaktteil 223, das zweite C-Verbindungsglied 324, den Kontaktteil 323 und das dritte Verbindungsglied 424 zu erhalten (siehe 25A, 25B, 25C und 26A, 26B, 26C).
  • Während die Erfindung oben mit Bezug auf bevorzugte Beispiele beschrieben wurde, ist sie nicht auf diese Beispiele beschränkt. Die Anordnungen und Strukturen des Licht emittierenden Halbleiterbauelements (der Licht emittierenden Diode) und der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung oder des elektronischen Geräts mit den darin enthaltenen Licht emittierenden Dioden gemäß oben beschriebenen Beispielen dienen lediglich der Veranschaulichung, so dass die Bestandteile, Materialien und dergleichen lediglich der Veranschaulichung dienen und Modifikationen je nach Bedarf vorgenommen werden können. Die numerischen Werte, Materialien, Aufbauten, Strukturen, Formen, verschiedenartige Substrate, Rohmaterialien, Prozesse, usw. welche in den obigen Beispielen genannt sind, dienen lediglich der Veranschaulichung, so dass numerische Wert, Materialien, Aufbauten, Strukturen, Formen, Substrate, Rohmaterialien, Prozesse, usw. verwendet werden können, die von den oben genannten Größen abweichen können.
  • Während die gemeinsame Subelektrode 43 in den obigen Beispielen aus der metallischen Schicht 41 und der lichtdurchlässigen Elektrode 42 besteht, kann die gemeinsame Subelektrode 43 alternativ lediglich aus einer metallischen Schicht oder einer Legierungsschicht bestehen, sofern dies die Lichtemission der Licht emittierenden Dioden nicht beeinträchtigt. Zudem können die ersten Elektroden 114, 214, 314 in einigen Fällen nach [Schritt 210A-(2)] von Beispiel 2 oder in [Schritt 210B] ausgebildet werden.
  • Als Licht emittierende Dioden, welche die Licht emittierende Einheit darstellen, können zusätzlich zu den ersten, zweiten und dritten Licht emittierenden Dioden eine vierte Licht emittierende Diode, eine fünfte Licht emittierende Diode ... bereitgestellt werden. Beispiele für solche Aufbauten umfassen eine Licht emittierende Einheit, in der ein Subpixel zur Emission von weißem Licht zur Erhöhung der Leuchtkraft hinzugefügt wird, eine Licht emittierende Einheit, in der ein Subpixel zur Emission von Licht einer Komplementärfarbe zur Aufweitung des Farbwidergabebereichs hinzugefügt wird, eine Licht emittierende Einheit, in der ein Subpixel von gelbem Licht zur Aufweitung des Farbwiedergabebereichs hinzugefügt wird sowie eine Licht emittierende Einheit, in der ein Subpixel zur Emission von gelbem Licht sowie ein Subpixel zur Emission von cyanfarbigem Licht zur Aufweitung des Farbwiedergabebereichs hinzugefügt werden. In einem solchen Falle ist es ausreichend, dass die die vierte Licht emittierende Diode, die fünfte Licht emittierende Diode ... ausbildenden ersten Elektroden mit der gemeinsamen Subelektrode verbunden sind.
  • Die Bildanzeigevorrichtung (Licht emittierende Diodenanzeigevorrichtung) ist nicht auf Flachbildanzeigevorrichtungen vom Direktsicht-Typ, welche sich in TV-Geräten und Computerterminals wieder findet, beschränkt, sondern umfasst Bildanzeigevorrichtungen, bei denen Bilder auf die menschliche Netzhaut projiziert werden, sowie Bildanzeigevorrichtungen vom Projektionstyp. In einer solchen Bildanzeigevorrichtung kann beispielsweise ein Ansteuerungssystem vom Feldsequenztyp (field sequential type) zum Einsatz kommen, bei dem Bilder durch eine gemeinsame zeitliche Steuerung der entsprechenden Emissions/Nichtemissions-Zustände der ersten, zweiten und dritten Licht emittierenden Dioden angezeigt werden.
  • Eine schematische Draufsicht auf eine Licht emittierende Einheit einer Modifikation der Licht emittierenden Diodenanzeigevorrichtung von Beispiel 2 ist in 30 gezeigt. Bei dieser Modifikation ist das Zentrum des ersten Anschlussbereichsteils 122 (in 30 durch eine dünne durchgezogene Linie gekennzeichnet), welcher den ersten Kontaktlochteil 121 umschließt (in 30 durch eine unterbrochene Linie gekennzeichnet), nicht deckungsgleich zum Zentrum des ersten Kontaktlochteils 121; insbesondere ist das Zentrum des ersten Anschlussbereichteils 122 zur Seite der ersten gemeinsamen Leiterbahn 401 abgerückt. Zusätzlich ist das Zentrum des den zweiten Kontaktlochteil 221 (in 30 mit einer unterbrochenen Linie gekennzeichnet) umschließenden zweiten Anschlussbereichsteils 222 (in 30 mit einer dünnen durchgezogenen Linie gekennzeichnet) nicht deckungsgleich mit dem Zentrum des zweiten Kontaktlochteils 221; insbesondere ist das Zentrum des zweiten Anschlussbereichsteils 222 zur Seite der zweiten gemeinsamen Leiterbahn 402 abgerückt. Zudem ist das Zentrum des den dritten Kontaktlochteil (in 30 mit einer unterbrochenen Linie gekennzeichnet) umschließenden dritten Anschlussbereichsteils 322 (in 30 mit einer dünnen durchgezogenen Linie gekennzeichnet) nicht deckungsgleich zum Zentrum des dritten Kontaktlochteils 321; insbesondere ist das Zentrum des dritten Anschlussbereichsteils 322 zur Seite der dritten gemeinsamen Leiterbahn 403 abgerückt. Kommt eine solche Anordnung zum Einsatz, lässt sich zum Zeitpunkt des Ausbildens des ersten Verbindungsglieds 124, des zweiten Verbindungsglieds 224 und des dritten Verbindungsglieds 324 eine räumliche Distanz zwischen diesen Verbindungsgliedern 124, 224, 324 und dem vierten Verbindungsglied 424 schaffen, so dass sich ein Kurzschluss zwischen diesen Verbindungsgliedern 124, 224, 324 und dem vierten Verbindungsglied 424 sicher verhindern lässt.
  • Abhängig vom Aufbau des elektronischen Geräts kann die erste Leiterbahn aus einer gemeinsamen Leiterbahn (gemeinsamen Elektrode) bestehen und die zweite Leiterbahn kann denselben Aufbau aufweisen wie die erste Leiterbahn oder die in Beispiel 2 oben beschriebene zweite Leiterbahn. Alternativ kann die erste Leiterbahn denselben Aufbau wie die oben in Beispiel 2 beschriebene erste Leiterbahn oder zweite Leiterbahn aufweisen, und die zweite Leiterbahn kann aus einer gemeinsamen Leiterbahn (gemeinsamen Elektrode) bestehen. Weiter kann ein Aufbau zum Einsatz kommen, in dem die erste Leiterbahn aus einer gemeinsamen Leiterbahn (gemeinsamen Elektrode) besteht und die zweite Leiterbahn ebenso aus einer gemeinsamen Leiterbahn (gemeinsamen Elektrode) aufgebaut ist. Die gemeinsame Leiterbahn kann in Abhängigkeit vom Aufbau des elektronischen Geräts schichtförmig sein, multi-schichtförmig sein oder eine bandartige Form aufweisen. Falls die Licht emittierenden Halbleiterbauelemente (Licht emittierenden Dioden) mit Wechselstrom angesteuert werden, können ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (Licht emittierende Diode), bei dem das erste Verbindungsglied in Kontakt mit der ersten Leiterbahn ist und das zweite Verbindungsglied in Kontakt mit der zweiten Leiterbahn ist, sowie ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement (Licht emittierende Diode), bei dem das zweite Verbindungsglied in Kontakt mit der ersten Leiterbahn ist und das erste Verbindungsglied in Kontakt mit der zweiten Leiterbahn ist, gemischt vorliegen. Falls das Licht emittierende Halbleiterbauelement (Licht emittierende Diode), bei dem das zweite Verbindungsglied in Kontakt mit der ersten Leiterbahn ist und das erste Verbindungsglied in Kontakt mit der zweiten Leiterbahn ist, vorliegt, ist es ausreichend, falls der zweite Leiterbahnteil, der in Kontakt zur ersten Leiterbahn steht, als „erstes Verbindungsglied” und der erste Leiterbahnteil, der in Kontakt mit der zweiten Leiterbahn steht, als „zweites Verbindungsglied” in obiger Beschreibung verstanden wird.
  • Diese Anmeldung umfasst Gegenstände, die in Bezug zur Offenbarung der japanischen Prioritätsanmeldung JP 2009-213194 , die beim Japanischen Patentamt am 15. September 2009 eingereicht wurde, stehen, wobei der gesamte Gehalt der Anmeldung hierin mit einbezogen wird.
  • Einem Fachmann ist klar, dass verschiedenartige Modifikationen, Kombinationen, Subkombinationen und Änderungen in Abhängigkeit von den Designanforderungen und weiteren Faktoren erfolgen können, sofern diese innerhalb des Schutzbereichs der Patentansprüche sowie derer Äquivalente liegen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
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Claims (11)

  1. Licht emittierendes Halbleiterbauelement, umfassend: eine erste Verbindungshalbleiterschicht; eine aktive Schicht auf der ersten Verbindungshalbleiterschicht; eine zweite Verbindungshalbleiterschicht auf der aktiven Schicht, wobei die zweite Verbindungshalbleiterschicht ausgehend von der Seite der aktiven Schicht eine Mantelschicht und eine Kontaktschicht in dieser Reihenfolge aufweist; und eine Elektrode auf der Kontaktschicht, wobei die Kontaktschicht schmäler ist als die Mantelschicht.
  2. Das Licht emittierende Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei die Kontaktschicht im Wesentlichen dieselbe Größe aufweist wie die Elektrode.
  3. Das Licht emittierende Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Elektrode die Kontaktschicht bedeckt.
  4. Das Licht emittierende Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, wobei die mittlere Fläche S1 der Kontaktschicht und die mittlere Fläche S2 der Elektrode die Beziehung 1/2 ≤ S2/S1 ≤ 2 erfüllen.
  5. Das Licht emittierende Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, wobei die mittlere Fläche S1 der Kontaktschicht und die mittlere Fläche S2 der Elektrode die Beziehung S2/S1 = 1.05 erfüllen.
  6. Das Licht emittierende Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die aktive Schicht eine GaInP-Verbindungshalbleiterschicht aufweist und mit einem Fremdstoff dotiert ist.
  7. Das Licht emittierende Halbleiterbauelement nach Anspruch 6, wobei die Dotierstoffkonzentration eines n-Typ Fremdstoffs in der aktiven Schicht im Bereich von 5 × 1015/cm3 bis 1 × 1018/cm3 liegt.
  8. Das Licht emittierende Halbleiterbauelement nach Anspruch 6 oder 7, wobei die erste Verbindungshalbleiterschicht eine erste AlGaInP-Verbindungshalbleiterschicht aufweist und die Mantelschicht eine zweite AlGaInP-Verbindungshalbleiterschicht darstellt.
  9. Das Licht emittierende Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, wobei der erste Verbindungshalbleiter vom n-Typ ist und der zweite Verbindungshalbleiter vom p-Typ ist.
  10. Eine Bildanzeigevorrichtung, umfassend: eine Mehrzahl von Licht emittierenden Bauelementen, jeweils umfassend eine erste Verbindungshalbleiterschicht; eine aktive Schicht auf der ersten Verbindungshalbleiterschicht; eine zweite Verbindungshalbleiterschicht auf der aktiven Schicht, wobei die zweite Verbindungshalbleiterschicht ausgehend von der Seite der aktiven Schicht eine Mantelschicht und eine Kontaktschicht in dieser Reihenfolge aufweist; und eine Elektrode auf der Kontaktschicht, wobei die Kontaktschicht schmäler ist als die Mantelschicht.
  11. Ein Verfahren zum Herstellen eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements, umfassend die Schritte: Ausbilden einer ersten Verbindungshalbleiterschicht; Ausbilden einer aktiven Schicht auf der ersten Verbindungshalbleiterschicht; Ausbilden einer zweiten Verbindungshalbleiterschicht auf der aktiven Schicht, wobei die zweite Verbindungshalbleiterschicht ausgehend von der Seite der aktiven Schicht eine Mantelschicht und eine Kontaktschicht in dieser Reihenfolge aufweist; und Ausbilden einer Elektrode auf der Kontaktschicht, wobei die Kontaktschicht schmäler ist als die Mantelschicht.
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