DE102010001336B3

DE102010001336B3 - Anordnung und Verfahren zur Charakterisierung der Polarisationseigenschaften eines optischen Systems

Info

Publication number: DE102010001336B3
Application number: DE102010001336A
Authority: DE
Inventors: Uwe 73430 Hempelmann; Markus 89522 Mengel; Peter 73431 Huber
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2010-01-28
Filing date: 2010-01-28
Publication date: 2011-07-28
Anticipated expiration: 2030-01-29
Also published as: KR101508821B1; KR20120102098A; TW201140253A; CN102713761A; CN102713761B; WO2011091891A3; US20130021592A1; WO2011091891A2; US9274440B2; JP2013518418A; TWI537685B; JP5650759B2

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Anordnung und ein Verfahren zur Charakterisierung der Polarisationseigenschaften eines optischen Systems, insbesondere eines optischen Systems einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, mit wenigstens einem Polarisationszustandsgenerator (130, 230, 330), welcher einen definierten Polarisationszustand von auf das optische System auftreffender Strahlung einstellt, und einem Polarisationszustandsdetektor (140, 240, 340), welcher zur Messung des Austritts-Polarisationszustandes von aus dem optischen System austretender Strahlung ausgelegt ist, wobei das optische System für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 15 nm ausgelegt ist, und wobei Polarisationszustandsgenerator und/oder Polarisationszustandsdetektor derart ausgelegt sind, dass deren polarisationsoptische Wirkung auf ein auftreffendes Lichtbündel über ein Winkelspektrum dieses Lichtbündels von wenigstens 10° im Wesentlichen konstant ist.

Description

Die Erfindung betrifft eine Anordnung und ein Verfahren zur Charakterisierung der Polarisationseigenschaften eines optischen Systems.
Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD's, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z. B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
Es ist bekannt, dass in hochauflösenden Abbildungssystemen wie z. B. der vorstehend beschriebenen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage insbesondere bei hohen numerischen Aperturen der Einfluss des Abbildungssystems auf den Polarisationszustand der das Abbildungssystem im Betrieb durchlaufenden Strahlung nicht mehr zu vernachlässigen ist. Dies ist auf Änderungen des Abbildungskontrastes durch polarisationsbeeinflussende Effekte (etwa durch Fassungskomponenten induzierte Spannungsdoppelbrechung im Material der optischen Komponenten wie z. B. Linsen oder Spiegel, polarisationsbeeinflussende Effekte dielektrischer Schichten etc.) zurückzuführen.
Es ist somit wünschenswert, die Polarisationseigenschaften solcher Abbildungssysteme insbesondere von hoher Apertur möglichst zuverlässig zu bestimmen, um zum einen entsprechende Schlussfolgerungen betreffend die polarisationsabhängige Abbildungsqualität ziehen sowie zum anderen gegebenenfalls geeignete Maßnahmen zur Manipulation der Polarisationseigenschaften treffen zu können.
Aus US 7,286,245 B2 sind u. a. ein Verfahren sowie eine Vorrichtung zur Bestimmung der Beeinflussung des Polarisationszustandes optischer Strahlung durch ein optisches Abbildungssystem bekannt, wobei in einer Objektebene des Abbildungssystems ein definierter Eintritts-Polarisationszustand bereitgestellt wird und wobei der Austritts-Polarisationszustand von aus dem Abbildungssystem austretender Strahlung innerhalb eines vorgebbaren Pupillenbereichs des Abbildungssystems pupillenaufgelöst gemessen wird. Bei dem Abbildungssystem kann es sich z. B. um ein Projektionsobjektiv einer für den Wellenlängenbereich um 248 nm oder um 193 nm ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage handeln.
In für den EUV-Bereich ausgelegten Projektionsobjektiven, d. h. bei Wellenlängen von z. B. etwa 13 nm oder etwa 7 nm, werden mangels Verfügbarkeit geeigneter lichtdurchlässiger refraktiver Materialien Spiegel als optische Komponenten für den Abbildungsprozess verwendet. Dabei tritt im Zusammenhang mit der zuvor erwähnten Charakterisierung der Polarisationseigenschaften das Problem auf, dass die Realisierung eines Messaufbaus wie des vorstehend beschriebenen unter Verwendung reflektiver optischer Komponenten zu erheblichen Problemen hinsichtlich des benötigten Bauraums bis hin zur mangelnden Realisierbarkeit führen kann.
Vor dem obigen Hintergrund ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Anordnung sowie ein Verfahren zur Charakterisierung der Polarisationseigenschaften eines optischen Systems bereitzustellen, welche auch bei Arbeitswellenlängen im EUV eine zuverlässige Charakterisierung der Polarisationseigenschaften bei zugleich kompakter Bauweise ermöglichen.
Diese Aufgabe wird durch die Anordnung gemäß den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 bzw. das Verfahren gemäß den Merkmalen des Patentanspruchs 23 gelöst.
Eine Anordnung zur Charakterisierung der Polarisationseigenschaften eines optischen Systems, insbesondere eines optischen Systems einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, weist auf:

– wenigstens einen Polarisationszustandsgenerator, welcher einen definierten Polarisationszustand von auf das optische System auftreffender Strahlung einstellt; und
– einen Polarisationszustandsdetektor, welcher zur Messung des Austritts-Polarisationszustandes von aus dem optischen System austretender Strahlung ausgelegt ist;
– wobei das optische System für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 15 nm ausgelegt ist; und
– wobei Polarisationszustandsgenerator und/oder Polarisationszustandsdetektor derart ausgelegt sind, dass deren polarisationsoptische Wirkung auf ein auftreffendes Lichtbündel über ein Winkelspektrum dieses Lichtbündels von wenigstens 10° im Wesentlichen konstant ist.

Das Kriterium, wonach „die polarisationsoptische Wirkung” von Polarisationszustandsgenerator und/oder Polarisationszustandsdetektor auf ein auftreffendes Lichtbündels konstant ist, bedeutet, dass der Polarisationszustandsgenerator bzw. Polarisationszustandsdetektor über das besagte Winkelspektrum den gleichen Polarisationszustand erzeugen, was wiederum darüber definiert werden kann, dass für das aus dem Polarisationszustandsgenerator und/oder Polarisationszustandsdetektor austretende Licht der sogenannte IPS-Wert (= ”Intensity in Preferred State” = Intensität im gewünschten/bevorzugten Zustand), über das besagte Winkelspektrum konstant ist, sofern der IPS-Wert für das in den Polarisationszustandsgenerator bzw. den Polarisationszustandsdetektor eintretende Licht konstant ist. Dabei sollen von der Formulierung „im Wesentlichen konstant” auch Schwankungen des IPS-Wertes bis zu 10%, insbesondere bis zu 5% umfasst sein. Des Weiteren handelt es sich bei dem gewünschten Polarisationszustand nicht notwendigerweise um lineare Polarisation, sondern es kann sich auch um einen beliebigen anderen Polarisationszustand, z. B. elliptische oder zirkulare Polarisation, handeln.
Mit der erfindungsgemäßen Anordnung verfolgt die Erfindung insbesondere das Konzept, bei Arbeitswellenlängen im EUV-Bereich die zur Charakterisierung des Polarisationszustandes verwendeten Komponenten Polarisationszustandsgenerator und Polarisationszustandsdetektor jeweils für einen Betrieb in Transmission auszulegen. Gemäß einem anderen Ansatz weisen Polarisationszustandsgenerator und/oder Polarisationszustandsdetektor wenigstens ein in Transmission betriebenes optisches Element auf. Hierdurch wird wiederum insbesondere bei optischen Systemen mit einer Arbeitswellenlänge von etwa 13.5 nm eine deutlich kompaktere Bauweise erzielt, da reflektierende polarisationsoptische Komponenten mit vergleichsweise komplizierten Strahlengängen und aufwändigeren Aktuatoren vermieden werden.
Hierbei ist insbesondere zu beachten, dass die im DUV-Wellenlängenbereich, d. h. bei Wellenlängen von z. B. ca. 248 nm oder ca. 193 nm bestehende Möglichkeit, die polarisationsoptischen Komponenten in einer Parallelstrahlgeometrie (d. h. mit zueinander parallelen Teilstrahlen des die jeweilige Komponente durchlaufenden Strahlenbündels) betreiben zu können, im erfindungsgemäß erfassten EUV-Bereich nicht mehr gegeben ist, da keine der im DUV-Bereich verwendeten geeigneten optischen Komponenten in Form von Linsensystemen mehr zur Verfügung stehen, um den divergierenden oder konvergierenden Strahlengang in einen parallelen Strahlengang zu transformieren.
Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Ausgestaltung besteht darin, dass die in Transmission betriebenen Komponenten relativ problemlos an den jeweils geeigneten Positionen im Strahlengang eingefügt werden können, ohne dass hierzu eine signifikante Änderung des Strahlenganges erforderlich wird.
Des Weiteren kann gemäß der Erfindung trotz der genannten divergierenden oder konvergierenden Strahlengänge eine simultane bzw. parallele Messung des Austritts-Polarisationszustandes von aus dem optischen System austretender Strahlung realisiert werden. Hiermit ist gemeint, dass die Austrittspupille des Systems „auf einmal” gemessen wird, also auch Strahlen unter größeren Aperturwinkeln gleichzeitig durch die jeweilige polarisationsoptische Komponente hindurch gesandt werden bzw. von einem am Ende der Anordnung vorhandenen Detektorelement wie z. B. einer CCD-Kamera erfasst werden. Dies ist insofern vorteilhaft, als ein – bei herkömmlichen Messungen der Polarisationseigenschaften im EUV übliches – Abscannen der Austrittspupille, bei dem ein vergleichsweise schmales Parallelstrahlbündel sukzessive über den gesamten Winkelbereich zur Durchführung aufeinanderfolgender Einzelmessungen „verschoben” werden muss, entbehrlich ist. Neben den aus der simultanen Messung resultierenden zeitlichen Vorteilen ergeben sich hiermit weitere Vorteile der Vermeidung von Positionierungsproblemen sowie von Driftfehlern.
Wenngleich eine vorteilhafte Anwendung der Erfindung die Messung der Polarisationseigenschaften eines Projektionsobjektivs ist, ist die Erfindung nicht hierauf beschränkt. Vielmehr sind von dem Begriff „optisches System”, dessen Polarisationseigenschaften im Rahmen der Erfindung charakterisiert werden, auch beliebige andere optische Systeme umfasst, insbesondere auch einzelne optische Elemente wie z. B. Spiegel.
Gemäß einer Ausführungsform sind Polarisationszustandsgenerator und/oder Polarisationszustandsdetektor derart ausgelegt, dass deren polarisationsoptische Wirkung auf ein auftreffendes Lichtbündel über ein Winkelspektrum dieses Lichtbündels von wenigstens 15°, insbesondere wenigstens 20°, und weiter insbesondere über das gesamte Winkelspektrum dieses Lichtbündels im Wesentlichen konstant ist.
Gemäß einer Ausführungsform ist der Polarisationszustandsgenerator zur pupillenaufgelösten Messung des Austritts-Polarisationszustandes ausgelegt. Dabei können die für die Pupillenauflösung realisierten Werte beispielsweise wenigstens 30 Pixel, insbesondere wenigstens 40 Pixel, weiter insbesondere wenigstens 50 Pixel über den Pupillenradius betragen.
Gemäß einer Ausführungsform weist der Polarisationszustandsgenerator und/oder der Polarisationszustandsdetektor einen drehbaren Polarisator auf. Des Weiteren kann der Polarisationszustandsgenerator und/oder der Polarisationszustandsdetektor einen drehbaren Retarder aufweisen.
Gemäß einer Ausführungsform weist der Polarisator und/oder der Retarder wenigstens ein Mehrfachschichtsystem mit einer Mehrzahl von Einzelschichten auf. Vorzugsweise weist hierbei das Mehrfachschichtsystem eine wenigstens bereichsweise gekrümmte Lichteintrittsfläche auf. Dies kann gemäß der Erfindung insbesondere dadurch realisiert werden, dass das Mehrfachschichtsystem eine variierende Dicke aufweist. Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Mehrzahl von Einzelschichten auch auf einem wenigstens bereichsweise gekrümmten Substrat aufgebracht sein.
Gemäß einer Ausführungsform ist die Mehrzahl von Einzelschichten entweder freitragend bzw. substratlos oder auf einem Substrat mit einer Dicke von maximal 400 nm, vorzugsweise von maximal 100 nm, und weitervorzugsweise von maximal 50 nm, angeordnet, um einen hinreichend großen Anteil des transmittierten Lichtes zu erzielen. Als geeignete Substratmaterialien kommen insbesondere solche mit vergleichsweise geringer Transmission in Frage, beispielsweise Silizium (Si), Quarzglas (= „fused silica”, SiO₂), Siliziumnitrid (Si₃N₄), Siliziumkarbid (SiC), Polymere, Quarz (SiO₂), Zirkon (Zr), Diamant, Niob (Nb) und Molybdän (Mo).
Gemäß einer Ausführungsform können der Polarisator und/oder der Retarder auch eine Mehrzahl von Substraten aufweisen, welche jeweils mit einem Mehrfachschichtsystem versehen sind. Dabei können wenigstens zwei dieser Substrate (insbesondere auch sämtliche dieser Substrate) relativ zueinander verkippt angeordnet sein, um für die Anordnung aus den jeweils mit einem Mehrfachschichtsystem versehenen Substraten die gewünschte Homogenität der polarisationsbeeinflussenden Wirkung im Winkelspektrum zu erzielen.
Gemäß einer Ausführungsform erzeugt der jeweilige Polarisator einen linearen Ausgangspolarisationsgrad von aus dem Polarisator austretender Strahlung von wenigstens 95%, insbesondere wenigstens 97%, weiter insbesondere wenigstens 99%. Dabei ist unter dem „linearen Ausgangspolarisationsgrad” das für das aus dem jeweiligen Polarisator austretende Licht geltende Verhältnis der Intensität des linear polarisierten Lichtanteils zur Gesamtintensität des Lichtes zu verstehen.
Gemäß einer Ausführungsform weist die Anordnung ferner einen Wellenlängenfilter auf, welcher wiederum vorzugsweise dazu ausgelegt ist, aus dem Wellenlängenspektrum der Lichtquelle in der (Mess-)Anordnung ein vorgegebenes Wellenlängenband herauszufiltern. Dies ist im Hinblick darauf vorteilhaft, dass in einer für das EUV ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage die Transmissionsbandbreite des Projektionsobjektivs mit etwa 13.5 ± 0.3 nm vergleichsweise groß ist und von der Bandbreite der als Lichtquelle für die Beleuchtungseinrichtung verwendeten Plasmalichtquelle noch übertroffen wird.
Eine über diese relativ breitbandigen Wellenlängenbereiche integrierende Messung wäre nicht ohne Weiteres auf das tatsächliche Betriebsverhalten des Projektionsobjektivs zu übertragen, wenn die Spektren der bei der Messung verwendeten Plasmalichtquelle und der beim eigentlichen Lithographieprozess verwendeten Plasmalichtquelle nicht übereinstimmen. Hingegen lässt sich durch Verwendung des (hinreichend schmalbandigen, z. B. eine Bandbreite von höchstens 1/20 der Transmissionsbandbreite des Projektionsobjektivs aufweisenden) Wellenlängenfilters eine wellenlängenaufgelöste Messung durchführen, um für das jeweilige Eingangsspektrum eine Vorhersage der Polarisationseigenschaften des Projektionsobjektivs treffen zu können.
Gemäß einer Ausführungsform ist das optische System für eine numerische Apertur von wenigstens 0.3, insbesondere wenigstens 0.5, weiter insbesondere wenigstens 0.7 ausgelegt. Bei zunehmenden Aperturen ist die Erfindung besonders vorteilhaft, da dann die Überwindung der mit den in der Austrittspupille auftretenden größeren Aperturwinkeln einhergehenden Probleme besonders zum Tragen kommt.
Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung für die EUV-Lithographie mit einem Projektionsobjektiv, welches für den Betrieb im EUV ausgelegt ist, und einer Anordnung zur Charakterisierung der Polarisationseigenschaften dieses Projektionsobjektivs, wobei diese Anordnung wie die vorstehend beschriebene Anordnung zur Charakterisierung der Polarisationseigenschaften eines optischen Systems ausgestaltet ist.
Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Charakterisierung der Polarisationseigenschaften eines optischen Systems, insbesondere eines optischen Systems einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:

– Einstellen eines definierten Polarisationszustandes von auf das optische System auftreffender Strahlung mit einem Polarisationszustandsgenerator; und
– Messen des Austritts-Polarisationszustandes von aus dem optischen System austretender Strahlung mit einem Polarisationszustandsdetektor;
– wobei das optische System für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 15 nm ausgelegt ist; und
– wobei Polarisationszustandsgenerator und/oder Polarisationszustandsdetektor wenigstens ein in Transmission betriebenes optisches Element aufweisen.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von bevorzugten Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beigefügten Abbildungen näher erläutert.
Es zeigen:
1 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Aufbaus einer erfindungsgemäßen Anordnung zur Charakterisierung der Polarisationseigenschaften gemäß einer ersten Ausführungsform;
2–3 schematische Darstellungen zur Erläuterung weiterer, gegenüber 1 vereinfachter Ausführungsformen der Erfindung;
4a–c schematische Darstellungen zur Erläuterung beispielhafter Ausführungsformen von in einer Anordnung gemäß 1–3 eingesetzten Mehrfachschichtsystemen;
5–6 schematische Darstellungen zur Erläuterung weiterer Ausführungsformen von Mehrfachschichtsystemen gemäß der Erfindung; und
7–11 Diagramme zur Charakterisierung diverser Ausführungsformen von erfindungsgemäß eingesetzten Mehrfachschichtsystemen.
1 zeigt zunächst in schematischer Darstellung einen möglichen Messaufbau unter Verwendung einer erfindungsgemäßen Anordnung. Die Anordnung dient zur Charakterisierung der Polarisationseigenschaften eines für den Betrieb im EUV-Bereich ausgelegten Projektionsobjektivs 120, welches mit einer ebenfalls für EUV ausgelegten Beleuchtungseinrichtung 110 eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage bildet.
Das unter Verwendung des in 1 dargestellten Messaufbaus angewendete Verfahren ist als solches aus US 7,286,245 B2 für Wellenlängen im DUV-Bereich (z. B. von ca. 193 nm oder ca. 248 nm) bekannt. Gegenstand der vorliegenden Anmeldung ist jedoch die Anwendung dieses Verfahrens im EUV-Bereich, d. h. bei Wellenlängen unterhalb von 15 nm, wobei den sich bei dieser Anwendung ergebenden Problemen wie im Weiteren noch ausgeführt durch geeignete Auslegung der polarisationsoptischen Komponenten Rechnung getragen wird. Genauer zeichnet sich das erfindungsgemäße Verfahren durch den Einsatz breitbandiger polarisationsoptischer Komponenten, sowohl hinsichtlich des Wellenlängenspektrums als auch hinsichtlich des Winkelspektrums, aus.
Dabei verfolgt die Erfindung insbesondere das Konzept, trotz des Einsatzes im EUV-Bereich die polarisationsoptischen Komponenten in Transmission einzusetzen und so reflektierende polarisationsoptische Komponenten mit vergleichsweise komplizierten Strahlengängen sowie auch aufwändigeren Aktuatoren zu vermeiden.
Die erfindungsgemäße Anordnung umfasst gemäß 1 in Lichtausbreitungsrichtung nach der Beleuchtungseinrichtung 110 einen Polarisationszustandsgenerator 130, welcher in Lichtausbreitungsrichtung aufeinanderfolgend einen drehbaren Polarisator 131 sowie einen drehbaren Retarder 132 aufweist. Die Ausgestaltung von Polarisator 131 und Retarder 132 wird im Weiteren unter Bezugnahme auf 4–6 noch näher erläutert.
Der Polarisator 131 ist vorzugsweise so ausgelegt, dass er einen zumindest in guter Näherung linearen Polarisationszustand erzeugt, wobei die Polarisationsvorzugsrichtung durch Drehung des Polarisators 131 variierbar ist. Durch die Erzeugung von möglichst vollständig linear polarisiertem Licht durch den Polarisator 131 wird auch der Lichtbeitrag zu der im weiteren Verlauf im Polarisationszustandsdetektor 140 stattfindenden Ermittlung des Polarisationszustandes maximiert (wohingegen ein bei Austritt aus dem Polarisator 131 verbleibender unpolarisierter Lichtanteil nicht zur erfindungsgemäßen Messung beitragen würde.
Der Retarder 132 weist vorzugsweise eine effektive Verzögerung von einem Viertel der Arbeitswellenlänge λ des Systems (also z. B. (13.5/4) nm auf, in welchem Falle der Polarisationszustandsgenerator 130 die Einstellung beliebiger (auch zirkularer) Polarisationszustände ermöglicht. Der Polarisationszustandsgenerator 130 ermöglicht somit im Ergebnis die Einstellung unterschiedlicher elliptischer Polarisationszustände in der Eintrittspupille des Projektionsobjektivs 120.
In Lichtausbreitungsrichtung nach dem Polarisationszustandsgenerator 130 befindet sich eine Lochmaske 150 (= „Pinhole”), welche in der (Eingangs-)Feldebene des Projektionsobjektivs 120 näherungsweise eine Punktlichtquelle ausbildet.
Das von der Lochmaske 150 ausgehende Licht durchläuft sodann das Projektionsobjektiv 120, wobei die Winkel der von der durch die Lochmaske 150 gebildeten Punktlichtquelle ausgehenden Teilstrahlen Ortskoordinaten in der (nicht eingezeichneten) Pupillenebene des Projektionsobjektivs 120 entsprechen, welche sich wiederum in Winkel in der Austrittspupille des Projektionsobjektivs 120 abbilden. Die Polarisationsverteilung über diese Austrittspupille, d. h. der Austrittspolarisationszustand des aus dem Projektionsobjektiv 120 austretenden Lichtes, wird mit einem Polarisationszustandsdetektor 140 pupillenaufgelöst ermittelt. Diese Bestimmung des Austrittspolarisationszustandes erfolgt in ebenfalls grundsätzlich bekannter Weise simultan über die Austrittspupille, d. h. die Austrittspupille des Systems wird „auf einmal” gemessen, indem auch Strahlen unter größeren Aperturwinkeln gleichzeitig durch die jeweilige polarisationsoptische Komponente hindurch gesandt bzw. von einem am Ende der Anordnung vorhandenen Detektorelement wie z. B. einer CCD-Kamera erfasst werden.
Der Polarisationszustandsdetektor 140 weist hierzu seinerseits einen drehbaren Retarder 141 sowie in Lichtausbreitungsrichtung nachfolgend einen vorzugsweise ebenfalls drehbaren Polarisator 142 sowie ein Detektorelement 143 beispielsweise in Form einer CCD-Kamera auf. Die CCD-Kamera misst im Ergebnis ein verzerrtes Projektionsbild der Austrittspupille des Projektionsobjektivs 120.
Der Retarder 141 weist vorzugsweise ebenfalls eine Verzögerung auf, welche einem Viertel der Arbeitswellenlänge (= Lambda/4) entspricht. Hierfür ergibt sich ein optimales Signal-zu-Rausch-Verhältnis bei der Messung, da dann die sich auf dem Detektorelement 143 bzw. der CCD-Kamera während der Messung ergebende Intensitätsvariation in Abhängigkeit von der Drehstellung des Retarders 141 und den Polarisationseigenschaften des Projektionsobjektivs 120 maximal wird.
Eine wesentliche Eigenschaft der dargestellten Anordnung ist nun, dass das Licht auf die im Polarisationszustandsdetektor 140 wie auch im Polarisationszustandsgenerator 130 vorhandenen polarisationsoptischen Komponenten mit unterschiedlichen Eingangswinkeln auftrifft, da wie eingangs bereits erläutert die im DUV-Bereich üblichen Linsensysteme zur Umwandlung eines divergierenden Strahlenganges in einen parallelen Strahlengang nicht zur Verfügung stehen. Die sich aus dem schrägen Lichtdurchtritt sowohl auf Seiten des Polarisationszustandsgenerators 130 wie auch auf Seiten des Polarisationszustandsdetektors 140 ergebenden Probleme werden im Rahmen der Erfindung durch geeignete Auslegung der polarisationsoptischen Komponenten gelöst, wie im Weiteren unter Bezugnahme auf 4–6 noch näher erläutert wird.
Der vorstehend anhand von 1 beschriebene Messaufbau ermöglicht die Bestimmung der Polarisationseigenschaften eines beliebigen optischen Systems. Vereinfachte Messaufbauten zur Charakterisierung optischer Systeme mit spezielleren Polarisationseigenschaften werden im Weiteren unter Bezugnahme auf 2 bzw. 3 beschrieben.
2 zeigt eine zu dem Messaufbau von 1 alternative Ausführungsform, wobei einander entsprechende bzw. im Wesentlichen funktionsgleiche Bauelemente mit um „100” erhöhten Bezugszeichen gekennzeichnet sind.
Der Messaufbau von 2 unterscheidet sich von demjenigen aus 1 dadurch, dass der Polarisationszustandsgenerator 230 bzw. der Polarisationszustandsdetektor 240 jeweils nur einen drehbaren Polarisator 231 bzw. 241, jedoch keinen Retarder aufweist. Ein solcher im Vergleich zu 1 vereinfachter Aufbau eignet sich zur Bestimmung der Polarisationseigenschaften eines Projektionsobjektivs 230, dessen Pupillen-Jones-Matrizen in guter Näherung ausschließlich linear polarisierte Eigenpolarisationen aufweisen.
Die Polarisatoren 231 und 241 können entweder gekreuzt zueinander (zur Ausbildung eines Dunkelfeldpolarimeters) oder parallel zueinander (zur Ausbildung eines Hellfeldpolarimeters) ausgerichtet sein und rotieren synchron zueinander um die optische Achse des Projektionsobjektivs 230. Während dieser Rotation wird mittels des Detektorelementes 143 bzw. der CCD-Kamera die Variation der Intensität gemessen, aus der wiederum Polarisationseigenschaften, nämlich die Verzögerung (d. h. die Phasendifferenz zwischen zwei orthogonalen Polarisationszuständen) und die „Diattenuation” (d. h. das Verhältnis der Amplituden zwischen zwei orthogonalen Polarisationszuständen) des Projektionsobjektivs berechnet werden.
3 zeigt einen weiter vereinfachten Messaufbau, wobei wiederum zu 2 analoge bzw. im Wesentlichen funktionsgleiche Bauelemente mit um „100” erhöhten Bezugszeichen gekennzeichnet sind.
Der Messaufbau aus 3 unterscheidet sich von demjenigen in 2 dadurch, dass ein drehbarer Polarisator 331 lediglich innerhalb des Polarisationszustandsgenerators 330 vorgesehen ist, der Polarisator 331 im Polarisationszustandsgenerator 330 also das einzige polarisationsoptische Element des Messaufbaus von 3 darstellt. Der Polarisationszustandsdetektor 340 umfasst hingegen lediglich einen Messkopf mit CCD-Kamera, welcher die Aufnahme der Intensitätsverteilung in der Austrittspupille sowie die Messung der Ausgangswellenfront (z. B. interferometrisch) ermöglicht.
Im Betrieb der in 3 dargestellten Anordnung wird der Polarisator 331 um die optische Achse bzw. Lichtausbreitungsrichtung des Projektionsobjektivs 320 rotiert. Dabei wird in Abhängigkeit von der Drehstellung des Polarisators 331 (d. h. abhängig von der Richtung der linearen Eingangspolarisation) die sich ergebende Variation der Intensität in der Austrittspupille sowie der Wellenfront ermittelt. Aus Amplitude und Phase dieser Intensitätsvariation können in für sich bekannter Weise die Verzögerung wie auch die Diattenuation (jeweils sowohl hinsichtlich Betrag als auch Achsenrichtungen) ermittelt werden.
Im Weiteren werden unter Bezugnahme auf 4a und 4b beispielhafte Ausführungsformen von in den Anordnungen gemäß 1–3 eingesetzten Mehrfachschichtsystemen zur Realisierung der dort eingesetzten polarisationsoptischen Komponenten erläutert.
In diesen Ausführungsformen ist das in den erfindungsgemäß eingesetzten polarisationsoptischen Elementen (Polarisator und/oder Retarder) verwendete Mehrfachschichtsystem jeweils so ausgelegt, dass dem Umstand Rechnung getragen wird, dass im Gegensatz zu einer bei Wellenlängen im DUV-Bereich (z. B. von ca. 193 nm oder ca. 248 nm) betriebenen Projektionsbelichtungsanlage im vorliegenden Falle, d. h. im EUV-Bereich, keine unter Einhaltung eines noch akzeptablen Bauraums geeignete refraktiven optischen Elemente zur Erzeugung eines zur optischen Achse parallelen Strahlenganges zur Verfügung stehen.
Dieses Problem wird im Rahmen der vorliegenden Erfindung sowohl eintrittsseitig als auch austrittsseitig bezogen auf das Projektionsobjektiv 320 dadurch gelöst, dass trotz des in 4a–b jeweils dargestellten divergierenden Strahlenganges im Winkelspektrum sowohl in der Eintrittspupille als auch in der Austrittspupille eine Homogenität der durch das Mehrfachschichtsystem erzeugten polarisationsoptischen Wirkung erzielt wird.
Den in 4a–b dargestellten Ausführungsformen ist gemeinsam, dass jeweils ein Mehrfachschichtsystem 460 bzw. 470 dahingehend ausgelegt wird, dass dieses eine wenigstens bereichsweise gekrümmte Lichteintrittsfläche aufweist.
Diese gekrümmte Lichteintrittsfläche wird gemäß 4a dadurch realisiert, dass die Aufbringung einer mit 462 bezeichneten Mehrzahl von Einzelschichten auf einem gekrümmten Substrat 461 so erfolgt, dass jeder der Teilstrahlen S₁, S₂ und S₃ unter Berücksichtigung der Apertur des Systems mit nahezu demselben Einfallswinkel γ auf das Mehrfachschichtsystem 460 auftrifft.
In dem Mehrfachschichtsystem findet eine Mehrfachreflexion der auftreffenden Strahlung statt, wobei der letztlich durch das Mehrfachschichtsystem transmittierte Anteil betrachtet wird, welcher demzufolge möglichst groß sein soll. Hierzu weist das Substrat 461 vorzugsweise eine relativ geringe Dicke vom z. B. nicht mehr als 400 nm auf.
Geeignete Substratmaterialien sind beispielsweise Silizium (S), Siliziumnitrid (Si₃N₄) oder Siliziumcarbid (SiC). Das Mehrfachschichtsystem 460 bzw. 470 besteht abwechselnd aus vergleichsweise hoch- und niedrigbrechenden Schichten (beispielsweise einer Abfolge aus Molybdän (Mo) und Silizium (Si)).
4b zeigt eine alternative Ausgestaltung eines Mehrfachschichtsystems 470, wobei hier die mit dem Bezugszeichen 472 bezeichnete Mehrzahl von Einzelschichten zur Ausbildung des Mehrfachschichtsystems 470 auf einem ebenen Substrat 471 mit variierender (in 4b übertrieben dargestellter) Schichtdicke erfolgt. Das Mehrfachschichtsystems 470 wird aus optisch anisotropen Schichtmaterialien aufgebaut, wobei ausgenutzt wird, dass infolge der Anisotropie und der variablen Schichtdicke wiederum sämtliche Teilstrahlen S₁, S₂ und S₃ unter Berücksichtigung der Apertur des Systems die gleiche Polarisationswirkung bzw. die gleiche Verzögerung erfahren.
4c zeigt ein analog zur Ausführungsform von 4b mit variierendem Dickenprofil ausgebildetes Mehrfachschichtsystem 480 mit einer mit dem Bezugszeichen 482 bezeichnete Mehrzahl von Einzelschichten, welches verkippt zum Strahlengang bzw. zur optischen Achse des Systems auf einem ebenen Substrat 481 angeordnet ist, um unter Berücksichtigung der Apertur des Systems die gewünschte Homogenität der polarisationsbeeinflussenden Wirkung im Winkelspektrum zu erzielen.
5a und 5b zeigen weitere Ausführungsformen zur Realisierung der vorstehend beschriebenen polarisationsoptischen Elemente. Bei diesen Ausführungsformen wird davon ausgegangen, dass auch mit den gekrümmten Lichteintrittsflächen gemäß den Ausführungen aus 4a–c die jeweils gewünschte polarisationsoptische Wirkung nicht über einen hinreichend großen Einfallswinkelbereich erzielt werden kann.
Für diesen Fall ist es vorteilhaft, gemäß 5a eine Mehrzahl von im Beispiel als planparallele Platten ausgebildeten Substraten, von denen in 5a lediglich beispielhaft fünf Substrate 561 bis 565 gezeigt sind, jeweils mit einem Mehrfachschichtsystem zu versehen und an unterschiedlichen Positionen im Strahlengang entsprechend gekippt anzuordnen. Auch die Substrate 561 bis 565 weisen vorzugsweise eine relativ geringe Dicke von z. B. von maximal 400 nm, vorzugsweise von maximal 100 nm, und weiter vorzugsweise von maximal 50 nm, auf.
Während die in 5a gezeigte Anordnung 560 aus der Mehrzahl von Substraten 561 bis 565 zum Einsatz in einer Parallelstrahl-Geometrie jeweils denselben Winkel der einzelnen Substrate 561 bis 565 zur Lichtausbreitungsrichtung aufweist, sind gemäß der in 5b gezeigten Nichtparallelstrahl-Geometrie die einzelnen Substrate 571 bis 575 der Anordnung 570 um unterschiedliche Winkel zur optischen Achse gekippt. In beiden Ausführungsformen von 5a, b wird im Ergebnis wieder unter Berücksichtigung der Apertur des Systems die gewünschte Homogenität der polarisationsbeeinflussenden Wirkung im Winkelspektrum erzielt.
In einer weiteren, in 6 schematisch dargestellten Ausführungsform kann zur Realisierung eines Wellenlängenfilters auch auf einem Substrat 681 eine keilförmige Beschichtung 682 mit einem Material mit von Eins verschiedener Brechzahl (z. B. Molybdän (Mo) oder Ruthenium (Ru)) beispielsweise unter Verwendung verfahrbarer Blenden aufgebracht werden, so dass die letztendlich erzielte Wirkung derjenigen einer Vielzahl einzelner Prismen entspricht und über die Verkippung „durchstimmbar” ist. Hierbei wird die Wellenlängenabhängigkeit der Ablenkwinkel in Prismen aufgrund der Dispersion der Brechzahl ausgenutzt.
Im Weiteren werden unter Bezugnahme auf 7–11 und Tabellen 1–4 Ausführungsbeispiele für Mehrfachschichtsysteme beschrieben, welche zur Verwendung in erfindungsgemäß eingesetzten polarisationsoptischen Komponenten geeignet sind.
Tabelle 1 zeigt zunächst ein zur Realisierung eines Polarisators, z. B. im Polarisationszustandsgenerator 130, 230 oder 330 oder im Polarisationszustandsdetektor 140, 240 oder 340, geeignetes Design eines Mehrfachschichtsystems. In dem Schichtdesign gemäß Tabelle 1 werden ausschließlich Molybdän (Mo) und Silizium (Si) als Schichtmaterialien verwendet. Dieses Schichtdesign ist in Transmission für einen Winkel von 43° in der Nähe des Pseudo-Brewster-Winkels (nahe 45°) optimiert. Bei dem Schichtdesign wurde ausgenutzt, dass s-polarisiertes Licht eine deutlich stärkere Fresnel-Reflexion an den Mo-Si-Grenzflächen zeigt als p-polarisiertes Licht. Das Schichtdesign ist vergleichbar mit demjenigen eines für den entsprechenden Einfallswinkel ausgelegten Spiegels, wobei typische Einzelschichtdicken im Bereich von einem Viertel der Arbeitswellenlänge liegen. Generell ist bei der Ausgestaltung des Schichtdesigns sowohl für den Polarisator als auch für den Wellenlängenfilter darauf zu achten, dass die Gesamtdicke nicht zu groß wird, da anderenfalls der transmittierte Lichtanteil zu gering wird.
Wie aus den in 7a dargestellten Transmissionsverläufen in Abhängigkeit vom Einfallswinkel für s- bzw. p-polarisiertes Licht ersichtlich ist, wird im relevanten Winkelbereich um ca. 43° s-polarisiertes Licht stark reflektiert, während überwiegend p-polarisiertes Licht transmittiert wird.
In 8 ist für das Schichtdesign von Tabelle 1 die Abhängigkeit der Transmission für s- bzw.- p-polarisiertes Licht vom Einfallswinkel für unterschiedliche Wellenlängen (8a) bzw. für unterschiedliche Schichtdicken (8b) gezeigt. Aus 8a ist ersichtlich, dass das Mehrfachschichtsystem jeweils nur in einem eingeschränkten Wellenlängen- und Winkelbereich mit der gewünschten Wirkung geeignet ist, so dass im Falle einer Variation der Wellenlänge über einen größeren Bereich das Mehrfachschichtsystem entsprechend gekippt anzuordnen ist. Des Weiteren zeigt 8b, dass der Einfallswinkel, bei dem das Mehrfachschichtsystem die gewünschte Wirkung zeigt, durch Änderung der Gesamtschichtdicke (wobei sämtliche Einzeldicken um den gleichen Faktor verändert werden) variiert werden kann.
Tabelle 2 bzw. 9a–b zeigen zu dem Ausführungsbeispiel von Tabelle 1 und 7a–b analoge Darstellungen eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Mehrfachschichtsystems, bei welchem zusätzlich zu Molybdän (Mo) und Silizium (Si) außerdem Ruthenium (Ru) als weiteres Schichtmaterial verwendet wird. Die Verwendung von Ruthenium (Ru) als weiteres Schichtmaterial ist hierbei lediglich beispielhaft, und es können auch andere geeignete Materialien mit unterschiedlicher bzw. abweichender Brechzahl n sowie vergleichsweise geringer Dämpfung, wie z. B. Silizium (Si), Kalium (K), Siliziumkarbid (SiC), Yttrium (Y), Zirkon (Zr), Borkarbid (B₄C), Bor (B), Kohlenstoff (C), Siliziumnitrid (Si₃N₄), Bornitrid (BN), Niob (Nb), Molybdänkarbid (MoC), Molybdän (Mo) oder Rhodium (Rh) verwendet werden.
In Tabelle 3 und 10a–b wird ein Ausführungsbeispiel für eine Retarderschicht, z. B. für den Einsatz in dem Polarisationszustandsgenerator 130, 230 oder 330 oder dem Polarisationszustandsdetektor 140, 240 oder 340, beschrieben. Das Schichtsystem ist für einen Einfallswinkel von etwa 55° optimiert, wobei – insoweit analog zum Ausführungsbeispiel von Tabelle 1 – wiederum ausschließlich Molybdän (Mo) und Silizium (Si) als Schichtmaterialien verwendet werden und die Einzelschichtdicken wiederum im Bereich von einem Viertel der Arbeitswellenlänge liegen.
In Tabelle 4 und 11 wird ein Ausführungsbeispiel für ein Schichtdesign gezeigt, welches zur Realisierung eines Wellenlängenfilters bzw. einer „Monochromator-Schicht” in den vorstehend beschriebenen Messanordnungen geeignet ist. Wenngleich in diesem Ausführungsbeispiel Molybdän (Mo), Silizium (Si) und Ruthenium (Ru) als Schichtmaterialien verwendet werden, ist dies nicht unbedingt erforderlich, sondern es kann analog zu den vorstehenden Ausführungsformen auch ein Schichtdesign unter Verwendung von lediglich zwei verschiedenen Schichtmaterialien (z. B. Molybdän und Silizium) realisiert werden.
Die Eigenschaft des Schichtsystems aus Tabelle 4, wonach nur eine bestimmte Wellenlänge des auftreffenden Lichtes transmittiert wird, ist gemäß 11 über den (in der Legende angegebenen) Einfallswinkel „durchstimmbar”, d. h. die zu transmittierende Wellenlänge kann über den Kippwinkel des Substrates vorgegeben bzw. selektiert werden. Insbesondere ist auch ein Betrieb mit nahezu senkrechtem Lichteinfall möglich.
Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z. B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist. Tabelle 1: Schichtdesign zu Fig. 7–8
Tabelle 2: Schichtdesign zu Fig. 9
Tabelle 3: Schichtdesign zu Fig. 10
Tabelle 4: Schichtdesign zu Fig. 11

Claims

Anordnung zur Charakterisierung der Polarisationseigenschaften eines optischen Systems, insbesondere eines optischen Systems einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, mit: • wenigstens einem Polarisationszustandsgenerator (130, 230, 330), welcher einen definierten Polarisationszustand von auf das optische System auftreffender Strahlung einstellt; und • einem Polarisationszustandsdetektor (140, 240, 340), welcher zur Messung des Austritts-Polarisationszustandes von aus dem optischen System austretender Strahlung ausgelegt ist; • wobei das optische System für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 15 nm ausgelegt ist; und • wobei Polarisationszustandsgenerator (130, 230, 330) und/oder Polarisationszustandsdetektor (140, 240, 340) derart ausgelegt sind, dass deren polarisationsoptische Wirkung auf ein auftreffendes Lichtbündel über ein Winkelspektrum dieses Lichtbündels von wenigstens 10° im Wesentlichen konstant ist.
Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Polarisationszustandsgenerator (130, 230, 330) und/oder Polarisationszustandsdetektor (140, 240, 340) derart ausgelegt sind, dass deren polarisationsoptische Wirkung auf ein auftreffendes Lichtbündel über ein Winkelspektrum dieses Lichtbündels von wenigstens 15°, weiter insbesondere wenigstens 20°, und weiter insbesondere über das gesamte Winkelspektrum dieses Lichtbündels im Wesentlichen konstant ist.
Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass Polarisationszustandsgenerator (130, 230, 330) und/oder Polarisationszustandsdetektor (140, 240, 340) wenigstens ein in Transmission betriebenes optisches Element aufweist.
Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Polarisationszustandsgenerator (130, 230, 330) zur pupillenaufgelösten Messung des Austritts-Polarisationszustandes ausgelegt ist.
Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Polarisationszustandsgenerator (130, 230, 330) und/oder der Polarisationszustandsdetektor (140, 240, 340) einen drehbaren. Polarisator (131, 141, 231, 241, 331) aufweist.
Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Polarisationszustandsgenerator (130, 230, 330) und/oder der Polarisationszustandsdetektor (140, 240, 340) einen drehbaren Retarder (132, 142) aufweist.
Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Polarisator (131, 141, 231, 241, 331) und/oder der Retarder (132, 142) wenigstens ein Mehrfachschichtsystem (460, 470, 480) mit einer Mehrzahl von Einzelschichten aufweist.
Anordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Mehrfachschichtsystem (460, 470, 480) eine wenigstens bereichsweise gekrümmte Lichteintrittsfläche aufweist.
Anordnung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Mehrfachschichtsystem (470, 480) eine variierende Dicke aufweist.
Anordnung nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Mehrzahl von Einzelschichten auf einem wenigstens bereichsweise gekrümmten Substrat (461) aufgebracht ist.
Anordnung nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Mehrzahl von Einzelschichten entweder freitragend bzw. substratlos oder auf einem Substrat (461, 471, 481) mit einer Dicke von maximal 400 nm, vorzugsweise von maximal 100 nm, und weiter vorzugsweise von maximal 50 nm, angeordnet ist.
Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Polarisator (131, 141, 231, 241, 331) und/oder der Retarder (132, 142) eine Mehrzahl von Substraten (561–565, 571–575) aufweist, welche jeweils mit einem Mehrfachschichtsystem versehen sind.
Anordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens zwei dieser Substrate (571–575) relativ zueinander verkippt angeordnet sind.
Anordnung nach einem der Ansprüche 5 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass der jeweilige Polarisator (131, 141, 231, 241, 331) einen linearen Ausgangspolarisationsgrad von aus dem Polarisator austretender Strahlung von wenigstens 95%, insbesondere wenigstens 97%, weiter insbesondere wenigstens 99% erzeugt.
Anordnung nach einem der Ansprüche 6 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass der jeweilige Retarder (132, 142) eine Verzögerung für den Retarder durchlaufende Strahlung von Lambda/4 ± 40%, weiter insbesondere Lambda/4 ± 20%, und weiter insbesondere Lambda/4 ± 10%, erzeugt, wobei Lambda die Arbeitswellenlänge des optischen Systems ist.
Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass diese ferner einen Wellenlängenfilter aufweist, welcher dazu ausgelegt ist, aus dem Wellenlängenspektrum einer Lichtquelle in der Anordnung ein vorgegebenes Wellenlängenband herauszufiltern.
Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische System für eine numerische Apertur von wenigstens 0.3, insbesondere wenigstens 0.5, weiter insbesondere wenigstens 0.7 ausgelegt ist.
Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Polarisationszustandsdetektor (140, 240, 340) zur simultanen Messung des Austritts-Polarisationszustandes von aus dem optischen System austretender Strahlung über wenigstens 50% des Winkelspektrums, insbesondere wenigstens 75% des Winkelspektrums, weiter insbesondere 100% des Winkelspektrums dieser Strahlung ausgelegt ist.
Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische System wenigstens einen Spiegel aufweist.
Vorrichtung für die EUV-Lithographie, mit • einem Projektionsobjektiv, welches für den Betrieb im EUV ausgelegt ist; und • einer Anordnung zur Charakterisierung der Polarisationseigenschaften dieses Projektionsobjektivs; • wobei diese Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche ausgestaltet ist.
Verfahren zur Charakterisierung der Polarisationseigenschaften eines optischen Systems, insbesondere eines optischen Systems einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: • Einstellen eines definierten Polarisationszustandes von auf das optische System auftreffender Strahlung mit einem Polarisationszustandsgenerator (130, 230, 330); und • pupillenaufgelöstes Messen des Austritts-Polarisationszustandes von aus dem optischen System austretender Strahlung mit einem Polarisationszustandsdetektor (140, 240, 340); • wobei das optische System für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 15 nm ausgelegt ist; und • wobei Polarisationszustandsgenerator (130, 230, 330) und/oder Polarisationszustandsdetektor (140, 240, 340) wenigstens ein in Transmission betriebenes optisches Element aufweisen.
Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Messung des Austritts-Polarisationszustandes simultan über die gesamte Austrittspupille des optischen Systems erfolgt.