CN102713761A - 用于特征化光学系统的偏振特性的布置及方法 - Google Patents

用于特征化光学系统的偏振特性的布置及方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种用于特征化光学系统(尤其是微光刻投射曝光设备的光学系统)的偏振特性的布置及方法，该布置包含：至少一个偏振态产生器(130、230、330)，其设定入射于光学系统上的辐射的限定的偏振状态；以及偏振态检测器(140、240、340)，其适配于测量从该光学系统发出的辐射的出射偏振状态；其中该光学系统被设计用于小于15nm的工作波长；并且其中该偏振态产生器和/或该偏振态检测器被设计成其对入射光束的偏振光学作用在所述光束的至少10°的角谱上基本固定。

Description

用于特征化光学系统的偏振特性的布置及方法
相关申请案的交叉引用
本申请要求2010年1月28日申请的德国专利申请102010001336.6的优先权。以引用方式将该申请的内容合并于此。
技术领域
本发明涉及特征化光学系统的偏振特性的布置及方法。
背景技术
微光刻技术用于生产诸如集成电路或LCD的微结构化组件。微光刻工艺在具有照明系统及投射物镜的所谓投射曝光设备中执行。在该情况下，利用投射物镜将利用照明系统照明的掩模(=掩模母版)的像投射至涂布有光敏层(光刻胶)且布置在投射物镜的像平面中的基板(例如硅晶片)上，以将掩模结构转印至基板上的光敏涂层上。
已知在尤其具有高数值孔径的高分辨率成像系统(例如上述的微光刻投射曝光设备)中，无法再忽视成像系统对在操作中通过成像系统的辐射的偏振状态的影响。这是由于成像对比度因偏振影响效应(例如诸如透镜或反射镜的光学组件材料的由保持组件导致的应力双折射、介电质层的偏振影响效应等)而改变。
因此希望尽可能可靠地确定此类成像系统(尤其是大孔径的成像系统)的偏振特性，以便一方面得到关于依赖于偏振的成像质量的适当结论，及另一方面能够采取可行的合适方法来操控偏振特性。
US 7 286 245 B2公开了确定光学成像系统对光学辐射偏振状态的影响的方法及设备等，其中在成像系统物平面中提供限定的入射偏振状态，及其中在成像系统的预定光瞳区域内以光瞳分辨关系测量从成像系统发出的辐射的出射偏振状态。成像系统例如可以是设计用于波长范围约248nm或193nm的投射曝光设备的投射物镜。
由于缺少可用的合适透明折射材料，反射镜被用作设计用于EUV范围(也就是说，例如约13nm或约7nm的波长)的投射物镜中的成像过程的光学组件。在该情况下，有关上述特征化偏振特性所引起的问题在于：使用反射光学组件实施如上所述的测量结构将引起许多关于所需结构空间、甚至缺乏耐久性的问题。
发明内容
在了解上述背景后，本发明的目的在于提供特征化光学系统的偏振特性的布置及方法，其即使在EUV工作波长处也允许可靠地特征化偏振特性，且同时具有紧凑的结构。
此目的可通过根据独立权利要求1的特征的布置及根据权利要求21的方法获得。
一种用于特征化光学系统(尤其是微光刻投射曝光设备的光学系统)的偏振特性的布置，包含：
-至少一个偏振态产生器，其设定入射于光学系统上的辐射的限定的偏振状态；及
-偏振态检测器，其适配于测量从光学系统发出的辐射的出射偏振状态；
-其中光学系统被设计用于小于15nm的工作波长；以及
-其中偏振态产生器和/或偏振态检测器被设计成其对入射光束的偏振光学作用在所述光束的至少10°的角谱（angle spectrum）上基本固定。
偏振态产生器和/或偏振态检测器对入射光束的“偏振光学作用”为固定的标准表示偏振态产生器或偏振态检测器在所述角谱上产生相同的偏振状态，其进而可被确定为：对于从偏振态产生器和/或偏振态检测器发出的光，如果所谓的IPS值(＝“优选状态中的强度”)对于入射在偏振态产生器或偏振态检测器中的光是固定的，则IPS值在所述角谱中为固定的。就这点而言，措辞“基本固定”的用意也包含IPS值的波动达10%，尤其达5%。此外，所要的偏振状态未必是线偏振，而是也可以是任何其他偏振状态，例如椭圆或圆偏振。
在根据本发明的布置下，本发明尤其追求设计用于特征化偏振状态的组件、偏振态产生器及偏振态检测器的构思，它们在EUV范围的工作波长下分别以透射方式工作。根据另一方法，偏振态产生器和/或偏振态检测器具有至少一个以透射方式工作的光学元件。以此方式，再一次地，尤其是在工作波长约13.5nm的光学系统中，由于避免了具有相对较复杂光束路径和比较繁复及昂贵致动器的反射偏振光学组件，可实现明显更紧凑的结构。
就此而言，尤其应注意，在根据本发明所包含的EUV范围中，无法再提供DUV波长范围(也就是说，例如约248nm或约193nm的波长)中存在的能够以平行光束几何形状(也就是说，光束的互相平行的光束部分穿过各自组件)操作偏振光学组件的选择，因为适合在DUV范围中使用的透镜系统形式的光学组件现在都不能用于将发散或会聚光束路径转变成平行光束路径。
根据本发明的构造的另一个优点是，以透射方式工作的组件可相对容易地在各个适当位置处并入光束路径中，而不需要为此目的明显变更光束路径。
此外，根据本发明，无论上述发散光束路径或会聚光束路径，均可对光学系统所发出的辐射的出射偏振状态实施同时或并行测量。这意味着“全部立即”测量系统的出射光瞳，也就是说，光束同时以较大孔径角通过各自的偏振光学组件或被在布置末端的探测器元件(例如CCD相机)所探测。这对于出射光瞳的扫描很有利，出射光瞳的扫描在对EUV偏振特性的传统测量操作中很常见，且其中可以省略必须连续地在整个角范围中“偏移”相对较窄的平行光束以执行连续单独测量。除了因同时测量而导致的时间优点外，还提供避免定位问题及漂移误差的优点。
尽管本发明的有利用途是测量投射物镜的偏振特性，但本发明并不限于此。相反，根据本发明特征化其偏振特性的术语“光学系统”也包含任何其他光学系统，尤其还包含例如反射镜的单独光学元件。
在实施例中，偏振态产生器和/或偏振态检测器被设计成其对入射光束的偏振光学作用在该光束的至少15°、尤其是至少20°的角谱上，以及更特别地在所述光束的整个角谱上，为基本固定。
在实施例中，偏振态产生器被适配用于出射偏振状态的光瞳分辨（pupil-resolve）测量。就此而言，实施用于光瞳分辨率的值在光瞳半径上例如可以是至少30像素，尤其是至少40像素，另外尤其是至少50像素。
在实施例中，偏振态产生器和/或偏振态检测器具有可旋转偏振器。此外，偏振态产生器和/或偏振态检测器可具有可旋转延迟器(rotatable retarder)。
在实施例中，偏振器和/或延迟器具有至少一个具有多个单独层的多层系。就此而言，多层系优选地具有为至少按区域（region-wise）弯曲的光入射表面。根据本发明，多层系尤其可由具有变化厚度的多层系实施。在另一实施例中，多个单独层也可配置在为至少按区域弯曲的基板上。
在实施例中，多个单独层以自立（free-standing）或无基板（substrate-less）关系布置，或布置在厚度最大为400nm、优选地最大为100nm、以及进一步优选地最大为50nm的基板上，以实现足够大比例的透射光。要考虑的合适基板材料尤其是具有相对较低透射率的基板材料，例如硅(Si)、石英玻璃(=熔融石英，SiO2)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、聚合物、石英(SiO2)、锆(Zr)、金刚石、铌(Nb)及钼(Mo)。
在实施例中，偏振器和/或延迟器也可具有多个各设有多层系的基板。就此而言，这些基板中的至少两个(尤其这些基板的全部)可布置为相对于彼此倾斜，以提供由分别设有多层系的基板构成的布置，其在角谱中具有偏振影响作用的期望均匀性。
在实施例中，各个偏振器对从偏振器发出的辐射产生的线性出射偏振度至少为95%，尤其至少为97%，另外尤其至少为99%。就此而言，使用措辞“线性出射偏振度”来表示线性偏振光成分的强度与总光强度的比率，此比率适用于从各个偏振器发出的光。
在实施例中，此布置还具有也优选适配于从(测量)布置中的光源的波长频谱滤出预定波长带的波长滤波器。这就以下事实而言很有利：在设计用于EUV的投射曝光设备中，投射物镜的透射频宽相对较大，约13.5±0.3nm，且被用作照明系统的光源的等离子体光源的频宽所超过。
如果测量操作中所用的等离子体光源的频谱及实际光刻过程中所用的等离子体光源的频谱不相同，则涉及在这些相对宽频波长范围上综合的测量不能立即转成投射物镜的实际操作特性。相反地，通过使用波长滤波器(其为充分窄频，例如涉及频宽最多为投射物镜透射频宽的1/20)，可以规定波长分辨测量，以便能够预测投射物镜在相应入射频谱中的偏振特性。
在实施例中，光学系统被设计用于数值孔径至少为0.3，尤其至少为0.5，进一步尤其至少为0.7。在增加孔径的情况下，本发明尤其有利，因为克服出射光瞳中所发生的涉及较大孔径角的问题尤其有用。
本发明还涉及用于EUV微光刻的设备，该设备包含设计用于在EUV中工作的投射物镜；以及用于特征化所述投射物镜的偏振特性的布置，其中该布置设计为类似上述用于特征化光学系统的偏振特性的布置。
此外，本发明涉及特征化光学系统(尤其是微光刻投射曝光设备的光学系统)的偏振特性的方法，其中该方法包含以下步骤：
-利用偏振态产生器设定入射于光学系统上的辐射的限定的偏振状态；及
-利用偏振态检测器测量从光学系统发出的辐射的出射偏振状态；
-其中光学系统被设计用于小于15nm的工作波长；及
-其中偏振态产生器和/或偏振态检测器具有至少一个以透射方式工作的光学元件。
本发明的其他构造参见说明及随附权利要求书。下文将参考附图，以范例方式利用优选实施例更详细地说明本发明。
附图说明
图中：
图1为第一实施例中根据本发明的用于特征化偏振特性的布置的结构的图解视图；
图2-3显示关于图1简化的、本发明的其他实施例的图解视图；
图4a-c显示用于通过示例图示在图1-3中所示的布置中使用的多层系的实施例的图解视图；
图5-6显示用于图示根据本发明的多层系的其他实施例的图解视图；及
图7-11显示用于特征化根据本发明所用的多层系的各种实施例的曲线图。
具体实施方式
图1首先显示使用根据本发明的布置的可行测量结构的图解视图。此布置用于特征化投射物镜120的偏振特性，投射物镜120设计用于在EUV范围中工作，并且其与也设计用于EUV的照明系统110一起形成微光刻投射曝光设备。
使用图1所示的测量结构实施的方法如用于DUV范围的波长(例如约193nm或约248nm)的US 7 286 245 B2中公开的一样。但本申请的主题是在EUV范围(也就是说，低于15nm的波长)中使用该方法，其中考虑在该使用中产生的问题，如以下利用偏振光学组件的合适设计构造所解释的。更准确地，根据本发明的方法的区别特征在于使用关于波长频谱且也关于角谱的宽带偏振光学组件。
就此而言，本发明尤其追求以透射方式使用偏振光学组件（尽管在EUV范围中使用）、且因此避免具有相对较复杂光束路径和比较繁复且昂贵的致动器的反射偏振光学组件的构思。
如图1所示，根据本发明的布置包括在光传播方向中在照明系统110下游的偏振态产生器130，其在光传播方向中连续具有可旋转偏振器131及可旋转延迟器132。以下参考图4-6更详细地说明偏振器131及延迟器132的构造。
偏振器131优选地设计成其产生至少在很好的近似程度上为线性的偏振态，其中可通过可旋转偏振器131改变优选偏振方向。利用偏振器131产生尽可能完全线性偏振的光也将光对确定偏振态的操作的贡献发挥到最大，确定偏振态的操作发生在偏振态检测器140的进一步过程中(而从偏振器131发出的非偏振光成分对根据本发明的测量过程没有贡献)。
延迟器132优选地具有系统的工作波长λ的1/4(也就是说，例如(13.5/4)nm)的有效延迟，在此情况中，偏振态产生器130可以设定任何(包括圆形)偏振态。因此，偏振态产生器130可以在投射物镜120的入射光瞳中设定不同的椭圆偏振态。
在光传播方向中，布置在偏振态产生器130下游的是具有孔径的遮罩150(＝针孔)，其在投射物镜120的(入射)场平面中大致形成点光源。
来自针孔150的光接着通过投射物镜120，其中来自由针孔150形成的点光源的光束部分的角度对应于投射物镜120的光瞳平面(未显示)中的位置坐标，其继而以一角度成像在投射物镜120的出射光瞳中。在出射光瞳上的偏振分布（也就是说，从投射物镜120发出的光的出射偏振态）采用偏振态检测器140以光瞳分辨关系确定。在出射光瞳上，按基本上也为已知的方式，同时进行确定出射偏振态的操作(也就是说，“全部立即”测量系统的出射光瞳)，只要光束也以相对较大的孔径角通过各个偏振光学组件，或者被在布置末端的探测器元件(例如CCD相机)所探测。
为了该目的，偏振态检测器140继而具有：可旋转延迟器141，以及在光传播方向中在可旋转延迟器141下游的偏振器142(优选也为可旋转)以及例如形式为CCD相机的探测器元件143。因此，CCD相机测量投射物镜120的出射光瞳的扭曲投射像。
延迟器141优选地也具有对应于1/4工作波长(=λ/4)的延迟。如此在测量操作中提供最佳信号噪声比，于是取决于延迟器141的旋转位置及投射物镜120的偏振特性，在测量操作期间发生在探测器元件143或CCD相机上的强度变化变为最大值。
现在，图示布置的一个核心特性是：光以不同入射角入射在偏振态检测器140以及偏振态产生器130中的偏振光学组件上，因为，如同本说明书在开头部分中已经解释的，在DUV范围中常见的透镜系统不可用于将发散光束路径转换成平行光束路径。根据本发明，利用关于偏振光学组件的合适设计，解决因光在偏振态产生器130的部分上以及在偏振态检测器140的部分上的倾斜通过所产生的问题，如下文参考图4-6的详细说明。
上述参考图1的测量结构可以确定任何光学系统的偏振特性。以下参考图2及图3，说明用于特征化具有更多特定偏振特性的光学系统的简化测量结构。
图2显示图1中的测量结构的替代的实施例，其中彼此对应的组件或功能基本相同的组件以加上“100”的参考数字表示。
图2中的测量结构与图1的不同之处在于，偏振态产生器230或偏振态检测器240分别各仅有可旋转偏振器231和241，而没有延迟器。比图1的结构简化的这种结构适用于确定投射物镜220的偏振特性，其光瞳琼斯矩阵在很好的近似上具有非常线性偏振的本征偏振。
偏振器231及241可以互相交叉地取向(以产生暗场偏光计)，或互相平行地取向(以产生光场偏光计)，并且彼此同步地绕着投射物镜220的光轴旋转。在此旋转期间，利用探测器元件243或CCD相机测量强度变化，进而由此计算投影物镜的偏振特性，即延迟(也就是说，两个正交偏振状态之间的相位差)及衰减(也就是说，两个正交偏振状态之间的振幅比)。
图3显示另一简化的测量结构，其中再一次地，与图2相似或涉及基本相同功能的组件以加上“100”的参考数字表示。
图3中的测量结构与图2的不同之处在于：只在偏振态产生器330内提供可旋转偏振器331，因此偏振态产生器330中的偏振器331表示图3中测量结构的唯一偏振光学元件。相对比的，偏振态检测器340仅包括具有CCD相机的测量头，其可以记录出射光瞳的强度分布以及出射波前的度量(例如利用干涉测量方法)。
在图3所示布置的操作中，偏振器331绕着投射物镜320的光轴或光传播方向旋转。在该情况下，依赖于偏振器331的旋转位置(也就是说，依赖于线性入射偏振的方向)，确定出射光瞳的强度和波前的结果变化。可以本身已知的方式，从强度变化的振幅及相位确定延迟和衰减(在每个情况中，都关于大小和轴方向)。
现在参考图4a及4b，通过示例描述在图1-3所示的布置中使用的用于体现所使用的偏振光学组件的多层系的实施例。
在这些实施例中，在根据本发明使用的偏振光学元件(偏振器和/或延迟器)中使用的多层系被分别设计为考虑以下事实：对比于工作在DUV范围的波长(例如约193nm或约248nm)处的投射曝光设备，在当前情况中（也就是说，在EUV范围中），没有适于提供仍可接受的结构空间的折射光学元件可用来产生平行于光轴的光束路径。
根据本发明，在关于投射物镜320的入射侧和出射侧处解决此问题，尽管图4a-b的各图显示的是发散光束路径，但在入射光瞳和出射光瞳二者中的角谱中都实现了多层系产生的偏振光学效应的均匀性。
图4a-b所示实施例的共同之处是：在各个情况中，多层系460及470被分别设计成其具有至少按区域弯曲的光入射表面。
如图4a所示，该弯曲光入射表面实施为：在弯曲基板461上施加多个单独层(以参考数字462表示)，使得光束部分S1、S2及S3的每一个，在已经考虑了系统的孔径的情况下，以几乎相同的入射角γ入射在多层系460上。
在多层系中出现入射辐射的多个反射，其中考虑最后透射通过多层系并因此要尽可能大的比例。为了此目的，基板461优选地具有相对较小的厚度，例如不超过400nm。
合适的基板材料例如是硅(Si)、氮化硅(Si3N4)或碳化硅(SiC)。多层系460及470分别交替地包含相对高折射率及低折射率层(例如一连串的钼(Mo)和硅(Si))。
图4b显示多层系的替代构造470，在此情况中，在平坦的基板471上提供具有变化的层厚度(图4b中以夸大比例显示)的产生多层系470的多个单独层(以参考数字472表示)。多层系470由光学各向异性的层材料构成，就此而言，利用以下事实：由于各向异性及可变层厚度，再一次，在已经考虑系统的孔径的情况下，所有光束部分S1、S2及S3经历相同的偏振作用或相同的延迟。
图4c显示与图4b具变化厚度分布的实施例相似的多层系480，其具有多个单独层(以参考数字482表示)，这些单独层以与系统的光束路径或光轴的倾斜关系布置平坦基板481上，以在考虑了系统的孔径的情况下，实现角谱中偏振影响作用的期望均匀性。
图5a及5b显示实施上述偏振光学元件的其他实施例。在这些实施例中，假设根据图4a-c中所示的构造，即使有弯曲的光入射表面，也无法在充分大的入射角范围上实现分别期望的偏振光学作用。
对于此情况，如图5a所示，有利的是：提供具有相应多层系的多个基板，基板在此范例中为平面平板的形式且在图5a中仅举例显示五个基板561至565；以及在光束路径中不同位置处以合适的倾斜关系布置基板。基板561至565也优选地包括相对较小的厚度，例如最大为400nm，优选地最大为100nm及更优选地最大为50nm。
图5a中所示的布置560包含多个基板561至565用于在平行光束几何形状中使用，单独基板561至565相对于光传播方向具有相同的相应角度，而根据图5b中所示的非平行光束几何形状，布置570的单独基板571至575以相对于光轴的不同角度倾斜。因此，在图5a及5b的两个实施例中，在考虑了系统的孔径的情况下，仍然实现角谱中偏振影响作用的期望均匀性。
在图6中图解地显示的用于实施波长滤波器的另一实施例中，例如使用可位移的孔口（orifice）板部件，在基板681上施加折射率不同于1的材料(例如钼(Mo)或钌(Ru))的楔形涂层682，从而最后实现的效应对应于多个单独棱镜的效应并且经由倾斜是“可调的”。在该情况下，利用了棱镜中由于折射率的色散而导致的偏转角的波长相依性。
现在参考图7-11及表1-4，通过示例，说明适用于在根据本发明使用的偏振光学组件中使用的多层系的实施例。
表1首先显示适于例如在偏振态产生器130、230或330中或在偏振态检测器140、240或340中实施偏振器的多层系的设计。表1的层设计仅使用钼(Mo)及硅(Si)作为层材料。在透射方式中针对43°的角度优化此层设计，该角度接近伪布鲁斯特角(接近45°)。关于该层设计，利用了以下事实：s-偏振光在Mo-Si界面呈现明显比p-偏振光大的菲涅耳反射。此层设计与设计用于对应入射角的反射镜的层设计相当，典型单独层厚度为大约四分之一工作波长。一般而言，在针对偏振器以及波长滤波器二者的层设计的构造中，关注以下事实：总厚度不变得太大，否则光的透射比例会变得太小。
如从图7a中所示的、分别依赖于s-偏振光及p-偏振光的入射角的透射特性所见，s-偏振光在约43°附近的相关角度范围中被大幅反射，而p-偏振光主要被透射。
图8针对表1的层设计显示s-偏振光或p-偏振光的透射率分别在不同波长(图8a)及不同层厚度(图8b)中对入射角的依赖性。从图8a可见，多层系在各情况中仅适于在限制的波长及角范围中才具有期望的作用，从而在波长在较大范围中变化的情况中，将以相对倾斜的关系布置多层系。图8b进一步显示可通过改变总层厚度(其中所有单独厚度以相同因子改变)而改变多层系呈现期望作用的入射角。
表2及图9a-9b显示与表1及图7a-7b的实施例类似的多层系的另一实施例的视图，其中，除了钼(Mo)及硅(Si)之外，还使用钌(Ru)作为另一层材料。使用钌(Ru)作为另一层材料在此例中仅是举例，并且也可以采用具有不同或偏离的折射率n以及相对微小衰减的其他合适材料，例如硅(Si)、钾(K)、碳化硅(SiC)、钇(Y)、锆(Zr)、碳化硼(B4C)、硼(B)、碳(C)、氮化硅(Si3N4)、氮化硼(BN)、铌(Nb)、碳化钼(MoC)、钼(Mo)或铑(Rh)。
表3及图10a-b描述例如用于在偏振态产生器130、230或330或偏振态检测器140、240或340中使用的延迟器层的实施例。针对约55°的入射角优化该层系，其中类似于表1中的实施例，再次仅使用钼(Mo)及硅(Si)作为层材料，并且单独层厚度仍然为大约工作波长的四分之一。
表4及图11显示适于实施上述测量布置中的波长滤波器或“单色器层”的层设计的实施例。虽然在此实施例中使用钼(Mo)、硅(Si)及钌(Ru)作为层材料，但这并非决对必要的，而是类似于上述实施例，也可以仅使用两个不同层材料(例如钼及硅)实施层设计。
如图11通过入射角(由图例指定)所示的，表4的层系的、仅透射特定波长的入射光的特性是“可调的”，也就是说，可利用基板的倾斜角，预定或选择要透射的波长。尤其是，也可以利用几乎垂直的光入射进行操作。
尽管已参考特定实施例说明了本发明，但许多变化及替代实施例对本领域的技术人员而言是显而易见的，例如通过组合和/或调换单独实施例的特征。因此，本领域的技术人员应明白，本发明也涵盖此类变化及替代实施例，并且本发明的范围仅受随附权利要求及其等效物的限制。
表1：
图7-8的层设计
表2：
图9的层设计
Figure BDA00001905209700131
表3：
图10的层设计
Figure BDA00001905209700141
表4：
图11的层设计
Figure BDA00001905209700151
Figure BDA00001905209700161
Figure BDA00001905209700171

Claims (22)

1.一种用于特征化光学系统、尤其是微光刻投射曝光设备的光学系统的偏振特性的布置，包含：
至少一个偏振态产生器(130、230、330)，其设定入射于所述光学系统上的辐射的限定的偏振状态；以及
偏振态检测器(140、240、340)，其适配于测量从所述光学系统发出的辐射的出射偏振态；
其中所述光学系统被设计用于小于15nm的工作波长；并且
其中所述偏振态产生器(130、230、330)和/或所述偏振态检测器(140、240、340)被设计成其对入射光束的偏振光学作用在所述光束的至少10°的角谱上基本固定。
2.如权利要求1所述的布置，其特征在于：所述偏振态产生器(130、230、330)和/或所述偏振态检测器(140、240、340)被设计成其对入射光束的偏振光学作用在所述光束的至少15°、尤其是至少20°的角谱上，进一步尤其在所述光束的整个角谱上基本固定。
3.如权利要求1或2所述的布置，其特征在于：所述偏振态产生器(130、230、330)和/或所述偏振态检测器(140、240、340)具有至少一个以透射方式工作的光学元件。
4.如权利要求1至3中任一项所述的布置，其特征在于：所述偏振态产生器(130、230、330)被适配用于所述出射偏振态的光瞳分辨测量。
5.如前述权利要求中任一项所述的布置，其特征在于：所述偏振态产生器(130、230、330)和/或所述偏振态检测器(140、240、340)具有可旋转偏振器(131、141、231、241、331)。
6.如前述权利要求中任一项所述的布置，其特征在于：所述偏振态产生器(130、230、330)和/或所述偏振态检测器(140、240、340)具有可旋转延迟器(132、142)。
7.如前述权利要求中任一项所述的布置，其特征在于：所述偏振器(131、141、231、241、331)和/或所述延迟器(132、142)具有至少一个具有多个单独层的多层系(460、470、480)。
8.如权利要求7所述的布置，其特征在于：所述多层系(460、470、480)具有至少按区域弯曲的光入射表面。
9.如权利要求7或8所述的布置，其特征在于：所述多层系(470、480)具有变化的厚度。
10.如权利要求7至9中任一项所述的布置，其特征在于：所述多个单独层施加于至少按区域弯曲的基板(461)上。
11.如权利要求7至10中任一项所述的布置，其特征在于：以自立或无基板方式布置所述多个单独层，或所述多个单独层布置在厚度最大为400nm、优选地最大为100nm且更优选地最大为50nm的基板(461、471、481)上。
12.如前述权利要求中任一项所述的布置，其特征在于：所述偏振器(131、141、231、241、331)和/或所述延迟器(132、142)具有多个各自设有相应的多层系的基板(561-565、571-575)。
13.如权利要求12所述的布置，其特征在于：所述基板(571-575)中的至少两个布置为相对于彼此倾斜。
14.如权利要求5至13中任一项所述的布置，其特征在于：各个偏振器(131、141、231、241、331)对所述偏振器发出的辐射产生的线性出射偏振度至少为95%，尤其至少为97%，进一步尤其至少为99%。
15.如权利要求6至14中任一项所述的布置，其特征在于：各个延迟器(132、142)对通过所述延迟器的辐射产生的延迟为λ/4±40%，进一步尤其为λ/4±20%，以及进一步尤其为λ/4±10%，其中λ是所述光学系统的工作波长。
16.如前述权利要求中任一项所述的布置，其特征在于：所述布置还具有波长滤波器，该波长滤波器适配于从所述布置中的光源的波长频谱之中滤出预定波长带。
17.如前述权利要求中任一项所述的布置，其特征在于：所述光学系统被设计用于至少为0.3，尤其至少为0.5，进一步尤其至少为0.7的数值孔径。
18.如前述权利要求中任一项所述的布置，其特征在于：所述偏振态检测器(140、240、340)被适配用于在从所述光学系统发出的辐射的至少50%的角谱上，尤其是至少75%的角谱上，进一步尤其是100%的角谱上，同时测量所述辐射的出射偏振态。
19.如前述权利要求中任一项所述的布置，其特征在于：所述光学系统具有至少一个反射镜。
20.一种用于EUV微光刻的设备，包含：
投射物镜，其被适配用于EUV中的操作；以及
用于特征化所述投射物镜的偏振特性的布置；
其中所述布置根据前述权利要求中的任一项来设计。
21.一种特征化光学系统、尤其是微光刻投射曝光设备的光学系统的偏振特性的方法，其中所述方法包含以下步骤：
使用偏振态产生器(130、230、330)设定入射于所述光学系统上的辐射的限定的偏振状态；以及
使用偏振态检测器(140、240、340)，以光瞳分辨关系测量从所述光学系统发出的辐射的出射偏振态；
其中所述光学系统设计用于小于15nm的工作波长；并且
其中所述偏振态产生器(130、230、330)和/或所述偏振态检测器(140、240、340)具有至少一个以透射方式工作的光学元件。
22.如权利要求21所述的方法，其特征在于：在所述光学系统的整个出瞳上同时进行所述出射偏振态的测量。
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