DE102009023163B4

DE102009023163B4 - Stimulationselektrode

Info

Publication number: DE102009023163B4
Application number: DE102009023163A
Authority: DE
Inventors: Heiko Specht; Dr. Krüger Frank; Ulrich Hausch; Dr. Reisinger Andreas
Original assignee: WC Heraus GmbH and Co KG
Current assignee: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG
Priority date: 2009-05-29
Filing date: 2009-05-29
Publication date: 2011-12-08
Anticipated expiration: 2029-05-30
Also published as: US20100305671A1; DE102009023163A1; US8594808B2

Abstract

Stimulationselektrode (10) mit einem elektrisch leitenden Grundkörper (20), wobei der Grundkörper (20) Tantal aufweist, und der Grundkörper (20) zumindest teilweise mit einer mittels Hochspannungspulsen anodisch aufgebrachten porösen Tantaloxidschicht (30) bedeckt ist, dadurch gekennzeichnet, dass eine metallische Schutzschicht (40) die poröse Tantaloxidschicht (30) bedeckt, um eine Wasserstoffversprödung zu verhindern.

Description

Die Erfindung betrifft eine Stimulationselektrode mit einem elektrisch leitenden Grundkörper gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 1, wobei der Grundkörper Tantal aufweist und der Grundkörper zumindest teilweise mit einer mittels Hochspannungspulsen anodisch aufgebrachten porösen Tantaloxidschicht bedeckt ist.
Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Stimulationselektrode gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 8, mit einem elektrisch leitenden, Tantal aufweisenden Grundkörper, auf welchen mittels Hochspannungspulsen zumindest teilweise eine poröse Tantaloxidschicht aufgebracht wird.
In der Offenlegungsschrift WO 2006/104432 A1 ist eine implantierbare Stimulationselektrode beschrieben. Diese Elektrode weist einen Grundkörper aus Niob auf. Mittels eines beschriebenen Hochspannungspulsverfahrens wird auf dem Grundkörper eine poröse Nioboxidschicht aufgebracht. Solcherart ausgestaltete Stimulationselektroden können z. B. zur Stimulation eines Herzens mittels eines Herzschrittmachers oder als Neurostimulationselektrode genutzt werden. Dabei werden elektrische Impulse an das Herz über die Stimulationselektrode transferiert. Als nachteilig hat es sich herausgestellt, dass die poröse Nioboxidschicht innerhalb des menschlichen Körpers stark versprödet. Dadurch können sich Partikel der porösen Nioboxidschicht lösen, was wiederum zu einer Beeinträchtigung der Stimulationselektrode oder, im schlimmsten Fall, zu einer Gefährdung des Patienten führen kann.
In der Offenlegungsschrift US 2007/0265692 A1 ist ebenfalls eine implantierbare Stimulationselektrode beschrieben, die eine poröse Schicht auf einem Grundkörper aufweist. Die Patentschrift DE 69824312 T2 beschreibt einen Tantaldraht, der in einem mehrstufigen Prozess mit einer Schutzschicht versehen wird.
Es ist Aufgabe der Erfindung, die oben genannten Nachteile zu überwinden, insbesondere eine Stimulationselektrode mit guter Biokompatibilität und guten Kontakteigenschaften, bei gleichzeitig geringem Patientenrisiko bereitzustellen.
Diese Aufgabe wird durch eine Stimulationselektrode mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 gelöst. Derüberhinaus wird eine derartige Stimulationselektrode mit dem erfindungsgemäßen Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 8 erzielt. In den abhängigen Ansprüchen sind jeweils bevorzugte Weiterbildungen aufgeführt. Merkmale und Details, die in Zusammenhang mit der Stimulationselektrode offenbart werden, gelten dabei auch im Zusammenhang mit dem erfindungsgemäßen Verfahren und umgekehrt.
Die erfindungsgemäße Stimulationselektrode zeichnet sich dadurch aus, dass eine metallische Schutzschicht die poröse Tantaloxidschicht bedeckt, um eine Wasserstoffversprödung zu verhindern.
Der Kern der Erfindung liegt darin, dass die metallische Schutzschicht ein Eindiffundieren des Wasserstoffs in die poröse Tantaloxidschicht verhindert. Die metallische Schutzschicht versiegelt folglich die poröse Tantaloxidschicht gegen Umgebungseinflüsse. Dadurch wird eine Versprödung der Tantaloxidschicht verhindert, so dass diese flexibel genug bleibt, um ein Abplatzen einzelner Bereiche zu verhindern. Darüberhinaus kann je nach gewähltem Material für die metallische Schutzschicht die Flexibilität der Stimulationselektrode – im Folgenden auch als Elektrode bezeichnet – auch über längere Zeiträume gewahrt bleiben. Weiterhin weist die metallische Schutzschicht den Vorteil auf, dass die Kapazität der Stimulationselektrode gegenüber jener aus dem Stand der Technik bei nahezu gleicher geometrischer Oberfläche erhöht wird, wodurch die Impedanz entsprechend verringert wird. Dieses stellt einen sicheren Kontakt zwischen der Elektrode und einem Organ des Patienten sicher. Auch ist die Gefahr einer Beeinträchtigung der Funktion der Elektrode durch die metallische Schutzschicht verringert. Die erfindungsgemäße Stimulationselektrode kombiniert folglich den positiven Effekt der durch die Hochspannungspulse erzeugten porösen Tantaloxidschicht mit der Sicherheit einer metallischen Schutzschicht. Die große Oberfläche der porösen Tantaloxidschicht ermöglicht ein verbessertes Einwachsen des Implantates in das Gewebe. Dieser Vorteil wird ergänzt durch die metallische Schutzschicht, welche eine Wasserstoffversprödung – im Folgenden auch als Versprödung bezeichnet – der porösen Tantaloxidschicht verhindert.
Der Grundkörper der erfindungsgemäßen Stimulationselektrode weist das Ventilmetall Tantal auf oder besteht aus diesem. Der solcherart ausgestaltete Grundkörper wird mittels Hochspannungspulsen mit einer Tantaloxidschicht versehen. Das dazu genutzte Verfahren wird auch als plasmaelektrolytische Oxidation (PEO) bezeichnet und ist in der WO 2006/10432 A1 für Niob näher beschrieben. In dem offenbarten Verfahren wird auf der Oberfläche des Grundkörpers durch plasmaelektrolytische Oxidation eine poröse Struktur des entsprechenden Metalloxides erzeugt. Als Besonderheit hat sich dabei herausgestellt, dass die poröse Struktur Poren aufweist, welche deutlich großer sind als aus dem bisherigen Stand der Technik bekannt. Im Rahmen der hier offenbarten Erfindung wird anschließend auf diese poröse Struktur eine dünne, fraktale Schicht aus einem inerten Metall als metallische Schutzschicht aufgebracht, wodurch eine weitere Vergrößerung der Oberfläche sowie der elektrischen Leitfähigkeit erreicht werden.
Die Begriffe „Tantal aufweisend” und/oder „die Tantaloxidschicht” sollen verdeutlichen, dass der Grundkörper und/oder die Tantaloxidschicht zumindest teilweise aus Tantal bestehen. Sowohl der Grundkörper als auch die Tantaloxidschicht können auch vollständig aus Tantal bestehen oder einer tantalhaltigen Legierung. In einer besonders bevorzugten Ausführungsvariante weist der Grundkörper und/oder die Tantaloxidschicht eine Tantal-Niob-Wolfram-Legierung (TaNbW-Legierung mit 10 Gew.-% Niob und 7,5 Gew.-% Wolfram) auf oder besteht aus dieser. Die Tantal-Niob-Wolfram-Legierung hat sich als Basismaterial für den Grundkörper und die Tantaloxidschicht als besonders bevorzugt herausgestellt, da diese gegenüber der häufig verwendeten Platin-Iridium-10 Legierung (Ptlr10) eine nahezu doppelt so hohe Zugfestigkeit und eine annähernd doppelt so große spezifische Kapazität aufweist. Dadurch ist eine Reduktion der Verluste bei der Übertragung von Stimulationspulsen möglich.
Als vorteilhaft hat es sich herausgestellt, wenn die Stimulationselektrode eine Tantaloxidschicht aufweist, die eine innere geschlossene erste Oxidschicht und eine äußere poröse zweite Oxidschicht aufweist. Bei dieser Ausführungsvariante ist folglich die Tantaloxidschicht zweiteilig aufgebaut. Zum einen die innere geschlossene erste Oxidschicht, welche sicherstellt, dass der Grundkörper von einer stetigen, nicht unterbrochenen Oxidschicht umschlossen ist. Radial von der Mittelachse des Grundkörpers weg schließt sich an die erste Oxidschicht die zweite Oxidschicht an. Diese zweite Oxidschicht weist die Poren auf, welche für eine Vergrößerung der Oberfläche der Stimulationselektrode vorgesehen sind. Die erste Oxidschicht verhindert, dass die Poren der zweiten Oxidschicht bis auf den Grundkörper reichen und dieser somit partiell ohne eine Oxidschicht ausgestattet ist. Es kann somit keinen direkten Kontakt zwischen der metallischen Schutzschicht und dem Grundkörper im Bereich der Tantaloxidschicht geben.
Als vorteilhaft hat es sich herausgestellt, wenn die metallische Schutzschicht aus einem Mitglied der Gruppe der Platinmetalle besteht. Bei umfangreichen Messungen hat sich herausgestellt, dass es besonders vorteilhaft ist, wenn die metallische Schutzschicht wenigstens eines aus der folgenden Gruppe aufweist: Platin, Iridium oder Iridiumoxid, oder eine Legierung, welche eines der drei genannten Metalle aufweist. Die Nutzung von Platin bietet sich an, da dieses Metall flexibel ist und somit die Flexibilität der erfindungsgemäßen Stimulationselektrode garantiert. Darüberhinaus lässt sich eine metallische Schutzschicht aus Platin gleichmäßig, dünn, aber dauerhaft beständig auf die Tantaloxidschicht aufbringen. Eine metallische Schutzschicht, welche Iridium aufweist, hat sich ebenfalls als vorteilhaft erwiesen, da diese eine besonders gute Biokompatibilität besitzt.
Eine weitere vorteilhafte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Stimulationselektrode zeichnet sich dadurch aus, dass die metallische Schutzschicht eine Schichtdicke zwischen 0,01 μm bis 10 μm, insbesondere zwischen 0,5 μm bis 5 μm, insbesondere zwischen 0,1 μm bis 1 μm aufweist. Im Rahmen von umfangreichen Messungen hat sich herausgestellt, dass die benannten Schichtdicken zum einen eine Wasserstoffversprödung der Tantaloxidschicht wirkungsvoll verhindern. Zum Anderen erhöhen Schutzschichten dieser Dicke die Kapazität der erfindungsgemäßen Stimulationselektrode in einem Grad, der für die Verwendung in der Biomedizin vorteilhaft ist. Insbesondere bei Verwendung einer Tantal-Niob-Wolfram-Legierung (Tantal mit 10 Gew.-% Niob und 7,5 Gew.-% Wolfram) hat sich eine metallische Schichtdicke zwischen 2 μm und 4 μm als vorteilhaft erwiesen. Dabei ist die benötigte Menge des Metalls gering und dennoch wurden die gewünschten Effekte ausreichend erreicht. Im Rahmen von Messungen konnte nachgewiesen werden, dass mit einer metallischen Schutzschicht aus Platin mit einer durchschnittlichen Schichtdicke von 0,5 μm eine simulierte mehrjährige Nutzung in einem menschlichen Körper möglich war, ohne dass eine Wasserstoffversprödung der porösen Tantaloxidschicht auftrat.
Eine weitere vorteilhafte Ausführungsvariante zeichnet sich dadurch aus, dass die poröse Tantaloxidschicht eine Porengröße zwischen 0,5 μm bis 25 μm, insbesondere zwischen 2 μm bis 15 μm, insbesondere zwischen 3 μm bis 10 μm aufweist. Als Porengröße wird dabei die längste Erstreckung innerhalb einer Pore der porösen Tantaloxidschicht bezeichnet. Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn die poröse Tantaloxidschicht eine Schichtdicke zwischen 1 μm bis 20 μm, insbesondere zwischen 2 μm bis 15 μm, insbesondere zwischen 3 μm bis 10 μm aufweist. Die beschriebenen Größen weisen ein gutes Verhältnis zwischen Kontaktfläche zur Gesamtfläche der Elektrode auf.
Durch die Auftragung der metallischen Schutzschicht auf der porösen Tantaloxidschicht wird die Kapazität der Stimulationselektrode gesteigert. Als besonders vorteilhaft hat es sich herausgestellt, wenn die Stimulationselektrode und/oder die poröse Tantaloxidschicht in Verbindung mit der metallischen Schutzschicht eine elektrische Kapazität von wenigstens 5 mF/cm² aufweist. Die Kapazität von wenigstens 5 mF/cm² soll dabei in einer physiologischen Kochsalzlösung (0,9% NaCl in deionisierten Wasser), bei einer Temperatur von 37°C und einer Messfrequenz von 100 mHz erreicht werden. Eine Kapazität, die wenigstens die benannte Größenordnung aufweist, ermöglicht eine zuverlässige Übertragung von Impulsen in das Gewebe des Patienten oder eine zuverlässige Detektion von Impulsen aus dem Gewebe.
Im Rahmen der Erfindung offenbart ist ebenfalls die Verwendung einer metallischen, insbesondere platinhaltigen Schutzschicht zu Bedeckung einer mittels Hochspannungspulsen anodisch aufgebrachten porösen Tantaloxidschicht auf einem tantalhaltigen Grundkörper einer Stimulationselektrode, um eine Wasserstoffversprödung zu verhindern. Details und Merkmale, die dabei in Zusammenhang mit der Stimulationselektrode oder dem Verfahren zur Herstellung der Stimulationselektrode offenbart werden, gelten auch in Zusammenhang mit der Verwendung der metallischen Schutzschicht.
Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung einer Stimulationselektrode mit einem elektrisch leitenden, Tantal aufweisenden Grundkörper, auf welchen mittels Hochspannungspulsen zumindest teilweise eine poröse Tantaloxidschicht aufgebracht wird. Erfindungsgemäß ist hierbei vorgesehen, dass eine metallische Schutzschicht auf die poröse Tantaloxidschicht aufgebracht wird, um eine Wasserstoffversprödung der porösen Tantaloxidschicht zu verhindern. Merkmale und Details, die in Zusammenhang mit der erfindungsgemäßen Stimulationselektrode beschrieben werden, gelten dabei selbstverständlich auch in Zusammenhang mit dem erfindungsgemäßen Verfahren. Ziel des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es, die poröse Tantaloxidschicht mittels der metallischen Schutzschicht zu schützen. Durch die metallische Schutzschicht wird eine Wasserstoffversprödung der porösen Tantaloxidschicht verhindert. Der Wasserstoff aus dem Gewebe kann nicht in die poröse Tanaloxidschicht eindringen und dort für eine Versprödung sorgen. Als vorteilhaft hat es sich dabei herausgestellt, wenn die metallische Schutzschicht mittels wenigstens einem der folgenden Verfahren aufgebraucht wird: Sputtern, Sprühen oder Aufdampfen.
Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen und der nachfolgenden Beschreibung, in der unter Bezugnahme auf die Zeichnungen mehrere Ausführungsbeispiele der Erfindung im einzelnen beschrieben sind. Dabei können die in den Ansprüchen und der Beschreibung erwähnten Merkmale jeweils einzeln für sich oder in beliebiger Kombination erfindungswesentlich sein. Es zeigen:
1 eine schematische Schnittzeichnung durch ein distales Ende einer erfindungsgemäßen Stimulationselektrode mit einer Elektrodenzuleitung,
2 eine weitere schematische Darstellung der erfindungsgemäßen Stimulationselektrode und
3 eine schematische Vergrößerung der Stimulationselektrode im Bereich der Oberfläche.
In 1 ist eine erfindungsgemäße Stimulationselektrode 10 als Teil eines Elektrodensystems dargestellt Die Stimulationselektrode 10 weist ein vorderes Ende 22 auf, welches in der dargestellten Ausführungsvariante pilzartig ausgestaltet ist. Diese Ausgestaltung soll nur als beispielhafte mögliche Form der Stimulationselektrode 10 verstanden werden, da diese auch jegliche andere Form, wie z. B. eine ringförmige, wendelförmige oder flache Ausgestaltung aufweisen kann. An das pilzartig ausgeformte vordere Ende 22 schließt sich ein zylinderartig ausgestaltetes hinteres Ende 23 an. Dieses hintere Ende 23 ist mit einem Draht 55 verbunden. Dieser Draht 55 kann beispielsweise an einen – hier nicht dargestellten – Herzschrittmacher angeschlossen sein. Um den Draht 55 sowie Teile des hinteren Endes 23 der Stimulationselektrode 10 ist ein abdichtender Silikonschlauch 50 übergeschoben. Dieser Silikonschlauch 50 verhindert, dass Umwelteinflüsse auf den Draht 50 bzw. Teile der Stimulationselektrode 10 einwirken und dient der elektrischen Isolierung.
In 2 ist die Stimulationselektrode 10 in Alleinstellung dargestellt. Die Stimulationselektrode 10 weist einen Grundkörper 20 auf. Dieser Grundkörper 20 ist in der dargestellten Ausführungsvariante tantalhaltig. Als besonders bevorzugt hat es sich herausgestellt, wenn der Grundkörper 20 aus einer Tantallegierung besteht, die neben Tantal noch 10 Gew.-% Niob und 7,5 Gew.-% Wolfram aufweist. Auf den Grundkörper 20 ist mittels Hochspannungspulsen eine poröse Tantaloxidschicht 30 aufgebracht Das Verfahren zum Aufbringen der porösen Tantaloxidschicht 30 wird in der Offenlegungsschrift WO 2006/104432 A1 ausführlich beschrieben, so dass auf diese Offenlegungsschrift und deren Merkmale dahingehend Bezug genommen wird.
Bei Untersuchungen hat sich herausgestellt, dass die oben genannte Tantallegierung besonders gleichmäßige Tantaloxidschichten auf der Oberfläche des Grundkörpers bildet. Allerdings ist die poröse Tantaloxidschicht 30 anfällig für eine Wasserstoffversprödung. Um jene zu verhindern, ist erfindungsgemäß vorgesehen, dass die poröse Tantaloxidschicht 30 von einer metallischen Schutzschicht 40 umgeben wird. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel bedeckt die poröse Tantaloxidschicht 30 nicht nur das vordere Ende 22 des Grundkörpers 20, sondern auch Bereiche des zylinderartig ausgestalteten hinteren Endes 23 des Grundkörpers 20. Die poröse Tantaloxidschicht 30 kann, muss aber nicht, den Grundkörper 20 vollständig bedecken. Überdeckt wird die poröse Tantaloxidschicht 30 durch die metallische Schutzschicht 40. Jene weist eine Größe auf, die mindestens jener der porösen Tantaloxidschicht 30 entspricht, so dass an dieser keine Wasserstoffversprödung stattfinden kann. Folglich ist in dem dargestellten Ausführungsbeispiel nicht nur das vordere Ende 23, sonder auch ein größerer Bereich des hinteren Endes 23 des Grundkörpers 20 mit der metallischen Schutzschicht 40 bedeckt.
Wie auch die 1 verdeutlicht, ist die metallische Schutzschicht 40 derart weit auf dem hinteren Ende 23 des Grundkörpers 20 angebracht, dass der Silikonschlauch 50 auch Teile dieser metallischen Schutzschicht 40 bedeckt. Somit ist sichergestellt, dass kein direkter Kontakt zwischen dem Grundkörper 20 und dem umliegenden Gewebe stattfindet.
In 3 ist eine Ausschnittsvergrößerung der Oberfläche der erfindungsgemäßen Stimulationselektrode 10 entlang der Schnittlinie A-A aus 2 dargestellt. Auf einem tantalhaltigen Grundmaterial 21 des Grundkörpers 20 wird durch Hochspannungspulse anodisch eine poröse Tantaloxidschicht 30 aufgebracht. Als vorteilhaft hat es sich dabei herausgestellt, wenn die poröse Tantaloxidschicht 30 eine innere geschlossene erste Oxidschicht 31 und eine äußere poröse zweite Oxidschicht 32 aufweist. Die äußere poröse Oxidschicht 32 weist, wie 3 verdeutlicht, Poren 35 auf, die zum Teil eine Porentiefe 36 aufweisen, die der Dicke der zweiten porösen Oxidschicht 32 entspricht. Um zu verhindern, dass die Poren 35 der zweiten Oxidschicht 32 bis auf das Grundmaterial 21 herunterragen, ist die erste Oxidschicht 31 vorgesehen. Diese bildet einen Schutzfilm über dem Grundmaterial 21 des Grundkörpers 20.
Um eine Wasserstoffversprödung zu verhindern, ist auf die Tantaloxidschicht 30 eine metallische Schutzschicht 40 aufgebracht. Unter dem Begriff „Wasserstoffversprödung” wird im Rahmen dieser Anmeldung die Änderung der Duktilität von Metallen durch das Eindringen und die Einlagerang von Wasserstoff in ihr Metallgitter verstanden. In der Folge der Wasserstoffversprödung kann es zu wasserstoffinduzierter Rissbildung kommen. Um jene zu verhindern, hat es sich als vorteilhaft erwiesen, die metallische Schutzschicht 40 aus einem der Elemente der Platingruppe auf die Stimulationselektrode 10 und/oder die poröse Tantaloxidschicht 30 aufzubringen. Wie dargestellt, ist die Dicke der metallischen Schutzschicht 40 kleiner als die Dicke der porösen Tantaloxidschicht 30. Dadurch wird ein Verstopfen und/oder Füllen der Poren 35 verhindert, ohne dass weiterhin die Gefahr besteht, dass die poröse Tantaloxidschicht 30 vom Wasserstoff des umliegenden Gewebes versprödet wird. Darüberhinaus erhöht die metallische Schutzschicht 40 die elektrische Kapazität der Stimulationselektrode 10. Als vorteilhaft hat es sich herausgestellt, wenn die Stimulationselektrode 10 und/oder die poröse Tantaloxidschicht 30 in Verbindung mit der metallischen Schutzschicht 40 eine elektrische Kapazität von wenigstens 0,5 mF aufweist. Die Kapazität von wenigstens 5 mF/cm² soll dabei in einer physiologischen Kochsalzlösung (0,9% NaCl in deionisiertem Wasser), bei einer Temperatur von 37°C und einer Messfrequenz von 100 mHz erreicht werden.
Bezugszeichenliste

10: Stimulationselektrode
20: Grundkörper
21: Grundmaterial
22: vorderes Ende des Grundkörpers
23: hinteres Ende des Grundkörpers
30: poröse Tantaloxidschicht
31: innere geschlossene erste Oxidschicht
32: äußere poröse zweite Oxidschicht
35: Pore
36: Porengröße; auch Tiefe der Pore
40: metallische Schutzschicht
50: Silikonschlauch
55: Draht

Claims

Stimulationselektrode (10) mit einem elektrisch leitenden Grundkörper (20), wobei der Grundkörper (20) Tantal aufweist, und der Grundkörper (20) zumindest teilweise mit einer mittels Hochspannungspulsen anodisch aufgebrachten porösen Tantaloxidschicht (30) bedeckt ist, dadurch gekennzeichnet, dass eine metallische Schutzschicht (40) die poröse Tantaloxidschicht (30) bedeckt, um eine Wasserstoffversprödung zu verhindern.
Stimulationselektrode (10) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Tantaloxidschicht (30) eine innere geschlossene erste Oxidschicht (31) und eine äußere poröse zweite Oxidschicht (32) aufweist.
Stimulationselektrode (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Schutzschicht (40) wenigstens ein Element aus der folgenden Gruppe aufweist: Platin, Iridium oder Iridiumoxid.
Stimulationselektrode (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Schutzschicht (40) eine Schichtdicke zwischen 0,01 μm bis 10 μm, insbesondere zwischen 0,05 μm bis 5 μm, insbesondere zwischen 0,1 μm bis 1 μm aufweist.
Stimulationselektrode (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die poröse Tantaloxidschicht (30) eine Porengröße (36) zwischen 0,5 μm bis 25 μm, insbesondere zwischen 2 μm bis 15 μm, insbesondere zwischen 3 μm bis 10 μm aufweist.
Stimulationselektrode (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die poröse Tantaloxidschicht (30) eine Schichtdicke zwischen 1 μm bis 20 μm, insbesondere zwischen 2 μm bis 15 μm, insbesondere zwischen 3 μm bis 10 μm aufweist.
Stimulationselektrode (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Stimulationselektrode (10) und/oder die poröse Tantaloxidschicht (30) in Verbindung mit der metallischen Schutzschicht (40) eine elektrische Kapazität von wenigstens 5 mF/cm² aufweist.
Verfahren zur Herstellung einer Stimulationselektrode (10) mit einem elektrisch leitenden, Tantal aufweisenden Grundkörper, auf welchen mittels Hochspannungspulsen zumindest teilweise eine poröse Tantaloxidschicht (30) anodisch aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, dass eine metallische Schutzschicht (40) auf die poröse Tantaloxidschicht (30) aufgebracht wird, um eine Wasserstoffversprödung der porösen Tantaloxidschicht (30) zu verhindern.
Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Schutzschicht (40) mittels wenigstens einem der folgenden Verfahren aufgebracht wird: Sputtern, Sprühen oder Aufdampfen.