DE102009021272A1 - Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls Download PDF

Info

Publication number
DE102009021272A1
DE102009021272A1 DE102009021272A DE102009021272A DE102009021272A1 DE 102009021272 A1 DE102009021272 A1 DE 102009021272A1 DE 102009021272 A DE102009021272 A DE 102009021272A DE 102009021272 A DE102009021272 A DE 102009021272A DE 102009021272 A1 DE102009021272 A1 DE 102009021272A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode layer
back electrode
layer
deposited
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102009021272A
Other languages
English (en)
Inventor
Roland Dr. Weidl
Christian Erbe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ecoran GmbH
Original Assignee
Schott Solar AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Schott Solar AG filed Critical Schott Solar AG
Priority to DE102009021272A priority Critical patent/DE102009021272A1/de
Priority to PCT/EP2010/002931 priority patent/WO2010130437A2/de
Publication of DE102009021272A1 publication Critical patent/DE102009021272A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/10009—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets
    • B32B17/10018—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets comprising only one glass sheet
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/10165—Functional features of the laminated safety glass or glazing
    • B32B17/10174—Coatings of a metallic or dielectric material on a constituent layer of glass or polymer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H01L31/0201—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Bei der Herstellung eines photovoltaischen Moduls mit einer auf der Halbleiterschicht (3) abgeschiedenen Rückelektrodenschicht (4) und an der Rückelektrodenschicht (4) befestigten Kontaktbändern (8) wird auf der Rückelektrodenschicht (5) eine Rückseitenabdeckung (13) mit einer Vernetzungsfolie (14) laminiert. Die Rückelektrodenschicht (4) einschließlich der Kontaktbänder (8) wird vor der Laminierung der Rückseitenabdeckung (13) mit der Vernetzungsfolie (14) mit einer flammenpyrolytisch abgeschiedenen Siliziumoxid-Schicht (12) versehen.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
  • Bei photovoltaischen Modulen beispielsweise auf der Basis von amorphem, mikromorphem oder mikrokristallinem Silizium, aber auch kristallinem Wafer, wird zur Rückflächenverkapselung beispielsweise eine EVA-Folie mit einer Glasscheibe (sogenanntes Glas-Glas-Laminat) oder mit wenigstens einer weiteren Folie (sogenanntes Glas-Folie-Laminat) laminiert. Die Vernetzungsfolie haftet dabei direkt an der Rückelektrodenschicht, an der zuvor die Kontaktbänder z. B. durch Kleben oder Löten befestigt worden sind, laminiert. Dabei wird das Löten dem Kleben vorgezogen, weil es gegenüber dem Kleben nicht nur zu einer stabileren mechanischen und elektrischen Verbindung führt, sondern auch verfahrenstechnisch wesentlich einfacher ist.
  • Die Rückelektrodenschicht kann eine reflektierende Metallschicht z. B. aus Aluminium, Silber, Kupfer und/oder Chrom aufweisen. Als Schutzschicht an ihrer von der Halbleiterschicht abgewandten Rückseite weist die Rückelektrodenschicht zur besseren Lötbarkeit z. B. eine Nickel-Vanadium-Schicht auf, an der das Kontaktband durch Löten befestigt wird.
  • An der Nickel-Vanadium-Schicht weist die Vernetzungsfolie jedoch keine zufriedenstellende Haftung auf, so dass ein Primer verwendet werden muss. Der Einsatz von Primern ist jedoch kostspielig, aufwändig und ökologisch bedenklich, da ein nasschemisches Verfahren mit großen Lösungsmittelmengen durchgeführt werden muss. Außerdem muss der Primer jeweils an die jeweilige Vernetzungsfolie, das Metall an der Rückseite der Rückelektrodenschicht usw. angepasst werden. Bei schnellvernetzenden Folien, beispielsweise der sogenannten „Fastcure”-EVA-Folie führt oftmals selbst ein Primer zu keiner befriedigenden Haftung. Mit der „Fastcure”-Folie kann gegenüber der normal vernetzenden oder „Standardcure”-Folie jedoch die Laminierzeit und/oder die Laminiertemperatur wesentlich herabgesetzt werden.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Verfügung zu stellen, mit dem auch ohne Einsatz eines Primers eine gute Haftung einer schnellvernetzenden Vernetzungsfolie an der Rückelektrodenschicht des photovoltaischen Moduls erreicht wird.
  • Dies wird erfindungsgemäß mit dem in Anspruch 1 gekennzeichneten Verfahren erreicht. In den Unteransprüchen sind vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung wiedergegeben.
  • Erfindungsgemäß werden die Kontaktbänder mit der Rückelektrodenschicht z. B. durch Löten, Schweißen oder Kleben verbunden und dann auf der Rückelektrodenschicht einschließlich der Kontaktbänder flammenpyrolytisch eine Siliziumoxid-Schicht abgeschieden.
  • Die Kontaktbänder sind entlang der serienverschalteten Einzelzellen des Moduls befestigt. Falls das Modul Querverbinder aufweist, die Kontaktbänder gleicher Polarität, also mit einem Plus- oder Minus-Pol miteinander verbinden, wird die Siliziumoxid-Schicht auch darauf abgeschieden.
  • Durch die flammenpyrolytisch abgeschiedene Siliziumoxidschicht wird eine hervorragende Haftung der Vernetzungsfolie an der Rückelektrodenschicht einschließlich den Kontaktbändern, Querverbindern und ggf. weiteren Komponenten zwischen Rückelektrodenschicht und Vernetzungsfolie erreicht, und zwar sowohl mit einer „Standardcure”- wie mit einer „Fastcure”-Vernetzungsfolie.
  • Zugleich ist die Haftung weitgehend unabhängig von dem Material an der Rückseite der Rückelektrodenschicht und der Kontaktbänder sowie dem Material der Querverbinder, einschließlich der verwendeten elektrischen Isolierung gegenüber der Rückelektrodenschicht.
  • Zudem werden durch die Flamme, mit der die Siliziumoxid-Schicht, abgeschieden wird, Materialien verdampft und beseitigt, die für die Haftung langfristig problematisch werden können. Dazu gehören z. B. Reste an Flussmittel, die z. B. zum Löten der Kontaktbänder verwendet werden oder Klebstoffreste z. B. an der Isolierfolie, die zum Isolieren der Querverbinder verwendet wird. Das Flussmittel, Klebestoffreste und dergleichen können mit der Zeit zu Blasenbildung im Laminatverbund führen und so die Langzeitstabilität des gesamten photovoltaischen Modules negativ beeinträchtigen.
  • Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, dass es „in-line”, also in der Solarmodul-Linie durchgeführt werden kann, d. h. bei Atmosphärendruck und ohne zusätzliches Handling.
  • Dazu wird die Siliziumoxid-Schicht auf der Rückelektrodenschicht, einschließlich der Kontaktbänder, ggf. den Querverbindern und weiteren Komponenten mit einem Brenner abgeschieden, der über das Modul hinweg bewegt wird, wobei das Modul und/oder der Brenner bewegt werden kann.
  • Insbesondere wenn das Substrat, auf dem die Funktionsschichten des photovoltaischen Moduls, wie die Halbleiterschicht und die Rückelektrodenschicht abgeschieden sind, aus einer Glasscheibe besteht, ist es vorteilhaft, um eine Wölbung des Moduls durch die einseitige Erwärmung mit dem Brenner beim Beflammen zur Abscheidung der Siliziumoxidschicht auf der Rückelektrodenschicht zu verhindern, auf der der Glasscheibe gegenüberliegenden Seite mit einem weiteren Brenner eine Antireflexschicht z. B. aus Siliziumoxid flammenpyrolytisch abzuscheiden.
  • Die Siliziumoxidschicht kann aus einer organischen Siliziumverbindung hergestellt werden, beispielsweise aus einem Silan oder Siloxan wie Hexamethyldisiloxan. Die organische Siliziumverbindung wird dabei z. B. mit einem Lösungsmittel, beispielsweise einem Alkohol, wie Isopropanol, gemischt und das Gemisch in einem Brenner verbrannt, der z. B. mit einem Propan-Luft-Gemisch betrieben wird. Die Siliziumverbindung kann auch direkt unverdünnt und unvermischt eingebracht werden.
  • Dabei kann das Gemisch oder die reine Verbidung in die Flamme des Brenners eingespeist oder z. B. dem Luftstrom des Brenners zugeführt werden. Auch kann ein Bubbler verwendet werden, also durch die Siliziumverbindung ein Gasstrom geleitet werden, um die so verdampfte Verbindung mit dem Gasstrom der Brennerflamme oder z. B. dem Luftstrom des Brenners zuzuführen.
  • Die Schichtdicke der flammenpyrolytisch abgeschiedenen Siliziumoxidschicht kann in der Größenordnung einiger Atomlagen liegen, also beispielsweise 10 bis 50 nm aber auch bis hin zu einigen 100 nm betragen.
  • Aufgrund der geringen Schichtdicke der Siliziumoxidschicht ist der Verbrauch an organischer Siliziumverbindung äußerst gering. Da zudem das bei der Flammenpyrolyse freigesetzte Siliziumdioxid mit einem Filter leicht abgetrennt werden kann und bei der Verbrennung sonst nur Wasser und Kohlendioxid entsteht, ist das erfindungsgemäße Verfahren auch ausgesprochen umwelfreundlich.
  • Die photovoltaischen Funktionsschichten des Moduls bestehen aus der Frontelektrodenschicht an der dem Licht zugewandten Seite, der Halbleiterschicht und der Rückelektrodenschicht.
  • Die Frontelektrodenschicht besteht vorzugsweise aus einem transparenten elektrisch leitfähigen Metalloxid, beispielsweise dotiertem Zinnoxid oder Zinkoxid. Die Halbleiterschicht kann aus amorphem, mikromorphem oder mikrokristallinem Silizium oder Kombinationen bestehen. Außer Silizium kann sie auch aus einem anderen Halbleiter bestehen, insbesondere I-VI-Verbundhalbleitern wie Cadmium, Tellur oder Kupfer-Indium-Diselenid oder II-V-Halbleitern wie Galliumarsenid.
  • Die Rückelektrodenschicht weist eine Schichtdicke von 100 bis 500 nm auf. Dabei werden die Metallschichten normalerweise durch Sputtern abgeschieden. Die Rückelektrodenschicht kann aus mehreren Teilschichten aus unterschiedlichen Materialien bestehen, beispielsweise einer der Halbleiterschicht zugewandten Reflexionsschicht aus Silber und einer darauf aufgebrachten Kupferschicht als zweite Schicht. Ferner kann die Rückelektrodenschicht auf der der Halbleiterschicht zugewandten Seite zur Verbesserung der Reflektionseigenschaften eine Zwischenschicht aus einem transparenten Metalloxid, insbesondere Zinkoxid, aufweisen. Die von der Halbleiterschicht abgewandte Rückseite der Rückelektrodenschicht kann beispielsweise durch eine Nickel-Vanadium-Schicht gebildet sein.
  • Das photovoltaische Modul kann ein Dünnschichtmodul sein oder eine kristalline Solarzelle basierend auf einem Halbleiter-Wafer.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren ist insbesondere für eine schnellvernetzende oder „Fastcure”-EVA-Folie geeignet, also eine EVA-Folie, die den gleichen Vernetzungsgrad wie eine herkömmliche „Standardcure”-EVA-Folie in kürzerer Prozeßzeit erreichen kann. Die Vernetzungsfolie kann jedoch beispielsweise auch eine PVB-, Polyolefin- oder Silikonfolie sein.
  • Die Rückseitenabdeckung kann z. B. aus Glas und/oder wenigstens einer Kunststofffolie, beispielsweise aus einem Polykondensat, wie Polyethylenterephthalat (PET) oder einem fluorhaltigen Kohlenwasserstoffpolymer, beispielsweise Polyvinylfluorid bestehen, das z. B. unter der Marke „Tedlar” von der Firma Dupont vertrieben wird. Die Rückseitenabdeckung dient als mechanischer Schutz sowie als Schutz gegenüber der Atmosphäre, also vor Wasserdampf, Licht und dergleichen.
  • Wenn das Substrat des Moduls aus einer Glasscheibe besteht, entsteht nach dem Laminieren einer Rückseitenabdeckung aus Glas ein Glas-Glas-Laminat, und dem Laminieren einer oder mehrerer Kunststofffolien als Rückseitenabdeckung ein Glas-Folie-Laminat.
  • Nachstehend ist eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen voltaischen Moduls anhand der Zeichnung beispielhaft näher erläutert. Darin zeigen jeweils schematisch
  • 1 einen Teil eines photovoltaischen Dünnschichtmoduls im Schnitt;
  • 2 den Schichtaufbau der Rückelektrodenschicht nach 1 in vergrößerter Wiedergabe; und
  • 3 eine Draufsicht auf ein Modul mit Querverbindern vor dem Aufbringen der Vernetzungsfolie.
  • Gemäß 1 ist auf einem großflächigen transparenten Substrat 1, beispielsweise einer Glasscheibe, eine Frontelektrodenschicht 2, z. B. aus dotiertem Zinnoxid abgeschieden und auf der Frontelektrodenschicht 2 eine Halbleiterschicht 3, z. B. aus amorphem Silizium. Auf die Siliziumhalbleiterschicht 3 ist eine Rückkontaktschicht 4 aufgetragen.
  • Das Modul besteht aus sich in Längsrichtung erstreckenden streifenförmigen Einzelzellen C1, C2, C3, C4, die serienverschaltet sind. Dazu ist die Frontelektrodenschicht 2 durch die Trennlinien 5, die Silizium-Halbleiterschicht 3, durch die Trennlinien 6 und die Rückelektrodenschicht 4 durch die Trennlinien 7 strukturiert. Die streifenförmigen Einzelzellen C1, C2, C3, C4 verlaufen senkrecht zur Stromflussrichtung. Die Zelle C1 ist zur Stromabnahme ausgebildet. Dazu ist an der Rückelektrodenschicht 4 ein Kontaktbändchen 8 angelötet.
  • Die Rückelektrodenschicht 4 besteht gemäß 2 aus einer der Halbleiterschicht 3 zugewandten Metalloxid-Schicht 9, z. B. aus Zinkoxid, einer darauf aufgebrachten Metallschicht 10, z. B. aus Aluminium, Kupfer, Silber und/oder Chrom, die zugleich die Reflektorschicht bildet und einer Nickel-Vanadium-Schicht 11 als Schutzschicht für die Metallschicht 10. An ihrer von der Halbleiterschicht 3 abgewandten Rückseite der Rückelektrodenschicht, also der Nickel-Vanadium-Schicht 11 und dem angelöteten Kontaktbändchen 8 ist eine Siliziumoxidschicht 12 flammenpyrolytisch abgeschieden.
  • Auf die Rückelektrodenschicht 4 ist eine Rückseitenabdeckung 13 mit einer Schmelzklebe- bzw. Vernetzungsfolie 14 auflaminiert. Die flammenpyrolytisch aufgebrachte Siliziumoxidschicht 12 stellt damit die Haftschicht für die Vernetzungsfolie 14 dar. Die Vernetzungsfolie 14 kann beispielsweise eine EVA-Folie sein und die Rückseitenabdeckung 13 eine Glasscheibe und/oder eine oder mehrere Folien.
  • An der von der Rückelektrodenschicht 4 abgewandten Seite der das Substrat 1 bildenden Glasscheibe ist eine Antireflexschicht 15 aus Siliziumoxid flammenpyrolytisch abgeschieden.
  • Wenn die Halbleiterschicht 3 durch einen kristallinen Halbleiter-Wafer gebildet wird, weist die Rückelektrodenschicht einen entsprechend geänderten Aufbau auf.
  • Gemäß 3 weist das Modul auf der Rückseite Querverbinder 16, 17 auf, die mit den Kontaktbändern 8 verbunden sind, und zwar mit den Kontaktbändern 8 mit dem Pluspol bzw. mit dem Minuspol, und als Stromsammler dienen. Die Querverbinder 16, 17 sind auf einem Isolierband 18, 19 angeordnet, das sich über die Kontaktbänder 8 mit dem entgegengesetzten Pol erstreckt. Ferner sind die Querverbinder 16, 17, an den Stellen, an denen sie z. B. durch Löten mit den Kontaktbändern 8 verbunden sind, auf Pads 21, 22 angeordnet, z. B. aus Polyimid wie Kapton (eingetragene Marke der Firma DuPont). Dabei wird erfindungsgemäß die Beflammung zur pyrolytischen Abscheidung der Silizium-Oxidschicht 12 auf den bereits gelöteten Kontaktbändern 8 und Querverbindern 16, 17 und auf den applizierten Isolierbändern 16, 17 sowie Pads 21, 22 durchgeführt, bevor die Rückseitenabdeckung 13 mit der Vernetzungsfolie 14 auflaminiert wird.

Claims (4)

  1. Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls mit einer auf der Halbleiterschicht (3) abgeschiedenen Rückelektrodenschicht (4) und an der Rückelektrodenschicht (4) befestigten Kontaktbändern (8), bei dem auf der Rückelektrodenschicht (5) eine Rückseitenabdeckung (13) mit einer Vernetzungsfolie (14) laminiert wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Rückelektrodenschicht (4) einschließlich der Kontaktbänder (8) vor der Laminierung der Rückseitenabdeckung (13) mit der Vernetzungsfolie (14) mit einer flammenpyrolytisch abgeschiedenen Siliziumoxid-Schicht (12) versehen wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktbänder (8) an der Rückelektrodenschicht (4) durch Löten befestigt sind und die Siliziumoxidschicht (12) auch auf den angelöteten Kontaktbändern (8) flammenpyrolytisch abgeschieden wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Modul Querverbinder (16, 17) zum Verbinden von Kontaktbändern (8) gleicher Polarität aufweist, wobei die Querverbinder (16, 17) gegenüber der. Rückelektrodenschicht (4) mit einer Kunststofffolie (18, 19, 21, 22) elektrisch isoliert sind und die Siliziumoxidschicht (12) auch auf den Querverbindern (16, 17) und der Kunststofffolie (18, 19, 21, 22) flammenpyrolytisch abgeschieden wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschicht (3) und die Rückelektrodenschicht (4) auf einer Glasscheibe als Substrat (1) abgeschieden sind und mit einem weiteren Brenner auf der von der Halbleiterschicht (3) und der Rückelektrodenschicht (4) abgewandten Seite des Substrats (1) eine Antireflexschicht (15) flammenpyrolytisch abgeschieden wird.
DE102009021272A 2009-05-14 2009-05-14 Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls Withdrawn DE102009021272A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009021272A DE102009021272A1 (de) 2009-05-14 2009-05-14 Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls
PCT/EP2010/002931 WO2010130437A2 (de) 2009-05-14 2010-05-12 Verfahren zur herstellung eines photovoltaischen moduls

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009021272A DE102009021272A1 (de) 2009-05-14 2009-05-14 Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102009021272A1 true DE102009021272A1 (de) 2010-11-18

Family

ID=42979127

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102009021272A Withdrawn DE102009021272A1 (de) 2009-05-14 2009-05-14 Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102009021272A1 (de)
WO (1) WO2010130437A2 (de)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19732217A1 (de) * 1997-07-26 1999-02-11 Zsw Mehrfunktions-Verkapselungsschichtstruktur für photovoltaische Halbleiterbauelemente und Verfahren zu ihrer Herstellung
US20080220152A1 (en) * 2007-03-09 2008-09-11 Guardian Industries Corp. Method of making a photovoltaic device with scratch-resistant coating and resulting product

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1600285A (de) * 1968-03-28 1970-07-20
DD283165A5 (de) * 1989-05-12 1990-10-03 Zi F Oekonomischen Metalleinsa Verfahren zur oberflaechenvorbehandlung von metallen fuer die katodische elektrotauchlackierung
JP2992638B2 (ja) * 1995-06-28 1999-12-20 キヤノン株式会社 光起電力素子の電極構造及び製造方法並びに太陽電池
DE102004053706A1 (de) * 2004-11-03 2006-05-04 Schott Ag Gegenstand mit Barrierebeschichtung und Verfahren zur Herstellung eines solchen Gegenstandes
DE102005035443A1 (de) * 2005-07-28 2006-03-23 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von Verbundmaterialien
DE102006004913B4 (de) * 2006-02-01 2012-05-31 Schott Ag Erzeugnis mit einer die Vereisung verhindernden Beschichtung

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19732217A1 (de) * 1997-07-26 1999-02-11 Zsw Mehrfunktions-Verkapselungsschichtstruktur für photovoltaische Halbleiterbauelemente und Verfahren zu ihrer Herstellung
US20080220152A1 (en) * 2007-03-09 2008-09-11 Guardian Industries Corp. Method of making a photovoltaic device with scratch-resistant coating and resulting product

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010130437A3 (de) 2011-07-14
WO2010130437A2 (de) 2010-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69534582T2 (de) Photovoltaisches Bauelement, Elektrodenstruktur desselben und Herstellungsverfahren
DE69534938T2 (de) Photovoltaisches Bauelement und Herstellungsverfahren
DE69824786T2 (de) Solarzellenmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
DE69405462T2 (de) Beschichtungsmaterial für Solarmodul
CN107148676B (zh) 太阳能电池模组及其制造方法
EP2758993B1 (de) Dünnschichtsolarmodul mit serienverschaltung und verfahren zur serienverschaltung von dünnschichtsolarzellen
DE102009060604A1 (de) Solar-Modul mit einer Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung und Anwendung
EP2855180A1 (de) Dachscheibe mit einem integrierten photovoltaik-modul
DE102009007908A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-Photovoltaik-Systems und Dünnschicht-Photovoltaik-System
DE112010002272T5 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils
EP2751848A1 (de) Dünnschicht-photovoltaik-modul mit hydrophober rückseitenbeschichtung
DE19732217C2 (de) Mehrfunktions-Verkapselungsschichtstruktur für photovoltaische Halbleiterbauelemente und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP2008537643A (ja) たとえばｔｃｏの無機コーティングを有する箔片の製造方法
WO2008150549A1 (en) Durable silver based transparent conductive coatings for solar cells
KR101241514B1 (ko) 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
DE102011008269B4 (de) Dünnschicht-Solarzellen mit diffusionshemmender Schicht
DE102009021272A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines photovoltaischen Moduls
WO2012022312A2 (de) Solarzellenmodul und herstellungsverfahren hierfür
EP2462628B1 (de) Verfahren zur herstellung von solarmodulen
WO2010094425A2 (de) Solarzellenmodul und verfahren zu seiner herstellung
DE102019203696B4 (de) Transparente Mehrschichtanordnung und Herstellungsverfahren
DE102012100184B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterwafer-Solarzelle und eines Solarmoduls
DE202009006941U1 (de) Solarzelle
DE102009039750A1 (de) Photovoltaisches Modul
JPH1056191A (ja) 太陽電池モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20131203