-
Anordnung
zur drahtlosen Informationsübertragung zwischen integrierten
Schaltkreisen und/oder Schaltungsplatinen. Mit der Steigerung der Integrationsdichte
auf integrierten Schaltkreisen stößt die breitbandige
Informationsübertragung zwischen Teilbereichen der integrierten
Schaltungen bzw. von einer integrierten Schaltung auf eine andere integrierte
Schaltung zunehmend auf Schwierigkeiten, da bei der leitergebundenen
Informationsübertragung ein erheblicher Flächenbedarf
entsteht und Probleme aufgrund der Signalüberkopplungen
zwischen den einzelnen Leitern auftreten. Ein Lösungsansatz
zur Überwindung dieser Schwierigkeiten besteht darin, von
einem integrierten Schaltkreis zu einem anderen integrierten Schaltkreis
oder zu einem anderen Teilbereich des gleichen integrierten Schaltkreises
oder zwischen integriertem Schaltkreis und Leiterplatinen bzw. zwischen
zwei Leiterplatinen Information drahtlos zu übertragen.
Bei der drahtlosen Informationsübertragung können
Antennen auf monolithisch integrierte Schaltkreise mitintegriert
werden. Das ist insbesondere bei hohen Trägerfrequenzen
im Millimeterwellenbereich möglich, wo die Antennendimensionen
so klein werden, dass sich auch auf Halbleiterschaltkreisen Antennen
realisieren lassen. Monolithisch integrierte Antennen auf Silizium-Substraten
für Millimeterwellenanwendungen wurden zum Beispiel in
der Druckschrift J40 ”P. Russer, 'Si and SiGe millimeter-wave
integrated circuits,' IEEE Transactions an Microwave Theory and
Techniques, vol. 46 no. 5, May 1998, pp. 590-603” beschrieben.
Problematisch ist dabei, dass integrierte Antennen im Vergleich
zu den elektronischen Schaltungen einen relativ hohen Flächenbedarf
haben. Das ist nachteilig, da die Kosten eines monolithisch integrierten
Halbleiterbauelementes proportional mit dessen Fläche wachsen.
Zur Umgehung dieses Nachteils wird im folgenden erfindungsgemäß vorgeschlagen, die
für die Antennenelemente verwendeten Flächen auf
dem integrierten Schaltkreis auch für die Schaltungen zu
nutzen. Dabei dienen die Antennen als Masseflächen für
die Schaltungen, so dass für die Antennenelemente kein
zusätzlicher Flächenbedarf entsteht. Diese Doppelausnutzung
der Flächenelemente ist dadurch möglich, dass
die einzelnen Bereiche des integrierten Schaltkreises sowohl in
einem sogenannten Antennenmodus als auch in einem sogenannten Schaltungs-
bzw. Übertragungsleitungsmodus angeregt werden können.
Gegenstand der Erfindung sind Antennen- und Schaltungsstrukturen, die
diese unterschiedlichen Anregungen ermöglichen, und zwar
in der Weise, dass die Verkopplung von Antennenmodi und Schaltungsmodi
begrenzt bleibt.
-
1 zeigt
schematisch eine beispielhafte Realisierung einer erfindungsgemäßen
Anordnung. 1a ist die Ansicht von
oben auf einen integrierten Schaltkreis 1 mit vier Metallisierungsflächen 11, 12, 13 und 14 dargestellt. 1b zeigt die Querschnittsansicht, wobei
der integrierte Schaltkreis zuoberst zwei Metallisierungsflächen 11 und 12 aufweist.
Darunter folgt eine Schicht von einer Dicke von 8 bis 10 Mikrometer
aus niederohmigem Silizium-Material mit eingebetteten Halbleiterbauelementen,
z. B. CMOS-Bauelementen und eingebetteten Leitungsstrukturen. Darunter
folgt das hochohmige Silizium-Substrat mit einer Dicke von etwa
500 Mikrometer. Zuunterst folgt eine durchgehende Metallisierungsebene 4.
Eine schematische Darstellung der Schaltungsebene ist in 2 zur
Verdeutlichung angegeben. Dabei sind Verbindungsleitungsstrukturen 21,
die sich in jeweils einer Ebene befinden, Durchkontaktierungsstrukturen 22 und
aktive Bauelemente 23 eingezeichnet. Der innere Aufbau
der Schaltungsschicht 2 entspricht den Mehrlagenstrukturen
in Halbleiterbauelementen, z. B. CMOS-Schaltkreisen, wie sie zum
Beispiel in der Druckschrift ”T. Lee, 'The Design
of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits', 2. Auflage, Cambridge
University Press, Cambridge 2004” beschrieben
werden. Schaltungen und Verbindungsleitungen sind dabei in bekannter
Weise in niederohmiges Silizium mit einem spezifischen Widerstand
von einigen 10 Ohm-cm eingebettet. Das Silizium-Substrat mit einer
Dicke von einigen 100 Mikrometer besteht aus hochohmigem Silizium
mit einem spezifischen Widerstand in der Größenordnung von
1000 Ohm-cm oder darüber. Für die elektronischen
Schaltungen in Schicht 2 dienen die leitenden Flächenelemente 11, 12, 13 und 14 als
Masse. Schichtaufbau und Funktion entsprechen hier vorbekannten
CMOS Schaltungen. Die elektromagnetischen Felder dieser Schaltungen
sind im wesentlichen innerhalb der Schicht 2 konzentriert.
Die erfindungsgemäße Anordnung unterscheidet sich
von vorbekannten Anordnungen dadurch, dass die Masseschicht für
die Schaltungen in Teile 11, 12, 13, 14 segmentiert
ist. Zwei Masseflächen 11 und 12 lassen sich
dabei als Dipolantenne verwenden, indem, wie in 2 dargestellt,
zwischen dem Leiterelementen 11 und 12 mit Hilfe
einer Stromquelle 15 ein Strom eingeprägt wird.
Dabei bilden die Elemente 11 und 12 gemeinsam
eine Dipolantenne. Bei der Anregung der Elemente der Dipolantenne über
die Stromquelle 15 entsteht ein elektromagnetisches Feld,
welches nicht auf die Schicht 2 begrenzt ist, sondern sich
nach unten über die gesamte Tiefe der Schicht 3 ausbreitet und
nach oben in den freien Raum.
-
Erfindungsgemäß wird
vorgeschlagen, auf Schaltungen die Masseflächen zu teilen
und sowohl als Masseflächen für Teilschaltungen
zu verwenden als auch als strahlende Elemente von Antennenstrukturen.
Die einzelnen Masseflächen werden dabei so angesteuert,
dass ein zwischen zwei Masseflächen fließender
Strom diese Massenflächen zur Aussendung von Strahlung
anregt oder aber einfallende Strahlung einen zwischen jeweils zwei
Masseflächen fließenden Strom bzw. eine zwischen
diesen Masseflächen auftretende Spannung hervorruft. Durch
einen hinreichend geringen Abstand der Schaltelemente von den Masseflächen
oberhalb oder unterhalb derer die jeweiligen Schaltelemente angeordnet
sind kommt es zu einer vernachlässigbaren Anregung von
Störsignalen innerhalb der Teilschaltungen durch einfallende
elektromagnetische Wellen. Sind die Schaltungen auf oder unter den
jeweiligen Masseflächen miteinander durch mehrere elektrische
Leiter verbunden, so werden Masseflächen zur Strahlung
angeregt, wenn die Summe aller Ströme zwischen jeweils
zwei Masseflächen ungleich Null ist. Ströme, die
in die Schaltungen oberhalb bzw. unterhalb einer Massefläche
fließen, führen zu keiner Strahlungsanregung,
wenn die Summe der in die Schaltungen unterhalb oder oberhalb der Massefläche
gleich Null ist. Diese Aufteilung der Ströme einer Mehrleiteranordnung
in Leitungsströme, die nicht zu einer Abstrahlung führen,
und Antennenströme, die zu einer Abstrahlung führen,
wird erfindungsgemäß ausgenutzt, um einerseits
die Schaltungen unterhalb bzw. oberhalb der verschiedenen Masseflächen
so miteinander zu verbinden, dass eine Signalübertragung
zwischen den oberhalb bzw. unterhalb der voneinander isolierten
Masseflächen angebrachten Teilschaltungen möglich
ist, ohne dass es zu einer Abstrahlung dieser Signale kommt bzw. ohne
dass einfallende elektromagnetische Felder zu einer unerwünschten
Einkopplung vom Signalen in die Schaltungen führen. Andererseits
können Antennenmoden angeregt werden, welche zu einer elektromagnetischen
Abstrahlung von Signalen über die Masseflächen,
welche nunmehr als Antennenflächen dienen, führen
bzw. es können Signale als Empfangssignale einfallender
elektromagnetischer Strahlung wunschgemäß aus
den Antennenmoden ausgekoppelt werden.
-
3 zeigt
die schematische Darstellung des Grundprinzips der erfindungsgemäßen
Anordnung. Auf zwei Masseflächen 31 und 32 sind
Quellen Q1, ..., QM, QM + 1, ..., QM angeordnet, die über Doppelleitungen
mit Schaltungseingängen E1, ..., EM, EM + 1, ..., EN auf
der gegenüberliegende Massefläche verbunden sind.
Jede Quelle Q1, ..., QM, QM + 1, ..., QN ist mit einem zugeordneten
Schaltungseingang E1, ..., EM, EM + 1, ..., EN auf der anderen Massefläche über
eine Doppelleitung L1, ..., LM, LM + 1, ..., LN verbunden, wobei
die Ströme auf beiden Leitern einer jeden Doppelleitung
jeweils entgegengesetzt gleich groß sind. Das hat zur Folge, dass
keine Strahlung der Masseelemente angeregt wird, obwohl eine Signalübertragung
in beiden Richtungen möglich ist. Zusätzlich wird über
eine Quelle QA ein Antennenmodus angeregt, der zu einer Abstrahlung
von elektromagnetischer Strahlung von den beiden Masseflächen,
welche über die Quelle QA angeregt werden, auftritt. Eine
Verkopplung zwischen den Leitungsmoden auf den Leitungen L1, ..., LM,
LM + 1, ..., LN und dem Antennenmodus, welcher über QA
angeregt wird, tritt nicht auf. Ebenso kann die Anordnung aus den
beiden Masseflächen als Emp fangsantenne ausgenutzt werden,
wenn zwischen den beiden Masseelektroden ein Empfangssignal abgegriffen
wird, wobei ein Empfangssignal ebenfalls nicht auf die Signalleitungen
L1, ..., LM, LM + 1, ..., LN überkoppelt, da diese Leitungen
symmetrisch sind und jedes Antennensignal beide Leiter der jeweiligen
Doppelleitungen in gleicher Weise beeinflusst und somit kein Differenzsignal
hervorruft.
-
4 zeigt
eine mögliche Realisierung der Anordnung nach 3,
wobei als Quellen Q1, ..., QM, QM + 1, ..., QN die symmetrischen
Ausgänge von analogen Verstärkerschaltungen T1,
..., TM, TM + 1, ..., TN verwendet werden und als Eingänge,
die symmetrischen Eingänge analoger Verstärkerschaltungen
R1, ..., RM, RM + 1, ..., RN verwendet werden. Die Ansteuerung im
Antennenmodus erfolgt in diesem Beispiel über die symmetrischen
Ausgänge eines analogen Verstärkers A1 dessen
beide Ausgänge mit den beiden Masseflächen verbunden
sind. Da hier nur ein Ausgang zur anderen Massefläche geführt
wird, hat das einen Nettostromfluß zwischen beiden Masseflächen
zur Folge, welcher zu einer Anregung der beiden Masseflächen
im Antennenmodus führt. Alternativ dazu kann, wie in 5 dargestellt, zur
Ansteuerung der Antenne ein Verstärker mit nur einem Ausgang
verwendet werden. Der Verstärker liegt mit seiner Masse
an der Massefläche auf der er angeordnet ist. Das Ausgangssignal
des Verstärkers wird zur anderen Massefläche geführt.
Auf diese Weise wird zwischen beiden Masseflächen ein Antennensignal
eingeprägt.
-
Das
hier vorgestellte Prinzip kann in vielfältiger Weise modifiziert
werden ohne dass das an dem erfindungsgemäßen
Vorschlag etwas ändert. Es ist zum Beispiel nicht nötig,
dass für jede Signalverbindung eine eigene Doppelleitung
verwendet wird, wie in 3, 4 und 5 dargestellt.
Es ist auch möglich, allen Signalleitungen eine gemeinsame Masse
zuzuordnen, wie in 6 dargestellt. Hierbei haben
die Leiter 1 bis N eine gemeinsame Masse, so dass für N
Signalverbindungen nur N + 1 Leiter erforderlich sind. Werden diese
N + 1 Leiter so angeregt, dass die Summe aller darin fließenden
Ströme gleich Null ist, so erfolgt keine Abstrahlung. Zusätzlich
wird ein Antennenmodus angeregt, in dem, wie in 3 bis 5 beschrieben,
zwischen beiden Masseflächen ein Antennenstrom eingeprägt
wird. Das kann über einen zusätzlichen Leiter
erfolgen, es besteht jedoch auch die Möglichkeit, die Verbindungsleitung mit
einem Summenstrom zu beaufschlagen. Das kann durch eine geeignete
Ansteuerung erfolgen. Dieser Summenstrom führt zu einer
elektromagnetischen Abstrahlung.
-
Beschreibung der Abbildungen
-
1 Schematische
Darstellung des integrierten Schaltkreises: a) Ansicht von oben,
b) Querschnitt.
-
2 Schematische
Darstellung des integrierten Schaltkreises.
-
3 Signal-
und Antennenleitungen im integrierten Schaltkreis.
-
4 Signal-
und Antennenleitungen im integrierten Schaltkreis.
-
5 Signal-
und Antennenleitungen im integrierten Schaltkreis.
-
6 Signal-
und Antennenleitungen im integrierten Schaltkreis.
-
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
-
Diese Liste
der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert
erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information
des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen
Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt
keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
-
Zitierte Nicht-Patentliteratur
-
- - P. Russer,
'Si and SiGe millimeter-wave integrated circuits,' IEEE Transactions
an Microwave Theory and Techniques, vol. 46 no. 5, May 1998, pp.
590-603 [0001]
- - T. Lee, 'The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits',
2. Auflage, Cambridge University Press, Cambridge 2004 [0002]