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Die
Erfindung betrifft einen Röntgenstrahlungsdetektor zur
Detektion von ionisierender Strahlung, insbesondere zur Verwendung
in einem CT-System, mit einer Vielzahl von Detektorelementen, je
Detektorelement aufweisend einen als Detektormaterial verwendeten
Halbleiter mit einer der Strahlung zugewandten Oberseite und einer
der Strahlung abgewandten Unterseite, mindestens zwei Elektroden,
wobei eine Elektrode durch eine Metallisierungsschicht auf der Oberseite
des Halbleiters gebildet wird, und die Summe aller Detektorelemente eine
Grundfläche bildet, die an jeder Stelle eine Grundflächennormale
aufweist.
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Bisher
werden für die Detektion von Gamma- und Röntgenstrahlung,
insbesondere in CT- und Dual-Energy-CT-Systemen, Szintillationsdetektoren verwendet.
In diesen Detektoren wird die einfallende Strahlung indirekt über
die Anregung von Elektronen und die Umwandlung in Photonen nachgewiesen. Des
Weiteren sind direktkonvertierende Detektoren basierend auf halbleitenden
Materialien, wie zum Beispiel CdTe, CdTeSe, CdZnTe, CdZnTeSe bekannt.
Diese direktkonvertierenden Detektoren können einzelne
Photoneu zählen und so die Strahlung direkt nachweisen.
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Während
einige der erwähnten halbleitenden Materialien bereits
seit langem erfolgreich zur Röntgenstrahlungsdetektion
eingesetzt werden, ist die Einführung dieser Materialien
in Hochflussanwendungen noch nicht gelungen. Hochflussanwendungen
mit einem Photonenfluss von mehr als 1·108 Photonen/cm2·s, wie sie beispielsweise in CT-Systemen
auftreten, sind damit noch nicht realisierbar, da hier besonders
viele Ladungsträger sehr schnell getrennt und den Elektroden
zur Detektion zugeführt werden müssen. Für
die negativen Elektro nen ist dies unproblematisch, allerdings bilden
die weniger beweglichen positiven Löcher eine Raumladungszone
aus, die das elektrische Feld im Inneren des Halbleitermaterials
negativ beeinflusst, also abschwächt. Die Raumladungszone
folgt im wesentlichen dem Absorptionsprofil der Röntgenstrahlung.
Sie ist daher auf der der einfallenden Strahlung zugewandten Seite
des Halbleiterdetektors am stärksten. Je nach der Größe
der Raumladungszone, kann es an dieser Stelle zu einem völligen
Einbruch des elektrischen Feldes kommen. Dabei gilt, je stärker
die Raumladungszone ist, umso wahrscheinlicher ist der Einbruch
des elektrischen Feldes. Um eine gleichmäßige
Detektorantwort unabhängig vom Photonenfluss zu gewährleisten,
sollte demnach die Bildung der Raumladungszone vermieden oder möglichst
stark eingeschränkt werden.
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Erste
Ansätze zur Reduktion der Raumladungszone in halbleitenden
Detektoren sind bereits bekannt. Diese bestehen darin, den gesamten
Detektor gegenüber der einfallenden Röntgenstrahlung schräg
zu stellen. In einem Artikel von P. M. Shikhaliev in Phys.
Med. Biol. 51 (2006) wird die Verwendung von halbleitenden
Detektoren in einem CT-System beschrieben, wobei diese Detektoren
schräg zu der einfallenden Röntgenstrahlung ausgerichtet
sind. Dies erlaubt den Einsatz von dünnen Halbleiterkristallen
bei gleich bleibend hoher Photonenabsorption. Dabei tritt ein deutlicher
Rückgang der Polarisation und eine Zunahme der Photonenzählrate
auf.
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Unter
Polarisation versteht man die Reduktion des elektrischen Feldes
durch an in der Regel tiefe Störstellen gebundene, ortsfeste
Ladungen, welche dann die durch Strahlung erzeugten Ladungsträger
einfangen können, das heißt mit ihnen rekombinieren,
und somit eine deutlich geringere Intensität der Strahlung
suggerieren.
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Durch
die eingefangenen Ladungsträger wird die effektive Beweglichkeit
der Ladungsträger erheblich reduziert. Ein Strahlungsdetektor
muss jedoch eine hohe Ladungsträgerbeweglich keit aufweisen,
damit die während der Bestrahlung entstandenen Elektronen
und Löcher getrennt werden können, um so die Bildung
einer Raumladung im Detektor und den dadurch hervorgerufenen Effekt
der Polarisation zu vermeiden. Die Polarisation begrenzt demnach den
maximal detektierbaren Fluss eines direktkonvertierenden Detektors.
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Des
Weiteren erlaubt ein verkippter Detektor eine höhere Orts-
und Energieauflösung, sowie kürzere Ladungsträgersammlungszeiten,
die Hochflussanwendungen in der Computertomographie ermöglichen.
Allerdings lässt sich durch eine einfache Schrägstellung
des Detektors kein einheitlicher Winkel der Oberfläche
zur einfallenden Strahlung realisieren, da diese in den Randbereichen
aufgrund von Strahlaufweitungseffekten unter einem anderen Winkel
auf die Oberfläche trifft. Weiterhin lässt sich
dieses Konzept der schräg gestellten Detektoren nicht auf
Detektoren für mehrzeilige CT-Systeme übertragen.
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Es
ist daher Aufgabe der Erfindung eine Weiterverbesserung eines schräg
zur einfallenden Strahlung ausgerichteten halbleitenden Röntgenstrahlungsdetektors
zu finden, so dass die Bildung einer Raumladungszone im Inneren
des Halbleiters vermieden wird und dieser Röntgenstrahlungsdetektor sinnvoll
für Hochflussanwendungen, beispielsweise in CT-Systemen
und auch mehrzeiligen CT-Systemen, eingesetzt werden kann.
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Diese
Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Patentansprüche
gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind
Gegenstand untergeordneter Ansprüche.
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Die
Erfinder haben erkannt, dass durch eine geeignete Oberflächenstruktur
des zur Detektion verwendeten Halbleiters eine bessere und gleichmäßigere
Verteilung der Ladungsträger erreicht werden kann, die
zu einer Reduktion der Raumladungszone führt. Die Oberflächenstruktur
des Halbleiters sollte derart ausgebildet sein, dass die zugehörige
Oberflächennor male an allen Stellen relativ zur Richtung
des Röntgenflusses geneigt ist. Dabei wird die Oberfläche
wie bei einem herkömmlichen Detektor metallisiert, um sie
leitfähig zu machen.
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Stellt
man sich die Röntgenstrahlung als einzelne, Idealerweise
parallele Strahlen vor, die in einem bestimmten gleichmäßigen
Abstand auf die Oberfläche des Halbleiters treffen, so
ist dieser Abstand umso größer, je stärker
die Oberfläche des Halbleiters relativ zu den einfallenden
Strahlen verkippt ist. Dadurch haben die Ladungsträger,
die von den jeweiligen einfallenden Strahlen erzeugt werden, ein
größeres Volumen im Halbleiter zur Verfügung bevor
sie auf die von den benachbarten einfallenden Strahlen erzeugten
Ladungsträger treffen und so Bereiche mit höherer
Ladungsträgerkonzentration entstehen. Damit kann durch
die geringere Ladungsträgerkonzentration an der Oberfläche
des Halbleiters die Raumladungszone klein gehalten und so die Polarisation
des Detektors vermieden werden, so dass es nicht zur Abschwächung
des elektrischen Feldes im Inneren des Halbleiters kommt. Dadurch
ist der Einsatz von direktkonvertierenden Halbleiterdetektoren in
Hochflussanwendungen, zum Beispiel in einem CT-System, möglich
und durch die in sich strukturierte Oberfläche des Halbleiters
können derartige Detektoren auch in mehrzeiligen CT-Systemen
verwendet werden.
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Die
Erfindung betrifft also einen Röntgenstrahlungsdetektor,
wobei die Oberfläche des zur Detektion verwendeten Halbleitermaterial
eine Strukturierung aufweist und somit relativ zur einfallenden Strahlung
verkippt ist. Dadurch kann eine gleichmäßigere
Verteilung der erzeugten Ladungsträger erreicht werden
und als Folge dessen eine Verringerung der Raumladungszone, so dass
das elektrische Feld im Halbleiter erhalten bleibt.
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Entsprechend
diesem Grundgedanken schlagen die Erfinder einen Röntgenstrahlungsdetektor
zur Detektion von ionisierender Strahlung, insbesondere zur Verwendung
in einem CT-System, vor, mit einer Vielzahl von Detektorelementen
und je Detektorelement aufweisend:
- – einen
als Detektormaterial verwendeten Halbleiter mit einer der Strahlung
zugewandten Oberseite und einer der Strahlung abgewandten Unterseite
- – mindestens zwei Elektroden, wobei
- – eine Elektrode durch eine Metallisierungsschicht auf
der Oberseite des Halbleiters gebildet wird
- – und die Summe aller Detektorelemente eine Grundfläche
bildet, die an jeder Stelle eine Grundflächennormale aufweist.
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Erfindungsgemäß liegt
die Verbesserung darin, dass die Oberseite des Halbleiters eine
Oberflächenstruktur mit einer Oberflächennormalen
an jeder Stelle aufweist, wobei die Oberflächennormale
mit der Grundflächennormalen zumindest teilweise einen
Winkel ausbildet.
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Um
einen möglichst großen Effekt zu erreichen, also
um die Raumladungszone möglichst stark zu verringern, wenn
nicht gar komplett zu vermeiden, sollte der Winkel zwischen der
Grundflächennormalen und Oberflächennormalen mindestens
45° betragen. Noch vorteilhafter sind Werte über
60°, da hier der Abstand zwischen den Auftreffpunkten der
Röntgenstrahlen auf der Oberfläche des Halbleiters
noch größer ist als bei einem Winkel von 45° und
die Ladungsträger mehr Volumen im Kristall zur Verfügung haben,
um sich ungehindert auszubreiten.
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Die
Strukturierung der Oberseite des Halbleiters relativ zur Strahlung
kann durch mehrere Varianten erreicht werden. Zum Beispiel eignet
sich dazu ein Zickzackprofil oder ein Wellenprofil mit jeweils mindestens
einer Spitze oder Erhebung oder eine Kombination aus einem Zickzack-
und einem Wellenprofil. Bei dem Zickzackprofil trifft die Röntgenstrahlung
zwischen den Kanten stets unter einem Winkel von 45°, vorzugsweise
60°, auf den Halbleiter. Nur an den Spitzen gibt es kleinste
Bereiche in denen die Strahlung senkrecht auf den Halbleiter trifft.
Das gleiche gilt bei einem Wellenprofil, nur das hier die ebenen
Bereiche auf den Erhebungen, an denen die Strahlung rechtwinklig
auftrifft, wesentlich größer sind, so dass das
Zickzackprofil zu bevorzugen ist.
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Weiterhin
ist auch eine Ausführungsvariante möglich, bei
der die der Strahlung abgewandten Unterseite des Halbleiters stets
parallel zu der strukturierten Oberseite verläuft, also
beispielsweise ebenfalls zickzackförmig. In der Praxis
erschwert dies jedoch die Kontaktierung des Halbleiters mit der
Ausleselektronik, die in der Regel über Lot- oder Klebverbindungen
realisiert wird. Dazu wird zumindest eine Passivierungs- und oder
Benetzungsschicht auf der Unterseite des Halbleiterdetektors abgeschieden. Soll
diese, z. B. mittels Lithographie, auf eine strukturierte Oberfläche
aufgebracht werden, ist dies technisch sehr anspruchsvoll.
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Da
die Feldlinien eines elektrischen Feldes stets rechtwinklig auf
eine Oberfläche stehen, werden auch die Ladungsträger
rechtwinklig zur Oberfläche abgeführt. Lediglich
in den Erhebungen der Strukturierung kommt es aufgrund des Feldverlaufes zu
einer unerwünschten Verdichtung der Feldlinien und damit
der Ladung. Dies kann vermieden werden, wenn die in CT-Systemen
eingesetzten Kollimatoren direkt über den Spitzen der Oberflächenstruktur
positioniert werden, also zum Beispiel direkt über den Spitzen
des Zickzackprofils. Dadurch werden in diesen kritischen Bereichen
kaum noch Ladungsträger generiert, die dann für
die Bildung des elektrischen Feldes vernachlässigbar sind.
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Um
in einem halbleitenden Detektormaterial höhere Feldstärken
bei einem insgesamt homogeneren elektrischen Feld zu erreichen,
kann an jedem Detektorelement mindestens eine Elektrode seitlich angebracht
werden, so dass diese zumindest teilweise zur Grundflächennormale
ausgerichtet ist. In diesem Fall kann es weiterhin vorteilhaft sein,
wenn zwischen den einzelnen Detektorelementen jeweils eine Passivierungsschicht
aus einem nicht leitenden Material angebracht ist. Dadurch lassen
sich höhere Auflösungen des Detektors erreichen.
Derartig positionierte Elektroden können zum Beispiel mit
Hilfe von Ätzschritten oder durch Bedampfen auf den Halbleiter
aufgebracht werden.
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Der
Hauptvorteil, der sich aus einer derartigen Strukturierung der Oberseite
eines Halbleiters in einem direktkonvertierenden Detektor ergibt,
ist seine Eignung für Hochflussanwendungen, das heißt zum
Beispiel in einzeiligen oder mehrzeiligen CT-Systemen. Als Halbleiter
können hierbei die bereits bekannten Verbindungen wie CdTe,
CdTeSe, CdZnSe und CdZnTeSe verwendet werden.
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Ein
weiterer Vorteil ist die Verwendung der Strukturierung unabhängig
vom Kristallzuchtverfahren des Halbleiters, da das Einbringen der
Struktur in die Oberfläche des Halbleiters erst am fertigen
Kristall erfolgt. Es können daher alle gängigen
Kristallzuchtverfahren zur Herstellung des Halbleiterdetektors verwendet
werden, beispielsweise Physical Vapour Transport (PVT), Travelling
Heat Method (THM), vertikale Bridgeman-Methoden (VBM), Metallorganische
Gasphasenepitaxie/-abscheidung (MOVPE), diverse Methoden der Gasphasenepitaxie/-abscheidung
(VPE), Molekularstrahlepitaxie (MBE), Atomic Layer Epitaxy (ALE).
Weiterhin kann die eingebrachte Struktur an der Oberfläche
des Halbleiters visuell überprüft werden.
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Zum
Rahmen der Erfindung zählt auch ein CT-System zur Erstellung
tomographischer Aufnahmen eines Untersuchungsobjektes, in welchem
ein Röntgenstrahlungsdetektor mit einer Vielzahl von Detektorelementen
verwendet werden kann, wobei die Detektorelemente vorteilhafterweise über
die erfindungsgemäß strukturierte Oberfläche
verfügen.
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Im
Folgenden wird die Erfindung anhand der bevorzugten Beispiele mit
Hilfe der Figuren näher beschrieben, wobei darauf hingewiesen
wird, dass nur die für das unmittelbare Verständnis
der Erfindung wesentlichen Elemente gezeigt sind. Hierbei werden folgende
Bezugszeichen verwendet: 1: Halbleiter; 2: Ladungsträgerwolke; 3:
Elektroden; 4: Röntgenstrahlung; 5: Kollimator; 6:
Passivierung; 7: elektrische Feldlinien; 8: Metallisierungsschicht; 9:
Detektorelement; a: Abstand der Röntgenstrahlen bei nicht
verkippter Oberfläche; c: Abstand der Röntgenstrahlen bei
verkippter Oberfläche; g: Grundfläche; ng: Grundflächennormale; no: Oberflächennormale; r: Radius; α:
Winkel.
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Es
zeigen im Einzelnen:
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1:
Halbleiter mit senkrecht einfallender Röntgenstrahlung;
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2:
Halbleiter mit schräg einfallender Röntgenstrahlung;
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3:
Unstrukturierte Oberfläche eines Halbleiters in einem herkömmlichen
Detektor;
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4:
Strukturierte Oberfläche eines Halbleiters in einem erfindungsgemäßen
Detektor;
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5:
Strukturierte Oberfläche eines Halbleiters in einem erfindungsgemäßen
Detektor mit Kollimatoren;
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6:
Strukturierte Oberfläche eines Halbleiters in einem erfindungsgemäßen
Detektor mit randseitigen Elektroden.
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Die 1 zeigt
einen Halbleiter 1, auf dessen Oberfläche senkrecht
Röntgenstrahlung 4 einfällt. Die einzelnen
Strahlen der Röntgenstrahlung 4 verlaufen näherungsweise
parallel und treffen mit einem Abstand a zueinander auf der Oberfläche
des Halbleiters 1 auf. Anschließend regen sie
unterhalb der Oberfläche Ladungsträger an, die
jeweils vereinfacht dargestellt eine Ladungsträgerwolke 2 mit
einem Radius r bilden. Hierbei ist der Radius r größer als
der halbe Abstand a zwischen den Röntgenstrahlen. Dadurch
entstehen Bereiche mit erhöhter Ladungsträgerkonzentration,
da sich benachbarte Ladungsträgerwolken 2 überschneiden.
In diesen Bereichen bildet sich eine Raumladungszone, die aufgrund
der darauf folgenden Polarisation des Halbleiters 1 zu
einer Schwächung des elektrischen Feldes im Inneren des
Halbleiters 1 führt und den Abtransport der durch
die Röntgenstrahlung 4 erzeugten Ladungsträger
in Richtung von hier nicht dargestellten Elektroden verhindert.
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Eine
gleichmäßigere Verteilung der durch die Röntgenstrahlung 4 generierten
Ladungsträger erreicht man, wenn die Oberfläche
des Halbleiters 1 relativ zur einfallenden Röntgenstrahlung 4 um
einen Winkel α verkippt ist. Dies zeigt die 2.
In dieser Darstellung besteht zwischen den einzelnen Strahlen jeweils
der selbe Abstand a wie in der 1. Allerdings
treffen die Strahlen, aufgrund der Neigung der Oberfläche
des Halbleiters 1, mit einem größeren
Abstand c auf den Halbleiter 1 auf. Dies bewirkt eine gleichmäßigere
Verteilung der erzeugten Ladungsträgerwolken 2 ohne
Bereiche mit sehr hohen Ladungsträgerkonzentrationen, da
diese sich nicht überschneiden. Somit kann die Bildung
einer Raumladungszone vermieden werden und das elektrische Feld
im Halbleiter 1 bleibt erhalten.
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Die 3 zeigt
einen Ausschnitt eines herkömmlichen direktkonvertierenden
Detektors mit einer nicht strukturierten Oberfläche eines
Halbleiters 1 mit drei Detektorelementen 9. Die
Oberfläche des Halbleiters 1 bildet eine Grundfläche
g mit einer an jeder Stelle senkrecht stehenden Grundflächennormalen
ng. Um die Oberfläche des Halbleiters 1 besser leitfähig
zu machen, wurde eine Metallisierungsschicht 8 aufgebracht,
welche auch als Elektrode an der Oberseite des Halbleiters 1 dient.
An der Unterseite des Halbleiters befinden sich weitere Elektroden 3.
Die hier dargestellten Größenverhältnisse
sind dabei nicht realistisch und wurden nur zur besseren Übersicht
gewählt.
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Auf
die Oberfläche des Halbleiters 1 trifft Röntgenstrahlung 4 auf,
die im Halbleiter 1 freie Ladungsträger generiert,
welche aufgrund einer an die Metallisierungsschicht 8 und
an die Elektroden 3 auf der Unterseite angelegten Spannung
zur positiven Anode abgeführt werden. Hierbei sind die
Elektroden 3 auf der Unterseite des Halbleiters 1 mit
dem Pluspol verbunden. Somit bildet sich ein elektrisches Feld im
Halbleiter 1, wobei die in dieser Figur nicht gezeigten
Feldlinien jeweils senkrecht auf die Oberfläche und auf
die Elektroden 3 stehen.
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Analog
zur 1 kommt es hier zu den beschriebenen Effekten,
wie Bildung einer Raumladungszone und daraus folgende Polarisation,
die das elektrische Feld schwächt. Aufgrund dessen lassen sich
derartige Röntgenstrahlungsdetektoren bisher nicht sinnvoll
für Hochflussmessungen einsetzen, da die Schwächung
des elektrischen Feldes einen schnellen Abtransport der generierten
Ladungsträger verhindert und es so zu verfälschten
Messergebnissen kommt. Eine Lösung zur Verbesserung der
Messergebnisse liegt in der Strukturierung der Oberfläche
des zur Detektion verwendeten Halbleitermaterials.
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Die 4 zeigt
einen Ausschnitt eines direktkonvertierenden Detektors mit einer
erfindungsgemäß strukturierten Oberfläche
des Halbleiters 1. Die Strukturierung ist hier als Zickzackprofil
ausgeführt, wobei die strukturierte Oberfläche
an jeder Stelle eine Oberflächennormale no aufweist.
Diese bildet mit der Grundflächennormalen ng einen
Winkel α aus. Somit trifft die Röntgenstrahlung 4 an
allen Bereichen der zickzackförmigen Oberfläche
unter dem Winkel a auf den Halbleiter, mit Ausnahme der konvexen
Spitzen und der konkaven Senken. Die relativ zur einfallenden Strahlung 4 verkippte
Oberfläche sorgt, entsprechend der 2, für
eine gleichmäßige Verteilung der Ladungsträger.
Nur in den Spitzen kommt es zu einer erhöhten Ladungsträgerkonzentration.
Aufgrund des typischen Verlaufes der elektrischen Feldlinien 7 zwischen der
Metallisierungsschicht 8 an der Oberseite und den Elektroden 3 an
der Unterseite entsteht dann eine sich nachteilig auswirkende Verdichtung
der elektrischen Ladung, die zu den Elektroden 3 an der
Unterseite des Halbleiters 1 abtransportiert wird. In dieser
erfindungsgemäßen Variante des Halbleiterdetektors
mit strukturierter Oberfläche entspricht ein Detektorelement 9 dem
Bereich zwischen zwei Senken im Zickzackprofil mit einer Elektrode 3.
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Aus
der Verdichtung der Ladungsträger folgt die Bildung einer
Raumladungszone in diesen Bereichen und damit die Verdichtung des
elektrischen Feldes im Inneren des Halbleiters 1 unterhalb
der Spitzen. Das elektrische Feld wird also inhomogen. Um dies zu
vermeiden, können die in CT-Systemen üblicherweise
verwendeten Kollimatoren 5 direkt über den Spitzen
positioniert werden, wie in der 5 gezeigt
ist. Dadurch wird direkt in den Spitzen weniger freie Ladung erzeugt,
da hier nahezu keine Röntgenstrahlung 4 mehr auftrifft.
Die Feldlinien 7 des elektrischen Feldes sind in diesen
Bereichen nicht mehr verdichtet und die wenigen generierten Ladungsträger
sind vernachlässigbar. Somit bilden sich in den kritischen
Bereichen unter den Spitzen keine Raumladungszonen aufgrund erhöhter
Ladungsträgerkonzentrationen aus und das elektrische Feld
bleibt erhalten.
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Zusätzlich
ist es möglich, um das elektrische Feld im Inneren des
Halbleiters 1 weiterhin zu homogenisieren, die Elektroden 3 teilweise
seitlich an den Detektorelementen 9 anzuordnen. Dies ist
in 6 gezeigt. Hier befindet sich zwischen den einzelnen Detektorelementen 9,
also direkt unterhalb der Kollimatoren 5, jeweils eine
nicht leitende Passivierungsschicht 6, die die einzelnen
Detektorelemente 9 für die Ladungsträger
undurchlässig voneinander abgrenzt. Die Einführung
der Passivierungsschicht 6 ist nicht zwingend nötig,
sorgt jedoch für eine Steigerung der Auflösung
des Röntgenstrahlungsdetektors. Deutlich zu erkennen ist
in dieser Darstellung, dass der Verlauf der Feldlinien 7 zwischen
der Metallisierungsschicht 8 und den Elektroden 3 nahezu
völlig homogen ist, ohne verdichtete Bereiche. In einem derartig
gestalteten Röntgenstrahlungsdetektor können die
generierten Elektronen schnell zu den Elektroden 3 abtransportiert
werden, so dass keine Bereiche mit erhöhter Konzentration
entstehen, in denen sich eine Raumladungszone ausbildet, die das
elektrische Feld schwächt. Somit eignen sich solche Röntgenstrahlungsdetektoren
auch für Hochflussmessungen, wie sie beispielsweise in
CT-Systemen nötig sind.
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Insgesamt
wird mit der Erfindung also ein Röntgenstrahlungsdetektor
zur Detektion von ionisierender Strahlung, insbesondere zur Verwendung
in einem CT-System, mit einer Vielzahl von Detektorelementen, je
Detektorelement aufweisend einen als Detektormaterial verwendeten
Halbleiter mit einer der Strahlung zugewandten Oberseite und einer
der Strahlung abgewandten Unterseite, mindestens zwei Elektroden,
wobei eine Elektrode durch eine Metallisierungsschicht auf der Oberseite
des Halbleiters gebildet wird, und die Summe aller Detektorelemente eine
Grundfläche bildet, die an jeder Stelle eine Grundflächennormale
aufweist, welcher dahingehend weiter verbessert wurde, dass die
Oberseite des Halbleiters eine Oberflächenstruktur mit
einer Oberflächennormalen an jeder Stelle aufweist, wobei die
Oberflächennormale mit der Grundflächennormalen
zumindest teilweise einen Winkel ausbildet.
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Weiterhin
zählt auch ein CT-System, in welchem ein Röntgenstrahlungsdetektor
vorgesehen ist, der vorteilhafterweise aus einer Vielzahl von erfindungsgemäß strukturierten
Detektorelementen besteht, zum Gegenstand der Erfindung.
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Es
versteht sich, dass die vorstehend genannten Merkmale der Erfindung
nicht nur in der jeweils angegebenen Kombination, sondern auch in anderen
Kombinationen oder in Alleinstellung verwendbar sind, ohne den Rahmen
der Erfindung zu verlassen.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Nicht-Patentliteratur
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- - P. M. Shikhaliev
in Phys. Med. Biol. 51 (2006) [0004]