DE2235680A1 - Detektoranordnung und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents

Detektoranordnung und verfahren zu ihrer herstellung

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DE2235680A1
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Description

SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT Erlangen, 1 9. JULt 1972
Erlangen und München Werner-von-Siemens-Str.50
Unser Zeichen:
VPA 72/7544 Kin/Rd
Ortsauflösende Detektoranordnung und Verfahren zu · ihrer Herstellung.
Die Erfindung "bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Detektoranordnung für ionisierende Strahlung mit auf "beiden Flachseiten eines Halbleiterkörper angeordneten Elektroden, deren Kreuzungspunkte jeweils einen Detektor bilden. Solche Streifendetektoren, die auch als Schachbrettzähler bezeichnet werden, sind beispielsweise bekannt aus der schweizerischen Patentschrift 460 962.
Der bekannte Detektor enthält auf der oberen plachseite eine größere Anzahl parallel zueinander angeordneter streifenförmiger Elektroden, denen jeweils" eine Oberfläche-Grenzschicht vorgelagert ist. Die Elektroden bestehen aus einer aufgedampften Goldschicht, die mit der Halbleiterscheibe einen Übergang des Schottky-Typs bildet. Die gegenüberliegende untere Flachseite des Halbleiterkörpers, der aus Germanium oder Silizium bestehen kann, enthält ebenfalls streifenförmige, Elektroden aus aufgedampftem Aluminium mit ohmschem Charakter, die gegenüber den gleichrichtenden Elektroden auf der oberen ]?lachseite um einen vorbestimmten Winkel, vorzugsweise einen rechten Winkel, versetzt sind. Die Kreuzungspunkte der Elektroden auf beiden llachseiten des Halbleiterkörpers bilden jeweils einen Einzeldetektor für die einfallende Strahlung. Diese Anordnung ist geeignet als ortsauflasender Detektor sowohl für geladene Teilchen als auch für Gamma- und Röntgenstrahlen sowie für Lichtstrahlen mit einer Energie größer als etwa 1,1 eV.
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VPA 72/75^4
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Es ist bereits vorgeschlagen worden (Patentanmeldung P 20 55 824.1-33, VPA 70/5137), eine ortsauflösende Detektoranordnung in der Bauform als Schachbrettdetektor zur Sichtbarmachung von Gammastrahlenbildnern zu verwenden. In einer Einrichtung nach Art eines Anger-Systems werden die üblichen Photomultiplier durch die Kreuzungspunkte der Streifenelektroden ersetzt, die jeweils als Einzeldetektor wirken. Ein Bildverstärker der Einrichtung erhält somit anstelle des Ausgangsleuchtschirmes den Halbleiterdetektor, der beim Auftreffen eines Elektronenbündels entsprechende elektrische Signale abgibt. Aus diesen Signalen wird das Zentrum des Elektronenbündels ermittelt und zugleich die Anzahl der Elektronen registriert. Gammaquanten, die im Eingang des Bildverstärkers in einem geeigneten Detektorsystem, beispielsweise einem gekrümmten Einkristall, eine vorbestimmte Lichtverteilung erzeugt haben, werden geortet und ihre Energie bestimmt. Die Detektoranordnung besteht aus einer so großen Zahl von streifenförmigen Kontakten, daß der Einfallsort des Gammaquants näherungsweise digital ermittelt werden kann. Die Impulshöhenverhältnisse benachbarter Streifen liefern zusätzlich ein analoges Korrektursignal.
Ein Problem besteht nun darin, daß der als ortendes System zur Ermittelung des Schwerpunktes der Elektronenverteilung für den Bildverstärker einer Gammakamera verwendete Streifendetektor nach dem Einbau in den Bildverstärker erhöhte Temperaturen, die beim Ausheizen 3000C und mehr erreichen können? ohne nachteiligen Einfluß auf seine elektrische! Eigenschaften ertragen muß.
Diese Zähler mit aufgedampften Elektroden benötigen nämlich zu ihrem Aufbau Kunststoffteile, insbesondere Araldit-Schichten, die bereits bei Temperaturen oberhalb 15O0C verbrennen und den Detektor unbrauchbar machen. Außerdem sind Sperrschichten mit aufgedampften Goldelektroden für hohe Temperaturen v/eniger gut geeignet, weil bei erhöhter Temperatur das Metall in den Halbleiterkörper eindiffundieren und den als
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Sperrschicht wirkenden Metall-Halbleiterübergang zerstören kann.
Bei den bekannten Streifendetektoren sind die Aluminiumstreifen auf der Rückseite auf einer elektrisch isolierenden sehr dünnen Zwischenschicht aus Siliziumdioxid SiO2 befestigt. Diese Isolierschicht ist sehr dünn. Sie ist im allgemeinen nicht dicker als etwa 100 Ä. Im Falle einer Temperaturbehandlung des fertigen Detektors oberhalb etwa 2000C kann nun das Aluminium durch die dünne Siliziumdioxid-Schicht hindurch legieren und an der unteren Flachseite des Halbleiterkörpers einen Metall-Halbleiterkontakt bilden. Dann ist ein dE/dx-Betrieb mit diesem Zähler nicht mehr möglich.
Bei den bekannten Grenzschichtzählern ist es ferner möglich, daß von den in die empfindliche Zone unterhalb einer Elektrode eintretenden geladenen Teilchen oder Quanten einige nicht von dem auf der Rückseite des Halbleiterkörpers zugeordneten Kreuzungspunkt registriert werden, sondern zu einem benachbarten Kreuzungspunkt gelangen. Diese als Übersprechen, bezeichnete Erscheinung fälscht das Meßergebnis.
Ein Oberflächen-Grenzschichtzähler ist ferner bekannt aus "Striped Semiconductor Detector 5441" der ."AB-Atomenergi Sect.SSI, Studscik Nykoping, Schweden". Dieser Detektor enthält an der Oberfläche eines Halbleiterkörpers aus n-leitendem Si parallel zueinander angeordnete streifenförmige Elektroden aus Gold mit einer Dicke von etwa 250 A* und einer Breite von etwa 0,8 mm. Sie sind im Abstand von etwa 0,2 mm parallel nebeneinander angeordnet und jeweils mit einem Elektrodenanschlußleiter versehen. Verunreinigungen auf der Oberfläche dieser Zähler können durch Adsorption eine Inversionsschicht erzeugen, die einen p^leitenden Kanal zwischen den Elektrodenstreifen bildet. Die Folge ist ein Übersprechen auf der Oberseite der Anordnung. Man kann dieses übersprechen zwar verhindern, dazu sind jedoch verhältnismäßig komplizierte Maßnahmen erforderlich, wie sie beispielsweise der TJS-Patentschrift 3624 399 zu entnehmen sind. ■ ·:
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Mit bekannten Oberflächen-Grenzschichtzählern ist ferner ein stabiler Betrieb im Vakuum über längere Zeit nicht möglich.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, diese zur Messung der Energie E der Strahlung und zur Messung des Energieverlustes pro Weglängeneinheit dE/dx geeignete Streifendetektoren zu verbessern. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß auf der oberen Plachseite eines η-leitenden HaItleiterkörpers mit einem spezifischen Widerstand von mindestens 100il.cm durch Diffusion streifenförmige p-leitende Elektroden gebildet und durch eine Oxidschicht abgedeckt werden, und daß anschließend auf der gegenüberliegenden Plachseite ein Teil des Halbleiterkörpers abgetragen und der Halbleiterkörper auch dort mit streifenförmigen Elektroden versehen wird.
Es wurde nämlich erkannt, daß durch die Anwendung der Planartechnik die Eigenschaften der Detektoranordnung wesentlich verbessert werden können, und daß in Verbindung mit einem hochohmigen Halbleitermaterial Umdotierungen unter der Oxydschicht praktisch nicht auftreten können. Die Oxydschicht selbst bildet aber einen Schutz für die sperrenden Elektroden, deren Wirksamkeit sich auch bei verhältnismäßig hohen Temperaturen nicht wesentlich ändert. Durch das Dünnätzen des Halbleiterkörpers wird ein Übersprechen verhindert. Außerdem ist mit dieser Detektoranordnung ein stabiler Betrieb im Vakuum über längere Zeit möglich.
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung v/ird auf die Zeichnung Bezug genommen. In den Pig.1 bis 5 sind die verschiedenen Verfahrensschritte und in Pig.6 eine besondere Ausführungsform einer mit dem Verfahren hergestellten Detektoranordnung dargestellt.
Nach Pig.1 ist ein Halbleiterkörper 2 aus η-leitendem einkristallinem Halbleitermaterial mit hohem spezifischen Widerstand, insbesondere Silizium, mit einer Oxydschicht 4 versehen. Hierzu wird zunächst die Oberfläche durch mechanische oder chemische Abtragung einer geringen Oberflächenschicht
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von Kristallstörungen befreit und dann durch einen Reinigungsprozeß sowohl störende Fremdionen und Verunreinigungen als auch auf der Oberfläche abgelagerte anorganische oder auch organische Teilchen beseitigt* Diese Oxydschicht 4 kann zweckmäßig in einem Gasstrom,. vorzugsweise bei erhöhter Temperatur, hergestellt v/erden. Der Gasstrom kann zweckmäßig im wesentlichen Sauerstoff enthalten, oder er kann auch mit Inertgasen oder Stickstoff gemischt sein. Ferner ist beispielsweise Wasserdampfjgeeignet, dem. zusätzlich Sauerstoff O2 zugesetzt ist. Gegebenenfalls können auch noch andere bekannte Oxydationsmittel, beispielsweise CO2? verwendet werden.
Anschließend wird in bekannter Weise, insbesondere durch sogenannte Photoätztechnik, ein.Teil der Oxydschicht 4 entfernt, der für das fertige Bauelement nicht benötigt wird. Zu diesem Zweck wird nach Fig.2 wenigstens die obere Flachseite des Halbleiterkörpers 2 mit einer Schicht aus photoempfindlichem Lack versehen, welche die Oxydschicht 4 bedeckt. Aus dieser Lackschicht werden mit Hilfe einer Ätzmaske in der Form der später benötigten Abdeckung der Oxydschicht 4 vorbestimmte Teile belichtet und entwickelt. Die belichteten Teile sind empfindlich für ein Lösungsmittel und diese werden nach der Belichtung während der anschließenden Entwicklung herausgewaschen, so daß nur noch streifenförmige Brükken 6 aus dem resistenten Plrbolack auf der Oberfläche der Oxydschicht 4 verbleiben.
Der so vorbereitete,Halbleiterkörper 2 wird einem Itzprozeß unterzogen und die Oxydschicht 4 vom Halbleiterkörper 2 mit Ausnahme derjenigen Teile 8 entfernt, die von den Brücken abgedeckt sind. Die Brücken 6 werden mit einem geeigneten Lösungsmittel abgewaschen, so daß nur noch die ebenfalls streifenförmigen Teile 8 der Oxydschicht verbleiben, wie es in Fig.3 dargestellt ist.
Gegebenenfalls können auch die Teile der Oxydschicht 4 an der unteren Flachseite sowie an den beiden seitlichen Schmal-
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flächen des Halbleiterkörpers 2 mit einem gegen das verwendete Ätzmittel widerstandsfähigen Material, das beispielsweise unter der Bezeichnung "Picein" bekannt ist, abgedeckt werden. Dann werden diese Teile der Oxydschicht zunächst vom Halbleiterkörper noch nicht entfernt.
Die Oxydschichtteile 8 bilden mit ihren Zwischenräumen auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers 2 streifenförmige Fenster, in die ein Dotierungsstoff eindiffundiert wird, der nach Fig.4 den Fenstern vorgelagerte, ebenfalls streifenförmige Elektroden 10 aus p-leitendem Silizium bildet. In Verbindung mit dem η-leitenden Halbleiterkörper 2 kann als p-dotierender Stoff vorzugsweise Bor B oder auch Phosphor P in den Halbleiterkörper eindiffundiert werden, so daß zwischen den Elektrodenbereichen 10 und dem Halbleiterkörper ein mit 12 bezeichneter pn-übergang entsteht. Die Diffusionstiefe des eindiffundierten Dotierungsstoffes und damit die Tiefe der Elektroden 10 ist abhängig von den Absorptionseigenschaften der zu empfangenden Strahlung. Ist die Detektoranordnung beispielsweise für ß-Strahlen mit einer Energie von 25 KeV bestimmt, so kann die Diffusionstiefe und damit die Dicke der empfindlichen Schicht des Detektors vorzugsweise etwa 0,1-1/i, insbesondere etwa 0,3 /u, betragen. Geeignet ist auch noch eine Schichtdicke bis zu etwa 5/u. Sie wird zweckmäßig wenigstens 0,03 /u. dick bemessen sein, weil noch dünnere Schichten schwierig herzustellen sind.
Während des Diffusionsvorganges entsteht auf den Oberflächenteilen des Halbleiterkörpers 2 in dem Fenster eine Glasschicht 14, die beispielsweise bei einer Diffusion mit Phosphor entsprechend aus Phosphorglas besteht. Diese Glasschichten wirken sich im allgemeinen nicht nachteilig auf die Eigenschaften des Detektors aus, und sie können deshalb unter Umständen als Schutzschicht auf der Elektrodenoberfläche bleiben. Die Dicke dieser Glasschicht 14 beträgt im allgemeinen wesentlich weniger als 0,1 /u.
Der Halbleiterkörper 2 wird anschließend dünngeätzt, indem
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wenigstens der äußere· Rand mitoeiner in der Figur nicht dargestellten, als Schutzschicht wirkenden Wachsschicht versehen wird und dann ein Teil des Halbleiterkörper abgetragen wird. Der dünne Halbleiterkörper 2 wird dann auf dieser Flachseite mit ebenfalls streifenförmigen Elektroden 16 versehen, die mit dem Halbleiterkörper 2 jeweils einen ohmschen Kontakt bilden. Sie können vorzugsweise aus Aluminium bestehen, das auf den Halbleiterkörper 2 aufgebracht ist und beispielsweise aufgedampft und anschließend anlegiert sein kann. Diese Elektroden 16 sind gegenüber den streifenförmigen Elektroden 10 auf der oberen Flachseite um einen vorbestimmten Winkel, insbesondere wenigstens etwa 90°, versetzt. Besonders vorteilhaft ist eine Verlängerung der Elektroden 16 über den äußeren Rand des Halbleiterkörpers 2 zur oberen Flachseite. Diese Gestaltung hat den Vorteil, daß sich die Anschlußkontakte aller Elektroden auf der gleichen Flachseite des Detektors befinden. Es werden dann auch alle Anschlußleiter, die in der Figur nicht dargestellt sind, von der gleichen Seite abgeführt.
Die Leitungsverbindungen der Elektroden 16 von der unteren zur oberen Flachseite können vorzugsweise dadurch hergestellt werden, daß schon die streifenförmigen Elektroden 16 und die in Fig.4 mit 17 bezeichneten Leitungsverbindungen über die Schmalseite des Halbleiterkörpers 2 in einem gemeinsamen Arbeitsgang, beispielsweise durch Sehrägbedämpfung, hergestellt werden. Auf der oberen Flachseite kann dann zweckmäßig noch ein Anschluß st iick 18 vorgesehen sein.
Der Abstand d der Elektroden 10 an der Oberseite kann zweckmäßig gering gehalten werden. Er kann zweckmäßig nicht wesentlich größer als 100 /um, vorzugsweise weniger als 50/um und unter Umständen sogar nur etwa 20 /xm, betragen. In Verbindung mit einem geringen Abstand der Elektroden 10 kann die Anordnung an der Oberseite zweckmäßig mit einem elektrisch leitenden Randstreifen 26 versehen werden, der vorzugsweise" durch Eindiffundieren von Dotierungsstoff hergestellt werden kann, liese diffundierte Randschicht 26 führt . . .·■-
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den Sperrstrom an der äußeren Begrenzung ab und bildet somit einen Schutzring, der das Rauschen der Detektoranordnung auf einen vernachlässigbar geringen Wert begrenzt. Es bleibt nur noch das Rauschen durch den Volumensperrstrom, der aber bekanntlich sehr klein ist.
In Pig.5 ist ein Schnitt durch einen Halbleiterkörper 2 dargestellt, der gegenüber den Pig.1 bis 4 um 90° verdreht ist. Dementsprechend ist an der oberen Flachseite eine der Streifenelektroden 10 in Längsrichtung und an der unteren Flachseite die Streifenelektroden 16 quergeschnitten. Die Elektroden 10 sind jeweils mit einem Anschlußleiter 20 versehen.
In einer besonderen Ausführungsform der Detektoranordnung kann das Übersprechen auf der Rückseite dadurch vermieden werden, daß die einzelnen Elektrodenbereiche 16 auf der Rückseite mechanisch getrennt werden, und zugleich die elektrische Verbindung der ElektrodentPile auf der Oberseite erhalten bleibt. Zu diesem Zweck kann der Halbleiterkörper parallel zu den Elektroden 16 geritzt und anschließend gebrochen werden. Da die streifenförmigen pn-Übergänge 10 nicht durchgebrochen werden können, bestehen in diesem besonderen Fall die pn-Dioden aus etwa quadratischen Bereichen, die im Winkel von 90° zu den unteren Streifen durch elektrische Leiter 24 verbunden werden. Die entstehenden Teile 30 bis 35 werden dann in einem geringen Abstand einander parallel auf einer Unterlage 22, beispielsweise einem entsprechend geformten Keramikkörper, befestigt, vorzugsweise mit einem Silikonlack 27, aufgeklebt. Die Teile der Elektroden 10 an der Oberseite werden mit einem elektrischen Verbindungsleiter 24 versehen, der beispielsweise aus einem dünnen Aluminiumleiter bestehen kann. Diese beispielsweise nur etwa 25 /im dicken Drähte können auf den Elektroden. 10 vorzugsweise durch Ultraschallschweißen befestigt werden.
In der Ausführungsform nach Fig.4 kann das Übersprechen auf der .Rückseite auch noch dadurch vermindert werden, daß die in Fig.5 mit b bezeichnete Breite der Streifenelektroden 16
30 9 8 86/0563 _ g _
VPA 72/7544
wesentlich, geringer gewählt wird als die Elektrodenbreite a an der Oberseite. Damit wird eine gegenseitige Beeinflussung wesentlich vermindert, und man erhält eine Entkopplung der Vorverstärker. Der.gegenseitige Abstand der Elektroden 16 auf der Rückseite kann in Verbindung mit einem vorbestimmten spezifischen Widerstand des Halbleitermaterials vorzugsweise so gewählt werden, daß der Widerstand zwischen den Streifen wenigstens etwa 5 kil, insbesondere mindestens 50 kil ', beträgt .
Eine Abwandlung der Ausführungsform nach lig.5 ist in Pig.6 dargestellt. Stufenförmige Einzelteile des Halbleiterkörpers 2 mit jeweils einer Elektrode 16 auf der Unterseite und einem Teil der Elektroden 10 auf der Oberseite sind jeweils auf einer Treppenstufe der Grundplatte 22 befestigt, deren Oberseite zu diesem Zweck mit schrägen Einzelstufen versehen ist. Diese Stufen sind derart gestaltet, daß sich die Dicke der Grundplatte 22 von Stufe zu Stufe nicht oder nicht wesentlich ändert. Die einzelnen Streifen, von'denen in Pig»6 nur die Streifen 31 bis 34 ausgewählt sind, werden auf diesen Stufen se angeordnet, daß ihre Seitenflächen nicht aneinander stoßen. Es entstehen somit keine elektrischen Kurzschlüsse zwischen den einzelnen Streifen.
26 Patentansprüche
6 Figuren
098 86/0 56
- 10 -

Claims (26)

  1. YPA 72/734-^-
    Patentansprüche
    Verfahren zum Herstellen einer ortsauflösenden Detektoranordnung für ionisierende Strahlung mit auf beiden plachseiten eines Halbleiterkörpers angeordneten streifenförmigen Elektroden, deren Kreuzungspunkte jeweils einen Detektor bilden, dadurch gekennzeichnet, daß auf der oberen Flachseite eines η-leitenden Halbleiterkörpers (2) mit einem spezifischen Widerstand von mindestens i005)-cm durch Diffusion streifenförmige p-leitende Elektroden (10) gebildet und durch eine Oxydschicht (8) abgedeckt werden, und daß anschließend ein Teil des Halbleiterkörpers (2) auf seiner gegenüberliegenden Flachseite abgetragen und dann der Halbleiterkörper (2) auch dort mit streifenförmigen Elektroden (16) versehen wird,
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Halbleiterkörper (2) mit einem spezifischen Widerstand von mindestens 300 SL cm, insbesondere mindestens 500 A-cm, verwendet wird,
  3. 3, Verfahren nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial auf der unteren Flachseite durch Dünnätzen abgetragen wird,
  4. 4» Verfahrennach Anspruch 3> dadurch gekennzeichnetf daß das Halbleitermaterial bis auf eine Dicke des Halbleiter^ körpers; (2) von weniger a.ls 1QQ /um, insbesondere weniger als 50 /um» abgetragen wird*
  5. §# Verfahren nach einem de,r A?iBpi*Üßhe 1 bis £, de.dureh ge3?ena* zeichnet, daß die Elektroden (16) auf der unt§rga Seite durch Aufdampfen vqn Istall auf d§n per (2) hergfstillt werden^
  6. 6, Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekeimgtielineti daß das aufgedampfte Metall an den Halblfiterkörpei' (2) 5 giert wirdi
    309886/0183 .11
    ■'"■■■■ ■"■.-.-■".■■.■■■ VPA 72/7544 '.'-.-
    .■■"■" ,. ~-u- ■.': ■ :- .'■- *■-· 223568:0.
  7. 7.- Verfahren nach einem der .Ansprüche 5 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß- als/Metall Aluminium verwendet wird.. -
  8. 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 "bis: '7 > dadurch ge- ;. kennzeichnet, daß die Breite-- (b) der Elektroden' (16) aufder 'unteren Flachseite geringer-gewählt wird als die __ Breite (a) der ElektrOden (1O) auf der oberen Flachselte.
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzei.chnet, daß die Breite" (b) der -Elektroden (16)- .geringer gewählt, wird als :." ihr gegenseitiger Abstand (c). - ■ ■-- " :
  10. 10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 "bis 7> dadurch ge-
    ' kennzeichnet, daß der Abstand (b) der Elektroden (16) auf der unteren Flachseite des Halbieiterkörpers (2) so gewählt v/ird, daß der V/iderstand des Halbleitermaterials '. zwischen den Elektroden (16) mindestens 5 kiL beiträgt.
  11. 11. Verfahren, nach Anspruch· 10,- dadurch gekennzeichnet, daß, der Abstand (b) der' Elektroden (1.6) auf der unteren Flachseite so gewählt wird, daß der Y/iderstand des Halbleitermaterials zwischen den Elektroden (16) mindestens 50 kXL beträgt. .-. ' . ' . . .- ■ . / ...
  12. 12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet , daß der Halbleiterkörper (2) parallel zu den · Elektroden (16) auf der unteren Flachseite des,Halbleiter-' körpers (2)in streifenförmige Teile aufgetrennt wird, und daß die einzelnen Teile elektrisch leitend'miteinander.verbunden werden. . ■'■";'. ... ·.-.-...-
  13. Tp." Vorfahren nach Anspruch 12., dadurch gekennzeichnet, daß die einzelnen Teile durch dünne elektrische Leiter (24) ■miteinander verbunden warden. :; ■. . ...... -■■■··." '-..". -·.'.'„
  14. 14· Verfahren nach Anspruch 12,■gekennzeichnet durteh'Ritzen der Oberfläche und anschließendes· Brechen, des ' terkörpers (2.)... ■ . . , ' . ■
    /0 563
  15. 15· Verfahren nach Anspruch 13» dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen Leiter (24) durch Ultraschallschweißen mit den einzelnen Teilen des Halbleiterkörpers (2) verbunden werden.
  16. 16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 und 15, dadurch gekennzeichnet, daß als elektrische Leiter (24) Aluminiumdrähte von etwa 25 /im Dicke verwendet werden.
  17. 17· Verfahren nach einem der Ansprüche 12 und 14» dadurch gekennzeichnet, daß die Teile (31 "bis 34) des Halbleiterkörpers so auf einem Isolierstoffkörper (22) befestigt werden, daß sie elektrisch gegeneinander isoliert sind.
  18. 18. Verfahren nach Anspruch 17» dadurch gekennzeichnet, daß als Isolierstoffkörper (24) ein Keramikkörper verwendet wird.
  19. 19· Verfahren nach einem der Ansprüche 17 und 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Teile (31 bis 34) des Halbleiterkörpers (2) auf einer treppenstufenförmigen Oberfläche des Isolierstoffkörpers (22) mit schrägen Einzelstufen befestigt werden.
  20. 20. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß an der oberen Flachseite des Harbleiterkörpers (2) der Rand mit einer elektrisch leitenden ringförmigen Oberflächenschicht (26) versehen wird (Fig.4).
  21. 21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Randschicht (26) durch Eindiffundieren von Dotierungsstoff hergestellt wird.
    - 13 309886/0563
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  22. 22. ■ Verfahren nach-'einem der Ansprüche 1 Tais 16, dadurch ■■gekennzeichnet.,^ daß-die-\Eiektröd-en; (16) an der unteren.■ . ■ :. Flachsieite des Halbleiterkörpers (2)" elektrisch leitend ' mit dem Rand der oberen Flachseite verbunden und dort mit elektrischen Anschlußleitern "(18) versehen, werden. ' ..- ■" ■
  23. 2.3. Ort sauf lös ende,. Detektoranordnung in Streifenbauform,. die nach wenigstens meinem -der Ansprüche ;1 bis .22 hergestellt ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (2) •an seiner oberen "Flachseite mit streifenförmigen-parallel . -zueinander.angeordneten diffundierten Elektroden (10) versehen ist, deren'pn>-ijbergang jeweils durch eine Oxyds chi eht abgedeckt ist und deren dünn geätzter Hal"bleiterkörper (2) an der unteren Flachseite mit aufgedampften und e,iniegierten Elektroden versehen ist, die: jjeweils elektrisch "Leitend mit de^m Rand der oberen Elachseite des Hälbleiterkörpers (2) verbunden sind. V , ■.
  24. 24..Detektoranordnung nach Anspruch 23, dadurch gekennzeich-net,, daß der Halbleiterkörper (2) an seiner oberen Flach- ■ seite mit einem elektrisch leitenden Schutzring (.26) aus eindiffundiertem Dotierungsstoff versehen ist., v
  25. 25. Detektoranordnung; nach einem der Ansprüche 23 und 24» dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper .(2) in par-
    . allel zueinander angeordneten und jeweils eine der Elektroden (16) auf der unteren Flachseite enthaltende Teile (30 bis 35).aufgeteilt ist, und die elektrisch leitend miteinander verbunden sind, und die auf einem Isolier-
    . stoffkörper (22) angeordnet sind. ;
  26. 26. Detekt0r-anOrSnung^iE£ach;Anspruch^, dadurch, gekennzeichnet, daß die einzelnen Teile (31 bis 34) auf einer treppenstufenförmig"'gestalteten Oberfläche mit schrägen Stu- - fen des Isolierstoffkörpers (22) angeordnet ,sind;. .'
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