JPS5999384A - 回転型放射線位置検出器 - Google Patents
回転型放射線位置検出器Info
- Publication number
- JPS5999384A JPS5999384A JP20982482A JP20982482A JPS5999384A JP S5999384 A JPS5999384 A JP S5999384A JP 20982482 A JP20982482 A JP 20982482A JP 20982482 A JP20982482 A JP 20982482A JP S5999384 A JPS5999384 A JP S5999384A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- collimator
- semiconductor
- incident
- arrangement direction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2921—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体放射線検出器を使用した回転型放射
線位置検出器に関する。
線位置検出器に関する。
゛１′導体放射線検出器を使用して回転型放射線検出器
を構成する場合、第１図のように構成することが考えら
れる。この図においてスラットコリメータｌはモ板状の
隔壁２が放射線入射面（Ｘ−Ｙ・１・−面）１−―に多
数平行に配列されてスリットの配列を形成するもので、
このスリットの配列方向をＸ、スリット長方向なＹとす
る。そしてスラットコリメータｌの裏面において放射線
入射面（Ｘ−Ｙｆ面）上に多数の半導体放射線検出器３
がＸ方１１１０こ並べられてスラットコリメータｌの各
スリットを通った放射線がこの半導体放射線検出器３の
各々に入射するようになっている。この場合スラットコ
リメータｌは平行平板状の隔壁２の作用により入射放射
線のコリメーションをＸ−Ｚ平面に平行な面内（Ｚ方向
はＸ−Ｙ平面に直角な方向とする）でのみ行ない、Ｙ−
Ｚ平面に平行な面内では行なわない。したがって第２図
に示すように、被写体４の１藏器５に集積したＲＩから
放出される放射線は、Ｙ、−Ｚ平面に平行な面内ではど
の方向からの放射線も半導体放射線検出器３に入射する
ことになり、感度が高まる。そして゛ト導体放射線検出
器３の出力により位置計算回路６で放射線入射位置が求
められ、これからの位置信号によって演算及び記憶回路
８におり、＼てＸ方向でのサンプリング位置毎の放射線
入射個数の１次元分布データが得られる。回転制御装置
７によってこのスラットコリメータ１と半導体放射線検
出器３とを一体にＺ軸を中心にして回転させ、Ｘ方向が
回転していくようにして多方向での上記の１次元分布デ
ータを収集する。このデータを演算及び記憶回路８にお
いて投影データとして扱い、コンボリューション及びハ
ックプロジェクション等の投影データから原画像を再構
成する手法を用い、これにより１；記デークを画像再構
成処理してＸ−Ｙ＝Ｆ ｒｌ’ｉｉ １．：での放射線
入射個数の２次元分布像を再構成し、これを表示装置９
で表示する。
を構成する場合、第１図のように構成することが考えら
れる。この図においてスラットコリメータｌはモ板状の
隔壁２が放射線入射面（Ｘ−Ｙ・１・−面）１−―に多
数平行に配列されてスリットの配列を形成するもので、
このスリットの配列方向をＸ、スリット長方向なＹとす
る。そしてスラットコリメータｌの裏面において放射線
入射面（Ｘ−Ｙｆ面）上に多数の半導体放射線検出器３
がＸ方１１１０こ並べられてスラットコリメータｌの各
スリットを通った放射線がこの半導体放射線検出器３の
各々に入射するようになっている。この場合スラットコ
リメータｌは平行平板状の隔壁２の作用により入射放射
線のコリメーションをＸ−Ｚ平面に平行な面内（Ｚ方向
はＸ−Ｙ平面に直角な方向とする）でのみ行ない、Ｙ−
Ｚ平面に平行な面内では行なわない。したがって第２図
に示すように、被写体４の１藏器５に集積したＲＩから
放出される放射線は、Ｙ、−Ｚ平面に平行な面内ではど
の方向からの放射線も半導体放射線検出器３に入射する
ことになり、感度が高まる。そして゛ト導体放射線検出
器３の出力により位置計算回路６で放射線入射位置が求
められ、これからの位置信号によって演算及び記憶回路
８におり、＼てＸ方向でのサンプリング位置毎の放射線
入射個数の１次元分布データが得られる。回転制御装置
７によってこのスラットコリメータ１と半導体放射線検
出器３とを一体にＺ軸を中心にして回転させ、Ｘ方向が
回転していくようにして多方向での上記の１次元分布デ
ータを収集する。このデータを演算及び記憶回路８にお
いて投影データとして扱い、コンボリューション及びハ
ックプロジェクション等の投影データから原画像を再構
成する手法を用い、これにより１；記デークを画像再構
成処理してＸ−Ｙ＝Ｆ ｒｌ’ｉｉ １．：での放射線
入射個数の２次元分布像を再構成し、これを表示装置９
で表示する。
この場合スラットコリメータ１は上記したように放射線
のコリメーションが緩やかで高感度であり、（すられる
画像の分解能はスリット幅及びＸ方向でのサンプリング
間隔にのみ依存するので、分解能と感度とを両ケさせる
ことができる点に利点がある。
のコリメーションが緩やかで高感度であり、（すられる
画像の分解能はスリット幅及びＸ方向でのサンプリング
間隔にのみ依存するので、分解能と感度とを両ケさせる
ことができる点に利点がある。
ところで、ここで用いる半導体放射線検出器３としては
、Ｈｇ Ｉ ２ 、 Ｃ’ｄ Ｔ ｅ等の放射線感応半
導体結晶を対向する平面電極ではさんで構成した゛１′
導体放射線検出器を用いるが、この半導体放射線検出器
は、汀通にはその平面電極に直角に放射線が入射するよ
うに、すなわち平面電極がＸ−Ｙ−１’面に平行に配置
される。平面電極間厚さは電子及びホールの移動を速く
するために薄くしなければならないが、そうすると高エ
ネルギの放射線は突き抜けてしまい感度は悪くなる。し
かし感度を高めるため厚くすれば今度は電子及びホール
の移動が遅くなり、エネルギ分解能が悪くなってしまう
。
、Ｈｇ Ｉ ２ 、 Ｃ’ｄ Ｔ ｅ等の放射線感応半
導体結晶を対向する平面電極ではさんで構成した゛１′
導体放射線検出器を用いるが、この半導体放射線検出器
は、汀通にはその平面電極に直角に放射線が入射するよ
うに、すなわち平面電極がＸ−Ｙ−１’面に平行に配置
される。平面電極間厚さは電子及びホールの移動を速く
するために薄くしなければならないが、そうすると高エ
ネルギの放射線は突き抜けてしまい感度は悪くなる。し
かし感度を高めるため厚くすれば今度は電子及びホール
の移動が遅くなり、エネルギ分解能が悪くなってしまう
。
この発明の第１の目的は、半導体放射線検出器を使用す
る回転型放射線位置検出器において半導体放射線検出器
を斜めに配置することによって感度を犠牲にすることな
くエネルギ分解能を高めることにあり、第２の目的はさ
らに画像の質を同一に保ったまま半導体放射線検出器数
を減少させることにある。
る回転型放射線位置検出器において半導体放射線検出器
を斜めに配置することによって感度を犠牲にすることな
くエネルギ分解能を高めることにあり、第２の目的はさ
らに画像の質を同一に保ったまま半導体放射線検出器数
を減少させることにある。
以下、この発明の−・実施例について説明する。
第３図において、半導体放射線検出器３は、基板をなす
平面電極ａと、これと対向する平面電極Ｃとの間にＨｇ
Ｉ２．ＣｄＴｅなどの放射線感応半導体結晶すをはさん
で構成されており、平面電極ａ、ｃが放射線入射面に対
して直角に近い角度ですなわち隔壁２の間のスラットを
通った放射線が平面電極ａ、Ｃに平行に近い角度で入射
するように傾斜して配置されている。このように傾斜し
ているので、モ面’；［ｕ！ｉ ａ 、 ｃ間の厚さを
薄くシエネルキ分解能を低下させないようにしても、放
射線入射方向での実効的な厚さを厚くすることができる
ため、エネルギ分解能を犠牲にすることなく感度を高め
ることができる。
平面電極ａと、これと対向する平面電極Ｃとの間にＨｇ
Ｉ２．ＣｄＴｅなどの放射線感応半導体結晶すをはさん
で構成されており、平面電極ａ、ｃが放射線入射面に対
して直角に近い角度ですなわち隔壁２の間のスラットを
通った放射線が平面電極ａ、Ｃに平行に近い角度で入射
するように傾斜して配置されている。このように傾斜し
ているので、モ面’；［ｕ！ｉ ａ 、 ｃ間の厚さを
薄くシエネルキ分解能を低下させないようにしても、放
射線入射方向での実効的な厚さを厚くすることができる
ため、エネルギ分解能を犠牲にすることなく感度を高め
ることができる。
さらに、゛１′、導体放射線検出器３を第４図及び第５
図に示すように配列すれば、＋ｌｆ構成画像の質を低ト
させることなく半導体放射線検出器３の個数を減少させ
ることができる。第４図及び第５図において、傾消して
配置された半導体放射線検出器３の各々は、そのＸ方向
の検出幅すなわちＸ−Ｙ＝Ｐ−血に投影した結晶すの投
影面積のＸ方向の幅が実質的にＸ方向でのサンプリング
間隔の２倍となるようにされている。そ−してこの半導
体放射線検出器３はＸ方向に１列に並べられ、さらにこ
のＸ方向の列かＹ方向に何列にも並べられる。各Ｘ方向
列では、となりのＸ方向列とＸ方向の位置が、Ｘ方向検
出幅の１／２だけずれるようにして配置されている。
図に示すように配列すれば、＋ｌｆ構成画像の質を低ト
させることなく半導体放射線検出器３の個数を減少させ
ることができる。第４図及び第５図において、傾消して
配置された半導体放射線検出器３の各々は、そのＸ方向
の検出幅すなわちＸ−Ｙ＝Ｐ−血に投影した結晶すの投
影面積のＸ方向の幅が実質的にＸ方向でのサンプリング
間隔の２倍となるようにされている。そ−してこの半導
体放射線検出器３はＸ方向に１列に並べられ、さらにこ
のＸ方向の列かＹ方向に何列にも並べられる。各Ｘ方向
列では、となりのＸ方向列とＸ方向の位置が、Ｘ方向検
出幅の１／２だけずれるようにして配置されている。
このように、Ｘ方向のサンプリング間隔の１つにつき１
個の半導体放射線検出器３を配置するのでなく、サンプ
リング間隔の２つ分の検出幅を持つ半導体放射線検出器
３をサンプリング間隔の２つにつき１個配置しているた
め、全体として半導体放射線検出器３の個数を１／２に
減少させることができる。しかもサンプリング定理によ
ると。
個の半導体放射線検出器３を配置するのでなく、サンプ
リング間隔の２つ分の検出幅を持つ半導体放射線検出器
３をサンプリング間隔の２つにつき１個配置しているた
め、全体として半導体放射線検出器３の個数を１／２に
減少させることができる。しかもサンプリング定理によ
ると。
限界周波数ではレスポンスは０になるがそれより下の周
波数では殆ど変らないので、ｊ−記のようにサンプリン
グ幅をサンプリング間隔の２倍とすることが最も有効で
ある。そのため、サンプリング間隔の２倍の検出幅を持
つ半導体放射線検出器３を用いても周波数応答が殆ど落
ちないので、ｉＩｆ構成画像の画質を低下させることが
ない。
波数では殆ど変らないので、ｊ−記のようにサンプリン
グ幅をサンプリング間隔の２倍とすることが最も有効で
ある。そのため、サンプリング間隔の２倍の検出幅を持
つ半導体放射線検出器３を用いても周波数応答が殆ど落
ちないので、ｉＩｆ構成画像の画質を低下させることが
ない。
なお、半導体放射線検出器３の検出幅は、厳格にサンプ
リング間隔の２倍とする必要はなく、実際には２倍以上
や２倍以下もあり得る。
リング間隔の２倍とする必要はなく、実際には２倍以上
や２倍以下もあり得る。
以上実施例について説明したように、この発明によれば
、半導体放射線検出器を用いた回転型放射線位置検出器
において、第１に半導体放射線検出器のエネルギ分解能
と感度とをともに向上させることかでき、第２に画ｒ（
を低下させずに半導体放射線検出器の配列個数を減少さ
せることができる。
、半導体放射線検出器を用いた回転型放射線位置検出器
において、第１に半導体放射線検出器のエネルギ分解能
と感度とをともに向上させることかでき、第２に画ｒ（
を低下させずに半導体放射線検出器の配列個数を減少さ
せることができる。
第１図は゛に導体放射線検出器を用いた回転型放射線位
置検出器の栓式的な斜視図、第２図は同プロ、り図、第
３図はこの発明の一実施例の一部を断面して示す部分拡
大斜視図、第４図は第２の実施例の部分拡大斜視図、第
５図は第４図の半導体放射線検出器の配列の全体を示す
概略平面図である。 ■・・・スラッ）・コリメータ ２・・・隔壁３・・・
’ｌ’： ；９体放射線検出器 ４・・・被写体５・・
・臓器 ６・・・位置計算回路７・・・
回転制御装置 ８・・・演算及び記憶装置９・・
・表示装置 ａ、ｃ・・・平面電極ｂ・・・
放射線感応半導体結晶 特５１出願人 株式会社島津製作所
置検出器の栓式的な斜視図、第２図は同プロ、り図、第
３図はこの発明の一実施例の一部を断面して示す部分拡
大斜視図、第４図は第２の実施例の部分拡大斜視図、第
５図は第４図の半導体放射線検出器の配列の全体を示す
概略平面図である。 ■・・・スラッ）・コリメータ ２・・・隔壁３・・・
’ｌ’： ；９体放射線検出器 ４・・・被写体５・・
・臓器 ６・・・位置計算回路７・・・
回転制御装置 ８・・・演算及び記憶装置９・・
・表示装置 ａ、ｃ・・・平面電極ｂ・・・
放射線感応半導体結晶 特５１出願人 株式会社島津製作所
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （＋） −１７板状の隔壁が放射線入射面上に多数平行
に配列されてスリットの配列が形成されているスラット
コリメータと、それぞれが放射線感応半導体結晶を対向
する平面電極ではさんで構成されており、このスラット
コリメータの裏面において放射線入射面１−に」−記ス
リット配列方向に配列される多数の半導体放射線検出器
とを備え、これら半導体放射線検出器の出力よりスリッ
ト配列方向でのサンプリング位置毎の放射線入射４１１
数の１次元分４ｊデータを求め、Ｌ記スラットコリメー
タを回転させて多方向での上記の１次元分布データを得
て、このデータを画像再構成処理して上記放射線入射面
１−での放射線入射個数の２次元分布像を再構成する回
転型放射線位置検出器において、上記多数の半導体放射
線検出器のそれぞれを、その平面電極が一ヒ記入射面に
対して直角に近い角度となるように傾斜して配置したこ
とを特徴とする回転型放射線位置検出器。 （２）平板状の隔壁が放射線入射面上に多数平行に配列
されてスリットの配列が形成されているスラッｉ・コリ
メータと、それぞれが放射線感応半導体結晶を対向する
平面電極ではさんで構成されており、このスラットコリ
メータの裏面において放射線入射面上に上記スリット配
列方向に配列される多数の半導体放射線検出器とを備え
、これら゛ｒ導体放射線検出器の出力よりスリット配列
方向でのサンプリング位置毎の放射線入射個数の１次元
分布データを求め、上記スラッＩ・コリメータを回転さ
せて多方向での上記の１次元分布データを９＋）で配置
した、このデータを画像ＦＴ構成処理して１゜記数射線
入射面上での放射線入射個数の２次元分布像を再構成す
る回転型放射線位置検出器において、上記スリット配列
方向に並べられたＩ−記多数の半導体放射線検出器のそ
れぞれを、その平面電極が上記入射面に対して直角に近
い角度となるように傾斜し、上記スリット配列方向の検
出幅が実ｒ′■的に１−記のサンプリング間隔の２倍と
なるように配置し、［［つ、１：、記スリット配列方向
に並ぶ半導体放射線検出器の列を上記スラット長方向に
複数列、各列で−１−記検出幅の１７２だけ上記スリッ
ト配列方向の位置がずれるようにして、配置したことを
４￥徴とする回転型放射線位置検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20982482A JPS5999384A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 回転型放射線位置検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20982482A JPS5999384A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 回転型放射線位置検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5999384A true JPS5999384A (ja) | 1984-06-08 |
Family
ID=16579219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20982482A Pending JPS5999384A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 回転型放射線位置検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5999384A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000054072A1 (en) * | 1999-03-10 | 2000-09-14 | Mamea Imaging Ab | Method and apparatus for detecting x-rays and use of such an apparatus |
| JP2009216716A (ja) * | 2009-06-29 | 2009-09-24 | Toshiba Corp | 核医学診断装置 |
| DE102009015563A1 (de) * | 2009-03-30 | 2010-10-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Röntgenstrahlungsdetektor zur Detektion von ionisierender Strahlung, insbesondere zur Verwendung in einem CT-System |
-
1982
- 1982-11-30 JP JP20982482A patent/JPS5999384A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000054072A1 (en) * | 1999-03-10 | 2000-09-14 | Mamea Imaging Ab | Method and apparatus for detecting x-rays and use of such an apparatus |
| US6878942B2 (en) | 1999-03-10 | 2005-04-12 | Sectra Mamea Ab | Method and apparatus for detecting X-rays |
| DE102009015563A1 (de) * | 2009-03-30 | 2010-10-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Röntgenstrahlungsdetektor zur Detektion von ionisierender Strahlung, insbesondere zur Verwendung in einem CT-System |
| US8466423B2 (en) | 2009-03-30 | 2013-06-18 | Siemens Aktiengesellschaft | X-ray radiation detector for detecting ionizing radiation, in particular for use in a CT system |
| DE102009015563B4 (de) * | 2009-03-30 | 2018-02-22 | Siemens Healthcare Gmbh | Röntgenstrahlungsdetektor zur Detektion von ionisierender Strahlung, insbesondere zur Verwendung in einem CT-System |
| JP2009216716A (ja) * | 2009-06-29 | 2009-09-24 | Toshiba Corp | 核医学診断装置 |
| JP4497557B2 (ja) * | 2009-06-29 | 2010-07-07 | 株式会社東芝 | 核医学診断装置 |
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