DE4018013A1 - Verfahren zur herstellung von elektrodenstrukturen fuer solarzellen - Google Patents
Verfahren zur herstellung von elektrodenstrukturen fuer solarzellenInfo
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- 229920003023 plastic Polymers 0.000 title claims abstract description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title abstract 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 59
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 13
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 210000003746 feather Anatomy 0.000 claims description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- BFMKFCLXZSUVPI-UHFFFAOYSA-N ethyl but-3-enoate Chemical compound CCOC(=O)CC=C BFMKFCLXZSUVPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000941 bile Anatomy 0.000 description 1
- 238000009954 braiding Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007596 consolidation process Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N nickel silver Chemical compound [Ni].[Ag] MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010956 nickel silver Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0475—PV cell arrays made by cells in a planar, e.g. repetitive, configuration on a single semiconductor substrate; PV cell microarrays
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung elektri
scher Front- und/oder Rückkontakte auf dem Halbleiterkörper
einer Solarzelle mit insbesondere welliger Oberfläche.
Solarzellen benötigen zur Abführung des Photostromes elektri
sche Front- und Rückkontakte. Diese Kontakte müssen an die
elektrische Leitfähigkeit des Halbleitermaterials angepaßt
sein und durfen den Serienwiderstand der Solarzelle nicht un
nötig erhöhen. Der Frontkontakt muß außerdem eine ausreichende
Menge des einfallenden Sonnenlichts zum Halbleiterkörper durch
lassen. Bei Solarzellen aus amorphem Material können zur Her
stellung des Frontkontaktes dünne leitfähige Oxidschichten
(TCO-Schichten) verwendet werden. Für die Frontkontakte von
Solarzellen aus elektrisch besser leitendem kristallinem oder
polykristallinem Halbleitermaterial sind metallische finger
förmig ausgebildete Elektrodenstrukturen erforderlich, um bei
möglichst geringer Abschattung des Sonnenlichts eine dennoch
ausreichend gute Stromableitung zu erzielen.
Während die Aufbringung der auch Grid genannten fingerförmigen
Frontkontakte auf Solarzellen mit glatten oder polierten Ober
flächen mit heute üblichen Aufdampf- oder Siebdruckverfahren
kostengünstig und problemlos erfolgen kann, ist die Herstel
lung eines Grid auf Solarzellen mit welligen oder rauhen Ober
flächen noch nicht befriedigend gelöst. Beim Aufdampfen der
Elektrodenstrukturen über Masken ergibt sich das Problem, daß
die Maske nicht eng genug an welligen Oberflächen von Halblei
terkörpern anliegt, so daß eine Unterdampfung an tieferliegen
den Stellen (Tälern) erfolgt. Eine exakte Elektrodenstruktur
läßt sich daher nicht erzeugen, vielmehr werden breitere Elek
trodenstrukturen als vorgesehen erzeugt. Auch eine Unterbre
chung einzelner Elektrodenfinger ist so möglich, was ebenfalls
zu einer verminderten Stromausbeute derartig kontaktierter
Solarzellen führt. Siebdruckverfahren auf unebenen Oberflächen
erfordern einen hohen technischen Aufwand und sind nicht ganz
problemlos durchzuführen. Für Düsenspritzverfahren fehlen noch
die geeigneten Pasten.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Verfahren
zum Erzeugen von Elektrodenstrukturen für Solarzellen anzuge
ben, welches auch die elektrische Kontaktierung welliger und
unebener Halbleiteroberflächen erlaubt und welches kostengün
stig durchzuführen ist.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren der eingangs genannten
Art gelöst, bei dem
- - der Halbleiterkörper auf der zu kontaktierenden Oberfläche mit einer transparenten, elektrisch leitfähigen Oxidschicht (TCO) versehen wird,
- - ganzflächig auf dieser Oxidschicht ein flexibles metallisches Netz aufgelegt wird und
- - der Halbleiterkörper mit dem Netz derart in eine transparen te Kunststoffolie eingeschweißt wird, daß durch die eng auf liegende Folie ein inniger elektrischer Kontakt des Netzes zur Oxidschicht gewährleistet ist.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sowie ein Verfahren zum
Erzeugen einer Serienverschaltung derartiger Solarzellen sind
den Unteransprüchen zu entnehmen.
Die erfindungsgemäße Verwendung eines metallischen Netzes er
zeugt eine nur geringe Abschattung aktiver Halbleiteroberflä
che. Da das Netz flexibel ist, kann es eng auf einer unebenen
Oberfläche aufliegen und dabei ausreichend elektrischen Kon
takt zu dieser herstellen, auch in den "Wellentälern" einer
welligen Oberfläche. Das Verfahren ist einfach durchzuführen,
da das Netz nur aufgelegt werden muß und keiner weiteren Be
festigung mehr bedarf. Die Größe bzw. Fläche des metallischen
Netzes ist der Größe der aktiven Fläche des Halbleiterkörpers
angepaßt und kann zur äußeren Kontaktierung bzw. zur elektri
schen Verschaltung mit der jeweils benachbarten Solarzelle zu
einem Modul einen entsprechend größeren Zuschnitt aufweisen.
Der innige elektrische Kontakt des Netzes zur Halbleiterober
fläche bzw. zur Oberfläche der TCO-Schicht wird durch das An
drücken der Folie erzeugt. Dabei stellt das Einschweißen in
die Kunststoffolie keinen zusätzlichen Verfahrensschritt dar,
da es sich um eine bekannte und für kristalline Solarzellen
bereits standardmäßig angewendete Maßnahme handelt.
Das metallische Netz ist so ausgelegt, daß es eine ausreichen
de Leitfähigkeit hat. Beispielsweise läßt es sich aus Drahtge
flecht ausführen, wobei Maschenweite des Netzes und Durchmes
ser der Einzeldrähte entsprechend der gewünschten Leitfähig
keit ausgelegt werden. Die erfindungsgemäße Herstellung eines
Frontkontaktes durch Auflegen eines metallischen Netzes und
anschließendes Einschweißen der so behandelten Halbleiterkör
per in Kunststoffolie stellt sowohl bezüglich der erforderli
chen Maßnahmen als auch bezüglich des Materials eine äußerst
kostengünstige Alternative zu bekannten Verfahren dar, die
außerdem zu einer Solarzelle mit einem guten elektrischen
Frontkontakt bei gleichzeitig minimaler Abschattung der aktiven
Fläche führt.
Das Netz ist vorzugsweise aus Draht gefertigt, wobei wegen der
geforderten Leitfähigkeit und der Flexibilität des Drahtes bzw.
des Netzes vor allem Silber- und Kupferdraht in Frage kommen.
Die Drähte sind miteinander verflochten, damit die Auflagepunk
te des Netzes auf der TCO-Schicht, welche auch den elektri
schen Kontakt zum Halbleiterkörper herstellen, möglichst gleich
mäßg über die aktive Fläche verteilt sind. Zur besseren Anpas
sung an die Oberfläche ist das Netz außerdem elastisch, um ein
gutes Anschmiegen an die Oberfläche zu ermöglichen. Dies wird
erreicht, wenn der Draht zwischen den Knoten bzw. Verknüpfungs
punkten des Netzes nicht gerade verläuft. Durch mehrfaches Ab
knicken oder eine wellige Verbiegung des Drahtes wird eine
Längenreserve geschaffen, die das Netz elastisch macht. Durch
eine wellige oder geknickte Struktur des Drahtes werden auch
die Kontaktpunkte mit der Oberfläche vorgegeben. In einer be
vorzugten Ausführungsform der Erfindung ist der Draht des
Netzes zu einer Spiralfeder gebogen, wobei die Spirale einen
runden oder einen eckigen, zum Beispiel einen dreieckigen Quer
schnitt aufweist. Auch ein zu einer Zickzackfeder gebogener
Draht ergibt ein elastisches Netz.
Zum Einschweißen des mit einer Netzelektrode versehenen Halb
leiterkörpers werden bekannte Verfahren angewandt. Möglich ist
zum Beispiel das Einschweißen in einen Kunststoffolienschlauch,
oder auch das Verschweißen des Halbleiterkörpers zwischen zwei
getrennte Folien. Ein enges Anliegen der Folie auf dem mit dem
metallischen Netz versehenen Halbleiterkörper wird vorteil
hafterweise durch Reduzierung des Drucks bzw. durch Anlegen
eines Vakuums erreicht. Durch Evakuierung des Luftvolumens
zwischen Halbleiterkörper und Kunststoffolie liegt die Kunst
stoffolie dicht an der Oberfläche des Halbleiterkörpers an,
drückt dabei das Netz auf die Oberfläche und fixiert es in
dieser Stellung.
Geeignete Materialien für die Kunststoffolie müssen entspre
chend lichtdurchlässig sein, das heißt für die Strahlung
transparent sein, für die die Solarzelle empfindlich ist. Um
eine lange Lebensdauer der Solarzelle zu gewährleisten, muß
die Folie auch alterungsstabil sein und darf sich während der
Lebensdauer der Solarzelle unter Einwirkung von Licht und Luft
nicht in diesen wichtigen Eigenschaften verändern. Außerdem
muß die Folie schweißfähig sein, eine gewisse Elastizität auf
weisen und mechanisch ausreichend stabil sein, um die Solar
zellenanordnung, das heißt eine oder mehrere Solarzellen ein
schließlich des Netzes stabil zu fixieren. Ein für bekannte
Verfahren zum Einschweißen von Solarzellen bereits verwendetes
Kunststoffolienmaterial ist Ethylvinylacetat (EVA), welches
auch für den Zweck der Erfindung hervorragend geeignet ist.
Erfindungsgemäß kann eine einzelne Zelle, vorteilhafterweise
jedoch mehrere zu einem Modul serienverschaltete Solarzellen
in einem Arbeitsgang eingeschweißt werden.
Die im ersten Schritt des erfindungsgemäßen Verfahrens auf dem
Halbleiterkörper aufzubringende TCO-Schicht dient als Antire
flexschicht und übernimmt bereits teilweise Elektrodenfunktion.
Wichtige Eigenschaften sind daher die elektrische Leitfähig
keit und die Transparenz der TCO-Schicht. Sie muß einen gerin
geren Flächenwiderstand als das Material des Halbleiterkörpers
aufweisen und bezüglich der Transparenz die gleichen Anforde
rungen wie die Kunststoffolie erfüllen. Geeignet sind nahezu
sämtliche bekannten TCO-Materialien, insbesondere Indium-Zinn-
Oxid (ITO), fluordotiertes Zinn-Oxid, fluordotiertes Zinkoxid,
zinndotiertes Titanoxid oder Zinkoxid und beliebige Mischungen
dieser Materialien.
Aufgebracht wird die TCO-Schicht ebenfalls nach bekannten Ver
fahren, beispielweise durch Aufdampfen, durch CVD-Verfahren
unter Zersetzung entsprechend flüchtiger metallorganischer Ver
bindungen in einer Sauerstoffatmosphäre oder durch eine Sprüh
technik.
Die Verwendung eines flexiblen Metallnetzes als Elektrode im
erfindungsgemäßen Verfahren erlaubt es in einfacher Weise,
mehrere Solarzellen durch einfache Maßnahmen in Serie zu einem
Modul zusammenzuschalten. Dazu wird das die Elektrode bildende
Netz so auf den Halbleiterkörper bzw. die TCO-Schicht aufge
legt, daß es einseitig über eine Kante des Halbleiterkörpers
übersteht. Auf diesen überstehenden Teil des Netzes wird nun
eine zweite Solarzelle mit ihrer Rückelektrode aufgelegt, so
daß ein elektrischer Kontakt zwischen Frontelektrode (Netz)
der ersten Solarzelle mit der Rückelektrode der zweiten Solar
zelle hergestellt wird, was einer Serienverschaltung der beiden
Zellen entspricht. Auf gleiche Weise kann eine beliebige An
zahl derartig mit einem Netz bedeckter Solarzellen in einfacher
Weise serienverschaltet werden, wobei durch das gemeinsame Ein
schweißen des gesamten Moduls in Plastikfolie sowohl der me
chanische Zusammenhalt des Moduls erreicht, als auch eine sta
bile Verschaltung gewährleistet wird.
Eine weitere Methode der Serienverschaltung läßt sich in ein
facher Weise derart bewerkstelligen, wenn aus mehreren mit
einem Netz versehenen Halbleiterkörpern ein versetzter (schie
fer) Stapel gebildet wird, wobei zwei benachbarte Halbleiter
körper jeweils nur in einem kleinen Bereich ihrer Fläche über
lappen und alle Solarzellen in der gleichen Richtung gegenüber
der jeweils darunterliegenden Solarzelle versetzt sind. Beim
Verschweißen eines solchen schiefen Stapels wird ebenfalls in
einem Schritt sowohl die elektrische Kontaktierung als auch
die Serienverschaltung des Stapels erzielt.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von drei Ausführungsbei
spielen und der dazugehörigen fünf Figuren näher erläutert.
Dabei zeigt
die Fig. 1 eine Ausführungsform des metallischen flexiblen
Netzes,
die Fig. 2 die Anordnung einer Solarzelle mit Netz und Kunst
stoffolie vor dem Verschweißen im schematischen
Querschnitt,
die Fig. 3 eine erfindungsgemäß mit Elektrode versehene und
eingeschweißte Solarzelle im schematischen Quer
schnitt und
die Fig. 4 und 5 zwei Ausführungsbeispiele für eine Serien
verschaltung erfindungsgemäß hergestellter Solar
zellen.
Fig. 1 zeigt eine Ausführung für ein Netz, welches im erfin
dungsgemäßen Verfahren vorteilhaft zur Erzeugung eines elektri
schen Frontkontaktes für Solarzellen verwendet werden kann.
Das Netz 5 besteht beispielsweise aus Spiralfedern aus Kupfer
draht, welche lose zu einem Netz verschlungen sind. Die Spira
len sind dabei gedehnt, um auf der Solarzelle keine zu großen
Abschattungen des einfallenden Sonnenlichts zu bewirken. Durch
die gedehnten Spiralen wird weiterhin gewährleistet, daß die
Berührungspunkte des Netzes mit einer Unterlage in regelmäßi
gem Abstand voneinander liegen, so daß beim Aufliegen auf rau
hen Oberflächen ein guter Kontakt auch in Vertiefungen herge
stellt werden kann.
Als Halbleiterkörper für das Ausführungsbeispiel werden bandför
mige Siliziumkristalle verwendet, wie sie beispielsweise nach
einem aus der DE-OS 37 36 341 bekannten Verfahren hergestellt
werden. Dazu werden Siliziumbänder an einem netzartigen Träger
körper auskristallisiert, welcher waagrecht über die Oberflä
che einer Siliziumschmelze gezogen wird. Je dünner das erhal
tene Siliziumband ist, umso stärker ist dessen Oberfläche von
der Struktur des Trägerkörpers geprägt.
Ein solches Siliziumband wird nun in Halbleiterkörper einer
für Solarzellen geeigneten Größe zersägt oder gebrochen. Die
Halbleiterkörper 1 werden zunächst in bekannten Verfahren mit
einem metallischen Rückseitenkontakt 2 versehen, beispielswei
se durch Aufdampfen einer Aluminiumschicht. An der gegenüber
liegenden Oberfläche wird durch Eindiffundieren eines eine
n-Leitung erzeugenden Dotierstoffes in geringer Tiefe ein
pn-Übergang 3 in dem p-leitenden Halbleiterkörper 1 erzeugt.
Auf der dünnen n⁺-dotierten Schicht wird nun eine dünne TCO-
Schicht 4 erzeugt, beispielsweise durch CVD-Abscheidung von
fluordotiertem Zinnoxid (SnO2:F). Diese weist bei einer Dicke
von 100 bis 300 nm (zum Beispiel 200 nm) einen Flächenwider
stand von 10 Ohm per Square auf. Darauf wird ein in der Fig.
1 dargestelltes flexibles Metallnetz 5 aufgelegt, welches
beispielsweise eine lichte Maschenweite a von ca. 1 bis 3 mm
aufweist. Aufgrund der Welligkeit der Halbleiterkörperoberflä
che bzw. der Oberfläche der TCO-Schicht 4 liegt das Netz 5 nur
auf den höhergelegenen Wellenbergen der welligen Oberfläche 4
auf.
Der derart mit dem Netz 5 versehene Halbleiterkörper 1 wird
nun zwischen zwei transparente Kunststoffolien aus EVA (6, 7)
gelegt. Fig. 2 stellt die Anordnung in diesem Stadium dar.
Durch Anlegen von Vakuum wird nun die Luft aus dem Raum zwi
schen den Kunststoffolien 6 und 7 und somit aus dem Raum zwi
schen den Folien und dem Halbleiterkörper entfernt. Dabei
schmiegt sich die ebenfalls elastische Kunststoffolie (6, 7)
eng an das Netz 5 bzw. die dazwischenliegende Oberfläche des
mit der TCO-Schicht 4 versehenen Halbleiterkörpers 1 an. Wie
aus der Fig. 3 deutlich zu erkennen ist, wird dabei das Netz
5 eng an die Oberfläche des Halbleiterkörpers 1 angedrückt,
wobei auch in den "Wellentälern" der Oberfläche ein guter
Kontakt zwischen Netz 5 und Oberfläche 4 des Halbleiterkörpers
1 hergestellt wird.
Es soll anstelle der im ersten Ausführungsbeispiel hergestell
ten bzw. erfindungsgemäß mit einem elektrischen Frontkontakt
versehenen Solarzelle eine Vielzahl dieser Solarzellen durch
weitere Maßnahmen während des erfindungsgemäßen Verfahrens zu
einem photovoltaischen Modul serienverschaltet werden. Dazu
wird wie im ersten Ausführungsbeispiel bis zum Auflegen des
Netzes verfahren. Allerdings werden die Netze 8 so zugeschnit
ten, daß sie beim Auflegen auf die Halbleiterkörper 1 an einer
Seite mit einem Teil 9 den Halbleiterkörper 1 überlappen. Auf
diesen überlappenden Teil 9 des Netztes 8 wird nun ein weite
rer ebenfalls mit Netz versehener Halbleiterkörper 1′ derart
aufgelegt, daß ein Kontakt zwischen Netz 9 und dem elektri
schen Rückkontakt 2 des zweiten Halbleiterkörpers hergestellt
wird. In gleicher Weise wird der Halbleiterkörper 1′ mit einem
weiteren Halbleiterkörper 1′′ und dieser mit weiteren elek
trisch in Serie geschaltet. Ist eine gewünschte Anzahl von
Einzelzellen verschaltet, wird die gesamte Anordnung zwischen
zwei Kunststoffolien (6, 7) gelegt, die Zwischenräume evakuiert
und die Folien in den die Zellen bzw. das Modul überlappenden
Bereichen verschweißt. Die Fig. 4 zeigt diese Anordnung im
schematischen Querschnitt.
Es werden Halbleiterkörper 1 wie im ersten Ausführungsbeispiel
mit Rückkontakt, pn-Übergang, TCO-Schicht und metallischem
flexiblen Netz versehen. Eine gewünschte Anzahl derartiger An
ordnungen wird nun übereinandergestapelt, wobei jede Solarzel
le gegenüber der darunterliegenden in der gleichen Richtung
seitlich versetzt ist, so daß sie nur mit einem geringen Teil
ihrer Oberflächen überlappen. Dort wird dadurch ein elektri
scher Kontakt der Halbleiterkörper hergestellt, der zur Serien
verschaltung der gesamten Anordnung führt. In einem Arbeits
schritt werden nun sowohl die Elektroden auf den Halbleiter
körpern als auch die einzelnen Halbleiterkörper in der Stapel
anordnung fixiert, indem die gesamte Anordnung zwischen zwei
Plastikfolien unter Anlegen eines Vakuums eingeschweißt wird.
Bei allen vorgestellten Ausführungsbeispielen ist ein Verlöten
der einzelnen Zellen mit versilberten Kupfer- oder Neusilber
bändchen nicht mehr notwendig. Durch die Spiralform der Metall
drähte ist dem Netz eine mechanische Spannung eingebaut, die
für einen ständigen Druck auf die TCO-Schicht 4 sorgt. Dies
ist vor allem dann von Vorteil, wenn eine Solarzelle während
der Tag- und Nachtzyklen starken Temperaturwechseln ausgesetzt
ist, die aufgrund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungs
koeffizienten zu Verspannungen in der Solarzelle bzw. Modul
führen können.
Claims (9)
1. Verfahren zum Erzeugen von elektrischen Front- und/oder
Rückkontakten auf dem Halbleiterkörper (1) einer Solarzelle
mit insbesondere welliger Oberfläche, bei dem
- - der Halbleiterkörper (1) auf der zu kontaktierenden Ober fläche mit einer transparenten elektrisch leitfähigen Oxid schicht (4) (TCO) versehen wird,
- - ganzflächig auf dieser Oxidschicht (4) ein flexibles metal lisches Netz (5) aufgelegt wird und
- - der Halbleiterkörper (1) mit dem Netz (5) derart in eine transparente Kunststoffolie (6, 7) eingeschweißt wird, daß durch die eng aufliegende Folie ein inniger elektrischer Kontakt des Netzes (5) zur Oxidschicht (4) gewährleistet ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Einschweißen des mit dem Netz (5)
versehenen Halbleiterkörpers (1) im Vakuum oder unter reduzier
tem Druck erfolgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß ein aus Drahtspiralen beste
hendes Netz aufgelegt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß ein aus Zickzackfedern beste
hendes Netz aufgelegt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß ein aus Kupfer- oder Silber
draht bestehendes Netz aufgelegt wird.
6. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die mit
einem Netz versehenen Halbleiterkörper in eine Folie aus EVA
eingeschweißt werden.
7. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß das Netz
(8) so aufgelegt wird, daß es einseitig über eine Kante des
Halbleiterkörpers (1) übersteht und daß vor dem Einschweißen
ein gleichartiger Halbleiterkörper (1′) mit elektrisch leitfä
higem Rückkontakt auf den überstehenden Teil (9) des Netzes
(8) so aufgelegt wird, daß beim Einschweißen eine Serienver
schaltung der beiden Halbleiterkörper (1, 1′) erzielt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß eine gewünschte Anzahl gleichartiger
Solarzellenhalbleiterkörper zu einem photovoltaischen Modul
verschaltet wird.
9. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß das Netz je
weils bündig auf die Oxidschicht der Halbleiterkörper aufge
legt wird, auf einem ersten dieser mit Netz versehenen Halblei
terkörper ein zweiter gleichartiger Halbleiterkörper derart
aufgelegt wird, daß lediglich ein schmaler Bereich der Ober
fläche des ersten Halbleiterkörpers entlang einer Seitenkante
überlappt wird, anschließend auf der gegenüberliegenden Ober
flächenkante dieses zweiten Halbleiterkörpers in gleicher
Weise ein dritter und auf den jeweils letzten schließlich
weitere Halbleiterkörper aufgelegt werden, bis eine gewünschte
Anzahl von Solarzellen zur Serienverschaltung übereinander
liegt und daß die gesamte Anordnung anschließend in die Kunst
stoffolie eingeschweißt wird, wobei sowohl zwischen einer Ober
fläche und dem darüberliegenden Netz als auch zwischen Netz
und dem Rückseitenkontakt des jeweils benachbarten Halbleiter
körpers im Überlappungsbereich eine stabile elektrisch leiten
de Verbindung entsteht.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4018013A DE4018013A1 (de) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | Verfahren zur herstellung von elektrodenstrukturen fuer solarzellen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4018013A DE4018013A1 (de) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | Verfahren zur herstellung von elektrodenstrukturen fuer solarzellen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4018013A1 true DE4018013A1 (de) | 1991-12-12 |
Family
ID=6407825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4018013A Withdrawn DE4018013A1 (de) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | Verfahren zur herstellung von elektrodenstrukturen fuer solarzellen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4018013A1 (de) |
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- 1990-06-05 DE DE4018013A patent/DE4018013A1/de not_active Withdrawn
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