DE102009008788B4

DE102009008788B4 - Leuchtdiode als Halbleiterbauelement, Halbleiterstruktur und Verfahren zur Herstellung derselben

Info

Publication number: DE102009008788B4
Application number: DE102009008788A
Authority: DE
Inventors: Chau Fatt Chiang; Hsieh Ting Kuek
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2008-03-19
Filing date: 2009-02-13
Publication date: 2013-03-28
Anticipated expiration: 2029-02-14
Also published as: US8273584B2; US20090236615A1; US20110092001A1; DE102009008788A1; US7947990B2

Abstract

Halbleiterbauelement (20), aufweisend: eine Halbleiterstruktur (24) mit einer Vielzahl von Schichten, einer zur Lichtemission eingerichteten Hauptoberfläche, und zumindest einer ersten Seite und einer zweiten Seite, welche direkt bei der Hauptoberfläche angeordnet sind, wobei eine erste Schicht (50) einen P-dotierten Bereich auf der ersten Seite und einen ersten Leiterabschnitt auf der zweiten Seite beinhaltet, wobei eine zweite Schicht (52) einen N-dotierten Bereich auf der zweiten Seite und einen zweiten Leiterabschnitt auf der ersten Seite beinhaltet, und wobei die erste Schicht (50) die Hauptoberfläche beinhaltet; eine erste Elektrode (26), die direkt elektrisch mit dem P-dotierten Bereich auf der ersten Seite der Halbleiterstruktur (24) gekoppelt ist; und eine zweite Elektrode (28), die direkt elektrisch mit dem N-dotierten Bereich auf der zweiten Seite der Halbleiterstruktur (24) gekoppelt ist.

Description

Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Halbleiterbauelement und seine Herstellung. Die vorliegende Offenbarung betrifft insbesondere ein Halbleiterbauelement, das eine Leuchtdiode auf Waferebene enthält, und ein Verfahren zum Herstellen des eine Leuchtdiode auf der Waferebene enthaltenden Halbleiterbauelements.
Eine Leuchtdiode (LED – Light Emitting Diode) ist ein Halbleiterbauelement, das elektrische Leistung in eine Lichtquelle transformiert. Das Halbleiterbauelement besitzt ein Gebiet vom p-Typ und ein Gebiet vom n-Typ, durch einen Übergang getrennt. Das Gebiet vom p-Typ wird von positiven elektrischen Ladungen dominiert, und das Gebiet vom n-Typ wird von negativen elektrischen Ladungen dominiert. Der Übergang dient als eine Barriere für den Elektronenfluss zwischen dem Gebiet vom p-Typ und dem Gebiet vom n-Typ. Nur wenn an das Halbleiterbauelement eine ausreichende Spannung angelegt wird, kann der Strom fließen und können die Elektronen den Übergang von dem Gebiet vom n-Typ zum Gebiet vom p-Typ überqueren. Nachdem ein Elektron das Gebiet vom p-Typ betritt, wird es mit einer positiven Ladung rekombiniert und emittiert ein Lichtphoton. Die Charakteristiken dieses Lichts, wie etwa seine Farbe, hängen von dem Design und den Materialien ab, die im Halbleiterbauelement verwendet werden, und viele verschiedene Designs und Materialien sind wohlbekannt.
Im Vergleich mit anderen Lichtquellen besitzt die LED Vorteile hinsichtlich geringer Eingangsspannung, geringem Stromverbrauch und kurze Ansprechzeit. Zudem kann die LED in Massen produziert werden und hat ein geringes Gewicht. Die LED ist in vielen Bereichen des modernen Lebens allgegenwärtig, einschließlich den Gebieten der Elektronik, Kommunikation, Kraftfahrzeugwesen und Gebrauchsgüter.
Da sich der Markttrend in Richtung auf dünne und kleine Elektronikprodukte hinbewegt, wie etwa auf dem Handymarkt, sind auch die LED-Hersteller gezwungen, ihre Designs weiter zu verbessern, um eine kleinere LED bereitzustellen. Zu herkömmlichen LED-Herstellungstechniken zählen Chip-Bonden und Draht-Bonden, Vergießen, Plattieren, und einige erfordern Beschneidungs- und Ausformprozesse. Aufwendige Herstellungsschritte vergrößern den Aufwand bei der Herstellung einer LED. Die gegenwärtigen Herstellungsschritte produzieren weiterhin eine LED, die sowohl breit als auch dick ist, und das Gesamtvolumen der LED ist viel größer als das Ideal im Vergleich zu der tatsächlich lichterzeugenden Fläche der LED.
Eine herkömmliche LED-Struktur erfordert eine Stromquelle, die von einer Halbleiterstruktur bereitgestellt wird, die entlang einer Seite einer Leuchtdiode positioniert ist. Die Leuchtdiode enthält einen Abschnitt vom p-Typ nahe der Oberseite, einen Abschnitt vom n-Typ nahe dem Boden und emittiert Licht von der Oberseite. Strom fließt in die lichtemittierende Struktur und wird mit einem Draht, der durch Löten an der Oberseite der Leuchtdiode angebracht ist, um den Abschnitt vom p-Typ der lichtemittierenden Struktur zu kontaktieren, an das Gebiet vom p-Typ geliefert. Strom verläßt die Leuchtdiode durch ein Substrat unter der lichtemittierenden Struktur. Dies führt zu einer LED, die signifikant breiter und dicker ist als die Leuchtdiode.
Aus der Druckschrift US 5 162 878 A ist eine Leuchtdiodenanordnung bekannt, in der die Anordnung aus einer n-Typ Gallium Arsenide (GaAs) Zwischenschicht auf einem p-Typ GaAs Substrat aufgebaut ist. Die Oberfläche des Emissionsbereichs ist eine Schicht die eingerichtet ist, totale Reflektion zu verhindern, durch eine Sägezahn-förmige Ausführung.
Es wird ein Halbleiterbauelement mit einer Leuchtdiode auf der Waferebene dargestellt und beschrieben. Das Halbleiterbauelement weist in einem Ausführungsbeispiel auf: Eine Halbleiterstruktur mit einer Vielzahl von Schichten, einer zur Lichtemission eingerichteten Hauptoberfläche, und zumindest einer ersten Seite und einer zweiten Seite, welche direkt bei der Hauptoberfläche angeordnet sind, wobei eine erste Schicht einen P-dotierten Bereich auf der ersten Seite und einen ersten Leiterabschnitt auf der zweiten Seite beinhaltet, wobei eine zweite Schicht einen N-dotierten Bereich auf der zweiten Seite und einen zweiten Leiterabschnitt auf der ersten Seite beinhaltet, und wobei die erste Schicht die Hauptoberfläche beinhaltet; eine erste Elektrode, die direkt elektrisch mit dem P-dotierten Bereich auf der ersten Seite der Halbleiterstruktur gekoppelt ist; und eine zweite Elektrode, die direkt elektrisch mit dem N-dotierten Bereich auf der zweiten Seite der Halbleiterstruktur gekoppelt ist.
Die beiliegenden Zeichnungen sind aufgenommen, um ein eingehenderes Verständnis von Ausführungsformen zu vermitteln, und sind in diese Spezifikation aufgenommen und stellen einen Teil dieser dar. Die Zeichnungen veranschaulichen Ausführungsformen und dienen zusammen mit der Beschreibung der Erläuterung von Prinzipien von Ausführungsformen. Andere Ausführungsformen und viele der damit einhergehenden Vorteile von Ausführungsformen lassen sich ohne weiteres verstehen, wenn sie durch Bezugnahme auf die folgende ausführliche Beschreibung besser verstanden werden. Die Elemente der Zeichnungen sind relativ zueinander nicht notwendigerweise maßstabsgetreu. Gleiche Bezugszahlen bezeichnen entsprechende ähnliche Teile.
1 ist eine isometrische Ansicht einer schematischen Darstellung einer LED der vorliegenden Erfindung.
2 ist eine Seitenansicht einer schematischen Darstellung der LED von 1.
3 ist eine Seitenschnittansicht einer schematischen Darstellung eines bei der Herstellung der LED von 1 verwendeten Halbleiterwafers.
4 ist eine Seitenschnittansicht eines Herstellungsmerkmals der LED von 1 von dem Wafer von 3.
5 ist eine Seitenschnittansicht eines weiteren Herstellungsmerkmals der LED von 1 von dem Wafer von 3.
6A ist eine Seitenschnittansicht eines weiteren Herstellungsmerkmals der LED von 1 von dem Wafer von 3.
6B ist eine Draufsicht auf das Herstellungsmerkmal von 6A.
7 ist eine Seitenschnittansicht eines weiteren Herstellungsmerkmals der LED von 1 von dem Wafer von 3.
8A ist eine Seitenansicht eines Herstellungsmerkmals der LED von 1 von dem Wafer von 3.
8B ist eine Draufsicht auf das Herstellungsmerkmal von 8A.
Die vorliegende Erfindung stellt einen LED-Herstellungsprozess bereit, der die Notwendigkeit für das Chip-Bonden und das Draht-Bonden bei der Prozessierung eliminiert. Mit der Eliminierung dieser Schritte wird die resultierende LED von der Größe her reduziert, ohne im Vergleich zu herkömmlichen LEDs die effektive Lichtabgabe zu opfern. Außerdem können sowohl die Kosten für die Herstellung als auch die Länge der Prozesszykluszeit reduziert werden.
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beiliegenden Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil hiervon bilden und in denen als Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung praktiziert werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „Oberseite”, „Unterseite”, „Seite” usw. unter Bezugnahme auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Weil Komponenten von Ausführungsformen in einer Reihe verschiedener Orientierungen positioniert sein können, wird die Richtungsterminologie zu Zwecken der Darstellung verwendet und ist in keiner Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen genutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einem einschränkenden Sinne zu verstehen, und der Schutzbereich der vorliegenden Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert.
Es versteht sich, dass die Merkmale der verschiedenen hierin beschriebenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch etwas anderes angegeben ist.
Die Erfindung betrifft Halbleiterbauelemente und die Herstellung von Halbleiterbauelementen wie etwa Leuchtdioden. Die Erfindung anhand der Figuren beschreibt die Leuchtdioden und ihre Herstellung unter Bezugnahme auf mehrere erläuternde Beispiele. Die vorliegende Erfindung könnte jedoch als andere Halbleiterbauelemente, auch als andere Formen von Leuchtdioden, implementiert werden. Weiterhin können die Herstellungsprozesse mit anderen Schritten oder in anderer Reihenfolge als der unten beschriebene Prozess implementiert werden. Die vorliegende Erfindung wird bezüglich der in den Figuren gezeigten Beispiele nur für veranschaulichende Zwecke beschrieben. Andere Beispiele werden in Betracht gezogen und werden unten erwähnt oder lassen sich auf andere Weise von einem Fachmann ausdenken. Der Schutzbereich der Erfindung ist nicht auf die wenigen Beispiele beschränkt, das heißt die beschriebenen Ausführungsformen der Erfindung. Vielmehr wird der Schutzbereich der Erfindung durch Bezugnahme auf die beigefügten Ansprüche definiert. Änderungen können an den Beispielen vorgenommen werden, einschließlich nicht offenbarter alternativer Designs, und immer noch innerhalb des Schutzbereichs der Ansprüche liegen.
1 veranschaulicht ein Halbleiterbauelement mit einer Leuchtdiode (LED) 20 der vorliegenden Offenbarung, an eine Stromquelle 21 gekoppelt, die einen Stromfluss 22 liefert. Die LED 20 enthält eine Halbleiterstruktur 24 und ein Paar leitender Elektroden 26, 28. Die leitenden Elektroden 26, 28 koppeln die Halbleiterstruktur 24 so an die Stromquelle 21, dass der Strom von der Stromquelle 21 durch die Halbleiterstruktur 24 fließt, was verursacht, dass die Halbleiterstruktur 24 Licht 30 emittiert.
Die Halbleiterstruktur 24, wie etwa eine Diode, enthält eine Übergangsschicht 32 und eine Übergangsschicht 34 und ist von mehreren Oberflächen begrenzt. Die Halbleiterstruktur 24 emittiert Licht von einer oberen Hauptoberfläche 36, die von einer unteren Oberfläche 38 in einem Abstand angeordnet ist. Die Halbleiterstruktur 24 enthält auch eine erste Seitenfläche 40 und eine zweite Seitenfläche 42. Bei dem Beispiel ist die erste Seitenfläche 40 mit der Übergangsschicht 32 und die zweite Seitenfläche 42 mit der Übergangsschicht 34 gekoppelt. Die erste Elektrode 26 ist direkt mit der ersten Seitenfläche 40 gekoppelt und die zweite Elektrode 28 ist direkt mit der zweiten Seitenfläche 42 gekoppelt.
Die LED 20 kann weiterhin eine lichtdurchlässige Schicht 48 enthalten, die über der oberen Hauptoberfläche 36 liegt. Die lichtdurchlässige Schicht 48 gestattet den Austritt des Lichts aus der LED 20 von der oberen Hauptoberfläche 36. Bei einem Beispiel ist die lichtdurchlässige Schicht 48 allgemein transparent. Dazu kann die transparente Schicht 48 aus einem Harz oder einem anderen geeigneten Material ausgebildet sein, das auf der Halbleiterstruktur 24 während seiner Herstellung aufgebracht wird. Bei einem Beispiel wird das transparente Material während der Konstruktion eines Halbleiterwafers aufgebracht. Bei dem gezeigten Beispiel liegt das Harz sowohl über der oberen Hauptoberfläche 36 als auch den Elektroden 26, 28.
Die Halbleiterstruktur 24 kann jede geeignete einzelne von zahlreichen Formen annehmen. In einem in 2 dargestellten populären Beispiel ist die Halbleiterstruktur 24 als mehrere Schichten ausgebildet, die von der oberen Hauptoberfläche 36 zur unteren Oberfläche 38 angeordnet sind. Bei einer allgemeinen Ausführungsform enthält die P-Schicht 50 die obere Hauptoberfläche 36, die das Licht 30 emittiert. Eine N-Schicht 52 ist von der P-Schicht 50 in einem Abstand angeordnet. In dem Beispiel sind die P-Schicht 50 und die N-Schicht 52 teilweise mit einem P-dotierten Materialbereich 58 bzw. einem N-dotierten Materialbereich 60 gefüllt. Die übrigen Bereiche der Schichten 50, 52 sind mit den Leitern 62 bzw. 64 gefüllt. Bei dem Beispiel enthält die obere Hauptoberfläche 36 einen Bereich 58 vom P-Typ und den Leiter 62 und die untere Oberfläche 38 den Bereich 60 vom N-Typ und einen separaten Leiter 64. In diesem Fall ist die erste Elektrode 26 direkt mit dem den Bereich der P-Schicht 50 einnehmenden Leiter 62 gekoppelt, und die zweite Elektrode 28 ist direkt mit dem den Bereich der N-Schicht 52 einnehmenden Leiter 64 gekoppelt.
Eine Reihe von anderen Schichten, wie etwa Schichten 54, 56 in dem Beispiel, können zwischen der P-Schicht 50 und einer N-Schicht 52 ausgebildet sein. Diese anderen Schichten können Schichten sein, die sich für das Definieren der Charakteristiken und der Farbe des emittierten Lichts oder anderer Charakteristiken der LED eignen. Bei noch weiteren Beispielen braucht die N-Schicht 52 nicht die untere Oberfläche der LED zu enthalten. Vielmehr kann die N-Schicht 52 über einer anderen Schicht oder über anderen Schichten liegen, die dann die untere Oberfläche enthalten würden.
Bei dem gezeigten besonderen Beispiel ist der Bereich 58 vom P-Typ aus einem Galliumnitrid (GaN) vom P-Typ und der Bereich 60 vom N-Typ aus einem Galliumnitrid (GaN) vom N-Typ ausgebildet. Andere Materialien vom P-Typ und N-Typ können verwendet werden, um Übergänge auszubilden. Die Leiter 62, 64 enthalten ein elektrisch leitendes Material. Die Leiter können beispielsweise eine metallische Substanz wie etwa ein leitendes reines Metall oder eine leitende reine Metallegierung enthalten. Bei einem Beispiel bestehen die Leiter 62, 64 aus Gold (Au). Die Schichten 54, 56 können zwei verschiedene Siliziummaterialien sein, die Designcharakteristiken zu den Funktionen der LED 20 liefern. Viele andere spezifische Beispiele der Halbleiterstruktur 24 werden in Betracht gezogen, und diese spezifischen Beispiele liegen innerhalb des Schutzbereichs dieser Offenbarung. Auch in diesem Beispiel ist es der Fall, dass die Leiter 62, 64 weniger Fläche in Anspruch nehmen als die Bereiche vom P-Typ 58 und N-Typ 60 in den Schichten 50 bzw. 52, wenngleich andere Konfigurationen in Betracht gezogen werden.
3 veranschaulicht einen Querschnitt einer Länge eines Halbleiterwafers 80, was die Veranschaulichung eines allgemeinen Herstellungsprozesses zum Herstellen der LED 20 unterstützt. Der Wafer 80 besitzt mehrere Schichten, einschließlich einer P-Schicht 50 und einer N-Schicht 52. Bei diesem Beispiel entspricht die obere Oberfläche 36 der oberen Oberfläche der P-Schicht 50 und die untere Oberfläche 38 der n-Schicht 52. Andere Schichten sind möglich, wie etwa eine Schicht 82 zwischen den Schichten 50 und 52. Die Schicht 50 enthält mehrere erste Leiter 32, die durch mehrere Abschnitte 58 vom P-Typ entlang der Länge des Wafers 80 voneinander in einem Abstand angeordnet sind. Die Schicht 52 enthält mehrere zweite Leiter 34, die durch mehrere Bereiche 60 vom N-Typ entlang der Länge des Wafers 80 voneinander beabstandet sind. Die Umrisslinien 84 werden verwendet, um die Darstellung der Orte der Halbleiterstrukturen 24 von oben zu unterstützen, wie sie auf dem Wafer erscheinen würden.
Während des Prozesses zum Herstellen der LED 20 wird der Wafer 80 so ausgebildet, dass er mehrere Mulden enthält, die von der oberen Oberfläche entlang Umrisslinien 84 zu der unteren Oberfläche verlaufen. Die Mulden definieren Seitenflächen 40, 42 der Halbleiterstrukturen 24, die aus dem Wafer ausgebildet werden. Die Mulden werden dann mit einem elektrisch leitenden Material gefüllt. Das elektrisch leitende Material wird durch den Wafer auch entlang der Umrisslinien 84 geschnitten, die dann Elektroden aus dem elektrisch leitenden Material bilden und den Wafer in oben gezeigte Halbleiterstrukturen 24 unterteilen würde.
Bei einem Beispiel kann eine durchscheinende Schicht vor der Ausbildung der Mulden auf die obere Oberfläche 36 gegossen werden. Der Schnitt durch den Wafer kann so erweitert werden, daß er die durchscheinende Schicht durchschneidet. Bei dem Beispiel ist die Halbleiterstruktur so ausgelegt, daß sie eine Leuchtdiode bereitstellt, wenngleich der Prozeß wie beschrieben zum Erzeugen anderer Halbleiterbauelemente verwendet werden kann, wo Elektroden entlang der Seite des Bauelements anstatt auf der oberen Hauptoberfläche erforderlich sind.
Eine detailliertere Darstellung des Prozesses zum Herstellen der LED ist in 4 bis 8 dargelegt.
4 ist eine Seitenansicht des Wafers 80, wobei die untere Oberfläche 38 auf einem Herstellungsartikel 86 wie etwa einer Laminierungsfolie aufgebracht ist. Bei dem Beispiel ist ein Material 90 auf die obere Hauptoberfläche 36 des Wafers gegossen oder ausgeformt. Bei diesem Beispiel ist das Material 90 lichtdurchlässig. Bevorzugt ist das Material 90 allgemein transparent. Bei dem Beispiel ist das Material 90 ein Harz, das durch Härten auf dem Wafer 80 gehärtet wird, wie etwa durch Verwendung von Ultraviolettstrahlung. 5 ist eine Seitenansicht des Wafers 80 und der lichtdurchlässigen Schicht 90, wo sie auf einen zweiten Herstellungsartikel 88 transferiert worden sind und der erste Herstellungsartikel 86 entfernt worden ist, um die untere Oberfläche 38 zur weiteren Herstellung der LED zu exponieren.
6A ist eine Seitenansicht des Wafers 80 und der lichtdurchlässigen Schicht 90, nachdem Mulden 92 in dem Wafer 80 entlang seiner Länge ausgebildet worden sind. Bei diesem Beispiel verlaufen die Mulden 92 durch den Wafer 80, aber nicht durch die lichtdurchlässige Schicht 90. 6B ist eine Draufsicht auf den Wafer 80 und die Mulden 92. Bei dem Beispiel sind die Mulden 92 durch jeden des ersten Leiters 32 und des zweiten Leiters 34 entlang der Länge des Wafers 80 gesägt. Die Mulden 92 sind relativ weite Schnitte, die parallel, wie im Beispiel gezeigt, über die Länge des Wafers 80 verlaufen. Die Mulden 92 dienen auch dazu, die erste Seitenfläche 40 und die zweite Seitenfläche 42 der sich ausbildenden Halbleiterstrukturen 20 in dem Prozess zu definieren.
7 ist eine Seitenansicht des Wafers 80, bei dem die Mulden mit einem elektrisch leitenden Material 94 gefüllt worden sind. Nachdem das elektrisch leitende Material 94 ausreichend gehärtet ist oder zum Schneiden bereit ist, wird der Wafer wieder geschnitten oder gesägt, allgemein vereinzelt, wie in 8 gezeigt. Wie in 8A gezeigt, wird das elektrisch leitende Material 94 mit einer Klinge, die relativ dünner ist als die zum Ausbilden der Mulden 92 verwendete Klinge, bevorzugt halbiert, wie mit Bezugszeichen 95 gezeigt ist. Auf diese Weise kann das elektrisch leitende Material 94 in zwei Bereiche zerlegt werden, die die Elektroden von getrennten LEDs 96, 98 bilden. Eine Stromquelle kann direkt an die Elektroden angeschlossen werden, um die LEDs zu betreiben, und zwar ohne zusätzliche Schritte des Chip-Bondens entlang der Länge oder Breite der LED und des Draht-Bondens entlang der Höhe der LED. 8B zeigt, dass der Wafer 80 wieder geschnitten werden kann, und zwar dieses Mal entlang der Länge des Wafers, um jede LED zu vereinzeln. Bei einem Beispiel erfolgt der Schnitt in einer Richtung senkrecht zu dem Schnitt durch das elektrisch leitende Material 94. Der zweite Herstellungsartikel 88 oder die Laminierungsfolie wird ebenfalls entfernt.
Eine zusätzliche Herstellung kann durchgeführt werden. Die LED kann vor der Kapselung auf eine bekannte Weise auf einem Streifen magaziniert werden. Die LED kann auch getestet werden, indem die Elektroden an eine Stromquelle angeschlossen werden. Eine zusätzliche Herstellung kann in Betracht gezogen werden. Bei dem Design der vorliegenden Offenbarung besteht jedoch kein Bedarf, zusätzliche Strukturen bei der LED chipzubonden, und es besteht keine Notwendigkeit, die LED mit einem Draht von einer der zusätzlichen Strukturen auf der oberen Oberfläche der LED drahtzubonden.

Claims

Halbleiterbauelement (20), aufweisend: eine Halbleiterstruktur (24) mit einer Vielzahl von Schichten, einer zur Lichtemission eingerichteten Hauptoberfläche, und zumindest einer ersten Seite und einer zweiten Seite, welche direkt bei der Hauptoberfläche angeordnet sind, wobei eine erste Schicht (50) einen P-dotierten Bereich auf der ersten Seite und einen ersten Leiterabschnitt auf der zweiten Seite beinhaltet, wobei eine zweite Schicht (52) einen N-dotierten Bereich auf der zweiten Seite und einen zweiten Leiterabschnitt auf der ersten Seite beinhaltet, und wobei die erste Schicht (50) die Hauptoberfläche beinhaltet; eine erste Elektrode (26), die direkt elektrisch mit dem P-dotierten Bereich auf der ersten Seite der Halbleiterstruktur (24) gekoppelt ist; und eine zweite Elektrode (28), die direkt elektrisch mit dem N-dotierten Bereich auf der zweiten Seite der Halbleiterstruktur (24) gekoppelt ist.
Halbleiterbauelement (20) nach Anspruch 1, wobei die Halbleiterstruktur (24) mindestens drei Schichten aufweist.
Halbleiterbauelement (20) nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Halbleiterstruktur (24) vier Seiten direkt bei der Hauptoberfläche aufweist.
Halbleiterbauelement (20) nach Anspruch 3, wobei die Halbleiterstruktur (24) ferner eine untere Oberfläche ebenfalls direkt bei den vier Seiten und gegenüber der Hauptoberfläche aufweist.
Halbleiterbauelement (20) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die erste Elektrode (26) und die zweite Elektrode (28) einander über die Halbleiterstruktur (24) gegenüberliegen.
Halbleiterbauelement (20) nach eine der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Leuchtdiode (20) für eine Verbindung zu einer Stromquelle (21) geeignet ist, die einen Stromfluss erzeugt, wobei die Elektroden (26, 28) auch eingerichtet sind, an die Stromquelle (21) zu koppeln und den Strom durch die Halbleiterstruktur (24) durchzulassen.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 6, wobei die Halbleiterstruktur (24) mehrere Schichten aufweist, die ausgelegt sind, Licht (30) zu erzeugen und den Strom von dem ersten Leiterabschnitt zu dem zweiten Leiterabschnitt durchzulassen.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, wobei der erste Leiterabschnitt bei und koplanar mit einer Halbleiterschicht aus Galliumnitrid vom P-Typ verläuft und der zweite Leiterabschnitt bei und koplanar mit einer Halbleiterschicht aus Galliumnitrid vom N-Typ verläuft.
Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 6 bis 8 und ferner aufweisend eine über der Hauptoberfläche liegende lichtdurchlässige Schicht.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 9, wobei die lichtdurchlässige Schicht allgemein transparent ist.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 9 oder 10, wobei die lichtdurchlässige Schicht ferner über der ersten Elektrode (26) und der zweiten Elektrode (28) liegt.
Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements (20), wobei das Verfahren folgendes aufweist: Bereitstellen eines Halbleiterwafers mit einer oberen Hauptoberfläche und einer der oberen Hauptoberfläche gegenüberliegenden unteren Oberfläche, wobei der Halbleiterwafer zwischen der oberen Hauptoberfläche und der unteren Oberfläche mehrere Schichten aufweist, einschließlich einer P-Schicht mit mehreren ersten Leitern, die entlang einer Länge des Halbleiterwafers voneinander durch Abschnitte vom P-Typ in einem Abstand zueinander angeordnet sind, und eine N-Schicht mit mehreren zweiten Leitern, die entlang der Länge des Halbleiterwafers durch Abschnitte vom N-Typ in eiem Abstand zueinander angeordnet sind und von den ersten Leitern in einem Abstand angeordnet und versetzt sind; Ausbilden einer lichtdurchlässigen Schicht auf der oberen Hauptoberfläche des Halbleiterwafers; Ausbilden des Halbleiterwafers, so dass er mehrere Mulden entlang der Länge des Halbleiterwafers aufweist, wobei die Mulden von der unteren Oberfläche in die lichtdurchlässige Schicht und durch den ersten Leiter und den zweiten Leiter verlaufen, wobei die Mulden Seitenflächen der Halbleiterstruktur (24) entlang der Länge des Halbleiterwafers definieren; Füllen der Mulden mit einem an die Seitenflächen gekoppelten elektrisch leitenden Material und Schneiden durch jede der gefüllten Mulden, um aus den elektrisch leitenden Materialien Elektroden auszubilden.
Verfahren nach Anspruch 12 und ferner aufweisend das Platzieren der unteren Oberfläche auf einen ersten Laminierungsartikel vor der lichtdurchlässigen Schicht auf der oberen Hauptoberfläche, und Transferieren des Halbleiterwafers auf einen zweiten Laminierungsartikel durch Platzieren der lichtdurchlässigen Schicht auf den zweiten Laminierungsartikel.
Verfahren nach Anspruch 13, wobei das Ausbilden der lichtdurchlässigen Schicht das Gießen eines Harzes auf die obere Hauptoberfläche und Härten des Harzes auf der oberen Hauptoberfläche beinhaltet.
Verfahren nach eine der Ansprüche 12 bis 14, wobei die lichtdurchlässige Schicht allgemein transparent ist.
Verfahren nach eine der Ansprüche 12 bis 15, wobei das Ausbilden der mehreren Mulden das Schneiden der mehreren Mulden in den Halbleiterwafer entlang der Länge des Halbleiterwafers und in einer Richtung allgemein orthogonal zu der Länge des Halbleiterwafers beinhaltet.
Verfahren nach Anspruch 16, wobei das Schneiden durch jede der gefüllten Mulden das Schneiden durch den Halbleiterwafer und die lichtdurchlässige Schicht beinhaltet.
Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 17, und ferner aufweisend das Schneiden des Halbleiterwafers und der lichtdurchlässigen Schicht entlang der Länge der Halbleiterstruktur (24).
Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 18, wobei die Mulden von der unteren Oberfläche zu der oberen Hauptoberfläche und durch den ersten Leiter und den zweiten Leiter verlaufen.
Verfahren nach Anspruch 19, wobei das Ausbilden der Halbleiterschichten das Ausbilden mindestens einer Schicht zwischen der P-Schicht und der N-Schicht aufweist.
Halbleiterstruktur (20), aufweisend: einen P-dotierten Bereich; einen mit dem P-dotierten Bereich in elektrischer Kommunikation stehenden N-dotierten Bereich; eine erste Elektrode (26) in elektrischem Kontakt mit dem P-dotierten Bereich, wobei aller Strom zwischen dem P-dotierten Bereich und der ersten Elektrode (26) durch eine Randoberfläche des P-dotierten Bereichs fließt; und eine zweite Elektrode (28) in elektrischem Kontakt mit dem N-dotierten Bereich, wobei aller Strom zwischen dem N-dotierten Bereich und der zweiten Elektrode durch eine Randoberfläche des N-dotierten Bereichs fließt.
Halbleiterstruktur (20) nach Anspruch 21, wobei die Randoberfläche des P-dotierten Bereichs der Dicke des P-dotierten Bereichs entspricht und die Randoberfläche des N-dotierten Bereichs der Dicke des N-dotierten Bereichs entspricht.