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Hintergrund der Erfindung
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Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Plattierungsvorrichtung zum
Durchführen einer stromlosen Plattierung, die auf einen
Wafer angewendet wird.
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Beschreibung des Stands der
Technik
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In
letzter Zeit ist die Plattierungstechnologie umfangreich in verschiedenen
Technologiebereichen angewendet worden, wie zum Beispiel in einem,
in dem eine Verdrahtung für Halbleiterchips angewendet
wird. Auf dem Gebiet der Halbleiterindustrie ist es erforderlich,
dass der Rasterabstand der Leitungen verringert wird, um eine hohe
Integration und Leistung zu erreichen. Zum Beispiel werden bei einer
in den letzten Jahren eingesetzten Verdrahtungstechnik Verdrahtungsrillen
auf einem Oxidfilm, der auf einem Siliziumwafer ausgebildet ist,
in einem Trockenätzverfahren erzeugt. Die Verdrahtungsrillen werden
plattiert, worin ein Verdrahtungsmaterial eingebettet wird.
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Gemäß einem
Verfahren zum Plattieren eines derartigen Objekts, das als Wafer
oder dergleichen plattiert wird, offenbart
JP2002-327291 A ein Elektroplattierungsverfahren,
worin eine Anodenplatte einer zu plattierenden Oberfläche
eines zu plattierenden Objekts, das in einer Plattierungslösung
eingetaucht ist, gegenüberstehend angeordnet ist, frische
Plattierungslösung auf die zu plattierende Oberfläche
ausgestoßen wird und die zu plattierende Oberfläche
durch Anlegen einer Spannung zwischen der zu plattierenden Oberfläche
und der Anodenplatte plattiert wird.
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Der
Vorgang zum Ausbilden einer Plattierungsschicht braucht jedoch etwas
Zeit. Das herkömmliche Elektroplattierungsverfahren erfordert das
Ausführen einer Reihe von Arbeitsvorgängen für jedes
zu plattierende Objekt und ist für das Verkürzen und
Rationalisieren von Arbeitsvorgängen einer Plattierungsbearbeitung,
bei der eine Anzahl von zu plattierenden Objekten plattiert werden,
nicht geeignet.
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Wie
in
7 dargestellt ist, offenbart
JP2002-339078A eine stromlose
Plattierungshaltevorrichtung
110, bei der eine zu plattierende
Oberfläche
121 eines Wafers
120, der
ein zu plattierendes Objekt ist, freiliegend gehalten wird. Die
mehrfache Zahl der stromlosen Plattierungshaltevorrichtungen
110 ist
aufeinander gestapelt, verbunden und in eine Plattierungslösung
131 eingetaucht,
die in einem Plattierungsbecken
130 enthalten ist, um so
das stromlose Plattieren auszuführen.
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Die
Plattierungslösung 131 in dem Plattierungsbecken 130 erzeugt
jedoch bei dem Plattierungsvorgang Wasserstoff. Je höher
dementsprechend die Dichte des Wasserstoffs wird, desto näher zu
der Oberfläche der Plattierungslösung wird die Tiefe
der Plattierungslösung in der Plattierungsanlage. Daher
werden gemäß dem stromlosen Plattierungsverfahren,
bei dem die herkömmliche Plattierungshaltevorrichtung 110 verwendet
wird, die Dicken der elektroplattierten Schichten inhomogen, die auf
dem in einer seichten Tiefe angeordneten Wafer 120 und
dem in einer tiefen Tiefe angeordneten Wafer 120 gebildet
werden.
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Die
Temperatur eines oberen Teils der Plattierungslösung 131 wird
höher als jene eines unteren Teils der Plattierungslösung 131.
Dementsprechend ist die Bildungsgeschwindigkeit einer Plattierungsschicht
auf dem Wafer 120, der in dem oberen Teil der Plattierungslösung 131 angeordnet
ist, höher als jene einer Plattierungsschicht auf dem Wafer 120, der
in dem unteren Teil der Plattierungslösung 131 angeordnet
ist. Die Dicken der Plattierungsschichten, die auf den in dem oberen
Teil und dem unteren Teil der Plattierungslösung 131 angeordneten
Wafern 120 gebildet werden, werden inhomogen.
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Kurze Zusammenfassung der
Erfindung
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Ein
Aspekt der vorliegenden Erfindung stellt eine Plattierungshaltevorrichtung
bereit, die verhindert, dass eine auf jedem zu plattierenden Objekt ausgebildete
Plattierungsschicht inhomogen wird, und ermöglicht, dass
die Plattierungsschicht gleichmäßig gebildet wird,
wenn mehrere zu plattierende Objekt gleichzeitig plattiert werden.
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Die
Plattierungshaltevorrichtung der vorliegenden Erfindung hält
ein zu plattierendes Objekt und wird in die Plattierungslösung
eingetaucht und um eine horizontal angeordnete Rotationsachse gedreht.
Die Plattierungshaltevorrichtung umfasst mehrere Haltestäbe,
die parallel zu der Rotationsachse angeordnet sind; und ein Paar
Endplatten zum Befestigen beider Enden der mehreren Haltestäbe,
worin ein Haltestab und die anderen Haltestäbe geeignet
positioniert sind, wodurch das zu plattierende Objekt gehalten wird,
und mehrere Aussparungen auf den Haltestäben in vorbestimmten
Abstanden entlang der Rotationsachse ausgebildet sind.
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Eine
Rotationsachse der Plattierungshaltevorrichtung der vorliegenden
Erfindung ist horizontal angeordnet. Die zu plattierenden Objekte
werden bei dem Plattierungsvorgang gedreht. Dementsprechend kann,
selbst wenn sich die Temperatur der Plattierungslösung
und die Dichte des Wasserstoffs in der Tiefe der Plattierungslösung
unterscheiden, die Plattierungshaltevorrichtung verhindern, dass
eine Dicke einer Plattierungsschicht, die auf einer zu plattierenden
Oberfläche gebildet wird, inhomogen wird. Die Haltestäbe,
auf denen mehrere Aussparungen ausgebildet sind, können
mehrere zu plattierende Objekte halten. Dementsprechend kann die
Plattierungshaltevorrichtung den Plattierungsvorgang durchführen,
worin mehrere zu plattierende Objekte gleichzeitig plattiert werden,
wodurch die Arbeitsvorgänge zum Plattieren verkürzt
und rationalisiert werden.
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Wenn
die auf den Haltestäben der Plattierungshaltevorrichtung
ausgebildeten Aussparungen in einem V-förmigen Querprofil
ausgebildet sind, kann eine aneinander grenzende Fläche
zwischen dem zu plattierenden Objekt und dem Haltestab verringert
werden und die Plattierungslösung kann gleichmäßig
in die Aussparungen strömen. Daher sind die V-förmigen
Aussparungen geeignet, den Plattierungsvorgang in einem weiten Bereich
durchzuführen.
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Wenn
mehrere Haltestäbe der Plattierungshaltevorrichtung in
regelmäßigen Abständen angeordnet sind,
wird eine auf die zu plattierenden Objekte einwirkende Spannung
gleichmäßig verteilt, indem die zu plattierenden
Objekte im Gleichgewicht gehalten werden. Dementsprechend sind die
Haltestäbe geeignet, die Zerstörung der zu plattierenden
Objekte zu verhindern.
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Ferner
können ebenso vier Haltestäbe hinsichtlich der
Plattierungshaltevorrichtung angeordnet sein.
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Die
Plattierungshaltevorrichtung der vorliegenden Erfindung kann den
Plattierungsvorgang durchführen, worin eine Dicke einer
Plattierungsschicht, die auf jedem zu plattierenden Objekt gebildet
wird, gleichmäßig wird, wenn mehrere zu plattierende
Objekte gleichzeitig plattiert werden.
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Kurzbeschreibung der Zeichnungen
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1 ist
eine perspektivische Ansicht einer Plattierungsvorrichtung der bevorzugten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
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2 ist
eine Vorderseitenansicht der in 1 dargestellten
Plattierungsvorrichtung.
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3 ist
eine Seitenansicht, die einen Mechanismus einer in 1 dargestellten
Plattierungshaltevorrichtung darstellt.
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4 ist
eine Vorderseitenansicht der in 1 dargestellten
Plattierungshaltevorrichtung.
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5 ist
eine perspektivische Explosionsansicht zur Erläuterung
eines Verfahrens zum Einsetzen eines zu plattierenden Objekts in
die in 1 dargestellte Plattierungshaltevorrichtung.
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6A, 6B und 6C sind
perspektivische Teilansichten zur Erläuterung von Verfahren zum
Einsetzen, Befestigen und Entfernen der Plattierungshaltevorrichtung
an einem Halteelement, das die in 1 dargestellte
Plattierungsvorrichtung bildet.
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7 ist
eine Querschnittsansicht einer Plattierungshaltevorrichtung des
Stands der Technik.
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Ausführliche Beschreibung
der bevorzugten Ausführungsformen
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Die
bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird
beschrieben. 1 ist eine perspektivische Ansicht
einer Plattierungsvorrichtung der Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung. 2 ist eine Vorderseitenansicht
der Plattierungsvorrichtung. 3 ist eine
Seitenansicht, die einen Mechanismus einer Plattierungshaltevorrichtung
der Ausführungsform darstellt. 4 ist eine
Vorderseitenansicht der Plattierungshaltevorrichtung. 5 ist eine
perspektivische Explosionsansicht zur Erläuterung eines
Verfahrens zum Einsetzen eines zu plattierenden Objekts in die Plattierungshaltevorrichtung. 6A, 6B und 6C sind
perspektivische Teilansichten zur Erläuterung von Verfahren
zum Einsetzen, Befestigen und Entfernen der Plattierungshaltevorrichtung
an einem Halteelement, das die Plattierungsvorrichtung der Ausführungsform
bildet.
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Die
Plattierungsvorrichtung 1 der Ausführungsform
plattiert einen Siliziumwafer 3 (3 und 4),
der ein zu plattierendes Objekt ist. Wie in den 1 und 2 dargestellt
ist, enthält die Plattierungsvorrichtung 1 eine
Plattierungshaltevorrichtung 2 zum Halten des zu plattierenden
Objekts, ein Haltelement 4 zum drehbaren Halten der Plattierungshaltevorrichtung 2 und
einen Antriebsmechanismus 5 zum Übertragen einer
Antriebskraft an die Plattierungshaltevorrichtung 2, wodurch
die Plattierungshaltevorrichtung um eine Rotationsachse gedreht wird.
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Wie
in 3 dargestellt ist, ist die Plattierungsvorrichtung 1 in
einem Plattierungsbecken 6 angeordnet, das die Plattierungslösung 61 enthält, worin
wenigstens die Plattierungshaltevorrichtung 2 während
des Betriebs vollständig eingetaucht ist. Die Plattierungshaltevorrichtung 2,
die die Siliziumwafer 3 hält, wird um die horizontale
Rotationsachse durch Betreiben der Plattierungsvorrichtung 1 gedreht.
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Wie
in den 1 und 2 dargestellt ist, ist die Plattierungshaltevorrichtung 2 drehbar
an beiden Enden hiervon über Gleitlager 24 an
einer unteren Stelle der Halteelemente 4 gelagert. Ein
Ende (Zahnrad 25) der Plattierungshaltevorrichtung 2 ist
mit dem Antriebsmechanismus 5 verbunden. Eine Drehbewegung
eines Motors 50, der an einer oberen Stelle der Halteelemente 4 angeordnet
ist, wird an die Plattierungshaltevorrichtung 2 über
den Antriebsmechanismus 5 (Zahnräder 51 bis 53) übertragen.
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Im
Folgenden wird hierin jeder Teil der Plattierungsvorrichtung 1 im
Einzelnen beschrieben.
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Die
Plattierungshaltevorrichtung 2, die in die Plattierungslösung
eingetaucht ist und um die horizontale Rotationsachse gedreht wird,
ist ein Element zum Halten der Wafer 3. Die Plattierungshaltevorrichtung 2 umfasst
vier Haltestäbe 20 und ein Paar Endplatten 21,
die beide Enden des Haltestabs 20 befestigen. Die vier
Haltestäbe befinden sich parallel zu einer Rotationsachse
CL und sind an den Umfangen der Endplatten 21 angeordnet,
deren Mittelpunkt sich auf der Rotationsachse CL befindet.
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Ein
Haltestab 20 und die anderen drei Haltestäbe 20 sind
in einem konstanten Abstand auf dem Umfang der Endplatte 21 angeordnet,
wodurch die Wafer 3 gehalten werden. Diese Haltestäbe 20,
die die Wafer 3 halten (3), sind
in einer solchen Weise angeordnet, dass eine auf die Wafer 3 einwirkende
Spannung gleichmäßig verteilt wird. Wie in 4 dargestellt
ist, ist jeder Haltestab 20 an seinen Enden mit den Endplatten 21 über
einen Bolzen 22 befestigt.
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Wie
in 4 dargestellt ist, sind fünf Aussparungen 20a in
einem konstanten Abstand entlang der Rotationsachse CL an jedem
Haltestab 20 ausgebildet, wodurch die Wafer 3 sicher
gehalten werden. Die fünf Aussparungen 20a, die
an den Haltestäben 20 ausgebildet sind, gestatten
es, dass fünf Wafer 3 gleichzeitig gehalten werden.
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Jede
der fünf Aussparungen 20a ist in einem V-förmigen
Querprofil ausgebildet, wodurch die Abmessungen der Kontaktfläche
zwischen dem Wafer 3 und dem Haltestab 20 verringert
wird und die Plattierungslösung 61 gleichmäßig
in die Aussparungen 20a strömen kann.
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Die
Anzahl der Haltestäbe 20, die in der Plattierungsvorrichtung 2 angeordnet
sind, ist nicht begrenzt. Die Anzahl der Haltstäbe 20 kann
verändert werden. Zum Beispiel können drei oder
fünf Haltestäbe eingesetzt werden.
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Der
Haltestab 20 kann ebenfalls verlängert sein, wodurch
eine größere Anzahl Wafer 3 gehalten wird.
Die Anzahl der Aussparungen 20a ist nicht begrenzt, sonder
kann nach Bedarf geändert werden. Das Querprofil der Aussparung 20a ist
nicht auf das V-förmige Querprofil beschränkt,
sondern kann nach Bedarf geändert werden.
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Wie
in 4 dargestellt ist, sind die Endplatten 21 an
beiden Enden der Haltestäbe angeordnet und befestigen die
vier Haltestäbe 20 mit Bolzen 22.
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Wie
in 5 dargestellt ist, ist eine U-förmige
Nut 21a in der Endplatte 21 ausgebildet, so dass einer
(Haltestab 20') der vier Haltestäbe 20 entfernbar
angeordnet ist, wenn die Wafer 3 eingesetzt und entfernt
werden. Bolzenlöcher (nicht dargestellt) sind in den Endplatten 21 ausgebildet,
worin die anderen drei Haltestäbe 20 unbeweglich
angeordnet sind.
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Wie
in 2 dargestellt ist, sind Achsstangen 23 auf
den Endplatten 21 auf der Rotationsachse CL der Plattierungshaltevorrichtung 2 vorstehend
angeordnet. Jede Achsstange wird drehbar durch die Gleitlager 24 gehalten,
die durch das Halteelement 4 befestigt sind. Ferner ist
ein Zahnrad 25 einstückig an einer Endspitze einer
Achsstange 23 (Achsstange 23 auf der linken Seite
in 2) ausgebildet und dreht die Plattierungshaltevorrichtung
unter Verwendung der Antriebskraft, die von dem Motor 50 über
die Zahnräder 51, 52 und 53 übertragen
wird.
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Wie
in den 1 und 2 dargestellt ist, ist das Halteelement 4 ein
Acrylharzelement, das ein Gehäuse der Plattierungsvorrichtung 1 bildet,
das die Plattierungshaltevorrichtung 2 und den Antriebsmechanismus 5 trägt.
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In
der wie in 2 dargestellten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung umfasst das Halteelement 4 ein
Paar Seitenplatten 40 und Seitenelemente 41. Die
Seitenelemente 40 sind seitlich zwischen den Seitenplatten 40 angeordnet
und mit den Seitenplatten an beiden Enden hiervon verbunden. Ein
Abdeckelement 42 ist mittels der Seitenelemente 41 an
der Seite einer Seitenplatte 40 des Halteelements 4 angeordnet,
so dass die Zahnräder 51, 52, 53 und 25 bedeckt
sind.
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Wie
in den 6A und 6B dargestellt ist,
ist eine Führungsnut 43 in der Seitenplatte 40 ausgebildet.
Die Führungsnut 43 lagert das Gleitlager 24,
das die Achsstange 23 hält, verschiebbar.
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Wie
in 6A dargestellt ist, ist die Führungsnut 43 schräg
ausgebildet, so dass ein Unterteil unterhalb eines Öffnungsteils
angeordnet ist, was verhindert, dass das Gleitlager 24 der
Plattierungshaltevorrichtung 2 durch die Schwerkraft herausfallt.
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Wie
in den 6A und 6B dargestellt ist,
ist die Breite der Führungsnut 43 in Übereinstimmung
mit dem Außendurchmesser des Gleitlagers 24 ausgebildet,
so dass die Breite der Führungsnut 43 gleich dem
Außendurchmesser des Gleitlagers 24 ist. Die Plattierungshaltevorrichtung 2 ist
von dem Halteelement 4 entfernbar, indem die Gleitlager 24, die
die Achsstange 23 halten, verschiebbar gelagert sind. Dementsprechend
kann, da die Plattierungshaltevorrichtung 2 leicht entfernt
und neu eingesetzt werden kann, die Betriebseffizienz, wie zum Beispiel der
Wechsel der Plattierungshaltevorrichtung 2, das Entfernen
und neu Einsetzen der Wafer 3, verbessert werden.
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Wie
in 6C dargestellt ist, ist ein Befestigungselement 44 in
dem Haltelement 4 angeordnet, damit sich die Gleitlager 24,
die die Achsstangen 23 halten, während des Betriebs
der Plattierungsvorrichtung 1 (während des Betriebs
der drehend angetriebenen Plattierungshaltevorrichtung 2)
nicht aus der Führungsnut 43 lösen.
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Wie
in den 1 und 6C dargestellt ist, verhindert
das Befestigungselement 44 während des Betriebs
der Plattierungsvorrichtung 1 (während des Betriebs
der drehend angetriebenen Plattierungshaltevorrichtung 2),
dass sich die Plattierungshaltevorrichtung 2 aus dem Halteelement 4 Rist.
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Wie
in den 6B und 6C dargestellt ist,
ist das Befestigungselement 4 ein Acrylharzelement, um
die Achsstangen 23 mittels der Gleitlager 24 drehbar
zu halten, so dass das Haltelement 4 (Führungsnut 43)
verhindern kann, dass die Achsstangen 23 während
des Betriebs der drehend angetriebenen Plattierungshaltevorrichtung
herausfallen. Ein ausgesparter Teil 44a des Befestigungselements 44 ist
in Übereinstimmung mit dem Außendurchmesser des
Gleitlagers 24 gebildet, wodurch das Gleitlager 24 drehbar
gehalten wird. Dementsprechend verhindert der ausgesparte Teil 44a,
dass die Plattierungshaltevorrichtung 2 aus dem Halteelement 4 während
des Betriebs der Plattierungsvorrichtung 1 (während
des Betriebs der drehend angetriebenen Plattierungshaltevorrichtung 2)
herausfallt, was einen stabilen Plattierungsbetrieb auszuführen
gestattet.
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Zum
Beispiel ist das Befestigungselement 44 mit dem Halteelement 4 durch
Schrauben (nicht dargestellt) eines PEEK-Harzes (Polyetheretherketon) oder
dergleichen befestigt, so dass das Halteelement 4 verhindern
kann, dass die Plattierungshaltevorrichtung 2 während
des Betriebs der drehend angetriebenen Plattierungshaltevorrichtung
herausfällt.
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In
der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist das
Gleitlager 24, das die Achsstange 23 hält,
verschiebbar gelagert und die Plattierungshaltevorrichtung 2 wird
durch das Befestigungselement 44 befestigt. Wenn die Plattierungshaltevorrichtung 2 drehbar
gelagert ist, kann die Achsstange jedoch ebenso direkt in der Führungsnut 43 ohne
Verwendung des Gleitlagers 24 verschiebbar gelagert sein. Dementsprechend
kann die Plattierungshaltevorrichtung 2 ebenso durch das
Halteelement 4 drehbar gelagert sein. Ferner ist in diesem
Fall die Achsstange 23 direkt durch das Befestigungselement 44 drehbar befestigt.
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Das
Verfahren zum Halten der Plattierungshaltevorrichtung 2 ist
nicht beschränkt, sondern kann geändert werden.
Zum Beispiel kann ein vorstehender Teil ebenso an der Führungsnut 43 als
ein haltender Teil ausgebildet sein, wodurch das Gleitlager 24 ohne
Verwendung des Befestigungselements 44 gehalten wird.
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Der
Antriebsmechanismus 5 wird durch eine elektrische Energiequelle
und einem Mittel zum Übertragen der elektrischen Leistung
gebildet, um so die Plattierungshaltevorrichtung 2 drehend
anzutreiben. Wie in 2 dargestellt ist, enthält
der Antriebsmechanismus 5 einen Motor 5, ein Zahnrad 51,
das an einer Antriebswelle 50a des Motors 50 befestigt ist,
ein Zahnrad 52, das mit dem Zahnrad 51 in Eingriff
steht, und ein Zahnrad 53, das mit dem Zahnrad 52 in
Eingriff steht. Der Motor 50 ist an einem oberen Teil des
Halteelements 4 angeordnet. Die Zahnräder 51, 52 und 53 sind
an einer Seitenfläche (Seitenfläche auf der linken
Seite in 2) des Haltelements 4 angeordnet.
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Der
Motor 50 ist innerhalb eines Abdeckelements 54,
das mit dem Haltelement 4 befestigt ist, angeordnet, was
verhindert, dass die Plattierungslösung 61 auf
den Motor 50 spritzt, wenn die Plattierungsvorrichtung 1 in
das Plattierungsbecken 6 abgesetzt wird und wenn die Plattierungshaltevorrichtung 2 drehend
angetrieben wird.
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Der
Antriebsmechanismus 5 kann den Motor 5 antreiben,
die Drehbewegung der Antriebswelle 50a des Motors 50 über
das Zahnrad 51 an das Zahnrad 52 übertragen
und das Zahnrad 52 drehen. Dann kann der Antriebsmechanismus 5 die
Drehbewegung des Zahnrads 52 an das Zahnrad 53 über das
Zahnrad 52 übertragen, das Zahnrad 53 drehen und
anschließend das Zahnrad 25 drehen, das mit dem
Zahnrad 53 in Eingriff steht. Folglich kann der Antriebsmechanismus 5 die
Plattierungshaltevorrichtung 2 und die durch die Plattierungshaltevorrichtung 2 gehaltenen
Wafer 3 um die Rotationsachse CL über die Achsstangen 23,
die mit dem Zahnrad 25 verbunden sind, drehend antreiben.
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Die
die Zahnräder 51, 52 und 53 bildenden Werkstoffe
sind nicht beschränkt, sofern die Werkstoffe eine Chemikalienbeständigkeit
(Plattierungslösungsbeständigkeit) aufweisen.
Zum Beispiel können für die Zahnräder
ein Polymethylpentenharz (TPX, eingetragene Marke) und ein Polypropylenharz
eingesetzt werden. In der Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung wird die Drehbewegung des Motors 50 an die Plattierungshaltevorrichtung 2 über die
Zahnräder 51, 52, 53 und 25 übertragen.
Die Drehbewegung des Motors 50 kann jedoch ebenso an die
Plattierungshaltevorrichtung 2 über einen Riemen übertragen
werden, der aus den Materialien hergestellt ist, die die Chemikalienbeständigkeit
aufweisen. Der Übertragungsmechanismus ist hinsichtlich der
Drehbewegung des Motors 50 nicht beschränkt, sofern
die Drehbewegung des Motors 50 sicher an die Plattierungshaltevorrichtung 2 übertragen
wird.
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In
der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind die
Plattierungshaltevorrichtung 2, das Halteelement 4 und
das Befestigungselement 44 aus dem Acrylharz gebildet.
Es können jedoch auch andere Harze eingesetzt werden, um
diese Komponenten zu bilden, sofern die Harze die Chemikalienbeständigkeit
und Hitzebeständigkeit (Hitzebeständigkeit bis
zu einer hohen Temperatur von etwa 95 Grad) aufweisen und sofern
die Harze so hart sind wie das Acrylharz.
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Im
Folgenden wird der Betrieb der Plattierungsvorrichtung 1 der
vorliegenden Erfindung beschrieben.
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Wie
in den 4 und 5 dargestellt ist, hält
die Plattierungshaltevorrichtung 2 die Wafer 3, die
ein zu plattierendes Objekt sind. Der Haltestab 20' wird
von den Endplatten 21 entfernt und die Wafer 3 auf
den Aussparungen der anderen drei Haltestäbe 20 angeordnet
und der Haltestab 20' wird wieder eingesetzt und befestigt.
Zu dieser Zeit werden die Wafer 3 in einer solchen Weise
gehalten, dass der Mittelpunkt der Wafer mit der Rotationsachse
CL der Plattierungshaltevorrichtung 2 übereinstimmt.
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Wie
in den 6A und 6B dargestellt ist,
ist die Rotationsachse CL der Plattierungshaltevorrichtung 2 horizontal
angeordnet und die Gleitlager 24, die die Achsstangen 23 der
Plattierungshaltevorrichtung 2 halten, sind verschiebbar
in der Führungsnut 43 gehalten. Somit wird die
Plattierungshaltevorrichtung 2 drehbar durch das Haltelement 4 gehalten.
Das mit der Achsstange 23 der Plattierungshaltevorrichtung 2 verbundene
Zahnrad 25 steht in Eingriff mit dem Zahnrad 53 des
Antriebsmechanismus 5.
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Folglich
ist die Plattierungshaltevorrichtung 2 mit dem Antriebsmechanismus 5 verbunden.
Das Befestigungselement 44 wird angeordnet und die Achsstange 23 wird
drehbar über das Gleitlager 24 gehalten.
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Die
Plattierungsvorrichtung 1 wird in das Plattierungsbecken 6,
das die Plattierungslösung 61 enthält,
abgesetzt, worin die Plattierungshaltevorrichtung 2 vollständig
eingetaucht ist (3). Anschließend wird
der Motor 50 des Antriebsmechanismus 5 angetrieben,
die Drehbewegung des Motors 50 an die Plattierungshaltevorrichtung 2 über
die Zahnräder 51, 52, 53 und 25 übertragen
und die Plattierungshaltevorrichtung 2 durch die Drehbewegung gedreht.
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Gemäß der
Plattierungshaltevorrichtung 2 der Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung werden die Wafer 3 um die Rotationsachse
gedreht, die horizontal angeordnet ist, wenn die Wafer 3 plattiert
werden. Daher verhindert die Drehung der Wafer 3, wenn
sich die Dichte des Wasserstoffs, der von der in dem Plattierungsbecken 6 enthaltenen
Plattierungslösung 61 erzeugt wird, in der Tiefe
unterscheidet, dass die auf die Wafer 3 aufgebrachte Plattierung
inhomogen wird.
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Wenn
die Temperatur der Plattierungslösung 61 von der
Tiefe abhängt und in der Tiefenrichtung schwankt, verhindert
die Drehung der Wafer 3, dass die auf die Wafer 3 aufgebrachte
Plattierung aufgrund des Unterschieds der Bildungsgeschwindigkeit einer
Plattierungsschicht inhomogen wird.
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Der
Aufbau der Plattierungshaltevorrichtung 2 ermöglicht,
dass mehrere Wafer 3 gehalten werden. Folglich können
mehrere Wafer 3 gleichzeitig plattiert werden.
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Die
Aussparungen 20a der Plattierungshaltevorrichtung 2 sind
in einem V-förmigen Querprofil ausgebildet, die Aussparungen 20a können
die Wafer 3 leicht halten und verringern die Kontaktfläche zwischen
den Wafer 3 und den Haltestäben 3, wodurch
der Plattierungsvorgang in einem weiten Bereich durchführbar
ist.
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Die
bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
die vorstehend beschrieben ist, ist nicht beschränkt, sondern
kann verändert werden, ohne von dem Gedanken und Schutzbereich
der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
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Zum
Beispiel erläutert die Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung das Plattieren des kreisförmigen Siliziumwafers,
der ein zu plattierendes Objekt ist. Eine Form und ein Material
hinsichtlich des zu plattierenden Objekts sind jedoch nicht beschränkt.
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Die
Länge der Haltestäbe, die Anzahl der auf dem Haltestab
ausgebildeten Aussparungen und der Abstand zwischen den Aussparungen
kann nach Bedarf geändert werden.
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Die
Aussparungen des Haltestabs sind in der Ausführungsform
entlang der Umfangsrichtung des Haltestabs ausgebildet. Die Aussparungen
können jedoch ebenso lediglich an den zu haltenden Wafern ausgebildet
sein.
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Das
Verfahren zum Befestigen der Haltestäbe an den Endplatten
ist nicht durch Verschrauben mit Bolzen beschränkt.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - JP 2002-327291
A [0003]
- - JP 2002-339078 A [0005]