DE102008048044A1 - Herstellungsverfahren für einen Strahlungswandler, sowie Strahlungsdetektormodul, Strahlungsdetektor und Tomografiegerät - Google Patents

Herstellungsverfahren für einen Strahlungswandler, sowie Strahlungsdetektormodul, Strahlungsdetektor und Tomografiegerät Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft insbesondere ein Herstellungsverfahren für einen zur Detektion von Röntgen- (R) und/oder Gammastrahlung ausgebildeten Strahlungswandler (9) mit einer Wandlereinheit (10) zur direkten Wandlung der Röntgen- (R) und/oder Gammastrahlung in elektrische Ladungen und einem zur elektronischen Signalverarbeitung der Wandlereinheit (10) unmittelbar nachgeschalteten elektronischen Schaltkreis (13). Zur Vermeidung herstellungsbedingter Beeinträchtigungen der Detektionseffizienz wird vorgeschlagen, elektrische Kontakte (16) zwischen Wandlereinheitskontaktstellen (14) und korrespondierenden Schaltkreiskontaktstellen (15) unter Verwendung einer indiumhaltigen Legierung herzustellen.

Description

  • Die Erfindung betrifft insbesondere ein Herstellungsverfahren für einen zur Detektion von Röntgen- oder Gammastrahlung ausgebildeten Strahlungswandler mit einer Wandlereinheit zur direkten Wandlung der Röntgen- oder Gammastrahlung in elektrische Signale und einen zur elektronischen Signalverarbeitung der Wandlereinheit unmittelbar nachgeschalteten elektronischen Schaltkreis.
  • Solche Strahlungswandler werden auch kurz als direkt konvertierende Strahlungswandler bezeichnet und finden beispielsweise bei Röntgendetektoren in der Röntgen-Computertomografie Anwendung. Bei der Wandlereinheit kann es sich beispielsweise um eine pixelierte Halbleiterschicht aus Cadmium-Tellurid handeln.
  • Bei solchen Strahlungswandlern wird einfallende Röntgen- oder Gammastrahlung, im Weiteren kurz Strahlung, in der Wandlereinheit absorbiert und unmittelbar, d. h. in einem einstufigen Wandlungsprozess, in elektrische Ladungen gewandelt, die wiederum elektrische Signale induzieren, welche vom Schaltkreis, beispielsweise einem ASIC (Anwendungsspezifischer elektronischer Schaltkreis, engl. Application Specific Electronic Circuit) weiterverarbeitet werden.
  • Ein kritischer Punkt der Herstellung derartiger Strahlungswandler liegt darin, dass zu hohe Prozesstemperaturen und damit einhergehende Temperaturbelastungen im Rahmen der elektrischen Kontaktierung von Wandlereinheitkontaktstellen mit korrespondierenden Schaltkreiskontaktstellen zu einer Beeinträchtigung der Detektionseffizienz der in der Regel temperaturempfindlichen Wandlereinheit führen können. Solche Beein trächtigungen können beim Halbleitermaterial CdTe beispielsweise bereits ab Temperaturen von 150°C auftreten.
  • Insoweit ist es wünschenswert, die Temperaturbelastung für die Wandlereinheit bei der Herstellung des Strahlungswandlers so gering als möglich zu halten. Das gilt auch für die elektrischen Schaltkreise, die jedoch in der Regel weniger temperaturanfällig sind als die Wandlereinheiten.
  • Ausgehend davon ist es eine Aufgabe der Erfindung, ein Herstellungsverfahren der eingangs genannten Art anzugeben, welches sich u. a. durch eine besonders geringe Temperaturbelastung insbesondere der Wandlereinheit auszeichnet. Ferner sollen ein Strahlungsdetektormodul, ein Strahlungsdetektor und ein Tomografiegerät angegeben werden.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch die Merkmale der Ansprüche 1, 9, 10, und 11. Ausgestaltungen ergeben sich aus Merkmalen der Unteransprüche.
  • Ein erster Aspekt der Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für einen zur Detektion von Röntgen- und/oder Gammastrahlung ausgebildeten Strahlungswandler. Der Strahlungswandler umfasst eine Wandlereinheit, bei welcher es sich beispielsweise um eine, insbesondere pixelierte, Wandlerschicht handeln kann.
  • Bei der Wandlereinheit handelt es sich also um eine direkt konvertierende Wandlereinheit, bei welcher die Röntgen- und/oder Gammastrahlung unmittelbar in elektrische Ladungen gewandelt wird. Die Bezeichnung unmittelbar soll dabei bedeuten, dass einfallende Strahlung durch Wechselwirkungs-, insbesondere Absorptionsprozesse, der Röntgen- und/oder Gammastrahlung mit einem Wandlermaterial der Wandlereinheit direkt, und insoweit in einem einstufigen Wandlungsschritt, in elektrische Ladungen gewandelt wird.
  • Zur Vereinfachung wird für die Begriffe Röntgen- und Gammastrahlung im Folgenden die Kurzform ”Strahlung” verwendet.
  • Der Strahlungswandler umfasst ferner einen elektronischen Schaltkreis, beispielsweise einen ASIC, mit einer Funktion zur elektronischen Signalverarbeitung von durch die Ladungen induzierten elektrischen Signalen.
  • Der elektronische Schaltkreis ist der Wandlereinheit unmittelbar nachgeschaltet. Im Rahmen der Erfindung soll die Formulierung ”unmittelbar nachgeschaltet” im Sinne der Signalführung verstanden werden. Das bedeutet, dass der Schaltkreis hinsichtlich der Signalführung der Wandlereinheit unmittelbar nachgeschaltet ist, was insbesondere in Zusammensicht mit den weiter unten beschriebenen Ausführungsbeispielen deutlich wird.
  • Bei dem Herstellungsverfahren wird zur Herstellung elektrischer Kontakte zwischen Wandlereinheitkontaktstellen und korrespondierenden Schaltkreiskontaktstellen eine indiumhaltige Legierung verwendet.
  • Bei den Wandlereinheitkontaktstellen kann es sich um sog. Kontaktpads handeln, an welchen durch die Ladungen induzierte elektrische Signale abgegriffen werden können. Bei den Schaltkreiskontaktstellen kann es sich ebenfalls um Kontaktpads handeln, die Eingangskontakte des Schaltkreises ausbilden, und über welche die elektrischen Signale dem Schaltkreis zugeführt werden können.
  • Über die Kontakte können die Wandlereinheit und die Schaltung nicht nur elektronisch, sondern auch mechanisch miteinander verbunden werden. Anders ausgedrückt, kann vermittels der Kontakte auch unmittelbar eine Kraftschlüssige Verbindung zwischen Wandlereinheit Schaltung hergestellt werden. Letzteres soll jedoch nur verdeutlichend für Position und relative Lage der Wandlereinheit und des Schaltkreises verstanden werden.
  • Es wird darauf hingewiesen, dass die in einzahliger Formulierung gehaltenen Begriffe Wandlereinheit und Schaltkreis im Rahmen der Erfindung im Sinne von ”zumindest ein” verstanden werden sollen. So liegt es beispielsweise im Rahmen der Erfindung, wenn der Strahlungswandler mehr als eine Wandlereinheit und mehr als einen Schaltkreis umfasst. Dabei ist zu bemerken, dass jeder Wandereinheit ein oder auch mehrere Schaltkreise zugeordnet sein können. Entsprechend können einem Schaltkreis ein oder mehrere Wandlereinheiten zugeordnet sein.
  • Durch das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren, insbesondere wegen der Verwendung der indiumhaltigen Legierung ist es möglich, die bei der Herstellung der elektrischen Kontakte verursachte Temperaturbelastung der Wandlereinheit, und damit auch des elektronischen Schaltkreises, vergleichsweise gering zu halten. Bei der Herstellung des Strahlungswandlers können Prozesstemperaturen von weniger als 150°C erreicht werden. Zumindest für üblicherweise verwendete Wandlermaterialien wie CdTe, CdZnTe oder CdZnTeSe können in diesem Temperaturbereich die Wandlungseigenschaften der Wandlermaterialien beeinträchtigende Einwirkungen zumindest auf ein vernachlässigbares Niveau eingeschränkt werden. Bei den vorgenannten Wandlermaterialien treten maßgebliche Beeinträchtigungen der Wandlungseigenschaften bei Temperaturen ab ca. 160°C auf. Davon abgesehen ermöglicht die indiumhaltige Legierung qualitativ hochwertige elektrische Kontakte, so dass Fehlerraten von weniger als 1 ppm (parts per milion) erreicht werden können.
  • Die Möglichkeit der Herstellung qualitativ hochwertiger elektrische Kontakte liegt nicht zuletzt darin begründet, dass die maßgeblichen Legierungen aufgrund des darin enthaltenen Elements Indium (In) besonders vorteilhafte Benetzungseigenschaften aufweisen, und im Allgemeinen gut prozessierbar sind. Insbesondere können mit den genannten Legierungen bei Wandlereinheitenkontaktstellen bzw. Schaltkreiskontaktstellen umfassend das Element Gold (Au) mechanisch besonders stabile, qualitativ hochwertige und hochzuverlässige elektrische Kontaktierungen erreicht werden. Das liegt u. a. daran, dass Gold und Indium intermetallische Phasen wie Au3In, AuIn oder AuIn2 ausbilden.
  • Darüber hinaus ermöglichen die indiumhaltigen Legierungen, dass zur Herstellung der Kontakte vergleichsweise wenig aggressive Flussmittel verwendet werden können. Dadurch kann u. a. erreicht werden, dass zur Vermeidung von Kriechströmen vorgesehene Passivierungsschichten der Wandlereinheit und/oder des Schaltkreises im Wesentlichen nicht angegriffen werden.
  • Aufgrund der vorteilhaften Eigenschaften ermöglicht das Herstellungsverfahren insbesondere eine effiziente und kostengünstige Massenfertigung mit hoher Ausbeute an qualitativ hochwertigen Strahlungswandlern.
  • Die Wandlereinheit kann ein direkt konvertierendes Halbleitermaterial umfassen. In Frage kommen insbesondere binäre, tertiäre oder quaternäre Halbleitermaterialien auf der Grundlage der Elemente Cadmium (Cd), Zink (Zn), Tellur (Te) und Selen (Se), also insbesondere CdTe, CdZnTe, CdTeSe und CdZnTeSe.
  • Qualitativ besonders hochwertige elektrische Kontakte können erhalten werden, wenn die Legierung die Legierungselemente Zinn (Sn) und/oder Silber (Ag) umfasst. Vorteilhafterweise ist Sn in einer Konzentration von 20% bis 50%, vorzugsweise im Bereich von 48%, und Ag in einer Konzentration von 1% bis 10%, vorzugsweise im Bereich von 3%, enthalten. Beispielhaft wird die Verbindung InxSnyAgz mit x + y + z = 100% genannt, anhand der die Prozentangaben deutlich werden In Betracht kommt z. B: In50Sn48Ag2.
  • Reflow-Prozesse im Zusammenhang mit der Herstellung der Kontakte können beispielsweise in herkömmlichen Vakuumlötanlagen durchgeführt werden, wodurch die Kosten und Komplexität des Herstellungsverfahrens verringert werden können. Dabei ist es auf Grund des vergleichsweise geringen Schmelzpunkts von Legierungen, wie beispielsweise InSn mit einem Schmelzpunkt von etwa 118°C, möglich, Reflow-Prozesse, bei welchen die Legierung aufgeheizt und wieder abgekühlt werden, bei maximalen Prozesstemperaturen im Bereich von ca. 135°C bis 150°C, insbesondere um 145°C durchzuführen. Solche Prozesstemperaturen sind die für gängigen Wandlermaterialien hinsichtlich der Beeinträchtigung der Detektionseffizienz besonders schonend.
  • Eine Wandlermaterial schonende Prozessführung kann erreicht werden, wenn Aufheiz- und Abkühlgeschwindigkeiten im Reflow-Prozess wie folgt gewählt werden:
    • – bis zu 1,5°C/s, vorzugsweise etwa 1,0°C/s, in einem ersten Temperaturbereich zwischen Raumtemperatur, bei welcher es sich um eine mögliche Starttemperatur handelt, und etwa 100°C;
    • – bis zu 0,8°C/s, vorzugsweise etwa 0,6°C/s, in einem zweiten Temperaturbereich zwischen etwa 100°C und etwa 120°C;
    • – bis zu 0,6°C/s, vorzugsweise etwa 0,4°C/s, in einem dritten Temperaturbereich zwischen etwa 120°C bis etwa 145°C oder 150°C.
  • Eine besonders geringe Beeinträchtigung der Wandlereinheiten, bzw. der Wandlermaterialien kann dadurch erreicht werden, wenn die die Aufheiz- und Abkühlgeschwindigkeiten derart gewählt werden, dass die Prozesstemperaturen höchstens für einen Zeitraum von 3 Minuten oberhalb von 60°C liegen
  • Wie bereits erwähnt können besonders stabile und qualitativ hochwertige Kontakte erreicht werden, wenn die Wandlereinheitkontaktstellen und/oder die Schaltkreiskontaktstellen das Element Gold (Au) umfassen. Demgemäß kann das Herstellungsverfahren den weiteren Schritt der Herstellung oder der Beschichtung der Wandlereinheitkontaktstellen und/oder Schalt kreiskontaktstellen aus bzw. mit einem das Element Gold umfassenden Material aufweisen.
  • Ein zweiter Aspekt der Erfindung betrifft ein Strahlungsdetektormodul mit zumindest einem nach dem Herstellungsverfahren des ersten Aspekts hergestellten Strahlungswandler.
  • Ein dritter Aspekt der Erfindung betrifft einen Strahlungsdetektor mit zumindest einem Detektormodul nach dem zweiten Aspekt der Erfindung.
  • Ein vierter Aspekt der Erfindung betrifft eine Tomografiegerät, insbesondere eine Röntgen-Computertomografiegerät mit zumindest einem Strahlungsdetektor nach dem dritten Aspekt der Erfindung.
  • Wegen Vorteilen und vorteilhaften Wirkungen zum zweiten bis vierten Aspekt der Erfindung wird auf die Ausführungen zum ersten Aspekt der Erfindung verwiesen.
  • Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Figuren näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 schematisch ein Röntgen-Computertomografiegerät als Beispiel eines erfindungsgemäßen Tomografiegeräts;
  • 2 eine schematisch perspektivische Ansicht eines Strahlungswandlers; und
  • 3 einen Ausschnitt des Strahlungswandlers 9 im Querschnitt.
  • In den Figuren sind gleiche oder funktionsgleiche Elemente durchwegs mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet. Die Darstellungen in den Figuren sind schematisch und nicht maßstabsgetreu und Maßstäbe zwischen den Figuren können variieren. Ohne Beschränkung der Allgemeinheit wird die Erfindung nachfolgend anhand der Röntgen-Computertomografie beschrieben.
  • 1 zeigt schematisch ein Röntgen-Computertomografiegerät 1, umfassend einen Patientenlagerungstisch 2 zur Lagerung eines zu untersuchenden Patienten 3. Das Röntgen-Computertomografiegerät 1 umfasst ferner eine Gantry 4, mit einem um eine Systemachse 5 drehbar gelagerten Röhren-Detektor-System. Das Röhren-Detektor-System wiederum umfasst eine Röntgenröhre 6 und einen dieser gegenüber liegend angeordneten Röntgendetektor 7.
  • Im Betrieb des Röntgen-Computertomografiegeräts 1 geht von der Röntgenröhre 6 Röntgenstrahlung R in Richtung des Röntgendetektors 7 aus und wird mittels des Röntgendetektors 7 erfasst. Zur Erfassung der Röntgenstrahlung R weist der Röntgendetektor 7 mehrere Strahlungsdetektormodule 8 auf.
  • 2 zeigt eine perspektivische Ansicht eines Strahlungswandlers 9 eines der Strahlungsdetektormodule 8. Bei dem Strahlungswandler 9 handelt es sich um einen direkt konvertierenden Strahlungswandler. Als Abgrenzung des Begriffs direkt konvertierend seien Szintillationswandler erwähnt, bei welchen die Röntgenstrahlung zunächst in Licht und dann mittels Photodioden in elektrische Signale gewandelt wird, wobei es sich demnach nicht um eine direkte Wandlung der Röntgenstrahlung 8 handelt. Es wird darauf hingewiesen, dass aus Veranschaulichungsgründen die der einfallenden Röntgenstrahlung R abgewandte Seite obenliegend dargestellt ist.
  • Zur direkten Wandlung der Röntgenstrahlung R in elektrische Ladungen umfasst der Strahlungswandler 9 eine Wandlereinheit 10, durch welche die Röntgenstrahlung R durch Wechselwirkungsprozesse mit dem Wandlermaterial der Wandlereinheit 10 unmittelbar, d. h. direkt, in elektrische Ladungen gewandelt wird.
  • Bei dem Wandlermaterial handelt es sich um ein binäres, tertiäres oder quaternäres Halbleitermaterial der Elemente Cd, Zn, Te, Se, insbesondere CdTe, CdZnTe, CdTeSe, CdZnTeSe.
  • Der vorliegende Strahlungswandler 9 weist eine Vielzahl an Bildpunkten, d. h. Pixel auf. Die Pixel werden dadurch gebildet, dass auf einer der einfallenden Röntgenstrahlung R angewandten Seite entsprechend der Anzahl der Pixel eine Vielzahl an Pixelelektroden 11, und auf einer der Röntgenstrahlung R zugewandten Seite eine Gegenelektrode 12 angeordnet sind. Es wird darauf hingewiesen, dass die Anzahl der Pixel ohne Beschränkung der Allgemeinheit als lediglich beispielhaft anzusehen ist.
  • Die durch direkte Wandlung der Röntgenstrahlung R erzeugten elektrischen Ladungen induzieren auf die Pixelelektroden 11 elektrische Signale, die an den Pixelelektroden 11 abgegriffen werden können.
  • Die elektrischen Signale werden einem an der der einfallenden Röntgenstrahlung R abgewandten Seite angebrachten elektronischen Bauelement 13, wie beispielsweise einem ASIC, zugeführt und durch diesen weiter verarbeitet. Das Bauelement 13 ist der Wandlereinheit 10 unmittelbar nachgeschaltet, was bedeuten soll, dass das Bauelement 13 direkt auf der Röntgenstrahlung R abgewandten Seite angebracht ist.
  • Zur Übertragung der elektronischen Signale von der Wandlereinheit 10 auf das Bauelement 13 sind Wandlereinheitkontaktstellen 14, welche die Pixelelektroden 11 umfassen, mit Bauelementkontaktstellen 15 der Wandlereinheit 10 über elektrische Kontakte 16 miteinander verbunden.
  • Zur besseren Übersichtlichkeit ist das Bauelement 10 in 2 durchscheinend abgebildet.
  • 3 zeigt einen Ausschnitt des Strahlungswandlers 9 im Querschnitt. Daraus ist deutlicher ersichtlich, dass die Wandlereinheitkontaktstellen 14 mit den Bauelementkontaktstellen 15 über die elektrischen Kontakte 16 elektrisch leitend miteinander verbunden sind.
  • Die elektrischen Kontakte 16 sind aus einer indiumhaltigen Legierung hergestellt. Zur Herstellung des Strahlungswandlers 9 kann zunächst die indiumhaltige Legierung beispielsweise in Form von Kugeln oder in anderer geeigneter Weise z. B. auf die Wandlereinheitkontaktstellen 14 aufgebracht werden. Sodann kann das Bauelement 13 mit der erforderlichen geometrischen Ausrichtung auf die Wandlereinheit 10 aufgebracht werden, so dass Wandlereinheitkontaktstellen 14 mit den korrespondierenden Bauelementkontaktstellen 15 fluchten. In einem weiteren Schritt wird die Legierung einem Reflow-Prozess unterworfen, bei welchem die Legierung zur Ausbildung qualitativ hochwertiger und stabiler Kontakte 16 aufgeheizt und wieder abgekühlt wird.
  • Indem die elektrischen Kontakte 16 aus einer indiumhaltigen Legierung hergestellt sind, welche die Legierungselemente Sri und/oder Ag enthalten können, ist es möglich bei dem Reflow-Prozess besonders niedrige Prozesstemperaturen zu erreichen.
  • Beispielsweise kann der Reflow-Prozess mit Prozesstemperaturen von weniger als 150°C durchgeführt werden. In diesem Temperaturbereich kann, insbesondere bei den genannten Halbleitermaterialien, vermieden werden, dass temperaturbedingte Beeinträchtigungen der Detektionseffizienz der Wandlereinheit induziert werden. Solche Beeinträchtigungen können beispielsweise darin begründet liegen, dass die intrinsische Störstellencharakteristik des Halbleitermaterials zu Ungunsten der effektiven Wandlung von Röntgenstrahlung R in elektrische Ladungen verändert wird.
  • Bei geeigneter Zusammensetzung der Legierungen können auch Prozesstemperaturen von weniger als 145°C erreicht werden.
  • Ein besonders schonender Reflow-Prozess kann durch geeignet gewählte Aufheiz- und Abkühlgeschwindigkeiten erreicht werden. Beispielhaft sei folgender, besonders vorteilhafter Reflow-Prozess genannt:
    • a) Aufheizen der Legierung mit einer Aufheizgeschwindigkeit von etwa 1°C/s im Temperaturbereich zwischen Starttemperatur, bzw. der Starttemperatur, und etwa 100°C,
    • b) weiteres Aufheizen der Legierung mit einer Aufheizgeschwindigkeit von ca. 0,6°C/s im Temperaturbereich von ca. 100°C bis etwa 120°C,
    • c) weiteres Aufheizen der Legierung mit einer Aufheizgeschwindigkeit von etwa 0,4°C/s im Temperaturbereich von ca. 120°C bis etwa 145°C,
    • d) anschließendes Abkühlen der Legierung, wobei vorzugsweise den Aufheizgeschwindigkeiten betragsmäßig im Wesentlichen entsprechende Abkühlgeschwindigkeiten, in analogen Temperaturbereichen verwendet werden.
  • Es versteht sich, dass die angegebenen Temperaturbereiche und Aufheizgeschwindigkeiten innerhalb der weiter oben angegebenen Grenzen variiert werden können. Besonders vorteilhaft und materialschonend ist es, wenn die Aufheiz- und Abkühlgeschwindigkeiten derart gewählt werden, dass Prozesstemperaturen höchstens für einen Zeitraum von 3 Minuten über 60°C liegen. Auf diese Weise kann die Anzahl temperaturindizierter Störstellen oder vergleichbarer Defekte, welche die Detektionseffizienz herabsetzen, auf einem besonders niedrigen, wenn nicht verschwindenden, Niveau gehalten werden.
  • Besonders vorteilhafte elektrische Kontakte 16, sei es hinsichtlich der Qualität, insbesondere der elektrischen Leitfähigkeit, oder der Zuverlässigkeit, insbesondere der mechanischen Stabilität und der Lebensdauer, können erreicht werden, wenn das Legierungselement Sn in einer Konzentration von 20% bis 50% und das Legierungselement Ag in einer Konzentration von 1% bis 10% in der Legierung enthalten sind.
  • Auch ist es insbesondere hinsichtlich der mechanischen Stabilität von besonderem Vorteil, wenn die Wandlereinheitkontaktstellen und/oder die Bauelementkontaktstellen das Element Gold umfassen.
  • Das vorweg beschriebene Herstellungsverfahren eignet sich insbesondere zur Massenfertigung der Strahlungswandler, wobei insbesondere sowohl herkömmliche Lötanlagen als auch Vakuumlötanlagen verwendet werden können. In Massenfertigung können u. a. die Herstellungskosten für den Strahlungswandler deutlich gesenkt werden.
  • Ein weiterer Vorteil der genannten Legierungen liegt darin, dass vergleichsweise schonende Flussmittel bei der Herstellung der elektrischen Kontakte 16 verwendet werden können, so dass zur Unterdrückung von Oberflächenkriechströmen aufgebrachte Passivierungsschichten in deren Wirkung zumindest nicht maßgeblich beeinträchtigt werden.
  • Insgesamt zeigt sich, dass insbesondere die der Erfindung zu Grunde liegende Aufgabe gelöst wird.

Claims (11)

  1. Herstellungsverfahren für einen zur Detektion von Röntgen-(R) und/oder Gammastrahlung ausgebildeten Strahlungswandler (9) mit einer Wandlereinheit (10) zur direkten Wandlung der Röntgen-(R) und/oder Gammastrahlung in elektrische Ladungen und einem zur elektronischen Signalverarbeitung der Wandlereinheit (10) unmittelbar nachgeschalteten elektronischen Schaltkreis (13), wobei zwischen Wandlereinheitkontaktstellen (14) und korrespondierenden Schaltkreiskontaktstellen (15) elektrische Kontakte (16) mit einer indiumhaltigen Legierung hergestellt werden.
  2. Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, wobei die Wandlereinheit (10) ein binäres, tertiäres oder quaternäres Halbleitermaterial der Elemente Cadmium, Zink, Tellur, Selen umfasst.
  3. Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei die Legierung als Legierungselement Zinn und/oder Silber umfasst.
  4. Herstellungsverfahren nach Anspruch 3, wobei das Legierungselement Zinn in einer Konzentration von 20% bis 50%, vorzugsweise im Bereich von 48%, bzw. das Legierungselement Silber in einer Konzentration von 1% bis 10%, vorzugsweise im Bereich von 3%, enthalten ist.
  5. Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, umfassend des Weiteren einen Reflow-Prozess, bei welchem die Legierung von Starttemperatur auf eine Temperatur von bis zu 150°C, vorzugsweise 145°C, aufgeheizt und wieder abgekühlt wird.
  6. Herstellungsverfahren nach Anspruch 5, wobei der Reflow-Prozess mit Aufheiz- und Abkühlgeschwindigkeiten durchgeführt wird, welche in einem ersten Temperaturbereich zwischen Starttemperatur und etwa 100°C bis zu 1,5°C/s, vorzugsweise etwa 1,0°C/s, in einem zweiten Temperaturbereich zwischen etwa 100°C und etwa 120°C bis zu 0,8°C/s, vorzugsweise etwa 0,6°C/s, und in einem dritten Temperaturbereich zwischen etwa 120°C und etwa 145°C bis zu 0,6°C/s, vorzugsweise etwa 0,4°C/s, betragen.
  7. Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 5 oder 6, wobei die Aufheiz- und Abkühlgeschwindigkeiten derart gewählt werden, dass Prozesstemperaturen höchstens für einen Zeitraum von 3 Minuten über 60°C liegen.
  8. Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, umfassend den weiteren Schritt der Herstellung oder der Beschichtung der Wandlereinheitkontaktstellen (14) und/oder Schaltkreiskontaktstellen (15) aus bzw. mit einem das Element Gold umfassenden Material.
  9. Strahlungsdetektormodul (8) umfassend zumindest einen nach einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8 hergestellten Strahlungswandler (9).
  10. Strahlungsdetektor (7) umfassend zumindest ein Detektormodul (8) nach Anspruch 9.
  11. Tomografiegerät, insbesondere Röntgen-Computertomografiegerät (1), umfassend einen Strahlungsdetektor (7) nach Anspruch 10.
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