DE102008039798A1 - Verfahren zur Übertragung von Nanostrukturen in ein Substrat - Google Patents

Verfahren zur Übertragung von Nanostrukturen in ein Substrat Download PDF

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Übertragung von Nanostrukturen in ein Substrat (10), mit den Schritten Dekoration eines Substrats mit Nanomaterialien (13), Ätzen der Nanomaterialien (13) und/oder des Substrats (10), Aufbringen einer Beschichtung (15), Entfernen der Nanomaterialien (13), und Ätzen des Substrats (10). Ferner betrifft die Erfindung eine Oberfläche mit übertragenen Nanostrukturen, die nach einem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt ist, eine Membran, eine Elektrodenvorrichtung oder einen Biosensor, welche eine solche Oberfläche aufweisen sowie eine Vorrichtung, die eine erfindungsgemäße Oberfläche, Membran, Elektrodenvorrichtung und/oder Biosensor aufweist.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Übertragung von Nanostrukturen in ein Substrat, in welchem Nanomaterialien als Schattenmaske zum Aufbringen einer Beschichtung verwendet werden.
  • Ferner betrifft die Erfindung eine Oberfläche mit übertragenen Nanostrukturen, die nach einem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt ist, eine Membran, eine Elektrodenanordnung oder einen Biosensor, welche eine solche Oberfläche aufweisen, sowie eine Vorrichtung, die eine erfindungsgemäße Oberfläche, Membran, Elektrodenanordnung und/oder Biosensor aufweist.
  • Die Herstellung von Nanostrukturen mit Dimensionen von weniger als 100 nm (Elektronenstrahllithographie, Focused-Ion-Beam-Lithographie, UV-Lithographie, Röntgen-Lithographie) erfordert sehr teure Lithographiegeräte. Die wirtschaftliche und sichere Herstellung von Bauelementen mit solchen Nanostrukturen (z. B. Filtermembranen mit monodisperser Porenverteilng mit Dimensionen von 20 nm bis etwa 500 nm) erfordert deshalb neue Herstellungstechnologien. Wenn diese Strukturen periodisch und über größere Flächen hergestellt werden sollen, bietet sich als Alternative zu herkömmlichen Lithographieverfahren, wie beispielsweise der Photolithographie, der Elektronenstrahllithographie oder der Nanoimprintlithograhie, das Verfahren der Partikellithographie an; Fischer und Zingsheim, J. Vac. Sci. Technol., 19(4), Nov.-Dec. 1981.
  • Im Stand der Technik sind verschiedene Verfahren bekannt, in denen mittels Partikellithographie Nanostrukturen auf Substrate übertragen werden.
  • In der JP 11066654 ist ein Verfahren beschrieben, in dem in einem ersten Schritt Nanomaterialien auf ein Substrat aufgebracht werden, welches mit einer adhäsiven Schicht beschichtet ist, um die Nanomaterialien zu binden. In einem zweiten Schritt werden Nanostrukturen durch Ätzen in das Substrat übertragen, und in einem weiteren Ätzschritt werden die Nanomaterialien und die adhäsive Schicht entfernt.
  • In der oben erwähnten Publikation "Submicroscopic pattern replication with visible light" (Fischer und Zingsheim, 1981) ist ein Verfahren zur Herstellung einer nanostrukturierten Belichtungsmaske beschrieben, in dem in einem ersten Schritt ein Glassubstrat mit Nanomaterialienn dekoriert wird, in einem zweiten Schritt eine Beschichtung mit einem Metall aufgebracht wird, und in einem dritten Schritt die Nanomaterialien entfernt werden.
  • In der Publikation "Nanosphere lithography: A materials general fabrication process for periodic particle array surfaces" (Hulteen und Van Duyne, 1995, J. Vasc. Sci. Technol. A 13(3)) ist ein Verfahren beschrieben, um periodische Partikelstrukturen auf einem Substrat zu erzeugen. Hierbei wird das Substrat in einem ersten Schritt mit einer ein- oder zweilagigen periodischen Anordnung von Nanomaterialienn dekoriert, in einen zweiten Schritt wird eine Beschichtung aufgebracht, und in einem dritten Schritt werden die Nanomaterialien von der Oberfläche entfernt.
  • Die bekannten Verfahren weisen jedoch alle verschiedene Nachteile auf. So ergibt sich bei den bekannten Verfahren zur Partikellithographie insbesondere ein Problem in Bezug auf die Entfernung der als Maske eingesetzten Nanomaterialien.
  • Beispielsweise ist es aus den zuvor genannten Publikationen von Fischer und Zingsheim sowie Hulteen und Van Duyne bekannt, die Nanomaterialien mittels Bestrahlung mit Ultraschall von dem Substrat zu entfernen. Hierbei ist von Nachteil, dass dann, wenn die Ultraschallleistung zu gering eingestellt ist, Partikel auf dem Substrat haften bleiben und nur teilweise entfernt werden. Ist die Leistung hingegen zu hoch, wird neben den Partikeln auch die aufgebrachte Beschichtung teilweise entfernt. Aufgrund der prozessinhärenten ungleichen Ausdehnung von Ultraschallintensitäten ist es somit nur möglich, diese Verfahren auf Flächen im Submillimetermaßstab defektarm umzusetzen.
  • Weiterhin ist in der oben erwähnten JP 11066654 beschrieben, die Nanomaterialien durch Plasmaätzen zu entfernen. Hierbei ist von Nachteil, dass durch den Ätzvorgang auch die Substratoberfläche selbst verändert wird.
  • Ein weiteres Verfahren zum Entfernen von Nanomaterialienn von einer beschichteten Oberfläche wird in der oben genannten Publikation von Hulteen und van Duyne beschrieben. In diesem Verfahren werden die Nanomaterialien mit Klebefolie vom beschichteten Substrat abgehoben.
  • Auch dieses Verfahren weist Nachteile auf. Ein defektfreies Abheben der Nanomaterialien ist nur auf kleinsten Flächen von unter 1 mm2 möglich. Weiterhin besteht auch hier die Gefahr, die unterliegende Beschichtung durch Ablösung vom Substrat zu beschädigen.
  • Ein weiteres Problem der bekannten Verfahren ist die Beschränkung hinsichtlich der Untergrenze der Auflösung. So können mit den bekannten Verfahren nur Nanostrukturen in das Substrat übertragen werden, welche eine wesentlich größere Ausdehnung aufweisen als die Dicke der aufgebrachten Beschichtung. Der Grund hierfür liegt darin, dass beim Aufbringen der Beschichtung kleinere Nanomaterialien vollständig oder größtenteils in die Beschichtung eingebettet würden, und daraufhin nicht mehr entfernbar wären.
  • Vor diesem Hintergrund liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren bereitzustellen, in dem mittels Partikellithographie Nanostrukturen in ein Substrat übertragen werden, welches die im Stand der Technik bekannten Nachteile vollständig oder teilweise vermeidet.
  • Diese Aufgabe wird bei dem eingangs genannten Verfahren gelöst mit den Schritten:
    • a) Dekoration eines Substrats mit Nanomaterialien;
    • b) Ätzen der Nanomaterialien und/oder des Substrats;
    • c) Aufbringen einer Beschichtung;
    • d) Entfernen der Nanomaterialien; und
    • e) Ätzen des Substrats.
  • Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird auf diese Weise vollständig gelöst.
  • Der Erfinder hat nämlich erkannt, dass die Nachteile aus dem Stand der Technik dadurch vermieden werden können, dass die Beschichtung so aufgebracht wird, dass sie unterhalb des Niveaus der ursprünglichen Substratoberfläche liegt. Die Nanomaterialien liegen nach dem Ätzen und Beschichten nach wie vor auf dem Niveau der ursprünglichen Substratoberfläche und können von dieser entfernt werden, ohne dass die tieferliegende Beschichtung beschädigt wird.
  • Hierbei ist also von Vorteil, dass in dem ersten Ätzschritt nach der Dekoration des Substrates mit Nanomaterialien eine dreidimensionale Oberfläche erzeugt wird, wobei die dekorierenden Nanomaterialien auf Säulen der Oberfläche aufsitzen.
  • Somit ist es z. B. möglich, die Nanomaterialien mittels Polierens von der Oberfläche zu entfernen. Es kann nämlich durch die in Schritt b) erzeugte strukturierte Oberfläche gewährleistet werden, dass die in Schritt c) erzeugte Beschichtung beim Polieren in Schritt d) nicht beschädigt wird. Durch das Aufliegen eines Poliertuchs bzw. einer Polierwalze auf den in Schritt b) erzeugten Säulen wird nämlich ein Abstand zur eigentlichen Beschichtung gewährleistet, der verhindert, dass im Polier-Slurry enthaltene Abrasivpartikel oder zuvor abgetragene Nanomaterialien mit Druck auf die Beschichtung einwirken.
  • Weiterhin ist es mit dem neuen Verfahren möglich, die Größe der verwendeten Nanomaterialien unabhängig von der angestrebten Schichtdicke der Beschichtung auszuwählen und somit kleinere Strukturen in das Substrat zu übertragen, als dies mit den bekannten Verfahren möglich ist.
  • Weiterhin wird mit dem neuen Verfahren eine Negativmaske erzeugt, die im Vergleich mit den im Stand der Technik bekannten Verfahren unempfindlich gegenüber mechanischen Einwirkungen auf die Oberfläche ist.
  • In einer Weiterbildung ist bevorzugt, wenn das Substrat eine erste Schicht und mindestens eine weitere darunterliegende Schicht aufweist, wobei die dekorierenden Nanomaterialien auf der ersten Schicht aufliegen.
  • Hierbei ist von Vorteil, dass mittels der ersten Schicht durch Wahl eines geeigneten Materials leichter eine dreidimensionale Oberfläche erzeugt werden kann, indem die Bearbeitbarkeit der Nanomaterialien und der ersten Schicht aufeinander abgestimmt werden. So kann mittels eines geeigneten Ätzverfahrens die dekorierte Oberfläche so bearbeitet werden, dass z. B. nur das Substrat oder nur die Nanomaterialien abgetragen werden. Weiterhin ist es auch möglich, die Materialien und das Ätzverfahren so zu wählen, dass sowohl die Nanomaterialien als auch das Substrat in einem bestimmten Verhältnis zueinander abgetragen werden.
  • Dies ist insbesondere auch dann möglich, wenn es vorgesehen ist, mit dem neuen Verfahren Strukturen in eine oder mehrere weitere Schichten des Substrats zu übertragen, wobei die weiteren Schichten in Bezug auf die Nanomaterialien eine ungünstige Ätzbarkeit aufweisen.
  • Weiterhin ist von Vorteil, dass mit einem zwei- oder mehrschichtigen Substrat durch das neue Verfahren Anordnungen hergestellt werden können, in welchen die verschiedenen Schichten verschiedene Eigenschaften aufweisen. Solche Eigenschaften können beispielsweise eine hohe elektrische Leitfähigkeit, eine hohe Isolationswirkung, chemische Eigenschaften oder strukturelle Eigenschaften wie hohe oder niedrige Elastizität oder Reißfestigkeit sein.
  • Auch ist es bei dem neuen Verfahren möglich, die erste und die weiteren Schichten des Substrats in verschiedenen geeigneten Materialkombinationen auszubilden, beispielsweise von Substanzen aus der Gruppe Metall, Silizium, Glas, Keramik, Polymer oder Mischformen hiervon.
  • In einer Weiterbildung ist bevorzugt, wenn die erste Schicht ein Polymer enthält. Insbesondere ist herbei bevorzugt, wenn das Polymer zumindest teilweise aus Polyimid besteht.
  • Hierbei ist einerseits von Vorteil, dass ein Polymer gut mittels gängiger Beschichtungsverfahren gleichmäßig auf eine unterliegende Schicht aufgebracht werden kann.
  • Weiterhin ist von Vorteil, dass Polymere mit gängigen Ätzverfahren gut zu bearbeiten sind. Ein weiterer Vorteil ist darin zu sehen, dass beispielsweise Polyimid eine sehr hohe elektrische Isolationswirkung aufweist. Somit lässt sich mit dem erfindungsgemäßen Verfahren eine dreidimensional strukturierte Schicht mit einer sehr hohen Isolationswirkung herstellen, wie sie beispielsweise bei der Herstellung von Halbleiterelementen verwendet wird.
  • Weiterhin ist bevorzugt, wenn die Nanomaterialien eine periodische Anordnung bilden.
  • Hierbei ist von Vorteil, dass sich über die Erzeugung einer periodischen Anordnung, beispielsweise eines zweidimensionalen Kristalls aus sphärischen Strukturen, eine dreidimensionale Struktur in der ersten Schicht bzw. dem Substrat erzeugen lässt, welche in Größe und Anordnung zueinander klar definierte hohe und tiefe Bereiche bzw. Poren aufweist.
  • Weiterhin ist von Vorteil, dass sich eine solche Struktur auf großen Flächen herstellen lässt, so dass mit dem erfindungsgemäßen Verfahren eine defektfreie dreidimensional strukturierte Oberfläche auch in großem Flächenmaßstab bis hin zum Metermaßstab herstellen lässt.
  • In einer Weiterbildung ist es bevorzugt, wenn die Nanomaterialien in Richtung ihrer geringsten Ausdehnung eine Größe von 1 nm bis 1.000 nm aufweisen.
  • Hierbei ist von Vorteil, dass sich mit Nanomaterialien geringer Abmaße, die beispielsweise unter 100 nm liegen können, mit dem erfindungsgemäßen Verfahren kleinere Strukturen auf ein Substrat übertragen lassen, als dies mit dem im Stand der Technik bekannten Verfahren möglich ist.
  • Weiterhin ist bevorzugt, wenn die Nanomaterialien Polystyrol-Partikel aufweisen.
  • Hierbei ist von Vorteil, dass Polystyrol-Partikel leicht in definierter Größe hergestellt werden können und damit in der erforderlichen Qualität gut und vergleichsweise günstig verfügbar sind.
  • Es ist auch denkbar, andere Nanomaterialien zu verwenden, die ein oder mehrere Substanzen aus der Gruppe Copolymer, Kohlenstoff, Metalloxid oder Halbleiter aufweisen. Hierbei ist von Vorteil, dass sich mit verschiedenen Materialien unterschiedliche Strukturen erzeugen lassen, so können beispielsweise selbstorganisierende Copolymere zur Herstellung von Schattenmasken verschiedener Anordnungen verwendet werden. Dann lassen sich mit kohlenstoffbasierten Nanomaterialien nicht nur sphärische Strukturen, sondern vielmehr auch Nanotubes und weitere Strukturen erzeugen, die periodische Anordnungen bilden können. Weiterhin kann das Einbinden magnetischer Materialien zur Organisation von Nanomaterialienn mittels eines Magnetfeldes genutzt werden.
  • Weiterhin ist bevorzugt, wenn im Schritt b) das Ätzen durch ein Trockenätzverfahren erfolgt. Insbesondere ist bevorzugt, wenn in Schritt b) das Ätzen durch Plasmaätzen erfolgt.
  • Hierbei ist zunächst von Vorteil, dass in einem Trockenätzverfahren eine geringe physikalische Beeinflussung horizontal zu der bearbeiteten Oberfläche auftritt, so dass die dekorierenden Nanomaterialien nicht durch das Einwirken einer strömenden Flüssigkeit umverteilt oder von der Oberfläche abgelöst werden.
  • Durch die Wahl überwiegend isotroper oder überwiegend anisotroper Ätzverfahren lässt sich hierbei die Strukturierung der Oberfläche den verschiedenen Anforderungen anpassen. So ist es beispielsweise möglich, in einem isotropen Ätzverfahren die dekorierenden Nanomaterialien klein zu ätzen und zugleich die erste Schicht mit einer im Querschnitt eher abgerundeten dreidimensionalen Struktur zu versehen. Dahingegen ist es mit einem im Wesentlichen anisotropen Ätzverfahren möglich, im Substrat dreidimensionale Strukturen mit im Wesentlichen senkrecht zur Oberfläche verlaufenden parallelen Wänden zu erzeugen. Auch ist hierbei denkbar, im Wesentlichen isotrope und im Wesentlichen anisotrope Ätzverfahren in Schritt b) zu kombinieren.
  • In einer Weiterbildung ist bevorzugt, wenn die Nanomaterialien in Schritt b) verkleinert werden.
  • Hierbei ist von Vorteil, dass sich über das Kleinätzen der Nanomaterialien in dem ersten Ätzschritt b) ein definierter Mindestabstand zwischen den im Schritt b) erzeugten Säulen der ersten Schicht erzeugen lässt.
  • In einer Weiterbildung ist bevorzugt, wenn in Schritt c) die Beschichtung durch Aufsprühen aufgebracht wird.
  • Hierbei ist von Vorteil, dass zur Beschichtung nanostrukturierter Oberflächen geeignete Sprühverfahren in großflächigem Maßstab anwendbar sind.
  • In einer Weiterbildung ist bevorzugt, wenn in Schritt c) die Beschichtung mittels physikalischer oder chemischer Gasabscheidung aufgebracht wird.
  • Hierbei ist von Vorteil, dass sich mittels physikalischer oder chemischer Gasabscheidungsverfahren, zum Beispiel Sputtern oder thermischem Verdampfen, eine Beschichtung mit großer Gleichmäßigkeit aufbringen lässt. Zudem werden über diese Beschichtungsverfahren keine oder nur wenig Einschlüsse erzeugt.
  • Diese Aufzählung ist nicht als abschließend zu verstehen. Weitere Beschichtungsverfahren, wie zum Beispiel thermisches Spritzen, galvanische Verfahren oder Lackierverfahren sind ebenfalls mit dem erfindungsgemäßen Verfahren kombinierbar.
  • In einer Weiterbildung ist bevorzugt, dass in Schritt b) eine Beschichtung mit einer Schichtdicke von 1 nm bis 10 μm aufgebracht wird.
  • Hierbei ist von Vorteil, dass in dem erfindungsgemäßen Verfahren die Dicke der aufgebrachten Beschichtung nicht über die Größe der Nanomaterialien nach oben limitiert ist. Somit lässt sich eine dickere Schicht aufbringen als dies mit den gängigen Verfahren der Partikellithographie möglich ist.
  • In einer Weiterbildung ist bevorzugt, wenn in Schritt c) eine Beschichtung aufgebracht wird, welche zumindest teilweise aus Metall besteht.
  • Gängige Metalle sind bspw. Titan, Aluminium, Platin, Tantal, Chrom, Molybdän oder Eisen, wobei diese Aufzählung nicht als abschließend zu verstehen ist.
  • Weiter ist bevorzugt, wenn in Schritt c) eine Beschichtung aufgebracht wird, welche zumindest teilweise aus Siliciumnitrid besteht.
  • Ferner ist bevorzugt, wenn in Schritt d) die Nanomaterialien durch chemisch mechanisches Polieren entfernt werden.
  • Hierbei ist von Vorteil, dass mechanisches oder chemisch mechanisches Polieren anders als die im Stand der Technik bekannten Verfahren ein vollständiges Entfernen der Nanomaterialien von der erzeugten dreidimensionalen Oberfläche gewährleistet.
  • Allgemein ist bevorzugt, wenn in Schritt d) die dreidimensionale Oberflächenstruktur der ersten Schicht als Abstandhalter zwischen mechanischen Mitteln zum Polieren und der Beschichtung wirkt.
  • Hierbei ist von Vorteil, dass sich über die Art und Dauer des Ätzverfahrens in Schritt b) sowie über die Dicke der in Schritt c) aufgebrachten Beschichtung der vertikale Abstand zwischen der Beschichtungsoberfläche und der Oberfläche der von der ersten Schicht gebildeten Säulen beinahe beliebig einstellen lässt.
  • Somit kann ein geeigneter Abstand zwischen Beschichtungsoberfläche und Polierfliess bzw. Polierwalze erzeugt werden, um je nach Größe der verwendeten Abrasivpartikel oder Nanomaterialien eine Beschädigung der tiefer liegenden Beschichtungsoberfläche zu verhindern.
  • In einer Weiterbildung ist bevorzugt, wenn in Schritt e) die in Schritt c) aufgebrachte Beschichtung als Ätzmaske wirkt.
  • Hierbei ist von Vorteil, dass in einem zweiten Ätzverfahren die zuvor als Abstandshalter fungierenden Säulen der ersten Schicht abgetragen werden können, ohne dass umliegendes Material gleichzeitig abgetragen wird.
  • Weiterhin können auf diese Weise Strukturen in der ersten oder einer oder mehreren der weiteren Schichten erzeugt werden, welche unter dem Niveau der in Schritt c) aufgebrachten Beschichtung liegen.
  • Dabei ist bevorzugt, wenn das Ätzen in Schritt e) durch ein Trockenätzverfahren und/oder Nassätzverfahren erfolgt.
  • Hierbei ist zum einen von Vorteil, dass in einem Trockenätzverfahren, insbesondere einem Plasmaätzverfahren, ein anisotropes Ätzen der ersten Schicht und gegebenenfalls des unterliegenden Substrats erfolgt, während ein isotropes Verfahren, wie beispielsweise ein geeignetes Nassätzverfahren, über das Auflösen der ersten Schicht eine Ablösung der Beschichtung bedingen kann. Denkbar ist auch eine Verfahrensabfolge, in der z. B. in Schritt e) zuerst ein anisotropes Ätzverfahren erfolgt, und abschließend die Ätzmaske durch ein isotropes Verfahren entfernt wird.
  • In einer Weiterbildung ist bevorzugt, wenn in Schritt e) Strukturen nur in die erste Schicht geätzt werden.
  • Hierbei ist von Vorteil, dass sich über das neue Verfahren eine Polymerstruktur, die beispielsweise hohe Isolationswirkung aufweist, mit einer dreidimensional nanostrukturierten Oberfläche und eingebetteten Beschichtungsanteilen beispielsweise eines metallischen Leiters erzeugen lässt.
  • In einer anderen Weiterbildung ist bevorzugt, wenn in Schritt e) Strukturen in eine oder mehrere weitere Schichten geätzt werden.
  • Hierbei ist von Vorteil, dass mittels anisotroper Ätzverfahren Materialien mit einer erfindungsgemäßen Oberfläche versehen werden können, die einem Beschichtungsverfahren wie in Schritt c) nicht zugänglich sind.
  • Weiterhin ist von Vorteil, dass sich auf diesem Wege Strukturen in einem Substrat größerer Schichtdicke erzeugen lassen, als dieses durch Beschichten möglich ist.
  • In einer Weiterbildung ist bevorzugt, wenn nach Schritt e) die erste Schicht von der zweiten Schicht gelöst wird.
  • Hierbei ist von Vorteil, dass sich durch ein solches Verfahren sehr dünne nanostrukturierte Materialien erzeugen lassen, und dass während der vorhergehenden Bearbeitungsschritte die Materialien weniger anfällig für Verformungen durch physische Einwirkungen oder thermische Einflüsse sind.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ferner eine Oberfläche mit Nanostrukturen, die nach einem erfindungsgemäßen Verfahren erzeugt worden ist.
  • Die oben genannten Vorteile und Eigenschaften des erfindungsgemäßen Verfahrens gelten selbstverständlich auch für die nach einem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Oberfläche selbst.
  • Solche erfindungsgemäßen Oberflächenstrukturen können beispielsweise als Membranen für Nanofiltrationsverfahren, in Elektroden oder Biosensoren eingesetzt werden. Es sind jedoch darüber hinaus noch vielfältige Einsatzmöglichkeiten, beispielsweise in der Oberflächenvergütung, denkbar.
  • Auch ist es denkbar, eine erfindungsgemäß hergestellte Oberfläche als Schattenmaske in Photolithographieverfahren oder als Stempel zum Nanoimprinting zu verwenden.
  • Vor diesem Hintergrund betrifft die Erfindung ferner eine Membran mit einer Oberfläche, die nach einem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt worden ist, eine Elektrodenanordnung, einen Biosensor sowie eine Vorrichtung, welche eine Membran, eine Elektrodenanordnung, einen Biosensor und/oder eine Oberfläche mit einer nach einem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Oberfläche aufweist.
  • Weitere Vorteile ergeben sich aus der beigefügten Beschreibung.
  • Es versteht sich, dass die vorstehend genannten und die nachstehend noch zu erläuternden Merkmale nicht nur in der jeweils angegebenen Kombination, sondern auch in anderen Kombinationen oder in Alleinstellung verwendbar sind, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren zur Übertragung von Nanostrukturen in ein Substrat ist in den Figuren dargestellt, in denen:
  • 1 beispielhaft die Schritte des erfindungsgemäßen Verfahrens zeigt;
  • 2 eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme einer erfindungsgemäß mit Nanomaterialien beschichteten Oberfläche nach dem Ätzschritt b) zeigt; und
  • 3 eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme einer nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Oberfläche nach dem Entfernen der Nanomaterialien mittels mechanischem Polieren zeigt.
  • In 1 ist das erfindungsgemäße Verfahren in beispielhaften Schritten dargestellt, wobei in Schritt a) ein Substrat 10, welches eine erste Schicht 11 und eine zweite Schicht 12 aufweist, mit Nanomaterialien 13 dekoriert wird. An Schritt a) schließt sich ein erster Ätzschritt b) an, in dem in der ersten Schicht 11 eine dreidimensionale Struktur mit Säulen 14 erzeugt wird und gleichzeitig die Nanomaterialien 13 verkleinert werden. In Schritt c) wird sodann eine Beschichtung 15 aufgebracht, die sowohl auf den Nanomaterialienn, als auch in den Talbereichen der dreidimensionalen Struktur der ersten Schicht 11 aufgelagert ist. In Schritt d) schließt sich das Entfernen der Nanomaterialien 13 mittels mechanischem Polieren durch eine Polierwalze 16 an. In Schritt e) erfolgt ein weiterer anisotroper Ätzschritt, durch den dreidimensionale Strukturen 17 in die erste Schicht 11 und die zweite Schicht 12 übertragen werden.
  • In 2 ist eine im konkreten Ausführungsbeispiel hergestellte Oberfläche gezeigt, welche den Zustand nach Ätzschritt b) aufweist. Hierbei ist ersichtlich, dass die verwendeten Nanomaterialien 13, in diesem Falle Polystyrolsphären, sich in einer weitgehend zweidimensionalen periodischen Anordnung selbst anordnen und dass sie nach dem Ätzschritt b) auf Substratsäulen 14 der dreidimensionalen Struktur der ersten Schicht 11 aufsitzen.
  • In 3 ist eine nach einem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Oberfläche gezeigt, in welcher einerseits eine Beschichtung 15 mit Titan in einem Schritt c) aufgebracht wurde, und in der weiterhin in einem Schritt d) die aufliegenden Nanomaterialien von den Substratsäulen 14 entfernt wurden. Hierbei ist ersichtlich, dass durch das mechanische Polieren in Schritt d) die Nanomaterialien vollständig von der Oberfläche entfernt werden, und weiter, dass die in Schritt c) aufgebrachte Beschichtung 15 durch das mechanische Polieren in Schritt d) nicht beschädigt wird.
  • In dem Ausführungsbeispiel wurde als Substrat eine 5 μm dicke erste Schicht aus Polyimid mit einer unterliegenden Glasschicht von 1 mm Dicke verwendet.
  • In einem ersten Schritt a) wurde die Oberfläche der Polyimidschicht mit Nanomaterialien dekoriert. Hierbei werden Polystyrolnanosphären mit einem Durchmesser von 100 nm verwendet, welche in einer 5% Suspension in Äthanol vorlagen.
  • Nach dem Abverdampfen des Lösungsmittels wurde in einem Schritt b) mittels Ätzen im Sauerstoffplasma die so dekorierte Oberfläche konturiert, wie in 2 zu sehen. Gleichzeitig kam es in diesem Schritt zu einer Verkleinerung der aufliegenden Polystyrolsphären.
  • Hierauf schloss sich ein Beschichtungsschritt c) an, in dem mittels Sputtern Titan auf die so geschaffene Oberfläche aufgebracht wurde. Hierbei wurde eine Titanschicht von ca. 20 nm Dicke erzeugt.
  • In einem folgenden Schritt wurden die dekorierenden Nanomaterialien durch mechanisches Polieren entfernt.
  • Die Parameter und Verfahrensschritte entsprechen dabei im Übrigen denen aus der eingangs zitierten Publikation von Fischer und Zingsheim (1981).
  • Wie auch in 3 zu sehen, ergab sich nach dem mechanischen Polieren eine freigelegte Oberfläche, von welcher die zuvor aufgebrachten Nanomaterialien vollständig entfernt waren. Weiterhin zeigte die Oberfläche eine Konturierung, dergestalt, dass auf den Positionen, welche ehemals von Nanomaterialien besetzt waren, Polyimidsäulen stehengeblieben waren. Dazwischen war in dem Beschichtungsschritt eine Titanschicht erzeugt worden, welche durch die Entfernung der Nanomaterialien mittels mechanischem Polieren nicht in Mitleidenschaft gezogen war.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - JP 11066654 [0005, 0010]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • - Fischer und Zingsheim, J. Vac. Sci. Technol., 19(4), Nov.-Dec. 1981 [0003]
    • - ”Submicroscopic pattern replication with visible light” (Fischer und Zingsheim, 1981) [0006]
    • - ”Nanosphere lithography: A materials general fabrication process for periodic particle array surfaces” (Hulteen und Van Duyne, 1995, J. Vasc. Sci. Technol. A 13(3)) [0007]
    • - Fischer und Zingsheim (1981) [0089]

Claims (29)

  1. Verfahren zur Übertragung von Nanostrukturen in ein Substrat (10), mit den Schritten: a) Dekoration eines Substrats (10) mit Nanomaterialien (13); b) Ätzen der Nanomaterialien (13) und/oder des Substrats (10); c) Aufbringen einer Beschichtung (15); d) Entfernen der Nanomaterialien (13); und e) Ätzen des Substrats (10).
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (10) eine erste Schicht (11) und mindestens eine weitere Schicht aufweist, wobei die dekorierenden Nanomaterialien (13) auf der ersten Schicht (11) aufliegen.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schicht (11) ein Polymer enthält.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Polymer zumindest teilweise aus Polyimid besteht.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Nanomaterialien (13) periodische Anordnungen bilden.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Nanomaterialien (13) in Richtung ihrer geringsten Ausdehnung eine Größe von 1 nm bis 1.000 nm aufweisen.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Nanomaterialien (13) Polystyrolpartikel aufweisen.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Ätzen in Schritt b) durch ein Trockenätzverfahren erfolgt.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Ätzen in Schritt b) durch Plasmaätzen erfolgt.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Nanomaterialien (13) in Schritt b) verkleinert werden.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt c) die Beschichtung (15) durch Aufsprühen aufgebracht wird.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt c) die Beschichtung (15) mittels physikalischer oder chemischer Gasabscheidung aufgebracht wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt c) die Beschichtung (15) durch thermisches Verdampfen aufgebracht wird.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt c) eine Beschichtung (15) mit einer Schichtdicke von 1 nm bis 10 μm aufgebracht wird.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung (15) zumindest teilweise aus Metall besteht.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung (15) zumindest teilweise aus Siliciumnitrid besteht.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt d) die Nanomaterialien (13) durch mechanisches oder chemisch mechanisches Polieren entfernt werden.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt d) die dreidimensionale Oberflächenstruktur der ersten Schicht (11) als Abstandhalter zwischen den mechanischen Mitteln zum Polieren und der Beschichtung (15) wirkt.
  19. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt e) die in Schritt c) aufgebrachte Beschichtung (15) als Ätzmaske wirkt.
  20. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass das Ätzen in Schritt e) durch ein Trockenätzverfahren oder Nassätzverfahren erfolgt.
  21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass das Ätzen in Schritt e) durch Plasmaätzen erfolgt.
  22. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt e) Strukturen (17) in die erste Schicht (11) geätzt werden.
  23. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass im Schritt e) Strukturen (17) in eine oder mehrere weitere Schichten geätzt werden.
  24. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass nach Schritt e) die erste Schicht (11) von der zweiten Schicht (12) gelöst wird.
  25. Oberfläche mit Nanostrukturen, die nach einem Verfahren gemäß den Ansprüchen 1 bis 24 erzeugt worden sind.
  26. Membran mit einer Oberfläche nach Anspruch 25.
  27. Elektrodenanordnung mit einer Oberfläche nach Anspruch 25.
  28. Biosensor mit einer Oberfläche nach Anspruch 25.
  29. Vorrichtung, die eine Membran nach Anspruch 26, eine Elektrodenanordnung nach Anspruch 27, einen Biosensor nach Anspruch 28 und/oder eine Oberfläche nach Anspruch 29 aufweist.
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