DE102008039183A1 - Verfahren zum Herstellen eines zinkoxidhaltigen Materials und ein Halbleiterbauelement mit einem zinkoxidhaltigen Material - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines zinkoxidhaltigen Materials und ein Halbleiterbauelement mit einem zinkoxidhaltigen Material Download PDF

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Abstract

Die Erfindung bezieht sich u.a. auf ein Verfahren mit den Merkmalen gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Erfindungsgemäß ist diesbezüglich vorgesehen, dass ein p-dotiertes zinkoxidhaltiges Material (30, 60, 125, 225, 325) hergestellt wird, wobei die p-Dotierung während des Wachstums des Materials durch eine Stickstoff-Dotierung gebildet wird und wobei die Wachstumstemperatur während des Wachstums und der Dotierung des zinkoxidhaltigen Materials in einem Bereich zwischen 150°C und 400°C liegt.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren mit den Merkmalen gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
  • Ein derartiges Verfahren ist aus der internationalen Patentanmeldung WO 2008/034404 A1 bekannt. Bei diesem vorbekannten Verfahren wird auf einem Substrat ein ZnCdO-Material mit einem Kadmiumanteil zwischen 20% und 35% mittels eines Molekularstrahlepitaxieverfahrens bei einer Wachstumstemperatur zwischen 120°C und 160°C aufgewachsen. Bei dem genannten Kadmiumanteil zwischen 20% und 35% ist das ZnCdO-Material zur Emission von sichtbarem Licht, insbesondere zur Emission von grünem Licht, geeignet.
  • ZnO-Material sowie Heterostrukturen auf der Basis von ZnMgO-Material und/oder ZnCdO-Material sind heutzutage von großem wirtschaftlichen Interesse, da sie die Entwicklung von optoelektronischen Bauelementen in einem Wellenlängenbereich ermöglichen würden, der sich von sichtbarem Licht bis tief ins Ultraviolette erstreckt. Anwendungsgebiete würden beispielsweise Lichtemitter, insbesondere Laserdioden, die Fotovoltaik oder die transparente Elektronik bilden, um nur einige zu nennen. Kompatibilität mit organischen und Biomaterialien zeichnet ZnO-Material gegenüber anderen Halbleitermaterialien, wie beispielsweise GaN-Material, dabei besonders aus.
  • Eine wesentliche technische Barriere, die bisher eine kommerzielle Nutzung von ZnO-Material als optoelektronischem Halbleitermaterial verhindert hat, besteht darin, dass keine Ver fahren bekannt sind, die eine verlässliche p-Dotierung von zinkoxidhaltigen Schichten, insbesondere von ZnO-Material, erlauben. Eine p-Dotierung ist aber für die Ausbildung von pn-Übergängen und damit für die Herstellung von elektrisch gesteuerten Bauelementen von wesentlicher Bedeutung.
  • Der Erfindung liegt demgemäß die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, mit dem sich eine p-dotierte zinkoxidhaltige Schicht reproduzierbar und mit hoher p-Dotierung herstellen lässt.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren mit den Merkmalen gemäß Patentanspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens sind in Unteransprüchen angegeben.
  • Danach ist erfindungsgemäß vorgesehen, dass ein p-dotiertes zinkoxidhaltiges Material hergestellt wird, wobei die p-Dotierung während des Wachstums des Materials durch eine Stickstoff-Dotierung gebildet wird, und wobei die Wachstumstemperatur während des Wachstums und der Dotierung des zinkoxidhaltigen Materials in einem Bereich zwischen 150°C und 400°C liegt.
  • Ein wesentlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist darin zu sehen, dass sich mit diesem in zinkoxidhaltigen Schichten sehr hohe p-Dotierungen erreichen lassen; dies ist konkret auf den erfindungsgemäßen Temperaturbereich zwischen 150°C und 400°C zurückzuführen, in dem sich – wie erfinderseitig festgestellt wurde – Stickstoff in zinkoxidhaltigem Material mit sehr hoher Dotierung bis in den Bereich einbauen lässt. Erfinderseitig durchgeführte Untersuchungen haben gezeigt, dass in dem genannten Wachstumstemperaturbereich eine sehr gute kristalline Qualität des zinkoxidhaltigen Materials erreicht wird; dies dokumentieren beispielsweise Messungen der Halbwertsbreiten der charakteristischen Reflexe in der Röntgenstreuung, die selbst bei höchsten Stickstoffkonzentrationen im Bereich über 1018 cm–3 bei nur ca. 300 arcsec liegen. Zur Quantifizierung des erreichten Dotierungsniveaus wurde erfinderseitig darüber hinaus die so genannte Sekundärionen-Massenspektroskopie (SIMS) eingesetzt. Die erfinderseitig erzielten SIMS-Daten zeigen, dass die Einbaumenge von Stickstoff während des Wachstums und der Dotierung der zinkoxidhaltigen Schicht über die Temperatur in weiten Grenzen gesteuert werden kann. Wasserstoff, der in der Literatur oft als kritischer Gegenspieler einer p-Dotierung beschrieben wird, tritt bei dem erfindungsgemäßen Verfahren in relevanten Konzentrationen nicht auf.
  • Ein weiterer wesentlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist darin zu sehen, dass sich mit diesem für praktische Anwendungen geeignete Stickstoffkonzentrationen im Bereich von beispielsweise 1018 cm–3 erreichen lassen; bei solchen Konzentration stehen ausreichend viele Löcher für die elektrische Stromleitung zur Verfügung, wobei jedoch Streuprozesse an den Stickstoffstörstellen noch nicht zu störend sind. Erfinderseitig durchgeführte Hall-Messungen haben Beweglichkeiten der Löcher mit Werten bis zu mehreren 10 cm–2/Vs bei Löcherkonzentrationen über 1018 cm–3 gezeigt.
  • Ein weiterer wesentlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist darin zu sehen, dass sich mit diesem auch p-dotierte zinkoxidhaltige Schichten herstellen lassen, die für Licht emittierende Bauelemente, wie Leuchtdioden oder Laser, auf der Basis von ZnCdO-Material geeignet sind. So lassen sich mit den erfindungsgemäß hergestellten stickstoffdotier ten zinkoxidhaltigen Schichten p-Gebiete herstellen, die für pn-Übergänge von Leuchtdioden oder Lasern benötigt werden. Beispielsweise können die erfindungsgemäß hergestellten stickstoffdotierten zinkoxidhaltigen Schichten auch zur Kontaktierung von Halbleiterbauelementen verwendet werden, die zur Emission von sichtbarem Licht, insbesondere von grünem Licht, geeignet sind; denn durch die erfindungsgemäß vorgesehene Stickstoffdotierung zinkoxidhaltiger Schichten lassen sich auch optisch aktive Zonen aus ZnCdO-Material kontaktieren.
  • Vorzugsweise wird das zinkoxidhaltige Material mit einem Molekularstrahlepitaxieverfahren hergestellt.
  • Während des Wachstums und der Dotierung des zinkoxidhaltigen Materials wird Sauerstoff und Stickstoff vorzugsweise von zwei voneinander unabhängigen Plasma-Quellen zur Verfügung gestellt; dies ermöglicht eine besonders genaue Regelung des Stickstoffanteils im Stickstoffplasma.
  • Gemäß einer besonders bevorzugten Ausgestaltung des Verfahrens ist vorgesehen, dass die Zusammensetzung des Stickstoffplasmas gemessen und die Herstellungsparameter, insbesondere die Hochfrequenzleistung zur Erzeugung des Stickstoff-Plasmas und/oder der Stickstofffluss, derart eingestellt werden, dass der Anteil des atomaren Stickstoffs den Anteil anderer Stickstoffanteile, insbesondere den Anteil des molekularen Stickstoffs, im Stickstoffplasma überwiegt. Vorzugsweise beträgt der Anteil des atomaren Stickstoffs im Stickstoffplasma ca. 60% bis 80% des gesamten Stickstoffs.
  • Um den genannten Stickstoffanteil während des Wachstums und der Dotierung kontrollieren zu können, wird vorzugsweise das Emissionsspektrum des Stickstoffplasmas gemessen, und es wird mit dem gemessenen Emissionsspektrum die jeweilige Zusammensetzung des Stickstoffplasmas ermittelt.
  • Auch wird es als vorteilhaft angesehen, wenn das Wachstum und die Dotierung unter stark metallreichen Bedingungen erfolgt. Beispielsweise wird hierzu die Wachstumsrate des zinkoxidhaltigen Materials während des Wachstums gemessen und der Metallfluss und/oder der Metallpartialdruck des während des Wachstums zur Verfügung stehenden Metalls so lange erhöht, bis die Wachstumsrate des zinkoxidhaltigen Materials nicht mehr ansteigt und unabhängig von dem vorliegenden Metallfluss und/oder Metallpartialdruck konstant bleibt. Wenn der tatsächliche Fluss den zur Erreichung der Sättigung notwendigen Fluss um mehr als einige Prozent, beispielsweise 20%, übersteigt, liegen stark metallreiche Bedingungen vor.
  • Eine hohe Dotierung bei guter Kristallqualität lässt sich beispielsweise erreichen, wenn die Hochfrequenzleistung zur Erzeugung des Stickstoffplasmas auf einen Wert in einem Bereich zwischen 250 W und 450 W eingestellt wird und/oder der Stickstofffluss auf einen Wert in einem Bereich zwischen 0,15 sccm und 0,30 sccm eingestellt wird.
  • Um eine hohe Löcherkonzentration in dem stickstoffdotierten Material zu erreichen, wird es als vorteilhaft angesehen, wenn das zinkoxidhaltige Material mit einer p-Dotierung durch Stickstoff von 1017 cm–3 oder über 1017 cm–3, insbesondere von 1018 cm–3 oder über 1018 cm–3, versehen wird.
  • Mit dem beschriebenen Verfahren kann in vorteilhafter Weise eine Dioden- oder Laserstruktur gebildet werden, die das stickstoffdotierte zinkoxidhaltige Material einschließt. Bei spielsweise wird eine optisch aktive Zone der Dioden- oder Laserstruktur mit einem zur Emission von sichtbarem, insbesondere grünem, Licht geeigneten ZnCdO-Material mit einen Kadmiumanteil zwischen 20% und 35% hergestellt.
  • So kann beispielsweise ein n-dotiertes und ein p-dotiertes Halbleitermaterial hergestellt werden, die die optisch aktive Zone der Dioden- oder Laserstruktur einschließen, wobei zumindest ein Bestandteil des p-dotierten Halbleitermaterials mit dem stickstoffdotierten zinkoxidhaltigen Material gebildet wird.
  • Die Erfindung bezieht sich darüber hinaus auch auf ein Halbleiterbauelement. Erfindungsgemäß ist bezüglich eines solchen Halbleiterbauelements vorgesehen, dass ein n-dotiertes und ein p-dotiertes Halbleitermaterial eine optisch aktive Zone einer Dioden- oder Laserstruktur des Halbleiterbauelements einschließen, wobei ein durch Stickstoff p-dotiertes zinkoxidhaltiges Material zumindest einen Bestandteil des p-dotierten Halbleitermaterials bildet und wobei die Stickstoff-Dotierung vorzugsweise 1017 cm–3 oder mehr als 1017 cm–3, insbesondere 1018 cm–3 oder mehr als 1018 cm–3, beträgt.
  • Bezüglich der Vorteile des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements wird auf die obigen Ausführungen im Zusammenhang mit dem erfindungsgemäßen Verfahren verwiesen, da die Vorteile des Halbleiterbauelements im Wesentlichen denen des erfindungsgemäßen Verfahrens entsprechen.
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert; dabei zeigen beispielhaft
  • 1–2 ein erstes Ausführungsbeispiel für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens,
  • 3–4 ein zweites Ausführungsbeispiel für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens,
  • 5 ein erstes Ausführungsbeispiel für ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement mit einer aktiven Zone aus ZnCdO-Material,
  • 6 ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement mit einer aktiven Zone aus ZnCdO-Material und
  • 7 ein Ausführungsbeispiel für ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement mit einer aktiven Zone aus ZnMgO-Material.
  • In den Figuren werden der Übersicht halber für identische oder vergleichbare Komponenten stets dieselben Bezugszeichen verwendet.
  • Im Zusammenhang mit den 1 und 2 wird nachfolgend ein erstes Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zum Herstellen einer stickstoffdotierten zinkoxidhaltigen Schicht erläutert. In der 1 erkennt man eine Oberfläche 10 eines Trägers 20, der beispielsweise durch eine Nukleationsschicht gebildet ist, die auf einem nicht gezeigten Substrat mittelbar oder unmittelbar aufgetragen wurde. Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß 1 besteht der Träger 20 aus ZnO-Material.
  • In der 2 ist dargestellt, wie auf die Oberfläche 10 des Trägers 20 eine stickstoffdotierte, also eine p-dotierte, zinkoxidhaltige Schicht aus ZnO-Material entlang der Pfeil richtung P aufgewachsen wird. Die stickstoffdotierte Schicht ist in der 2 mit dem Bezugszeichen 30 gekennzeichnet.
  • Das Aufwachsen der stickstoffdotierten zinkoxidhaltigen Schicht 30 erfolgt vorzugsweise im Rahmen eines Molekularstrahlepitaxieverfahrens, wobei von den nachstehend aufgeführten Parametern bzw. Verfahrensschritten zumindest einer, vorzugsweise mehrere und besonders bevorzugt alle berücksichtigt bzw. umgesetzt werden:
    • – Die Wachstumstemperatur während des Wachstums und der Dotierung des zinkoxidhaltigen Materials liegt in einem Bereich zwischen 150°C und 400°C.
    • – Während des Wachstums und der Dotierung des zinkoxidhaltigen Materials wird Sauerstoff und Stickstoff von zwei voneinander unabhängigen Plasmaquellen zur Verfügung gestellt.
    • – Die Zusammensetzung des Stickstoffplasmas wird gemessen und die Herstellungsparameter, insbesondere die Hochfrequenzleistung zur Erzeugung des Stickstoff-Plasmas und/oder der Stickstofffluss, werden derart eingestellt, dass der Anteil des atomaren Stickstoffs den Anteil anderer Stickstoffanteile, insbesondere den Anteil des molekularen Stickstoffs (N2, N2 +), im Stickstoffplasma überwiegt. Beispielsweise wird das Emissionsspektrum des Stickstoffplasmas gemessen, und es wird mit dem gemessenen Emissionsspektrum die Zusammensetzung des Stickstoffplasmas ermittelt. Der Anteil des atomaren Stickstoffs im Stickstoffplasma beträgt vorzugsweise ca. 60% bis 80% des gesamten Stickstoffs.
    • – Das Wachstum und die Dotierung erfolgt unter stark metallreichen Bedingungen. Um ”stark metallreiche” Bedingungen sicherzustellen, kann beispielsweise die Wachstumsrate des zinkoxidhaltigen Materials während des Wachstums gemessen werden und der Metallfluss und/oder der Metallpartialdruck des während des Wachstums zur Verfügung stehenden Metalls solange erhöht werden, bis die Wachstumsrate des zinkoxidhaltigen Materials nicht mehr ansteigt und unabhängig von dem vorliegenden Metallfluss und/oder Metallpartialdruck konstant bleibt; wenn der tatsächliche Fluss den zur Erreichung der Sättigung notwendigen Fluss um mehr als einige Prozent, beispielsweise 20%, übersteigt, liegen ”stark metallreiche” Wachstumsbedingungen vor.
    • – Die Hochfrequenzleistung zur Erzeugung des Stickstoffplasmas wird auf einen Wert in einem Bereich zwischen 250 W und 450 W eingestellt.
    • – Der Stickstofffluss wird auf einen Wert in einem Bereich zwischen 0,15 sccm und 0,30 sccm eingestellt.
  • Im Zusammenhang mit den 3 und 4 wird nun ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zum Herstellen eines stickstoffdotierten zinkoxidhaltigen Materials erläutert. In der 3 erkennt man eine Oberfläche 40 eines Trägers 50, der aus ZnMgO-Material gebildet ist.
  • Die 4 zeigt, wie auf die Oberfläche 40 des Trägers 50 eine stickstoffdotierte zinkoxidhaltige Schicht aus ZnMgO-Material entlang der Pfeilrichtung P aufgewachsen wird. Das Aufwachsen der stickstoffdotierten ZnMgO-Schicht 60 erfolgt vorzugsweise mittels eines Molekularstrahlepitaxieverfahrens, bei dem vorzugsweise einer oder mehrere, besonders bevorzugt alle der im Zusammenhang mit der Beschreibung der 1 und 2 erläuterten Parameter, Einstellungen und Verfahrensschritte berücksichtigt, also angewandt bzw. durchgeführt, werden.
  • Die 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel für ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement 100. Das Halbleiterbauelement 100 weist ein Substrat 105 auf, bei dem es sich beispielsweise um ein Saphir-Substrat handeln kann. Auf dem Substrat 105 ist entlang einer Wachstumsrichtung, die in der 5 mit dem Pfeil P gekennzeichnet ist, eine n-dotierte Schicht 110 aus ZnO-Material aufgewachsen. Auf der Schicht 110 ist ein elektrischer Kontakt 115 aufgebracht, der beispielsweise aus Indium bestehen oder Indium aufweisen kann.
  • Auf der Schicht 110 ist eine Multiquantumwellstruktur 120 aufgewachsen, die beispielsweise sieben bis zehn Schichtpaare, die jeweils aus ZnO-Material 121 und ZnCdO-Material 122 bestehen, aufweisen kann. Von den sieben bis zehn Schichtpaaren ist in der 5 aus Gründen der Übersicht nur ein einziges gezeigt.
  • Die Multiquantumwellstruktur 120 bildet eine optisch aktive Zone des Bauelements 100, wenn es zu einem Stromfluss durch das Bauelement kommt; dies wird weiter unten noch näher erläutert.
  • Auf die Multiquantumwellstruktur 120 ist eine stickstoffdotierte zinkoxidhaltige Schicht 125 aus ZnO-Material aufgewachsen. Bei dem Aufwachsen der Schicht 125 wurden vorzugsweise die im Zusammenhang mit den 1 bis 2 diskutierten Wachstumsparameter und Verfahrensschritte eingehalten bzw. durchgeführt.
  • Auf der Schicht 125 ist ein weiterer elektrischer Kontakt 130 aufgebracht, bei dem es sich beispielsweise um einen Goldkontakt oder einen goldhaltigen Kontakt handeln kann.
  • Fließt nun durch das elektrische Bauelement 100 ein elektrischer Strom, beispielsweise wenn an die elektrischen Kontakte 130 und 115 eine elektrische Spannung angelegt wird, so kann die Multiquantumwellstruktur 120 bzw. die aktive Zone des Bauelements 100 sichtbares, insbesondere grünes, Licht erzeugen. Ein Aussenden von grünem Licht wird beispielsweise auftreten, wenn das ZnCdO-Material in der Multiquantumwellstruktur 120 einen Kadmium-Anteil zwischen 20% und 35% aufweist.
  • In der 6 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement 200 dargestellt. Das Bauelement 200 weist ein Substrat 205 aus n-dotiertem ZnO-Material auf. Das Substrat 205 ist rückseitig mittels eines elektrischen Kontaktes 210, beispielsweise aus Indiummaterial, kontaktiert.
  • Auf dem Substrat 205 befindet sich eine Schicht 215 aus n-dotiertem ZnO-Material, auf dem eine Multiquantumwellstruktur 220 bestehend aus beispielsweise sieben bis zehn Schichtpaaren, die jeweils aus einer ZnO-Schicht 221 und einer ZnCdO-Schicht 222 gebildet sind, aufgewachsen ist. Von den sieben bis zehn Schichtpaaren ist in der 6 aus Gründen der Übersicht nur ein einziges gezeigt. Die Wachstumsrichtung beim Herstellen der Struktur gemäß 6 ist durch den Pfeil mit dem Bezugszeichen P gekennzeichnet.
  • Auf die Multiquantumwellstruktur 220 ist eine stickstoffdotierte zinkoxidhaltige Schicht aus ZnO-Material aufgewachsen, die mit dem Bezugszeichen 225 gekennzeichnet ist. Auf der Schicht 225 befindet sich ein weiterer elektrischer Kontakt 230, bei dem es sich beispielsweise um einen Goldkontakt oder einen goldhaltigen Kontakt handeln kann.
  • Wird nun an die beiden elektrischen Kontakte 230 und 210 eine elektrische Flussspannung angelegt, so kann es zu einer Emission von Licht kommen, wenn in der durch die Multiquantumwellstruktur 220 gebildeten optisch aktiven Zone genug Elektronlochpaare für eine strahlende Rekombination zur Verfügung stehen. Zur Erzeugung von grünem Licht weist das ZnCdO-Material innerhalb der Multiquantumwellstruktur 220 vorzugsweise einen Kadmiumanteil zwischen 20 und 35% auf.
  • In der 7 ist ein drittes Ausführungsbeispiel für ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement dargestellt; dieses ist mit dem Bezugszeichen 300 gekennzeichnet. Das Bauelement 300 weist ein Saphir-Substrat 305 auf, auf dem eine n-dotierte ZnMgO-Schicht 310 aufgewachsen ist. Das Aufwachsen der Schichten auf dem Substrat 305 erfolgt in einer Wachstumsrichtung, die in der 7 durch den Pfeil P gekennzeichnet ist.
  • Auf der Schicht 310 ist ein erster elektrischer Kontakt 315 aufgebracht, bei dem es sich beispielsweise um einen Indium-Kontakt handeln kann. Auf der Schicht 310 ist darüber hinaus eine Multiquantumwellstruktur 320 aufgewachsen, die beispielsweise fünf Schichtpaare – jeweils aus ZnMgO-Material 321 und ZnO-Material 322 bestehend – aufweisen kann. Die Multiquantumwellstruktur 320 bildet eine optisch aktive Zone des Bauelements 300.
  • Auf die Multiquantumwellstruktur 320 aufgewachsen ist eine stickstoffdotierte ZnMgO-Schicht 325, die vorzugsweise nach einem Verfahren aufgewachsen ist, wie es im Zusammenhang mit den 3 und 4 erläutert worden ist. Auf der stickstoffdotierten Schicht 325 befindet sich ein weiterer elektrischer Kontakt 330, bei dem es sich beispielsweise um einen Goldkontakt handeln kann.
  • Wird nun an die beiden elektrischen Kontakte 315 und 330 eine elektrische Flussspannung angelegt, so kann es zu einem elektrischen Strom kommen, der ausreichend viele Elektronlochpaare in die Multiquantumwellstruktur 320 injiziert, so dass es in der aktiven Zone des Bauelements 300 zu einer Emission von beispielsweise ultraviolettem Licht kommt.
  • Bei den oben erläuterten Ausführungsbeispielen wurden ausschließlich Licht emittierende Komponenten berücksichtigt. Selbstverständlich kann das erfindungsgemäße Verfahren auch auf anderen Gebieten eingesetzt werden, beispielsweise im Bereich der Photovoltaik, wo heutzutage zur Verbesserung der Effizienz von Solarzellen intensiv nach Alternativen zur Silizium-Dünnschicht-Technologie gesucht wird. Auch kann das Verfahren auf dem Gebiet mikroelektronischer Anordnungen eingesetzt werden. Entsprechend können erfindungsgemäße Halbleiterbauelemente auch auf diesen Gebieten hergestellt werden.
    • 10, 40
    Oberfläche
    20, 50
    Träger/Nukleationsschicht
    30, 60
    stickstoffdotierte Schicht (aus ZnO oder ZnMgO)
    100
    Halbleiterbauelement
    105
    Substrat
    110
    n-dotierte Schicht
    115
    Kontakt
    120
    Multiquantumwellstruktur
    125
    stickstoffdotierte zinkoxidhaltige Schicht
    130
    elektrischer Kontakt
    200
    Bauelement
    205
    Substrat
    210
    elektrischer Kontakt
    215
    Schicht
    220
    Multiquantumwellstruktur
    225
    stickstoffdotierte zinkoxidhaltige Schicht
    230
    elektrischer Kontakt
    300
    Halbleiterbauelement
    305
    Saphir-Substrat
    310
    n-dotierte ZnMgO-Schicht
    315
    elektrischer Kontakt
    320
    Multiquantumwellstruktur
    325
    stickstoffdotierte Schicht
    330
    elektrischer Kontakt
    P
    Pfeil
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • - WO 2008/034404 A1 [0002]

Claims (15)

  1. Verfahren zum Herstellen eines zinkoxidhaltigen Materials, dadurch gekennzeichnet, dass – ein p-dotiertes zinkoxidhaltiges Material (30, 60, 125, 225, 325) hergestellt wird, – wobei die p-Dotierung während des Wachstums des Materials durch eine Stickstoff-Dotierung gebildet wird und – wobei die Wachstumstemperatur während des Wachstums und der Dotierung des zinkoxidhaltigen Materials in einem Bereich zwischen 150°C und 400°C liegt.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das zinkoxidhaltige Material mit einem Molekularstrahlepitaxieverfahren hergestellt wird.
  3. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass während des Wachstums und der Dotierung des zinkoxidhaltigen Materials Sauerstoff und Stickstoff von zwei voneinander unabhängigen Plasma-Quellen zur Verfügung gestellt werden.
  4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusammensetzung des Stickstoffplasmas gemessen und die Herstellungsparameter, insbesondere die Hochfrequenzleistung zur Erzeugung des Stickstoff-Plasmas und/oder der Stickstofffluss, derart eingestellt werden, dass der Anteil des atomaren Stickstoffs den Anteil anderer Stickstoffanteile, insbesondere den Anteil des molekularen Stickstoffs, im Stickstoffplasma überwiegt.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil des atomaren Stickstoffs im Stickstoffplasma ca. 60% bis 80% des gesamten Stickstoffs beträgt.
  6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Wachstum und die Dotierung unter stark metallreichen Bedingungen erfolgt.
  7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Emissionsspektrum des Stickstoffplasmas gemessen und mit dem gemessenen Emissionsspektrum die Zusammensetzung des Stickstoffplasmas ermittelt wird.
  8. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass – die Hochfrequenzleistung zur Erzeugung des Stickstoffplasmas auf einen Wert in einem Bereich zwischen 250 W und 450 W eingestellt wird und/oder – der Stickstofffluss auf einen Wert in einem Bereich zwischen 0,15 sccm und 0,30 sccm eingestellt wird.
  9. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das zinkoxidhaltige Material mit einer p-Dotierung durch Stickstoff von 1017 cm–3 oder über 1017 cm–3, insbesondere von 1018 cm–3 oder über 1018 cm–3, versehen wird.
  10. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass – während des Wachstums und der Dotierung des zinkoxidhaltigen Materials Sauerstoff und Stickstoff von zwei voneinander unabhängigen Plasma-Quellen zur Verfügung gestellt wird, die Zusammensetzung des Stickstoffplasmas gemessen wird und die Herstellungsparameter derart eingestellt werden, dass der Anteil des atomaren Stickstoffs den Anteil anderer Stickstoffanteile, insbesondere den Anteil des molekularen Stickstoffs, im Stickstoffplasma überwiegt, und – das Wachstum und die Dotierung des zinkoxidhaltigen Materials unter stark metallreichen Bedingungen erfolgt.
  11. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Dioden- oder Laserstruktur gebildet wird, die das stickstoffdotierte zinkoxidhaltige Material einschließt.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass eine optisch aktive Zone der Dioden- oder Laserstruktur mit einem zur Emission von sichtbarem, insbesondere grünem, Licht geeigneten ZnCdO-Material mit einen Kadmiumanteil zwischen 20% und 35% hergestellt wird.
  13. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 11–12, dadurch gekennzeichnet, dass – ein n-dotiertes und ein p-dotiertes Halbleitermaterial hergestellt werden, die die optisch aktive Zone der Dioden- oder Laserstruktur einschließen, – wobei zumindest ein Bestandteil des p-dotierten Halbleitermaterials mit dem stickstoffdotierten zinkoxidhaltigen Material gebildet wird.
  14. Verfahren zum Herstellen einer Dioden- oder Laserstruktur, – wobei eine optisch aktive Zone der Dioden- oder Laserstruktur mit einem zur Emission von sichtbarem Licht geeigneten ZnCdO-Material mit einen Kadmiumanteil zwischen 20% und 35% gebildet wird und – wobei eine p-dotierte elektrische Zuleitung der Dioden- oder Laserstruktur durch das stickstoffdotierte zinkoxidhaltige Material, insbesondere durch ein stickstoffdotiertes ZnO-haltiges Material, gebildet wird, das nach einem der vorangehenden Ansprüche hergestellt wird.
  15. Halbleiterbauelement (100, 200, 300), dadurch gekennzeichnet, dass – ein n-dotiertes und ein p-dotiertes Halbleitermaterial eine optisch aktive Zone (120, 220, 320) einer Dioden- oder Laserstruktur des Halbleiterbauelements einschließen, – wobei ein durch Stickstoff p-dotiertes zinkoxidhaltiges Material (125, 225, 325) zumindest einen Bestandteil des p-dotierten Halbleitermaterials bildet und wobei die Stickstoff-Dotierung vorzugsweise 1017 cm–3 oder mehr als 1017 cm–3, insbesondere 1018 cm–3 oder mehr als 1018 cm–3, beträgt.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2423946A1 (de) 2010-08-25 2012-02-29 Justus-Liebig-Universität Gießen Herstellung einer p-leitfähigen ZnO-haltigen Halbleiterschicht

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6527858B1 (en) * 1998-10-09 2003-03-04 Rohm Co. Ltd. P-type ZnO single crystal and method for producing the same
US20030146433A1 (en) * 2002-02-07 2003-08-07 Eagle-Picher Technologies, Llc Homoepitaxial layers of p-type zinc oxide and the fabrication thereof
WO2008034404A1 (de) 2006-09-22 2008-03-27 Humboldt-Universität Zu Berlin Verfahren zum herstellen eines zncdo halbleitermaterials
US20080185580A1 (en) * 2005-08-09 2008-08-07 Hiroyuki Kato EPITAXIAL GROWTH OF ZnO WITH CONTROLLED ATMOSPHERE

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3945782B2 (ja) * 2005-09-06 2007-07-18 シチズン東北株式会社 半導体発光素子及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6527858B1 (en) * 1998-10-09 2003-03-04 Rohm Co. Ltd. P-type ZnO single crystal and method for producing the same
US20030146433A1 (en) * 2002-02-07 2003-08-07 Eagle-Picher Technologies, Llc Homoepitaxial layers of p-type zinc oxide and the fabrication thereof
US20080185580A1 (en) * 2005-08-09 2008-08-07 Hiroyuki Kato EPITAXIAL GROWTH OF ZnO WITH CONTROLLED ATMOSPHERE
WO2008034404A1 (de) 2006-09-22 2008-03-27 Humboldt-Universität Zu Berlin Verfahren zum herstellen eines zncdo halbleitermaterials

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HIROAKI,Matsui,et.al.: N doping using N2O and NO sources. From the viewpoint of ZnO. In: Journal of Applied Physics,2004,95,10,S.5882-5888 $2.Experimental Details$ *
LOOK,D.,et.al.: Characterization of homoexpitaxial p-type ZnO grown by molecular beam epitasy. In: Appl.Physics Letters,2002,Vol.81,No.10,1830-1832 $ges.Dokument$ *
SENTHIL,Kumar,et.al.: Growth of nitrogen-doped ZnO films by MOVPE using disopropylzinc and tertiary-butanol. In: Journal of Crystal Growth,2007, Vol.298, 491-494 $1.Introduction,2.Experimental procedure,3.Results and Discussion, Abs.2$ *
SENTHIL,Kumar,et.al.: Growth of nitrogen-doped ZnO films by MOVPE using disopropylzinc and tertiary-butanol. In: Journal of Crystal Growth,2007, Vol.298, 491-494 1.Introduction,2.Experimental procedure,3.Results and Discussion, Abs.2 YAMAUCHI,Satoshi: Plasma-assisted epitaxial growth of nitrogen-doped and high-quality ZnO thin films. In. Confrence Date,Sunday 20 Jan.2008. In: Proc.SPIE, 2008,Vol.5895,689506 1.Introduction,2.Experimental,4.Conclusion LOOK,D.,et.al.: Characterization of homoexpitaxial p-type ZnO grown by molecular beam epitasy. In: Appl.Physics Letters,2002,Vol.81,No.10,1830-1832 ges.Dokument HIROAKI,Matsui,et.al.: N doping using N2O and NO sources. From the viewpoint of ZnO. In: Journal of Applied Physics,2004,95,10,S.5882-5888 2.Experimental Details
YAMAUCHI,Satoshi: Plasma-assisted epitaxial growth of nitrogen-doped and high-quality ZnO thin films. In. Confrence Date,Sunday 20 Jan.2008. In: Proc.SPIE, 2008,Vol.5895,689506 $1.Introduction,2.Experimental,4.Conclusion$ *

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