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Die
Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben eines Schwingkreises
mit mindestens zwei elektronischen Schaltern, insbesondere MOSFETs, und
einen solchen Schwingkreis.
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Eine
drahtlose Energieübertragung
kann induktiv durch Anwendung von speziellen Transformatoren erfolgen,
deren Primär- und Sekundärseite durch
den Nutzer auch während
des Betriebes trennbar sind. Eine Möglichkeit zur Erzeugung der
Primärspannung
bilden Resonanzwandler, bei denen ein Schwingkreis mittels einer
Elektronik angeregt und parallel zu dessen Schwingkreiskapazität eine sinusförmige Spannung
ausgekoppelt wird. Da die sich mit dem Abstand ändernde Streuinduktivität Ls und Hauptinduktivität Lh des
Transformators Bestandteil des Schwingkreises sind, kommt es beim
Trennen der beiden Transformatorseiten bzw. beim Betrieb mit zueinander
versetzten Transformatorhälften
zur Verschiebung der Resonanzfrequenz. Im schlimmsten Fall wechselt
die Betriebsart vom überresonanten Betrieb
in den unterresonanten Betrieb, was zur Zerstörung der Leistungshalbleiter
führen
kann.
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Bisher
wird die Verbindung von Primär-
und Sekundärseite
durch Messung des sekundärseitigen Laststromes
oder mit Hilfe von Mikrotastern bzw. Optokopplern erkannt. Dies
ist jedoch konstruktiv aufwendig und störanfällig. Hilfswicklungen in der
primärseitigen
Transformatorhälfte
detektieren ebenfalls getrennte Trafohälften, können jedoch aufgrund ihrer
langsamen Erfassung nicht eine Zerstörung der Leistungshalbleiter
verhindern. Eine weitere Möglichkeit
zur Verhinderung einer Zerstörung
ist der überresonante
Betrieb mit genügend
großem
Abstand zur Resonanzfrequenz, was jedoch eine schlechte Ausnutzung
der Leistungsbauelemente zur Folge hat.
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Es
ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Möglichkeit
zum Betrieb eines Schwingkreises mit Halbleiterbausteinen bereitzustellen,
welche die Halbleiterbausteine bei unterresonantem Betrieb bei gleichzeitig
guter Ausnutzung schützt.
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Diese
Aufgabe wird mittels eines Verfahrens zum Betrieb eines Schwingkreises
nach Anspruch 1, eines Schwingkreises nach Anspruch 6 und eines Haushaltsgeräts nach
Anspruch 12 gelöst.
Bevorzugte Ausführungsformen
sind insbesondere den abhängigen
Ansprüchen
entnehmbar.
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Das
Verfahren dient zum Betreiben eines Schwingkreises mit mindestens
zwei elektronischen Schaltern. Der Schwingkreis wird abgeschaltet,
falls im Wesentlichen während
des Abschaltens und/oder nach dem Abschalten (insbesondere unmittelbar nach
dem Abschalten) eines der Schalter ein Strom durch diesen Schalter
einen vorgegebenen Schwellwert erreicht oder unterschreitet.
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Dieses
Verfahren weist den Vorteil auf, dass es sehr schnell schaltet und
kaum oder nur einfach implementierbare und zudem unempfindliche
zusätzliche
Bauteile benötigt.
So brauchen zur Erkennung der Unterresonanz nicht mehrere Schwingungen
abgetastet und ausgewertet zu werden.
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Vorzugsweise
wird ein Strom durch den/die Schalter an einer Spule, insbesondere
Drosselspule, des Schwingkreises abgegriffen. Die Drosselspule ist vorzugsweise
eine mehreren Schaltern gemeinsame Drosselspule. Die Verwendung
des Stroms in einer Resonanzdrossel ist besonders vorteilhaft, weil
dieser in Schwingkreisen, insbesondere Resonanzwandlern, ohnehin überwacht
wird, damit Überströme durch
unterschiedlichste Lastwiderstände nicht
auftreten können.
Es wird daher kein zusätzlicher
Stromwandler benötigt.
Der Strom kann aber auch an geeigneter anderer Stelle abgefühlt werden, z.
B. direkt am Transistor.
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Es
ist zur Energieübertragung
mit hohem Wirkungsgrad vorteilhaft, wenn der Schwingkreis zur resonanten
Anregung ausgestaltet ist, insbesondere als Resonanzwandler.
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Der
Schwingkreis mag jede geeignete Zahl und Anordnung von Schaltern
zur Anregung des Schwingkreises aufweisen, jedoch wird eine Halbbrücke bevorzugt,
insbesondere bei nicht zu hoher benötigter Leistung, z. B. gegenüber einer
teureren Vollbrücke.
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Grundsätzlich ist
jeder geeignete elektronische Schalter zur Anregung des Schwingkreises
einsetzbar, z. B. ein Transistor in Form eines IGBT oder eines MOSFETs.
Da jedoch ein IGBT aufgrund seines Stromschweifs einen vergleichsweise
hohen Verlust aufweist, wird es bevorzugt, wenn mindestens einer
der elektronischen Schalter ein MOSFET ist, insbesondere alle elektronischen
Schalter MOSFETs sind.
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Der
vorgegebene Schwellwert kann beliebig geeignet gewählt werden,
z. B. so, dass er eine Trägheit
der Abschaltung vorauskompensiert oder eine Sicherheitsmarge bereitstellt.
So kann der Schwellwert vorzugsweise so gesetzt werden, dass er
ungefähr
eine Zeitdauer vor Erreichen des Nulldurchgangs auslöst, die
einer Zeitverzögerung
der Abschaltung entspricht.
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Es
wird zur einfach implementierbaren und detektierbaren Erkennung
der Strompolarität
jedoch bevorzugt, wenn der Schwellwert im wesentlichen Null ist,
also eine Nulldurchgangserkennung durchgeführt wird, bevorzugt mit Vorzeichenerkennung.
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Der
Schwingkreis, der mit mindestens zwei elektronischen Schaltern ausgerüstet, ist
dazu eingerichtet, das Verfahren wie oben beschrieben ablaufen zu
lassen.
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Der
Schwingkreis weist vorzugsweise mindestens auf:
- – eine Stromschwellwerterkennungsschaltung
zur Erkennung eines Erreichens eines Stromschwellwerts eines Stroms
durch mindestens einen der Schalter;
- – eine
Abschalterkennungsschaltung zur Erkennung eines Abschaltens dieses
mindestens einen Schalters;
- – eine
der Stromschwellwerterkennungsschaltung und Taktflankenerkennungsschaltung
nachgeschaltete UND-Schaltung, welche bei einem gemeinsamen Eintritt
einer Erkennung durch die Stromschwellwerterkennungsschaltung und
einer Erkennung durch die Taktflankenerkennungsschaltung ein Signal
zum Abschalten des Wandlers ausgibt.
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Vorzugsweise
umfasst die Stromschwellwerterkennungsschaltung eine Nulldurchgangserkennungsschaltung
zur Erkennung eines Nulldurchgangs durch mindestens einen der Schalter.
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Vorzugsweise
umfasst die Abschalterkennungsschaltung eine Taktflankenerkennungsschaltung
zur Erkennung einer den Schalter abschaltenden Taktflanke eines
Taktsignals.
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Vorzugsweise
ist das Taktsignal ein Gatespannungssignal (z. B. bei einem MOSFET
oder einem IGBT).
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Vorzugsweise
ist der Schwingkreis als Resonanzwandler ausgestaltet und umfasst
zumindest eine Seite eines trennbaren Transformators zur Leistungsübertragung.
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Das
Haushaltsgerät
ist mit einem solchen Schwingkreis ausgestaltet.
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In
den folgenden Figuren wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels
schematisch genauer beschrieben. Dabei können zur besseren Übersichtlichkeit
gleiche oder gleichwirkende Elemente mit gleichen Bezugszeichen
versehen sein.
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1 zeigt ein Schaltbild eines Schwingkreises
zur Leistungsübertragung
(1A) sowie dessen Frequenzgang (1B);
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2 zeigt
ein detaillierteres Schaltbild des Schwingkreises aus 1A;
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3 zeigt einen Frequenzgang des Schwingkreises
aus 2 im überresonanten
Betrieb (3A) und im unterresonanten Betrieb (3B)
für den
Fall, dass eine Schaltfrequenz 100 KHz beträgt;
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4 zeigt in jeweils drei Teilbildern einen Verlauf
eines Drainstroms, einer Drain-Source-Spannung und einer Gate-Spannung
im überresonanten Betrieb
(4A) und im unterresonanten Betrieb (4B);
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5 zeigt ein Diagramm einer Simulation eines
Drainstroms und einer Drain-Source-Spannung im überresonanten Betrieb (5A)
und im unterresonanten Betrieb (5B);
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6A zeigt
ein Blockschaltbild einer Resonanzerkennungsschaltung;
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6B zeigt
eine mögliche
Realisierung der Resonanzerkennungsschaltung aus 6A.
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1A zeigt
ein Schaltbild eines Schwingkreises 1 eines Resonanzwandlers
zur Leistungsübertragung
zwischen einem Leistungsteil 2 und einem davon galvanisch
getrennten Verbraucherteil 3 mittels eines Transformators 4.
Der Transformator 4 ist hier als Ersatzschaltbild mit einer
primärseitigen Hauptinduktivität Lh1, einer
sekundärseitigen
Hauptinduktivität
Lh2 und einer Streuinduktivität
Ls dargestellt. Die primärseitige
Hauptinduktivität
Lh1 ist parallel zu einem Resonanzkondensator Cres geschaltet, die
beide wiederum in Reihe mit einer Resonanzspule (Resonanzdrossel)
Lres geschaltet sind. Die Induktivitäten des Transformators 4,
der Resonanzkondensator Cres und die Resonanzspule Lres bestimmen
wesentlich die Resonanzfrequenz bzw. den Resonanzpunkt des Schwingkreises 1.
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Beim
Betrieb wird die primärseitige
Hauptinduktivität
Lh1 mit einer Wechselspannung betrieben, mit deren Frequenz die
Ausgangsspannung gestellt wird. Sie kann sich z. B. an der Resonanzfrequenz befinden,
sich in der Nähe
der Resonanzfrequenz befinden oder auch wesentlich größer sein,
und zwar beispielsweise je nach gewünschter Ausgangsspannung. Das
so von der primärseitigen
Hauptinduktivität
Lh1 erzeugte Magnetfeld wird von der sekundärseitigen Hauptinduktivität Lh2 induktiv
aufgenommen, um eine damit verbundene Last zu speisen, die hier
vereinfachend als Lastwiderstand RL eingezeichnet ist.
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Der
Transformator 4 ist hier mit seiner primärseitigen
Hauptinduktivität
Lh1 zum Leistungsteil 2 zugehörig und mit seiner sekundärseitigen
Hauptinduktivität
Lh2 zu Verbraucherteil 3 zugehörig eingezeichnet. Zur räumlichen
Trennung von Leistungsteil 2 und Verbraucherteil 3 ist
der Transformator 4 zwischen seinen Hauptinduktivitäten Lh1,
Lh2 trennbar. Werden die Transformatorhälften getrennt, sinken die
Werte der Hauptinduktivitäten
Lh1 und Lh2 stark, während
der Wert der Streuinduktivität
Ls steigt. Damit ändern
sich die Schwingkreisparameter, und die Resonanzfrequenz des Schwingkreises
steigt. Bei gleichbleibender Ansteuerfrequenz kann es so zum unterresonanten
Betrieb kommen, wodurch sich die Strom- und Spannungsbelastung der
Schalter gravierend ändert,
wie weiter unten unter Bezug auf 3A und 3B genauer
beschrieben.
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1B zeigt
den berechneten Frequenzgang des Schwingkreises aus 1A aufgetragen als
Amplitude der einzelnen Frequenzen des berechneten Frequenzganges
in beliebigen Einheiten über die
Frequenz f in KHz. Der normale Betrieb des Schwingkreises erfolgt
rechts von der Resonanzfrequenz, d. h., überresonant.
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Leistungsteil 2 und
Verbraucherteil 3 können beispielsweise
Teil eines Haushaltsgerätssystems ein.
So mögen
ein oder mehrere Leistungsteile 2 in eine Arbeitsfläche integriert
sein, z. B. für
eine Küche, oder
in ein Kochfeld. Ein Verbraucherteil 3 kann dann auf die
Arbeitsfläche
gegenüberliegend
einem der Leistungsteile 2, oder dazu leicht seitlich versetzt, aufgesetzt
und betrieben werden. Ein Verbraucherteil 3 kann beispielsweise
als Gargeschirr (mit dem Lastwiderstand RL in Form einer Widerstandsheizung,
z. B. als Topf, Pfanne usw.) oder als Kaffeemaschine (mit dem Lastwiderstand
RL in Form einer Elektronik und mehrerer Widerstandsheizungen) ausgestaltet sein.
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2 zeigt
den Schwingkreis 1 aus 1A mit
einer detaillierteren Darstellung des Leistungsteils 2.
Der Leistungsteil arbeitet als Gleichstrom-Wechselstrom-Wandler 2,
welcher eine an seinen Eingangsanschlüssen 5 anliegende
Gleichspannung Ug von hier beispielhaft 380 V in eine Wechselspannung
zum Betrieb der primärseitigen
Hauptinduktivität
Lh1 umwandelt (Resonanzwandler).
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Der
Schwingkreis 1 umfasst dazu eine Halbbrücke mit zwei elektronischen
Schaltern in Form von normal leitenden MOSFETs 6. Die MOSFETs 6 sind in
Reihe zwischen die Eingangsanschlüsse 5 geschaltet.
Die MOSFETs 6 schalten passiv bei einem Strom kleiner Null
ein und schalten aktiv einen Strom größer Null aus. Jeder der MOSFETs 6 ist
parallel zu einer zugehörigen
Diode 7 geschaltet, die bezüglich der Eingangsgleichspannung
von 380 V sperrend angeordnet sind. Im Fall der MOSFETs 6 entsprechen die
Dioden 7 den jeweiligen parasitären Bodydioden. Bei IGBTs müssen diese
extra parallel geschaltet werden.
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Parallel
zu den MOSFETs 6 sind zwei gleiche Kondensatoren 8 in
Reihe zwischen die Eingangsanschlüsse 5 geschaltet, über denen
jeweils die Hälfte der
Eingangsspannung abfällt.
Zwi schen den Mittelabgriffen 9 der MOSFETs 6 und
der Kondensatoren 8 sind der Resonanzkondensator Cres und
die Resonanzspule bzw. Resonanzdrossel Lres ähnlich zu 1A in
Reihe geschaltet. Parallel zum Resonanzkondensator Cres ist, ebenfalls ähnlich zu 1A, der
Transformator 4 mit dem sekundärseitigen Lastwiderstand RL
geschaltet. Dadurch werden zwei Teilschwingkreise erzeugt, welche
die Elemente des Mittenabgriffs Lres, Cres, 4 gemeinsam
haben und über die
MOSFETs 6 einzeln an- und abschaltbar sind.
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Zur
Erzeugung einer Wechselspannung am Transformator 4 bzw.
zumindest an der primärseitigen
Hauptinduktivität
Lh1 werden die MOSFETs 6 abwechselnd über ihre jeweilige Gatespannung
UG ein- und ausgeschaltet. Dadurch wird eine sinusförmige Wechselspannung
mit einer Frequenz entsprechend der Taktfrequenz der MOSFETs 6 erzeugt.
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3A zeigt
in einer Darstellung analog zu 1B einen
Frequenzgang des Schwingkreises 1 aus 2 bei
aufgesetztem Verbraucherteil als Frequenzgang des Schwingkreises 1 aufgetragen
als Amplitude der einzelnen Frequenzen des berechneten Frequenzganges
in beliebigen Einheiten über
die Frequenz f in KHz. In diesem Fall wird der Schwingkreis 1 überresonant
betrieben, d. h., bei Frequenzen oberhalb der Resonanzfrequenz des
Schwingkreises, deren Lage sich bei ca. 90 KHz befindet.
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3B zeigt
in einer Darstellung analog zu 3A dagegen
den Frequenzgang im Fall getrennter Transformatorhälften, d.
h., eines stark versetzten oder entfernten Verbraucherteils. Dabei
sinken die Werte der Hauptinduktivitäten Lh1 und Lh2 stark, während der
Wert der Streuinduktivität
Ls steigt. Folglich ändern
sich die Schwingkreisparameter, und die Resonanzfrequenz des Schwingkreises
steigt, deren Lage nun bei ca. 120 KHz gestrichelt angedeutet ist.
Bei gleichbleibender Ansteuerfrequenz der Leistungshalbleiter von
hier 100 KHz kommt es so zum unterresonanten Betrieb, wodurch sich
die Strom- und Spannungsbelastung auf die MOSFETs 6 gravierend ändert.
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4A skizziert
für den überresonanten
Betrieb für
jeweils einen Taktzyklus: (a) einen Verlauf des Transistorstroms
(Drainstroms) ID durch einen der MOSFETS aus 2 (oberes
Teilbild); (b) einen Verlauf der Drain-Source-Spannung UDS an diesem MOSFET
(mittleres Teilbild); und (c) einen Verlauf der Gate-Spannung UGS
an diesem MOSFET (unteres Teilbild) über einen An/Aus-Zyklus des
MOSFETs. 5A zeigt in einem Diagramm einen
entsprechenden gemessenen Transistorstrom (Drainstrom) ID und eine
zugehörige,
gemessene Drain-Source-Spannung
UDS eines MOSFETs über
die relative Zeit t für
einen An/Aus-Zyklus in %.
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Bei
eingeschaltetem MOSFET (eingeschalteter Gatespannung UGS, siehe
unteres Teilbild von 4A) leitet dieser, so dass die
Drain-Source-Spannung UDS im wesentlichen Null ist. In diesem leitenden
Zustand läuft
der Drainstrom ID im überresonanten
Zustand von einem negativen Anfangswert kommend in den positiven
Bereich hoch.
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Beim
Ausschalten des MOSFETs (UGS ausgeschaltet bzw. im wesentlichen
Null) sperrt dieser seinen Kanal, und die Drain-Source-Spannung UDS steigt auf einen
endlichen Wert an. Im gesperrten Zustand fließt kein Strom. Da der Drainstrom
ID beim Ausschalten einen positiven Wert aufweist, schaltet dieser
die Diode des gegenüberliegenden
Schalters passiv ein und die Schaltverluste sind vernachlässigbar.
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4B zeigt
in analoger Ansicht zu 4A einen Verlauf im unterresonanten
Betrieb; und 5B zeigt in analoger Ansicht
zu 5A einen zugehörigen
gemessenen Drainstrom ID und eine zugehörige gemessene Drain-Source-Spannung UDS.
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Bei
eingeschaltetem, leitendem MOSFET läuft der Drainstrom ID nun typischerweise
von einem positiven Anfangswert kommend zunächst auf ein Maximum hoch,
um danach in den Bereich negativer Polarität zu wechseln, während der
MOSFET noch aktiv eingeschaltet ist. Dadurch wird die parasitäre Body-Diode
des Transistors geflutet (Inversbetrieb). Bei folgendem Ausschalten
dieses MOSFETs bzw. folgendem Einschalten des gegenüberliegenden MOSFETs
auf die geflutete (langsame) Body-Diode kommt es zu hohen Strömen und
damit zu hohen Verlusten, was eine Zerstörung des MOSFETs verursachen
kann.
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Um
eine solche Zerstörung
zu verhindern, wird der Schwingkreis abgeschaltet, wenn ein negativer
Transistorstrom und ein Ausschalten des Transistors bzw. Einschalten
des gegenüberliegenden Transistors
zusammenkommen. Dies kann beispielsweise bei MOSFETs dadurch geschehen,
dass bei negativem Transistorstrom eine fallende Gatespannungsflanke
erkannt wird. In diesem Fall liegen getrennte bzw. versetzte Transformatorhälften und
somit ein unterresonanter Betrieb vor. Als Transistorstrom lässt sich
der Transistorstrom direkt am Transistor oder der Strom in der Resonanzdrossel
zusammen mit dem zugehörigen
Gatesignal eines Leistungstransistors auswerten. Durch Auswertung
des Stromes in der Resonanzdrossel in Verbindung mit der Gatespannungsflanke
ist unmittelbar, d. h., nahezu ohne Verzögerung, eine getrennte Transformatorhälfte erkennbar.
Eine Zerstörung
von MOSFETs durch deren geflutete parasitäre Body-Diode wird dadurch
verhindert. Die Verwendung des Stroms in der Resonanzdrossel ist
auch deshalb vorteilhaft, weil dieser in diesem Typ von Wandler
ohnehin überwacht
wird, damit Überströme durch
unterschiedlichste Lastwiderstände
nicht auftreten können.
Es wird daher kein zusätzlicher
Stromwandler benötigt.
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Die
Leistungselektronik lässt
sich ferner so dimensionieren, dass das Ausgangsspannungsmaximum
mit geringer Reserve über
der Resonanzfrequenz liegt, wodurch die passiven Bauelemente besser
ausgenutzt werden.
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6A zeigt
ein Blockschaltbild einer Resonanzerkennungsschaltung 10 bzw.
Sperrschaltung zur Erkennung eines unterresonanten Betriebs des Schwingkreises
aus 2 bzw. Erkennung und folgendem Sperren (Ausschalten)
des Schwingkreises.
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Die
Resonanzerkennungsschaltung 10 umfasst dazu erstens eine
Stromschwellwerterkennungsschaltung 11 zur Erkennung eines
Erreichens eines Stromschwellwerts eines Stroms durch mindestens
einen der Schalter (insbesondere MOSFETS) und eine Abschalterkennungsschaltung 12 zur
Erkennung eines Abschaltens dieses mindestens einen Schalters. Diesen
beiden Erkennungsschaltungen 11, 12 ist eine UND-Schaltung 13 nachgeschaltet,
welche bei einem gemeinsamen Eintritt einer Erkennung durch die
Stromschwellwerterkennungsschaltung und einer Erkennung durch die
Taktflankenerkennungsschaltung ein Signal zum Abschalten des Schwingkreises
ausgibt.
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Im
vorliegenden Fall ist die Stromschwellwerterkennungsschaltung 11 als
Schwellwerterkennungsschaltung zur Erkennung eines Schwellwertes nahe
des Nulldurchgangs in den Bereich negativer Polarität durch
den betrachteten MOSFET ausgestaltet. Es wird also erkannt, ob die
Bedingung ID < ID_min
vorliegt, wobei ID_min einen Drainstrom-Schwellwert darstellt. Alternativ
kann die Stromschwellwerterkennungsschaltung 11 als Nulldurchgangserkennungsschaltung
zur Erkennung eines Nulldurchgangs in den Bereich negativer Polarität durch
den betrachteten MOSFET ausgestaltet sein; es wird dann erkannt,
ob die Bedingung ID = 0 oder ID < 0
vorliegt.
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Ferner
ist die Abschalterkennungsschaltung 12 als Taktflankenerkennungsschaltung
zur Erkennung einer den MOSFET abschaltenden Taktflanke eines Taktsignals
ausgestaltet. Das Taktsignal entspricht hier der Gatespannung UGS,
so dass erkannt wird, ob die Bedingung d(UGS)/dt < 0 vorliegt.
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In
der nachgeschalteten UND-Schaltung 13 wird ein Sperrsignal
zum Herunterschalten des Schwingkreises an eine Sperrschal tung weitergegeben,
falls beide der obigen Bedingungen erfüllt sind, also der Fall nach 4B vorliegt.
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6B zeigt
eine selbsterklärende
mögliche Realisierung
des Blockschaltbilds nach 6A.
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Selbstverständlich ist
die vorliegende Erfindung nicht auf das gezeigte Ausführungsbeispiel
beschränkt.
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So
kann statt eines MOSFETs beispielsweise auch ein IGBT verwendet
werden, der vergleichsweise robust ist, aber aufgrund des Schweifstroms beim
Abschalten eine relativ hohe Verlustleistung bedingt (oder jegliche
andere geeignete elektronische Schalter, insbesondere Transistor).
Auch kann zum Beispiel statt eines Halbbrückenwandlers ein Vollbrückenwandler
eingesetzt werden, z. B. mit vier elektronischen Schaltern. Auch
ist der Schwingkreis allgemein zur drahtlosen Übertragung von Energie über einen
Transformator geeignet und nicht nur auf den Haushaltsbereich beschränkt. Ferner
braucht nicht nur auf einen Nulldurchgang zur Erkennung eines negativ
gepolten Transistorstroms abgehoben zu werden; vielmehr kann beispielsweise
auch ein Erreichen eines vorbestimmten, vorher eintretenden Schwellwerts
eine der Bedingungen zum Abschalten des Schwingkreises erfüllen. Dadurch
wird erreicht, dass eine gewisse Trägheit bzw. Zeitverzögerung bis zum
Abschalten des Schwingkreises eine negative Auswirkung hat. Folglich
kann der Schwellwert insbesondere so gesetzt werden, dass er eine
Zeitdauer vor Erreichen des Nulldurchgangs auslöst, die einer Zeitverzögerung der
Abschaltung entspricht.
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- 1
- Schwingkreis
- 2
- Leistungsteil
- 3
- Verbraucherteil
- 4
- Transformator
- 5
- Eingangsanschluss
- 6
- MOSFET
- 7
- Diode
- 8
- Kondensator
- 9
- Mittelabgriff
- 10
- Resonanzerkennungsschaltung
- 11
- Stromschwellwerterkennungsschaltung
- 12
- Abschalterkennungsschaltung
- 13
- Korrelatorschaltung
- C
- Kapazität
- Cres
- Resonanzkondensator
- ID
- Drainstrom
- ID_min
- Drainstrom-Schwellwert
- L
- Induktivität
- Lh1
- primärseitige
Hauptinduktivität
- Lh2
- sekundärseitige
Hauptinduktivität
- Lres
- Resonanzdrossel
- Ls
- Streuinduktivität
- R
- Widerstand
- RL
- Lastwiderstand
- UDS
- Drain-Source-Spannung
- UGS
- Gate-Spannung