DE102008017038B4 - Hochpräzisionsschaltung zum Rücksetzen beim Einschalten mit einstellbarem Auslösepegel - Google Patents

Hochpräzisionsschaltung zum Rücksetzen beim Einschalten mit einstellbarem Auslösepegel Download PDF

Info

Publication number
DE102008017038B4
DE102008017038B4 DE102008017038A DE102008017038A DE102008017038B4 DE 102008017038 B4 DE102008017038 B4 DE 102008017038B4 DE 102008017038 A DE102008017038 A DE 102008017038A DE 102008017038 A DE102008017038 A DE 102008017038A DE 102008017038 B4 DE102008017038 B4 DE 102008017038B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
voltage level
transistor
current
cell
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102008017038A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102008017038A1 (de
Inventor
Ingo Hehemann
Kwet Chai
Michael Wendt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Deutschland GmbH
Original Assignee
Texas Instruments Deutschland GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Deutschland GmbH filed Critical Texas Instruments Deutschland GmbH
Priority to DE102008017038A priority Critical patent/DE102008017038B4/de
Priority to US12/413,193 priority patent/US7847606B2/en
Publication of DE102008017038A1 publication Critical patent/DE102008017038A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102008017038B4 publication Critical patent/DE102008017038B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/22Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
    • H03K17/223Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied in field-effect transistor switches

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Abstract

Eine elektronische Vorrichtung, umfassend eine Schaltung zur Bereitstellung eines Signals zum Einschalten beim Rücksetzen (POR) als Funktion eines Versorgungsspannungspegels der Schaltung. Die Schaltung umfasst eine DeltaVbe-Zelle oder eine DeltaVgs-Zelle, umfassend einen ersten Strompfad, der einen ersten Transistor umfasst, und einen zweiten Strompfad, der einen zweiten Transistor umfasst. Jeder Transistor hat einen Steueranschluss zur Steuerunei ein gemeinsamer Steuerspannungspegel an die Steueranschlüsse des ersten und des zweiten Transistors angelegt wird. Der Steuerspannungspegel wird von dem Stromversorgungsspannungspegel der Schaltung abgeleitet, und die Schaltung umfasst ferner einen POR-Ausgangsknoten zur Bereitstellung eines POR-Ausgangssignals, das sich als Reaktion auf das Verhältnis der Stärken des ersten Stroms und des zweiten Stroms von einem ersten Zustand in einen zweiten Zustand ändert.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine elektronische Vorrichtung und ein Verfahren zur Bereitstellung eines Signals zum Rücksetzen beim Einschalten als Funktion eines Versorgungsspannungspegels.
  • Eine Schaltung zum Rücksetzen beim Einschalten (POR-Schaltung) wird allgemein zur Ausgabe eines digitalen POR-Signals in Bezug auf den Versorgungsspannungspegel der Schaltung zum Freigeben bzw. Rücksetzen einer digitalen Schaltung verwendet. Wenn der Versorgungsspannungspegel unter einem kritischen Spannungspegel liegt, wird die digitale Schaltung zurückgesetzt. Wenn der kritische Spannungspegel überschritten wird, wird die Schaltung freigegeben. Folglich überwacht die POR-Schaltung den Versorgungsspannungspegel und erzeugt das POR-Signal als Funktion des überwachten Versorgungsspannungspegels. Eine herkömmliche als POR-Schaltung verwendete Schaltung, wie die in 1 gezeigte, hat einige Nachteile, die umso relevanter werden, je weiter Versorgungsspannungspegel verringert und Toleranzspielräume eingeschränkt werden. Die in 1 gezeigte, recht einfache Schaltung umfasst einen Widerstand R0 und einen als Diode gekoppelten NMOSFET-Transistor (N-leitenden Metalloxidsilizium-Feldeffekttransistor) NM1. Der Drain des als Diode gekoppelten Transistors NM1 ist mit dem Steuergate des MOSFET NM2 gekoppelt, das mit einem als Diode gekoppelten PMOS-Transistor PM1 gekoppelt ist. NM1 und PM1 sind mit ihren Drains mit einem CMOS-Inverter gekoppelt, der NM3 und PM2 umfasst und das POR-Ausgangssignal PORout bereitstellt. PORout wird typischerweise als genau festgelegtes Rücksetzsignal verwendet, das als Funktion des Versorgungsspannungspegels VDD einen logisch hohen bzw. logisch niedrigen Pegel annimmt. Der Versorgungsspannungspegel, bei dem das PO-Rout-Signal seinen Zustand ändert, wird Auslösespannungspegel genannt. Der Auslösespannungspegel wird durch die Dimensionen (z. B. Seitenver hältnisse, d. h. das Breiten-Längen-Verhältnis (B/L-Verhältnis) von Transistoren, dem Widerstand von R0 usw.) festgelegt. Der Auslösespannungspegel hängt typischerweise von den Schwellspannungspegeln der MOSFET-Transistoren ab. Die Eigenschaften der Bauelemente sowie der gesamten Schaltung unterliegen Temperatur- und Prozessschwankungen. Deshalb hat der Auslösespannungspegel der in 1 gezeigten Standard-POR-Schaltung normalerweise eine breite Streuung (z. B. einige hundert Millivolt). Des Weiteren kann der Auslösespannungspegel während des Betriebs nicht auf einen willkürlichen Wert gesetzt werden.
  • In Vorrichtungen mit analogen und digitalen Schaltkreisen mit unterschiedlichen Versorgungsspannungsdomänen wird der digitale Teil normalerweise durch einen internen Regler mit Spannung versorgt. Ein chipinterner Kondensator muss verwendet werden, um Spannungsabfälle während der Schaltaktivität zu vermeiden. In diesem Fall führt ein ungenauer Auslösepegel zu einem sehr großen Kondensator zur Vermeidung von zufälligen Rücksetzvorgängen auf Grund der Kreuzung der Spannungsabfälle und des Auslösepegels. Folglich sorgt ein genauer Auslösepegel für eine Verringerung der Chipfläche, der Stromaufnahme, des Schaltungsaufwands usw. Außerdem könnte ein Auslösespannungspegel, der während des Betriebs bzw. durch einfache Bauartmaßnahmen ohne Verringerung der Präzision einstellbar ist, dabei helfen, die Wiederverwendbarkeit der Schaltung für unterschiedliche Bauformen, unterschiedliche Anwendungen und elektronische Vorrichtungen zu verbessern.
  • Aus der US 5,920,182 ist eine Schaltung bekannt, welche die Versorgungsspannung mit einer konstanten Referenzspannung aus einer Bandgap-Referenzspannungsquelle vergleicht und ein entsprechendes Ausgangssignal bereitstellt. Weiter ist eine Verzögerungsschaltung vorgesehen, die das Ausgangssignal für eine vorbestimmte Zeit nach dem Einschalten der Versorgungsspannung auf einem festen Pegel hält, um Störungen im Ausgangssignal zu vermeiden.
  • Auch aus der EP 0999 493 A2 und der US 5,485,111 sind Schaltungen zur Überwachung der Versorgungsspannung und Erzeugung von Rücksetzsignalen bekannt, bei denen der Versorgungsspannungspegel mit ei ner festen Referenzspannung einer Bandgap-Referenzquelle verglichen wird. Die bekannten Schaltungen sind jedoch insgesamt fehleranfällig und unpräzise.
  • Es ist daher eine Aufgabe der Erfindung eine Vorrichtung und ein Verfahren bereitzustellen, dass ein präzises Überwachen und Bereitstellen von robusten Ausgangssignalen zum Zurücksetzen von Schaltungen ermöglicht.
  • Die Aufgabe wird durch die Gegenstände der unabhängigen Ansprüche 1 und 5 gelöst.
  • Folglich wird gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung eine elektronische Vorrichtung bereitgestellt, die eine Schaltung zur Bereitstellung eines POR-Signals als Funktion eines Versorgungsspannungspegels der Schaltung umfasst. Die Schaltung umfasst eine ΔVbe-Zelle oder eine ΔVgs-Zelle. Die Zelle umfasst einen ersten Strompfad, der einen ersten Transistor umfasst, und einen zweiten Strompfad, der einen zweiten Transistor umfasst. Jeder Transistor hat einen Steueranschluss (z. B. ein Gate eines MOSFETs oder eine Basis eines bipolaren Transistors) zur Steuerung eines ersten Stroms in dem ersten Strompfad und eines zweiten Stroms in dem zweiten Strompfad. Des Weiteren wird ein gemeinsamer Steuerspannungspegel an die Steueranschlüsse des ersten und des zweiten Transistors angelegt. Der Steuerspannungspegel wird von dem Strom bzw. dem momentanen Versorgungsspannungspegel der Schaltung abgeleitet. Die Schaltung umfasst ferner einen POR-Ausgangsknoten zur Bereitstellung eines POR-Ausgangssignals, das sich als Reaktion auf das Verhältnis der Stärken des ersten Stroms und des zweiten Stroms von einem ersten Zustand in einen zweiten Zustand ändert. Eine ΔVbe-Zelle oder eine ΔVgs-Zelle bildet typischerweise einen Teil eines Arbeitsspannungsgenerators wie zum Beispiel einer Bandabstandsspannungsquelle. In einer ΔVbe-Zelle oder einer ΔVgs-Zelle werden die negativen Temperaturkoeffizienten eines bipolaren Transistors als Funktion der Zeit bzw. die Gate-Source-Spannung (Vgs) von MOSFETs durch ein Bauelement (z. B. einen Widerstand) kompensiert, das einen positiven Temperaturkoeffizienten hat. Tatsächlich ist die Ableitung der Basis-Emitter-Spannung (Vbe) ei nes bipolaren Transistors als Funktion der Zeit negativ. Gleichermaßen ist die Ableitung der Gate-Source-Spannung (Vbe) eines MOS-Transistors als Funktion der Zeit negativ. Diese physische Eigenschaft wird in einer Arbeitsspannungsquelle dazu verwendet, eine äußerst stabile und präzise Spannung zu erzeugen. Die zumindest zwei Transistoren in einer solchen Zelle müssen auf eine dem Fachmann bekannte, spezifische Weise dimensioniert sein. An die Transistoren wird ein Steuerspannungspegel angelegt, der von dem Stromversorgungsspannungspegel der Schaltung abgeleitet ist. Dieser Aspekt der vorliegenden Erfindung gestattet es, den Auslösespannungspegel, bei dem sich der Zustand des POR-Ausgangssignals ändert, genauer festzulegen als in Lösungen nach dem Stand der Technik.
  • Die Lösung gemäß der vorliegenden Erfindung basiert auf der Idee, eine präzise Arbeitsspannungsquelle (d. h. im Grunde eine ΔVbe-Zelle oder eine ΔVgs-Zelle) wie sie zum Beispiel in einer Bandabstandsspannungsquelle verwendet wird, mit einer an den Basen bzw. Gates der Transistoren angelegten Steuerspannung zu steuern. Das POR-Ausgangssignal wird dann von den Strömen in Strompfaden (z. B. zwei Strompfaden) der ΔVbe-Zelle oder der ΔVgs-Zelle abgeleitet. Die Steuerspannung wird von dem Versorgungsspannungspegel der Schaltung abgeleitet, wodurch der Pegel der Versorgungsspannung in einer Einschaltphase und während des Betriebs ununterbrochen überwacht wird. Folglich wird ein konstanter und präziser Arbeitsspannungspegel einer Arbeitsspannungsquelle als Eingangssignal für eine ΔVbe-Zelle oder eine ΔVgs-Zelle verwendet, und die Ströme sind das Ausgangssignal. Die Ströme in den Strompfaden der Arbeitsspannungsquelle werden dann als Reaktion auf die an die Steuergates des Transistors in einem der Strompfade angelegte Steuerspannung gesteuert. Man kann beobachten, dass das Stromverhältnis in den beiden Strompfaden, d. h. das Verhältnis der Stärke des Stroms in dem ersten Strompfad und der Stärke des Stroms in dem zweiten Strompfad, wechselt (d. h. es gibt ein Überkreuzen der Stärken), wenn die Versorgungsspannung einen Auslösespannungspegel kreuzt. Der Auslösespannungspegel hat einen äußerst genauen Wert und ist über einen großen Temperaturbereich sowie verschiedene Prozessschwankungen stabil. Des Weiteren kann der Kreuzungspunkt vorteilhafterweise zur Erzeugung eines Ausgangssignals mit zwei Zuständen verwendet werden, wie es für ein POR-Ausgangssignal erforderlich ist, da es typischerweise lediglich einen einzelnen Kreuzungspunkt der Stärken der Ströme in der ΔVbe-Zelle oder der ΔVgs-Zelle gibt. Folglich schlägt die vorliegende Erfindung vor, eine Arbeitsspannungsquelle in einer entgegengesetzten Richtung zu verwenden, wobei die ursprünglich stabile Ausgangsspannung vorteilhafterweise zur Festlegung eines Auslösespannungspegels für ein Eingangssteuersignal verwendet wird und das Verhältnis der Ströme in den Strompfaden als Ausgangssignale verwendet werden.
  • Der Steuerspannungspegel wird durch Verwendung eines Spannungsteilers erzeugt. Folglich wird ein Spannungsteiler zwischen den Versorgungsspannungspegel und Masse gekoppelt, um einen Steuerknoten mit dem Steuerspannungspegel bereitzustellen. Dies ist eine Ausführung mit geringer Komplexität. Des Weiteren kann der Steuerspannungspegel durch Verwendung einer Spannungsteilerkonfiguration durch einfache Bauartmaßnahmen oder sogar während des Betriebs leicht eingestellt werden.
  • Die Schaltung in der elektronischen Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung kann ferner so eingerichtet sein, dass der erste Strom so lange niedriger als der zweite Strom ist, wie der Versorgungsspannungspegel unter dem Auslösespannungspegel bleibt, und so, dass der erste Strom höher als der zweite Strom ist, wenn die Versorgungsspannung den Auslösespannungspegel kreuzt. Die Dimensionen des ersten Transistors und des zweiten Transistors wirken bei der Festlegung des Auslösespannungspegels mit, aber die Einstellung wird vorzugsweise durch Anpassung des Steuerspannungspegels durchgeführt, d. h. des Verhältnisses zwischen dem Versorgungsspannungspegel und dem Steuerspannungspegel.
  • In einem Aspekt der Erfindung sind der erste Transistor und der zweite Transistor bipolare Transistoren, und der Steuerspannungspegel ist der Bandabstandsspannungspegel. Obwohl die vorliegende Erfindung nicht auf eine Bandabstandsspannungsquellenkonfiguration beschränkt ist, wird die Verwendung von bipolaren Transistoren bevorzugt, da der Bandab standsspannungspegel einer der präzisesten und stabilsten Spannungspegel in integrierten Schaltungen ist. Die Transistorensteuergates sind dann die Basen der beiden bipolaren Transistoren. Der erste Transistor kann dann eine spezifische Emitterfläche haben, die n Mal so groß wie die Emitterfläche des zweiten Transistors ist. Der erste Transistor kann durch einen Widerstand mit einem Emitter des zweiten Transistors gekoppelt werden.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung kann die elektronische Vorrichtung eine Rückkopplungsverbindung von dem POR-Ausgangsknoten zu dem Steuerknoten zur Implementierung einer Hysterese haben. Die Hysterese stellt unterschiedliche Auslösespannungspegel in Bezug auf eine steigende und eine fallende Versorgungsspannung bereit. Da der Steuerspannungspegel, der an die Steuergates der beiden Transistoren angelegt wird, vorzugsweise durch einen Spannungsteiler von dem Stromversorgungsspannungspegel abgeleitet wird, kann dieser Steuerspannungspegel leicht angepasst werden, um eine Hysterese bereitzustellen. Es kann zum Beispiel einem Knoten des Spannungsteilers ein Strom zugeführt werden, dessen Stärke als Reaktion auf den Zustand des POR-Ausgangssignals festgelegt wird. Der Steuerspannungspegel kann dann zum Beispiel auf einen höheren Spannungspegel gesetzt werden, wenn die elektronische Vorrichtung eingeschaltet wird. Wenn der Versorgungsspannungspegel den Auslösespannungspegel zum ersten Mal gekreuzt hat und das POR-Ausgangssignal seinen Zustand geändert hat, kann der Spannungspegel verringert werden. Hierdurch wird die Schaltung während des Betriebs stabilisiert, und es wird verhindert, dass immer dann, wenn ein kleiner Spannungsabfall an dem Versorgungsspannungspegel auftritt, ein Rücksetzsignal ausgegeben wird.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist es allgemein möglich, den Steuerspannungspegel durch Bauartmaßnahmen oder durch Anpassung des Spannungsteilers während des Betriebs einzustellen. Folglich sind die Schaltung und die elektronische Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung flexibler als herkömmliche Lösungen, und die Schaltung kann mit geringfügigen Änderungen für eine größere Vielzahl von Anwendungen verwendet werden.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Bereitstellung eines POR-Signals als Funktion eines Versorgungsspannungspegels einer Schaltung bereitgestellt. Gemäß dem Verfahren wird ein erster Strom in einem ersten Strompfad durch einen ersten Transistor als Reaktion auf einen Steuerspannungspegel an einem Steuergate des ersten Transistors gesteuert. Gemäß dem Verfahren wird ein erster Strom in einem ersten Strompfad durch einen ersten Transistor einer ΔVbe-Zelle oder einer ΔVgs-Zelle als Reaktion auf einen Steuerspannungspegel gesteuert. Des Weiteren wird ein zweiter Strom in einem zweiten Strompfad durch einen zweiten Transistor der ΔVbe-Zelle oder der ΔVgs-Zelle als Reaktion auf denselben Steuerspannungspegel an einem Steuergate des zweiten Transistors gesteuert. Der Steuerspannungspegel wird mit einem Spannungsteiler vom Versorgungsspannungspegel abgeleitet. Das POR-Ausgangssignal der Schaltung wird als Reaktion auf ein Verhältnis der Stärken des ersten Stroms und des zweiten Stroms von einem ersten Zustand in einen zweiten Zustand geändert.
  • In einer bevorzugten Lösung sind der erste Transistor und der zweite Transistor bipolare Transistoren.. Das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung basiert auf der Idee, die Steueranschlüsse der Transistoren einer ΔVbe-Zelle oder einer ΔVgs-Zelle zu steuern. Die Ströme in der Zelle werden zur Bereitstellung eines POR-Ausgangssignals verwendet.
  • Weitere Aspekte der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der untenstehenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen.
  • Es zeigen:
  • 1 eine Schaltung zum Rücksetzen beim Einschalten gemäß dem Stand der Technik,
  • 2 einen vereinfachten Schaltplan einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 3 Signalverläufe, die sich auf ein Übergangsverhalten der in 2 gezeigten, bevorzugten Ausführungsform beziehen,
  • 4 Signalverläufe, die sich auf ein Übergangsverhalten der in 2 gezeigten, bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beziehen, und
  • 5 Signalverläufe, die sich auf ein Übergangsverhalten der in 2 gezeigten, bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beziehen.
  • 2 zeigt einen vereinfachten Schaltplan einer bevorzugten Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung. Das zentrale Bauelement der in 2 gezeigten Schaltung ist die ΔVbe-Zelle. An Stelle einer ΔVbe-Zelle, kann eine ΔVgs-Zelle verwendet werden. Der erste Strompfad stellt einen Strom I1 bereit und umfasst den Transistor T2 sowie den Widerstand R4. Der zweite Strompfad stellt einen Strom I2 bereit und umfasst den Transistor T1. Der erste und der zweite Strompfad teilen sich den Widerstand R5. Ein Spannungsteiler ist mit dem Versorgungsspannungspegel VDD und Masse gekoppelt und stellt an einem Steuerknoten N1 einen Steuerspannungspegel bereit. Der Spannungsteiler umfasst die Widerstände R1 und R2. Der Wert des Widerstands R2 kann na Mal R1 sein. Der erste Strom I1 und der zweite Strom I2 werden zur Erzeugung des POR-Ausgangssignals verwendet. Folglich wird der Strom I1 durch die Stromspiegel PM4, PM3 bzw. PM5, PM7 an den Transistor NM5 gespiegelt. Der zweite Strom I2 wird durch die Stromspiegel PM4, PM3 bzw. NM4, NM5 in den Transistor NM5 gespiegelt. NM5 und PM7 sind so konfiguriert, dass der Spannungspegel an Knoten n2 (d. h. an den Drains von NM5 und PM7) ansteigt, wenn der erste Strom I1 höher als der zweite Strom I2 ist. Wenn der zweite Strom I2 höher als der erste Strom I1 ist, ist der Spannungspegel an Knoten n2 niedrig. Des Weiteren gibt es zwei CMOS-Inverter, welche die Transistoren NM6, PM8 bzw. NM7, PM9 umfassen. Das POR-Ausgangssignal PORout wird an einem Ausgangsknoten der Schaltung bereitgestellt. Die beiden CMOS-Inverter werden im Grunde dazu bereitgestellt, um das Ausgangssignal nPORout zu bilden. Wenn der Versorgungsspannungspegel VDD anzusteigen beginnt, ist der erste Strom I1 zum Beispiel bei 0 V höher als der zweite Strom I2. Der Grund hierfür ist der Multiplikationsfaktor des ersten bipolaren Transistors T1 und des zweiten bipolaren Transistors T2. Der Multiplikationsfaktor ist 1:n, was anzeigt, dass die Emitterfläche von T2 n Mal so groß wie die Emitterfläche von T1 ist.
  • Wenn der Versorgungsspannungspegel VDD weiter ansteigt, steigt die Spannung an dem Teilerknoten N1 ebenfalls an, und die Stärke des ersten Stroms I1 nähert sich der Stärke des zweiten Stroms I2. Wenn die Schaltung richtig dimensioniert ist, sind die Stärke des ersten Stroms I1 und die Stärke des zweiten Stroms I2 gleich, wenn der Spannungspegel an dem Teilerknoten N1 einen vorbestimmten Spannungspegel erreicht, der auf dem Bandabstandsspannungspegel basiert oder diesem gleicht. Wenn der Versorgungsspannungspegel den Auslösespannungspegel überschreitet, überschreitet der Steuerspannungspegel den vorbestimmten Spannungspegel. Die Stärke des zweiten Stroms I2 übersteigt die Stärke des ersten Stroms. Die Ströme I1, I2 werden in die Transistoren NM5 und PM7 gespiegelt. NM5 und PM7 sind so dimensioniert, dass sie das POR-Ausgangssignal PORout in Bezug auf die Überkreuzung der beiden Ströme I1 und I2 erzeugen (d. h. in Bezug auf den Moment, an dem die Stärken gleich sind).
  • Da der Spannungspegel an dem Teilerknoten N1 durch einen R1 und R2 umfassenden Widerstandsteiler erzeugt wird, kann der benötigte Versorgungsspannungspegel, bei dem der Spannungspegel an dem Teilerknoten N1 den Bandabstandsspannungspegel Vbg erreicht (d. h. wenn der Versorgungsspannungspegel VDD gleich dem Auslösespannungspegel Vtrig ist) leicht eingestellt werden. Wenn zum Beispiel das Verhältnis der Widerstandswerte der Widerstände R1 und R2 als R2 = na·R1 gewählt wird, erhält man den Parameter a durch:
    Figure 00090001
    wobei Vbg der Bandabstandsspannungspegel ist und Vtrig der Auslösespannungspegel ist. Die Rückkopplungsverbindung von nPORout durch den Transistor PM6 und den Widerstand R3 zu dem Teilerknoten N1 stellt eine Hysterese bereit, welche die Schaltung weniger anfällig für Rauschen machen. Die Änderung des Spannungsauslösepegels ΔVtrig wird durch Gleichung 2 bestimmt:
    Figure 00100001
  • 3 zeigt die Stärke des ersten Stroms I1 und des zweiten Stroms I2 als Reaktion auf den Versorgungsspannungspegel VDD im Zeitverlauf ohne Hysterese. Dies sind die möglichen Ströme in den Strompfaden der ΔVbe-Zelle oder der ΔVgs-Zelle. Wie aus 3 ersichtlich ist, beginnt der Versorgungsspannungspegel VDD bei 0 V und steigt linear auf 3 V an. Nach Verbleib bei 3 V fällt der Versorgungsspannungspegel VDD linear ab, bis er wieder 0 V erreicht. Jedes Mal, wenn der Auslösespannungspegel Vtrig erreicht und gekreuzt wird, ändert das in 2 gezeigte POR-Ausgangssignal PORout seinen Zustand. Der Einfluss der Hysterese ist nicht gezeigt. Die Stärke des ersten Stroms I1 und des zweiten Stroms I2 sind in 3 in dem Diagramm unter dem Versorgungsspannungspegel VDD gezeigt. Die Ströme I1 und I2 haben zwei Kreuzungspunkte X1 und X2. Die erste Überkreuzung findet bei Zeit tX1 statt, und die zweite Überkreuzung findet bei Zeit tX2 statt. Zwischen tX1 und tX2 ist die Stärke des ersten Stroms I1 höher als die Stärke des zweiten Stroms I2. Vor tX1 und nach tX2 ist die Stärke des ersten Stroms I1 niedriger als die Stärke des zweiten Stroms I2. Bei tX1 und bei tX2 erreicht der Versorgungsspannungspegel einen Spannungspegel von ungefähr 1,5 V. Die Widerstände R1 und R2 werden so eingestellt, dass der Spannungspegel an Teilerknoten N1 bei Zeit tX1 und bei Zeit tX2 genau die Bandabstandsspannung Vbg erreicht.
  • 4 zeigt weitere Wellenformen von Spannungspegeln, die sich auf die in 2 gezeigte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beziehen. Das obere Diagramm zeigt den Spannungspegel Vn1 an Knoten n1 für einen steigenden und fallenden Versorgungsspannungspegel VDD, wie in dem mittleren Diagramm gezeigt. Das untere Diagramm zeigt das Ausgangssignal nPORout als Funktion der Versorgungsspannung VDD. Jedes der drei Diagramme zeigt sechs übereinandergelegte Signalverläufe, von denen sich jedes auf eine unterschiedliche Parametereinstellung bezieht, was als Kurvenanalyse („corner analysis”) bekannt ist. Die Abweichungen auf Grund der unterschiedlichen Parametereinstellungen, die Temperaturschwankungen und Prozessstreuung widerspiegeln, sind in 5 ausführlicher gezeigt.
  • 5 zeigt die Signalverläufe gemäß 4 ausführlicher. Die drei Diagramme betreffen den Steuerspannungspegel Vn1 an Knoten n1 und das Ausgangssignal nPORout als Funktionen des Versorgungsspannungspegels VDD mit einem wie in dem mittleren Diagramm gezeigten Signalverlauf. 5 zeigt insbesondere die Abhängigkeit der Ausgangsspannung nPORout der in 2 gezeigten, bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, implementiert in einer Abtasttechnologie über Prozesskurven. Das obere und das untere Diagramm zeigen sechs unterschiedliche Signalverläufe X1 bis X6 des Steuerspannungspegels Vn1 und des Ausgangssignals nPORout für Prozesskurven einer Abtasttechnologie derselben wie in 2 gezeigten Schaltung. Obwohl die Prozessparameter unterschiedlich sind, schwankt der Spannungspegel bei Zeit tX1 und bei Zeit tX6 lediglich leicht zwischen 1,599 V und 1,635 V. Ebenso schwankt der Steuerspannungspegel Vn1 lediglich leicht als Funktion von Prozess- und Temperaturschwankungen. Folglich stellt die vorliegende Erfindung eine Schaltung zum Rücksetzen beim Einschalten bereit, die besonders robust und widerstandsfähig gegen Prozessschwankungen und schwankende und unstabile Betriebsbedingungen ist.

Claims (6)

  1. Elektronische Vorrichtung, umfassend eine Schaltung zur Bereitstellung eines Signals zum Rücksetzen beim Einschalten (POR) als Funktion eines Versorgungsspannungspegels der Schaltung, bei der die Schaltung eine ΔVbe-Zelle oder eine ΔVgs-Zelle umfasst, die einen ersten Strompfad, der einen ersten Transistor umfasst, und einen zweiten Strompfad umfasst, der einen zweiten Transistor umfasst, wobei jeder Transistor einen Steueranschluss zur Steuerung eines ersten Stroms in dem ersten Strompfad und eines zweiten Stroms in dem zweiten Strompfad hat, wobei ein gemeinsamer Steuerspannungspegel an die Steueranschlüsse des ersten und des zweiten Transistors angelegt wird, und wobei die Schaltung ferner einen POR-Ausgangsknoten zur Bereitstellung eines POR-Ausgangssignals umfasst, das sich als Reaktion auf das Verhältnis der Stärken des ersten Stroms und des zweiten Stroms von einem ersten Zustand in einen zweiten Zustand ändert, und wobei ein Spannungsteiler zwischen den Versorgungsspannungspegel und Masse gekoppelt ist, um einen Steuerknoten mit dem Steuerspannungspegel bereitzustellen.
  2. Elektronische Vorrichtung gemäß Anspruch 1, bei welcher der erste Transistor und der zweite Transistor bipolare Transistoren sind und der erste Transistor eine Emitterfläche hat, die n Mal so groß wie die Emitterfläche des zweiten Transistors ist, und der erste Transistor durch einen Widerstand mit einem Emitter des zweiten Transistors gekoppelt ist.
  3. Elektronische Vorrichtung gemäß Anspruch 2, ferner umfassend eine Rückkopplungsverbindung von dem POR-Ausgangsknoten zu dem Spannungsteiler zur Implementierung einer Hysterese, um unterschiedliche Auslösespannungspegel für eine steigende und eine fallende Versorgungsspannung zu erzeugen, an denen das POR-Ausgangssignal einen Übergang vollzieht.
  4. Elektronische Vorrichtung gemäß Anspruch 4, bei der dem Teilerknoten ein Strom zugeführt wird, dessen Stärke als Reaktion auf den Zustand des POR-Ausgangssignals festgelegt wird.
  5. Verfahren zur Bereitstellung eines Ausgangssignals zum Einschalten beim Rücksetzen (POR) als Funktion eines Versorgungsspannungspegels einer Schaltung, wobei das Verfahren umfasst: Steuern eines ersten Stroms in einem ersten Strompfad einer ΔVbe-Zelle oder einer ΔVgs-Zelle unter Verwendung eines Steuerspannungspegels an einem Steuergate eines ersten Transistors der ΔVbe-Zelle oder der ΔVgs-Zelle und Steuern eines zweiten Stroms in einem zweiten Strompfad der ΔVbe-Zelle oder der ΔVgs-Zelle unter Verwendung des gleichen Steuerspannungspegels an einem Steuergate des zweiten Transistors der ΔVbe-Zelle oder der ΔVgs-Zelle und Ändern des POR-Ausgangssignals von einem ersten Zustand in einen zweiten Zustand als Reaktion auf ein Verhältnis der Stärken des ersten Stroms und des zweiten Stroms, wobei der Steuerspannungspegel mittels eines Spannungsteilers vom Versorgungsspannungspegel abgeleitet wird
  6. Verfahren gemäß Anspruch 5, bei dem der erste Transistor und der zweite Transistor bipolare Transistoren sind und der Auslösespannungspegel der Bandabstandsspannungspegel der Bandabstandsspannungsquelle ist.
DE102008017038A 2008-04-03 2008-04-03 Hochpräzisionsschaltung zum Rücksetzen beim Einschalten mit einstellbarem Auslösepegel Active DE102008017038B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008017038A DE102008017038B4 (de) 2008-04-03 2008-04-03 Hochpräzisionsschaltung zum Rücksetzen beim Einschalten mit einstellbarem Auslösepegel
US12/413,193 US7847606B2 (en) 2008-04-03 2009-03-27 High precision power-on-reset circuit with an adjustable trigger level

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008017038A DE102008017038B4 (de) 2008-04-03 2008-04-03 Hochpräzisionsschaltung zum Rücksetzen beim Einschalten mit einstellbarem Auslösepegel

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102008017038A1 DE102008017038A1 (de) 2009-12-03
DE102008017038B4 true DE102008017038B4 (de) 2010-02-18

Family

ID=41214401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102008017038A Active DE102008017038B4 (de) 2008-04-03 2008-04-03 Hochpräzisionsschaltung zum Rücksetzen beim Einschalten mit einstellbarem Auslösepegel

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7847606B2 (de)
DE (1) DE102008017038B4 (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014004851B4 (de) 2014-03-31 2018-09-20 Scienova Gmbh Vertikales funktionelles Reaktionsgefäß
US9882558B1 (en) * 2015-07-07 2018-01-30 Marvell International Ltd. Power-on reset circuit
KR20170006980A (ko) * 2015-07-10 2017-01-18 에스케이하이닉스 주식회사 파워 온 리셋 회로 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치
JP7246897B2 (ja) * 2018-11-14 2023-03-28 ローム株式会社 半導体集積回路、ハイサイドトランジスタの駆動回路、dc/dcコンバータのコントローラ
US10727827B2 (en) * 2018-12-19 2020-07-28 Texas Instruments Incorporated Self-biased gate controlled switching circuit
JP7240899B2 (ja) * 2019-02-27 2023-03-16 ラピスセミコンダクタ株式会社 パワーオンクリア回路及び半導体装置
JP7240900B2 (ja) * 2019-02-27 2023-03-16 ラピスセミコンダクタ株式会社 パワーオンクリア回路及び半導体装置
DE102019002624A1 (de) * 2019-04-10 2020-10-15 Infineon Technologies Ag Elektronische Schaltung und Verfahren zum Initialisieren einer elektronischen Schaltung
EP3905522A1 (de) * 2020-04-29 2021-11-03 ams International AG Einschaltrücksetzschaltung und integrierte schaltung damit
US11888384B2 (en) 2020-11-24 2024-01-30 Stmicroelectronics S.R.L. DC-DC switching converter with adjustable driving voltages

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5485111A (en) * 1993-04-08 1996-01-16 Nec Corporation Power on reset circuit with accurate detection at low voltages
US5920182A (en) * 1997-08-21 1999-07-06 Stmicroelectronics S.A. "Reset" type power supply voltage monitoring device
EP0999493A2 (de) * 1998-11-06 2000-05-10 Infineon Technologies AG Schaltungsanordnung zur Spannungsüberwachung und Erzeugung eines Rücksetzsignals

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5959477A (en) 1998-06-02 1999-09-28 Advanced Micro Devices, Inc. Precision power-on reset circuit
US6137324A (en) 1998-06-02 2000-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Precision power-on reset circuit with improved accuracy
US6144238A (en) 1998-09-10 2000-11-07 Tritech Microelectronics, Ltd. Integrated power-on-reset circuit
US6239630B1 (en) 1999-07-23 2001-05-29 Analog Devices Inc CMOS-compatible power-on reset circuit
US6879194B1 (en) * 2003-08-25 2005-04-12 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for an active power-on reset current comparator circuit
FR2863420B1 (fr) 2003-12-05 2006-04-07 St Microelectronics Sa Dispositif de neutralisation a la mise sous tension
US7504870B2 (en) * 2006-04-07 2009-03-17 Stmicroelectronics, Inc. Power-on reset circuit
JP2008219486A (ja) * 2007-03-05 2008-09-18 Freescale Semiconductor Inc パワーオン検知回路
US7417476B1 (en) 2007-04-24 2008-08-26 Smartech Worldwide Limited Power-on-reset circuit with output reset to ground voltage during power off

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5485111A (en) * 1993-04-08 1996-01-16 Nec Corporation Power on reset circuit with accurate detection at low voltages
US5920182A (en) * 1997-08-21 1999-07-06 Stmicroelectronics S.A. "Reset" type power supply voltage monitoring device
EP0999493A2 (de) * 1998-11-06 2000-05-10 Infineon Technologies AG Schaltungsanordnung zur Spannungsüberwachung und Erzeugung eines Rücksetzsignals

Also Published As

Publication number Publication date
US7847606B2 (en) 2010-12-07
DE102008017038A1 (de) 2009-12-03
US20090267682A1 (en) 2009-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102008017038B4 (de) Hochpräzisionsschaltung zum Rücksetzen beim Einschalten mit einstellbarem Auslösepegel
DE102015204021B4 (de) Dynamische Strombegrenzungsschaltung
DE19618752C2 (de) Einschaltrücksetzsignal-Erzeugungsschaltkreis einer Halbleitervorrichtung
DE102018124351B4 (de) Echtzeit-steigungssteuerungsvorrichtung für einen spannungsregler und verfahren zum betreiben dieser vorrichtung
CN110632972B (zh) 一种应用于抑制ldo输出电压过冲的方法及电路
DE102019209071B4 (de) Spannungsgenerator
DE10230346A1 (de) Referenzspannungsgenerator und Spannungsversorgung mit Temperaturkompensation
DE102014107017A1 (de) Schaltungsanordnung
DE60024793T2 (de) Spannungspegel-detektorschaltung
DE10249162A1 (de) Spannungsregler
DE102015108590B4 (de) Ansteuerschaltung und halbleitervorrichtung
DE102005028173A1 (de) Integrierte CMOS-Tastverhältnis-Korrekturschaltung für ein Taktsignal
EP1944674A1 (de) Schaltungsanordnung zum Erzeugen eines temperaturkompensierten Spannungs- oder Stromreferenzwerts
DE3345297C2 (de) Schaltung zum Erzeugen einer Signalverzögerung
DE19832309C1 (de) Integrierte Schaltung mit einem Spannungsregler
DE102014111900B4 (de) Oszillatorschaltung
DE10156026B4 (de) Komparatorschaltung sowie Verfahren zum Bestimmen eines Zeitintervalls
DE112020000779T5 (de) Schwellendetektor einer einschalt-rücksetzschaltung mit verbesserter genauigkeit für schaltpegel über temperaturschwankungen
DE102016221863B4 (de) Schaltleistungsversorgung
DE2548457A1 (de) Konstantspannungsschaltung
DE10237122B4 (de) Schaltung und Verfahren zur Einstellung des Arbeitspunkts einer BGR-Schaltung
DE60107228T2 (de) Auf einem chip aufgebrachte stromquelle
EP0640259B1 (de) Schmitt-trigger
DE10047620B4 (de) Schaltung zum Erzeugen einer Referenzspannung auf einem Halbleiterchip
DE3136300A1 (de) "antriebsschaltung fuer einen oszillator mit niedrigem stromverbrauch"

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R082 Change of representative

Representative=s name: ZELLER, ANDREAS, DE