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Technisches Gebiet
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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Mikrowellen-erregtes Plasmaverarbeitungsgerät,
insbesondere ein Mikrowellen-erregtes Plasmaverarbeitungsgerät
unter Verwendung einer von gezahnten Wellenleiter-Plasmareaktoren
erregten linearen Mikrowellenplasmaquelle.
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Stand der Technik
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Im
Herstellungsvorgang von Halbleitern wird eine Halbleiterschaltung
durch die zirkuläre Wiederholung der Schritte wie Dünnschichtbilden
(thin film), Photo-Lithographie (photo lithography) und Ätzen (etching)
hergestellt, wobei die Qualität der Dünnschicht
häufig die Gesamtqualität des Produkts bestimmt.
Beim Schritt der Dünnschichtbildung werden Verarbeitungsgasionen
zu Plasma umgewandelt, das sich auf einem Substrat ablagert. Darüber
hinaus kann das Plasma durch Einbringen einer Hochspannung zwischen
zwei elektrischen Platten generiert oder durch Mikrowellen erregt
werden.
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Angesichts
der immer knapper werdenden fossilen Brennstoffe werden Solarzellen
allgemein als eine der besten Ersatzenergiequellen betrachtet. Solarzellen
können dadurch hergestellt werden, dass Siliziumnitrid
mithilfe von Plasma zur Dünnschicht umgewandelt wird. Allerdings
sind die Herstellungskosten von Solarzellen immer noch sehr hoch
und die Produktionsleistung ist noch nicht in erheblichem Maße
erhöhbar, so dass die Konkurrenzfähigkeit der Solarzellen
gesteigert werden muss.
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1A und
1B zeigen
jeweils ein herkömmliches Mikrowellen-erregtes Plasmaverarbeitungsgerät
aus verschiedenen Sichtwinkeln. Aus dem deutschen Patent
DE19812558A1 ist
ein derartiges Mikrowellen-erregtes Plasmaverarbeitungsgerät
100 bekannt,
das eine Verarbeitungshöhle
110, ein Quarzrohr
120 und
einen zylinderförmigen Wellenleiter
130 umfasst,
wobei der zylinderförmige Wellenleiter
130 im
Quarzrohr
120 angeordnet ist, das in der Verarbeitungshöhle
110 angeordnet
ist.
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Werden
die beiden Enden der zylinderförmigen Wellenleiter 130 mit
Mikrowellen 50 versetzt, so werden die Mikrowellen 50 im
zylinderförmigen Wellenleiter 130 übertragen,
von der Oberfläche des zylinderförmigen Wellenleiters 130 nach
außen ausgestrahlt und so durch das Quarzrohr 120 hindurch
gehen, um Plasma 60 zu erregen. Anschließend lagert sich
das Plasma 60 auf einem Silizium-Substrat 140 ab,
wodurch der Schritt der Dünnschichtbildung vollendet wird.
Danach werden die Schritte wie Dünnschichtbilden, Photo-Lithographie
und Ätzen zirkulär wiederholt, um eine Solarzelle
oder weitere Halbleiterschaltungen herzustellen.
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Da
das Quarzrohr 120 vom Plasma 60 umgeben ist, kann
das Plasma 60 auch zu einer Ablagerung der Dünnschicht
auf dem Quarzrohr 120 führen. Das Plasma 60 kann
sogar direkt das Quarzrohr 120 verätzen. Dies
kann die Leistung der Erregung des Quarzrohrs 120 durch
die Mikrowellen 50 beeinträchtigen und zu einer
Ungleichmäßigkeit der Verteilung der Plasma-Dichte
und somit zu einer Absenkung der Qualität der Dünnschichtbildung
auf dem Silizium-Substrat 140 führen.
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Das
Problem mit der mangelhaften Leistung der Erregung des Plasmas 60 durch
Mikrowellen 50 kann zwar durch regelmäßiges
Auswechseln von Quarzrohren 120 aufgehoben werden, doch
sind Quarzrohre 120 teuer. Dadurch würden die
Kosten für den Betrieb des Mikrowellen-erregten Plasmaverarbeitungsgeräts 100 erheblich
erhöht, was ebenfalls zur Kostenerhöhung der Solarzelle
führen würde.
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Da
die Mikrowellen 50 senkrecht zur Oberfläche des
zylinderförmigen Wellenleiters 130 nach außen
ausstrahlen, so dass das von den Mikrowellen 50 ausgestrahlte
Plasma 60 zuerst im größten Teil des
Innenraums der Verarbeitungshöhle 110 verteilt wird
und dann sich auf dem Silizium-Substrat 140 mit Form einer
Dünnschicht ablagert. Wenn das Silizium-Substrat 140 in
der herkömmlichen Technik zum Zwecke der Erhöhung
der Leistung vergrößert wird, muss das Volumen
der Verarbeitungshöhle 110 zugleich ebenfalls
vergrößert werden, was zur erheblichen Erhöhung
der Herstellungskosten führen kann.
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Außerdem
kann mit der herkömmlichen Technik die Dünnschicht
nur auf einem einzelnen Silizium-Substrat 140 gebildet
werden, so dass die Leistung nicht hoch genug ist. Darüber
hinaus fällt ein Teil des Plasmas 60 auf der Verarbeitungshöhle 110 außerhalb
des Dünnschichtbereichs des Silizium-Substrats 140,
was Verschwendung der Energie verursacht. Die Verkleinerung des
Abstands zwischen dem Silizium-Substrat 140 und dem zylinderförmigen
Wellenleiter 130 kann zwar zur Erhöhung der Nutzeffizienz
des Plasmas 60 beitragen, doch führt der erhebliche
Unterschied der Plasma-Dichte an unterschiedlichen Stellen des Silizium-Substrats 140 zur
Ungleichheit der Dicke der Dünnschicht des Silizium-Substrats 140,
wodurch die Qualität der Solarzelle herabgesetzt wird.
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Inhalt der Erfindung
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Der
Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Mikrowellen-erregtes Plasmaverarbeitungsgerät unter
Verwendung einer von gezahnten Wellenleiter-Plasmareaktoren erregten
linearen Mikrowellenplasmaquelle, zu schaffen, bei dem die durch
das Auswechseln von Verbrauchsmaterialien entstandenen Betriebskosten
gesenkt werden können, die Produktionsleistung erheblich
gesteigert werden kann und die Qualität der Dünnschicht
verstärkt werden kann.
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Die
Aufgabe wird gelöst durch ein erfindungsgemäßes
Mikrowellen-erregtes Plasmaverarbeitungsgerät, das eine
Verarbeitungshöhle, einen gezahnten Wellenleiter (ridged
wave-guide) und ein Trennbrett umfasst, wobei der gezahnte Wellenleiter an
der Verarbeitungshöhle angeordnet ist und einen Rahmen,
ein Rückenteil und einen linienförmigen Kanal
umfasst, wobei sich der linienförmige Kanal an der ersten
Seite des Rahmens befindet und das Rückenteil sich an der
zweiten Seite des Rahmens und zwar dem linienförmigen Kanal
gegenüber befindet. Das Trennbrett ist am linienförmigen
Kanal (226) angeordnet.
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In
einem Ausführungsbeispiel der Erfindung weist die o. g.
Verarbeitungshöhle ferner eine Öffnung auf, der
gezahnte Wellenleiter ist an der Öffnung der Verarbeitungshöhle
angeordnet und der linienförmige Kanal liegt der Öffnung
gegenüber.
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In
einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist das Trennbrett
beispielsweise als Quarzglas ausgeführt und der gezahnte
Wellenleiter kann aus Metall sein.
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In
einem Ausführungsbeispiel der Erfindung liegt beispielsweise
der Abstand zwischen dem Rückenteil und dem linienförmigen
Kanal bei 0~1/4 der Wellenlänge der Mikrowelle und die
Breite des linienförmigen Kanals ist beispielsweise zwischen
Null und der Breite der ersten Seite des Wellenleiters.
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In
einem Ausführungsbeispiel der Erfindung können
die erste Seite und die zweite Seite die erste breite Seite und
die zweite breite Seite sein.
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In
einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist der gezahnte
Wellenleiter zum Empfang einer Mikrowelle geeignet, die durch den
linienförmigen Kanal zum Erregen eines Plasmas zur Verarbeitungshöhle übertragen
wird.
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Zusammenfassend
ist beim erfindungsgemäßen Mikrowellen-erregten
Plasmaverarbeitungsgerät der Kontaktbereich des Trennbretts
zum Plasma kleiner als der Kontaktbereich eines herkömmlichen
Quarzrohrs zum Plasma, so dass eine Ablagerung der Dünnschicht
auf der Trennschicht schwierig wird oder das Trennbrett nicht leicht
durch das Plasma verätzt wird. Auf diese Weise kann die
Häufigkeit der Auswechselung von Trennbrettern reduziert
werden, um die Betriebskosten des Mikrowellen-erregtes Plasmaverarbeitungsgeräts
zu senken. Außerdem sind Trennbretter günstiger
als Quarzrohre, so dass die Kosten für die Verbrauchsmaterialien
ebenfalls herabgesetzt werden können. Darüber
hinaus strahlen die vom Rückenteil des gezahnten Wellenleiters nach
außen ausstrahlenden Mikrowellen beinahe senkrecht zum
Substrat, d. h. dass das durch die Mikrowellen erregte Plasma fast
direkt auf dem Substrat in einer Dünnschicht gebildet wird.
Auf diese Weise werden sowohl eine höhere Qualität
als auch eine höhere Geschwindigkeit der Dünnschicht
erzielt. Ferner wird die Leistung der Produktion dadurch erheblich
gesteigert, dass die Substrate mit einem Fließband zur
Dünnschichtbildung transportiert werden.
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Im
Folgenden werden die Merkmale und Vorteile der vorliegende Erfindung
anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels und der beigefügten Zeichnungen
näher erläutert.
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Zustand
gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel;
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Wege der Ausführung
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2A zeigt
ein erfindungsgemäßes Mikrowellen-erregtes Plasmaverarbeitungsgerät
gemäß einem Ausführungsbeispiel in teilweise
perspektivischer zerlegter Ansicht, 2B zeigt
ein aufgebautes Mikrowellen-erregtes Plasmaverarbeitungsgerät aus 2A in
Front- und Schnittansicht, und 2C zeigt
ein aufgebautes Mikrowellen-erregtes Plasmaverarbeitungsgerät
aus 2A in Seiten- und Schnittansicht. Wie aus 2A~2C ersichtlich, umfasst
das erfindungsgemäße Mikrowellen-erregte Plasmaverarbeitungsgerät
eine Verarbeitungshöhle 210, einen gezahnten Wellenleiter 220 und
ein Trennbrett 230, wobei der gezahnte Wellenleiter 220 an
der Verarbeitungshöhle 210 angeordnet ist und
einen Rahmen 222, ein Rückenteil 224 und
einen linienförmigen Kanal 226 umfasst. Der linienförmige
Kanal 226 ist an der ersten Seite 222a des Rahmens 222 angeordnet,
wobei die erste Seite 222a an die Verarbeitungshöhle 210 angrenzt
und das Rückenteil 224 sich an der zweiten Seite 222b des
Rahmens 222 befindet und dem linienförmigen Kanal 226 gegenüberliegt.
Das Trennbrett 230 ist am linienförmigen Kanal 226 angeordnet.
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Werden
die beiden Enden des gezahnten Wellenleiters 220 mit Mikrowellen 70 versetzt,
so werden die Mikrowellen 70 im Inneren des gezahnten Wellenleiters 220 übertragen.
Gemäß der Theorie der Wellenleitung verlaufen
die Mikrowellen 70 vom Unterrand des Rückenteils 224 des
gezahnten Wellenleiters 220 in Richtung des linienförmigen
Kanals 226 nach außen und treten dann in die Verarbeitungshöhle 210 ein,
um das Plasma 80 zu erregen.
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Da
der Kontaktbereich des Trennbretts 230 zum Plasma 80 kleiner
als der Kontaktbereich eines herkömmlichen Quarzrohrs 120 zum
Plasma 60 (siehe 1A und 1B)
ist, wird eine Ablagerung der Dünnschicht auf der Trennschicht 230 schwierig, oder
wird das Trennbrett 230 nicht leicht durch das Plasma 80 verätzt.
Auf diese Weise kann die Häufigkeit der Auswechselung von
Trennbrettern 230 reduziert werden, um die Betriebskosten
des Mikrowellen-erregten Plasmaverarbeitungsgeräts 200 zu
senken. Außerdem sind Trennbretter 230 leicht
herzustellen und daher günstiger als Quarzrohre, so dass die
Kosten für die Verbrauchsmaterialien ebenfalls herabgesetzt
werden können.
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In
diesem Ausführungsbeispiel kann die Verarbeitungshöhle 210 eine Öffnung 212 aufweisen, der
gezahnte Wellenleiter 220 ist an der Öffnung 212 der
Verarbeitungshöhle 210 angeordnet und der linienförmige
Kanal 226 ist dieser Öffnung 212 entsprechend
ausgebildet. Darüber hinaus kann beim Mikrowellen-erregten
Plasmaverarbeitungsgerät 200 ein Halter 240 unter
dem linienförmigen Kanal 226 angeordnet werden,
wobei auf dem Halter 240 ein Substrat 250 angeordnet
werden kann, damit sich das Plasma 80 auf dem Substrat 250 in
einer Dünnschicht ablagert.
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Das
Innere des gezahnten Wellenleiters 220 kann mit einem konstanten
Druck aufgefüllt werden und das Innere der Verarbeitungshöhle 210 mit
Niedrigdruck. Durch das Trennbrett 230 werden der gezahnte
Wellenleiter 220 und die Verarbeitungshöhle 210 voneinander
getrennt. Ins Innere der Verarbeitungshöhle 210 wird
Verarbeitungsgas (nicht dargestellt) eingeführt, das durch
die Erregung der Mikrowellen zum Plasma 80 umgewandelt
wird und so auf dem Substrat 250 zu einer Dünnschicht
gebildet wird.
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Zu
bemerken ist, dass in der obigen Beschreibung der Erfindung zwar
so dargestellt wird, dass das Plasma 80 hauptsächlich
zum Ablagern auf dem Substrat 250 in einer Dünnschicht
dient, doch lässt sich die Funktion des Plasmas 80 in
der vorliegenden Erfindung nicht darauf beschränken. Beispielsweise
kann das Plasma in weiteren Ausführungsbeispielen zum Ätzen
des Substrats dienen. Darüber hinaus ist das Substrat 250 beispielsweise als
Silizium-Substrat oder transparentes Glas-Substrat ausgeführt,
und das Trennbrett 230 kann als isolierfähiges
Material wie Quarzglas oder O-Ring ausgeführt werden.
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Wie
aus 2A~2C ersichtlich, sind die erste
Seite 222a, an der der linienförmige Kanal 226 sich
befindet und die zweite Seite 222b, an der das Rückenteil 224 sich
befindet, die breiten Seiten des gezahnten Wellenleiters 220,
d. h., dass die erste 222a und die zweite Seite 222b jeweils
die erste breite Seite und die zweite breite Seite sind. Dies ist
das bevorzugte Ausführungsbeispiel der Erfindung. Allerdings
können das Rückenteil 224 und der linienförmige
Kanal 226 alternativ an den schmalen Seiten des gezahnten
Wellenleiters 220 angeordnet werden. In der Erfindung werden
die Stellen des Rückenteils 224 und des linienförmigen
Kanals 226 nicht beschränkt. Der gezahnte Wellenleiter 220 kann
ferner aus Aluminium, Aluminium-Titan-Legierung, Aluminium-Wolfram-Legierung
oder weiteren geeigneten Metall sein. Des Weiteren ist der linienförmige
Kanal 226 in der obigen Beschreibung in Übereinstimmung mit
der Anordnung des Trennbretts 230 im stufenförmigen
Querschnitt ausgebildet, jedoch lässt sich das Profil des
Querschnitts des linienförmigen Kanals 226 nicht
darauf beschränken.
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2D zeigt
den Weg des Verlaufs der Mikrowellen aus 2B vom
gezahnten Wellenleiter nach außen. Gemäß 2D strahlen
die Mikrowellen 70 vom Unterand des Rückenteils 224 senkrecht nach
außen aus, so dass die Mikrowellen 70 beim Ausgang
aus dem linienförmigen Kanal 226 fast immer senkrecht
zum linienförmigen Kanal 226 verlaufen. Mit anderen
Worten: die Mikrowellen 70 strahlen beinah senkrecht zum
Substrat aus, um das Plasma zu kondensieren, d. h., dass das durch
die Mikrowellen 70 erregte Plasma 80 beinah direkt
auf dem Substrat zu einer Dünnschicht gebildet wird, wodurch
sowohl die Qualität als auch die Geschwindigkeit der Dünnschichtbildung
erhöht werden.
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Ferner
kann erfindungsgemäß zum Zwecke des Transports
des Substrats 250 zusätzlich ein Fließband
(nicht dargestellt) im Halter 240 angeordnet werden. Durch
angemessenes Einstellen der Transportgeschwindigkeit des Fließbands
kann das langlinienförmige Plasma 80 der Erfindung
vollständig und gleichmäßig auf dem Substrat 250 in
einer Dünnschicht gebildet werden. Im Vergleich zur herkömmlichen
Dünnschichtbildung auf einem einzelnen Substrat ist die
Erfindung insofern vorteilhaft, als mehrere Substrate auf einmal
auf dem Fließband angeordnet werden können und
der Reihe nach sich dem Vorgang der Dünnschichtbildung
unterziehen lassen, um die Leistung der Produktion erheblich zu steigern.
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Gemäß bestimmten
Experimenten hängen die Gleichmäßigkeit
und die Größe der Plasma-Dichte vom Wellenaustrittmodus
des gezahnten Wellenleiters ab. Das heißt, dass eine bestimmte
Ausstrahlungsweise der Mikrowellen durch die Position des Rückenteils 224 im
Verhältnis zum linienförmigen Kanal zu erhalten
ist. Genauer gesagt dienen die Höhe H vom Unterrand des
Rückenteils 224 zum linienförmigen Kanal
und die Breite W des linienförmigen Kanals zum Regeln des
Wellenaustrittmodus des gezahnten Wellenleiters, um Plasma 80 mit
hoher und gleichmäßiger Dichte zu erhalten. Allgemein
wird der Wellenaustritt des gezahnten Wellenleiters desto größer,
je größer die Höhe H oder die Breite
W ist; umgekehrt wird die Menge der aus dem gezahnten Wellenleiter
austretenden Mikrowellen desto kleiner, je kleiner die Höhe
H oder die Breite W ist.
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Des
Weiteren kann die Menge der Mikrowellen, die zum Plasmabereich ausgestrahlt
wird, durch die Reglung der Höhe und der Breite des gezahnten Metalls
die angemessenste Menge erreichen, so dass die Leistung der Reflektion
der Mikrowellen minimalisiert wird, und das Plasma sich linear erstrecken
kann. Generell liegt die Höhe H beispielsweise bei 0~1/4
der Wellenlänge der Mikrowelle 70, wobei diese
Wellenlänge vor allem die Wellenlänge der Mikrowellen 70 meint,
wenn die Mikrowellen 70 im gezahnten Wellenleiter 220 übertragen
werden und nicht die Wellenlänge der Mikrowellen 70 meint, wenn
die Mikrowellen 70 im Vakuumzustand übertragen
werden. Die Breite W des linienförmigen Kanals 226 liegt
beispielsweise zwischen 0 und der Breite der ersten breiten Seite 222a (oder
der zweiten Breite 222b) des gezahnten Wellenleiters 220. Änderungen,
die von einem Fachmann gemäß der vorstehenden
Beschreibung vorgenommen werden, gehören zum Schutzbereich
der vorliegenden Erfindung.
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Zusammenfassend
ist beim erfindungsgemäßen Mikrowellen-erregten
Plasmaverarbeitungsgerät die Ablagerung der Dünnschicht
auf der Trennschicht schwieriger oder das Trennbrett wird nicht leicht
durch das Plasma verätzt; auf diese Weise kann die Häufigkeit
des Auswechselung von Trennbrettern reduziert werden, so dass die
Wartungszeit und -kosten gesenkt werden können; des Weiteren kann
die Menge der Mikrowellen, die zum Plasmabereich ausgestrahlt wird,
durch die Reglung der Höhe und der Breite des gezahnten
Metalls die angemessenste Menge erreichen, so dass die Reflektionsleistung
der Mikrowellen minimalisiert wird und das Plasma sich linear erstrecken kann.
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Die
vorstehende Beschreibung stellt nur das bevorzugte Ausführungsbeispiel
der Erfindung dar und soll nicht die Erfindung beschränken.
Alle gleichwertigen Änderungen und Modifikationen, die
auf den Bestimmungen der Erfindung basierend von einem Fachmann
vorgenommen werden können, gehören zum Schutzbereich
der vorliegenden Erfindung. Der Schutzbereich der Erfindung richtet
sich auf die nachstehenden Patentansprüche.
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Kurzfassung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Mikrowellen-erregtes Plasmaverarbeitungsgerät
unter Verwendung einer von gezahnten (ridged) Wellenleiter-Plasmareaktoren
erregten linearen Mikrowellenplasmaquelle. Das Mikrowellen-erregtes
Plasmaverarbeitungsgerät (200) umfasst eine Verarbeitungshöhle
(210), einen gezahnten Wellenleiter (220) und ein
Trennbrett (230). Der gezahnte Wellenleiter (220) ist
an der Verarbeitungshöhle (210) angeordnet und umfasst
einen Rahmen (222), ein Rückenteil (224) und
einen linienförmigen Kanal (226), wobei sich der linienförmige
Kanal (226) an der ersten Seite des Rahmens (222)
befindet und das Rückenteil (224) sich an der
zweiten Seite des Rahmens (222) und zwar dem linienförmigen
Kanal (226) gegenüber befindet. Das Trennbrett
(230) ist am linienförmigen Kanal (226)
angeordnet. Darüber hinaus ist der gezahnte Wellenleiter
(220) zum Empfang einer Mikrowelle geeignet, die durch
den linienförmigen Kanal (226) zum Erregen eines
Plasmas zur Verarbeitungshöhle (210) übertragen
wird.
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Signifikante Figur: 2A
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Bezugszeichenliste aus 2A
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- 200 Mikrowellen-erregtes Plasmaverarbeitungsgerät
- 210 Verarbeitungshöhle
- 212 Öffnung
- 220 gezahnter Wellenleiter
- 222 Rahmen
- 222a erste Seite
- 222b zweite Seite
- 224 Rückenteil
- 226 linienförmiger Kanal
- 230 Trennbrett
- 240 Halter
- 250 Substrat
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Kurze Beschreibung der Zeichnung
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1A und 1B zeigen
jeweils eine Seitenansicht eines herkömmlichen Mikrowellen-erregten
Plasmaverarbeitungsgeräts aus verschiedenen Sichtwinkeln.
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2A zeigt
ein erfindungsgemäßes Mikrowellen-erregtes Plasmaverarbeitungsgerät
gemäß einem Ausführungsbeispiel in teilweise
perspektivischer zerlegter Ansicht.
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2B zeigt
ein aufgebautes Mikrowellen-erregtes Plasmaverarbeitungsgerät
aus 2A in Front- und Schnittansicht
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2C zeigt
ein aufgebautes Mikrowellen-erregtes Plasmaverarbeitungsgerät
aus 2A in Seiten- und Schnittansicht.
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2D zeigt
den Weg des Verlaufs der Mikrowellen aus 2B vom
gezahnten Wellenleiter nach außen.
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- 50,
70
- Mikrowelle
- 60,
80
- Plasma
- 100
- Mikrowellen-erregtes
Plasmaverarbeitungsgerät
- 110
- Verarbeitungshöhle
- 120
- Quarzrohr
- 130
- zylinderförmiger
Wellenleiter
- 140
- Silizium-Substrat
- 200
- Mikrowellen-erregtes
Plasmaverarbeitungsgerät
- 210
- Verarbeitungshöhle
- 212
- Öffnung
- 220
- gezahnter
Wellenleiter
- 222
- Rahmen
- 222a
- erste
Seite
- 222b
- zweite
Seite
- 224
- Rückenteil
- 226
- linienförmiger
Kanal
- 230
- Trennbrett
- 240
- Halter
- 250
- Substrat
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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