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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Bei einem Plasma handelt es sich um eine gasförmige Ansammlung von Ionen, neutralen Atomen oder Molekülen und freien Elektronen. Plasmen sind elektrisch leitend, da die freien geladenen Partikel leicht mit elektromagnetischen Feldern wechselwirken. Obwohl der Begriff ”Plasma” von Fall zu Fall verschieden definiert sein kann, beinhaltet er normalerweise ein gewisses ”kollektives” Verhalten, was darin besteht, dass jedes einzelne geladene Partikel mit einer großen Anzahl anderer geladener Partikel im Plasma wechselwirken kann.
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Es gibt viele Anwendungen, bei denen Plasmaquellen mit möglichst geringen Abmessungen benötigt werden. Zu diesen Anwendungen gehören Systeme zur Biosterilisation, zur Bearbeitung von kleinen Stoffmengen und zur chemischen Mikroanalyse.
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Hopwood et al. beschreiben in der
US-Patentschrift 6 917 165 die Verwendung eines Mikrostreifenresonators zum Erzeugen von ”nichtthermischen” Plasmen bei Mikrowellenfrequenzen an einem Spalt in der Resonatorebene.
1 zeigt eine von Hopwood beschriebene Einheit
100. Die Einheit
100 beinhaltet ein Substrat
10 aus einem dielektrischen Material, eine auf dem Substrat
10 bereitgestellte Streifenleitung
12, die an einem Ende mit einem Koaxialstecker
14 und am anderen Ende mit einem Spaltringresonator hoher Güte
16 (im Folgenden als ”Resonatorring” bezeichnet) verbunden ist, welcher in der Ebene des Substrats
10 einen Entladungsspalt
18 aufweist. Auf der dem Resonatorring
16 gegenüberliegenden Seite des Substrats
10 ist eine Masseleitungsebene
20 angeordnet.
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Die Streifenleitung 12 weist eine Länge von einem Viertel der Arbeitswellenlänge (λ/4) auf und dient als λ/4-Transformator, um die Impedanz des Resonatorrings 16 an die Impedanz einer Spannungsquelle anzupassen, die den Generator mit elektrischer Energie versorgt. Die Impedanz beträgt normalerweise 50 Ohm. Der Umfang des Resonatorrings 16 beträgt eine halbe Wellenlänge (λ/2) bei der Arbeitsfrequenz. Der Winkel zwischen dem Entladungsspalt 18 und der Mittellinie des Resonatorrings 16 ist so bemessen, dass die am Stromversorgungskontakt des Steckers 14 gemessene Impedanz mit der der Spannungsquelle übereinstimmt. Die Spannungen an den Enden des Resonatorrings 16 beiderseits des Entladungsspalts 18 sind zueinander um 180 Grad phasenverschoben.
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Das elektrische Feld am Entladungsspalt 18 wird zudem noch durch den Gütefaktor Q [Q = 2π(gespeicherte Energie/abgestrahlte Energie)] des Resonatorrings 16 und die geringe Abmessung (im Allgemeinen weniger als 50 μm) des Entladungsspalts 18 verstärkt. Dadurch liegen im Entladungsspalt 18 starke elektrische Felder vor. Wenn an einer Fläche innerhalb des Entladungsspalts 18 eine Struktur zum Einschließen des Gases bereitgestellt wird, kann das Gas durch die hohe Spannung innerhalb des Entladungsspalts 18 angeregt werden und eine Mikroplasmaentladung bilden.
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2 zeigt eine andere von Hopwood beschriebene Einheit 200. Die Einheit 200 beinhaltet einen Spaltringresonator 40 hoher Güte (im Folgenden als ”Resonatorring” bezeichnet) mit einem Entladungsspalt 42 zwischen den gegenüberliegenden Enden der Streifenleitung und einem Eingangsstecker 44 auf der Streifenleitung, die auf einer ersten Oberfläche eines Substrats 46 angeordnet ist. Auf der entgegengesetzten Seite des Substrats 46 ist eine (nicht gezeigte) Masseleitungsebene angeordnet. Die Breite des Entladungsspalts 42 beträgt üblicherweise 50 μm. Der Stecker 44 und der Entladungsspalt 42 sind so auf dem Resonatorring 40 verteilt, dass dessen Impedanz mit der Impedanz der Spannungsquelle, üblicherweise 50 Ohm, übereinstimmt. Im Vergleich zur Einheit 100 entfällt hier die λ/4-Übertragungsleitung, und die Impedanzanpassung wird durch die Abmessungen des Resonatorrings 40 und die Lage des Eingangssteckers 44 und des Entladungsspalt 42 auf dem Resonatorring 40 erreicht.
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Dutton et al. beschreiben in der US-Patentanmeldung 2007/0 170 995 einen Plasmagenerator mit einem Spaltringresonator und einem Gasleitungselement zum Durchleiten eines Gases durch einen Entladungsspalt im Spaltringresonator. Die US-Patentanmeldung 2007/0 170 995 ist hierin in allen Belangen so aufgenommen, als wäre sie hier vollständig beschrieben worden.
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3 zeigt eine von Dutton beschriebene Einheit eines Spaltringresonators 300. Auf der linken Seite von 3 ist eine Draufsicht auf die Einheit 300 und auf der rechten Seite von 3 eine Querschnittsansicht entlang der Schnittlinie I-I' in der Draufsicht der Einheit 300 zu sehen. Die Einheit 300 beinhaltet ein (in der X/Y-Ebene) planares Substrat 310 aus einem dielektrischen Material, eine Streifenleitung als Übertragungsleitung 312 auf einer ersten (”oberen”) Oberfläche des Substrats 310 mit einem ersten Ende 314 und einem entgegengesetzten zweiten Ende, das mit einem Spaltringresonator (im Folgenden als ”Resonatorring” bezeichnet) 316 verbunden ist, der einen Entladungsspalt 318 aufweist. Eine Masseleitungsebene 320 ist auf einer zweiten (”unteren”) Seite des Substrats 310 angebracht, die der ersten Seite mit dem Resonatorring 316 gegenüberliegt. Die Einheit 300 beinhaltet ein Gasleitungselement 328 zum Durchleiten eines Gasstroms durch den Entladungsspalt 318 im Betriebszustand (z. B. während der Plasmaerzeugung). Bei der in 3 gezeigten Ausführungsform führt das Gasleitungselement 328 durch das Substrat 310 und ist so angeordnet, dass das Gas im Wesentlichen senkrecht zur X/Y-Ebene (d. h. im Wesentlichen in Z-Richtung) strömt.
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4 zeigt eine von Dutton beschriebene Einheit 400 zur Plasmaerzeugung, die eine Spaltringresonator-Einheit 300, einen HF/Mikrowellenstecker 440, eine Spannungsquelle 460, eine Gaszuleitung 470 und einen Gasstutzen 472 beinhaltet. Auf der linken Seite von 4 ist eine Draufsicht auf die Einheit 400 zur Plasmaerzeugung und auf der rechten Seite von 4 eine Querschnittsansicht entlang der Schnittlinie in der Draufsicht der Einheit 400 zur Plasmaerzeugung zu sehen. Im Betriebszustand kann die Einheit 400 zur Plasmaerzeugung einen Plasmastrahl 50 erzeugen, der aus dem Gasleitungselement 328 ausströmt.
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Obwohl die oben beschriebenen Einheiten ein brauchbares Plasma erzeugen können, besteht ein zunehmendes Interesse an der Entwicklung von Einheiten, die wirtschaftlicher arbeiten, höhere Plasmadichten erzeugen oder im Allgemeinen für bestimmte Anwendungen grundsätzlich besser geeignet sind.
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ÜBERBLICK ÜBER DIE ERFINDUNG
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Aspekte der Erfindung beinhalten Einheiten und Systeme zur Plasmaerzeugung sowie Verfahren zur Plasmaerzeugung und -anwendung.
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Bei einer beispielhaften Ausführungsform weist eine Einheit auf: ein Substrat mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche; einen auf der ersten Oberfläche des Substrats angeordneten Resonatorring in Form einer Streifenleitung, der einen Entladungsspalt definiert; eine auf der zweiten Oberfläche des Substrats angeordnete Masseleitungsebene; ein Paar am Entladungsspalt mit dem Resonatorring in Form einer Streifenleitung verbundener Elektrodenverlängerungen; ein Gasleitungselement zum Durchleiten eines Gases: (1) durch den Entladungsspalt und/oder (2) zwischen dem Paar der Elektrodenverlängerungen; und einer am Substrat angeordneten Gehäusestruktur zur Bildung eines Gehäuses, das zumindest einen Bereich im Wesentlichen umschließt, welcher den Entladungsspalt und die Elektrodenverlängerungen beinhaltet, wobei das Gehäuse zum Aufnehmen eines Plasmas geeignet ist.
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Bei einer anderen beispielhaften Ausführungsform weist ein System eine Plasmaerzeugungseinheit, eine Spannungsquelle und eine Gaszuleitung auf, die beide mit der Plasmaerzeugungseinheit verbunden sind. Die Plasmaerzeugungseinheit weist auf: (i) ein Substrat mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche; (ii) einen auf der ersten Oberfläche des Substrats angeordneten Resonatorring in Form einer Streifenleitung, der einen Entladungsspalt definiert; (iii) ein Paar am Entladungsspalt mit der Streifenleitung des Resonatorrings verbundener Elektrodenverlängerungen; (iv) eine auf der zweiten Oberfläche des Substrats angeordnete Masseleitungsebene; (v) einen mit dem Resonator verbundenen Stecker zum Anschließen der Spannungsquelle an den Resonator; (vi) ein Gasleitungselement zum Durchleiten eines Gases: (1) durch den Entladungsspalt und/oder (2) zwischen dem Paar der Elektrodenverlängerungen; und (vii) eine am Substrat angeordnete Struktur zur Bildung eines Gehäuses, das zumindest einen Bereich im Wesentlichen umschließt, welcher den Entladungsspalt und die Elektrodenverlängerungen beinhaltet, wobei das Gehäuse zum Aufnehmen eines Plasmas geeignet ist.
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Bei noch einer anderen beispielhaften Ausführungsform beinhaltet ein Verfahren (a) das Zuführen eines Gases zu einer Plasmaerzeugungseinheit; (b) das Durchleiten des Gases: (1) durch einen Entladungsspalt und/oder (2) zwischen einem Paar Elektrodenverlängerungen der Einheit zur Plasmaerzeugung; (c) das Anregen einer elektrischen Entladung am Entladungsspalt und/oder an den Elektrodenverlängerungen, um das strömende Gas zu einem Plasma anzuregen; und (d) das Erzeugen von Licht, das durch eine fensterlöse Austrittsöffnung in einer Struktur der Plasmaerzeugungseinheit austritt. Die Plasmaerzeugungseinheit weist auf: (i) ein Substrat mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche; (ii) einen auf der ersten Oberfläche des Substrats angeordneten Resonatorring in Form einer Streifenleitung, der einen Entladungsspalt definiert; (iii) ein Paar am Entladungsspalt mit dem Resonatorring in Form einer Streifenleitung verbundener Elektrodenverlängerungen; (iv) eine auf der zweiten Oberfläche des Substrats angeordnete Masseleitungsebene; ein Paar am Entladungsspalt mit dem Resonatorring in Form einer Streifenleitung verbundener Elektrodenverlängerungen; (v) ein Gasleitungselement zum Durchleiten eines Gases: (1) durch den Entladungsspalt und/oder (2) zwischen dem Paar der Elektrodenverlängerungen; und (vi) eine am Substrat angeordnete Struktur zur Bildung eines Gehäuses, das zumindest einen Bereich im Wesentlichen umschließt, welcher den Entladungsspalt und die Elektrodenverlängerungen beinhaltet, wobei das Gehäuse zum Aufnehmen eines Plasmas geeignet ist und eine Öffnung aufweist, durch welche das Licht aus dem Gehäuse austritt.
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KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Die beispielhaften Ausführungsformen lassen sich am besten aus der folgenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen verstehen. Es wird darauf hingewiesen, dass die verschiedenen Merkmale nicht unbedingt maßstabsgerecht dargestellt sind. Das bedeutet, dass die Abmessungen zur Verdeutlichung beliebig vergrößert oder verkleinert sein können. Sofern dies sinnvoll und vorteilhaft ist, werden gleiche Merkmale durch gleiche Bezugsnummern bezeichnet.
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1 zeigt eine Spaltringresonator-Einheit.
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2 zeigt eine andere Spaltringresonator-Einheit.
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3 zeigt eine weitere Spaltringresonator-Einheit.
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4 zeigt eine Plasmaerzeugungseinheit, die die Spaltringresonator-Einheit von 3 beinhaltet.
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5 zeigt eine Schnittansicht eines Teil einer Plasmaerzeugungseinheit.
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6 zeigt eine Plasmaerzeugungseinheit mit einer Plasmaeinschließungsstruktur.
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7 ist Explosionsdarstellung der Plasmaerzeugungseinheit von 6.
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8 zeigt eine Ausführungsform einer Spaltringresonator-Einheit, die Elektrodenverlängerungen beinhaltet.
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9 zeigt eine Schnittansicht einer Ausführungsform eines Teils der Plasmaerzeugungseinheit von 10.
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10 zeigt eine Ausführungsform einer Plasmaerzeugungseinheit, die die Spaltringresonator-Einheit von 8 beinhaltet.
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11 ist eine Explosionsdarstellung Plasmaerzeugungseinheit von 10.
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12 zeigt eine andere Ausführungsform einer Spaltringresonator-Einheit, die Elektrodenverlängerungen beinhaltet.
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13 zeigt eine weitere Ausführungsform einer Spaltringresonator-Einheit, die Elektrodenverlängerungen beinhaltet.
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14 zeigt noch eine weitere Ausführungsform einer Spaltringresonator-Einheit, die Elektrodenverlängerungen beinhaltet.
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15 zeigt eine Ausführungsform einer Plasmaerzeugungseinheit, die die Spaltringresonator-Einheit von 14 beinhaltet.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
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Um ein gründliches Verständnis einer Ausführungsform gemäß den vorliegenden Lehren zu ermöglichen, werden in der folgenden detaillierten Beschreibung beispielhafte Ausführungsformen beschrieben, die spezielle Details offenlegen, welche aber nur zur Erläuterung dienen und nicht als Einschränkung zu verstehen sind. Nach der Lektüre der vorliegenden Beschreibung ist dem Fachmann jedoch klar, dass andere Ausführungsformen gemäß den vorliegenden Lehren, die von den hier beschriebenen speziellen Details abweichen, ebenfalls vom Geltungsbereich der angehängten Ansprüche erfasst werden. Im vorliegenden Zusammenhang bedeuten die Begriffe ”ungefähr” bis zu 10% und ”im Wesentlichen” mindestens 75%. Wenn im vorliegenden Zusammenhang davon die Rede ist, dass eine erste Struktur, ein erstes Material oder eine erste Schicht eine zweite Struktur, ein zweites Material oder eine zweite Schicht bedeckt, werden dadurch auch Fälle erfasst, bei denen die erste Struktur, das erste Material oder die erste Schicht die zweite Struktur, das zweite Material oder die zweite Schicht im Wesentlichen oder vollständig einschließt oder umgibt.
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5 zeigt eine Schnittansicht eines Teils 500 einer Plasmaerzeugungseinheit. Die Plasmaerzeugungseinheit beinhaltet eine Spaltringresonator-Einheit 300, einen HF/Mikrowellenstecker 540 und ein unteres Element 530 einer Plasmagehäusestruktur. Das Element 530 ist direkt am Substrat 310 angeordnet und weist eine Öffnung auf, die einen Hohlraum 535 in einem Gehäuse bildet, das im Folgenden näher erörtert wird.
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6 zeigt eine Plasmaerzeugungseinheit 600. Auf der linken Seite von 6 ist eine Draufsicht auf die Plasmaerzeugungseinheit 600 und auf der rechten Seite von 6 eine Querschnittsansicht entlang der Schnittlinie I-I in der Draufsicht der Plasmaerzeugungseinheit 600 zu sehen. Die Plasmaerzeugungseinheit 600 beinhaltet eine Spaltringresonator-Einheit 300, einen HF/Mikrowellenstecker 540, eine Plasmagehäusestruktur 650, eine HF/Mikrowellenquelle 660, eine Gaszuleitung 670 und einen Gaszufuhrstutzen 672. Die Plasmagehäusestruktur 650 beinhaltet ein unteres Element 530 und ein oberes Element 640 und bildet zusammen mit der ersten Oberfläche des Substrats 310 ein Gehäuse, das einen Hohlraum 535 definiert, das im Betriebszustand ein Plasma enthält. Das obere Element 640 der Plasmagehäusestruktur 650 beinhaltet eine Öffnung 655, die in einer zur Ebene der ersten Oberfläche des Substrats 310 senkrechten Richtung ausgerichtet ist.
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Im Betriebszustand strömt ein Gas von der Gaszuleitung 670 durch das Gasleitungselement 328 in den Entladungsspalt 318. Von der HF/Mikrowellenquelle 660 wird ein HF/Mikrowellensignal an den Resonatorring 316 gesendet, der innerhalb des Entladungsspalts 318 ein starkes elektrisches Feld erzeugt und das strömende Gas anregt, ein den Hohlraum 535 ausfüllendes Plasma zu erzeugen. Das Plasma erzeugt einen Lichtstrahl 60, der in einer zur Ebene der ersten Oberfläche des Substrats 310 senkrechten Richtung aus der Öffnung 655 austritt.
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7 ist eine Explosionsdarstellung der Plasmaerzeugungseinheit 600.
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Die Plasmaerzeugungseinheit 600 kann in der Plasmagehäusestruktur 650 ein Mikroplasma erzeugen und VUV(Vakuum-Ultraviolett)-Photonen von der Öffnung 655 aussenden. Die Erfinder haben jedoch gefunden, dass die Lichtausbeute der Plasmaerzeugungseinheit 600 durch einen Plasmasättigungseffekt begrenzt wird. Mit anderen Worten, durch die Zufuhr einer höheren HF/Mikrowellenleistung von der HF/Mikrowellenquelle 660 läuft die Ausbeute an VUV-Photonen in einen Sättigungsbereich oder nimmt ab.
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8 zeigt eine Ausführungsform einer Spaltringresonator-Einheit 800, die Elektrodenverlängerungen 890 beinhaltet. Auf der linken Seite von 8 ist eine Draufsicht auf die Einheit 800 und auf der rechten Seite von 8 eine Querschnittsansicht entlang der Schnittlinie I-I in der Draufsicht der Einheit 800 zu sehen. Die Spaltringresonator-Einheit 800 beinhaltet ein (in der X/Y-Ebene) planares Substrat 810 aus einem dielektrischen Material und eine Übertragungsleitung 812 in Form einer Streifenleitung auf einer ersten (oberen) Oberfläche des Substrats 810 mit einem ersten Ende 814 und einem zweiten Ende, das mit einem Spaltringresonator 816 (im Folgenden als ”Resonatorring” bezeichnet) verbunden ist, der einen Entladungsspalt 818 aufweist. Auf einer zweiten (unteren) Seite des Substrats, die der ersten Seite mit dem Resonatorring 816 gegenüberliegt, ist eine Masseleitungsebene 820 angeordnet.
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Vorteilhafterweise beinhaltet die Spaltringresonator-Einheit 800 ein am Entladungsspalt 818 mit dem Resonatorring 816 verbundenes Paar Elektrodenverlängerungen 890, deren Nutzen im Folgenden ausführlicher erörtert wird.
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Die Einheit 800 beinhaltet ein Gasleitungselement 828, das im Betriebszustand (z. B. während der Plasmaerzeugung) einen Gasstrom durch den Entladungsspalt 818 und/oder zwischen das Paar Elektrodenverlängerungen 890 leitet.
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9 zeigt eine Schnittansicht einer Ausführungsform eines Teils 900 einer Plasmaerzeugungseinheit. Die Plasmaerzeugungseinheit beinhaltet eine Spaltringresonator-Einheit 800, einen HF/Mikrowellenstecker 940 und ein unteres Element 930 einer Plasmagehäusestruktur. Das Element 930 ist direkt am Substrat 810 angeordnet und weist eine Öffnung auf, die einen Hohlraum 935 in einem Plasmagehäuse bildet, das im Folgenden ausführlicher erörtert wird.
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10 zeigt eine Ausführungsform einer Plasmaerzeugungseinheit 1000, die die Spaltringresonator-Einheit 800 von 8 beinhaltet. Auf der linken Seite von 10 ist eine Draufsicht auf die Plasmaerzeugungseinheit 1000 und auf der rechten Seite von 10 eine Querschnittsansicht entlang der Schnittlinie in der Draufsicht der Plasmaerzeugungseinheit 1000 zu sehen. Die Plasmaerzeugungseinheit 1000 beinhaltet eine Spaltringresonator-Einheit 800, einen HF/Mikrowellenstecker 940, eine Plasmagehäusestruktur 1050, eine HF/Mikrowellenquelle 1060, eine Gaszuleitung 1070 und einen Gaszufuhrstutzen 1072.
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11 ist eine Explosionsdarstellung der Plasmaerzeugungseinheit 1000 von 10.
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Bei bestimmten Ausführungsformen sind der Stecker 940 (mit oder ohne Übertragungsleitung 812) und der Entladungsspalt 818 an solchen Stellen auf dem Streifenleiter des Resonatorrings 816 angeordnet, dass sie zusammen mit den Elektrodenverlängerungen 890 eine mit der Impedanz der Spannungsquelle 1060 übereinstimmende Impedanz bereitstellen. Unter ”übereinstimmend” ist zu verstehen, dass die Impedanz am Stecker 940 der Ausgangsimpedanz der Spannungsquelle 940 gleichwertig ist und somit eine maximale Energieübertragung erreicht werden kann. Eine Differenz zwischen diesen beiden Impedanzwerten kann dazu führen, dass am Stecker 940 eine Leistungskomponente zur Spannungsquelle 1060 hin reflektiert wird. Bei bestimmten Ausführungsformen ist die Umfangslänge des Mikrostreifen-Resonatorrings 816 gleich der halben Wellenlänge (λ/2) bei der Arbeitsfrequenz der Plasmaerzeugungseinheit 1000. Der Winkel (θ) zwischen der Mittellinie des Mikrostreifen-Resonatorrings 816 (gestrichelte Linie ”C” in den 8 bis 10) und dem Stecker 940 zum Anschließen an die Leitung und dem Entladungsspalt 818 (gestrichelte Linie ”P” in den 8 bis 10) ist so bemessen, dass die am Stromversorgungskontakt der Buchse 940 gemessene Impedanz mit der Impedanz der Spannungsquelle 1060 übereinstimmt. Wenn an den Mikrostreifen-Resonatorring 816 eine Spannung angelegt wird, ist die Spannungsdifferenz am Entladungsspalt 818 maximal. Bei bestimmten Ausführungsformen liegt die Größenordnung dieser maximalen Spannungsdifferenz im Bereich von ungefähr 50 V bis ungefähr 750 V, zum Beispiel von ungefähr 75 V bis ungefähr 600 V, darunter von ungefähr 120 V (0,5 W, 50 Ohm, Q = 110) bis ungefähr 475 V (8 W, 50 Ohm, Q = 110). Somit wird das elektrische Feld im Entladungsspalt 818 konzentriert und ist bei bestimmten Ausführungsformen größenordnungsmäßig mindestens doppelt so stark wie das elektrische Feld zwischen dem Mikrostreifen-Resonatorring 816 und der Masseleitungsebene 820. Die Abmessungen des Resonatorrings 816, der Elektrodenverlängerungen 890 und des Entladungsspalts 818 werden bei der Entwicklung bestimmter Ausführungsformen so gewählt, dass die beabsichtigte Resonanzfrequenz und die gewünschten Leistungsparameter der Plasmaerzeugungseinheit 1000 erreicht werden.
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Solange der Entladungsspalt 818 unter den Einsatzbedingungen für die Anregung des Plasmas sorgt, kann er eine Vielfalt von Abmessungen und Anordnungen annehmen. Bei bestimmten Ausführungsformen befindet sich der Entladungsspalt 818 oberhalb der Oberfläche des Substrats 810, während er bei anderen Ausführungsformen in oder durch das Substrat 810 ragt. Die Größe des Entladungsspalts 818 ist variierbar, wobei die Abmessungen des Entladungsspalts 818 so gewählt werden, dass ein durch den Entladungsspalt 818 strömendes Gas bei den vorgesehenen Einsatzparametern zu einem Plasma angeregt wird. Bei bestimmten Ausführungsformen weist der Entladungsspalt 818 eine Breite (d. h. einen Abstand zwischen den Enden des Resonatorrings 816) auf, die von ungefähr 20 μm bis ungefähr 1,2 mm, zum Beispiel von ungefähr 50 μm bis ungefähr 1,0 μm, darunter von ungefähr 400 μm bis ungefähr 800 μm, reicht.
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Bei bestimmten Ausführungsformen der Spaltringresonator-Einheit 800 besteht das Substrat 810 aus einem dielektrischen Material, das eine hohe Dielektrizitätskonstante aufweist. Unter einer hohen Dielektrizitätskonstanten ist ein Wert der Dielektrizitätskonstanten von 2 oder höher, zum Beispiel von 5 oder höher, darunter von 9,6 (z. B. Keramik) oder höher, zu verstehen. Als dielektrische Materialien zur Verwendung als Substrat 810 kommen unter anderem, aber nicht ausschließlich, Keramikverbindungen, Teflon, Polymere, Glas, Quarz und deren Kombinationen infrage. Bei Ausführungsformen, die an der Luft betrieben werden, müssen harte Dielektrika ohne organische Komponenten verwendet werden, zum Beispiel Keramik, Glas und Quarz. Bei bestimmten Ausführungsformen wird das Substrat 810 aus einem einzigen Material hergestellt, während das Substrat bei bestimmten anderen Ausführungsformen mehr als nur ein Material enthält, z. B. verschiedene Schichten aus unterschiedlichen Materialien. Die Abmessungen des Substrats 810 können je nach der beabsichtigten Nutzung des durch die Plasmaerzeugungseinheit 1000 erzeugten Plasmas und/oder in Abhängigkeit von den Abmessungen des Mikrostreifen-Resonatorrings 816, die von den dielektrischen Eigenschaften des Substrats, der Arbeitsfrequenz und der erforderlichen charakteristischen Impedanz abhängen, in werten Grenzen variiert werden. Bei bestimmten Ausführungsformen ist das Substrat 810 planar und weist eine Länge im Bereich von ungefähr 5 mm bis ungefähr 100 mm, zum Beispiel von ungefähr 10 mm bis ungefähr 70 mm, darunter von ungefähr 20 mm (im Fall von Keramik) bis ungefähr 50 mm (im Fall von RT/DUROID®); eine Breite im Bereich von ungefähr 5 mm bis ungefähr 100 mm, zum Beispiel von ungefähr 10 mm bis ungefähr 70 mm, darunter von ungefähr 12 mm (im Fall von Keramik) bis ungefähr 40 mm (im Fall von RT/DUROID®) und eine Dicke im Bereich von ungefähr 100 μm bis ungefähr 5 mm, zum Beispiel von ungefähr 100 μm bis ungefähr 2 mm, darunter von ungefähr 1 mm (im Fall von Keramik) bis ungefähr 2 mm, auf.
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Bei bestimmten Ausführungsformen des Spaltringresonators 800 sind die Masseleitungsebene 820 und der Mikrostreifen-Resonatorring 816 auf den gegenüberliegenden Seiten des Substrats 810 angeordnet und berühren deshalb einander nicht. Der Abstand zwischen der Masseleitungsebene 820 und dem Mikrostreifen-Resonatorring 816 kann variieren, wobei der Abstand zwischen diesen beiden Komponenten bei bestimmten Ausführungsformen im Bereich von ungefähr 100 μm bis ungefähr 5 mm, beispielsweise von 100 μm bis ungefähr 2 mm, darunter auch im Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 2 mm liegen kann. Bei bestimmten Ausführungsformen bestehen die Masseleitungsebene 820 und der Mikrostreifen-Resonatorring 816 aus ein und demselben Material, während sie bei bestimmten anderen Ausführungsformen aus verschiedenen Materialien bestehen können. Die Masseleitungsebene 820 und/oder der Mikrostreifen-Resonatorring 816 können aus einer Vielfalt verschiedener Materialien hergestellt werden, darunter, aber nicht darauf beschränkt, Au, Cu, Ag und Ähnliches. Die Schichtdicken des Mikrostreifen-Resonatorrings 816 und der Masseleitungsebene 820 können variieren. Bei bestimmten Ausführungsformen weist die Masseleitungsebene 820 eine Dicke im Bereich von ungefähr 1 μm bis 50 μm, darunter auch von ungefähr 1 μm bis 25 μm, zum Beispiel von ungefähr 2 μm bis ungefähr 10 μm, darunter auch von ungefähr 6 μm bis ungefähr 6,5 μm, auf. Bei bestimmten Ausführungsformen weist der Mikrostreifen-Resonatorring 816 eine Dicke im Bereich von ungefähr 1 μm bis 50 μm, darunter auch von ungefähr 1 μm bis 25 μm, zum Beispiel von ungefähr 2 μm bis ungefähr 10 μm, darunter auch von ungefähr 6 μm bis ungefähr 6,5 μm, auf. Bei bestimmten Ausführungsformen weisen die Masseleitungsebene 820 und der Mikrostreifen-Resonatorring 816 dieselbe (oder eine ähnliche) Schichtdicke auf, während die Schichtdicken dieser beiden Komponenten bei anderen Ausführungsformen verschieden voneinander sind.
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Der Mikrostreifen-Resonatorring 816 und dessen Entladungsspalt 818 können eine Vielfalt von Formen annehmen. Somit ist der Begriff ”Ring” nicht nur auf einen kreisförmigen Ring beschränkt, sondern bezieht sich auf eine beliebige kreisförmige oder nicht kreisförmig geformte Struktur, wobei zu den infrage kommenden Strukturen unter anderem, aber nicht ausschließlich, gehören: kreisförmige, elliptische oder ovale und andere nicht kreisförmige Ringe sowie rechteckige oder andere mehrseitige Formen. Der Mikrostreifen-Resonatorring 816 kann auf vielfältige Weise auf dem Substrat 810 angeordnet werden. Bei bestimmten Ausführungsformen wird das Substrat 810 mit einem Material für die Mikrostreifenschicht (z. B. Au, Cu usw.) beschichtet und der Mikrostreifen-Resonatorring 816 mittels fotolithografischer und Nassätzverfahren gebildet, die in der Technik an sich bekannt sind. Zur Bildung des Mikrostreifen-Resonatorrings 816 und des Entladungsspalts 818 können auch andere Bearbeitungsverfahren eingesetzt werden.
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Wie oben bereits erwähnt, ist der Mikrostreifen-Resonatorring
816 mit dem Stecker
940 verbunden, um die Spannungsquelle
1060 anzuschließen, die den Mikrostreifen-Resonatorring
816 während des Betriebs mit Strom versorgt. Beim Stecker
940 kann es sich um eine aus einer Vielfalt bekannter Steckverbinder handeln. Bei bestimmten Ausführungsformen wird als Stecker
940 eine Subminiatur-Steckhülse (subminiature push-on, SMP) verwendet. Bei anderen Ausführungsformen hingegen können andere Arten von Steckverbindern verwendet werden, zum Beispiel ein Subminiatur-Koaxialstecker Typ A (SMA), der unter einem rechten Winkel am Mikrostreifen-Resonatorring angebracht ist und zur Stromversorgung der Einheit dient (beschrieben zum Beispiel in der
US-Patentschrift 6 917 165 , deren Beschreibung hierin durch Bezugnahme aufgenommen ist). Desgleichen können auch Kantensteckerleisten verwendet werden.
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Bei bestimmten Ausführungsformen ist der Stecker 940 über eine zusätzliche Übertragungsleitung 812 mit dem Resonatorring 816 verbunden. Im Allgemeinen wird die Impedanz allein durch die Wahl der Resonatorgeometrie grundlegend eingestellt, sodass keine weitere Anpassung erforderlich ist. Daher beeinflusst die Länge der zusätzlichen Übertragungsleitung 812 in keiner Weise die Gesamtimpedanz der Einheit. Wenn jedoch der Bereich der Impedanzanpassung durch die Geometrie des Resonators nicht in vollem Umfang abgedeckt wird, kann für eine weitere Impedanzanpassung die Übertragungsleitung 812 herangezogen werden, indem Veränderungen der Leitungsbreite und damit der charakteristischen Impedanz gegenüber denen des Resonatorrings 816 vorgesehen werden. Die Längen und Breiten der Übertragungsleitung 812 können vom Fachmann berechnet werden.
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Die Plasmaerzeugungseinheit 1000 enthält, wie oben erwähnt, ein Gasleitungselement 828 zum Durchleiten eines Gasstroms. Bei den in den 8 bis 10 dargestellten Ausführungsformen ist das Gasleitungselement 828 so gestaltet, dass es einen Gasstrom durch oder zwischen den Entladungsspalt 818 leitet. Bei alternativen Ausführungsformen kann das Gasleitungselement 828 so gestaltet sein, dass ein Gasstrom zwischen die Elektrodenverlängerungen 890 des Entladungsspalts und/oder durch den Entladungsspalt 818 geleitet wird. Bei diesen Ausführungsformen kann die Stellung des Gasleitungselements 828 in Bezug auf die in den 8 bis 10 dargestellten Ausführungsformen verändert sein. 8–10.
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Bei den in den 8 bis 10 dargestellten Ausführungsformen ragt das Gasleitungselement 828 durch das Substrat 810 und ist so beschaffen, dass das Gas im Wesentlichen senkrecht zur X/Y-Ebene strömt (d. h. im Wesentlichen in Z-Richtung, zum Beispiel von der zweiten Seite des Substrats 810 zur ersten Seite des Substrats 810). Der durch das Gasleitungselement 828 zugeführte Gasstrom kann in vielerlei Richtungen in Bezug auf den Entladungsspalt 818 und/oder die Elektrodenverlängerungen 890 strömen. Bei bestimmten Ausführungsformen ist der Gasstrom so ausgerichtet, dass das Gas von der Unterseite des Entladungsspalts 818 zur Oberseite des Entladungsspalts 818 strömt, sodass ein durch Anregung des Gases entstandenes Plasma als Plasmastrahl aus der ersten (oberen) Oberfläche des Entladungsspalts 818 austritt. Bei bestimmten Ausführungsformen leitet das Gasleitungselement 828 das Gas in in einer Richtung, die im Wesentlichen senkrecht und bei bestimmten Ausführungsformen annähernd oder praktisch senkrecht zum Entladungsspalt 818 ist. Unter ”praktisch senkrecht zum Entladungsspalt 818” ist zu verstehen, dass das Gas von einem Punkt in der X/Z-Ebene der Einheit 100 zur Plasmaerzeugung durch den Entladungsspalt 818 strömt. Mit anderen Worten, das Gas strömt unter einem rechten Winkel (90 Grad) (oder im Wesentlichen senkrecht) zur einer Linie, welche durch die Mitte zwischen den Zuführungen des Entladungsspalts führt (gestrichelte Linie I-I). Bei bestimmten Ausführungsformen besteht das Gasleitungselement 828 aus einem durch das Substrat 810 und die Masseleitungsebene 820 gebohrten Kanal. Die Breite des Kanals kann variieren und reicht bei bestimmten Ausführungsformen von 20 μm bis ungefähr 1,2 mm, zum Beispiel von ungefähr 50 μm bis ungefähr 1,0 mm, darunter von ungefähr 400 μm bis ungefähr 800 μm. Bei diesen Ausführungsformen sorgt das Gasleitungselement 828 für einen Gasstrom in einer zum Substrat 810 (und zum Entladungsspalt 818) im Wesentlichen senkrechten Richtung.
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Bei anderen Ausführungsformen kann das Gasleitungselement das Gas in eine zum Substrat 810 nicht senkrechte Richtung leiten. Bei bestimmten dieser Ausführungsformen bleibt der durch das Gasleitungselement zugeführte Gasstrom im Wesentlichen in derselben Ebene wie die erste (obere) Oberfläche des Substrats 810, auf welcher der Resonatorring 816 (in der X/Y-Ebene) angeordnet ist. Bei bestimmten dieser Ausführungsformen verläuft der Gasstrom im Wesentlichen senkrecht zur gestrichelten Linie I-I'.
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Das Gasleitungselement 828 kann auf vielfältige Weise aufgebaut sein. Bei bestimmten Ausführungsformen ist das Gasleitungselement 828 in das Substrat 810 integriert. Zum Beispiel kann das Gasleitungselement 828 aus einem Loch oder einer Öffnung bestehen, die durch Ätzen, Spritzgießen oder Bohren direkt auf/in das Substrat 810 und/oder die Masseleitungsebene 820 eingebracht wurde. Bei bestimmten anderen Ausführungsformen kann als Gasleitungselement 828 ein separates Element dienen, das ein Gas von einer ersten zu einer zweiten Stelle leiten kann, z. B. eine Gasleitung, die stabil an der Struktur angebracht, z. B. befestigt, ist, um im Nutzungsfall den gewünschten Gasstrom durch den Entladungsspalt 818 zu ermöglichen. Das Gasleitungselement 828 kann aus demselben Material wie oder einem anderen Material als die anderen Komponenten der Einheit, z. B. das Substrat 810, hergestellt werden.
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Die Plasmaerzeugungseinheit 1000 enthält einen mit dem Gasleitungselement 828 verbundenen Gaszufuhrstutzen 1072. Das Gaszufuhrelement 1072 ist so beschaffen, dass am Gasleitungselement 828 eine Gaszuleitung angebracht werden kann, und es kann eine Anzahl verschiedener Komponenten beinhalten, z. B. Düsen, Dichtungslippen, Gewinde, Dichtungen usw., die aus vielerlei verschiedenen Materialien bestehen, z. B. Kautschuk, Silikon, Lotmetall usw. Der Gaszufuhrstutzen 1072 kann an einer beliebigen geeigneten Stelle auf der Plasmaerzeugungseinheit 1000 angeordnet werden. Zum Beispiel ist der Gaszufuhrstutzen 1072 bei der in 10 gezeigten Ausführungsform auf der Masseleitungsebene 820 angeordnet. Bei anderen Ausführungsformen kann ein Gaszufuhrstutzen für das Gasleitungselement auf dem Substrat 810 angeordnet werden. Bei bestimmten anderen Ausführungsformen kann der Gaszufuhrstutzen vom Substrat 810 abgenommen werden. Die Anordnung des Gaszufuhrstutzens hängt zumindest teilweise von der Art des verwendeten Gasleitungselements ab.
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Bei der in den 9 und 10 dargestellten Ausführungsform beinhaltet die Plasmaeinschließungsstruktur 1050 ein unteres Element 930 und ein oberes Element 1040. Zusammen mit der ersten (oberen) Oberfläche des Substrats 810 bildet die Plasmaeinschließungsstruktur 1050 ein Plasmaeinschließungsgehäuse, welches den Hohlraum 935 definiert, der im Betriebszustand das Plasma enthält. Das untere Element 930 der Plasmaeinschließungsstruktur 1050 beinhaltet eine Öffnung 955, die in einer zur Ebene der ersten Oberfläche des Substrats 810 senkrechten Richtung ausgerichtet ist. Vorteilhafterweise wird die Öffnung 955 in einer Oberfläche der Einschließungsstruktur 1050 bereitgestellt, die vom Gasleitungselement 828 am weitesten entfernt ist.
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Es sollte klar sein, dass die Plasmaeinschließungsstruktur 1050 auf vielfältige Weise konstruiert werden kann. Zum Beispiel veranschaulicht 11 ein Beispiel, bei dem das obere Element 1040 zwei separate Komponenten 1040a und 1040b aufweist. Bei einer alternativen Anordnung weist die Plasmaeinschließungsstruktur 1050 eine einheitliche kompakte Struktur auf. Möglich sind vielfältige Ausgestaltungen. Vorteilhafterweise weist die Plasmaeinschließungsstruktur 1050 ein Material auf, das elektrisch isoliert und zum Aufnehmen eines Plasmas geeignet ist (z. B. Aluminiumoxid oder Keramik).
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Die Elektrodenverlängerungen 890 können eine Vielfalt von Längen und Breiten aufweisen. Es sollte klar sein, dass bei einigen Ausführungsformen mit zunehmender Länge der Elektrodenverlängerungen die Menge des durch die Plasmaerzeugungseinheit erzeugten Plasmas und Lichts erhöht werden kann, was jedoch mit einer Vergrößerung der Plasmaerzeugungseinheit verbunden ist. Ferner sollte klar sein, dass nicht nur die Größe und die Breite der Elektrodenverlängerungen, sondern auch der Resonatorring, der Winkel θ und/oder der Entladungsspalt so verändert werden können, dass die Eingangsimpedanz an der HF/Mikrowellenbuchse bestens an die Ausgangsimpedanz der HF/Mikrowellenquelle angepasst ist.
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Im Folgenden wird der Arbeitsablauf der Plasmaerzeugungseinheit 1000 beschrieben. Im Betriebszustand strömt ein Gas mit einer gewünschten Zusammensetzung von der Gaszuleitung 1070 durch das Gasleitungselement 828. Von der HF/Mikrowellenquelle 1060 wird ein HF/Mikrowellensignal an den Resonatorring 816 gesendet, der innerhalb des Entladungsspalts 818 und zwischen den Elektrodenverlängerungen 890 ein starkes elektrisches Feld erzeugt und das strömende Gas anregt, um ein den Hohlraum 935 ausfüllendes Plasma zu erzeugen. Das Plasma erzeugt einen Lichtstrahl 60, der in einer zur Ebene der ersten Oberfläche des Substrats 810 senkrechten Richtung aus der Öffnung 955 austritt. Die Plasmaerzeugungseinheit 1000 kann in einer Vakuumumgebung verwendet werden, während im Plasmabereich ein etwas höherer Gasdruck herrscht.
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Bei einer Ausführungsform wird die Plasmaerzeugungseinheit 1000 als Quelle für VUV-Photonen verwendet, die durch die fensterlose Öffnung 955 austreten.
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Wenn an den Resonatorring 816 ein HF/Mikrowellensignal gesendet wird, erzeugen die Elektrodenverlängerungen vorteilhafterweise einen linearen Bereich mit einem räumlich gleichförmigen elektrischen Feld zum Anregen des Gases, um das Plasma zu erzeugen. Die Erfinder haben gefunden, dass dadurch der in Bezug auf die Plasmaerzeugungseinheit 600 beobachtete Sättigungseffekt vermieden werden kann. Das dadurch zusätzlich erzeugte Plasma erzeugt wiederum zusätzliches Licht (z. B. VUV-Licht) mit der gewünschten Wellenlänge.
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Der Vorteil der Plasmaerzeugungseinheit 1000 besteht darin, dass sie das vom Plasma erzeugte Licht seitlich durch die Öffnung 955 abbildet und nicht, wie bei der Plasmaerzeugungseinheit 600, nach unten. Auf diese Weise trägt das gesamte, infolge der Elektrodenverlängerungen 890 in Längsrichtung ausgedehnte Plasmavolumen zur Gesamtausbeute des die Öffnung 955 verlassenden Lichts bei.
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12 zeigt eine andere Ausführungsform einer Spaltringresonator-Einheit 1200, welche Elektrodenverlängerungen 1290 beinhaltet. Die Spaltringresonator-Einheit 1200 unterscheidet sich wie folgt von der Spaltringresonator-Einheit 800. Bei der Spaltringresonator-Einheit 800 sind die Elektrodenverlängerungen 890 außerhalb eines Umfangs des Resonatorrings 816 angeordnet. Bei der Spaltringresonator-Einheit 1200 hingegen ragt ein Teil der Elektrodenverlängerungen 1200 in das Innere des Resonatorrings 1216 hinein.
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13 zeigt noch eine andere Ausführungsform einer Spaltringresonator-Einheit 1300, welche Elektrodenverlängerungen 1390 beinhaltet. Die Spaltringresonator-Einheit 1300 unterscheidet sich wie folgt von der Spaltringresonator-Einheit 800. Bei der Spaltringresonator-Einheit 800 sind die Elektrodenverlängerungen 890 außerhalb eines Umfangs des Resonatorrings 816 angeordnet. Bei der Spaltringresonator-Einheit 1300 hingegen sind die Elektrodenverlängerungen 1200 im Innern des Resonatorrings 1316 angeordnet.
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Ähnliche Plasmaerzeugungseinheiten wie die Plasmaerzeugungseinheit 1000 können unter Verwendung der Spaltringresonator-Einheiten 1200 und 1300 anstelle der Spaltringresonator-Einheit 800 hergestellt werden.
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Bei den Spaltringresonator-Einheiten 800, 1200 und 1300 sind die Elektrodenverlängerungen 890, 1290 und 1390 in derselben Ebene wie die entsprechenden Resonatorringe 816, 1216 und 1316 angeordnet. Im Allgemeinen brauchen die Elektrodenverlängerungen jedoch nicht in derselben Ebene wie der Resonatorring zu liegen.
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14 zeigt eine weitere Ausführungsform einer Spaltringresonator-Einheit 1400, deren Elektrodenverlängerungen senkrecht zum Resonatorring 1416 stehen. In der Mitte von 14 ist eine Draufsicht auf die Einheit 1400, auf der linken Seite von 14 eine Querschnittsansicht entlang der Schnittlinie I-I in der Draufsicht der Einheit 1400 und auf der rechten Seite von 14 eine Querschnittsansicht entlang der Schnittlinie II-II in der Draufsicht auf die Einheit 1400 zu sehen.
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Die Spaltringresonator-Einheit 1400 beinhaltet ein (in der X/Y-Ebene) planares Substrat 1410 aus einem dielektrischen Material, eine Übertragungsleitung 1412 in Form einer Streifenleitung auf einer ersten (oberen) Oberfläche des Substrats 1410 mit einem ersten Ende 1414 und einem zweiten Ende, das mit einem Spaltringresonator 1416 (im Folgenden als ”Resonatorring” bezeichnet) verbunden ist, der einen Entladungsspalt 1418 aufweist. Auf einer zweiten (unteren) Seite des Substrats 1410, die der ersten Seite mit dem Resonatorring 1416 gegenüberliegt, ist eine Masseleitungsebene 1420 angeordnet.
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Die Einheit 1400 beinhaltet ferner ein zweites Substrat 1475, das im Wesentlichen senkrecht zum ersten Substrat 1410 angeordnet ist. Das zweite Substrat 1475 beinhaltet ein Paar Elektrodenverlängerungen 1490 auf seiner ersten Seite und eine Masseleitungsebene 1477 auf seiner zweiten Seite. Vorteilhafterweise sind die Elektrodenverlängerungen 1490 am Entladungsspalt 1418 elektrisch mit dem Resonatorring 1416 verbunden, zum Beispiel durch Löten.
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Die Einheit 1400 beinhaltet ferner ein Gasleitungselement 1428, das im Betriebszustand (z. B. während der Plasmaerzeugung) einen Gasstrom durch den Entladungsspalt 1418 und/oder zwischen das Paar Elektrodenverlängerungen 1490 leitet. Bei der in 14 gezeigten Ausführungsform ist das Gasleitungselement 1428 als Öffnung bereitgestellt, die durch das zweite Substrat 1475 ragt. Bei einer alternativen Ausführungsform kann das Gasleitungselement als Öffnung bereitgestellt werden, die sich durch das erste Substrat 1410 erstreckt.
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15 zeigt eine Ausführungsform einer Plasmaerzeugungseinheit 1500, die die Spaltringresonator-Einheit 1400 von 14 beinhaltet. Auf der linken Seite von 15 ist eine Draufsicht auf die Plasmaerzeugungseinheit 1500 und auf der rechten Seite von 15 eine Querschnittsansicht entlang der Schnittlinie II-II in der Draufsicht der Plasmaerzeugungseinheit 1500 zu sehen. Die Plasmaerzeugungseinheit 1500 beinhaltet eine Spaltringresonator-Einheit 1400, einen HF/Mikrowellenstecker 1540, eine Plasmaeinschließungsstruktur 1550, eine HF/Mikrowellenquelle 1560, eine Gaszuleitung 1570 und einen Gaszufuhrstutzen 1572. Die Plasmaeinschließungsstruktur 1550 weist eine Öffnung auf, die einen Hohlraum 1535 bildet. Die Plasmaeinschließungsstruktur 1550 beinhaltet eine Öffnung 1555, die in eine zur Ebene der ersten Oberfläche des Substrats 1475 parallelen Richtung zeigt. Vorteilhafterweise wird die Öffnung 1555 in einer Oberfläche der Einschließungsstruktur 1550 bereitgestellt, die am weitesten vom Gasleitungselement 1428 entfernt ist.
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Es sind auch andere Beispiele von Spaltringresonator-Einheiten mit Elektrodenverlängerungen möglich. Zum Beispiel können Elektrodenverlängerungen an inneren Oberflächenwänden der Plasmaeinschließungsstrukturen 1050 oder 1550 bei den in den 10 und 15 gezeigten Ausführungsformen bereitgestellt werden. Möglich sind auch andere Anordnungen.
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Obwohl hier beispielhafte Ausführungsformen beschrieben werden, ist dem Fachmann klar, dass viele Abwandlungen möglich sind, die mit den vorliegenden Lehren übereinstimmen und innerhalb des Geltungsbereichs der anhängenden Ansprüche liegen. Die Erfindung wird deshalb nur durch den Geltungsbereich der anhängenden Ansprüche beschränkt.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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