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Hintergrund
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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte mit einem metallischen Trägermaterial, wobei ein Teil der Oberfläche des Trägermaterials freigelegt wird.
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Beispielsweise verwendet eine Leiterplatte, die eine elektronische Vorrichtung trägt, die Wärme entwickelt, so zum Beispiel eine Halbleiterchip, der einen Leistungs-FET enthält, ein metallisches Trägermaterial, um die Wärmeableitungswirkung zu verbessern. Das metallische Trägermaterial enthält Kupfer oder ein Aluminium-Ausgangsmaterial als einen Träger. Bei einer Leiterplatte, die ein metallisches Trägermaterial verwandter Technik als einen Träger verwendet, wird ein Schichtleiter (Kupferfolie) über eine isolierende Harzschicht mit einem metallischen Trägermaterial verbunden, und der nicht benötigte Teil der Kupferfolien wird durch Ätzen aufgelöst und entfernt, um ein Schaltungsmuster auszubilden, das heißt das so genannte substraktive Verfahren wird häufig eingesetzt.
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In diesem Fall ist es erforderlich, das metallische Trägermaterial gegenüber einer chemischen Flüssigkeit, wie beispielsweise einer Ätzflüssigkeit, zu schützen, die verwendet wird, um ein Schaltungsmuster auszubilden. Dies macht einen Schritt des Abdeckens der gesamten Vorder- und Rückseite des metallischen Trägermaterials mit der isolierenden Harzschicht sowie einen Schritt des Ausbildens einer schützenden isolierenden Harzschicht an den Rändern des metallischen Trägermaterials erforderlich.
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Leiterplatten sind im Allgemeinen so gestaltet, dass die Wärmeableitwirkung verbessert wird, indem ein Abschnitt der Leiterplatte, vorzugsweise ein Ende des metallischen Trägermaterials, das in einer rechteckigen Form ausgebildet ist, freigelegt wird und das freiliegende Teil an einem Anbringungsteil mit großer Wärmeleitfähigkeit, wie beispielsweise einem metallischen Anbringungsmetall, angeschraubt wird. Dies erfordert einen Behandlungsschritt, bei dem ein Teil eines metallischen Trägermaterials einer Leiterplatte freigelegt wird, indem ein Teil der isolierenden Harzschicht nach Ätzbehandlung abgeschabt wird.
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Wenn, wie oben erwähnt, ein Oberflächen-Schneideschritt des Abschabens eines Teils einer isolierenden Harzschicht nach einem Schritt des Ausbildens eines Schaltungsmusters einschließlich der Ätzbehandlung verwendet wird, ist der entsprechende Behandlungswirkungsgrad außerordentlich gering, was zu verringerter Massenproduktivität führt. Ein weiteres Problem besteht darin, dass Späne einer isolierenden Harzschicht auf einem Schaltungsmuster abgelagert werden und dieses verunreinigen. Gegenmaßnahmen für dieses Problem sind erforderlich.
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Ein Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte ohne die Notwendigkeit des Schützens eines metallischen Trägermaterials gegenüber einer chemischen Flüssigkeit, die für Ätzbehandlung verwendet wird, ist in
JP H05-218 642 A vorgeschlagen worden. Bei dem Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte, das in
JP H05-218 642 A beschrieben ist, wird eine erste leitende Schicht auf einem metallischen Trägermaterial über eine erste Isolierschicht ausgebildet, und eine zweite Isolierschicht mit einer darauf ausgebildeten zweiten leitenden Schicht, die in einem separaten Schritt erzeugt wird, wird an der ersten leitenden Schicht angeklebt.
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Gemäß der Beschreibung von
JP H05-218 642 A wird ein Schaltungsmuster auf der zweiten leitenden Schicht über Ätzbehandlung an einer Kupferfolie in einem separaten Schritt ausgebildet, so dass kein spezieller Schutz des metallischen Trägermaterials als ein Träger der Leiterplatte vor der chemischen Flüssigkeit für Ätzbehandlung erforderlich ist.
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In der Beschreibung von
JP H05-218 642 A wird ein Verfahren zum Ankleben einer in einem Muster ausgestanzten Kupferfolie zum Ausbilden einer ersten leitenden Schicht auf einem metallischen Trägermaterial über eine erste Isolierschicht verwendet, obwohl ein Verfahren zum Ausbilden eines Schaltungsmusters über Ätzbehandlung mit einer auf die gesamte Oberfläche aufgeklebten Kupferfolie verwendet werden kann. Es findet sich bei diesem Beispiel keine Beschreibung praktischer Maßnahmen zum Schutz eines metallischen Trägermaterials während der Ätzbehandlung. Zum Stand der Technik gehören auch die
JP H02-199 894 A ,
JP H07-106 765 A und
JP H01-133 395 A .
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Zusammenfassung
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Eine Aufgabe der Erfindung besteht, wie oben beschrieben, darin, ein Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte mit ausgezeichneter Massenproduktivität zu schaffen, mit dem ein Schaltungsmuster auf einer Leiterplatte unter Verwendung eines metallischen Trägermaterials als ein Träger über Ätzbehandlung ausgebildet werden kann und das metallische Trägermaterial effektiv gegenüber einer chemischen Flüssigkeit geschützt werden kann, die bei der Ätzbehandlung verwendet wird, ohne dass ein spezielles Abschaben der Oberfläche beim Erzeugen einer Leiterplatte ausgeführt wird, bei der ein Teil ihres metallischen Trägermaterials freigelegt wird.
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Um die Probleme zu lösen, schafft die Erfindung ein erstes Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte, das umfasst:
einen Laminierschritt des Laminierens von Klebeschichten, die eine in einem Abschnitt wenigstens einer der Klebeschichten ausgebildete Öffnung aufweisen, jeweils auf beide Seiten des metallischen Trägermaterials, des Laminierens Isolierschichten jeweils auf die Klebeschichten und des Laminierens eines als Kupferfolie ausgebildeten Schichtleiters auf wenigstens eine der Isolierschichten;
einen Schaltungsmuster-Ausbildungsschritt des Ausbildens eines Schaltungsmusters durch Auflösen und Entfernen eines Teils des als Kupferfolie ausgebildeten Schichtleiters mit einem Ätzprozess;
einen Schritt des maschinellen Herstellens einer äußeren Form, in dem maschinelles Herstellen der äußeren Form einer Leiterplatte durchgeführt wird, indem das metallische Trägermaterial an einer vorgegebenen Position geschnitten wird, die der in der Klebeschicht ausgebildeten Öffnung entspricht;
und einen Isolierschicht-Schneideschritt des Abschneidens eines Abschnitts der Isolierschicht, der die in der Klebeschicht ausgebildete Öffnung abdeckt, um die Oberfläche des metallischen Trägermaterials an der Position der Öffnung freizulegen.
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In diesem Fall wird die Öffnung vorzugsweise in jeder der auf die Vorder- und die Rückseite des metallischen Trägermaterials laminierten Klebeschichten an den entsprechenden Positionen der Vorder- und der Rückseite des metallischen Trägermaterials ausgebildet, und ein Abschnitt der Isolierschicht, der jede in der Klebeschicht ausgebildete Öffnung abdeckt, wird in dem Isolierschicht-Abschneideschritt abgeschnitten, um die Oberfläche des metallischen Trägermaterials freizulegen.
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In einem bevorzugten Beispiel wird ein Abschnitt der Isolierschicht, der die in der Klebeschicht ausgebildete Öffnung abdeckt, entlang des Randes der Öffnung abgeschnitten.
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Um die Probleme zu lösen, schafft die Erfindung ein zweites Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte, das umfasst: einen Laminierschritt des Laminierens von Klebeschichten, die eine in einem Abschnitt wenigstens einer der Klebeschichten ausgebildete Öffnung aufweisen, jeweils auf beide Seiten des metallischen Trägermaterials, des Laminierens von Isolierschichten jeweils auf die Klebeschichten und des Laminierens eines Schichtleiters auf wenigstens eine der Isolierschichten; einen Schaltungsmuster-Ausbildungsschritt des Ausbildens eines Schaltungsmusters durch Auflösen und Entfernen eines Teils des Schichtleiters mit einem Ätzprozess; einen Ausschnitt-Ausbildungsschritt des Ausbildens eines Ausschnittteils an einer Isolierschicht zum Abschneiden eines Abschnitts der Isolierschicht, der die in der Klebeschicht ausgebildete Öffnung abdeckt; und einen Schritt des maschinellen Herstellens einer äußeren Form, in dem maschinelles Herstellen einer äußeren Form einer Leiterplatte durchgeführt wird, indem das metallische Trägermaterial an einer vorgegebenen Position geschnitten wird, die der in der Klebeschicht ausgebildeten Öffnung entspricht, wobei der in dem Ausschnittteil-Ausbildungsschritt ausgebildete Ausschnittteil der Isolierschicht dazu dient, einen Abschnitt der Isolierschicht abzuschneiden, um die Oberfläche des metallischen Trägermaterials freizulegen.
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Vorzugsweise wird der Schichtleiter auf die Isolierschicht an der Vorder- und der Rückseite des metallischen Trägermaterials laminiert, und in dem Schaltungsmuster-Ausbildungsschritt werden Schaltungsmuster gleichzeitig an der Vorder- und der Rückseite des metallischen Trägermaterials ausgebildet.
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Bei dem ersten und zweiten Herstellungsverfahren werden Isolierschichten jeweils auf die Vorder- und die Rückseite des metallischen Trägermaterials laminiert. Damit wird effektiv das Problem möglicher Korrosion eines metallischen Trägermaterials als ein Träger der Leiterplatte ausgeschlossen, die durch eine chemische Flüssigkeit bei der Ätzbehandlung in dem folgenden Schaltungsmuster-Ausbildungsschritt verursacht wird.
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Mit dem ersten Herstellungsverfahren der Erfindung ist es leicht möglich, einen Abschnitt des metallischen Trägermaterials freizulegen, indem Schneidbehandlung des Abschneidens eines Abschnitts der Isolierschicht ausgeführt wird, der die in der Klebeschicht ausgebildete Öffnung abdeckt. Mit dem zweiten Herstellungsverfahren der Erfindung ist es leicht möglich, einen Abschnitt des metallischen Trägermaterials freizulegen, indem im Voraus ein Ausschnittteil an einem Abschnitt der Isolierschicht ausgebildet wird, der die in der Klebeschicht ausgebildete Öffnung abdeckt, und ein Abschnitt der Isolierschicht unter Verwendung des Ausschnittteils nach dem Schritt des maschinellen Herstellens der äußeren Form für die Leiterplatte abgeschnitten wird.
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Es ist möglich, Wärme vom Abschnitt des metallischen Trägermaterials in einem freigelegten Zustand effektiv abzuleiten, indem der freigelegte Abschnitt an einem Anbringungsteil mit größerer Kühlleistung angeschraubt wird. Beim Einsatz der Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte ist ein uneffektiver Schritt des Schneidens der Oberfläche nicht erforderlich, bei dem ein Abschnitt einer Harz-Isolierschicht abgeschabt wird, wodurch zur Produktivität (Massenproduktivität) dieses Typs Leiterplatte beigetragen wird, der ein metallisches Trägermaterial enthält.
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Es ist möglich, den Rand des metallischen Trägermaterials zu entfernen, an dem eine chemische Flüssigkeit bei Ätzbehandlung aufgebracht wird, indem Trennbehandlung, die bis zu dem metallischen Trägermaterial reicht, an einer vorgegebenen Position, die der in der Klebeschicht ausgebildeten Öffnung entspricht, Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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1 zeigt Querschnitte durch eine Leiterplatte entsprechend den bei dem ersten Herstellungsverfahren der Erfindung ausgeführten Schritten.
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2 ist eine als Schnitt ausgeführte vergrößerte Teilansicht eines Abschnitts, der in 1(A) von einer Strich-Punkt-Linie umschlossen ist.
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3 ist eine Draufsicht auf die Leiterplatte von einer Seite her.
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4 zeigt Querschnitte durch eine Leiterplatte entsprechend den beim zweiten Herstellungsverfahren der Erfindung ausgeführten Schritten.
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5 zeigt Querschnitte durch eine Leiterplatte entsprechend eines dritten Herstellungsverfahrens ausgeführten Schritten.
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6 ist eine als Schnitt ausgeführte vergrößerte Teilansicht eines Abschnitts, der in 5 von einer Strich-Punkt-Linie umschlossen ist.
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7 zeigt Querschnitte durch eine Platte entsprechend den einem vierten Herstellungsverfahrens ausgeführten Schritten.
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Ausführliche Beschreibung beispielhafter Ausführungsformen
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Das erste bis vierte Verfahren zum Herstellen von Leiterplatten der Erfindung werden der Reihenfolge nach beschrieben. 1 bis 3 stellen das erste Herstellungsverfahren dar. 1 zeigt Querschnitte durch die Leiterplatte entsprechend den Herstellungsschritten. 2 ist eine als Schnitt ausgeführte vergrößerte Teilansicht eines Abschnitts, der von der in 1(A) gezeigten Strich-Punkt-Linie umschlossen ist. 3 ist eine Draufsicht auf die Leiterplatte von einer Seite her. 1 bis 3 zeigen jeweils Beispiele des Abtrennens eines Abschnitts der Leiterplatte in dem Schritt zum maschinellen Herstellen der äußeren Form für die Leiterplatte, der weiter unten beschrieben wird.
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Um die Erläuterung zu vereinfachen, zeigt 3 ein grundlegendes Beispiel des Schritts zum maschinellen Herstellen der äußeren Form für eine Leiterplatte, wobei ein Fall angenommen wird, in dem eine einzelne Leiterplatte aus einem Werkstück gewonnen wird. In der Realität hat das Werkstück eine Form mit einer großen Fläche, die einer Vielzahl von Leiterplatten entspricht. So wird ein Mehrfachstrukturierungsprozess eingesetzt, bei dem Leiterplatten simultan ausgebildet werden, und das Werkstück dann in Leiterplatten geteilt wird.
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1(A) zeigt einen Zustand, in dem die Klebeschichten 2a, 2b, Isolierschichten 3a, 3b und Schichtleiter (Kupferfolien) 4a, 4b durch Ausführen des Laminierschritts in dieser Reihenfolge jeweils auf die Vorder- und die Rückseite des metallischen Trägermaterials 1 laminiert werden. Das metallische Trägermaterial 1 besteht aus einem Material, das ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit hat, so beispielsweise Kupfer, Eisen oder Aluminium. In diesem Beispiel ist das metallische Trägermaterial in einer einheitlichen Dicke ausgebildet, und die äußere Form als Werkstück ist, wie in 3 gezeigt, rechteckig.
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Die auf die Ober- und die Unterseite des metallischen Trägermaterials 1 laminierten Klebeschichten 2a, 2b können aus einer Harzfolie bestehen, auf die ein anorganischer Überzug aufgetragen ist. Die Klebeschichten 2a, 2b sind in einer Rechteckform ausgebildet und haben eine Fläche, die äquivalent zu der des metallischen Trägermaterials 1 ist, und sind so aufgeklebt, dass sie die gesamte Fläche der Ober- und der Unterseite des metallischen Trägermaterials 1 abdecken.
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In dieser Ausführungsform haben die Klebeschichten 2a, 2b Öffnungen (Fensterlöcher) 2c, 2d, die in einem Abschnitt derselben ausgebildet sind. Die Öffnungen 2c, 2d sind jeweils in Rechteckform in der Nähe des Endes der Klebeschichten 2a, 2b in Längsrichtung ausgebildet. Das heißt, in dieser Ausführungsform sind die rechteckigen Öffnungen 2c, 2d so ausgebildet, dass sie in den Klebeschichten 2a, 2b, die auf beide Flächen des metallischen Trägermaterials 1 laminiert sind, einander an den entsprechenden Positionen in einer Richtung senkrecht zu der Oberfläche des metallischen Trägermaterials 1 übereinander liegen.
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Die Isolierschichten 3a, 3b, die auf die Klebeschichten 2a, 2b laminiert werden, bestehen aus einem Epoxydharz oder Glasfasern, die mit einem Epoxydharz imprägniert sind. Die Isolierschichten 3a, 3b sind ebenfalls in einer Rechteckform ausgebildet und haben eine Oberfläche, die äquivalent zu der des metallischen Trägermaterials 1 und der Klebeschichten 2a, 2b ist, und sind so auf die Klebeschichten 2a, 2b laminiert, dass sie die gesamte Fläche der Ober- und der Unterseite des metallischen Trägermaterials 1 zusammen mit den Klebeschichten 2a, 2b abdecken.
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Kupferfolien 4a, 4b, die als Schichtleiter dienen, werden so auf die Isolierschichten 3a, 3b laminiert, dass sie die gesamte Oberfläche der Isolierschichten 3a, 3b abdecken. Die Klebeschichten 2a, 2b, die Isolierschichten 3a, 3b und die Kupferfolien 4a, 4b können über ein Wärmepressform zusammen laminiert werden.
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Bei der Platte (Werkstück), die durch das in 1(A) dargestellte Laminierverfahren laminiert worden ist, werden die Kupferfolien 4a, 4b gleichzeitig einem Schaltungsmuster-Ausbildungsprozess unterzogen, der Entwicklung, Ätzen, Beizen und Oberflächenbehandlung einschließt, wie es in 1(B) dargestellt ist. Bis auf den erforderlichen Abschnitt der Kupferfolien 4a, 4b, der selektiv verbleibt, werden, wie bekannt ist, die anderen Abschnitte der Kupferfolien durch Ätzen aufgelöst und entfernt, um Schaltungsmuster 5a, 5b an der Vorder- und der Rückseite der Platte auszubilden.
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Die Platte mit den auf beiden Seiten derselben ausgebildeten Schaltungsmustern 5a, 5b wird maschinellem Herstellen der äußeren Form unterzogen, wie sie in 1(B) und 3 dargestellt ist. Dies ist die Trennbehandlung, die bis zu dem metallischen Trägermaterial 1 reicht, an vorgegebenen Positionen einschließlich der Positionen der rechteckigen Öffnungen 2c, 2d, die in einem Abschnitt der Klebeschichten 2a, 2b ausgebildet sind. Die Abschnitte des Werkstücks, die der Trennbehandlung unterzogen werden, sind mit Bezugszeichen a1 und a2 dargestellt, die in 1(B) einander gegenüberliegen.
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Gleichzeitig wird ähnliche Trennbehandlung, die bis zu dem metallischen Trägermaterial 1 reicht, an jeweiligen Positionen der Bezugszeichen a3 und a4 ausgeführt, die einander gegenüber liegen. Bei dieser Behandlung werden die vier Seiten des metallischen Trägermaterials 1, an denen die bei dem Schaltungsmuster-Ausbildungsprozess verwendete chemische Flüssigkeit abgelagert wird, abgeschnitten, so dass der Mittelabschnitt des metallischen Trägermaterials 1 nicht durch die chemische Flüssigkeit beeinflusst wird.
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Das Werkstück, das so ausgebildet ist, dass es eine Fläche hat, die mehreren Leiterplatten entspricht, durchläuft, wie bereits beschrieben, die Trennbehandlung, die bis zu dem metallischen Trägermaterial 1 reicht, an einer vorgegebenen Position, um separate Leiterplatten zu gewinnen, von denen jede maschinelles Herstellen der äußeren Form durchlaufen hat. Der Trennprozess, der an den einander gegenüberliegenden Positionen a1, a2, a3, a4, die in 3 dargestellt sind, beim Prozess des maschinellen Herstellens der äußeren Form durchgeführt wird, entspricht einem Prozess des Abschneidens des Endes jeder der vier Seiten eines großflächigen Werkstücks. Aneinandergrenzende Platten müssen keinen Rand der vier Seiten zum Abschneiden aufweisen. Dies gilt für das weiter unten beschriebene zweite bis vierte Herstellungsverfahren.
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Bei der Ausführungsform des Trennprozesses bei dem Prozess des maschinellen Herstellens der äußeren Form verbleiben, wie in 1(C) gezeigt, die Enden der Isolierschichten 3a, 3b, die den Positionen entsprechen, an denen die Öffnungen 2c, 2d ausgebildet sind, während sie von dem metallischen Trägermaterial an einem Ende (in 1 gezeigtes rechtes Ende) der Platte abgetrennt werden.
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1(D) zeigt, wie der Isolierschicht-Schneideprozess des Abschneidens eines Teils der Isolierschicht, der in einem Abschnitt verbleibt, in dem die Öffnungen 2c, 2d ausgebildet sind, durchgeführt wird. Wie mit den Bezugszeichen 1b dargestellt, die in 1(D) und 3 einander gegenüber liegen, wird die Behandlung zum Abschneiden der Isolierschichten 3a, 3b unter Verwendung eines Schneiders entlang der Ränder 2e, 2f der Öffnungen ausgeführt, die in den Klebeschichten 2a, 2b ausgebildet sind.
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Durch Ausführungsform des Isolierschicht-Schneideprozesses ist es, wie in 1(E) dargestellt, möglich, einen Abschnitt (Ende) des metallischen Trägermaterials 1 freizulegen. Durch Anbringen einer Fläche 1a des freigelegten metallischen Trägermaterials 1 an einem Anbringungsteil mit großer Kühlleistung, wie beispielsweise einem metallischen Anbringungsteil, mittels einer Schraube, ist es möglich, Wärme effektiv über das Anbringungsteil abzuleiten.
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4 stellt das zweite Leiterplatten-Herstellungsverfahren der Erfindung dar. Wie in der bereits erläuterten 1 zeigt 4 Querschnitte einer Platte in der Reihenfolge der Herstellungsprozesse. In 4 sind Teile, die den bereits erläuterten Teilen in 1 entsprechen, mit den gleichen Bezugszeichen dargestellt, und die entsprechende ausführliche Beschreibung wird, wenn möglich, weggelassen.
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Bei dem zweiten Herstellungsverfahren findet ein Prozess des Ausbildens eines Ausschnittteils an einem Abschnitt der Isolierschicht in einem Abschnitt, der die in der Klebeschicht ausgebildete Öffnung abdeckt, vor dem maschinellen Herstellen der äußeren Form des Ausführens des maschinellen Herstellens der äußeren Form einer Leiterplatte statt. Zur gleichen Zeit wie der Prozess zum maschinellen Herstellen der äußeren Form oder nach dem Prozess zum maschinellen Herstellen der äußeren Form wird ein Abschnitt der Isolierschicht unter Verwendung des Ausschnittteils der Isolierschicht abgeschnitten. Dadurch wird die Oberfläche des metallischen Trägermaterials an einer Position freigelegt, die der Öffnung in der Klebeschicht entspricht.
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4(A) zeigt den gleichen Laminierprozess wie den bereits erläuterten in 1(A). In dieser Ausführungsform wird, wie in 4(B) gezeigt, ein Schaltungsmuster-Ausbildungsprozess ausgeführt, um Schaltungsmuster 5a, 5b an der Vorder- und Rückseite einer Platte auszubilden, gefolgt von einem Prozess zum Ausbilden eines Ausschnittteils an den Isolierschichten 3a, 3b, wie diese mit den einander gegenüber liegenden Bezugszeichen b1 dargestellt ist.
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Ein Vorgang zum Ausbilden eines Ausschnittteils an den Isolierschichten 3a, 3b unter Verwendung eines mit dem Bezugszeichen b1 gezeigten Schneiders entlang der Ränder 2e, 2f der in dem Ausschnittteil-Ausbildungsprozess ausgebildeten Öffnungen wird, wie in 4b dargestellt, gemäß dieser Ausführungsform durchgeführt. Die Ausschnittteile, die in diesem Prozess ausgebildet werden, sind mit Bezugszeichen 3c, 3d in 4(C) dargestellt.
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Ein Prozess zum maschinellen Herstellen der äußeren Form, der bis zu dem metallischen Trägermaterial 1 reicht, wird, wie mit den Bezugszeichen a1 und a2 gezeigt, die in 4(C) einander gegenüber liegen, an dem Werkstück ausgeführt. Bei dem Prozess zum maschinellen Herstellen der äußeren Form wird, wie unter Bezugnahme auf 3 erläutert, Trennbehandlung, die bis zu dem metallischen Trägermaterial 1 reicht, auch an jeweiligen Positionen der Bezugszeichen a3 und a4 ausgeführt, die einander gegenüber liegen. Bei dieser Behandlung werden die vier Seiten des metallischen Trägermaterials 1, an denen die in dem Schaltungsmuster-Ausbildungsprozess verwendete chemische Flüssigkeit abgelagert wird, abgeschnitten, so dass der Mittelabschnitt des metallischen Trägermaterials 1 durch die chemische Flüssigkeit nicht beeinflusst wird.
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Es ist, wie in 4(D) dargestellt, möglich, eine Leiterplatte in dem in 4(E) dargestellten Zustand zu gewinnen, in dem die Oberfläche des metallischen Trägermaterials freiliegt, indem die Ausschnittteile 3c, 3d an den Isolierschichten, die in dem Ausschnittteil-Ausbildungsprozess ausgebildet werden, verwendet werden, um einen Abschnitt der Isolierschichten 3a, 3b abzuschneiden. Die Tiefe der Ausschnittteile 3c, 3d an den Isolierschichten sollte groß genug sein, um gleichzeitige Ausführungsform der Schneidbehandlung der Isolierschichten 3a, 3b, die den Positionen der Öffnungen 2c, 2d entsprechen, bei der Ausführungsform des Prozesses zum maschinellen Herstellen der äußeren Form, der in 4(C) dargestellt ist, zu ermöglichen.
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Auch mit dem oben beschriebenen zweiten Herstellungsverfahren ist es möglich, eine Leiterplatte zu erzeugen, die den gleichen Aufbau wie die mit dem ersten Herstellungsverfahren erzeugte hat.
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5 stellt das dritte Leiterplatten-Herstellungsverfahren dar. Wie 1, die bereits erläutert wurde, zeigt 5 Querschnitte einer Platte in der Reihenfolge der Herstellungsprozesse. In 5 sind Teile, die den bereits erläuterten Teilen in 1 entsprechen, mit den gleichen Bezugszeichen dargestellt, und entsprechende ausführliche Beschreibung wird, wenn möglich, weggelassen.
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Bei dem dritten Herstellungsverfahren wird eine Form-Lösemaske auf einem Abschnitt wenigstens einer Fläche des metallischen Trägermaterials ausgebildet. Damit ergibt sich das gleiche Merkmal wie das der Öffnung in der Klebeschicht, die mit dem oben beschriebenen ersten Herstellungsverfahren bereitgestellt wird.
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5(A) zeigt ein Beispiel, bei dem Form-Lösemasken 7a, 7b an der Oberfläche des metallischen Trägermaterials 1 ausgebildet werden, das abschließend freigelegt wird. Bei dem in 5(A) gezeigten Beispiel sind Form-Lösemasken 7a, 7b an den entsprechenden Abschnitten der Vorder- und der Rückseite des metallischen Trägermaterials 1 ausgebildet. Für die Ausbildung der Form-Lösemasken 7a, 7b kann ein bandförmiges Form-Lösemittel, das aus einem wärmebeständigen Material besteht, oder ein pastenförmiges Form-Lösemittel verwendet werden. Die durch das bandförmige Form-Lösemittel oder pastenförmige Band-Lösemittel ausgebildeten Form-Lösemasken können bei den folgenden Prozessen einfach von der Oberfläche des metallischen Trägermaterials abgezogen werden. Dadurch entsteht eine Leiterplatte, bei der ein Abschnitt des metallischen Trägermaterials freigelegt ist.
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In dem Zustand, in dem die Form-Lösemasken 7a, 7b an einem Abschnitt des metallischen Trägermaterials 1 ausgebildet sind, werden, wie in 5(A) dargestellt, Isolierschichten 3a, 3b und Schichtleiter (Kupferfolien) 4a, 4b in dieser Reihenfolge auf beide Flächen des metallischen Trägermaterials 1 einschließlich der Form-Lösemasken 7a, 7b laminiert, wie dies in 5(B) dargestellt ist. In dieser Ausführungsforms kann ein Fluid-Prepreg (Form-Zwischenmaterial, das erzeugt wird, indem Kohlefasern mit einem Harz imprägniert werden) vorzugsweise als die Isolierschichten 3a, 3b verwendet werden, obwohl die Erfindung nicht darauf beschränkt ist. 6 ist eine als Schnitt ausgeführte vergrößerte Teilansicht eines Abschnitts, der von der in 5(B) gezeigten Strich-Punkt-Linie umschlossen ist.
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Die Platte (Werkstück), die mit dem in 5(B) dargestellten Laminierprozess laminiert wurde, durchläuft den Schaltungsmuster-Ausbildungsprozess des gleichzeitigen Ausbildens von Schaltungsmustern 5a, 5b an den Kupferfolien 4a, 4b, wie dies in 5(C) dargestellt ist. Dann wird maschinelles Herstellen der äußeren Form einer Platte einschließlich der Trennbehandlung, die bis zu dem metallischen Trägermaterial reicht, an vorgegebenen Positionen durchgeführt, die die Positionen einschließen, an denen die Form-Lösemasken 7a, 7b ausgebildet sind.
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Die Trennpositionen, die in diesem Prozess ausgebildet werden, sind mit den in 5(C) gezeigten Bezugszeichen a1 und a2 dargestellt, die einander gegenüber liegen. Gleichzeitig wird Trennbehandlung in einer Richtung senkrecht zu der Richtung des Trennens durch a1 und a2 durchgeführt. Diese Behandlung wird auf die gleiche Weise wie das Beispiel ausgeführt, das die in der bereits beschriebenen 3 gezeigten a1 und a4 einschließt. Bei dieser Behandlung werden die vier Seiten des metallischen Trägermaterials 1, an denen die in dem Schaltungsmuster-Ausbildungsprozess verwendete chemische Flüssigkeit abgelagert wird, abgeschnitten, so dass der Mittelabschnitt des metallischen Trägermaterials 1 durch die chemische Flüssigkeit nicht beeinflusst wird.
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Mit der Ausführungsform der Trennbehandlung bei dem Prozess des maschinellen Herstellens der äußeren Form werden, wie in 5(D) gezeigt, die Ausbildungspositionen der Form-Lösemasken 7a, 7b an einem Ende der Platte (rechtes Ende in der Figur) zurückgelassen. 5(E) zeigt die Ausführungsform eines Isolierschicht-Schneideprozesses des Abschneidens eines Abschnitts der Isolierschichten 3a, 3b, die an den Form-Lösemasken 7a, 7b entlang des Randes der Ausbildungspositionen der Form-Lösemasken 7a, 7b ausgebildet sind. Das heißt, Behandlung zum Abschneiden der Isolierschichten 3a, 3b unter Verwendung eines Schneiders entlang der Ränder der Ausbildungspositionen der Form-Lösemasken 7a, 7b wird, wie mit den einander gegenüber liegenden Bezugszeichen b1 gezeigt, ausgeführt.
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Dadurch verbleiben die Form-Lösemasken 7a, 7b an beiden Flächen des Endes des metallischen Trägermaterials. Die Form-Lösemasken können, wie bereits beschrieben, einfach von dem metallischen Trägermaterial 1 abgezogen werden. Es ist, wie in 5(F) dargestellt, möglich, eine einzelne Leiterplatte zu erzeugen, bei der die Oberfläche des metallischen Trägermaterials 1 an einem Ende freiliegt.
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7 zeigt das vierte Leiterplatten-Herstellungsverfahren. Wie die bereits erläuterte 5 zeigt 7 Querschnitte durch eine Platte in der Reihenfolge der Herstellungsprozesse. In 7 sind Teile, die den bereits erläuterten Teilen in 5 entsprechen, mit dem gleichen Bezugszeichen dargestellt, und entsprechende ausführliche Beschreibung wird, wenn möglich, weggelassen.
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Das vierte Herstellungsverfahren bildet, wie das dritte Herstellungsverfahren eine Form-Lösemaske auf einem metallischen Trägermaterial aus. Das vierte Herstellungsverfahren führt wie das zweite Herstellungsverfahren einen Prozess zum Ausbilden eines Ausschnittteils an einem Abschnitt einer Isolierschicht in dem Abschnitt, der die Form-Lösemaske 7a, 7b abdeckt, vor dem Prozess des maschinellen Herstellens der äußeren Form aus, in dem maschinelles Herstellen der äußeren Form einer Leiterplatte ausgeführt wird. 7(A) zeigt ein Beispiel, bei dem wie in der bereits erläuterten 5(A), Form-Lösemasken 7a, 7b an der Oberfläche des metallischen Trägermaterials 1 ausgebildet werden, das schließlich freigelegt wird. 7(B) zeigt einen Laminierprozess ähnlich dem in 5(B) gezeigten. In dieser Ausführungsform wird, wie in 7(C) gezeigt, ein Prozess zum Ausbilden eines Ausschnittteils an den Isolierschichten 3a, 3b nach einem Schaltungsmuster-Ausbildungsprozess zum Ausbilden von Schaltungsmustern 5a, 5b an der Vorder- und der Rückseite einer Platte, wie mit den einander gegenüber liegenden Bezugszeichen b1 dargestellt, ausgeführt.
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Der Vorgang zum Ausbilden eines Ausschnittteils an den Isolierschichten 3a, 3b unter Verwendung eines mit dem Bezugszeichen b1 dargestellten Schneiders entlang der Ränder 7c, 7d der Form-Ablösemasken 7a, 7b wird, wie in der Figur dargestellt, bei dem Ausschnittteil-Ausbildungsprozess gemäß dieser Ausführungsform durchgeführt. Die in diesem Prozess ausgebildeten Ausschnittteile sind mit Bezugszeichen 3c, 3d in 7(D) dargestellt.
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Ein Prozess zum maschinellen Herstellen der äußeren Form, der bis zu dem metallischen Trägermaterial 1 reicht, wird, wie mit den Bezugszeichen a1 und a2 gezeigt, die in 7(D) einander gegenüber liegen, an dem Werkstück ausgeführt. Bei dem Prozess zum maschinellen Herstellen der äußeren Form wird Trennbehandlung zur gleichen Zeit in einer Richtung senkrecht zu der Richtung der Trennung mit den Bezugszeichen a1 und a2 ausgeführt. Dies wird auf ähnliche Weise wie bei dem in 3 gezeigten Beispiel bewerkstelligt, das a3, a4 einschließt. Bei dieser Behandlung werden die vier Seiten des Werkstücks, an denen die chemische Flüssigkeit, die in dem Schaltungsmuster-Ausbildungsprozess verwendet wird, abgelagert wird, abgeschnitten, so dass der Mittelabschnitt des metallischen Trägermaterials 1 durch die chemische Flüssigkeit nicht beeinflusst wird.
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Es ist, wie in 7(E) gezeigt, leicht möglich, einen Abschnitt der Isolierschichten an den Form-Lösemasken 7a, 7b unter Verwendung der Ausschnittteile 3c, 3d an den Isolierschichten abzuschneiden. Die Tiefe der Ausschnittteile 3c, 3d an den Isolierschichten sollte groß genug sein, um gleichzeitiges Ausführen des Entfernens eines Abschnitts der Isolierschichten 3a, 3b an den Form-Lösemasken 7a, 7b bei der Ausführungsform des in 7(D) gezeigten Prozesses zum maschinellen Herstellen der äußeren Form zu ermöglichen.
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So verbleiben die Form-Lösemasken 7a, 7b an beiden Flächen des Endes des metallischen Trägermaterials 1. Die Form-Lösemasken können, wie bereits beschrieben, einfach von dem metallischen Trägermaterial 1 abgezogen werden. Es ist, wie in 7(F) gezeigt, möglich, eine einzelne Leiterplatte zu erzeugen, bei der die Oberfläche des metallischen Trägermaterials an einem Ende freiliegt.
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Lot-Resist kann, wenn erforderlich, auf die Schaltungsmuster 5a, 5b der mit dem oben beschriebenen ersten bis vierten Herstellungsverfahren erzeugten Platte aufgebracht werden. Es kann, je nach Erfordernis eine elektronische Vorrichtung beispielsweise unter Verwendung von Drahtbonden auf den Schaltungsmustern 5a, 5b montiert werden.
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Obwohl in den vorangehenden Ausführungsformsformen die Schichtleiter (Kupferfolien) 4a, 4b auf die Vorder- und die Rückseite einer Platte laminiert werden und die Schaltungsmuster 5a, 5b an der Vorder- und der Rückseite des Schichtleiters ausgebildet werden, kann ein Schaltungsmuster auch nur an einer Oberfläche ausgebildet werden. Auch in diesem Fall werden die Funktionseffekte der Erfindung erzielt.
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Obwohl bei den Ausführungsformen, die sich auf das erste und das zweite Herstellungsverfahren beziehen, die Öffnungen 2c, 2d an beiden Klebeschichten 2a, 2b ausgebildet sind und beide Oberflächen eines metallischen Trägermaterials frei gelegt werden, kann nur eine Oberfläche des metallischen Trägermaterials frei gelegt werden, indem die Öffnung an einer beliebigen der Klebeschichten ausgebildet wird.
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Desgleichen kann, obwohl in den Ausführungsformen, die sich auf das dritte und das vierte Herstellungsverfahren beziehen, die Form-Lösemasken 7a, 7b an beiden Oberflächen eines metallischen Trägermaterials ausgebildet werden und beide Oberflächen des metallischen Trägermaterials frei gelegt werden, nur eine Oberfläche des metallischen Trägermaterials frei gelegt werden, indem die Form-Lösemaske an einer beliebigen Oberfläche des metallischen Trägermaterials ausgebildet wird. Auch in diesem Fall ist es möglich, zu bewirken, dass ein metallisches Trägermaterial mit einem Anbringungsteil in Kontakt kommt, indem die eine Fläche des beigelegten metallischen Trägermaterials verwendet wird, um so die gleichen Funktionseffekte zu erzielen.
