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Querverweis auf verwandte Anmeldungen
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Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der
koreanischen Patentanmeldung mit der Nummer 10-2011-0120866 , welche am 18. November 2011 beim koreanischen Amt für geistiges Eigentum eingereicht wurde, und deren Offenbarung hiermit durch Inbezugnahme hierin mit aufgenommen wird.
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Hintergrund
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Gebiet
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Ausführungsformen betreffen ein Kupfer-Umhüllungslaminat aus Metall (MCCL) und ein Verfahren zur Herstellung einer Metallkern-Schaltungsplatine (MCPCB) dasselbe verwendend.
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Beschreibung des Standes der Technik
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Im Falle des Montierens einer elektronischen Komponente mit einem hohen Wärmeerzeugungsbetrag, zum Beispiel einer lichtemittierenden Vorrichtung unter Verwendung einer lichtemittierenden Diode (LED), auf einem Substrat, kann beim Stand der Technik eine Metallkern-Schaltungsplatine (MCPCB) verwendet werden, um die in der elektronischen Komponente erzeugte Wärme durch das Substrat wirkungsvoll abzustrahlen.
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Eine MCPCB kann durch Ätzen einer Kupfer-Umhüllung eines Kupfer-Umhüllungslaminats aus Metall (MCCL) unter Verwendung eines bekannten Verfahrens zur Herstellung einer Schaltungsplatine (PCT) hergestellt werden. Das MCCL kann eine Struktur besitzen, bei welcher die Kupfer-Umhüllung eines Schaltungsteils und eine Metallplatte für die Wärmeabstrahlung laminiert sind. Das MCCL kann eine isolierende Schicht bzw. Isolationsschicht enthalten, welche dazwischen angeordnet ist, um die Kupfer-Umhüllung und die Metallplatte elektrisch zu isolieren. Die Isolationsschicht kann unter Verwendung eines Materials mit hoher Wärmeleitfähigkeit als ein dünner Film mit einer Dicke von etwa 10 μm ausgebildet sein, um elektrische Isolationseigenschaften vorzusehen, einen Wärme-Abstrahlungseffekt zu erhöhen und um erzeugte Wärme von der Kupfer-Umhüllung mit der darauf montierten elektronischen Kormonente zu der Metallplatte zu leiten.
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Die Isolationsschicht des MCCL kann durch Füllen einer Epoxid-basierten Harzschicht mit einem Füller ausgebildet sein. Der Füller kann vorgesehen sein, um die thermische Leitfähigkeit zu erhöhen. Jedoch können zu dem Zeitpunkt des Schneidens der Isolationsschicht Schäden auftreten. Schäden können aufgrund des vorgesehenen Füllers in der Form auftreten, dass Fremdkörper, zum Beispiel Pulverpartikel usw., die Massen-Produktivitätseigenschaften verschlechtern.
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Zusätzlich sollte ein regelmäßiger Abschnitt-Breitenabschnitt sichergestellt sein, um Spannungen abzubauen. Das Abbauen von Spannungen verhindert ein Bruchschaden-Phänomen zu einem Zeitpunkt eines Pressens. Da der Abschnitt später ausgesondert wird, ist ein verbessertes Verfahren zum Senken des Betrages des Abschnittes bei der gesamten MCPCB erforderlich.
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Kurzfassung
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Ein Aspekt der beispielhaften Ausführungsformen kann ein Kupfer-Umhüllungslaminat aus Metall (MCCL) vorsehen, welches in der Lage ist, eine thermische Leitfähigkeit aufrecht zu erhalten, einen Schaden einer Isolationsschicht zu vermeiden, um Fremdkörper usw. daran zu hindern, während einer Verarbeitung davon gelöst zu werden, und die Abschnitt-Erzeugung wesentlich zu senken. Ein Aspekt der beispielhaften Ausführungsformen kann ebenso ein Verfahren zur Herstellung einer Metallkern-Schaltungsplatine (MCPCB) vorsehen, welche dasselbe verwendet.
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Gemäß eines Aspekts der beispielhaften Ausführungsformen ist ein Kupfer-Umhüllungslaminat aus Metall (MCCL) vorgesehen, mit: einer Metallplatte; einer ersten Polyimid-Haftschicht, welche auf der Metallplatte laminiert ist, wobei die erste Polyimid-Haftschicht eine Gestalt aufweist, welche derart der Metallplatte entspricht, so dass eine Oberfläche der Metallplatte nicht freiliegt; einer Polyimid-Isolationsschicht, welche auf der Polyimid-Haftschicht laminiert ist; und einer Kupfer-Umhüllung, welche auf der Polyimid-Isolationsschicht laminiert ist.
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Das MCCL kann ferner eine zweite Polyimid-Haftschicht enthalten, welche zwischen der Polyimid-Isolationsschicht und der Kupfer-Umhüllung vorgesehen ist.
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Das MCCL kann ferner eine Schnittfuge enthalten, welche in einem Bereich der Polyimid-Isolationsschicht ausgebildet ist, welcher durch Entfernen eines Teils der Kupfer-Umhüllung freigelegt ist.
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Die Schnittfuge kann derart ausgebildet sein, dass diese von der Oberfläche der Metallplatte eine vorbestimmte Tiefe besitzt und die Schnittfuge die Polyimid-Isolationsschicht und die erste Polyimid-Haftschicht durchdringt.
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Das MCCL kann ferner eine Deckschicht enthalten, welche auf der Kupfer-Umhüllung und der Polyimid-Isolationsschicht laminiert ist, und die Deckschicht kann eine Öffnung bzw. Aussparung besitzen, welche die Schnittfuge freilegt.
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Gemäß eines weiteren Aspekts der beispielhaften Ausführungsformen ist ein Verfahren zur Herstellung einer Metallkern-Schaltungsplatine (MCPCB) vorgesehen, wobei das Verfahren aufweist: Vorbereiten eines Kupfer-Umhüllungslaminats aus Metall (MCCL) mit einer Metallplatte und einer Polyimid-Haftschicht, einer Polyimid-Isolationsschicht und einer Kupfer-Umhüllung, welche nacheinander auf der Metallplatte laminiert sind; Freilegen eines Abschnittes der Polyimid-Isolationsschicht nach außen durch Entfernen eines Abschnittes der Kupfer-Umhüllung; Ausbilden einer Schnittfuge in dem freigelegten Abschnitt der Polyimid-Isolationsschicht; und Schneiden und Trennen der MCCL entlang der Schnittfuge.
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Das MCCL kann ferner eine Deckschicht enthalten, welche die Kupfer-Umhüllung und die Polyimid-Isolationsschicht bedeckt, und die Deckschicht kann eine Öffnung bzw. Aussparung besitzen, welche den freigelegten Abschnitt der Polyimid-Isolationsschicht nach außen freilegt.
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Die Öffnung bzw. Aussparung kann durch Ausbilden der Deckschicht in einem Zustand, bei welchem der freigelegte Abschnitt der Polyimid-Isolationsschicht durch eine Abdeckung bzw. Schablone abgedeckt ist und anschließendes Entfernen der Abdeckung ausgebildet werden.
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Die Öffnung kann durch Entfernen eines Abschnittes der Deckschicht bei einer Position entsprechend dem freigelegten Abschnitt der Polyimid-Isolationsschicht ausgebildet werden.
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Gemäß eines weiteren Aspekts der beispielhaften Ausführungsformen ist ein Kupfer-Umhüllungslaminat aus Metall vorgesehen, mit: einer rechtwinkligen Platte; einer Isolationsschicht, welche auf der rechtwinkligen Platte angeordnet ist; einer Haftschicht, welche auf der Isolationsschicht angeordnet ist und diese bedeckt, um eine Oberfläche der Isolationsschicht oder eine Oberfläche der rechtwinkligen Platte nicht freizulegen bzw. so dass diese nicht freiliegt; und mit einer Kupfer-Umhüllung, welche auf der Haftschicht angeordnet ist.
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Kurze Beschreibung der Abbildungen
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1 ist eine Querschnittsansicht, welche ein Kupfer-Umhüllungslaminat aus Metall (MCCL) gemäß einer Ausführungsform schematisch zeigt;
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2A und 2B sind Querschnittsansichten, welche ein modifiziertes Beispiel des MCCL von 1 schematisch zeigen;
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3 ist eine Ansicht, welche ein MCCL gemäß einer weiteren Ausführungsform schematisch zeigt;
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4 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie X-X' von 3;
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5 ist eine Querschnittsansicht, welche eine weitere Ausführungsform von 4 schematisch zeigt;
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6 bis 10 sind Ansichten, welche ein schrittweises Verfahren zur Herstellung einer Metallkern-Schaltungsplatine (MCPCB) gemäß einer Ausführungsform schematisch zeigen; und
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11 und 12 sind Ansichten, welche ein schrittweises Verfahren zur Herstellung einer MCPCB gemäß einer weiteren Ausführungsform schematisch zeigen.
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Detaillierte Beschreibung der Ausführungsformen
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Ein Kupfer-Umhüllungslaminat aus Metall (MCCL) und ein Verfahren zur Herstellung einer Metallkern-Schaltungsplatine (MCPCB) dasselbe verwendend, gemäß Ausführungsformen, werden mit Bezug auf die beigefügten Abbildungen beschrieben. Die Ausführungsformen können jedoch verschiedenartig modifiziert werden und der Schutzumfang der vorliegenden Ausführungsformen sollte nicht auf die hier dargelegten Ausführungsformen beschränkt sein. Vielmehr sind diese Ausführungsformen dazu vorgesehen, dass diese Offenbarung durchgängig und vollständig ist und diese das Konzept der Ausführungsformen dem Fachmann vollständig vermitteln.
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In den Abbildungen können die Gestaltungen und Dimensionen von Elementen aus Gründen der Klarheit übermäßig vergrößert dargestellt sein. Ferner werden durchgängig die gleichen Bezugszeichen verwendet, um gleiche oder ähnliche Elemente zu bezeichnen.
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Ein MCCL gemäß einer Ausführungsform wird mit Bezug auf die 1 und 2 beschrieben.
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1 ist eine Querschnittsansicht, welche ein MCCL gemäß einer Ausführungsform schematisch zeigt, und die 2A und 2B sind Querschnittsansichten, welche ein modifiziertes Beispiel des MCCL von 1 schematisch zeigen.
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Unter Bezugnahme auf die 1 und 2 kann ein MCCL 1 gemäß einer Ausführungsform eine Metallplatte 10, eine Polyimid-Haftschicht 20, eine Polyimid-Isolationsschicht 30 und eine Kupfer-Umhüllung 40 enthalten, welche nacheinander darauf laminiert sind.
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Die Metallplatte 10 kann eine rechtwinklige Parallelepipeden-Struktur mit einer vorbestimmten Größe (zum Beispiel 500 mm × 600 mm) besitzen und aus einem Metall, zum Beispiel wie Aluminium (Al) usw. mit einer hervorragenden thermischen Leitfähigkeit ausgebildet sein.
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Die Polyimid-Haftschicht 20 kann auf der Metallplatte 10 laminiert sein und die Polyimid-Haftschicht 20 kann eine Gestalt entsprechend der Metallplatte 10 besitzen, so dass eine Oberfläche der Metallplatte 10 nicht freigelegt ist bzw. freiliegt. Die Polyimid-Haftschicht 20 mit einer dünnen Plattengestalt kann auf der Metallplatte 10 angebracht sein. Zusätzlich kann die Polyimid-Haftschicht 20 durch eine Maßnahme, wie zum Beispiel Siebdrucken, Beschichten, Ablagerung usw., auf der Metallplatte 10 ausgebildet sein. Die Polyimid-Haftschicht 20 kann Festigkeitseigenschaften, widerstandsfähig gegenüber einem Zerbrechen, aufweisen.
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Die Polyimid-Isolationsschicht 30 kann auf der Polyimid-Haftschicht 20 laminiert sein und die Polyimid-Isolationsschicht 30 kann eine Gestalt entsprechend der Metallplatte 10 besitzen. Die Polyimid-Isolationsschicht 30 kann aus einem Polyimid-Harz ausgebildet sein. Das Polyimid-Harz kann einen Füller enthalten. Zusätzlich kann die Polyimid-Isolationsschicht 30 durch die Polyimid-Haftschicht 20 fest mit der Metallplatte 10 verbunden sein bzw. daran haften.
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Eine Isolationsschicht aus einem Epoxid-basiertem Harz, gemäß dem Stand der Technik, benötigt 60 bis 80% eines Füllers und eine Dicke muss zum Verbessern der thermischen Leitfähigkeit auf 80 bis 100 μm gehalten werden. Diese thermische Leitfähigkeit würde Spannungscharakteristiken des MCCL widerstehen. Jedoch kann die Struktur des Standes der Technik zu einem Zeitpunkt eines Pressverfahrens anfällig gegenüber Einwirkungen sein. Mit anderen Worten, die Isolationsschicht und eine PSR-Schicht des Standes der Technik sind fragil. Insbesondere kann ein Abschnitt, welcher durch einen Stempel abgetrennt wird, die Isolationsschicht usw. des Standes der Technik aufgrund von Zugspannung beschädigen, so dass Fremdkörper davon gelöst werden können oder Grate entstehen können. Dadurch wird unter Berücksichtigung der Probleme des Standes der Technik ein Teilbereich gesichert und als ein Abschnitt bzw. Abfall ausgesondert. Dadurch wurde beim Stand der Technik die Herstellungsproduktivität gesenkt und die Herstellungskosten stiegen.
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Bei den Ausführungsformen ist die Harz-basierte Polyimid-Isolationsschicht widerstandsfähig gegenüber einem Zerbrechen. Diese Harz-basierte Polyimid-Isolationsschicht wird anstatt der Epoxidharz-basierten Isolationsschicht des Standes der Technik verwendet, um die Probleme des Standes der Technik zu lösen. Die Polyimid-Isolationsschicht der Ausführungsformen kann eine thermische Leitfähigkeit sicherstellen, die gleich oder höher als diese des Standes der Technik ist. Ferner kann die Polyimid-Isolationsschicht der Ausführungsformen Festigkeitseigenschaften besitzen die, widerstandsfähig gegenüber einem Zerbrechen sind, um die Isolationsschicht zu dem Zeitpunkt eines Pressens davor zu bewahren, beschädigt zu werden.
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Bei der Polyimid-Isolationsschicht 30 des Standes der Technik ist es nicht auf einfache Art und Weise möglich, die Polyimid-Isolationsschicht mit der Metallplatte 10 zu verbinden, da eine Oberfläche davon glatt sein kann. Jedoch kann bei den Ausführungsformen die aus dem Polyimid-basierten Harz ausgebildete Haftschicht 20 verwendet werden, so dass die Polyimid-Isolationsschicht 30 fest mit der Metallplatte 10 verbunden werden kann. Insbesondere kann die Haftschicht 20 davor bewahrt werden, zu dem Zeitpunkt eines Pressens beschädigt zu werden, da die Haftschicht 20 ähnlich wie die Isolationssschicht aus dem Polyimid-basierten Harz ausgebildet ist.
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Die Kupfer-Umhüllung 40 kann auf der Polyimid-Isolationsschicht 30 laminiert sein. Die Kupfer-Umhüllung 40 kann in ähnlicher Weise wie die Polyimid-Isolationsschicht 30 ebenso eine Gestalt entsprechend der Metallplatte 10 besitzen. Die Kupfer-Umhüllung 40 kann durch einen nachfolgenden Strukturierungsvorgang eine Schaltungsverdrahtung (nicht gezeigt) besitzen.
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Wie in 2A gezeigt ist, kann die Polyimid-Haftschicht 20 zwischen der Polyimid-Isolationsschicht 30 und der Kupfer-Umhüllung 40 vorgesehen sein. Zusätzlich kann die Polyimid-Haftschicht 20, wie in 2B gezeigt ist, eine Struktur besitzen, welche die Polyimid-Isolationsschicht 30 einschließt. Dadurch kann die Polyimid-Haftschicht 20 eine erste Polyimid-Haftschicht 20 besitzen, welche zwischen der Metallplatte 10 und der Polyimid-Isolationsschicht 30 vorgesehen ist, und eine zweite Polyimid-Haftschicht 20 ist zwischen der Polyimid-Isolationsschicht 30 und der Kupfer-Umhüllung 40 vorgesehen. Dadurch können die Kupfer-Umhüllung 40 und die Polyimid-Isolationsschicht 30 sehr fest miteinander verbunden sein.
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Das MCCL gemäß einer weiteren Ausführungsform wird mit Bezug auf die 3 bis 5 beschrieben. Eine Struktur des MCCL gemäß der in den 3 bis 5 gezeigten Ausführungsform ist im Wesentlichen gleich wie diese der in 1 gezeigten Ausführungsform. Jedoch ist die Struktur einer Polyimid-Isolationsschicht und einer Kupfer-Umhüllung unterschiedlich zu der in 1 gezeigten Ausführungsform. Daher wird auf eine Beschreibung der gleichen Strukturen wie in der vorstehend erwähnten Ausführungsform verzichtet und die Struktur der Polyimid-Isolationsschicht und der Kupfer-Umhüllung wird beschrieben.
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3 ist eine Ansicht, welche ein MCCL gemäß einer weiteren Ausführungsform schematisch zeigt, 4 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie X-X' von 3 und 5 ist eine Querschnittsansicht, welche eine weitere Ausführungsform von 4 schematisch zeigt.
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Wie in den 3 bis 5 gezeigt ist, kann die Polyimid-Isolationsschicht 30 derart vorgesehen sein, um einem Teilbereich 31 davon zu ermöglichen, durch einen entfernten Abschnitt der Kupfer-Umhüllung 40 nach außen freigelegt zu sein. Mit anderen Worten, die Kupfer-Umhüllung 40 kann durch Ätzen, eine Abtragung usw. teilweise entfernt sein. Dadurch kann der Teilbereich 31 der Polyimid-Isolationsschicht 30 durch den entfernten Abschnitt der Kupfer-Umhüllung 40 nach außen freigelegt sein. Wie vorstehend beschrieben ist, kann ein Vorgang des Entfernens eines Abschnittes der Kupfer-Umhüllung 40 mit einer bestimmten Gestalt als eine Art eines Strukturierungsvorganges zum Ausbilden einer Schaltungsverdrahtung betrachtet werden, und die auf der Polyimid-Isolationsschicht 30 verbleibende Kupfer-Umhüllung 40 kann die Schaltungsverdrahtung des Substrats sein, welche danach als ein Produkt herzustellen ist. Wie in den Abbildungen gezeigt ist, kann die Kupfer-Umhüllung 40 in Streifen mit einem vorbestimmten Abstand dazwischen wiederholt entfernt sein. Jedoch ist die Gestalt des entfernten Abschnittes nicht darauf beschränkt und kann verschiedenartig modifiziert werden.
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Eine Schnittfuge 60 kann in dem Teilbereich 31 der Polyimid-Isolationsschicht 30 ausgebildet sein, welcher durch einen entfernten Abschnitt der Kupfer-Umhüllung 40 freigelegt ist. Die Schnittfuge 60, welche eine „V”-Querschnittsgestalt besitzt, kann derart ausgebildet sein, dass diese von der Oberfläche der Metallplatte 10 eine vorbestimmte Tiefe besitzt, während diese die Polyimid-Isolationsschicht 30 und die Polyimid-Haftschicht 20 durchdringt. Die Schnittfuge 60 kann entlang des Bereichs 31 ausgebildet sein, welcher in der Polyimid-Isolationsschicht 30 durch Stanzen, Sägen, Laserbestrahlung usw. freigelegt ist. Obwohl in den Abbildungen gezeigt ist, dass der Querschnitt der Schnittfuge 60 eine „V”-Gestalt besitzt, ist dieser nicht darauf beschränkt und kann in Form verschiedener anderer Gestaltungen ausgebildet sein. Die Schnittfuge 60 kann als Orientierung für das Schneiden des MCCL in einem Vorgang zur Herstellung einer MCPCB durch einen nachfolgenden Pressvorgang usw. dienen. Die Schnittfuge 60 kann es insbesondere ermöglichen, das MCCL ohne Beschädigung auf einfache Art und Weise zu schneiden.
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Wie in 5 gezeigt ist, kann auf der Kupfer-Umhüllung 40 und der Polyimid-Isolationsschicht 30 ferner eine Deckschicht 50 laminiert sein. Die Deckschicht 50 kann die Kupfer-Umhüllung 40 durch Abdecken der Kupfer-Umhüllung 40, welche auf der Polyimid-Isolationsschicht 30 nach außen freigelegt ist, schützen, und kann die PSR-Schicht enthalten.
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Die Deckschicht 50 kann eine Öffnung bzw. Aussparung 51 besitzen, welche einen Abschnitt des freigelegten Bereichs 31 der Polyimid-Isolationsschicht 30 und der Schnittfuge 60 freilegt. Die Öffnung 51 kann als ein Streifen entlang beider Seiten der Schnittfuge 60 ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt. In dem Fall, bei welchem das MCCL während des Vorganges zur Herstellung der MCPCB durch den nachfolgenden Pressvorgang geschnitten wird, kann die Öffnung 51 die Deckschicht 50 davor bewahren, beschädigt zu werden. Ferner kann die Öffnung 51 die Fremdkörper davor bewahren, davon gelöst zu werden, so dass eine Zuverlässigkeit des Produkts verbessert werden kann. Die Öffnung 51 kann durch Entfernen eines Abschnitts der Deckschicht 50 durch Ätzen, eine Abtragung usw. ausgebildet werden, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
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Ein Verfahren zur Herstellung einer Metallkern-Schaltungsplatine (MCPCB) gemäß einer Ausführungsform wird mit Bezug auf die 6 bis 10 beschrieben. Die 6 bis 10 sind Ansichten, welche ein schrittweises Verfahren zur Herstellung einer MCPCB gemäß einer Ausführungsform schematisch zeigen.
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Wie in 6 gezeigt ist, sind die Metallplatte 10, die Polyimid-Haftschicht 20, die Polyimid-Isolationsschicht 30 und die Kupfer-Umhüllung 40 derart vorbereitet, dass diese Gestaltungen entsprechend dieser der Metallplatte 10 besitzen. Zusätzlich wird, wenn das MCCL 1 vorbereitet wird, wie in 7 gezeigt ist, ein heißes Pressen in einem Zustand durchgeführt, bei welchem die Polyimid-Haftschicht 20, die Polyimid-Isolationsschicht 30 und die Kupfer-Umhüllung 40 nacheinander auf der Metallplatte 10 laminiert sind, um diese miteinander zu verbinden. Die Metallplatte 10 kann eine rechtwinklige Parallelepipedon-Struktur mit einer vorbestimmten Größe besitzen und aus einem Metall, zum Beispiel Aluminium (Al), mit einer ausgezeichneten thermischen Leitfähigkeit ausgebildet sein. Die Polyimid-Isolationsschicht 30 und die Kupfer-Umhüllung 40 können getrennt voneinander vorgesehen sein, oder können als ein Laminat vorgesehen sein.
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Nachfolgend wird, wie in 8 gezeigt ist, ein Abschnitt der Kupfer-Umhüllung 40 entfernt, so dass der Teilbereich 31 der Polyimid-Isolationsschicht 30 durch den entfernten Abschnitt der Kupfer-Umhüllung 40 nach außen freigelegt ist. Die Kupfer-Umhüllung 40 kann durch Ätzen, eine Abtragung usw. teilweise entfernt sein, so dass der Teilbereich 31 der Polyimid-Isolationsschicht 30 durch den entfernten Abschnitt der Kupfer-Umhüllung 40 nach außen freigelegt ist. Wie vorstehend beschrieben ist, kann ein Vorgang des Entfernens des Abschnittes der Kupfer-Umhüllung 40 mit einer spezifischen Gestalt als eine Art eines Strukturierungsvorganges zum Ausbilden einer Schaltungsverdrahtung betrachtet werden. Die Kupfer-Umhüllung 40, welche auf der Polyimid-Isolationsschicht 30 verbleibt, kann die Schaltungsverdrahtung eines Substrats sein, welches nachfolgend als ein Produkt hergestellt werden soll.
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Nachfolgend wird, wie in 9 gezeigt ist, die Schnittfuge 60 in dem freigelegten Bereich 31 der Polyimid-Isolationsschicht 30 ausgebildet. Die Schnittfuge 60, welche eine „V”-Querschnittsgestalt besitzt, kann derart ausgebildet sein, dass diese von der Oberfläche der Metallplatte 10 eine vorbestimmte Tiefe besitzt, während diese die Polyimid-Isolationsschicht 30 und die Polyimid-Haftschicht 20 durchdringt. Die Schnittfuge 60 kann unter Verwendung einer Stanzmaschine (P1) entlang des freigelegten Bereichs 31 der Polyimid-Isolationsschicht 30 ausgebildet werden. Zusätzlich kann die Schnittfuge 60 durch verschiedenartige Verfahren, zum Beispiel Sägen, Laserbestrahlung usw., ausgebildet werden. Obwohl der Querschnitt der Schnittfuge 60 in den Abbildungen derart ausgebildet ist, dass dieser eine „V”-Gestalt besitzt, ist dieser nicht darauf beschränkt und kann verschiedenartig modifiziert werden. Die Schnittfuge 60 ist eine Orientierungshilfe zum Schneiden des MCCL 1 bei einem Vorgang zur Herstellung der MCPCB 100 durch einen nachfolgenden Pressvorgang. Die Schnittfuge 60 kann es insbesondere ermöglichen, dass das MCCL 1 auf einfache Art und Weise ohne eine Beschädigung geschnitten wird.
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Nachfolgend wird, wie in 10 gezeigt ist, das MCCL 1 geschnitten und entlang der Schnittfuge 60 getrennt. Das MCCL 1 kann an einer Spannvorrichtung (nicht gezeigt) befestigt werden und unter Verwendung einer Pressvorrichtung P2 entlang der Schnittfuge 60 geschnitten werden. Das wie vorstehend beschrieben geschnittene MCCL 1 kann zu einer Mehrzahl von MCPCB's 100 verarbeitet werden.
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Ein Verfahren zur Herstellung einer MCPCB gemäß einer weiteren Ausführungsform wird mit Bezug auf die 11 und 12, sowie die 6 bis 10 beschrieben. Die 11 und 12 sind Ansichten, welche ein schrittweises Verfahren zur Herstellung einer MCPCB gemäß einer weiteren Ausführungsform schematisch darstellen.
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Wie in den 6 und 7 gezeigt ist, werden die Metallplatte 10, die Polyimid-Haftschicht 20, die Polyimid-Isolationsschicht 30 und die Kupfer-Umhüllung 40, welche die Gestalt entsprechend der Metallplatte 10 besitzen, nacheinander auf der Metallplatte laminiert und durch heißes Pressen miteinander verbunden.
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Nachfolgend wird, wie in 8 gezeigt ist, der Abschnitt der Kupfer-Umhüllung 40 entfernt, um dadurch den Teilbereich 31 der Polyimid-Isolationsschicht 30 durch die Kupfer-Umhüllung 40 nach außen freizulegen.
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Nachfolgend wird, wie in 11 gezeigt ist, die Deckschicht 50 derart ausgebildet, um die Kupfer-Umhüllung 40 und den Abschnitt der Polyimid-Isolationsschicht 30 zu bedecken. Die Deckschicht 50 kann die Kupfer-Umhüllung 40 durch Bedecken der Kupfer-Umhüllung 40, welche auf der Polyimid-Isolationsschicht 30 nach außen freigelegt ist, schützen, und kann eine PSR-Schicht enthalten.
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Die Deckschicht 50 besitzt die Öffnung 51, welche den Abschnitt des freigelegten Bereichs 31 der Polyimid-Isolationsschicht 30 freilegt. Die Öffnung 51 kann entlang beiden Seiten der Schnittfuge 60 als ein Streifen ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Die Öffnung 51 kann die Deckschicht 50 davor bewahren, in dem Fall, bei welchem das MCCL 1 während eines Vorganges zur Herstellung der MCPCB 100 durch den nachfolgenden Pressvorgang geschnitten wird, beschädigt zu werden. Ferner kann die Öffnung 51 die Fremdkörper davor bewahren, davon gelöst zu werden, so dass die Haltbarkeit des Produktes verbessert werden kann.
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Die Öffnung 51 kann durch Ausbilden der Deckschicht 50 in einem Zustand, bei welchem der freigelegte Bereich 31 der Polyimid-Isolationsschicht 30 durch eine Abdeckung bzw. Schablone (nicht gezeigt) bedeckt ist, und anschließendes Entfernen der Abdeckung ausgebildet werden. Zusätzlich kann die Öffnung 51 durch Entfernen eines Abschnitts der Deckschicht 50 durch Ätzen, eine Abtragung usw. bei einer Position entsprechend dem freigelegten Bereich 31 der Polyimid-Isolationsschicht 30 ausgebildet werden.
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Nachfolgend wird, wie in 12 gezeigt ist, die Schnittfuge 60 in dem Bereich 31 der Polyimid-Isolationsschicht 30, welcher durch die Öffnung 51 freigelegt ist, ausgebildet. Die Schnittfuge 60, welche eine „V”-Querschnittsgestalt besitzt, kann derart ausgebildet sein, dass diese von der Oberfläche der Metallplatte 10 eine vorbestimmte Tiefe besitzt, während diese die Polyimid-Isolationsschicht 30 und die Polyimid-Haftschicht 20 durchdringt.
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Die Schnittfuge 60 kann ausgebildet werden, nachdem die Öffnung 51 in der Deckschicht 50 ausgebildet ist und der Bereich 31 der Polyimid-Isolationsschicht 30 dadurch freigelegt ist. Alternativ kann zunächst die Schnittfuge 60 in dem freigelegten Bereich 31 ausgebildet werden, bevor die Deckschicht 50 ausgebildet wird, die Deckschicht 50 kann ausgebildet werden und die Öffnung 51 kann dann in der Deckschicht 50 ausgebildet werden, so dass die Schnittfuge 60 zusammen mit dem Bereich 31 der Polyimid-Isolationsschicht 30 durch die Öffnung 51 freigelegt sein können. Mit anderen Worten, die Schnittfuge 60 kann zunächst ausgebildet werden, bevor die Deckschicht 50 ausgebildet ist, oder ausgebildet werden, nachdem die Deckschicht 50 ausgebildet ist, und die Reihenfolge, in welcher die Vorgänge ausgeführt werden, kann durch einen Herstellungstechniker ausgewählt werden.
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Nachfolgend wird, wie in 10 gezeigt ist, das MCCL 1 geschnitten und entlang der Schnittfuge 60 getrennt. Das MCCL 1 kann an einer Spannvorrichtung (nicht gezeigt) befestigt werden und kann durch den Pressvorgang unter Verwendung der Pressvorrichtung P2 entlang der Schnittfuge 60 geschnitten werden. Das wie vorstehend beschrieben geschnittene MCCL 1 kann zu einer Mehrzahl von MCPCB's 100 verarbeitet werden.
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Wie vorstehend gemäß Ausführungsformen dargelegt ist, kann ein MCCL, welches in der Lage ist, Beschädigungen einer Isolationsschicht zu vermeiden, um Fremdkörper usw. davor zu bewahren, während einer Verarbeitung davon gelöst zu werden, verhindert werden. Das Verhindern, dass Fremdkörper gelöst werden, verbessert die Massen-Produktivitätseigenschaften und senkt die Abschnitts-Erzeugung wirkungsvoll, um die Herstellungskosten zu reduzieren. Ferner können Ausführungsformen ein Verfahren zur Herstellung einer MCPCB vorsehen, welche dasselbe verwendet.
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Während die Ausführungsformen in Zusammenhang mit den Ausführungsformen gezeigt und beschrieben wurden, ist es für den Fachmann ersichtlich, dass Modifikationen und Variationen ausgeführt werden können, ohne von dem Grundgedanken und Schutzumfang der Ausführungsformen, wie durch die beigefügten Ansprüche definiert, abzuweichen.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- KR 10-2011-0120866 [0001]
