DE102007031600A1 - Array aus vertikalen UV-Leuchtemitterdioden und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Array aus vertikalen UV-Leuchtemitterdioden und Verfahren zu seiner Herstellung Download PDF

Info

Publication number
DE102007031600A1
DE102007031600A1 DE102007031600A DE102007031600A DE102007031600A1 DE 102007031600 A1 DE102007031600 A1 DE 102007031600A1 DE 102007031600 A DE102007031600 A DE 102007031600A DE 102007031600 A DE102007031600 A DE 102007031600A DE 102007031600 A1 DE102007031600 A1 DE 102007031600A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
channels
array
polymer film
emitting diodes
semiconductor material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102007031600A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102007031600B4 (de
Inventor
Jie Dr. Chen
Martha Christina Prof. Dr. Lux-Steiner
Christoph Aichele
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Helmholtz Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH
Original Assignee
Helmholtz Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Helmholtz Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH filed Critical Helmholtz Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH
Priority to DE102007031600.5A priority Critical patent/DE102007031600B4/de
Priority to PCT/DE2008/001108 priority patent/WO2009006878A2/de
Priority to US12/666,161 priority patent/US20110163308A1/en
Publication of DE102007031600A1 publication Critical patent/DE102007031600A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102007031600B4 publication Critical patent/DE102007031600B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
    • H01L33/18—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous within the light emitting region
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

Es soll ein flexibles Array aus UV-Leuchtemitterdioden angegeben werden, bei dem die als pn-Übergang einer Leuchtemitterdiode strukturierten Nanodrähte sehr ähnliche Parameter aufweisen. Bei einem Array aus vertikalen Leuchtemitterdioden mit einem pn-Heteroübergang in Form von in eine isolierende organische Schicht eingebetteten Nanodrähten ist erfindungsgemäß die organische Schicht eine flexible Polymerfolie, das Array ohne Substrat flexibel und der pn-Übergang ohne isolierende Zwischenschicht aus zwei organischen Halbleitermaterialien oder einem organischen und einem anorganischen Halbleitermaterial gebildet. Die Nanodrähte sind durch Auffüllen von in die flexible Polymerfolie eingebrachten Kanälen mit diesen Halbleitermaterialien erzeugbar. Zwischen der Wandung der in die flexible Polymerfolie eingebrachten Kanäle und dem erzeugten Nanodraht ist zusätzlich eine Licht leitende Schicht angeordnet.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Array aus vertikalen UV-Leuchtemitterdioden und Verfahren zu seiner Herstellung.
  • Dem Stand der Technik nach basieren bisher alle vertikalen UV-Leuchtemitterdioden in Form von Nanodrähten und angeordnet in einem Array auf frei stehenden Nanodrähten.
  • So ist beispielsweise in Appl. Phys. Lett., Vol. 85, No. 24, pp.6004–6006, 13 December 2004 und in NANOLETTERS, 2005, Vol. 5, No. 10, pp. 2005–2008 ein Array mit Leuchtemitterdioden beschrieben, die als ZnO/Polymer-Heteroübergang in auf einem Substrat frei stehenden Nanodrähten erzeugt und anschließend in eine Polymerschicht eingebettet wurden. Die Heteroübergänge weisen herstellungsbedingt eine zusätzliche intrinsiche Schicht auf.
  • Der Stand der Technik, von dem die Erfindung ausgeht, ist in US 2005/0224790 A1 mit einem Licht emittierenden Bauelement beschrieben, bei dem eine Vielzahl von frei stehend erzeugten und in einer isolierenden Matrix eingebetteten Nanodrähten auf einem Substrat angeordnet sind und in jedem der Nanodrähte ein pn-Übergang als Licht emittierende Struktur ausgebildet ist.
  • Zwar ist bei dieser Lösung die Anordnung einer intrinsichen Schicht zwischen der p-leitenden Schicht und der n-leitenden Schicht des pn-Übergangs nicht mehr notwendig, jedoch ist auch dieses Leuchtemitterdioden-Array nicht flexibel.
  • Allen bisher beschriebenen bekannten Lösungen ist weiterhin gemeinsam, dass durch das notwendige freie Aufwachsen der Nanodrähte auf ein Substrat und/oder ihrer Dotierung die Parameter der einzelnen Leuchtemitterdioden sehr schwanken.
  • Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, ein flexibles Array aus UV-Leuchtemitterdioden anzugeben, bei dem die als pn-Übergang einer Leuchtemitterdiode strukturierten Nanodrähte sehr ähnliche Parameter aufweisen. Auch ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen flexiblen Leuchtemitterdioden-Arrays soll angegeben werden.
  • Die Aufgabe wird durch ein Array aus vertikalen Leuchtemitterdioden der eingangs genannten Art dadurch gelöst, dass die organische Schicht eine flexible Polymerfolie ist, das Array ohne Substrat flexibel und der pn-Übergang ohne isolierende Zwischenschicht aus zwei organischen Halbleitermaterialien oder einem organischen und einem anorganischen Halbleitermaterial gebildet ist und die Nanodrähte durch Auffüllen von in die flexible Polymerfolie eingebrachten Kanälen mit diesen Halbleitermaterialien erzeugbar sind.
  • Die selbst tragenden Polymerfolien, in die zunächst Kanäle eingebracht und dann mit Halbleitermaterial aufgefüllt werden, bilden die Grundlage für das erfindungsgemäße flexible Array aus einer Vielzahl von UV-Leuchtemitterdioden, wobei jede dieser LED unabhängig von den anderen arbeitet. Da die Kanäle, die mit Halbleitermaterial aufgefüllt werden und die Nanodrähte bilden, mit einem Verfahren bei konstanten Verfahrensparametern hergestellt werden, sind auch die Parameter der einzelnen LED sehr ähnlich und weisen geringere Abweichungen zueinander auf als in Arrays, die von frei stehenden Nanodrähten gebildet werden.
  • In erfindungsgemäßen Ausführungen ist vorgesehen, dass das organische Halbleitermaterial für den n-Typ ZnO oder GaN und für den p-Typ dotiertes ZnO oder CuSCN oder dotiertes GaN oder ein organisches Material ist. In Abhängigkeit der Dicke der verwendeten Polymerfolie kann die Dicke des n- bzw. p-Typ Halbleitermaterials in den Kanälen zwischen einigen 100 nm und einigen 100 µm liegen.
  • In anderen Ausführungsformen der Erfindung ist vorgesehen, dass der den pn-Übergang aufweisende Kanal einen Durchmesser von ca. 40 nm bis ca. 400 nm und die flexible Polymerfolie mit den den pn-Übergang aufweisenden Kanälen eine Dicke von ca. 1 µm bis ca. 25 µm aufweist.
  • Je nach Anwendungsgebiet sind die in die flexible Polymerfolie eingebrachten Kanäle zylindrisch oder konisch ausgebildet.
  • Zur besseren Führung des emittierten Lichtes zur Kathode und damit zur Verbesserung der Effizienz der einzelnen Leuchtemitterdioden ist zwischen der Wandung der in die flexible Polymerfolie eingebrachten Kanäle und dem aus Halbleitermaterial erzeugten Nanodraht eine sehr dünne Licht leitende Schicht aus einem organischen oder anorganischen Material in einer Dicke von einigen nm bis einige 10 nm angeordnet.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines Arrays aus vertikalen Leuchtemitterdioden werden zunächst in eine flexible isolierende Polymerfolie durchgehende Kanäle eingebracht, diese Kanäle werden dann nacheinander mit n-leitendem anorganischen Halbleitermaterial und gleitendem anorganischen oder organischen Halbleitermaterial zur Bildung von Nanodrähten aufgefüllt und abschließend wird eine transparente Kathode auf das n-leitende Halbleitermaterial und eine Anode auf das p-leitende Halbleitermaterial aufgebracht. Die Form der Anode wird entsprechend der Anwendung ausgewählt.
  • Die Kanäle in der Polymerfolie werden mittels Laserstrahl oder mittels Ionenstrahl oder mittels chemischen Ätzens erzeugt. Durch chemisches Ätzen in NaOH einseitig oder beidseitig kann beispielsweise eine zylindrische oder eine konische Form der Kanäle realisiert werden.
  • In anderen Ausführungsformen ist vorgesehen, als n-leitendes Halbleitermaterial ZnO oder GaN und als p-leitendes Halbleitermaterial dotiertes ZnO oder dotiertes GaN oder CuSCN oder organisches Halbleitermaterial zu verwenden.
  • Als Polymerfolie kann in Abhängigkeit von den verwendeten Temperaturen bei den folgenden Verfahrensschritten PET-Folie (< 100°C) oder PI-Folie (< 400°C), vorzugsweise mit einer Dicke von ca. 1 µm bis ca. 25 µm verwendet werden.
  • Das Halbleitermaterial für den pn-Übergang wird mittels RF Plasmadeposition oder Sputtern oder elektrochemischer Deposition in die Kanäle eingebracht.
  • In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird vor dem Aufbringen der transparenten Kathode und dem Auffüllen der Kanäle mit Halbleitermaterial auf deren Innenwand eine Licht leitende Schicht aus organischem oder anorganischem Material aufgebracht, vorzugsweise in einer Dicke von einigen nm bis einige 10 nm.
  • Das Verfahren zur Herstellung eines flexiblen Arrays mit UV-Leuchtemitterdioden birgt keine technologisch schwierigen Verfahrensschritte in sich und verwendet preiswerte und nicht toxische Materialien, die eine kostengünstige Herstellung flexibler Arrays von UV-Leuchtemitterdioden ermöglichen.
  • Die Erfindung soll in folgendem Ausführungsbeispiel anhand einer Zeichnung näher erläutert werden.
  • Die Figur zeigt schematisch einen Ausschnitt eines erfindungsgemäßen flexiblen Arrays mit zwei vertikalen UV-Leuchtemitterdioden.
  • Ein solches Array ist mit den folgenden Verfahrensschritten herstellbar:
    In eine 8 µm dicke Polymerfolie 1, z. B. PET-Folie, werden durchgehende Nanokanäle 2 mit einem Durchmesser von ca. 200 nm mittels Ionenstrahl erzeugt. Diese Folie 1 mit den eingebrachten Kanälen 2 bildet das Template für das flexible LED-Array mit einer LED-Dichte von etwa 107 bis 1010 cm–2. Zur Verbesserung des Wirkungsgrades wird in diesem Ausführungsbeispiel vor dem Aufbringen der transparenten Kathode 4 eine 20 nm dicke Licht leitende Schicht 3 aus TiO2 oder einem anderen Material mit großem Reflexionsindex auf die Wandung der Kanäle 2, beispielsweise mittels ILGAR(Ion Layer Gas Reaction)-Verfahren, aufgebracht. Nun wird eine transparente Kathode 4, beispielsweise aus einem der bekannten TCO-Materialien, in einer Dicke von einigen 100 nm auf eine Seite der Polymerfolie 1 aufgebracht. Die transparente Elektrode 4 schließt die mit der Licht leitenden Schicht 3 versehenen Kanäle 2 einseitig, die nunmehr mittels elektrochemischer Deposition zunächst mit n-leitendem ZnO 5 in einer Höhe von ca. 1 µm und anschließend mit p-leitendem CuSCN 6 vollständig gefüllt werden. Abschließend wird als Anodenschicht 7 Ag oder wiederum ein TCO-Material in einer Dicke von einigen 10 nm bis einigen 100 nm abgeschieden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - US 2005/0224790 A1 [0004]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • - Appl. Phys. Lett., Vol. 85, No. 24, pp.6004–6006, 13 December 2004 [0003]
    • - NANOLETTERS, 2005, Vol. 5, No. 10, pp. 2005–2008 ein Array mit Leuchtemitterdioden [0003]

Claims (20)

  1. Array aus vertikalen Leuchtemitterdioden mit einem pn-Heteroübergang in Form von in eine isolierende organische Schicht eingebetteten Nanodrähten, dadurch gekennzeichnet, dass die organische Schicht eine flexible Polymerfolie (1) ist, das Array ohne Substrat flexibel und der pn-Übergang ohne isolierende Zwischenschicht aus zwei organischen Halbleitermaterialien oder einem organischen und einem anorganischen Halbleitermaterial gebildet ist und die Nanodrähte durch Auffüllen von in die flexible Polymerfolie (1) eingebrachten Kanälen (2) mit diesen Halbleitermaterialien erzeugbar sind.
  2. Array aus vertikalen Leuchtemitterdioden nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Material für den n-Typ Halbleiter (5) ZnO oder GaN ist.
  3. Array aus vertikalen Leuchtemitterdioden nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Material für den p-Typ Halbleiter (6) dotiertes ZnO oder CuSCN oder dotiertes GaN oder organisches Material ist.
  4. Array aus vertikalen Leuchtemitterdioden nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der den pn-Übergang aufweisende Kanal (2) einen Durchmesser von ca. 40 nm bis ca. 400 nm aufweist.
  5. Array aus vertikalen Leuchtemitterdioden nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die flexible Polymerfolie (1) mit den den pn-Übergang aufweisenden Kanälen (2) eine Dicke von ca. 1 µm bis ca. 25 µm aufweist.
  6. Array aus vertikalen Leuchtemitterdioden nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die in die flexible Polymerfolie (1) eingebrachten Kanäle (2) zylindrisch ausgebildet sind.
  7. Array aus vertikalen Leuchtemitterdioden nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die in die flexible Polymerfolie (1) eingebrachten Kanäle (2) konisch ausgebildet sind.
  8. Array aus vertikalen Leuchtemitterdioden nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Wandung der in die flexible Polymerfolie (1) eingebrachten Kanäle (2) und dem erzeugten Nanodraht eine Licht leitende Schicht (3) angeordnet ist.
  9. Array aus vertikalen Leuchtemitterdioden nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Licht leitende Schicht (3) eine Dicke von einigen nm bis einige 10 nm aufweist.
  10. Verfahren zur Herstellung eines Arrays aus vertikalen Leuchtemitterdioden gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zunächst in eine flexible isolierende Polymerfolie durchgehende Kanäle eingebracht werden, diese Kanäle nacheinander mit p- und n-leitendem Halbleitermaterial zur Bildung von Nanodrähten aufgefüllt werden und abschließend eine transparente Kathode auf das n-leitende Halbleitermaterial und eine Anode auf das p-leitende Halbleitermaterial aufgebracht wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das die Kanäle in der Polymerfolie mittels Laserstrahl oder Ionenstrahl oder chemischen Ätzens erzeugt werden.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanäle in der Polymerfolie mittels Ätzprozess in konischer Form erzeugt werden.
  13. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass das die Kanäle in der Polymerfolie mittels Ätzprozess in zylindrischer Form erzeugt werden.
  14. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanäle mit einem Durchmesser von ca. 40 nm bis ca. 400 nm in die Polymerfolie eingebracht werden.
  15. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass als n-leitendes Halbleitermaterial ZnO oder GaN verwendet wird.
  16. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass als p-leitendes Halbleitermaterial dotiertes ZnO oder dotiertes GaN oder CuSCN oder organisches Halbleitermaterial verwendet wird.
  17. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass als Polymerfolie PET-Folie oder PI-Folie mit einer Dicke von ca. 1 µm bis ca. 25 µm verwendet wird.
  18. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitermaterial mittels RF Plasmadeposition oder Sputtern oder elektrochemischer Deposition in die Kanäle eingebracht wird.
  19. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Aufbringen der transparenten Kathode und vor dem Auffüllen der Kanäle auf deren Innenwand eine Licht leitende Schicht aus organischem oder anorganischem Material aufgebracht wird.
  20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Licht leitende Schicht in einer Dicke von einigen nm bis einige 10 nm aufgebracht wird.
DE102007031600.5A 2007-07-06 2007-07-06 Array aus vertikalen UV-Leuchtemitterdioden und Verfahren zu seiner Herstellung Expired - Fee Related DE102007031600B4 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007031600.5A DE102007031600B4 (de) 2007-07-06 2007-07-06 Array aus vertikalen UV-Leuchtemitterdioden und Verfahren zu seiner Herstellung
PCT/DE2008/001108 WO2009006878A2 (de) 2007-07-06 2008-07-02 Array aus vertikalen uv-leuchtemitterdioden und verfahren zu seiner herstellung
US12/666,161 US20110163308A1 (en) 2007-07-06 2008-07-02 Array of vertical uv light-emitting diodes and method for producing it

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007031600.5A DE102007031600B4 (de) 2007-07-06 2007-07-06 Array aus vertikalen UV-Leuchtemitterdioden und Verfahren zu seiner Herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102007031600A1 true DE102007031600A1 (de) 2009-01-15
DE102007031600B4 DE102007031600B4 (de) 2015-10-15

Family

ID=40032726

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102007031600.5A Expired - Fee Related DE102007031600B4 (de) 2007-07-06 2007-07-06 Array aus vertikalen UV-Leuchtemitterdioden und Verfahren zu seiner Herstellung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20110163308A1 (de)
DE (1) DE102007031600B4 (de)
WO (1) WO2009006878A2 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106384767B (zh) * 2016-11-18 2019-07-09 Tcl集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法与发光模组、显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005027201A1 (en) * 2003-09-12 2005-03-24 Københavns Universitet Method of fabrication and device comprising elongated nanosize elements
US20050224790A1 (en) 2004-04-07 2005-10-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanowire light emitting device and method of fabricating the same
EP1748506A2 (de) * 2005-07-30 2007-01-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Herstellungsmethode für eine Anzeigevorrichtung, damit hergestellte Anzeigevorrichtung und damit hergestellter Dünnfilmtransistor
WO2007051888A1 (es) * 2005-11-07 2007-05-10 Consejo Superior De Investigaciones Científicas Sistema de puntos orgánicos, su procedimiento de obtención y sus aplicaciones en la elaboración de dispositvos nanoscópicos

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6919119B2 (en) * 2000-05-30 2005-07-19 The Penn State Research Foundation Electronic and opto-electronic devices fabricated from nanostructured high surface to volume ratio thin films
TWI294636B (en) * 2000-08-22 2008-03-11 Harvard College Doped elongated semiconductor articles, growing such articles, devices including such articles and fabricating such devices
MXPA03008935A (es) * 2001-03-30 2004-06-30 Univ California Metodos de fabricacion de nanoestructuras y nanocables y dispositivos fabricados a partir de ellos.
WO2004010552A1 (en) * 2002-07-19 2004-01-29 President And Fellows Of Harvard College Nanoscale coherent optical components
US7067867B2 (en) * 2002-09-30 2006-06-27 Nanosys, Inc. Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor
JP4235440B2 (ja) * 2002-12-13 2009-03-11 キヤノン株式会社 半導体デバイスアレイ及びその製造方法
US7605327B2 (en) * 2003-05-21 2009-10-20 Nanosolar, Inc. Photovoltaic devices fabricated from nanostructured template
JP2007501525A (ja) * 2003-08-04 2007-01-25 ナノシス・インコーポレイテッド ナノワイヤ複合体およびこれらに由来する電子基板を作製するためのシステムおよび方法
US7132677B2 (en) * 2004-02-13 2006-11-07 Dongguk University Super bright light emitting diode of nanorod array structure having InGaN quantum well and method for manufacturing the same
KR100553317B1 (ko) * 2004-04-23 2006-02-20 한국과학기술연구원 실리콘 나노선을 이용한 실리콘 광소자 및 이의 제조방법
US7400665B2 (en) * 2004-11-05 2008-07-15 Hewlett-Packard Developement Company, L.P. Nano-VCSEL device and fabrication thereof using nano-colonnades
US7960251B2 (en) * 2005-12-01 2011-06-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for producing nanowires using a porous template
FR2923602B1 (fr) * 2007-11-12 2009-11-20 Commissariat Energie Atomique Detecteur de rayonnement electromagnetique a thermometre a nanofil et procede de realisation

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005027201A1 (en) * 2003-09-12 2005-03-24 Københavns Universitet Method of fabrication and device comprising elongated nanosize elements
US20050224790A1 (en) 2004-04-07 2005-10-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanowire light emitting device and method of fabricating the same
EP1748506A2 (de) * 2005-07-30 2007-01-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Herstellungsmethode für eine Anzeigevorrichtung, damit hergestellte Anzeigevorrichtung und damit hergestellter Dünnfilmtransistor
WO2007051888A1 (es) * 2005-11-07 2007-05-10 Consejo Superior De Investigaciones Científicas Sistema de puntos orgánicos, su procedimiento de obtención y sus aplicaciones en la elaboración de dispositvos nanoscópicos

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Appl. Phys. Lett., Vol. 85, No. 24, pp.6004-6006, 13 December 2004
NANOLETTERS, 2005, Vol. 5, No. 10, pp. 2005-2008 ein Array mit Leuchtemitterdioden

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009006878A3 (de) 2009-07-23
WO2009006878A2 (de) 2009-01-15
US20110163308A1 (en) 2011-07-07
DE102007031600B4 (de) 2015-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112014002164B4 (de) Anordnung, Verfahren zum Herstellen einer Anordnung und Array
DE112015006988T5 (de) Quantenpunkt basierte optoelektronische Vorrichtung
DE112008003977T5 (de) Solarzelle mit einer Quantenpunkt-Nanodraht-Anordnung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren
DE102011086168A1 (de) Organisches licht emittierendes bauelement
DE102004041371A1 (de) Aktiv-Matrix-Display auf der Basis organischer Leuchtdioden mit erhöhtem Füllfaktor
DE102005013580A1 (de) Licht emittierendes Element
DE102005029268B4 (de) Licht emittierendes Bauteil
DE112013001641T5 (de) Solarzelle und Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle
DE112007001232T5 (de) Lichtemittierendes Halbleiterelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE112011104913T5 (de) Optoelektronische Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
DE102010032497A1 (de) Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips
DE102007018307A1 (de) Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
EP2643859A1 (de) Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen halbleiterchips und derartiger halbleiterchip
DE102007031600B4 (de) Array aus vertikalen UV-Leuchtemitterdioden und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2017129446A1 (de) Konversionselement und strahlungsemittierendes halbleiterbauelement mit einem solchen konversionselement
DE112009004715T5 (de) Verfahren zur Substratherstellung, bei dem Muster ausgebildet werden
DE112013000499T5 (de) Strukturiertes Substrat mit starker Lichtextraktion
EP2342769B1 (de) Organisches, strahlungsemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines solchen
DE102018107615A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
DE102010034904A1 (de) Zweiseitige Solarzelle
DE19819259A1 (de) Verfahren zur epitaktischen Herstellung von Halbleiter-Wachstumsinseln
WO2017121529A1 (de) Elektronisches bauteil sowie verfahren zur herstellung eines elektronischen bauteils
DE102013110024B4 (de) Strahlungsemittierendes Bauelement mit organischem Schichtenstapel
DE102015108826A1 (de) Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organisch lichtemittierenden Bauelements
DE102015107591A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R084 Declaration of willingness to licence
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0051520000

Ipc: H05B0033200000

R084 Declaration of willingness to licence

Effective date: 20140412

R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0051520000

Ipc: H05B0033200000

Effective date: 20140508

R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee