DE102007024266A1 - Verfahren zur Steuerung der Prozessgaskonzentration - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Steuerung der Prozessgaskonzentration für die Behandlung von Substraten in einem Prozessraum, bei dem eine Flüssigkeit mittels hindurchgeleiteter Bläschen eines Trägergases in einem Bubbler verdampft wird. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein einfach zu realisierendes Verfahren zur Steuerung der Prozessgaskonzentration zu schaffen. Erreicht wird das durch das Herstellen eines vorgegebenen konstanten Innendruckes im Bubbler und nachfolgendes Einleiten des Trägergases in den Bubbler bei gleichzeitiger Temperaturregelung des zu verdampfenden Mediums innerhalb des Bubblers zur Einstellung eines vorgegebenen Dampfdrucks.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Steuerung der Prozessgaskonzentration für die Behandlung von Substraten in einem Prozessraum, bei dem eine Flüssigkeit mittels hindurchgeleiteter Bläschen eines Trägergases in einem Bubbler verdampft wird.
- Für die Erzeugung von dampfförmigen Prozessgasen werden so genannte Bubbler eingesetzt, die hauptsächlich aus einem geschlossenen Behälter bestehen, in den die zu verdampfende Flüssigkeit eingebracht worden ist. Die zu verdampfenden Flüssigkeiten können beliebiger Art sein, wie z. B. eine Säure mit einer vorgegebenen Konzentration. So kann die Flüssigkeit beispielsweise Ameisensäure (HCOOH) in unterschiedlicher Konzentration sein. Für den eigentlichen Verdampfungsprozess wird über einen Düsenstab mit einer Vielzahl von Öffnungen ein Trägergas im untersten Bereich des Behälters eingebracht. Als Trägergase kommen beispielsweise N2, N2H2, H2 usw., oder auch Inertgase in Betracht. Das Trägergas steigt darauf hin im Bubbler durch die Flüssigkeit blasenförmig auf und nimmt Teile der Flüssigkeit in Dampfform mit. Dieses dabei entstandene Trägergas-/Dampfgemisch wird dann aus dem Behälter dem Prozessraum zugeführt.
- Bei diesem Vorgang nehmen die Gasblasen das verdampfte Medium so weit auf, bis eine relative Feuchtigkeit von 100% erreicht ist. Die Konzentration ist hierbei vom Druck im Bubbler sowie der Temperatur abhängig, die auch bei Raumtemperatur liegen kann. Die Druckregelung erfolgt dabei über einen Druckminderer.
- Bei der Behandlung von Substraten in einem Prozessraum kann die Einhaltung einer vorgegebenen Konzentration eines Mediums in einem Trägergas von entscheidender Bedeutung für die Qualität des Prozesses sein. Von Nachteil ist hier, dass bei einer Abkühlung eines Gasgemisches mit einer relativen Feuchte von 100% eine Kondensation nicht verhindert werden kann. Im Ergebnis verringert sich die Konzentration des Mediums im Trägergas, was gleichzeitig zu ungewollten Effekten im Prozess führen kann.
- Der Erfindung liegt nunmehr die Aufgabe zugrunde, ein einfach zu realisierendes Verfahren zur Steuerung der Prozessgaskonzentration zu schaffen.
- Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs genannten Art gelöst durch das Herstellen eines vorgegebenen konstanten Innendruckes im Bubbler und nachfolgendes Einleiten des Trägergases in den Bubbler bei gleichzeitiger Temperaturregelung des zu verdampfenden Mediums innerhalb des Bubblers zur Einstellung eines vorgegebenen Dampfdrucks.
- Dieses überraschend einfach zu realisierende Verfahren erlaubt eine präzise Steuerung der Konzentration des verdampften Mediums im Trägergas.
- In einer Ausgestaltung der Erfindung wird die Temperatur im Bubbler zur Anpassung der Konzentration des Mediums im Trägergas an unterschiedliche Prozessbedingungen ohne Unterbrechung der Zuführung des Trägergases in den Bubbler kontinuierlich geändert.
- In einer Fortführung der Erfindung ist vorgesehen, dass die Verrohrung vom Bubbler zum Prozessraum in die Temperaturregelung einbezogen wird, wobei die Verrohrung bevorzugt auf die gleiche Temperatur wie im Bubbler geregelt wird.
- Die Erfindung wird nachfolgend an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert.
- Die zugehörige Zeichnungsfigur zeigt eine schematische Darstellung eines Bubblers zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens.
- Der Bubbler
1 besteht aus einem verschließbaren Behälter, der mit einem Kühl-/Heizmantel2 umgeben ist. Für die Erzeugung des Verdampfungsprozesses ist der Bubbler1 mit einer Zuführung3 für ein Trägergas verbunden, die innen im Bubbler1 im Bodenbereich in einem Düsenstab4 endet, der mit einer Vielzahl von Düsen zur Erzeugung von Gasblasen versehen ist. In der Zeichnungsfigur sind die aufsteigenden Gasblasen schematisch als Pfeile5 dargestellt. Diese Gasblasen steigen durch das in den Bubbler1 eingebrachte flüssige Medium6 auf und werden dann über eine Verrohrung7 in einen nicht dargestellten Prozessraum geleitet. - Der Kühl-/Heizmantel
2 ist mit einer Kühl-/Heizeinrichtung8 zur Temperaturregelung des flüssigen Mediums6 im Bubbler1 verbunden. - Weiterhin befindet sich in der Zuführung
3 für das Trägergas ein Druckminderer9 , mit dem der Druck im Bubbler1 auf einem vorgegebenen Wert konstant gehalten werden kann. - Im vorliegenden Ausführungsbeispiel wird als Trägergas N2, N2H2, H2 eingesetzt. Selbstverständlich ist die Erfindung auch mit anderen Trägergasen gleichermaßen realisierbar. Als flüssiges Medium wird hier Ameisensäure (HCOOH) als Reduktionsmedium für Oxidschichten z. B. auf miteinander zu verlötenden Oberflächen verwendet.
- Die Steuerung der Konzentration des verdampften Mediums
6 im Trägergas erfolgt durch Einstellung einer vorgegebenen/vor berechneten Temperatur mittels der Kühl-/Heizeinrichtung8 bei konstantem Druck im Bubbler. Durch Änderung der Temperatur im Bubbler1 lässt sich bei konstantem Druck im Bubbler1 der Dampfdruck des Mediums kontinuierlich verändern. Damit lässt sich die Konzentration des verdampften Mediums im Trägergas in einem weiten Bereich auf besonders einfache Weise steuern, wodurch gleichzeitig eine einfache Prozessoptimierung bei der Behandlung von Substraten ermöglicht wird. Unter den Begriff Substrat sollen beispielsweise auch miteinander zu verlötende Gegenstände oder Oberflächen verstanden werden. - Um sicher zu stellen, dass sich die Konzentration nicht verändert, kann die Verrohrung
7 zusätzlich mit einer Rohrbegleitheizung10 bis zum Einspeisepunkt in den Prozessraum versehen werden. Diese Rohrbegleitheizung10 ist mit der Kühl/-Heizeinrichtung8 verbunden, so dass die Temperatur der Verrohrung auf die gleiche Temperatur wie im Bubbler1 eingestellt werden kann. - Das erfindungsgemäße Verfahren kann vorteilhaft für Reflowlötprozesse in einem nicht dargestellten Reflowlötofen eingesetzt werden, indem Ameisensäure in einer vorgegebenen Konzentration in den Prozessraum eingeleitet wird. Die Ameisensäure dient hierbei als Reduktionsmedium für Oxidschichten auf den miteinander zu verlötenden Partnern.
-
- 1
- Bubbler
- 2
- Kühl-/Heizmantel
- 3
- Zuführung
- 4
- Düsenstab
- 5
- Pfeil
- 6
- flüssiges Medium
- 7
- Verrohrung
- 8
- Kühl-/Heizeinrichtung
- 9
- Druckminderer
- 10
- Rohrbegleitheizung
Claims (4)
- Verfahren zur Steuerung der Prozessgaskonzentration für die Behandlung von Substraten in einem Prozessraum, bei dem eine Flüssigkeit mittels hindurchgeleiteter Bläschen eines Trägergases in einem Bubbler verdampft wird, gekennzeichnet durch das Herstellen eines vorgegebenen konstanten Innendruckes im Bubbler und nachfolgendes Einleiten des Trägergases in den Bubbler bei gleichzeitiger Temperaturregelung des zu verdampfenden Mediums innerhalb des Bubblers zur Einstellung eines vorgegebenen Dampfdrucks.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperatur im Bubbler zur Anpassung der Konzentration des Mediums im Trägergas an unterschiedliche Prozessbedingungen ohne Unterbrechung der Zuführung des Trägergases in den Bubbler änderbar ist.
- Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Verrohrung vom Bubbler zum Prozessraum in die Temperaturregelung einbezogen wird.
- Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Verrohrung auf die gleiche Temperatur wie im Bubbler geregelt wird.
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007024266A DE102007024266A1 (de) | 2007-05-23 | 2007-05-23 | Verfahren zur Steuerung der Prozessgaskonzentration |
TW097117912A TW200902132A (en) | 2007-05-23 | 2008-05-15 | Method for controlling process gas concentration |
PCT/EP2008/056104 WO2008142043A1 (de) | 2007-05-23 | 2008-05-19 | Verfahren zur steuerung der prozessgaskonzentration |
US12/601,311 US20100215853A1 (en) | 2007-05-23 | 2008-05-19 | Method for controlling process gas concentration |
EP08750339A EP2150634A1 (de) | 2007-05-23 | 2008-05-19 | Verfahren zur steuerung der prozessgaskonzentration |
JP2010508817A JP2010527794A (ja) | 2007-05-23 | 2008-05-19 | プロセスガスの濃度制御方法 |
CN200880019517A CN101688304A (zh) | 2007-05-23 | 2008-05-19 | 控制生产气体浓度的方法 |
KR1020097026555A KR20100030620A (ko) | 2007-05-23 | 2008-05-19 | 공정 가스 농도를 제어하기 위한 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007024266A DE102007024266A1 (de) | 2007-05-23 | 2007-05-23 | Verfahren zur Steuerung der Prozessgaskonzentration |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102007024266A1 true DE102007024266A1 (de) | 2008-11-27 |
Family
ID=39637712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102007024266A Withdrawn DE102007024266A1 (de) | 2007-05-23 | 2007-05-23 | Verfahren zur Steuerung der Prozessgaskonzentration |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100215853A1 (de) |
EP (1) | EP2150634A1 (de) |
JP (1) | JP2010527794A (de) |
KR (1) | KR20100030620A (de) |
CN (1) | CN101688304A (de) |
DE (1) | DE102007024266A1 (de) |
TW (1) | TW200902132A (de) |
WO (1) | WO2008142043A1 (de) |
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2007
- 2007-05-23 DE DE102007024266A patent/DE102007024266A1/de not_active Withdrawn
-
2008
- 2008-05-15 TW TW097117912A patent/TW200902132A/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-05-19 EP EP08750339A patent/EP2150634A1/de not_active Withdrawn
- 2008-05-19 JP JP2010508817A patent/JP2010527794A/ja active Pending
- 2008-05-19 WO PCT/EP2008/056104 patent/WO2008142043A1/de active Application Filing
- 2008-05-19 US US12/601,311 patent/US20100215853A1/en not_active Abandoned
- 2008-05-19 KR KR1020097026555A patent/KR20100030620A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-05-19 CN CN200880019517A patent/CN101688304A/zh active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101688304A (zh) | 2010-03-31 |
JP2010527794A (ja) | 2010-08-19 |
TWI372650B (de) | 2012-09-21 |
US20100215853A1 (en) | 2010-08-26 |
KR20100030620A (ko) | 2010-03-18 |
WO2008142043A1 (de) | 2008-11-27 |
EP2150634A1 (de) | 2010-02-10 |
TW200902132A (en) | 2009-01-16 |
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R082 | Change of representative |
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