DE102005027447B4 - Verfahren zur Erhöhung der Randsperrfähigkeit eines Leistungshalbleiterbauelements - Google Patents

Verfahren zur Erhöhung der Randsperrfähigkeit eines Leistungshalbleiterbauelements Download PDF

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Abstract

Verfahren zur Erhöhung der Randsperrfähigkeit eines Leistungshalbleiterbauelements mit folgenden Schritten:
– Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1), der einen Volumenbereich (2) und einen in einer lateralen Richtung (r) daran angrenzenden Randbereich (3) aufweist, sowie einen zwischen einer n-dotierten Zone (20) und einer p-dotierten Zone (10) ausgebildeten pn-Lastübergang (25), und
– Einstrahlen akzeptorartige Zustände erzeugender Teilchen (30) in eine erste Bestrahlungszone (5), die an der dem Randbereich (3) zugewandten Seite des pn-Lastübergangs (25) angeordnet ist und die zumindest eine an den pn-Lastübergang (25) angrenzende Teilzone (51) der n-dotierten Zone (20) im Randbereich (3) umfasst, derart, dass der Dotierungsgrad der n-dotierten Zone (20) abgesenkt wird, wobei der Leitfähigkeitstyp der n-dotierten Zone (20) fortbesteht.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zu Erhöhung der Randsperrfähigkeit eines Leistungshalbleiterbauelements.
  • Leistungshalbleiterbauelemente weisen typischerweise einen pn-Lastübergang auf, über den der Laststrom des Bauelements fließt, wenn sich dieses in leitendem Zustand befindet. Im Sperrzustand hingegen kommt es zur Ausbildung eines starken elektrischen Feldes, das innerhalb des Halbleiters abgebaut werden muss. Die Änderung der Durchbruchspannung eines pn-Lastübergangs in Thyristormitte kann, wie in WO 00/51187 A1 beschrieben, durch Einstrahlung Akzeptor erzeugender Teilchen in die kathodenseitige Basiszone erfolgen.
  • Üblicherweise unterscheidet man einen Volumenbereich, der insbesondere den pn-Lastübergang enthält, sowie einen sich an den Volumenbereich anschließenden Randbereich. Insbesondere im Randbereich sind die Äquipotentiallinien des elektrischen Feldes stärker gekrümmt als im Volumenbereich, was dazu führt, dass im Randbereich höhere elektrische Feldstärken auftreten als im Volumenbereich. Hierdurch wird bei ansteigender Sperrspannung die Durchbruchfeldstärke des Halbleiters im Randbereich zuerst erreicht. Eine Reduzierung der Feldkrümmung erfolgt nach US 4 672 738 A durch eine gezielte Randverlängerung der p-dotierten Zone eines pn-Lastübergangs. Durch die zusätzliche p-Dotierung läuft die Kante der p-dotierten Zone allmählich in vertikaler Richtung zu der Bauelementoberfläche hin aus. Starke Krümmungen werden vermieden.
  • Um die Sperrspannungsfähigkeit im Randbereich zu erhöhen, werden deshalb üblicherweise Randabschlüsse wie z. B. Feldringe, Feldplatten, Randabschrägungen usw. eingesetzt. Derartige Randabschlüsse sind beispielsweise in W. Gerlach: „Thyristo ren", Seite 151 bis 159, Springer Verlag, Berlin, 1981, erläutert.
  • Nach dem Prinzip der Feldringe ist der Bauelementrand in Oberflächennähe in US 4 374 389 A um eine zusätzliche Schicht gleichartiger Dotierung zu derjenigen Schicht erweitert, deren pn-Lastübergang sich an der von der Oberfläche abgewandten Seite befindet. In WO 02/49114 A2 ist eine Kombination einer zusätzlichen p-dotierten Zone, beabstandet von der p-dotierten Zone des pn-Lastübergangs an der Bauelementoberfläche, mit einem Mesa-Randabschluss ausgeführt.
  • Der Nachteil derartiger Randabschlüsse besteht einerseits darin, dass die damit erreichbare Randsperrfähigkeit deutlich hinter der Volumensperrfähigkeit zurückbleibt und dass ihre Herstellung verhältnismäßig aufwendig ist.
  • Aus der WO 00/51187 A1 ist es bekannt, bei einem Thyristor mit einer Durchbruchsdiode im Bereich der Durchbruchsdiode Helium in die kathodenseitige Hälfte der n-dotierten Basis einzustrahlen, um dort akzeptorartige Zustände zu erzeugen und damit die Durchbruchspannung des Thyristors einzustellen.
  • Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Erhöhung der Randsperrfähigkeit des Leistungshalb leiterbauelements bereitzustellen, mit dem eine weitere Erhöhung der Randsperrfähigkeit eines Leistungshalbleiterbauelements erreicht werden kann und das auf einfache Weise anwendbar ist.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens sind Gegenstand von Unteransprüchen.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird zunächst ein Halbleiterkörper bereitgestellt, der einen Volumenbereich und einen in einer lateralen Richtung daran angrenzenden Randbereich aufweist. Zwischen einer n-dotierten Zone und einer p-dotierten Zone des Halbleiterkörpers ist ein pn-Lastübergang ausgebildet. Um die Randsperrfähigkeit des Leistungshalbleiterbauelements zu erhöhen, werden akzeptorartige Zustände erzeugende Teilchen in eine erste Bestrahlungszone des Halbleiterkörpers eingestrahlt. Die erste Bestrahlungszone ist an der dem Randbereich zugewandten Seite des pn-Lastübergangs angeordnet und umfasst zumindest eine an den pn-Lastübergang angrenzende Teilzone der n-dotierten Zone.
  • Dies bewirkt in der Teilzone der n-dotierten Zone eine Erniedrigung der n-Dotierung, so dass sich die dort auftretende maximale Feldstärke verringert und damit die Randsperrfähigkeit des Bauelements verbessert.
  • Als Bestrahlungszone werden dabei Zonen bezeichnet, die nach dem Bestrahlungsvorgang eingestrahlte Teilchen aufweisen. Durch die Bestrahlung werden Teilchen von außen bis zu einer bestimmten Tiefe in den Halbleiterkörper eingebracht. Die Einbringtiefe hängt dabei insbesondere von der Energie der Teilchen ab. Durch geeignet gewählte Energien bzw. Energieverteilungen können somit Bestrahlungszonen mit definierter Dicke hergestellt werden. Die Bestrahlungszonen können sich sowohl ausgehend von der Oberfläche des Halbleiterkörpers in diesen hinein erstrecken, sie können jedoch auch von der Oberfläche beabstandet im Halbleiterkörper angeordnet sein.
  • Besonders wirkungsvoll ist eine Bestrahlung in den Bereichen der n-dotierten Zone, an denen bei einem entsprechenden nicht bestrahlten Bauelement besonders hohe Feldstärken auftreten, d. h. im oberflächennahen Bereich des pn-Lastübergangs bzw. in dem Bereich, in dem der pn-Lastübergang eine starke Krümmung aufweist.
  • Die erläuterte Bestrahlungstechnik kann in entsprechender Weise auch bei pn-Übergängen angewendet werden, die zwischen der n-dotierten Zone und einem oder mehreren p-dotierten Feldringen ausgebildet und die vom pn-Lastübergang beabstandet sind. Die Einstrahlung der Teilchen erfolgt dabei bevorzugt in weitere, an der dem pn-Lastübergang abgewandten Seite des jeweiligen Feldrings angeordnete Bestrahlungszonen. Die Einstrahlung kann aber auch über den gesamten Randbereich erfolgen.
  • Die Einstrahlung von Teilchen in zwei oder mehr Bestrahlungszonen erfolgt bevorzugt während desselben Bestrahlungsschrittes.
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele des erfindungsgemäßen Verfahrens werden nachfolgend unter Bezugnahme auf Figuren näher erläutert. In den Figuren zeigen:
  • 1 einen Abschnitt eines Leistungshalbleiterbauelements mit einem pn-Lastübergang, in dessen Randbereich Teilchen eingestrahlt werden, im Querschnitt,
  • 2a einen Abschnitt eines Leistungshalbleiterbauelements entsprechend 1, das zusätzlich einen Feldring aufweist, auf dessen dem pn-Lastübergang abgewandter Seite eine weitere Bestrahlungszone angeordnet ist,
  • 2b den Verlauf des elektrischen Feldes an der Oberfläche des Halbleiterbauelements gemäß 2a,
  • 3a einen Abschnitt eines Leistungshalbleiterbauelements mit einem pn-Lastübergang, der zwischen einer p-dotierten Zone und einer n-dotierten Zone ausgebildet ist, wobei in einen an den pn-Lastübergang angrenzenden Abschnitt der n-dotierten Zone Teilchen eingestrahlt werden, und
  • 3b den Abschnitt des Halbleiterbauelements gemäß 3a, das nach der Bestrahlung mit Teilchen mit einer Randabschrägung versehen wurde.
  • In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche Teile mit gleicher Bedeutung.
  • 1 zeigt einen Abschnitt eines Halbleiterkörpers 1, der eine Vorderseite 9 aufweist. In dem Halbleiterkörper ist ein Leistungshalbleiterbauelement realisiert, das einen pn-Lastübergang 25 aufweist, der zwischen einer schwach n-dotierten Zone 20 und einer p-dotierten Zone 10 ausgebildet ist. Die Herstellung des pn-Lastübergangs 25 erfolgt derart, dass in den Halbleiterkörper 1, der mit einer schwachen n-Dotierung versehen ist, p-dotierende Teilchen eingebracht werden, so dass die p-dotierte Zone 10 und damit der pn-Lastübergang 25 entstehen.
  • Das Leistungshalbleiterbauelement weist einen Volumenbereich 2 auf, der den pn-Lastübergang 25 enthält, sowie einen sich in einer lateralen Richtung daran anschließenden Randbereich 3, der sich in der lateralen Richtung r bevorzugt bis einem äußeren Rand 11 des Halbleiterkörpers 1 erstreckt. Auf der Vorderseite 9 des Halbleiterkörpers 1 ist eine Anodenelektrode 8 angeordnet, die die p-dotierte Zone 10 kontaktiert.
  • In eine Bestrahlungszone 5, die sich ausgehend von der Vorderseite 9 in den Halbleiterkörper 1 hineinerstreckt, werden Teilchen 30 eingestrahlt, die im Halbleiterkörper 1 akzeptorartige Zustände erzeugen. Dies bewirkt insbesondere in den schwach n-dotierten Teilbereichen der Bestrahlungszone 5 eine Absenkung der n-Dotierung und damit eine Verringerung der dort maximal auftretenden Feldstärke. Als Teilchen 30 eignen sich insbesondere Heliumionen.
  • Die Bestrahlungszone 5 erstreckt sich in der vertikalen Richtung z vorzugsweise ausgehend von der Vorderseite 9 des Halbleiterkörpers 1 bis zu einer maximalen Tiefe t1 in die schwach n-dotierte Zone 20 hinein. Diese maximale Tiefe t1 ist vorzugsweise größer gewählt als die in der vertikalen Richtung z gemessene Dicke d1 der p-dotierten Zone 10. Besonders bevorzugt erstreckt sich der pn-Lastübergang 25 innerhalb der ersten Bestrahlungszone 5 bis zur Oberfläche 9 des Halbleiterkörpers 1.
  • In einer zur vertikalen Richtung z senkrechten lateralen Richtung r erstreckt sich die Bestrahlungszone 5 ausgehend von der dem äußeren Rand 11 bzw. dem Randbereich 3 zugewandten Seite des pn-Lastübergangs 25 in positiver lateraler Richtung r vorzugsweise bis hin zum äußeren Rand 11, in negativer lateraler Richtung -r vorzugsweise über einen Bereich der Länge l. Die Länge l beträgt bevorzugt zwischen dem einfachen und dem dreifachen der Diffusionslänge der Ladungsträger, d. h. der Löcher, in der n-dotierten Zone 20. Damit umfasst die Bestrahlungszone 5 bei ausreichender maximaler Tiefe t1 auch einen im Volumenbereich 2 auf der der Vorderseite 9 abgewandten Seite der p-dotierten Zone 10 angeordneten Abschnitt 52 der schwach n-dotierten Zone 20. Neben dem schwach n-dotierten Abschnitt 52 weist die Bestrahlungszone 5 noch einen schwach n-dotierten, im Randbereich 3 angeordneten Abschnitt 53 auf. Die Abschnitte 52 und 53 bilden zusammen die schwach n-dotierte Teilzone 51 der Bestrahlungszone 5.
  • Die Bestrahlungszone 5 kann außerdem noch einen Abschnitt der p-dotierten Zone 10 aufweisen. Der hierdurch bewirkte Effekt ist jedoch vernachlässigbar.
  • Gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel kann die Anodenelektrode 8 als Maske zur Bestrahlung verwendet werden. Optional ist es jedoch ebenso möglich, hierzu eine separate Maske einzusetzen, die vor der Vorderseite 9 des Halbleiterköpers 1 angeordnet ist.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren kann insbesondere auch dann angewendet werden, wenn das Leistungshalbleiterbauelement nahezu vollständig prozessiert ist, insbesondere dann, wenn der Halbleiterkörper 1 bereits mit einer Passivierungsschicht 12 versehen ist.
  • In 2a ist ein Leistungshalbleiterbauelement dargestellt, das dem Leistungshalbleiterbauelement gemäß 1 entspricht, das jedoch zusätzlich einen p-dotierten Feldring 11 aufweist. Der p-dotierte Feldring 11 erstreckt sich ausgehend von der Vorderseite 9 des Halbleiterkörpers 1 in der vertikalen Richtung z in die schwach n-dotierte Zone 20 hinein und bildet mit dieser einen pn-Übergang 26 aus. Der Feldring 11 ist in der lateralen Richtung r von der p-dotierten Zone 10 beabstandet.
  • 2b zeigt den Verlauf des elektrischen Feldes an der Vorderseite 9 des Halbleiterkörpers 1, d. h. bei z = 0, in Abhängigkeit von der lateralen Richtung r vor der Bestrahlung. Dabei ist zu erkennen, dass der Betrag des elektrischen Feldes jeweils an der dem Volumenbereich 2 abgewandten Seite der p-dotierten Zone 10 bzw. des p-dotierten Feldrings 11 ein Maximum E1 bzw. E2 annimmt.
  • Um diese Maximalwerte E1, E2 des elektrischen Feldes zu verringern, sind an den entsprechenden Stellen in 2a Bestrahlungszonen 5 bzw. 6 vorgesehen, in die akzeptorartige Zu stände erzeugende Teilchen 30, vorzugsweise Heliumionen, unter Verwendung einer an der Vorderseite 9 angeordneten Maske 40 eingestrahlt werden. Die Bestrahlungszonen 5, 6 umfassen schwach n-dotierte Teilzonen 51 bzw. 61, in denen es durch die Einstrahlung der Teilchen 30 zu einer weiteren Absenkung der n-Dotierung und somit zu einer Absenkung der in den Bestrahlungszonen 5, 6 maximal auftretenden Feldstärken kommt. Die erste Bestrahlungszone 5 umfasst bevorzugt vorzugsweise einen Abschnitt des pn-Lastübergangs 25, die Bestrahlungszone 6 bevorzugt einen Abschnitt des pn-Übergangs 26.
  • In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel sind die Bestrahlungszonen 5, 6 in einem Abstand t2 von der Vorderseite 9 des Halbleiterkörpers 1 beabstandet. Die Bestrahlungszonen 5, 6 können sich jedoch ebenso wie die Bestrahlungszone 5 gemäß 1 bis zur Vorderseite 9 des Halbleiterkörpers 1 erstrecken.
  • Anstelle von nur einem Feldring 11 können im Randbereich 3 auch mehrere derartiger, in der lateralen Richtung r voneinander sowie von der p-dotierten Zone 6 beabstandeter Feldringe angeordnet sein. Dabei kann jeder der Feldringe entsprechend der Bestrahlungszone 6 des Feldrings 11 eine auf seiner dem Volumenbereich abgewandten Seite angeordnete Bestrahlungszone aufweisen.
  • Anstatt mehrerer voneinander unabhängiger Bestrahlungszonen 5, 6 kann auch nur eine einzige Bestrahlungszone vorgesehen sein, die sich in der lateralen Richtung r von einer Koordinate r1 – l vorzugsweise bis zum äußeren Rand 11 des Halbleiterkörpers 1 erstreckt. Auch hier beträgt die Länge l bevorzugt das ein- bis dreifache der Diffusionslänge der Ladungsträger der n-dotierten Zone 20.
  • Die 3a und 3b zeigen ein Leistungshalbleiterbauelement, bei dessen Herstellung der Halbleiterkörper 1 zunächst mit akzeptorartige Zustände erzeugenden Teilchen 30, beispielsweise mit Heliumionen, bestrahlt und danach mit einer Randabschrägung versehen wird. Es ist aber auch denkbar, die Randabschrägung vor der Bestrahlung anzubringen.
  • In 3a ist ein Halbleiterkörper 1 dargestellt, in dem zwischen einer an der Vorderseite 9 des Halbleiterkörpers 1 angeordneten und schwach n-dotierten Zone 20 und einer p-dotierten Zone 10 ein pn-Lastübergang 25 ausgebildet ist. In eine Bestrahlungszone 5, die sich ausgehend von dem pn-Lastübergang 25 in die schwach n-dotierte Zone 20 hineinerstreckt, werden Teilchen 30, beispielsweise Heliumionen, unter Verwendung einer strukturierten Maske 40 eingestrahlt, die dort akzeptorartige Zustände erzeugen und so die schwache n-Dotierung der Bestrahlungszone 5 weiter absenken.
  • In einem nachfolgenden Schritt wird von dem Halbleiterkörper 1 Halbleitermaterial entfernt, so dass eine Randabschrägung entsteht. Durch diese Randabschrägung weisen die Äquipotentiallinien 71, 72 an der Oberfläche des Halbleiterkörpers 1 im Bereich der Randabschrägung einen Abstand a2 auf, der größer ist, als der Abstand a1 dieser Äquipotentiallinien 71, 72 im Volumenbereich 2. Damit ist das elektrische Feld im Bereich der Randabschrägung geringer als im Volumenbereich 2, was bedeutet, dass der Randbereich 3 eine höhere Durchbruchsfestigkeit aufweist als der Volumenbereich 2.
  • Die Abschrägung ist vorzugsweise so gewählt, dass der pn-Lastübergang 25 im Bereich der Randabschrägung an die Oberfläche des Halbleiterkörpers 1 tritt. Die Bestrahlungszone 5 erstreckt sich ausgehend von dieser Stelle in der negativen lateralen Richtung -r über eine Länge l von vorzugsweise dem ein- bis dreifachen der Diffusionslänge der Ladungsträger der n-dotierten Zone 20.
  • Anstelle einer solchen linearen Randabschrägung kann der Halbleiterkörper 1 auch anders geformte Aussparungen an der Vorderseite 9 aufweisen.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich für eine Vielzahl verschiedener Halbleiterbauelemente, insbesondere für Dioden, Thyristoren oder IGBTs. Es eignet sich insbesondere auch für eine nachträgliche Erhöhung der Randsperrfähigkeit solcher Bauelemente, da die Einstrahlung von Teilchen 30 in den Halbleiterkörper 1 selbst dann noch möglich ist, wenn dieser bereits vollständig oder nahezu vollständig prozessiert und beispielsweise bereits mit einer Passivierungsschicht versehen ist.

Claims (19)

  1. Verfahren zur Erhöhung der Randsperrfähigkeit eines Leistungshalbleiterbauelements mit folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1), der einen Volumenbereich (2) und einen in einer lateralen Richtung (r) daran angrenzenden Randbereich (3) aufweist, sowie einen zwischen einer n-dotierten Zone (20) und einer p-dotierten Zone (10) ausgebildeten pn-Lastübergang (25), und – Einstrahlen akzeptorartige Zustände erzeugender Teilchen (30) in eine erste Bestrahlungszone (5), die an der dem Randbereich (3) zugewandten Seite des pn-Lastübergangs (25) angeordnet ist und die zumindest eine an den pn-Lastübergang (25) angrenzende Teilzone (51) der n-dotierten Zone (20) im Randbereich (3) umfasst, derart, dass der Dotierungsgrad der n-dotierten Zone (20) abgesenkt wird, wobei der Leitfähigkeitstyp der n-dotierten Zone (20) fortbesteht.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem sich die erste Bestrahlungszone (5) in der lateralen Richtung (r) ausgehend von der dem Randbereich (3) zugewandten Seite des pn-Lastübergangs (25) in Richtung des Randbereichs (3) bis zu einem äußeren Rand (11) des Halbleiterkörpers (1) erstreckt.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem sich die erste Bestrahlungszone (5) in der negativen lateralen Richtung (-r) ausgehend von der dem Randbereich (3) zugewandten Seite des pn-Lastübergangs (25) in Richtung des Volumenbereichs (2) über eine Länge (l) erstreckt, die zwischen der einfachen und der dreifachen Diffusionslänge der Ladungsträger der n-dotierten Zone (20) beträgt.
  4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem sich die erste Bestrahlungszone (5) bis zur Oberfläche (9) des Halbleiterkörpers (1) erstreckt.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem sich der pn-Lastübergang (25) innerhalb der ersten Bestrahlungszone (5) bis zur Oberfläche (9) des Halbleiterkörpers (1) erstreckt.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die erste Bestrahlungszone (5) von der Oberfläche (9) des Halbleiterkörpers (1) beabstandet ist.
  7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der Randbereich (3) wenigstens einen p-dotierten Feldring (11) aufweist, der von der p-dotierten Zone (10) beabstandet ist, der sich ausgehend von der Oberfläche (9) des Halbleiterkörpers (1) in die n-dotierte Zone (20) hinein erstreckt und der mit dieser jeweils einen weiteren pn-Übergang (26) ausbildet, mit folgendem Schritt: – Einstrahlen akzeptorartige Zustände erzeugender Teilchen (30) in wenigstens eine weitere Bestrahlungszone (6), die die dem Volumenbereich (3) abgewandte Seite des wenigstens einen Feldringes (11) umfasst und die zumindest eine an den betreffenden weiteren pn-Übergang (26) angrenzende weitere Teilzone (61) der n-dotierten Zone (20) umfasst, derart, dass der Dotierungsgrad der n-dotierten Zone (20) abgesenkt wird, wobei der Leitfähigkeitstyp der n-dotierten Zone (20) fortbesteht.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem das Einstrahlen akzeptorartige Zustände erzeugender Teilchen (30) in die erste Bestrahlungszone (5) und in die wenigstens eine weitere Bestrahlungszone (6) in demselben Bestrahlungsschritt erfolgt.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 oder 8, bei dem sich die zumindest eine weitere Bestrahlungszone (6) bis zur Oberfläche (9) des Halbleiterkörpers (1) erstreckt.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem sich der einer weiteren Bestrahlungszone (6) zugeordnete weitere pn-Übergang (26) innerhalb dieser weiteren Bestrahlungszone (6) bis zur Oberfläche (9) des Halbleiterkörpers (1) erstreckt.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, bei dem zumindest eine weitere Bestrahlungszone (6) von der Oberfläche (9) des Halbleiterkörpers (1) beabstandet ist.
  12. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die erste Bestrahlungszone (5) und/oder die wenigstens eine weitere Bestrahlungszone (6) den gesamten Randbereich (3) umfasst.
  13. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche mit folgendem Schritt: – Herstellen eines geometrischen Randabschlusses durch Entfernen von Halbleitermaterial des Halbleiterkörpers (1) zumindest im Randbereich (3) derart, dass ein Abschnitt der Oberfläche (9) des Halbleiterkörpers (1) abgesenkt wird.
  14. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem sich die erste Bestrahlungszone (5) in der vertikalen Richtung (z) von der Oberfläche (9) bis zu einer Tiefe (t1) erstreckt, die größer ist als die in der vertikalen Richtung (z) gemessene Dicke (d1) der p-dotierten Zone (10).
  15. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem als n-dotierende Teilchen (30) Heliumionen verwendet werden.
  16. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der Halbleiterkörper (1) vor dem Einstrahlen akzeptorartige Zustände erzeugender Teilchen (30) mit einer Passivierungsschicht (12) versehen wird.
  17. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem beim Einstrahlen akzeptorartige Zustände erzeugender Teilchen (30) eine die p-dotierte Zone (10) kontaktierende Elektrode (8) als Maske verwendet wird.
  18. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das Leistungshalbleiterbauelement eine Diode ist.
  19. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das Leistungshalbleiterbauelement ein IGBT oder ein Thyristor ist.
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