DE102005023129A1 - Bauteil mit einer Hitzekrone - Google Patents

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Abstract

Eine Hitzekrone (3, 3') als wärmeabführendes Element auf einem Halbleiterchip (13, 13') hat ein Bodenelement (15, 15') für den Kontakt mit dem Halbleiterchip (13, 13') und obere Kontaktflächen (4, 4') zur Abfuhr von Wärme vom Halbleiterchip (13, 13') an die Umgebung. Mehrere nachgiebige Verbindungselemente (7, 7') verbinden die Bodenelemente (15, 15') mit den oberen Kontaktflächen (4, 4'). Diese sind so ausgebildet, dass eine Verschiebung der oberen Kontaktfläche (4, 4') bezüglich zur Bodenfläche (15, 15') ermöglicht ist.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Hitzekrone zur Wärmeabfuhr von einem Halbleiterchip, ein elektronisches Bauteil, ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils und einen Nutzen mit einem Substratrohling.
  • Mit kontinuierlicher Erhöhung der Integrationsdichte und der Funktionalität von Halbleiterchips wird eine effektive Abfuhr von Verlustwärme zu einer immer wichtiger werdenden Herausforderung, die sich den Entwicklern in der Halbleiterindustrie stellt. Zur Abfuhr von Verlustwärme werden unter Anderem verschiedene an sich bekannte Gehäuse-Konzepte weiterentwickelt und modifiziert.
  • Aus der US2004/0036172A1 ist ein Bauteil mit einem Halbleiterchip und mit einem so genannten Interposer bekannt. Der Interposer dient zur Abfuhr von Wärme von dem Halbleiterchip an eine Oberfläche des elektronischen Bauteils. Außerdem wird ein elektronisches Bauteil mit einem Interposer und mit einem so genannten Heatspreader beschrieben, in dem der Heatspreader, der sich an einer Oberfläche des Halbleiterbauteils befindet, zu einer besseren Wärmeabfuhr von dem Interposer dient. Die beschriebenen Lösungen sind im Hinblick auf den relativ hohen Herstellungsaufwand noch nicht vollständig zufrieden stellend.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt nun die Aufgabe zu Grunde, eine einfache Konstruktion zur Wärmeabfuhr von einem Halbleiterchip anzugeben, die es erlaubt ein elektronisches Bauteil derart weiterzubilden, dass es auf zuverlässige und einfache Weise hergestellt werden kann. Des Weiteren soll die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils sowie einen geeigneten Nutzen mit einem Substratrohling angeben.
  • Diese Aufgabe wird im Hinblick auf die Konstruktion zur Wärmeabfuhr von einem Halbleiterchip durch den Gegenstand des unabhängigen Patentanspruchs 1 gelöst.
  • Erfindungsgemäß wird eine Hitzekrone zur Wärmeabfuhr von einem Halbleiterchip vorgeschlagen. Die Hitzekrone weist ein Bodenelement und eine oder mehrere obere Kontaktflächen. Das Bodenelement kann eine beliebige Geometrie aufweisen, z.B. rund oder im Wesentlichen rechteckig sein, und dient zur Kontaktierung der Hitzekrone mit dem Halbleiterchip. Eine oder mehrere obere Kontaktflächen der Hitzekrone dienen zur Abfuhr von Wärme vom Halbleiterchip an die Umgebung bzw. an einen dafür vorgesehenen Kühlblock. Ein oder mehrere nachgiebige Verbindungselemente verbinden das Bodenelement thermisch und mechanisch mit einem oder mehreren oberen Kontaktflächen und sind so ausgebildet, dass eine Verringerung des Abstandes zwischen der oberen Kontaktfläche(n) und der Bodenfläche ermöglicht ist.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den jeweiligen abhängiger. Patentansprüchen. Ein Verbindungselement wird als s-förmige Feder ausgestaltet und/oder die oberen Kontaktflächen bilden einen geschlossenen Ring. Diese Konstruktion gewährleistet hohe Parallelität zwischen dem Bodenelement und der oberen Kontaktflächen auch bei stärkeren Deformationen der Hitzekrone. Dadurch kann auch eine eventuelle Verkippung des Halbleiterchips bezüglich des Trägersubstrats durch asymmetrische Deformation der Hitzekrone Gasgeglichen werden.
  • Wird ein Ende des Verbindungselements als obere Kontaktfläche ausgebildet, dann erlaubt dies die Hitzekrone in einfacher Weise aus einem flachen Blech biegetechnisch herzustellen.
  • Werden Verbindungselemente einstückig mit dem Bodenelement und mit der bzw. mit den oberen Kontaktflächen ausgebildet, kann dadurch eine Vereinfachung des Herstellungsverfahrens und der Handhabung der Hitzekrone erzielt werden.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung wird im Hinblick auf den elektronischen Bauteil durch den Gegenstand des unabhängigen Anspruchs 6 gelöst. Diese Konstruktion ist für eine effektive Wärmeabfuhr vom Halbleiterchip geeignet, da die Verlustwärme hauptsächlich auf der Vorderseite des Chips entsteht und das Bodenelement der Hitzekrone üblicherweise auf der Chipvorderseite aufliegt. Vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung wird in den Unteransprüchen 7-10 dargestellt. Zwischen dem Bodenelement und der Chipvorderseite kann eine elektrisch isolierende Klebeschicht vorgesehen sein. Dafür kann als Klebeschicht sowohl eine Klebstoffschicht wie auch ein Klebefilm dienen.
  • Um eine effektive Weitergabe von Wärme durch die Hitzekrone an die Umgebung zu ermöglichen, sollen die oberen Kontaktflächen der Hitzekrone möglichst dicht an den Außenflächen des elektronischen Bauteils liegen. Dies wird dadurch erzielt, dass die oberen Kontaktflächen an der Oberfläche des Kunststoffgehäuses liegen, d.h. die oberen Kontaktflächen bündig mit der Oberfläche des Kunststoffgehäuses abschließen.
  • Vorteilhaft ist es, wenn sich zwischen der bzw. den oberen Kontaktflächen und der Oberfläche des Kunststoffgehäuses ein Kühlblock befindet. Ein gut wärmeleitender Kühlblock besitzt eine größere Außenfläche als die oberen Kontaktflächen der Hitzekrone und dient zu einem besseren Wärmeaustausch zwischen dem Halbleiterbauteil und der Umgebung. Vorteilhaft ist es, wenn der Kühlblock bündig mit der Oberfläche des Kunststoffgehäuses abschließt, wodurch eine besonders gute thermische Verbindung mit einem externen Kühlkörper ermöglicht wird.
    •
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung wird im Hinblick auf einen Nutzen – als Zwischenprodukt zur Herstellung der die Erfindung aufweisenden elektronischen Bauteile – durch den Gegenstand des Patentanspruchs 11 gelöst. Nutzen werden als Zwischenprodukte zur Herstellung elektronischer Bauteile Es wird beansprucht ein Nutzen aus einem Substratrohling, auf dem eine Vielzahl von Halbleiterchips aufgebracht sind, wobei die Halbleiterchips mit je einer erfindungsgemäßen Hitzekrone bestückt und in einer Kunststoffmasse eingebettet sind. Eine Weiterbildung der Erfindung ist im abhängigen Anspruch 12 angegeben. Nutzen werden als Zwischenprodukte im Herstellverfahren der Halbleiterbauteile erzeugt.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung wird im Hinblick auf das Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils durch den Gegenstand des Patentanspruchs 13 gelöst.
  • Eine Weiterbildung der Erfindung ist im Patentanspruch 14 angegeben.
  • Alternativ zu dem erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren nach Patentanspruch 13 können Bauteile einzeln gemoldet werden. In diesem Fall werden die fertig gemoldeten Bausteine, die sich auch auf einem Lead-Frame befinden können, durch einen Stanz-Schritt vereinzelt werden, sodass die erfindungsgemäße Hitzekrone problemlos auch für Lead-Frame basierte Bausteine eingesetzt werden kann.
    •
  • Die Erfindung wird im Folgenden unter Bezugnahme auf die Zeichnung beschrieben.
  • 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein die Erfindung aufweisendes elektronisches Bauteil,
  • 2 zeigt einen Querschnitt durch ein elektronisches Bauteil gemäß 1 mit einer Kippung des Halbleiterchips
  • 3 zeigt einen schematischen. Querschnitt durch ein weiteres die Erfindung aufweisendes elektronisches Bauteil,
  • 4 zeigt schematisch eine Matrix aus elektronischen Bauteilen gemäß 1 während eines Prozessschrittes zu Herstellung eines Kunststoffgehäuses,
  • 5 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine Hitzekrone des elektronischen Bauteils gemäß 1 bis 3,
  • 6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Hitzekrone gemäß 5,
  • 7 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine weitere erfindungsgemäße Hitzekrone,
  • 8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Hitzekrone aus 7,
  • 9 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine weitere Ausführungsform der Hitzekrone mit zueinander gerichteten Verbindungselementen,
  • 10 zeigt einen schematischen Querschnitt durch die Hitzekrone aus 9.
  • 1 zeigt einen Querschnitt durch ein elektronisches Bauteil 1, das in Form eines BGA-Gehäuses mit einer Kunststoffmasse 2 aufgebaut ist und das eine Oberfläche 20 und Seitenflächen 19 aufweist. Das Bauteil 1 hat ferner ein Substrat 10, auf dem ein Halbleiterchip 13 angeordnet ist. Auf dem Halbleiterchip 13 liegt eine Hitzekrone 3.
  • Das Substrat 10 hat eine mit oberen Kontaktierungselementen versehene Isolierschicht, Leiterbahnen in bzw. auf der Isolierschicht und Durchkontakte. Diese Komponenten sind hier nicht dargestellt.
  • Der Halbleiterchip 13, der mit seiner inaktiven Rückseite 12 auf dem Substrat 10 aufliegt und mit einer unteren Klebeschicht 6b fixiert ist, weist mehrere Anschlusskontakte (nicht dargestellt) auf seiner Chipvorderseite 8 auf. Bonddrähte 9 verbinden die Anschlusskontakte und die oberen Kontaktierungselemente.
  • Die Hitzekrone 3 weist eine obere Kontaktfläche 4 und ein Bodenelement 15, welches eine untere Fläche 5 hat, sowie einen oberen Ring 14 und vier Verbindungselemente 7 in Form von S-Federn auf, wovon nur zwei zu sehen sind. Die Hitzekrone 3 ist auf der Chipvorderseite 8 vermittels einer oberen Klebeschicht 6a angebracht. Die obere Kontaktfläche 4 der Hitzekrone 3 schließt mit der Oberfläche 20 des elektronischen Bauteils 1 bündig ab.
  • 2 zeigt ein elektronisches Bauteil wie 1, jedoch mit einer Verkippung des Halbleiterchips 13 bezüglich des Substrats 10, verursacht durch eine ungleichmäßige Auftragung der Klebeschicht 6b. Durch eine asymmetrische Deformation der Hitzekrone 3 wird diese Verkippung ausgeglichen, sodass die obere Kontaktfläche 4 der Hitzekrone 13 bündig mit der Oberfläche 20 des elektronischen Bauteils abschließt.
  • 3 zeigt einen Querschnitt durch ein zweites elektronisches Bauteil 1'. In wesentlichen Teilen entspricht das zweite elektronische Bauteil 1' dem elektronischen Bauteil 1 aus 1 und 2. Gleiche Teile haben deshalb dieselben Bezugsziffern jedoch mit einem Apostroph versehen. Auch dieser Aufbau entspricht einem BGA-Gehäuse mit einer Kunststoffmasse 2', mit einem Substrat 10', einem Halbleiterchip 13' und einer Hitzekrone 3', wobei das Bauteil 1' mit einem Kühlblock 16 versehen ist. Der Kühlblock 16 befindet sich zwischen der Kontaktfläche 4' und der Oberfläche 20', sodass die obere Fläche des Kühlblocks 16 mit der Oberfläche 20' des elektronischen Bauteils 1' bündig abschließt.
  • 4 soll die Herstellung des elektronischen Bauteils 1 aus 1 veranschaulichen. Dieses auch als Matrix-Molden bekannte Verfahren, in dem mehrere Halbleiterchips 13 gleichzeitig in die Kunststoffmasse 2 eingeschlossen werden, wird im Folgenden erläutert.
  • In einem ersten Schritt wird ein Substratrohling 18 bereitgestellt. Danach werden in einem zweiten Schritt eine Vielzahl von Halbleiterchips 13 auf den Substratrohling 18 aufgebracht; z.B. durch Kleben.
  • In einem dritten Schritt werden Bonddrähte 9 zwischen Anschlüssen (nicht dargestellt)auf den Halbleiterchips 13 und Kontaktierungselementen (nicht dargestellt) auf dem Substratrohling 18 ‚gebondet' und die Halbleiterchips 13 mit den Hitzekronen 3 versehen.
  • In der Folge wird auf diese Matrix aus Halbleiterchips eine Moldkappe 17 aufgesetzt und mit ihren Seitenwänden rings herum an dem Substratrohling 18 abgedichtet. Dabei liegt die Moldkappe 17 direkt auf den oberen Kontaktflächen 4 der Hitzekronen 3 auf, die durch ihre federnden Eigenschaften nur einen geringen und für die Halbleiterchips 13 nicht zerstörenden Druck auf die Chipvorderseiten 8 ausüben.
  • Danach wird der Hohlraum unter der Moldkappe 17 mit einer Kunststoffmasse gefüllt. Oberfläche 20 und Höhe eines jeweiligen noch zu separierenden elektronischen Bauteils wird somit durch die Moldkappe 17 definiert.
  • Anschließend wird ein auf diese Weise geschaffene Nutzen in einzelne Bauteile zersägt. Dabei ergeben die Sägflächen die Seitenflächen 19 der Bausteine 1.
  • 5 zeigt eine Draufsicht auf die in 1 bis 3 dargestellte Hitzekrone 3. Wie man in dieser Ansicht besonders gut sieht, gliedert sich die Hitzekrone 3 in einen oberen Ring 14, in ein Bodenelement 15 und in vier Verbindungselemente 7, die sich zwischen dem oberen Ring 14 und dem Bodenelement 15 erstrecken. Die Verbindungselemente 7 sind aus dem gleichen Material einstückig mit dem oberen Ring 14 und dem Bodenelement 15 s-förmig ausgebildet.
  • 6 zeigt einen Querschnitt durch die Hitzekrone 3 aus 5 entlang der Schnittlinie A-A. Wie man deutlich sieht, sind Teilbereiche der Hitzekrone 3 als Verbindungselemente 7 ausgebildet, die sich s-förmig zwischen dem oberen Ring 14 und dem Bodenelement 15 erstrecken.
  • Für die Herstellung der Hitzekrone 3 gemäß 1 bis 5 wird ein Blech aus Kupfer oder Kupferlegierung genommen, das plastisch verformbar ist, gute Wärmeleitung besitzt aber auch über eine ausreichende Elastizität verfügt. Eine Platte aus diesem Material wird in einem einzigen Stanzschritt zu der in 1 bis 6 dargestellten Hitzekrone ausgeschnitten und geformt. Anwendung von zwei getrennten Prozessschritten – erst Ausschneiden und dann Verformen – führt natürlich zum gleichen Ergebnis.
  • 7 und 8 zeigen eine zweite Ausführungsform einer Hitzekrone 3' in der Draufsicht bzw. im Querschnitt entlang der Schnittlinie B-B.
  • Die Verbindungselemente 7' erstrecken sich von dem Bodenelement 15' bogenförmig weg nach außen. Die obere Flächen 4' werden dabei von entsprechenden Abschnitten der Verbindungselemente 7' gebildet.
  • Auch hier eignet sich das Stanzen für die Herstellung der Hitzekrone 3', in dem das Ausschneiden und das Formen der Hitzekrone 3' aus einem Blech in einem Prozessschritt geschieht, wobei prinzipiell auch eine Anwendung von zwei getrennten Prozessschritten – erst Ausschneiden und dann Verformen – möglich wäre. Ebenso kann die hier gezeigte Hitzekrone 3' galvanisch auf einem entsprechenden Substrat aufgezogen werden.
  • 9 und 10 zeigen eine weitere Ausführungsform der Hitzekrone 3' in der Draufsicht bzw. im Querschnitt B-B. Auch hier sind die Verbindungselemente 7' zu sehen, die sich von dem Bodenelement 15' aus nach oben und nach innen d.h. zueinander gerichtet erstrecken. Die obere Flächen 4' werden auch hier von entsprechenden Abschnitten der federnden Elemente 7' gebildet.
  • Für die Herstellung der Hitzekrone 3' aus 9 und 10 wird ein Blech erst sternförmig ausgeschnitten bzw. galvanisch aufgewachsen, um dann die seitlich ausgehenden Streifen nach oben derart zu verbiegen, dass die gewünschte Form der Hitzekrone 3 erreicht wird.
  • Für eine gute Wärmeleitung kann die Hitzekrone aus einem Metall oder Metalllegierung hergestellt sein, vorzugsweise aus Kupfer oder Kupferlegierung. Diese Materialien sind verhältnismäßig günstig, besitzen ausreichende Verformbarkeit und eine sehr hohe Wärmeleitfähigkeit.
  • Die Einfachheit der Konstruktion der Hitzekrone in allen Ausführungsformen erlaubt es, für ihre Herstellung verschiedene Methoden zu verwenden. Eine Hitzekrone kann beispielsweise durch Prägestanzen, galvanisches Aufwachsen oder Ätzen sowie biegetechnisch hergestellt werden.
  • Zur Herstellung einer Hitzekrone durch Prägestanzen sind folgende Schritte vorgesehen:
    • – Bereitstellen eines dünnen Metall-Blechs einer typischen Dicke von 50 bis 200 μm,
    • – Bereitstellen einer Prägeform und eines Schneidstempels,
    • – Herunterdrücken des Schneidstempels auf die Prägeform,
    wodurch in einem einzigen Prägestanzvorgang eine Hitzekrone aus dem Metall-Blech ausgebildet wird, die ein Bodenelement, eine oder mehrere obere Kontaktflächen und mehrere nachgiebige Verbindungselemente aufweist, die das Bodenelement mit den oberen Kontaktflächen verbinden.
  • Herstellung einer Hitzekrone durch galvanisches Aufwachsen weist folgende Schritte auf:
    • – Bereitstellen einer Kathode, die Formbereiche für ein Bodenelement und Verbindungselemente aufweist,
    • – Bereitstellen eines Elektrolyts mit Metall-Ionen,
    • – Bereitstellen einer Anode,
    • – Bereitstellen einer Gleichstromquelle,
    • – Bildung eines Schaltkreises aus dem Elektrolyten, aus der Anode, aus der Kathode und aus der Gleichstromquelle,
    • – Abscheiden der Hitzekrone auf die Anode vermittelst Elektrolyse beim Durchfluss eines Gleichstroms zwischen der Anode und der Kathode.
  • Durch dieses Herstellungsverfahren lassen sich präzisere Strukturen herstellen, was bei kleineren Bauteilen von Vorteil ist.
  • Gehäuse für Halbleiter werden häufig mittels Spritzgusstechnik (holden) hergestellt – dabei wird der zu umhüllende Halbleiter in eine zwei oder mehrteilige Form gelegt – die Formteile werden durch großen Druck aneinander gepresst und erzeugen den Hohlraum für das Gehäuse das dann mit der Kunststoffmasse (hold) gefüllt wird. Durch das Moldwerkzeug wird Druck auf den Halbleiter ausgeübt und kann diesen leicht beschädigen. Die Federkraft, die schließlich auf den Halbleiterchip wirkt, kann durch konstruktive Maßnahmen (Material, Dicke) eingestellt werden. Damit kann eine Beschädigung des Chips beim Schließen der Presse verhindert werden. Mechanische Toleranzen im Moldwerkzeug sowie im Substrat/Diepad – Aufbau werden durch die Federwirkung der Hitzekrone abgefangen. Daraus resultiert ein Vorteil, nämlich dass der obere Teil der Hitzekrone an der Oberfläche des Gehäuse zu sehen bzw. diese Flächen nicht von Moldresten bedeckt ist, was eine thermische Isolation bzw. schlechter Wärmetransport zur Folge hätte. Es ist also möglich, an diese Metallflächen eine Wärmesenke zu befestigen (z.B. einen Kühler).
    • 1
    Elektronisches Bauteil
    2
    Kunststoffmasse
    3
    Hitzekrone
    4
    Obere Kontaktfläche
    5
    Untere Fläche
    6
    Klebeschicht
    7
    Verbindungselement
    8
    Chipvorderseite
    9
    Bonddrähte
    10
    Substrat
    11
    Balls
    12
    Chiprückseite
    13
    Halbleiterchip
    14
    Oberer Ring
    15
    Bodenelement
    16
    Kühlblock
    17
    Moldkappe
    18
    Substratrohling
    19
    Seitenfläche
    20
    Oberfläche

Claims (14)

  1. Hitzekrone (3) zur Verwendung als wärmeabführendes Element auf einem Halbleiterchip (13) mit: – einem Bodenelement (15) zur Kontaktierung einer Vorderseite (8) des Halbleiterchips (13), – wenigstens einer oberen Kontaktfläche (4, 4') zur Abfuhr von Wärme vom Halbleiterchip (13), dadurch gekennzeichnet, dass das Bodenelement (15) mit der wenigstens einen oberen Kontaktfläche (4, 4') durch wenigstens ein nachgiebiges Verbindungselement (7, 7') verbunden ist.
  2. Hitzekrone (3) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein Verbindungselement (7) als s-förmige Feder ausgebildet ist.
  3. Hitzekrone (3) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine obere Kontaktfläche (4, 4') einen geschlossenen oberen Ring (14) bildet.
  4. Hitzekrone (3) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass ein Ende des Verbindungselements (7, 7') als obere Kontaktfläche (4, 4') ausgebildet ist.
  5. Hitzekrone (3) nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein Verbindungselement (7, 7') einstückig mit dem Bodenelement (15) und mit der wenigstens einen Kontaktfläche (4, 4') ausgebildet ist.
  6. Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip (13), mit einer Kunststoffmasse (2) und mit einer Hitzekrone nach einem der vorangehenden Ansprüche.
  7. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine obere Kontaktfläche (4, 4') bündig mit der Oberfläche (20) der Kunststoffmasse (2) abschließt.
  8. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der wenigstens einen oberen Kontaktfläche (4, 4') der Hitzekrone (3') und der Oberfläche (20) der Kunststoffmasse (2) sich ein Kühlblock (16) befindet.
  9. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Kühlblock (16) bündig mit der Oberfläche (20) des Kunststoffgehäuses (2) abschließt.
  10. Elektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Bodenelement (15, 15') und der Chipvorderseite (8) sich eine Klebeschicht (6) befindet.
  11. Nutzen mit einem Substratrohling (18), auf dem eine Vielzahl von Halbleiterchips (13') aufgebracht sind, wobei auf den Halbleiterchips (13') je eine Hitzekrone (3') nach einem der Ansprüche 1 bis 5 vorgesehen ist und wobei auf der mit den Halbleitchips (13') bestückten Seite des Substratrohlings (18) eine Kunststoffasse (2) aufgebracht ist.
  12. Nutzen nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass auf je einer Hitzekrone (3') sich je ein Kühlblock (16) befindet.
  13. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils (1) mit folgenden Schritten: – Bereitstellung eines Substratrohlings (18), – Aufbringen einer Vielzahl von Halbleiterchips (13') auf den Substratrohling (18), – Löten von Bonddrähten zwischen den sich auf den Halbleiterchips (13') befindenden Kontaktierungselementen und denen auf dem Substratrohling (18), – Versehen von Halbleiterchips (13') mit je einer Hitzekrone (3'), – Aufsetzen einer Moldkappe (17) auf die Vielzahl von Halbleiterchips (13'), sodass die Moldkappe (17) die oberen Kontaktflächen (4') von Hitzekronen (3') berührt und mit den Seitenwänden an dem Substratrohling (18) abgedichtet ist, – Auffüllen der Moldkappe (17) mit einer Kunststoffmasse (2), – Entfernen der Moldkappe (17), – Aufbringen von Balls (11') auf der unteren Seite des Substratrohlings (18), – Zersägen des Nutzens zu einzelnen elektronischen Bauteilen (1).
  14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Aufbringen der Hitzekronen (3') die Halbleiterchips (13') mit Kühlblöcken (16) bestückt werden.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3226289A1 (de) 2016-03-30 2017-10-04 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Elektronische vorrichtung mit einem wärmeableitungsorgan

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19500422A1 (de) * 1994-01-11 1995-07-13 Samsung Electronics Co Ltd Halbleiterbaustein mit hoher thermischer Emission
WO2002061830A1 (en) * 2001-01-31 2002-08-08 Young Sun Kim Heat dissipation type semiconductor package and method of fabricating the same
US20040036172A1 (en) * 2002-08-26 2004-02-26 Chikara Azuma Semiconductor device package with integrated heatspreader
US6858931B2 (en) * 2001-03-12 2005-02-22 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Heat sink with collapse structure for semiconductor package

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19500422A1 (de) * 1994-01-11 1995-07-13 Samsung Electronics Co Ltd Halbleiterbaustein mit hoher thermischer Emission
WO2002061830A1 (en) * 2001-01-31 2002-08-08 Young Sun Kim Heat dissipation type semiconductor package and method of fabricating the same
US6858931B2 (en) * 2001-03-12 2005-02-22 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Heat sink with collapse structure for semiconductor package
US20040036172A1 (en) * 2002-08-26 2004-02-26 Chikara Azuma Semiconductor device package with integrated heatspreader

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3226289A1 (de) 2016-03-30 2017-10-04 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Elektronische vorrichtung mit einem wärmeableitungsorgan
FR3049764A1 (fr) * 2016-03-30 2017-10-06 Commissariat Energie Atomique Dispositif electronique pourvu d'un organe de dissipation de la chaleur
US9997431B2 (en) 2016-03-30 2018-06-12 Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas Electronic device provided with a thermal dissipation member

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