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Die
Erfindung betrifft einen Dichtring für eine Einrichtung zum photoelektrochemischen
Nassätzen und/oder
Ausmessen der Ladungsträger-Konzentration einer
Halbleiterprobe mittels einer im Betrieb mit einer Elektrolyt-Flüssigkeit
gefüllten
photoelektrochemischen Zelle,
- • der an
einer Durchbrechung der elektrochemischen Zelle anbringbar ist,
- • der
aus einem gegen Elektrolyte resistenten Material besteht,
- • der
ein Dichtungsende aufweist, an dem die zu ätzende und/oder auszumessende
Halbleiterprobe anlegbar ist, und
- • der
eine zum Licht-Durchtritt bestimmte innere Licht-Durchtrittsöffnung besitzt, die – entlang
ihrer Zentralachse gesehen – auf
das Dichtungsende nach innen konisch sich verengend zuläuft.
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Ein
solcher Dichtungsring ist aus der
WO2004/008523 A2 bekannt.
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Auf
dem Gebiet des photoelektrochemischen Nassätzens und/oder des Ausmessens
der Ladungsträger-Konzentration
einer Halbleiterprobe mit elektrochemischem CV-Profiling werden
Dichtungsringe benötigt,
die vielfältigen
Anforderungen genügen
müssen.
Sie müssen
zunächst
einmal präzise
gearbeitet sein, damit die von ihnen definierte Messfläche nach
Möglichkeit
keinen Schwankungen unterliegt. Sie sollen bei Anpressen an eine
Halbleiterprobe eng anliegen, damit die Elektrolytflüssigkeit nicht
seitwärts
austreten kann. Bei diesem Anpressvorgang müssen sie möglichst formstabil bleiben,
so dass der Rand des Dichtrings die Halbleiterprobe möglichst
gleichmäßig abdeckt
und dass die Messfläche
eindeutig definiert ist. Sie müssen
darüber
hinaus eine innere Licht-Durchtrittsöffnung besitzen,
so das mittels einer Lichtquelle die Messfläche möglichst gleichmäßig und
vollständig
ausgeleuchtet werden kann. Bei dieser Lichtquelle kann es sich um eine
solche handeln, die für
den photoelektrochemischen Ätzvorgang
oder zum Beobachten der Messfläche
mittels eines Spiegels, eines Strahlteilers und/oder einer Kamera
eingerichtet ist.
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Aus
der
WO200400641 A2 ist
ein Gerät
zur Verbesserung der Genauigkeit und Wiederholbarkeit von elektrochemischen
ECV-Messungen bekannt. Dieses Gerät arbeitet mit einer Beleuchtungseinrichtung
wählbarer
Wellenlänge
zur Bestrahlung der Messfläche
und mit einer elektronischen Kamera zwecks Empfang des reflektierten
Lichts, wobei diese Kamera an einen PC angeschlossen ist. Hier wird an
der Messzelle ein Dichtring mit konisch verlaufender Außenfläche eingesetzt. Über die
Kontour der Licht-Durchlassöffnung
des Dichtrings ist keine Aussage gemacht. Aus
3 dieser
Veröffentlichung wird
deutlich, das sich der während
der Ätzung
entstehende Gasblasen primär
am Außenbereich
der Messfläche
ansammeln.
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Aus
der
DE 31 03 611 A1 ist
eine Vorrichtung zur Bestimmung des Tiefenprofils der Ladungsträger-Konzentration
in Halbleiterkristallen bekannt, die mit einem Dichtungsring in
Form eines O-Rings an einer elektrochemischen Zelle arbeitet. Dieser
O-Ring wird bei der Messung an den Halbleiterkristall angedrückt. Eine
solche Konstruktion birgt die Möglichkeit in
sich, dass Elektrolytflüssigkeit
in diejenige Fläche eindringen
kann, die zwischen dem zusammengedrückten O-Ring und der Halbleiterprobe entsteht. Diese
Fläche
ist unkontrolliert, so dass die benetzte Fläche von Messung zu Messung
unterschiedlich sein kann. Die Messfläche ist aber ein sehr entscheidender
Parameter zur Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration, so dass dieser
Wert mit einem Fehler behaftet wird. Darüber hinaus entsteht beim Ätzvorgang
ein Ätzkrater,
der aufgrund des schlecht definierten Messflächenrands keinen scharfen Rand aufweist.
Ein möglichst
scharfer Rand des Ätzkraters ist
aber oftmals sehr wichtig.
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Aus
der
DE 102 56 821
B4 ist eine Einrichtung zum photoelektrochemischen Ätzen einer
Halbleiterprobe, vorzugsweise einer Gallium-Nitrid-Probe, bekannt,
die mit einem Gefäß zur Aufnahme
von Elektrolyt-Flüssigkeit,
mit einer UV-Lichtquelle zum Bestrahlen der Halbleiterprobe mit
UV-Licht durch die Elektrolyt-Flüssigkeit
hindurch, mit einer Messeinrichtung des bei der UV-Licht-Bestrahlung
an der Kontaktfläche
entstehenden Photostroms, und mit einer auf die eingesetzte Halbleiterprobe
gerichteten Zuleitung für
frische Elektrolyt-Flüssigkeit
ausgerüstet
ist. Das Gefäß ist an
einer Seitenwand mit einer runden Durchbrechung versehen, an die
von außen ein
runder Dichtring aus elastischem Kunststoff angesetzt ist.
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Dieser
Dichtring begrenzt mit seiner Außenfläche eine Kontaktfläche auf
der Halbleiterprobe. Der Dichtring kann mit einem Schieber auswechselbar
montiert sein. Bei dieser Einrichtung ist der Dichtring mit einer
inneren zylindrischen Licht-Durchtrittsöffnung versehen.
Er besitzt eine Außenfläche, die
in Richtung auf die Halbleiterprobe konisch verengt ist.
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Bei
einer zylindrischen Licht-Durchtrittsöffnung in einem Dichtring lassen
sich einige Nachteile konstatieren:
- 1. Der
Halbleiterbereich am Rand der vom Dichtring begrenzten Messfläche lässt sich
schwer oder gar nicht beobachten. Dies ist darauf zurückzuführen, dass
sich das außen
zulaufende Ende des Dichtrings beim Anpressen geringfügig verformen
kann. Außerdem
ist zu beobachten, dass bei einer vergrößernden Betrachtung der Messfläche, z.
B. mittels einer Kamera, eine Einschränkung des Gesichtsfeldes am
Rande der Messfläche
auftritt.
- 2. Eine Abschattung des Randes der Messfläche ergibt sich bei einer Beleuchtung
der Messfläche mit
fokussiertem Licht, sobald dieses durch die Lichtdurchtrittsöffnung im
Dichtring hindurchtritt. Diese Beleuchtung ist aber viele Mess-
und/oder Ätzprozesse
erforderlich und sollte über
die gesamte Messfläche
möglichst
bis zum Rand gleichmäßig sein.
- 3. Bei manchen Ätzprozessen
entstehen Gasblasen, die sich bevorzugt am Rand der Ätzfläche ansammeln.
Im Fall einer zylindrischen Licht-Durchtrittsöffnung liegen sie damit vollständig im
Bereich des Lichtwegs zur Ätzfläche. Sie stören damit
den Ätzvorgang.
Es sollte nach einer Möglichkeit
gesucht werden, diese Störung
gering zu halten.
- 4. Überdies
hat sich erwiesen, dass Elektrolytflüssigkeit in mögliche Abstände zwischen
einem Dichtring mit stumpfer Endfläche einerseits und der Halbleiteroberfläche andererseits
eindringen kann. Dies führt
erfahrungsgemäß dazu,
dass die benetzte Messfläche
mit der Endfläche
der Licht-Durchtrittsöffnung
nicht übereinstimmt.
Bereits oben wurde dargelegt, dass die dadurch undefinierte Messfläche stark
in das Messergebnis eingeht und das hieraus starke Messfehler entstehen
können.
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Aus
der
WO 2004/008523
A2 ist der eingangs genannte Dichtring bekannt. Dieser
Dichtring besitzt eine konisch nach vorne zulaufende Außenfläche sowie
eine in zwei Stufen konisch nach vorne in Richtung auf die Halbleiterprobe
verlaufende Licht-Durchtrittsöffnung.
Der Dichtring besteht aus einem Kunststoff und ist in der Aufnahmeöffnung eines Ring-Halters
gehalten. Der Ring-Halter wiederum ist selbst in einem Schieber
untergebracht, welcher in eine elektrochemische Zelle einschiebbar
ist. Nach dem Einbringen wird die zu messende Halbleiterprobe an
die Dichtöffnung
angedrückt.
Der Ringhalter kann außen
ein Element besitzen, mit dem er ergriffen und in die elektrochemische
Zelle hineingeführt und
von dieser entfernt werden kann. Der anfangs stark konische Verlauf
der inneren Licht-Durchgangsöffnung geht
ab einem Absatz in eine sehr wenig konisch verlaufenden, praktisch
zylindrischen Endbereich in Richtung zur Dichtfläche über. Angaben über den
Winkel der Konizität
sind für
beide Teilbereiche nicht gemacht.
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Es
ist darauf hinzuweisen, dass bei diesem Dichtring gemäß 3 die
Dichtfläche
zum Halbleiter stumpf ausgebildet ist. Im Text ist ausdrücklich darauf
hingewiesen, „dass
in der einfachsten Ausführungsform
die Außenkante
des Dichtrings (Dichtfläche)
und die Halbleiterprobe genügend
parallel sind, so dass ein Leck zwischen beiden nicht entsteht". Allerdings wird
auch darauf hingewiesen, „dass
es vernünftig
ist, bei dieser Anordnung eine gewisse Selbstjustierung zu gewährleisten,
um Ausrichtungsfehler in der Maschine und mögliche Probleme mit der Probe
zu kompensieren." Hierfür wird eine
Kombination mit einem weitern Dichtring vorgeschlagen, so dass der
erste Dichtring dann schwimmend gelagert ist.
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Eine
solch schwimmende Lagerung ist eine sehr aufwendige und schwer kontrollierbare
Lösung, insbesondere
auch wenn man die kleinen Dimensionen üblicher Dichtringe in Betracht
zieht. Die oben unter Punkt 3 angesprochene Problematik bezüglich der
Gasblasen ist mittels dem hier verwendeten Absatz und dem praktisch
zylindrischen Endbereich der Licht-Durchtrittsöffnung in Richtung Dichtfläche allein nicht
lösbar.
Daher wird von einer deutlichen Spülung mittels komplizierter
Strukturen (Düsen
und Ableitungen) Gebrauch gemacht, weshalb die Konstruktion von
der einfachheitshalber zu erwartenden Rotationssymmetrie deutlich
abweicht. Da hier mit stumpfer Endfläche des Dichtrings gearbeitet
wird, wird die oben unter Punkt 4 angesprochene Problematik nicht gelöst.
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Auf
dem Markt sind von der Firma AOTI Operating Company Inc., Bend,
Oregon 97701 (USA) Dichtringe käuflich
erhältlich,
die ebenfalls mit einer zweistufigen Lichtdurchlassöffnung versehen
sind, wobei der vordere Teil der Licht-Durchtrittsöffnung wiederum eine praktisch
zylindrische Kontur besitzt. Diese Dichtringe sind an der Dichtfläche zur
Halbleiterprobe mit einer hervortretenden Dichtlippe von etwa 0,2
mm versehen. Mittels dieser Dichtlippe lässt sich die unter obigem Punkt
4 angesprochene Problematik erheblich verringern. Allerdings sind
die oben unter Punkt 1 bis 3 angesprochenen Probleme noch vorhanden.
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Die
DD 141 661 beschreibt eine
Vakuumspanneinrichtung zum Transport von Halbleiterscheiben. Hierbei
wird ein hochelastischer, mittig von einer Hülse gestützter Dichtungsring verwendet,
der endseitig eine nach außen
trichterförmig
ausgebildete Dichtungslippe aufweist. Die auf einem Aufnahmekörper befindliche
Aufnahmefläche
für die
Halbleiterscheiben besitzt an einer Ansaugöffnung stufenförmige Einsenkungen.
In den unteren Teil dieser Einsenkungen ist der Dichtungsring eingesetzt,
und zwar so, dass die Dichtungslippe um einen definierten Betrag über die
Auflagefläche
hinausragt. Der untere Teil der Hülse sitzt dabei in einer Bohrung
im Aufnahmekörper.
Bei Aufliegen einer Halbleiterscheibe auf der Dichtungslippe und
gleichzeitigem Saugzug über
die Hülse
wird der obere Teil der Dichtungslippe in den oberen Teil der Einsenkungen
nach außen
hin berührungsfrei
hineingezogen. Mit anderen Worten: Der obere Teil der Dichtungslippe
wird an der Halbleiterscheibe umgebogen. Dadurch ergibt sich ein
Festhalten der betreffenden Halbleiterscheibe auf der Auflagefläche des
Aufnahmekörpers.
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Es
ist anzumerken, dass diesem Stand der Technik ein anderer Anwendungsfall
zugrunde liegt als der vorliegenden Erfindung. Der Dichtungsring besitzt
eine innere Öffnung,
die am einen Ende zur Aufnahme der Hülse bestimmt und zylindrisch
ausgebildet sowie am anderen Ende zum Umknicken in Richtung auf
die Einsenkungen bestimmt und nur dort konisch ausgebildet ist.
Der konische Teil öffnet sich
nach außen.
Ein solcher Dichtungsring mit zweistufiger innerer Öffnung und
nach außen
sich verbreiternder Öffnung
sollte bei einer elektrolytischen Zelle nicht angewendet werden.
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Aus
der
DE 197 28 962
A1 ist eine Vorrichtung zum Ätzen einer Halbleiterscheibe
(Wafer) bekannt, die nach Art einer Ätzdose aufgebaut ist und einen
Grundkörper
besitzt. An der Oberseite des Grundkörpers kann die Halbleiterscheibe – mit ihrer einen
Seite im Randbereich mittels einer umlaufenden Dichtung nach außen abgedichtet – angebracht werden.
Die Dichtung besteht hier aus zwei von einander beabstandeten, umlaufenden
Dichtungslippen, und in den Bereich zwischen den Dichtungslippen mündet eine
Unterdruckleitung. Diese Dichtung ist somit zur Abdichtung eines
ganzen Wafers, nicht jedoch zur Abdichtung einer definierten, genau
umgrenzten Fläche
auf dem Wafer vorgesehen. Über
einen Dichtring, der zum Lichtdurchtritt bei der Bestrahlung einer
definierten Fläche
auf dem Wafer vorgesehen sei, ist in dieser Literaturstelle nichts
ausgesagt.
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Auch
aus der
DE 199 11
084 A1 ist eine ringförmige
Dichtung bekannt, mit der der mit einer Elektrolyt-Flüssigkeit
gefüllte
Innenraum eines Prozessbehälters
gegenüber
der Außenwand
eines Halbleiter-Wafers, der mit einem Metall zu plattieren ist,
abgedichtet wird. Dieser Dichtring ist endseitig in die Öffnung in
einer Seitenwand des Prozessbehälters eingeschweißt. Er weist
eine nach innen gekrümmte Oberfläche und
nahe der Wafer-Oberfläche
eine endseitig ebene Dichtlippe auf. Beim Anlegen an den Wafer wird
durch das ebene Ende der Dichtlippe eine – hier erwünscht – relativ große Berührungsfläche gebildet.
Eine große
Berührungsfläche wird
aber gemäß der vorliegenden
Erfindung als nachteilig angesehen. Der in dieser Druckschrift beschriebene
Dichtring wird zum Abdichten eines kompletten Wafers im Randbereich
verwendet. Über
einen Dichtring, der zum Lichtdurchtritt bei der Bestrahlung einer
definierten Fläche
auf dem Wafer vorgesehen ist, ist in dieser Literaturstele nichts
ausgesagt. Der Dichtring hat keine speziell ausgeformte Dichtlippe,
und trifft den Halbleiterwafer in ca. rechtem Winkel. Würde ein
solcher Dichtring für
die hier erfoderliche Begrenzung einer kleinen Fläche auf
dem Wafer verwendet, so würden
sich an dem Übergang
zwischen Dichtring und Halbleiter Blasen fangen können, die
eine kleinere Messfläche
unzulässig
stören
würden.
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Die
JP 04-171961 A betrifft
eine elektrochemische Zelle zum Messen der Ladungsträgerkonzentration
einer Halbleiterscheibe. Die Zelle wird mittels eines Dichtrings,
der im Betrieb von UV-Licht durchstrahlt wird, an die Halbleiterscheibe
angelegt. Der Dichtring besitzt dabei eine Lichtdurchtritts-Öffnung, die
nach vorne hin sich verjüngend
konisch ausgebildet ist. Es ist hier festzustellen, dass dieser
Dichtring an seiner Auflagefläche
an der Halbleiterscheibe keine ausgebildete spitzwinklige Dichtlippe
besitzt. Er liegt somit mit relativ großer Auflagefläche an der Halbleiterprobe
an. Diese relativ große
Auflagefläche kann
sich bei der Messung ganz oder teilweise mit Elektrolyt-Flüssigkeit
füllen.
Dies führt
zu Meßungenauigkeiten,
wenn die Halbleiterscheibe direkt kontaktiert wird. Daher wird in
dieser Druckschrift vorgeschlagen, die Halbleiteroberfläche vor
der Messung mit einer elektrisch isolierenden Schicht, z. B. einer Lackschicht,
zu schützen.
Das hat jedoch den Nachteil, dass vor der Messung der Halbleiter
prozessiert werden muss, was einen erheblichen Zusatzaufwand bedeutet.
Außerdem
müssen
die Eigenschaften der isolierenden Schicht auf das Halbleitermaterial
und auf die verwendete Elektrolytflüssigkeit abgestimmt werden.
Dies bedeutet ebenfalls einen erheblichen Zusatzaufwand und kann
zu unerwünschten
Einschränkungen
bei der Auswahl des Halbermaterials und/oder der Elektrolytflüssigkeit
führen.
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Die
Erfindung beruht auf der Beobachtung, dass sich durch geeignete
Dimensionierung und Geometrie die oben unter Punkt 1 bis 4 angesprochenen Probleme
zumindestens weitgehend beseitigen lassen.
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Der
Erfindung liegt demnach die Aufgabe zugrunde, einen Dichtring der
eingangs genannten Art auszugestalten, so
- 1.
dass bei vergrößernder
Betrachtung der Messfläche,
z. B. mittels einer Kamera, keine Einschränkung des Gesichtsfeldes am
Rande der Messfläche
auftritt,
- 2. dass bei einer Beleuchtung der Messfläche mit fokussiertem Licht
sich keine Abschattung des Randes der Messfläche ergibt,
- 3. dass die bei manchen Ätzprozessen
entstehenden Gasblasen weniger stören, und
- 4. dass die Messfläche
reproduzierbar einstellbar ist.
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Diese
Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen
Dichtring gelöst,
der dadurch gekennzeichnet ist,
- • dass er
einen Grundkörper
und ein an dessen Vorderseite befindliche vorspringende spitzwinklige
Dichtlippe aufweist, deren Ende als das Dichtungsende vorgesehen
ist und die eine – in
Richtung der Zentralachse gemessene – Höhe von maximal 1,0 mm und einen
Winkel im Bereich von 10° bis
40° besitzt,
- • dass
der Öffnungswinkel
des konischen Verlaufs der inneren Licht-Durchtrittsöffnung im Bereich von 10–40° liegt, und
- • dass
sich der konische Verlauf der inneren Licht-Durchtrittsöffnung vom
Grundkörper
ausgehend durchgehend bis an das Ende der Dichtlippe geradlinig
und ohne Absatz fortsetzt.
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Es
ist also festzuhalten, dass dieser Dichtring sehr einfach aufgebaut
ist, ohne Absatz im Verlauf der Licht-Durchtrittsöffnung auskommt
und dennoch überraschenderweise
die in den Punkten 1 bis 4 angesprochene Problematik weitestgehend
beseitigt. Er benutzt dazu die an sich bekannte spitzwinklige Dichtlippe,
die hier allerdings in ihrem Innenbereich relativ stark konisch
verläuft.
Der Öffnungswinkel
des konischen Verlaufs ist so gewählt, dass die besagten Gasblasen
nicht mehr in dem inneren Bereich des Randes der Messfläche, wo
sie stören,
festgehalten werden, sondern dass sie nach außen abdriften können.
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Eine
bevorzugte Ausführungsform
des Dichtrings zeichnet sich dadurch aus, dass er vollständig rotationssymmetrisch
ausgebildet ist.
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Das
Ende der Dichtlippe sollte, wie erwähnt, gegen die Zentralachse
gemessen einen Winkel im Bereich von 10° bis 40° aufweisen. Dieser Winkel sollte
vorzugsweise etwa 20° betragen.
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Die
Außenfläche des
Dichtrings kann zumindest einen, aber auch mehrere, konische Bereiche aufweisen.
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Von
Vorteil ist es, wenn an seiner Außenfläche eine Vertiefung oder Nut
zum Greifen mit einem Werkzeug aufweist, die insbesondere in seinem
mittleren Bereich angeordnet ist. Durch das sichere Greifen mit
einem Werkzeug wird die Gefahr verringert, dass die Dichtlippe bei
der Handhabung des Dichtrings beschädigt wird.
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Für die übliche Vorgehensweise
bei der Messung ist es zweckmäßig, einen
Wert zwischen 0,5 und 20 mm2, vorzugsweise
einen Wert bei 1,0 oder 10 mm2, besitzt.
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Der
Grundkörper
des Dichtrings sollte zum Einfassen in einer Fassung an der Durchbrechung der
elektrochemischen Zelle ausgebildet sein. Wichtig ist dabei, dass
man den Dichtring von vorne, dass heißt von der vorderen Außenseite
der elektrochemischen Zelle aus, leicht auswechseln kann. Demgemäss ist gemäss einer
Weiterbildung vorgesehen, dass die Fassung einen Schieber, insbesondere
den Schieber einer Schwalbenschwanz-Führung, umfasst, der für eine auswechselbare
Montage des Grundkörpers
samt Dichtlippe vorgesehen ist.
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In
einer besonders vorteilhaften konstruktiven Ausführungsform ist der Dichtring
in eine runde Schalbenschwanz-Halterung einschiebbar und dort mittels
eines keilförmigen
Schiebers und eines an diesem angreifenden Excenters feststellbar.
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Weitere
bevorzugte Ausführungsformen
sind in den Unteransprüchen
gekennzeichnet.
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Ausführungsbeispiele
der Erfindung werden im folgenden anhand von 5 Figuren näher erläutert. Es
zeigen
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1 eine
elektrochemische Zelle mit erfindungsgemäßem Dichtring im Querschnitt,
-
2 eine
vergrößerte Darstellung
des in 1 verwendeten Dichtrings im Querschnitt,
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3 eine
weiter vergrößerte Darstellung der
verwendeten Dichtlippe,
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4 eine
elektrochemische Zelle mit Verschiebeeinrichtung zum Halten des
Dichtrings in Vorderansicht und
-
5 einen
Schnitt durch 4 in Blickrichtung A-A.
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In 1 ist
ein Ausschnitt einer Einrichtung 1 zum photoelektrochemischen
Nassätzen
und/oder Ausmessen der Ladungsträger-Konzentration
einer Halbleiterprobe dargestellt. Sie zeigt, dass in einem im wesentlichen
quaderförmigen
Körper
oder Gefäß 2 aus
Kunststoff, z. B. aus Teflon (PTFE), ein zylindrischer Elektrolyt-Raum 4 zentral
angeordnet ist. Der Körper 2 stellt
die elektrochemische Zelle dar. Der Elektrolyt-Raum 4 nimmt
im Betrieb Elektrolyt-Flüssigkeit 6 auf.
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Er
ist in 1 zur rechten Seite des Gefäßes 2 hin kegelförmig verengt
und endet an der rechten vertikalen Seitenwand in einer runden Durchbrechung 8,
an die von außen
ein runder Dichtring 10 mit Zentralachse 10a und
mit zentraler Licht-Durchtrittsöffnung 11 aus
Kunststoff angesetzt ist. Wenn der Dichtring 10 an eine
zu ätzende
und/oder zu messende, auf einer Halteplatte 9 festgehaltene,
Halbleiterprobe 12 angesetzt ist, die vertikal ausgerichtet
ist, so ist der Elektrolyt-Raum 4 nach
rechts flüssigkeitsdicht
abgeschlossen. Die Licht-Durchtrittsöffnung 11 besitzt
einen sich nach rechts konisch verengenden Verlauf. Der Dichtring 10 begrenzt
eine Kontakt- oder Messfläche 14 auf
der Halbleiterprobe 12. Der Dichtring 10 ist mit
einem später
in 3 und 4 gezeigten Schieber auswechselbar
montiert. Es kann je nach Messaufgabe ein Dichtring 10 verwendet
werden mit einer Kontaktfläche 14 von
10 mm2 oder 1 mm2.
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Von
links wird der Elektrolyt-Raum 4 durch ein Fenster 16 aus
Saphir, das für
UV-Licht durchlässig ist,
abgeschlossen. Für
die Ätzung
der Halbleiterprobe 12 kann durch dieses vertikal angeordnete Fenster 16 und
den Elektrolyt-Raum 4 hindurch aus einer (nicht gezeigten)
UV-Lichtquelle möglichst
paralleles oder leicht fokussiertes UV-Licht 18 auf die Kontaktfläche 14 gestrahlt
werden. Als UV-Lichtquelle
kann z. B. eine Quecksilberdampf-Lampe oder eine Halogen-Lampe verwendet
werden, je nach Bandlücke
des Halbleiters. Zur Beobachtung kann durch das Fenster 16 hindurch
das Licht einer (nicht gezeigten) Beobachtungs-Lichtquelle eingestrahlt werden. In
diesem Fall ist zum Empfang des reflektierten Lichtes zweckmäßigerweise über einen
(nicht gezeigten) Lichtteiler eine (nicht gezeigte) elektronische
Kamera vorgesehen, die mit einem (nicht gezeigten) elektronischen
Datenverabeitungssystem, insbesondere einem PC, verbunden ist. Damit
lässt sich
die Kontaktfläche 14 in
Bezug auf verschiedene Parameter beobachten.
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Unter
einem Winkel α von
ca. 30° gegen
die Flächennormale
der Kontaktfläche 14 ist
in der oben gezeigten Wand des Gefäßes 2 eine Zuleitung 20 für frische
Elektrolyt-Flüssigkeit 6 so
in Richtung der Kontaktfläche 14 eingelassen,
dass die frische Elektrolyt-Flüssigkeit 6 gegen
die Kontaktfläche 14 mit
einer (nicht gezeigten) Pumpe aus einem (nicht gezeigten) Flüssigkeitsbehälter gepumpt
werden kann.
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Einzelheiten
des Dichtrings 10 sind in den 2 und 3 gezeigt.
Er besteht danach aus einem Grundkörper 22 und einer
an dessen Vorderseite befindlichen vorspringenden spitzwinkligen,
vergleichsweise kleinen Dichtlippe 24. Das Ende der Dichtlippe 24 dient
als Dichtungsende 13. In Richtung der Zentralachse 10a gemessen
besitzt die Dichtlippe 24 eine Höhe h von etwa 0,2 mm. Wichtig
ist, dass sich der konische Verlauf der inneren Lichtdurchtrittsöffnung 11 vom
breiteren Ende des Grundkörpers 22 bis
an das äußere Dichtungsende 13 der
Dichtlippe 24 geradlinig und ohne Absatz fortsetzt. Im
Gebrauch kann sich die Höhe
h der Dichtlippe 24 allerdings mit der Zeit etwas verringern,
und es kann sich eine leichte Verbiegung des äußeren Randes der Dichtlippe 24 nach
innen in Richtung auf die Licht-Durchtrittsöffnung 11 ergeben.
Wie dargestellt, kann der Öffnungswinkel β des konischen
Verlaufs der Licht-Durchtrittsöffnung 11 gegen
die Zentralachse 10a im Bereich von 10° bis 40° liegen. Von besonderem Vorteil
wurde eine Öffnungswinkel β gefunden,
der bei etwa 20° ± 5° liegt.
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Der
Dichtring 10 ist gemäß 2 bezüglich der
Zentralachse 10a vollkommen rotationssymmetrisch ausgebildet.
Er besteht bevorzugt aus Kunststoff. Aus 2 wird auch
deutlich, dass die Außenfläche 26 im
wesentlichen konisch ausgebildet ist. Sie weist eine rotationssymmetrisch
umlaufende Vertiefung oder eine Nut 28 auf, so dass ein
oberer und ein unterer Flächenbereich 27 bzw. 30 entsteht.
Diese Vertiefung 28 ist vorgesehen, um den Dichtring 10 mit
einem (nicht gezeigten Werkzeug), z. B. einer Pinzette, möglichst
sicher zu greifen und zu handhaben. Nach 3 besitzt
das Ende der Dichtlippe 24 einen spitz zulaufenden Winkel γ, der im
Bereich von 10° bis
40° liegt.
Hier hat sich ein Winkel γ von
etwa 20° ± 5° als besonders
vorteilhaft erwiesen.
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Die
untere Außenfläche 30 des
Grundkörpers 22 ist
konisch ausgebildet, damit der Grundkörper 22 in einer Fassung
an der Durchbrechung 8 der elektrochemischen Zelle auswechselbar
festgehalten werden kann. Wie anhand der 4 und 5 deutlich
wird, ist diese Fassung im geschlossenen Zustand rotationssymmetrisch
ausgebildet, damit der Dichtring 10, insbesondere am Dichtungsende 13, beim
Fassen nicht verzogen wird.
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Gemäß 4 und 5 ist
die Fassung weiterhin so ausgebildet, dass man den Dichtring 10 von
vorne, dass heißt
von der Vorderseite 3 des Körpers 2 der elektrochemischen
Zelle, leicht ausgewechseln kann. Dazu ist auf der Vorderseite 3 der elektrochemischen
Zelle 2 eine halbrunde Schwalbenschwanz-Halterung 32 angebracht.
In diese kann von unten in Richtung des Pfeils 34 der Grundkörper 22 zur
Hälfte
eingebracht werden. Die Außenkante der
halbrunden Schwalbenschwanz-Halterung 32 ist mit 36 bezeichnet.
Zum Fixieren in der Endstellung dient ein keilförmiger Schlitten 38,
der in einer keilförmigen
Schwalbenschwanzführung 50 läuft und
der mittels eines Excenters 40 nach oben gedrückt werden
kann. Die Schwalbenschwanz-Halterung 32 und die Schwalbenschwanzführung 50 sind
sehr flach gearbeitet, mit einer Höhe von nur etwa 1 mm. Der Excenter 40 ist
um eine Excenter-Achse 42 in Pfeilrichtung 44 dreh-
und spannbar. Zum Verstellen dient ein Schlitz 46 im Excenter 40,
in den ein (nicht dargestellter) Schraubendreher eingeführt werden
kann. Der Excenter 40 ist aus Metall, der keilförmige Schlitten 38 aus
Kunststoff. In gespanntem Zustand steht die dem Excenter 40 zugewandte
Kante des dünnen Schlittens 38 unter
einer leichten Spannung, so dass dies die Spannstellung des Excenters 40 fixiert.
In der Endstellung befindet sich der obere Teil der konischen Außenfläche 30 in
der Schwalbenschwanz-Halterung 36, während sich der untere Teil der
konischen Außenfläche 30 in
einer halbrunden Schwalbenschwanz-Halterung 48 am oberen
Ende des Schlittens 38 befindet. Die konische Außenfläche 30 ist
somit insgesamt von den Schwalbenschwanz-Halterungen 32, 48 umschlossen.
Hierdurch wird eine symmetrische Fassung gebildet.
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Es
soll noch darauf hingewiesen werden, dass der Dichtring 10 insbesondere
für eine
Einrichtung 1 vorgesehen sein kann, die mit einer (nicht
gezeigten) Beleuchtungseinrichtung und einer (nicht gezeigten) Kamera
zur Beobachtung der Qualität
der Messfläche 14,
der Qualität
der Dichtlippe 24 und/oder des Vorhandenseins von Gasblasen
an der Messfläche 14 ausgerüstet sein
kann, wobei die Kamera an einer (nicht gezeigten) Datenverarbeitungsanlage,
wie einem PC, angeschlossen ist. Insbesondere sollte die Datenverarbeitungsanlage
eine Einrichtung oder ein Programm zur Messung der Größe der Messfläche 14 und/oder
zum Erkennen von Blasen an der Messfläche 14 besitzen.
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- 1
- Einrichtung
- 2
- Gefäß, Körper, elektrochemische
Zelle
- 3
- Vorderseite
des Körpers 2
- 4
- Elektrolyt-Raum
- 6
- Elektrolyt-Flüssigkeit
- 8
- Durchbrechung
- 9
- Halteplatte
- 10
- Dichtring
- 10a
- Zentralachse
- 11
- Licht-Durchtrittsöffnung
- 12
- Halbleiterprobe
- 13
- Dichtungsende
- 14
- Kontaktfläche
- 16
- Fenster
- 18
- UV-Licht
- 20
- Zuleitung
- 22
- Grundkörper
- 24
- Dichtlippe
- 26
- Außenfläche
- 27
- Obere
konische Außenfläche
- 28
- Vertiefung
oder Nut
- 30
- Untere
konische Außenfläche
- 32
- Schwalbenschwanz-Halterung
- 34
- Pfeil
- 36
- Unterkante
der halbrunden Schwalbenschwanz-Halterung 32
- 38
- Keilförmiger Schlitten
oder Schieber
- 40
- Excenter
- 42
- Excenter-Achse
- 44
- Pfeilrichtung
- 46
- Schlitz
- 48
- Halbrunde
Schwalbenschwanz-Halterung
- 50
- Keilförmige Schwalbenschwanz-Führung
- α, β, γ
- Winkel
- h
- Höhe der Dichtlippe 24