DE102005014427A1 - Verfahren zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelement - Google Patents

Verfahren zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelement Download PDF

Info

Publication number
DE102005014427A1
DE102005014427A1 DE102005014427A DE102005014427A DE102005014427A1 DE 102005014427 A1 DE102005014427 A1 DE 102005014427A1 DE 102005014427 A DE102005014427 A DE 102005014427A DE 102005014427 A DE102005014427 A DE 102005014427A DE 102005014427 A1 DE102005014427 A1 DE 102005014427A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
semiconductor chip
dam
semiconductor
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102005014427A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102005014427B4 (de
Inventor
Holger Dipl.-Ing. Wörner
Edward Dipl.-Ing. Fürgut
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE102005014427A priority Critical patent/DE102005014427B4/de
Priority to US11/388,551 priority patent/US20060255435A1/en
Publication of DE102005014427A1 publication Critical patent/DE102005014427A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102005014427B4 publication Critical patent/DE102005014427B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements (1), welches zumindest einen auf einem Substrat (4) angeordneten Halbleiterchip (5) aufweist, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Aufbringen eines elastischen Dammes (11) auf dem Halbleiterchip (5); Einbringen des auf dem Substrat (4) angeordneten Halbleiterchips (5) in ein aus einer unteren und einer oberen Werkzeughälfte (14, 2) bestehendes Moldwerkzeug (15); Schließen des Moldwerkzeugs (15), so dass mit einer inneren Oberfläche (16) der oberen Werkzeughälfte (2) der elastische Damm (11) vollständig kontaktiert wird und Umspritzen des Halbleiterbauelements (1) mit einer Pressmasse (20).

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren, insbesondere ein Transfermoldverfahren, zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements sowie ein Halbleiterbauelement, welches mittels des Verfahrens hergestellt ist.
  • Im Stand der Technik ist es bekannt, Halbleiterchips mittels eines Transfermoldverfahrens zu verkapseln. Um eine Oberfläche auf dem Halbleiterchip von dem Gehäusematerial freizuhalten bzw. gegen das Gehäusematerial während des Transfermoldverfahrens abzudichten, wie es beispielsweise bei Fingertip-Sensoren, Biosensoren, BAW/SAW-Filtern notwendig ist, stellte bisher die gängigste Variante, die zum Abdichten einer Oberfläche verwendet wurde, das Folienmolding dar.
  • Dabei wird über die obere Moldwerkzeughälfte eine Folie gespannt, die beim Klemmen der beiden Werkzeughälften so zusammengepresst wird, dass sie eine Dichtfunktion übernimmt. Hierbei ist jedoch von Nachteil, dass dieses Verfahren nur sehr grobe Toleranzen zulässt, ein hohes Risiko von Drahtbeschädigungen birgt und nur ein geringes Ausgleichsvermögen bei Chipdickenschwankungen aufweist, denn die verwendete Folie kann keine großen Schwankungen kompensieren.
  • Weiterhin ist im Stand der Technik ein Verfahren zum Herstellen von IC-Sensorgehäusen bekannt, bei welchem eine flexible Lage eingesetzt wird, die im Moldwerkzeug fixiert ist, und die die Abdichtung der freizuhaltenden Oberfläche des ICs übernimmt. Der Nachteil hierbei ist jedoch, dass ein produkt spezifisches Moldwerkzeug verwendet werden muss. Darüber hinaus besteht bei diesem Verfahren eine Problematik bezüglich des Verschleißes der stark beanspruchten flexiblen Lage, da sie bei hohen Drücken und hohen Temperaturen eingesetzt wird.
  • Bei einem anderen aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren, welches dem zuvor beschriebenen Verfahren ähnlich ist, wird das flexible Material nicht vollflächig sondern lediglich in Rahmenform angebracht. Es ergeben sich jedoch auch hierbei die gleichen Nachteile wie beim Einsatz der vollflächigen flexiblen Lage.
  • Auch sind Werkzeugkonstruktionen bekannt, bei denen eine gefederte Platte bzw. ein Stempel die Abdichtung übernimmt. Nachteilig hierbei sind die sowohl aufwendige als auch empfindliche Konstruktion sowie Probleme beim Abdichten der Führungen, was zu einem schnellen Festfressen der Stempel führt.
  • Oft wird aufgrund der oben genannten Probleme anstelle eines Moldverfahrens ein sogenanntes Dam & Fill-Dispensverfahren eingesetzt. Dieses Verfahren ist allerdings bezüglich der geometrischen Maßhaltigkeit, den Toleranzen, den verfügbaren Materialien und der Prozessführung nachteilig.
    •
  • Daher ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Verkapseln von Halbleiterbauelementen sowie ein mittels des Verfahrens hergestelltes Halbleiterbauelement zu schaffen, wobei das Verfahren kein spezifisches Moldwerkzeug erfordert, jedoch eine zuverlässige Abdichtung jeglicher abzudichtender Bereiche gewährleistet.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements mit den Merkmalen gemäß Anspruch 1 so wie durch ein Halbleiterbauelement mit den Merkmalen gemäß Anspruch 17 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den abhängigen Ansprüchen definiert.
  • Erfindungsgemäß bereitgestellt wird demnach ein Verfahren zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements, welches zumindest einen auf einem Substrat angeordneten Halbleiterchip aufweist, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Aufbringen eines elastischen Dammes auf dem Halbleiterchip; Einbringen des auf dem Substrat angeordneten Halbleiterchips in ein aus einer unteren und einer oberen Werkzeughälfte bestehendes Moldwerkzeug; Schließen des Moldwerkzeugs, so dass mit einer inneren Oberfläche der oberen Werkzeughälfte der elastische Damm vollständig kontaktiert wird, und Umspritzen des Halbleiterbauelements mit einer Pressmasse. Mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Abdichtfunktion somit nicht mehr auf Seiten des Moldwerkzeuges sondern auf der Seite der abzudichtenden Fläche, d. h. auf dem Halbleiterbauelement bzw. auf dem Halbleiterchip selbst, realisiert. Dementsprechend wird der Damm, welcher aus einem elastischen Material besteht, auf dem Halbleiterchip derartig aufgebracht, dass er die abzudichtende Fläche vollständig umläuft. Während des Moldvorgangs bzw. während des Schließens der oberen und unteren Moldwerkzeughälften wird dieser Damm aufgrund seiner Elastizität um ein definiertes Maß zusammengedrückt. Dadurch entsteht über der abzudichtenden Fläche eine geschlossene Kavität, in die keine Pressmasse fließen kann. Die gewünschten Bereiche werden so auf einfache Art und Weise und ohne Verwendung eines spezifischen Moldwerkzeugs von der Pressmasse freigehalten. Weiterhin kann das Moldwerkzeug auch nicht derartig verschleißen, wie es bei denjenigen, die im Stand der Technik eingesetzt werden, der Fall ist. Das erfindungsgemäße Verfahren kann prinzipiell bei jeglicher Art von sogenannten "Exposed Die Packages" eingesetzt werden, bei denen ein Teil der Chipfläche frei von Pressmasse gehalten werden muss. Wie bereits erwähnt, sind hierfür typische Beispiele Fingertip-Sensoren, Biosensoren und BAW/SAW-Filter, aber auch Gehäuse, bei denen ein Heatspreader direkt auf dem Silizium kontaktiert werden soll. Eine weitere Einsatzmöglichkeit sind "Land-On-Top"(LOT)-Gehäuse, bei denen auf der Gehäuseoberseite Anschlussflächen für die Montage eines weiteren Gehäuses bereitgestellt werden müssen. Somit ist das erfindungsgemäße Verfahren vielfältig und variabel einsetzbar.
  • Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel umfasst das Verfahren weiterhin den Schritt des Fixierens des zumindest einen Halbleiterchips auf dem Substrat, insbesondere durch Aufkleben.
  • Bevorzugt ist es weiterhin, wenn das Verfahren den Schritt des Bondens des Halbleiterchips, insbesondere des Die-Wire-Bondens, umfasst.
  • Vorzugsweise wird das Aufbringen des elastischen Dammes mittels bekannter Verfahren wie Dispensen, Drucken oder unter Verwendung von Preforms durchgeführt.
  • Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel umfasst das Verfahren weiterhin den Schritt des Aushärtens der Pressmasse.
  • Es ist besonders bevorzugt, wenn der Schritt des Schließens des Moldwerkzeugs unter Verwendung von Druck ausgeführt wird, so dass der Damm aufgrund seiner Elastizität um ein definiertes Maß zusammengedrückt wird. So können auch Höhentoleranzen der abzudichtenden Flächen während des Moldvorganges durch die Elastizität des Dammes ausgeglichen werden.
  • Als Pressmasse wird gemäß noch einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel des Verfahrens ein thermoplastisches Material, insbesondere Epoxidharz, verwendet.
  • Als Dammmaterial ist ein elastisches Kunststoffmaterial bevorzugt, insbesondere können Silikon oder Polyurethan verwendet werden.
  • Gemäß einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel wird als Dammmaterial Gummi verwendet.
  • Vorzugsweise wird der Damm derart auf dem Halbleiterchip aufgebracht, dass er eine abzudichtende Fläche vollständig umläuft. Die Höhe des Dammes ist ebenfalls so zu wählen, dass Toleranzen der Bauteilhöhen berücksichtigt und dadurch ausgeglichen werden.
  • Weiterhin bevorzugt ist es, wenn der Damm, die abzudichtende Fläche des Halbleiterchips und ein Teil der inneren Oberfläche der oberen Werkzeughälfte des Moldwerkzeugs bei geschlossenen Moldwerkzeug eine geschlossene Kavität bilden, die gegen Pressmasse abgedichtet ist.
  • Vorzugsweise weist das Substrat eine erste und eine zweite der ersten Oberfläche gegenüberliegende Oberfläche auf, wobei der Halbleiterchip auf der ersten Oberfläche des Substrats aufgebracht wird.
  • Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel liegt das Substrat mit seiner zweiten Oberfläche auf einer inneren Oberfläche der unteren Werkzeughälfte des Moldwerkzeugs auf.
  • Der Halbleiterchip weist darüber hinaus eine erste und eine zweite der ersten Oberfläche gegenüberliegende Oberfläche auf, wobei der Damm auf der ersten Oberfläche des Halbleiterchips gebildet wird.
  • Vorzugsweise wird der Halbleiterchip mit seiner zweiten Oberfläche auf der ersten Oberfläche des Substrats fixiert.
  • Auch ist es bevorzugt, wenn der Schritt des Umspritzens des Halbleiterbauelements mittels eines Transfer-Moldverfahrens durchgeführt wird.
  • Erfindungsgemäß wird weiterhin ein Halbleiterbauelement bereitgestellt, welches einen auf einem Substrat aufgebrachten und in einem Gehäuse verkapselten Halbleiterchip aufweist, wobei der Halbleiterchip und das Substrat jeweilig eine erste und eine zweite Oberfläche aufweisen, wobei der Halbleiterchip mit seiner zweiten Oberfläche auf der zweiten Oberfläche des Substrats aufliegt, wobei der Halbleiterchip auf seiner ersten Oberfläche einen eine abzudichtende Fläche eingrenzenden Damm aufweist.
  • Das Halbleiterbauelement kann einen Leadframe aufweisen, an welchen der Halbleiterchip über Leitungsdrähte gebondet ist.
  • Noch eine weitere bevorzugte Ausführungsform des Halbleiterbauelement sieht vor, dass der Halbleiterchip auf dem Substrat aufgeklebt ist.
  • Vorzugsweise ist das Gehäuse des Halbleiterbauelements mittels eines Transfer-Moldverfahrens gebildet.
  • Das Gehäuse des Halbleiterbauelements ist gemäß noch einer weiteren Ausführungsform aus einem thermoplastischen Material, insbesondere aus Epoxidharz, hergestellt.
  • Der Damm ist bevorzugt aus einem elastischen Material, insbesondere aus einem elastischen Kunststoffmaterial, hergestellt.
  • Besonders bevorzugte Materialien, aus denen der Damm des Halbleiterbauelements hergestellt ist, sind Silikon oder Polyurethan.
  • Alternativ kann der Damm aber auch aus Gummi hergestellt sein.
    •
  • Die Erfindung wird anhand der Zeichnung näher beschrieben. In der Zeichnung zeigt
  • 1 einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement und eine obere Moldwerkzeughälfte, wie sie im Stand der Technik verwendet wird;
  • 2 einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement und eine weitere obere Moldwerkzeughälfte, wie sie im Stand der Technik verwendet wird;
  • 3 einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement und noch eine weitere obere Moldwerkzeughälfte gemäß dem Stand der Technik;
  • 4 einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement und eine Moldwerkzeughälfte gemäß dem Stand der Technik;
  • 5 einen schematischen Querschnitt durch ein Substrat mit Halbleiterchips;
  • 6 einen schematischen Querschnitt durch ein Substrat mit Halbleiterchips, welche in ein Moldwerkzeug eingebracht werden;
  • 7 einen schematischen Querschnitt durch ein Substrat mit Halbleiterchips in einem Moldwerkzeug, welches geschlossen wird;
  • 8 einen schematischen Querschnitt durch ein Substrat mit Halbleiterchips in einem geschlossenen Moldwerkzeug beim Umspritzvorgang.
  • 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement 1, welches einen auf einem Substrat 4 angeordneten bzw. darauf aufgeklebten Halbleiterchip 5 aufweist. Der Halbleiterchip 5 ist über Leitungsdrähte 6 mit Kontaktflächen (nicht gezeigt) auf dem Substrat 4 elektrisch verbunden. Über dem Halbleiterbauelement 1 ist eine obere Moldwerkzeughälfte 2 angeordnet, wie sie gängigerweise zum Abdichten während des sogenannten Folienmoldings im Stand der Technik verwendet wird. Dabei wird in die obere Moldwerkzeughälfte 2 eine Folie 3 gespannt. Wenn das Substrat 4 zwischen der oberen Moldwerkzeughälfte 2 und der unteren Moldwerkzeughälfte (nicht gezeigt) beim Schließen der beiden Werkzeughälften geklemmt wird, wird die Folie 3 derartig gespannt, dass sie ei ne Dichtfunktion übernimmt, so dass beim Umspritzvorgang der Teil der Oberfläche des Halbleiterchips 5, welcher von der Folie 3 kontaktiert wird, von Pressmasse wie z. B. Epoxidharz, freigehalten wird.
  • 2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement und eine weitere obere Moldwerkzeughälfte, wie sie im Stand der Technik verwendet wird. Wie auch in 1, ist ein Halbleiterbauelement 1 unterhalb einer oberen Moldwerkzeughälfte 2 angeordnet; die untere Moldwerkezeughälfte ist auch in dieser Figur nicht gezeigt. Das Verfahren unterscheidet sich gegenüber dem in 1 dargestellten Folienmolding-Verfahren dadurch, dass anstelle der Folie 3 eine flexible Lage 7 zur Abdichtung des freizuhaltenden Bereichs auf der Oberfläche des Halbleiterchips 5 verwendet wird. Die flexible Lage 7 ist an der produktspezifisch ausgebildeten oberen Moldwerkzeughälfte 2 fixiert und somit einer hohen Beanspruchung, d. h. hohen Drücken und hohen Temperaturen während des Moldprozesses ausgesetzt.
  • 3 zeigt noch einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement 1, wie es bereits im Zusammenhang mit der 1 beschrieben wurde. Darüber ist eine weitere aus dem Stand der Technik bekannte obere Moldwerkzeughälfte 2 angeordnet, welche sich von der in 2 dargestellten Konstruktion lediglich dadurch unterschiedet, dass die flexible Lage 7 nicht vollflächig an der oberen Moldwerkzeughälfte 2 angebracht ist, sondern nur in Form eines Rahmens. Jedoch ist auch diese flexible Lage 7 den gleichen hohen Beanspruchungen ausgesetzt wie die vollfächige flexible Lage 7 der 2.
  • In 4 ist ein schematischer Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement 1, wie es im Zusammenhang mit der 1 beschrieben wurde, und eine weitere obere Moldwerkzeughälfte 2 gemäß dem Stand der Technik dargestellt. Dieses Moldwerkzeug unterscheidet sich von den oben beschriebenen Werkzeugkonstruktionen dadurch, dass hier eine gefederte Platte 8 die Abdichtung eines Teils der Oberfläche des Halbleiterchips 5 übernimmt, wenn die obere Werkzeughälfte 2 und die untere Moldwerzeughälfte (nicht gezeigt) geschlossen werden und der Umspritzvorgang stattfindet.
  • Die 5 bis 8 zeigen jeweils schematische Querschnitte durch ein Substrat 4 mit darauf angeordneten Halbleiterchips 5 während verschiedener Verfahrenschritte des erfindungsgemäßen Verfahrens. 5 zeigt zwei auf einem Substrat 4 angeordnete Halbleiterchips 5, welche bereits über Leitungsdrähte 6 an das Substrat 4 angeschlossen sind. Die Halbleiterchips 5 weisen jeweils eine erste Oberfläche 9 und eine zweite Oberfläche 10 auf, welche der ersten Oberfläche 9 gegenüberliegt. Das Substrat 4 weist ebenfalls eine erste Oberfläche 12 und eine zweite der ersten Oberfläche 12 gegenüberliegende Oberfläche 13 auf. Die Halbleiterchips 5 sind mit ihren jeweiligen zweiten Oberflächen 10 auf der ersten Oberfläche 12 des Substrats aufgeklebt. Auf ihren jeweiligen ersten Oberflächen 9 ist ein elastisches Material, hier Silikon, in Form eines vollständig umlaufenden Damms 11 mittels eines Dispensverfahrens aufgebracht.
  • In 6 ist ein weiterer Verfahrensschritt dargestellt, in welchem das Substrat 4 mit den darauf angebrachten Halbleiterchips 5 in einem gewöhnlichen Moldwerkzeug 15, wie es für das Transfer-Moldverfahren verwendet wird, angeordnet ist. Das Moldwerkzeug 15 besteht aus einer oberen Werkzeughälfte 2, welche eine innere Oberfläche 16 aufweist und einer unteren Werkzeughälfte 15, welche ebenfalls eine innere Oberflä che 17 aufweist. Das Substrat 4 liegt mit seiner zweiten Oberfläche 13 auf der inneren Oberfläche 17 der unteren Werkzeughälfte 14 auf. Die obere Werkzeughälfte 2 ist oberhalb der Halbleiterchips 5 angeordnet, kontaktiert diese jedoch noch nicht.
  • Im nächsten Schritt, welcher in 7 gezeigt ist, ist das Moldwerkzeug 15 geschlossen worden, so dass jetzt die innere Oberfläche 16 der oberen Werkzeughälfte 2 den elastischen Damm 11, welcher jeweils auf der ersten Oberfläche 9 der Halbleiterchips 5 aufgebracht ist, kontaktiert bzw. ihn aufgrund seiner Elastizität um ein definiertes Maß zusammendrückt. Dadurch entsteht über einer abzudichtenden Fläche 18 auf den Halbleiterchips 5 eine geschlossene Kavität 19, in die keine Pressmasse während des Umspritzprozesses fließen kann. Durch die gewählte Höhe des Dammes 11 werden Toleranzen bzw. Unebenheiten auf der Oberfläche des Halbleiterchips 5 ausgeglichen.
  • Schließlich ist in 8 die Situation nach dem Umspritzvorgang dargestellt, während welchem Epoxidharz in das geschlossene Moldwerkzeug 15 eingefüllt worden ist, um die Halbleiterchips 5 zu verkapseln. Der Epoxidharz wird ausgehärtet; danach kann das Moldwerkzeug 15 dann entfernt werden. Es kann erkannt werden, dass in die Kavität 19, welche durch den Damm 11, einen Teil der inneren Oberfläche 16 der oberen Werkzeughälfte 2 und die abzudichtende Fläche 18 auf dem Halbleiterchip 5 eingegrenzt wird, keine Pressmasse hinein geflossen ist und die gewünschten Bereiche freigehalten werden, was somit auf einfache Weise mittels herkömmlicher und produktunspezifischer Moldwerkzeuge erzielt worden ist. Ein Verschleiß der Dichtfunktion kann bei dem erfindungsgemäßen Verfahren auch nicht auftreten, da sich diese nicht im Mold werkzeug 15 befindet sondern auf dem Halbleiterchip 5 selbst. So wird jede Dichtung nur einmal beansprucht und längere Moldtool-Standzeiten und damit auch geringere Fertigungskosten können mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens erzielt werden.
    • 1
    Halbleiterbauelement
    2
    obere Werkzeughälfte
    3
    Folie
    4
    Substrat
    5
    Halbleiterchip
    6
    Leitungsdrähte
    7
    flexible Lage
    8
    gefederte Platte
    9
    erste Oberfläche des Halbleiterchips
    10
    zweite Oberfläche des Halbleiterchips
    11
    Damm
    12
    erste Oberfläche des Substrats
    13
    zweite Oberfläche des Substrats
    14
    untere Werkzeughälfte
    15
    Moldwerkzeug
    16
    innere Oberfläche der oberen Werkzeughälfte
    17
    innere Oberfläche der unteren Werkzeughälfte
    18
    abzudichtende Fläche
    19
    Kavität
    20
    Pressmasse

Claims (24)

  1. Verfahren zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements (1), welches zumindest einen auf einem Substrat (4) angeordneten Halbleiterchip (5) aufweist, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: – Aufbringen eines elastischen Dammes (11) auf dem Halbleiterchip (5); – Einbringen des auf dem Substrat (4) angeordneten Halbleiterchips (5) in ein aus einer unteren und einer oberen Werkzeughälfte (14, 2) bestehendes Moldwerkzeug (15), – Schließen des Moldwerkzeugs (15), so dass mit einer inneren Oberfläche (16) der oberen Werkzeughälfte (2) der elastische Damm (11) vollständig kontaktiert wird, – Umspritzen des Halbleiterbauelements (1) mit einer Pressmasse (20).
  2. Verfahren nach Anspruch 1, welches weiterhin den Schritt des Fixierens des zumindest einen Halbleiterchips (5) auf dem Substrat (4), insbesondere das Aufkleben zumindest einen Halbleiterchips (5) auf dem Substrat (4), umfasst.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, welches weiterhin den Schritt des Bondens des Halbleiterchips (5), insbesondere des Die-Wire-Bondens, umfasst.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Aufbringen des Dammes (11) durch Dispensen, Drucken oder unter Verwendung von Preforms erfolgt.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, welches weiterhin den Schritt des Aushärtens der Pressmasse (20) umfasst.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Schritt des Schließens des Moldwerkzeugs (15) unter Verwendung von Druck ausgeführt wird, so dass der Damm (11) aufgrund seiner Elastizität um ein definiertes Maß zusammengedrückt wird.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei als Pressmasse (20) ein thermoplastisches Material, insbesondere Epoxidharz, verwendet wird.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei als Dammmaterial ein elastisches Kunststoffmaterial, insbesondere Silikon oder Polyurethan verwendet wird.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei als Dammmaterial Gummi verwendet wird.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei der Damm (11) derart auf dem Halbleiterchip (5) aufgebracht wird, dass er eine abzudichtende Fläche (18) vollständig umläuft.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei der Damm (11), die abzudichtende Fläche (18) des Halbleiterchips (5) und ein Teil der inneren Oberfläche (16) der oberen Werkzeughälfte (2) des Moldwerkzeugs (15) bei geschlossenen Moldwerkzeug (15) eine geschlossene Kavität (19) bilden, die gegen Pressmasse (20) abgedichtet ist.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei das Substrat (4) eine erste (12) und eine zweite der ersten Oberfläche (12) gegenüberliegede Oberfläche (13) aufweist, wobei der Halbleiterchip (5) auf der ersten Oberfläche (12) des Substrats (4) aufgebracht wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei das Substrat (4) mit seiner zweiten Oberfläche (13) auf einer inneren Oberfläche (17) der unteren Werkzeughälfte (14) des Moldwerkzeugs (15) aufliegt.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei der Halbleiterchip eine erste und eine zweite der ersten Oberfläche gegenüberliegende Oberfläche aufweist, wobei der Damm wird auf der ersten Oberfläche des Halbleiterchips gebildet wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei der Halbleiterchip (5) mit seiner zweiten Oberfläche (10) auf der ersten Oberfläche (12) des Substrats (4) fixiert wird.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei der Schritt des Umspritzens des Halbleiterbauelements (1) mittels eines Transfer-Moldverfahrens durchgeführt wird.
  17. Halbleiterbauelement (1), welches einen auf einem Substrat (4) aufgebrachten und in einem Gehäuse verkapselten Halbleiterchip (5) aufweist, wobei der Halbleiterchip (5) und das Substrat (4) jeweilig eine erste (9, 12) und eine zweite Oberfläche (10, 13) aufweisen, wobei der Halbleiterchip (5) mit seiner zweiten Oberfläche (10) auf der zweiten Oberfläche (13) des Substrats (4) aufliegt, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (5) auf seiner ersten Oberfläche (9) einen eine abzudichtende Fläche (18) eingrenzenden Damm (11) aufweist.
  18. Halbleiterbauelement nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass es weiterhin einen Leadframe aufweist, an welchen der Halbleiterchip (5) über Leitungsdrähte (6) gebondet ist.
  19. Halbleiterbauelement nach Anspruch 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (5) auf dem Substrat (4) aufgeklebt ist.
  20. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 17 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse mittels eines Transfer-Moldverfahrens gebildet ist.
  21. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 17 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse aus einem thermoplastischen Material, insbesondere aus Epoxidharz, hergestellt ist.
  22. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 17 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass der Damm (11) aus einem elastischen Material, insbesondere aus einem elastischen Kunststoffmaterial, hergestellt ist.
  23. Halbleiterbauelement nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass der Damm (11) aus Silikon oder Polyurethan hergestellt ist.
  24. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 17 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass der Damm (11) aus Gummi hergestellt ist.
DE102005014427A 2005-03-24 2005-03-24 Verfahren zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements Expired - Fee Related DE102005014427B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005014427A DE102005014427B4 (de) 2005-03-24 2005-03-24 Verfahren zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements
US11/388,551 US20060255435A1 (en) 2005-03-24 2006-03-24 Method for encapsulating a semiconductor device and semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005014427A DE102005014427B4 (de) 2005-03-24 2005-03-24 Verfahren zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102005014427A1 true DE102005014427A1 (de) 2006-09-28
DE102005014427B4 DE102005014427B4 (de) 2008-05-15

Family

ID=36973726

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102005014427A Expired - Fee Related DE102005014427B4 (de) 2005-03-24 2005-03-24 Verfahren zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20060255435A1 (de)
DE (1) DE102005014427B4 (de)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8021778B2 (en) 2002-08-09 2011-09-20 Infinite Power Solutions, Inc. Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US8062708B2 (en) 2006-09-29 2011-11-22 Infinite Power Solutions, Inc. Masking of and material constraint for depositing battery layers on flexible substrates
US8236443B2 (en) 2002-08-09 2012-08-07 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
US8394522B2 (en) 2002-08-09 2013-03-12 Infinite Power Solutions, Inc. Robust metal film encapsulation
US8431264B2 (en) 2002-08-09 2013-04-30 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US8445130B2 (en) 2002-08-09 2013-05-21 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
DE102013211100A1 (de) 2013-06-14 2014-12-18 Robert Bosch Gmbh Elektronisches Bauelement mit einem in einer Aussparung angeordneten elektrischen Kontakt und Verfahren
US9634296B2 (en) 2002-08-09 2017-04-25 Sapurast Research Llc Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof
US9786873B2 (en) 2008-01-11 2017-10-10 Sapurast Research Llc Thin film encapsulation for thin film batteries and other devices
US9793523B2 (en) 2002-08-09 2017-10-17 Sapurast Research Llc Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US10680277B2 (en) 2010-06-07 2020-06-09 Sapurast Research Llc Rechargeable, high-density electrochemical device
DE102019201404A1 (de) 2019-02-04 2020-08-06 Robert Bosch Gmbh Elektronikmodul

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8404376B2 (en) 2002-08-09 2013-03-26 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
US8728285B2 (en) 2003-05-23 2014-05-20 Demaray, Llc Transparent conductive oxides
TWI331634B (en) 2004-12-08 2010-10-11 Infinite Power Solutions Inc Deposition of licoo2
US7959769B2 (en) 2004-12-08 2011-06-14 Infinite Power Solutions, Inc. Deposition of LiCoO2
US8197781B2 (en) 2006-11-07 2012-06-12 Infinite Power Solutions, Inc. Sputtering target of Li3PO4 and method for producing same
US8148808B2 (en) * 2007-08-13 2012-04-03 Lv Sensors, Inc. Partitioning of electronic packages
KR20100102180A (ko) 2007-12-21 2010-09-20 인피니트 파워 솔루션스, 인크. 전해질 막을 위한 표적을 스퍼터링하는 방법
US8268488B2 (en) 2007-12-21 2012-09-18 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film electrolyte for thin film batteries
EP2266183B1 (de) 2008-04-02 2018-12-12 Sapurast Research LLC Passive über-/unterspannungssteuerung und schutz für energiespeichereinrichtungen in bezug auf die energiegewinnung
EP2319101B1 (de) 2008-08-11 2015-11-04 Sapurast Research LLC Stromvorrichtung mit integrierter sammelfläche zur gewinnung elektomagnetischer energie sowie verfahren dafür
CN102150185B (zh) 2008-09-12 2014-05-28 无穷动力解决方案股份有限公司 具有经由电磁能进行数据通信的组成导电表面的能量装置及其方法
DE102008049552A1 (de) * 2008-09-30 2010-04-15 Siemens Aktiengesellschaft Sensor-Chipeinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
WO2010042594A1 (en) 2008-10-08 2010-04-15 Infinite Power Solutions, Inc. Environmentally-powered wireless sensor module
KR101792287B1 (ko) 2009-09-01 2017-10-31 사푸라스트 리써치 엘엘씨 집적된 박막 배터리를 갖는 인쇄 회로 보드
EP2481703B1 (de) * 2011-01-27 2020-07-01 Sensirion AG Sensorschutz

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0724287B2 (ja) * 1987-02-12 1995-03-15 三菱電機株式会社 光透過用窓を有する半導体装置とその製造方法
GB8911607D0 (en) * 1989-05-19 1989-07-05 Emi Plc Thorn A method of encapsulation for electronic devices and devices so encapsulated
US5339216A (en) * 1993-03-02 1994-08-16 National Semiconductor Corporation Device and method for reducing thermal cycling in a semiconductor package
NL1003315C2 (nl) * 1996-06-11 1997-12-17 Europ Semiconductor Assembly E Werkwijze voor het inkapselen van een geïntegreerde halfgeleiderschake- ling.
US6566745B1 (en) * 1999-03-29 2003-05-20 Imec Vzw Image sensor ball grid array package and the fabrication thereof
US6667439B2 (en) * 2000-08-17 2003-12-23 Authentec, Inc. Integrated circuit package including opening exposing portion of an IC
US6432737B1 (en) * 2001-01-03 2002-08-13 Amkor Technology, Inc. Method for forming a flip chip pressure sensor die package
US7323767B2 (en) * 2002-04-25 2008-01-29 Micron Technology, Inc. Standoffs for centralizing internals in packaging process
US6987032B1 (en) * 2002-07-19 2006-01-17 Asat Ltd. Ball grid array package and process for manufacturing same
US6815262B2 (en) * 2002-07-22 2004-11-09 Stmicroelectronics, Inc. Apparatus and method for attaching an integrated circuit sensor to a substrate
US6927479B2 (en) * 2003-06-25 2005-08-09 St Assembly Test Services Ltd Method of manufacturing a semiconductor package for a die larger than a die pad

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Amy Catherine Bowman, A SELECTIVE ENCAPSULATION SOLUTION FOR PACKAGING AN OPTICAL MICROELECTRO- MECHANICAL SYSTEM, A Thesis Submitted to the Faculty of the WORCESTER POLYTECHNIC INSTITUTE, Jan. 2002 *

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8021778B2 (en) 2002-08-09 2011-09-20 Infinite Power Solutions, Inc. Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US8236443B2 (en) 2002-08-09 2012-08-07 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
US8394522B2 (en) 2002-08-09 2013-03-12 Infinite Power Solutions, Inc. Robust metal film encapsulation
US8431264B2 (en) 2002-08-09 2013-04-30 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US8445130B2 (en) 2002-08-09 2013-05-21 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US9634296B2 (en) 2002-08-09 2017-04-25 Sapurast Research Llc Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof
US9793523B2 (en) 2002-08-09 2017-10-17 Sapurast Research Llc Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US8062708B2 (en) 2006-09-29 2011-11-22 Infinite Power Solutions, Inc. Masking of and material constraint for depositing battery layers on flexible substrates
US9786873B2 (en) 2008-01-11 2017-10-10 Sapurast Research Llc Thin film encapsulation for thin film batteries and other devices
US10680277B2 (en) 2010-06-07 2020-06-09 Sapurast Research Llc Rechargeable, high-density electrochemical device
DE102013211100A1 (de) 2013-06-14 2014-12-18 Robert Bosch Gmbh Elektronisches Bauelement mit einem in einer Aussparung angeordneten elektrischen Kontakt und Verfahren
DE102019201404A1 (de) 2019-02-04 2020-08-06 Robert Bosch Gmbh Elektronikmodul

Also Published As

Publication number Publication date
US20060255435A1 (en) 2006-11-16
DE102005014427B4 (de) 2008-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102005014427B4 (de) Verfahren zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements
DE102004043663B4 (de) Halbleitersensorbauteil mit Hohlraumgehäuse und Sensorchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersensorbauteils mit Hohlraumgehäuse und Sensorchip
DE69737248T2 (de) Verfahren zum Einkapseln einer integrierten Halbleiterschaltung
DE102010064120A1 (de) Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102005038443A1 (de) Sensoranordnung mit einem Substrat und mit einem Gehäuse und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung
DE10216019A1 (de) Behälter für Halbleitersensor, Verfahren zu dessen Herstellung und Halbleitersensorvorrichtung
DE10305625A1 (de) Drucksensor
DE4219575A1 (de) Formverkapselte drucksensor-halbleitervorrichtung und verfahren zur herstellung einer solchen
DE102016201847A1 (de) Vorrichtung zur Erfassung eines Drucks eines fluiden Mediums und Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung
DE10018404A1 (de) Halbleiterdehnungssensor
DE112016006001T5 (de) Presse, Aktuatorsatz und Verfahren zum Einkapseln elektronischer Bauelemente mit mindestens zwei individuell steuerbaren Aktuatoren
DE102006017116A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Gegenstands mittels Moldingtechnik
DE112014006653B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
EP1396705A2 (de) Flussdetektor mit Durchführungen und Verfahren zu dessen Herstellung
DE60105375T2 (de) Herstellungsverfahren einer elektronischen Packungsanordnung
DE102015200219A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Elektronikmoduls insbesondere eines Getriebesteuermoduls
DE102017219325A1 (de) Spritzwerkzeug und Verfahren zur Abdichtung von Einlegeteilen
DE102015221062A1 (de) Halbleiterschaltungsanordnung mit gepresstem gel und montageverfahren
DE3508008A1 (de) Formverfahren und formvorrichtung zum partiellen umgeben eines metallischen einsatzes mit einem kunststoffmaterial
EP1340256A2 (de) Verpacktes elektronisches bauelement und verfahren zur verpackung eines elektronischen bauelements
DE102009029199A1 (de) Stressentkoppelte Aufbautechnik für substratlose Mold-Packages
DE102010001759B4 (de) Mikromechanisches System und Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Systems
DE19959345C1 (de) Verfahren zum Einkapseln eines Sensors
DE102007057904A1 (de) Sensormodul und Verfahren zur Herstellung des Sensormoduls
DE102017123175A1 (de) Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee