DE102008049552A1 - Sensor-Chipeinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

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DE102008049552A1
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Gerald Dr. Eckstein
Alexander Frey
Walter Dr. Gumbrecht
Peter Paulicka
Meinrad Dr. Schienle
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract

Die Sensor-Chipeinrichtung 1 weist an einer Oberfläche 5 auf einem Chipkörper 2 Sensoren 3 auf. Auf die Oberfläche 5 wird zum Schutz der Sensoren 3 bei einer Verkapselung mit einer Verkapselungsmasse 4 eine Hilfsstruktur 9 aufgebracht. Der Aufbau wird nur in einem Randbereich und an Seitenflächen 6 und 11 des Chipkörpers 2 und der Hilfsstruktur 9 verkapselt, während die Sensoren 3 frei von Verkapselungsmasse 4 bleiben. Die Hilfsstruktur 9 führt zu einer zuverlässigen elektrischen Isolierung von leitenden Strukturen im Randbereich des Aufbaus.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Sensor-Chipeinrichtung mit einem Chipkörper. Der Chipkörper weist
    • – eine Vorderseite und eine Rückseite sowie jeweils an die Vorderseite und die Rückseite angrenzende Seitenflächen,
    • – Sensoren auf, an oder in der Vorderseite, wobei die Sensoren Teil einer sich über sie hinweg erstreckenden Oberfläche bilden, und
    • – mit einer sich über die Sensoren erstreckenden Oberfläche und
    • – jeweils eine Kante als eine Begrenzung zwischen der Oberfläche auf der Vorderseite und der angrenzenden Seitenfläche
    auf.
  • Die Erfindung betrifft außerdem ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Sensor-Chipeinrichtung.
  • Auf dem Gebiet der Sensorik werden Chemo- und Bio-Sensoren entwickelt, welche mit der Silizium-Chip-Technologie hergestellt werden. Bekannte Sensoren sind in Form von Sensor-Arrays auf einer Silizium-Chip-Oberfläche angeordnet. Im Silizium-Material sind elektrische Schaltungen zum Auslesen der einzelnen Sensoren und zur Signalverarbeitung realisiert. Auf der Chip-Oberfläche sind freiliegend die Sensoren angeordnet, z. B. in Form von ineinander greifenden fingerförmigen Elektroden aus dünnen Goldfilmen (Interdigitalelektroden). Die Elektroden sind elektrisch mit den elektrischen Schaltungen verbunden.
  • Die Silizium-Chips sind auf einem Trägermaterial aufgebracht und über Bonddrähte mit Kontaktstellen für einen Außenkontakt des Chips elektrisch verbunden. Kontaktstellen können z. B. in Form von metallischen Anschlussstiften realisiert sein. Um ein problemloses Bonden zu ermöglichen, sind am Außenrand der Chip-Oberflächen Kontaktflächen aufgebracht, z. B. mit Gold beschichtete Kontakt-Pads, welche mit den Schaltungen des Silizium-Chips elektrisch verbunden sind. An diese Kontaktflächen werden die Bonddrähte angebracht, die zu Kontaktstellen werden, um eine elektrische Verbindung herzustellen. Hierfür geeignete technische Verfahren sind die ”Thermokompression” und das ”Ultraschall Wedge-Bonding”.
  • Die Sensor-Oberflächen der Chemo- und Bio-Sensoren sind in der Regel mit Stoffen beschichtet, welche eine spezifische Ankopplung von nachzuweisenden Substanzen erlauben. Die nachzuweisenden Substanzen sind z. B. organische Moleküle wie DNA oder Peptide, gelöst in Flüssigkeiten. Der Kontakt der Flüssigkeit mit den Silizium-Chips würde im Bereich der Kontakt-Pads, der Bonddrähte und der Kontaktstellen zu elektrischen Kurzschlüssen führen. Aus diesem Grund werden die Silizium-Chips mit einer Verkapselungsmasse flüssigkeitsdicht, um weitere schädigende Umwelteinflüsse zu vermeiden sogar gasdicht sowie lichtundurchlässig vergossen, wobei die Sensor-Array-Fläche und Teile der Kontaktstellen freiliegend verbleiben. Die Sensor-Array-Fläche wird nicht in der Verkapselungsmasse vergossen, um einen freien Zugang der zu vermessenden Flüssigkeit zu den Sensoren zu gewährleisten. Die Teile der Kontaktstellen, welche für eine äußere Kontaktierung notwendig sind, werden ebenfalls nicht mit der Verkapselungsmasse vergossen. Die Kontaktflächen und Bonddrähte sind hingegen vollständig flüssigkeitsdicht vergossen.
  • In der Regel sind die Silizium-Chips mit ihrer Rückseite auf einem Träger fest aufgebracht. Die Seitenbereiche der Silizium-Chips und deren Randbereiche der Chip-Oberfläche außerhalb des Sensor-Arrays mit den Kontaktstellen und Bonddrähten sind mit der Verkapselungsmasse vergossen. Ein Fenster, d. h. der Bereich über den Sensoren, ist von der Verkapselung ausgenommen. Durch die Verkapselung der Randbereiche der Chip-Oberfläche wird die Verwendung von zusätzlichem Silizium-Material notwendig, welches nicht für das Sensor-Array genutzt werden kann. Da in der Regel integrierte Schaltungen unterhalb des Sensor-Arrays anzuordnen sind, wird das zusätzliche Silizium-Material aus prozesstechnischen Gründen bei der Verkapselung verbraucht.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Sensor-Chipeinrichtung mit den eingangs genannten Merkmalen und ein Verfahren zu deren Herstellung anzugeben, wobei der Verbrauch von Material, insbesondere an Silizium-Material, minimiert und so Kosten gespart werden können. Insbesondere ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Sensor-Chipeinrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung anzugeben, wobei wenig Silizium-Material auf der Sensor-Seite der Chipeinrichtung überdeckt wird und ein elektrisch sicherer Betrieb an spannungsführenden Kontakten, welche insbesondere bei Kontakt mit Flüssigkeit zu Kurzschlüssen führen könnten, zu gewährleisten ist.
  • Die angegebene Aufgabe wird bezüglich der Sensor-Chipeinrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1, und bezüglich des Verfahrens zur Herstellung einer Sensor-Chipeinrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 8 gelöst.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Sensor-Chipeinrichtung und des Verfahrens zu deren Herstellung gehen aus den jeweils zugeordneten abhängigen Unteransprüchen hervor. Dabei können die Merkmale der nebengeordneten Ansprüche mit Merkmalen eines jeweils zugeordneten Unteranspruchs oder vorzugsweise auch mit Merkmalen mehrerer zugeordneter Unteransprüche kombiniert werden.
  • Die erfindungsgemäße Sensor-Chipeinrichtung weist einen Chipkörper mit einer Vorderseite und einer Rückseite sowie mit jeweils an die Vorderseite und die Rückseite angrenzenden Seitenflächen auf. Die Sensoren befinden sich auf oder an oder in der Vorderseite und bilden Teil einer sich über sie hinweg erstreckenden Oberfläche. Es ist jeweils eine Kante als eine Begrenzung zwischen der Oberfläche und der angrenzenden Seitenfläche ausgebildet. Eine Hilfsstruktur soll formschlüssig auf der Oberfläche der Vorderseite in Nachbarschaft zu einer Kante und beabstandet zu den Sensoren angeordnet sein. Die Hilfsstruktur weist wenigstens eine Seitenfläche auf, welche zu der Kante am nächsten angeordnet ist. An der Seitenfläche der Hilfsstruktur, der Kante und der angrenzenden Seitenfläche des Chipkörpers ist eine Verkapselungsmasse formschlüssig angeordnet.
  • Unter der Sensor-Chipeinrichtung sei dabei der gesamte Aufbau verstanden. Als ihr Chipkörper sei ein im Allgemeinen aus Silizium oder einem anderen Material bestehender Teil verstanden, der auch als mechanischer Träger für an oder auf ihm anzubringende Teile wie elektrische Schaltungsteile und die Sensoren oder Chip-Module mit den Sensoren dient. Dabei können diese Module Chipträger z. B. aus Smart-Card Metall (Kupfer/Gold)und -Kunststofflaminat aufweisen; ein Chip-Modul wird dann auf den Chipkörper geklebt, drahtgebondet und dann verkapselt.
  • Der Erfindung liegt allgemein das Ziel zu Grunde, dass bei der Verkapselung von Sensor-Chipeinrichtungen die von der Verkapselungsmasse bedeckte Fläche der Chipeinrichtung minimiert wird. Die von der Verkapselungsmasse bedeckte Chipfläche ist nämlich für Sensoren nicht verwendbar. Sensoren verbrauchen aber in der Regel mehr Fläche auf einer Sensor-Chipeinrichtung als integrierte elektrische Schaltungen, welche somit vollständig unterhalb der Sensoren angeordnet werden können. Die Fläche, welche von Verkapselungsmasse bedeckt ist und nicht als Fläche zur Anordnung von Sensoren zur Verfügung steht, führt somit zu einem zusätzlichen Chip-Materialverbrauch, welcher minimiert werden soll, um so Kosten zu sparen.
  • Der Erfindung liegt nun die Idee zu Grunde, dass auch bei relativ geringer Höhe der Verkapselungsmasse, welche über die Sensoren höhenmäßig hinaus ragt, dennoch mit den erfindungsgemäßen Verkapselungsmaßnahmen ein laminarer Zufluss von zu erfassender/untersuchender Flüssigkeit auf die Sensorfläche realisiert werden kann.
  • Im Stand der Technik überdeckt die Verkapselungsmasse relativ viel Fläche am Rand einer Sensor-Chipeinrichtung. Ferner ist die Höhe der Verkapselung von der Sensorfläche aus gemessen relativ groß, d. h. im Bereich von Millimetern. Dadurch entstehen beim Strömen von Flüssigkeit über die Sensor-Chipeinrichtung, von einer Seite ausgehend über die Sensoren zur anderen Seite hin, wobei an den Seiten die Verkapselungsmasse überströmt wird, Wirbel in der Flüssigkeit, bzw. schlecht gespülte Toträume, welche Messungen an den Sensoren stören können. Eine laminare Strömung hingegen führt zu einer Verbesserung der Messergebnisse, insbesondere Reduzierung von Rauschen im Messsignal.
  • Die relativ hohe und breite Verkapselung mit Verkapselungsmasse von Sensor-Chipeinrichtungen nach dem Stand der Technik entsteht bedingt durch das Herstellungsverfahren bei der Verkapselung. Um eine zuverlässige Verkapselung zu erreichen und um Kurzschlüsse zwischen potentialführenden Bereichen wie z. B. Bonddrähten, Kontaktflächen, und Kanten zu verhindern, werden am Rand der Sensor tragenden Fläche der Sensor-Chipeinrichtung relativ breite Bereiche definiert, welche verkapselt werden. In die Breite der Bereiche fließen auch Justiertoleranzen von z. B. 0,1 bis 1 mm ein. Auf die Oberfläche, welche mit Sensoren bedeckt ist, wird ein Stempel gedrückt, und der Rest der Sensor-Chipeinrichtung wird in Vergussmasse vergossen. Dabei wird zur Herstellung einer zuverlässigen Verkapselung ohne Kurzschlüsse zwischen potentialführenden Bereichen ein relativ breiter Randbereich der Sensor-Chipeinrichtung mit Verkapselungs- bzw. Vergussmasse bedeckt.
  • Alternativ wird im Stand der Technik eine Folie auf die Sensor tragende Oberfläche aufgebracht und nur Seitenflächen mit Verkapselungsmasse vergossen. Anschließend wird die Folie entfernt. Bei der Abkühlung der Verkapselungsmasse zieht sich diese zusammen, d. h. nimmt ihr Volumen ab. Dadurch können die Kanten freigelegt werden, wodurch die Gefahr von Kurzschlüssen über das Chip-Trägermaterial entsteht.
  • Bei der erfindungsgemäßen Sensor-Chipeinrichtung hingegen verhindert eine im Randbereich auf der Oberfläche, welche insbesondere die Chip-Sensoren umfasst, aufgebrachte Hilfsstruktur, dass Verkapselungsmasse beim Verkapseln zu weit über die Chipoberfläche vergossen wird. Eine Verwendung eines präzise zu justierenden Stempels ist bei der Verkapselung mit Folie über der die Sensoren aufweisenden Oberfläche nicht notwendig, womit einzuhaltende Justiertoleranzen entfallen. Eine mit der Hilfsstruktur formschlüssige Verkapselung führt selbst bei einer Volumenverkleinerung der Verkapselungsmasse bei Abkühlung zu keinem Freilegen der Kanten. Kurzschlüsse über potentialführende Bereiche am Chip-Rand sind somit ausgeschlossen.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Sensor-Chipeinrichtung ist die Hilfsstruktur in Form eines geschlossenen Rings ausgebildet, benachbart zu allen an die Vorderseite und die Rückseite angrenzenden Seitenflächen. Die Sensoren können vorteilhaft innerhalb des geschlossenen Rings angeordnet sein und Kontaktflächen können außerhalb des geschlossenen Rings angeordnet sein.
  • Bei Verkapselung kann auf den geschlossenen Ring oberhalb der Sensoren eine Folie geklebt oder gepresst werden, welche mit Hilfe des Rings die Sensoren vollständig umschließt, bzw. abdeckt. Somit ist bei der Verkapselung eine Überdeckung mit Vergussmaterial und Beschädigung der Sensoren ausgeschlossen. Bei einem offenen Ring oder einer anderen Struktur könnte über die Öffnung Verkapselungsmasse zu den Sensoren gelangen und diese überdecken bzw. schädigen. Unter Ring ist im Weiteren ein Ring beliebiger Form, z. B. viereckiger Form oder kreisrunder Form, zu verstehen, abhängig von der äußeren Form bzw. Begrenzung des Sensor-Arrays.
  • Die Hilfsstruktur weist besonders bevorzugt einen Abstand zu der Kante im Bereich von 0 bis 0,1 mm auf. Vorzugsweise liegt der Abstand im Bereich von 0,01 bis 0,09 mm. Die Hilfsstruktur kann vorteilhaft eine Höhe (gemessen in Richtung einer Normalen auf der Oberfläche) im Bereich von 5 bis 50 μm und eine Breite von 0,01 bis 0,1 mm aufweisen.
  • Die Hilfsstruktur ist vorzugsweise aus einem Polymer, insbesondere als Folie oder Photolack ausgebildet. Auf der Rückseite kann eine Trägerplatte angeordnet sein. Bei Verwendung eines Polymers, insbesondere Photolacks, ist über Lithographie eine sehr genaue räumliche Anordnung der Hilfsstruktur sehr nahe, insbesondere im Abstand von 0 bis 0,1 mm, von der Kante möglich und eine Ausbildung der Hilfsstruktur mit sehr geringen Dimensionen der Höhe und Breite. Dadurch wird wenig Fläche von der Hilfsstruktur abgedeckt und der Verbrauch an Chipkörpermaterial minimiert.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Sensor-Chipeinrichtung, insbesondere einer Sensor-Chipeinrichtung mit den zuvor beschriebenen Merkmalen, umfasst das formschlüssige Aufbringen einer Hilfsstruktur auf einer Vorderseite eines Chipkörpers, welcher von dem Sensor-Chipeinrichtung umfasst wird. Die Hilfsstruktur wird in der Nachbarschaft zu einer Kante aufgebracht, welche eine Oberfläche der Vorderseite und eine Seitenfläche des Chipkörpers begrenzt, und beabstandet zu Sensoren, welche auf der Vorderseite angeordnet werden. Eine Verkapselungsmasse wird formschlüssig an wenigstens einer Seitenfläche der Hilfsstruktur, der Kante und der angrenzenden Seitenfläche des Chipkörpers angeordnet.
  • In einer besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Hilfsstruktur aus Photolack durch Photolithographie erzeugt. Alle Bereiche zwischen Hilfsstruktur und Kanten können mit Verkapselungsmasse Gas- und/oder Flüssigkeitsdicht bedeckt werden.
  • Kontaktflächen für die elektrische Kontaktierung von elektrischen Schaltungen und/oder den Sensoren der Sensor-Chipeinrichtung können von der Verkapselungsmasse bedeckt werden. Die Verkapselungsmasse kann in bekannter Weise lokal beschränkt von den Kontaktflächen entfernt werden, um so die Kontaktflächen freizulegen für eine elektrische Kontaktierbarkeit mir externen elektrischen Schaltungen oder Schaltungsteilen.
  • Bevorzugt wird die Sensor-Chipeinrichtung auf Waferebene mit anderen Sensor-Chipeinrichtungen zusammen hergestellt und prozessiert, und anschließend wird der so erhaltene Aufbau zersägt und in einzelne Sensor-Chipeinrichtungen zerlegt.
  • Für das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung der Sensor-Chipeinrichtung ergeben sich die vorstehend erwähnten, mit der erfindungsgemäßen Ausbildung der Sensor-Chipeinrichtung verbundenen Vorteile.
  • Bevorzugte Ausführungsformen von Sensor-Chipeinrichtungen nach der Erfindung mit vorteilhaften Weiterbildungen gemäß den Merkmalen der abhängigen Ansprüche werden nachfolgend anhand der folgenden Figuren näher erläutert, ohne jedoch darauf beschränkt zu sein.
  • Es zeigen:
  • 1 eine Schnittdarstellung einer Sensor-Chipeinrichtung mit direkt aufgebrachter Verkapselung nach dem Stand der Technik,
  • 2 eine Schnittdarstellung einer Sensor-Chipeinrichtung mit Verkapselung unter Verwendung einer Abdeckfolie auf der Sensor-Oberfläche nach dem Stand der Technik,
  • 3 eine Schnittdarstellung der in 2 dargestellten Sensor-Chipeinrichtung mit Verkapselung nach Entfernen der Abdeckfolie nach dem Stand der Technik,
  • 4 eine Schnittdarstellung einer erfindungsgemäßen Sensor-Chipeinrichtung mit Verkapselung unter Verwendung einer Abdeckfolie und einer Hilfsstruktur auf der Sensor-Oberfläche,
  • 5 eine Schnittdarstellung der in 4 dargestellten erfindungsgemäßen Sensor-Chipeinrichtung mit Verkapselung nach Entfernen der Abdeckfolie,
  • 6 eine Aufsicht der erfindungsgemäßen Sensor-Chipeinrichtung mit Hilfsstruktur und Kontaktflächen vor der Verkapselung,
  • 7 eine Aufsicht der erfindungsgemäßen Sensor-Chipeinrichtung auf einem Trägermaterial aufgebracht, mit Hilfsstruktur nach der Verkapselung,
  • 8 eine Aufsicht auf einen Waferteil mit vier zusammenhängenden erfindungsgemäßen Sensor-Chipeinrichtungen mit Hilfsstruktur und Kontaktflächen vor der Verkapselung,
    und
  • 9 eine Aufsicht auf einen Waferteil mit vier zusammenhängenden erfindungsgemäßen Sensor-Chipeinrichtungen mit Hilfsstruktur, nach der Verkapselung und Freilegung der Kontaktflächen, bei eingezeichneten Sägelinien.
  • In den Figuren sind sich entsprechende Teile mit denselben Bezugszeichen versehen. Nicht näher ausgeführte Details sind allgemein bekannt.
  • 1 zeigt eine Schnittdarstellung einer Sensor-Chipeinrichtung 1 nach dem Stand der Technik. Es ist der Ausschnitt eines Schnittes im 90° Winkel zur Chipoberfläche 5 auf der Oberseite der Sensor-Chipeinrichtung 1 dargestellt, welcher den Bereich des Übergangs eines Silizium-Trägerkörpers zu einer Verkapselungsmasse 4 zeigt. Der Trägerkörper wird nachfolgend als Chipkörper 2 bezeichnet.
  • Der Chipkörper 2 kann beispielsweise in Form einer flachen, rechteckigen Trägerplatte ausgebildet sein. Er weist eine nachfolgend als Vorderseite bezeichnete Oberseite mit einer Oberfläche und eine gegenüberliegende Rückseite auf. Auf, an oder in der Oberfläche der Vorderseite des Chipkörpers 2 sind integrierte Schaltungen im bzw. auf dem Silizium, d. h. beispielweise in einer Schicht an der Oberfläche des Chipkörpers 2, ausgebildet. Die integrierten Schaltungen sind zum Schutz vor Umwelteinflüssen in der Regel mit einer Siliziumoxid-Schicht und/oder einem Photolack bedeckt. Frei, d. h. in direktem Kontakt zur Umgebungsluft, sind außerdem auf der Oberfläche auf der Vorderseite Sensoren aufgebracht, welche in elektrischem Kontakt mit den integrierten Schaltungen stehen. Die in der Figur zusammen mit den integrierten Schaltungen mit dem Bezugszeichen 3 gekennzeichneten Sensoren sind beispielsweise auf oder in der Schicht der integrierten Schaltung eingebettet, nach oben hin freiliegend, in Form eines Sensor-Arrays 14 auf dem Chipkörper 2 angeordnet. Die sich so ergebende Oberfläche des gesamten Aufbaus aus Chipkörper 2 mit den Sensoren 3 einschließlich der erforderlichen Schaltungsteile ist in der Figur als Chipoberfläche 5 bezeichnet. Diese Oberfläche 5 befindet sich somit auf der von dem Chipkörper 2 abgewandten Seite, kann jedoch gegebenenfalls auch von Teilen der Oberfläche des Chipkörpers 2 mit gebildet werden.
  • Neben der Vorder- und Rückseite wird der Chipkörper 2 durch seine vier Seitenflächen begrenzt. In 1 ist exemplarisch ein Schnitt durch eine Seitenfläche 6 dargestellt. Der Übergang von Chipoberfläche 5 auf der Vorderseite des Chip körpers zu der Seitenfläche 6 bildet eine Kante 7. Dabei schließen die Vorderseite des Chipkörpers und die Seitenfläche 6 insbesondere einen Winkel von 90° ein.
  • Der Chipkörper 2 ist in Verkapselungs- bzw. Vergussmasse 4 eingegossen. Beim Verkapseln des Chipkörpers wird z. B. ein Sensor-Array 14 (vgl. 6 bis 9) durch einen Stempel abgedeckt und der Rest des Chipkörpers mit der Verkapselungsmasse 4 vergossen. Dabei werden die Seitenflächen 6 vollständig von der Verkapselungsmasse 4 bedeckt, und die Chipoberfläche auf der Vorderseite des Chipkörpers wird in Randbereichen, welche nicht vom Stempel abgedeckt waren, von Verkapselungsmasse 4 mit bedeckt. Der bedeckte Randbereich (siehe in 1 insbesondere die mit ”R” bezeichnete Umrandung) kann für die Anordnung von Sensoren 3 nicht genutzt werden und führt zu einem erhöhten Materialverbrauch an Silizium-Trägermaterial. Integrierte Schaltungen sind in der Regel größenmäßig so klein, dass sie vollständig unterhalb der Sensoren 3 anzuordnen sind und keinen zusätzlichen Platz auf der Chipoberfläche benötigen.
  • In 2 ist alternativ zur Verkapselung mit Hilfe eines Stempels eine Sensor-Chipeinrichtung 1 nach Verkapselung mit Hilfe einer Folie 8 ohne Verwendung eines Stempels nach dem Stand der Technik dargestellt. Die Folie 8 ist auf die Chipoberfläche 5 auf der Vorderseite des Chipkörpers 2, auf welcher sich das Sensor-Array 14 befindet, aufgebracht und ragt über die Kante 7 hinaus. Bei dem Verguss der Seitenflächen 6 des Aufbaus mit Verkapselungsmasse 4 werden nur die Seitenfläche 6 und nicht die Chipoberfläche 5 auf der Vorderseite des Aufbaus mit Verkapselungsmasse 4 bedeckt. Beim Abkühlen der Verkapselungsmasse 4 nach dem Vergießen zieht sich die Verkapselungsmasse 4 zusammen. In 2 ist dies in Form einer Wölbung in der Verkapselungsmasse 4 und der darauf befindlichen Folie 8 dargestellt. Bei dem Zusammenziehen der Verkapselungsmasse 4 kann eine beim Gießen der Verkapselungsmasse 4 bedeckte Kante 7 wieder freigelegt werden, d. h. die Verkapselungsmasse 4 zieht sich so zusammen, dass sie die Kante 7 nicht mehr bedeckt.
  • Nach dem Abziehen der Folie (siehe 3) ist die Kante 7 nicht von Verkapselungsmasse 4 bedeckt und liegt frei an Luft. Wird die Sensor-Chipeinrichtung 1 benutzt, d. h. mit zu vermessender Flüssigkeit beaufschlagt, so können im Randbereich des Chipkörpers 2 an Kanten 7 Kurzschlüsse entstehen. Eine Messung mit Hilfe der Schaltung und Sensoren 3 ist so kaum möglich.
  • In 4 ist eine Schnittdarstellung entsprechend den Schnittdarstellungen der Chipeinrichtung 1 nach dem Stand der Technik gemäß den 1 bis 3 einer erfindungsgemäßen Sensor-Chipeinrichtung 1 dargestellt. Es ist der Ausschnitt eines Schnittes im 90° Winkel zur Chipoberfläche 5 auf der Vorderseite der Sensor-Chipeinrichtung gezeigt, welcher den Übergang des Silizium-Trägermaterials des Chipkörpers 2 zur Verkapselungsmasse 4 darstellt. Auf der Chipoberfläche 5 ist eine erfindungsgemäße Hilfsstruktur 9 aufgebracht, welche in 4 im Querschnitt dargestellt ist. Diese Hilfsstruktur 9 ist in einem Randbereich des Chipkörpers 2 angebracht nahe an der Kante 7. Alternativ kann die Hilfsstruktur auch direkt mit der Kante 7 abschließen, was aus Gründen der Vereinfachung nicht in den Figuren gezeigt ist.
  • Die Hilfsstruktur 9 weist eine Oberseite 10 auf, welche der Seite der Hilfsstruktur 9 gegenüberliegt, mit welcher die Hilfsstruktur 9 formschlüssig auf der Chipoberfläche 5 auf der Vorderseite der Chipeinrichtung 1 mit ihrem Chipkörper 2 angebracht ist. Weiterhin weist die Hilfsstruktur 9 eine Seitenfläche 11 auf, welche der Seitenfläche der Hilfsstruktur 9 gegenüberliegt, die mit ihrer Flächennormale in Richtung eines Sensor-Arrays 14 weist.
  • Die Seitenfläche 11 der Hilfsstruktur 9 und die Seitenfläche 6 des Chipkörpers 2 sowie die Kante 7 sind formschlüssig mit Verkapselungsmasse 4 bedeckt. Die Verkapselungsmasse 4 reicht nicht über die Seitenfläche 11 in Richtung der Normalen auf der Chipoberfläche 5 weg hinaus, d. h. die Oberseite der Hilfsstruktur 10 ist nicht mit Verkapselungsmasse 4 bedeckt. Bei deinem Verguss des Chipkörpers 2 einschließlich Sensor-Array und Schaltungsteilen sorgt die Hilfsstruktur 9 in Verbindung mit einer aufgeklebten Folie 8 dafür, dass die Verkapselungsmasse 4 nicht auf die Chipoberfläche 5 mit den Sensoren 3, d. h. auf das Sensor-Array 14 (vgl. die 6 bis 9) gelangt. Die Folie 8, welche sich über die Hilfsstruktur 9 und die Sensoren 3 hinweg erstreckend aufgebracht wird, ohne die Sensoren zu berühren, sorgt dafür, dass die Verkapselungsmasse 4 nicht über die Sensoren 3 und die Oberfläche 10 der Hilfsstruktur aufgebracht wird. Die Hilfsstruktur 9 kann auch genutzt werden, um die Folie beabstandet zu den Sensoren 3 auf dem Chipkörper 2 anzuordnen.
  • Nach Vergießen und Erhärten der Verkapselungsmasse 4 wird die Folie 8 entfernt und die Sensoren sind für die Flüssigkeit frei zugänglich. 5 zeigt die Sensor-Chipeinrichtung 1 nach Entfernen der Folie 5. Die erstarrte Verkapselungsmasse 4 hat sich zusammengezogen bzw. hat ihr Volumen durch das Aushärten reduziert. Dies ist in 5 durch eine Wölbung der Verkapselungsmasse 4 auf Seite der Chipoberfläche 5 angedeutet. Die Kante 7 und die Seitenfläche 6 bleiben jedoch vollständig von der Verkapselungsmasse 4 bedeckt und ein Kontakt von Flüssigkeit mit potentialführenden Strukturen der Chipeinrichtung 1 am Rand, welcher zu Kurzschlüssen führen würde, ist ausgeschlossen. Eine Reduzierung des Volumens der Verkapselungsmasse 4 kann nur dazu führen, dass ein Teil der Seitenfläche 11 der Hilfsstruktur 9 nicht vollständig mit Verkapselungsmasse 4 bedeckt ist. Da die Hilfsstruktur elektrisch isolierend ist, führt dies zu keinen Kurzschlüssen an der Sensor-Chipeinrichtung 1 bei Kontakt mit Flüssigkeit.
  • In 6 ist die Sensor-Chipeinrichtung 1 mit Hilfsstruktur 9 vor der Verkapselung von oben als Aufsicht dargestellt. Mittig auf der Chipoberfläche 5 auf der Vorderseite der Einrichtung ist ein Sensor-Array 14 mit für Flüssigkeit frei zu gänglichen Sensoren 3 dargestellt. Das Sensor-Array ist innerhalb eines geschlossenen Ringes, der Hilfsstruktur 9 auf der Oberfläche 5 aufgebracht, angeordnet. Der Ring hat insbesondere eine rechteckige Form und ist aus einer dünnen Polymerschicht hergestellt. Außerhalb des Ringes sind elektrische Kontakte bzw. Kontaktflächen auf dem Chipkörper 2 angeordnet, welche zur Kontaktierung der integrierten Schaltung und der Sensoren 3 auf dem Chipkörper 2 mit elektrischen Einrichtungen außerhalb des Sensor-Chipeinrichtung 1 dienen.
  • Wie in einer Vergrößerung der rechten unteren Ecke des Sensor-Chipeinrichtungs 1 vor der Verkapselung ebenfalls in 6 in einem Kreisausschnitt zu sehen ist, ist die Hilfsstruktur 9 mit einem Abstand 12 zur Kante 7 angeordnet, welcher bevorzugt zwischen Null und 1 Millimeter liegt, besonders bevorzugt zwischen Null und 0,09 Millimeter, und idealer Weise genau Null ist. Bei einem Abstand 12 von Null bildet die Seite der Hilfsstruktur 11, welche der Kante 7 am nächsten liegt bzw. ihr benachbart angeordnet ist, mit der Kante 7 eine gemeinsame Ebene. Dies bedeutet, die Seite 11 ist die Verlängerung einer ebenen Fläche, welche durch die Seitenfläche 6 des Chipkörpers 2 mit Abschluss durch die Kante 7 gegeben ist.
  • Gemäß 7 ist der in 6 veranschaulichte Chipkörper 2 auf einem Träger(material) 16 aufgebracht, und zwar nach dem Verkapselungsprozess. Der Träger 16 dient zu einer mechanischen Stabilisierung der mit 15 bezeichneten Sensor-Chipeinrichtung und ist hierzu auf der Rückseite des Chipkörpers 2 angebracht. Die Verkapselungsmasse 4 wird z. B. über einen Stempel mit Ausnehmung auf die Oberfläche 5 oberhalb des Chipkörpers 2 aufgebracht. Dabei hat die Ausnehmung eine Tiefe, welche der Summe aus der Höhe des Chips (= Breite der Seitenfläche 6) und der Höhe der Hilfsstruktur 9 (= Breite der Seitenfläche 11) entspricht. Bei genauen Abmessungen kann bei der Verkapselung die Verwendung einer Folie eingespart werden. Die Bodenfläche der Vertiefung des Stempels mit der Hilfsstruktur 9 zusammen, d. h. formschlüssig anliegend an der Oberseite 10 der Hilfsstruktur 9, schützt das Sensor-Array 14 vor einer Beaufschlagung mit Verkapselungsmasse 4 bei der Verkapselung der Chipeinrichtung 15 mit Träger 16.
  • Wie in 7 dargestellt, bedeckt die Verkapselungsmasse 4 ausgehend von der Hilfsstruktur 9 formschlüssig den Rand des Chipkörpers 2, d. h. die Kante 7 und die Seitenfläche 6, und einen Teil des auf der Rückseite des Chipkörpers 2 angebrachten Trägers 16. Da der Träger die Rückseite der Chipeinrichtung komplett abdeckt, führt dies zu einem flüssigkeitsdichten Verschluss des Chipkörpers 2, mit Ausnahme der innerhalb des Rings der Hilfsstruktur 9 gelegenen Fläche der Chipoberfläche 5 auf der Vorderseite des Chipkörpers 2 mit darauf befindlichen Sensoren 3 bzw. Sensor-Array 14.
  • Halbleiterschaltungen werden bevorzugt in einem Waferverbund mit mehreren Chipeinrichtungen mit Sensor-Arrays 14 zusammenhängend produziert und prozessiert. In 8 ist ein Ausschnitt von vier zusammenhängenden Chipeinrichtungen als Waferteil 17 eines Wafers bzw. Waferverbundes dargestellt. Das Waferteil 17 kann auf einer Folie mit seiner Rückseite aufgebracht sein und zum Vereinzeln können die Kanten 7 vorgeritzt oder vorgesägt sein. Die Chipeinrichtungen gemäß 8 sollen sich dabei in einem Herstellungszustand befinden, wie er in 6 dargestellt ist. Hilfsstrukturen 9 sind jeweils auf jedem Chipkörper 2 um die Sensor-Arrays 14 auf der Oberfläche 5 der Vorderseite der jeweiligen Chipeinrichtung aufgebracht und außerhalb der geschlossenen Ringe der Hilfsstrukturen 9 sind auf den Vorderseiten der Chipkörper 2 Kontakte bzw. Kontaktflächen 13 angebracht. Die Kontaktflächen können durch Bonden elektrisch mit nicht dargestellten Kontakteinrichtungen verbunden werden, welchen z. B. durch Kontaktstifte bzw. Füße von IC-Sockeln gegeben sind.
  • In 9 ist ein in 8 dargestellter Waferteil 17 nach Verkapselung bzw. Aufbringen von Verkapselungsmasse 4 dargestellt. Die Verkapselungsmasse 4 ist im Zwischenraum zwischen den Außenbereichen der Hilfsstrukturringe 9 verschiedener Chipkörper 2 auf der Oberfläche 5 der Vorderseite zusammen hängender Chipkörper 2 aufgebracht. Anschließend zum Aufbringen der Verkapselungsmasse 4, nach ihrem Aushärten, sind die elektrischen Kontakte bzw. Kontaktflächen 13 (vgl. 6) freigelegt, d. h. die Verkapselungsmasse 4 entfernt worden. Entlang der in 9 gezeigten gestrichelten Linien wird der Waferteil 17 gesägt und werden dadurch die Chipeinrichtungen vereinzelt. Die so vereinzelten Chipeinrichtungen können dann auf Träger 16, wie in 7 dargestellt, aufgebracht und durch Kleber oder weitere Verkapselungsmasse 4 flüssigkeitsdicht abgeschlossen werden. In Anwendungen, bei welchen die Flüssigkeit von oben auf die Chipoberfläche 5 geführt wird, kann durch den ausreichend großen Rand, welchen die Verkapselungsmasse 4 bildet, ein ausreichender Schutz vor Flüssigkeit gegeben sein und können so weitere Verkapselungen entfallen. Es sind auch Einbauten in Chip-Karten denkbar, bei welchen nach dem Sägen durch flüssigkeitsdichte Folien formschlüssig über der Verkapselungsmasse 4, eine elektrische Isolierung der Chipseiten 6 erreicht wird und eine weitere Verkapselung eingespart werden kann.
  • Die Verkapselung kann auch zur Isolierung der Kontaktflächen 13, von Bonddrähten und von weiteren im Außenbereich des Chipkörpers 2 angeordneten elektrisch leitenden Strukturen verwendet werden. Bei Silizium als Trägermaterial bzw. Chip-Material des Chipkörpers 2 kann das Chip-Material selbst durch eine Oxidschicht isoliert sein (z. B. Silizium-Oxid) oder z. B. durch Siliziumnitrid-Schichten.
  • Alternativ zu Silizium als Material des Chipkörpers 2 können Materialien wie z. B. GaAs (Gallium-Arsenid), Ge (Germanium) sowie weitere bekannte Halbleitermaterialien verwendete werden. Die Halbleitermaterialien können in unterschiedlichsten Dotierungen vorliegen.
  • Die Hilfsstrukturen 9 sind vorteilhaft aus elektrisch isolierendem Photolack, welcher photolithographisch strukturiert wurde, aufgebaut. Damit lassen sich sehr dünne Filme und somit nach Strukturierung sehr dünne Hilfsstrukturen mit Struk turbreiten von insbesondere 0,01 bis 0,1 Millimeter herstellen. Somit ergeben sich Höhen und Breiten (Querschnitte) der Hilfsstrukturen im Bereich von 0,01 bis 0,1 Millimeter. Die Hilfsstrukturen 9 können dabei direkt mit der Kante 7 abschließend oder mit einem Abstand als Justiertoleranz im Bereich von kleiner 1 Millimeter von der Kante entfernt angeordnet werden. Die geringe Höhe der Hilfsstrukturen 9 erlaubt bei Strömungen von Flüssigkeiten über die Hilfsstruktur 9 zum Sensor-Array 14 laminare Strömungen.
  • Alternativ zu Photolacken können die Hilfsstrukturen auch aus Folien, z. B. vorgestanzten Polymerfolien, aufgebaut sein. Dabei ist es besonders einfach, die Folien über eine Klebeschicht, welche sich z. B. schon auf einer Seite der Folie befindet, aufzubringen und am Chipkörper 2 bzw. der Oberfläche 5 zu befestigen.
  • Die Hilfsstrukturen 9 können auch unterschiedliche Querschnitte aufweisen. So sind rechteckige Querschnitte, wie in der 4 und 5 dargestellt, besonders bevorzugt. Es sind aber auch z. B. runde, halbrunde, oder dreieckige Querschnitte verwendbar.
  • In einem besonders bevorzugten Ausführungsbeispiel ist die Folie 8 auf einer Seite 10 des Hilfsstrukturrings 9 aufgespannt, analog einem in der Wafertechnologie der Halbleiterindustrie verwendeten Metallspannring, und die andere Seite des Hilfsstrukturrings 9 ist formschlüssig auf der Chipoberfläche 5 aufgebracht. Durch das Aufspannen der Folie 8 werden die Sensoren 3 nicht berührt; es bildet sich zwischen Folie, Oberfläche 5 und Hilfsstruktur 9 ein abgeschlossener Hohlraum, in welchen bei der Verkapselung keine Verkapselungsmasse 4 eindringen kann. Beschichtungen auf den Sensoren 3 werden so vor der Zerstörung oder Schädigung geschützt.
  • Die Sensoren 3 können z. B. aus Gold- oder anderen Metall-Elektroden bestehen, insbesondere aus mit organischen Molekülen beschichteten Metall-Elektroden. Die organischen Moleküle sind in Form einer Schicht, insbesondere eines Monolayers, auf der Goldelektrode aufgebracht, und nachzuweisende Moleküle binden spezifisch an chemische Gruppen der organischen Moleküle. Typische Anwendungen für die beschriebenen Sensor-Chipeinrichtungen 1 sind in der Bioanalytik, zum (Beispiele für organische Moleküle wie Desoxyribonukleinsäure (DNA) oder Peptide, welche z. B. über Thiol-Gruppen an Goldoberflächen binden.
  • Die erfindungsgemäßen Sensor-Chipeinrichtungen 1 sind auch in der Wasseranalytik oder der Chemie (Rauchmelder, Kohlenmonoxid-, Stickstoffmonoxid-Sensoren) einsetzbar.
  • Die Sensoren 3 können die Form einer Kreisfläche aufweisen oder fingerförmig ausgebildet sein. Insbesondere können die Sensoren 3 in Form von ineinander greifenden Finger-Elektroden (Interdigital-Elektroden) ausgebildet sein. Auch andere Formen sind denkbar, z. B. stegförmige oder halbkreisförmige Elektroden. Alle bekannten Formen von elektrochemischen Sensoren oder Gassensoren sind verwendbar.
  • Bonddrähte und Kontaktflächen 13 sind bevorzugt aus Gold hergestellt. Weitere Materialien sind elektrisch leitende Metalle wie Kupfer, Aluminium oder Metall-Legierungen.
  • Als Verkapselungsmasse 4 werden vorzugsweise in der Halbleitertechnik verwendete Kunstharze bzw. Epoxydharze eingesetzt. Es sind aber auch abhängig von der Anwendung, aushärtbare Klebstoffe oder Lacke, Plastikwerkstoffe wie PVC und andere flüssigkeitsdichte, gießbare Stoffe verwendbar.
  • Die vorliegenden Sensor-Chipeinrichtungen sind nicht nur in Flüssigkeiten einsetzbar, sondern auch in Gasen. In diesem Fall sind statt flüssigkeitsdichten gasdichte Anordnungen zu verwenden.

Claims (12)

  1. Sensor-Chipeinrichtung (1) mit einem Chipkörper (2), wobei der Chipkörper – eine Vorderseite und einer Rückseite sowie jeweils an die Vorderseite und die Rückseite angrenzende Seitenflächen (6), – Sensoren (3) auf oder an oder in der Vorderseite und Teil einer sich über sie hinweg erstreckenden Oberfläche (5) bildend, und – jeweils eine Kante (7) als eine Begrenzung zwischen der Oberfläche (5) und der angrenzenden Seitenfläche (6) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass eine Hilfsstruktur (9) formschlüssig auf der Oberfläche (5) der Vorderseite in Nachbarschaft zu der Kante (7) und beabstandet zu den Sensoren (3) angeordnet ist, und die Hilfsstruktur (9) wenigstens eine Seitenfläche (11) aufweist, welche zu der Kante (7) am nächsten angeordnet ist, wobei formschlüssig an der Seitenfläche (11) der Hilfsstruktur (9), der Kante (7) und der angrenzenden Seitenfläche (11) des Chipkörpers (2) eine Verkapselungsmasse (4) angeordnet ist.
  2. Sensor-Chipeinrichtung (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Hilfsstruktur (9) in Form eines geschlossenen Rings, benachbart zu allen an die Vorderseite und die Rückseite angrenzenden Seitenflächen (6), ausgebildet ist.
  3. Sensor-Chipeinrichtung (1) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Sensoren (3) innerhalb und elektrische Kontaktflächen (13) außerhalb des geschlossenen Rings angeordnet sind.
  4. Sensor-Chipeinrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Hilfsstruktur (9) einen Abstand zu der Kante (7) im Bereich von 0 bis 0,1 mm, vorzugsweise im Bereich von 0,01 bis 0,09 mm aufweist.
  5. Sensor-Chipeinrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Hilfsstruktur (9) eine Höhe im Bereich von 5 bis 50 μm und eine Breite von 0,01 bis 0,1 mm aufweist.
  6. Sensor-Chipeinrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Hilfsstruktur (9) aus einem Polymer, insbesondere als Folie oder Photolack ausgebildet ist.
  7. Sensor-Chipeinrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Rückseite eine Trägerplatte (16) angeordnet ist.
  8. Verfahren zur Herstellung einer Sensor-Chipeinrichtung (1), insbesondere einer Sensor-Chipeinrichtung (1) mit den Merkmalen nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem – auf einer Vorderseite eines Chipkörpers (2), der Teil der Sensor-Chipeinrichtung (1) ist, eine Hilfsstruktur (9) formschlüssig aufgebracht wird, in Nachbarschaft zu einer Kante (7), welche an eine Oberfläche (5) der Vorderseite und eine Seitenfläche (6) des Chipkörpers (2) angrenzt, und beabstandet zu Sensoren (3), welche auf der Vorderseite angeordnet werden, und bei dem – eine Verkapselungsmasse (4) formschlüssig zumindest an einer Seitenfläche (11) der Hilfsstruktur (9), der Kante (7) und der angrenzenden Seitenfläche (6) des Chipkörpers (2) angebracht wird.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Hilfsstruktur (9) aus Photolack durch Photolithographie erzeugt wird.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass alle Bereiche zwischen Hilfsstruktur (9) und Kanten (7) mit Verkapselungsmasse (4) gas- und/oder flüssigkeitsdicht bedeckt werden.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass Kontaktflächen (13) für eine elektrische Kontaktierung von elektrischen Schaltungen und/oder den Sensoren (3) der Sensor-Chipeinrichtung (1) von der Verkapselungsmasse (4) bedeckt werden und die Verkapselungsmasse (4) lokal beschränkt von den Kontaktflächen (13) entfernt wird, so das die Kontaktflächen (13) frei gelegt werden für eine elektrische Kontaktierung der Sensor-Chipeinrichtung (1) mit externen elektrischen Schaltungen.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Sensor-Chipeinrichtung (1) auf Waferebene mit anderen Sensor-Chipeinrichtungen zusammen hergestellt und prozessiert wird und anschließend der so gewonnenen Aufbau im Bereich der Verkapselungsmasse (4) zersägt wird und die Sensor-Chipeinrichtungen vereinzelt werden.
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