DE102004046800A1 - Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs eines Halbleitermoduls - Google Patents
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Abstract
Es wird ein Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs (30) eines Halbleitermoduls (10) mit einer Schaltungsanordnung vorgeschlagen, bei welchem das Halbleitermodul (10) durch einen elektrischen Heizstromfluss (I') geheizt und dabei die elektrische und/oder thermische Qualität einer Mehrzahl vorgesehener Kontakte (31, 32) des Kontaktbereichs (30) aus einer temperaturabhängigen Messgröße (UR) ermittelt wird. Der Heizstromfluss (I') wird gebildet von einer Mehrzahl Heizstrompulse (I, I1, I2). Die Anwendung der Heizstrompulse (I, I1, I2) führt zu unterschiedlichen Phasen (Ph1, Ph2) der Messgröße (UR). Die unterschiedlichen Phasen (Ph1, Ph2) werden den unterschiedlichen Kontakten (31, 32) zugeordnet und entsprechend zur Ermittlung der elektrischen und/oder thermischen Qualität der Kontakte (31, 32) ausgewertet.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs und insbesondere ein Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs eines Halbleitermoduls, insbesondere eines Leistungshalbleitermoduls. Genauer betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs eines Halbleitermoduls mit einer Rückwärtsdiode, wobei im Kontaktbereich eine Mehrzahl Kontakte ausgebildet ist. Es handelt sich dabei insbesondere um ein Verfahren zur Bewertung von zweiseitigen Chiplötungen mittels eines mehrfachen Delta-VSD-Tests.
- Bei Halbleiterbauelementen, insbesondere also bei Halbleitermodulen und insbesondere bei Leistungshalbleitermodulen sind bei deren Herstellung innerhalb verschiedener Zwischenstadien des Herstellungsprozesses, auch in der Massenproduktion, so genannte elektrische und/oder thermische Serientests notwendig, um die Qualität der Kontaktierungen bestimmter Kontaktbereiche in elektrischer und/oder in thermischer Hinsicht beurteilen zu können. Es handelt sich dabei insbesondere darum, die Qualität von Lötungen auf einer Chiprückseite mittels eines so genannten Delta-VSD-Tests zu bewerten.
- Problematisch bei derartigen Tests ist, dass moderne Leistungshalbleiterbauelemente und insbesondere Leistungshalbleitermodule eine Vielzahl Kontakte und Kontaktbereiche aufweisen, die auf Grund ihrer Struktur durchaus unterschiedliche thermische und/oder elektrische Eigenschaften besitzen. Bei herkömmlichen Tests wirken sämtliche Kontakte oder Kontaktarten integral zusammen und können auf Grund der Test struktur hinsichtlich ihrer unterschiedlichen elektrischen und/oder thermischen Eigenschaften nicht voneinander getrennt betrachtet werden. Oft führt dies auch dazu, dass Eigenschaften in Bezug auf eine erste Kontaktart die Messergebnisse in Bezug auf die Eigenschaften einer zweiten und von der ersten Kontaktart verschiedenen Kontaktart überdecken.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs anzugeben, bei welchem auf besonders einfache und doch zuverlässige Art und Weise die elektrischen und/oder thermischen Qualitäten unterschiedlicher Kontakte oder Kontaktarten des Kontaktbereichs voneinander wohl unterschieden ermittelt und dargestellt werden können.
- Gelöst wird die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe bei einem Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs mit den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1. Vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen eines Kontaktbereichs sind Gegenstand der abhängigen Unteransprüche.
- Das erfindungsgemäße Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs ist insbesondere ausgelegt zum Testen eines Kontaktbereichs eines Halbleitermoduls mit einer Schaltungsanordnung mit einer Mehrzahl von Kontakten. Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird das Halbleitermodul aktiv durch elektrischen Heizstromfluss geheizt. Es werden erfindungsgemäß die eine temperaturabhängige physikalische Größe der Schaltungsanordnung des Halbleitermoduls und/oder deren zeitlicher Verlauf als Messgrößen gemessen und/oder ausgewertet. Die elektrische und/oder die thermische Qualität der Kontakte werden aus der Messgröße des Halbleitermoduls und/oder aus deren zeitlichem Verlauf ermittelt. Erfindungsgemäß wird der Heizstromfluss gebildet von einer Mehrzahl Heizstrompulse. Durch die Anwendung der Heizstrompulse werden unterschiedliche Phasen der Messgröße des Halbleitermoduls und/oder in deren zeitlichem Verlauf erzeugt. Diese unterschiedlichen Phasen in der Messgröße des Halbleitermoduls und/oder in deren zeitlichem Verlauf werden erfindungsgemäß unterschiedlichen Kontakten zugeordnet und für die Ermittlung der elektrischen und/oder thermischen Qualität der Kontakte entsprechend ausgewertet.
- Es ist somit eine Kernidee der vorliegenden Erfindung, einen Heizstromfluss aus einer Mehrzahl Heizstrompulse zusammenzusetzen, so dass sich unterschiedliche Phasen in der gemessenen Messgröße der Schaltungsanordnung des Halbleitermoduls ergeben, die unterschiedlichen Kontakten zugeordnet werden können, um so der Ermittlung der elektrischen und/oder thermischen Qualität der unterschiedlichen Kontakte zu dienen.
- Es können eine elektrische physikalische Größe und/oder deren zeitlicher Verlauf als Messgrößen gemessen und/oder ausgewertet werden.
- Es können eine insbesondere eine Schwellenspannung, eine Durchbruchsspannung oder eine Flussspannung des Halbleitermoduls und/oder deren zeitliche Verläufe als Messgrößen gemessen und/oder ausgewertet werden.
- Es ist ferner denkbar, dass genau eine oder aber eine Mehrzahl physikalischer Größen des Halbleitermoduls und/oder deren zeitliche Verläufe als Messgrößen zur Ermittlung der elektrischen und/oder thermischen Qualität der gemessen und/oder ausgewertet werden.
- Insbesondere können die Flussspannung einer Rückwärtsdiode des Halbleitermoduls und/oder deren zeitlicher Verlauf als Messgrößen gemessen und/oder ausgewertet werden.
- Bei einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass zeitlich getrennte und/oder zeitlich aufeinander folgende Heizstrompulse verwendet werden.
- Bei einer anderen Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass zeitlich überlagerte oder überlagernde Heizstrompulse verwendet werden.
- Es ist zum einen denkbar, dass eine Mehrzahl identischer Heizstrompulse verwendet wird.
- Alternativ oder zusätzlich ist es denkbar, dass eine Mehrzahl aus zwei oder mehr unterschiedlichen Heizstrompulsen verwendet wird.
- Bei einer besonders bevorzugten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass eine Mehrzahl Heizstrompulse aus einem ersten Heizstrompuls und aus einem zweiten Heizstrompuls verwendet wird.
- Dabei ist es vorgesehen, dass der zweite Heizstrompuls zeitlich direkt im Anschluss an den ersten Heizstrompuls angewandt wird.
- Zusätzlich oder alternativ ist es vorgesehen, dass der erste Heizstrompuls eine geringere erste Pulsdauer aufweist als die zweite Pulsdauer des zweiten Heizstrompulses.
- Ferner ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die erste Pulsdauer etwa 10 % der zweiten Pulsdauer oder weniger beträgt.
- Bei einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es vorgesehen, dass die erste Pulsdauer etwa 1,5 ms beträgt.
- Bei einer anderen Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die zweite Pulsdauer etwa 23 ms beträgt.
- Es kann vorgesehen sein, dass durch den ersten Heizstrompuls eine höhere erste elektrische und/oder thermische Leistung vermittelt wird als eine zweite elektrische und/oder thermische Leistung für den zweiten Heizstrompuls.
- Bei einer anderen Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass der Wert für die erste elektrische und/oder thermische Leistung etwa das Vierfache des Werts der zweiten elektrischen und/oder thermischen Leistung beträgt.
- Bei einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass der Wert für die erste elektrische und/oder thermische Leistung etwa 160 W beträgt.
- Bei einer anderen vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass der Wert für die zweite elektrische und/oder thermische Leistung etwa 40 W beträgt.
- Bei einer vorteilhaften Fortbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass durch den oder mit dem ersten Heizstrompuls eine erste Phase der Flussspannung der Rückwärtsdiode erzeugt und/oder zugeordnet wird, insbesondere mit einem zeitlichen Verlauf etwa im zeitlichen Bereich der ersten Pulsdauer.
- Bei einer weiteren Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass durch den oder mit dem zweiten Heizstrompuls eine zweite Phase der Flussspannung der Rückwärtsdiode erzeugt und/oder zugeordnet wird, insbesondere mit einem zeitlichen Verlauf etwa im zeitlichen Bereich der zweiten Pulsdauer.
- Bei einer Weiterentwicklung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass der erste Heizstrompuls und/oder die erste Phase der Flussspannung der Rückwärtsdiode einem ersten Kontakt und/oder einer ersten Kontaktart zugeordnet und/oder entsprechend ausgewertet werden.
- Zusätzlich oder alternativ wird bevorzugt, dass der erste Kontakt und/oder die erste Kontaktart einen Kontakt beschreiben oder darstellen zwischen einem Chip und einem Kontaktbügel, insbesondere eines Leistungshalbleitermoduls.
- Weiter wird zusätzlich oder alternativ bevorzugt, dass der zweite Heizstrompuls und/oder die zweite Phase der Flussspannung der Rückwärtsdiode einem zweiten Kontakt und/oder einer zweiten Kontaktart zugeordnet und/oder entsprechend ausgewertet werden.
- Bei einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es vorgesehen, dass der zweite Kontakt und/oder die zweite Kontaktart einen Kontakt beschreiben oder darstellen zwischen einem Chip und einem Leadframe oder einem Leiterrahmen, insbesondere eines Leistungshalbleitermoduls.
- Bei einer anderen alternativen Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es vorgesehen, dass die Mehrzahl Heizpulse gebildet wird durch ein mehrmaliges und zeitlich aufeinander folgendes Anwenden eines gegebenen Heizstrompulses mit einer gegebenen Pulsdauer und einer gegebenen zu vermittelnden elektrischen und/oder thermischen Leistung.
- Dabei kann es vorgesehen sein, dass das mehrmalige und zeitlich aufeinander folgende Anwenden der Heizstrompulse jeweils unterbrochen wird durch eine Unterbrechungszeitspanne zwischen zwei zeitlich direkt aufeinander folgenden Heizstrompulsen.
- Ferner kann es von Vorteil sein, dass die Unterbrechungszeitspanne zwischen zwei zeitlich direkt aufeinander folgenden Heizstrompulsen jeweils gleich ist.
- Bei einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die Unterbrechungszeitspanne zwischen zwei zeitlich direkt aufeinander folgenden Heizstrompulsen jeweils geringer ist als die Pulsdauer der Heizstrompulse.
- Bei einer anderen Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die Unterbrechungszeitspanne zwischen zwei zeitlich direkt aufeinander folgenden Heizstrompulsen etwa ein Drittel der Pulsdauer beträgt.
- Ferner kann es zusätzlich oder alternativ vorgesehen sein, dass die Unterbrechungszeitspanne zwischen zwei zeitlich direkt aufeinander folgenden Heizstrompulsen etwa 0,5 ms beträgt.
- Weiter kann es zusätzlich oder alternativ vorgesehen sein, dass die Pulsdauer der Heizstrompulse etwa 1,5 ms beträgt.
- Bei einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die vermittelte elektrische und/oder thermische Leistung der Heizstrompulse etwa 100 W beträgt.
- Ferner kann es zusätzlich oder alternativ bevorzugt sein, dass durch den Heizstrompuls jeweils eine erste Phase der Flussspannung der Rückwärtsdiode erzeugt und/oder dieser zugeordnet wird, insbesondere mit einem zeitlichen Verlauf im zeitlichen Bereich der Pulsdauer des Heizpulses.
- Bei einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass durch die Gesamtheit der Mehrzahl der Heizpulse eine zweite Phase der Flussspannung der Rückwärtsdiode erzeugt und/oder dieser zugeordnet wird, insbesondere in Form einer Mittelnden oder Einhüllenden der entsprechenden Mehrzahl erster Phasen im Verlauf der Flussspannung der Rückwärtsdiode und/oder insbesondere mit einem zeitlichen Verlauf im zeitlichen Bereich, welcher in etwa der Gesamtheit der Mehrzahl der angewandten Heizstrompulse entspricht.
- Bei einer anderen Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen kann es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass der einzelne Heizstrompuls und/oder die erste Phase der Flussspannung der Rückwärtsdiode einem ersten Kontakt und/oder einer ersten Kontaktart zugeordnet und/oder entsprechend ausgewertet werden.
- Bei einer anderen vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass der erste Kontakt und/oder die zweite Kontaktart einen Kontakt beschreiben oder darstellen zwischen einem Chip und einem Kontaktbügel, insbesondere eines Leistungshalbleitermoduls.
- Bei einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen von Kontaktbereichen ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die Gesamtheit der Mehrzahl Heizstrompulse und/oder die zweite Phase der Flussspannung der Rückwärtsdiode einem zweiten Kontakt und/oder einer zweiten Kontaktart zugeordnet und/oder entsprechend ausgewertet werden.
- Es ist vorteilhaft, dass zusätzlich oder alternativ der zweite Kontakt und/oder die zweite Kontaktart einen Kontakt beschreiben oder darstellen zwischen einem Chip und einem Leadframe oder einem Leiterrahmen, insbesondere eines Leistungshalbleitermoduls.
- Diese und weitere Aspekte der vorliegenden Erfindung werden im Folgenden mit anderen Worten erläutert:
Die vorliegende Erfindung betrifft insbesondere die Bewertung von zweiseitigen Chiplötungen mittels eines mehrfachen Delta-VSD-Test - Grundsätzlich ist im elektrischen Serientest von Leistungshalbleiterbauelementen die Bewertung der Lötung der Chiprückseite per „Delta-VSD-Test" üblich. Das Prinzip besteht darin, dass der Chip über einen Strompuls aktiv geheizt wird. Ist die Chiplötung schlecht, z. B. wegen eines Lunkers oder zu hoher Schichtstärke, so wird der Baustein heißer als ein gut gelöteter Chip. Der Temperaturanstieg wird über die Differenz zweier Messungen der Flussspannung oder der VSD der Rückwärtsdiode des Chips oder Bauelements, z. B. eines MOSFET-Transistors, ermittelt, daher nennt man das Grundprinzip auch Delta-VSD-Test.
- Der Kontakt auf der Chipoberseite wird über Bonddrähte hergestellt. Mit der Entwicklung einer neuen Packagingtechnologien, bei welchen auf der Oberseite ein großflächiger Bügel aufgelötet oder geklebt wird ergibt sich die Möglichkeit oder Notwendigkeit, auch diese Verbindung im Rahmen der elektrischen Serienprüfung zu testen.
- Der einfache Delta-VSD-Test lässt sich hier nicht direkt einsetzen, da die thermischen Zeitkonstanten für die beiden Übergänge – z. B. wegen des Abstands des ausgemessenen pn-Übergangs zur oberen und unteren Lötung – sehr unterschiedlich sind.
- Es können auch mehr als zwei unterschiedliche Heizpulse Anwendung finden, so dass im Grunde jede Grenzfläche und jedes Volumen innerhalb des Bauelements damit parallel untersucht werden kann. Als Beispiele bieten sich hier neben den erwähnten Verbindungsschichten zwischen Chip und Clip bzw. zwischen Chip und Leadframe noch die Verbindungsschichten zwischen Bauelement und Platine oder aber auch eine Volumenbewertung bezüglich Inhomogenitäten oder Risse an.
- Neben der Flussspannung der Rückwärtsdiode als Messgröße können auch andere Messgrößen genutzt werden, wenn diese ein charakteristisches Temperaturverhalten und eine entsprechende Temperaturabhängigkeit zeigen. Es sind z. B. eine Schwellspannung (Vth) oder eine Durchbruchspannung (Vbrdss) auswertbar. Diese Messgrößen nehmen innerhalb des Messbereiches für jede Temperatur ein anderen Wert an. Damit lässt sich über die Messung des entsprechenden Chipparameters oder der Messgröße die Temperatur des Chips ermitteln. Folglich lässt sich die Bauteilqualität abschätzen und kontrollieren, weil bei Störungen, wie z.B. Delaminationen oder Rissen, die Chiptemperatur während der Heizpulse stärker ansteigt und sich damit die intrinsischen Messgrößen ändern.
- Nachfolgend werden diese und weitere Aspekte der vorliegenden Erfindung anhand einer schematischen Zeichnung auf der Grundlage bevorzugter Ausführungsformen näher erläutert.
-
1 zeigt in schematischer und geschnittener Seitenansicht ein Leistungshalbleitermodul, bei welchem das erfindungsgemäße Verfahren zum Testen von Kontaktbereichen angewandt werden kann. -
2 ist die schematische Darstellung eines thermischen Schemas für das in1 dargestellte Leistungshalbleitermodul. -
3 zeigt in Form eines Graphen den zeitlichen Verlauf der übermittelten thermischen Leistung gemäß einer ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs. -
4A –D sind Graphen, die das Ergebnis für verschiedenen Kontaktqualitäten in Form von Graphen darstellen, und zwar bei Anwendung des in3 illustrierten Heizstromflusses. -
5 zeigt in Form eines Graphen den zeitlichen Verlauf der übermittelten thermischen Leistung gemäß einer anderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen eines Kontaktbereichs. -
6A –C sind Graphen, die das Ergebnis für verschiedenen Kontaktqualitäten in Form von Graphen darstellen, und zwar bei Anwendung des in5 illustrierten Heizstromflusses. - Nachfolgend werden ähnliche Strukturen und Elemente mit denselben Bezugszeichen bezeichnet, ohne dass bei jedem Auftreten dieser Bezugszeichen eine detaillierte Beschreibung der jeweiligen Elemente wiederholt wird.
-
1 zeigt in geschnittener Seitenansicht die Struktur eines Leistungshalbleitermoduls10 , bei welchem das erfindungsgemäße Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs30 eines Halbleitermoduls10 beim Auftreten einer Mehrzahl von Kontakten31 und32 angewandt werden kann. - Das in
1 dargestellte Leistungshalbleitermodul10 basiert maßgeblich auf einem so genannten Chip20 , der aus einem unteren Bereich21 oder ersten Abschnitt21 sowie einer elektronisch aktiven Struktur22 im Oberflächenbereich20a des Chip20 aufgebaut ist. Der Chip20 besitzt z. B. eine Stärke von z. B. etwa 200 μm, wobei die elektronisch aktive Struktur22 eine Schichtdicke im Bereich von z. B. etwa 20 μm aufweisen kann. - Im Bereich der Unterseite
20b des Chips20 ist eine zweite oder untere Verbindungsschicht42 zum darunter liegenden Leiterrahmen oder Leadframe60 als zweitem Kontaktelement52 vorgesehen. Die Struktur aus Chipunterseite20b , unterer Verbindungsschicht42 und Chipträger60 oder Leadframe60 definiert den zweiten Kontakt32 oder die zweite Kontaktart32' des Kontaktbereichs30 des Halbleitermoduls10 . - An der Oberseite
20a des Chips mit dem dort vorgesehenen Schaltungsbereich22 schließt sich eine erste oder obere Verbindungsschicht41 zu dem darüber vorgesehenen Kontaktbügel70 an als erstem Kontaktelement51 an, so dass der Oberflächenbereich20a , die obere Verbindungsschicht42 sowie der Kontaktbügel70 einen ersten Kontakt31 oder eine erste Kontaktart31' des Kontaktbereichs30 des Halbleitermoduls10 bilden. - Der Kontaktbügel
70 wird also auch als zweites Kontaktelement52 bezeichnet, und der Chipträger60 oder das Leadframe60 werden also auch als zweites Kontaktelement52 bezeichnet. - Über die Unterseite
20b und die Oberseite20a des Chips20 finden über die untere Verbindungsschicht42 und die obere Verbindungsschicht41 entsprechende Wärmeflüsse W1 bzw. W2 im Betrieb des Moduls10 statt, über welche entsprechend die Flussspannung der vorgesehenen Rückwärtsdiode beeinflusst wird. Diese Wärmeflüsse W1, W2 sind in1 durch Pfeile angedeutet. - Erfindungsgemäß wird insbesondere durch die Kombination eines ersten Delta-VSD-Tests mit einem zweiten Delta-VSD-Test eine Bewertung möglich in Bezug auf die Grenzfläche Chiprückseite
20b /Leadframe60 und zusätzlich Chipvorderseite20a /Kontaktbügel70 , so dass insbesondere bereits vorhandenes Messequipment im so genannten Backendprozess verwendet werden kann, um die neuen Verbindungstechnologien qualitätsmäßig zu erfassen. - Dabei ist für die Zuordnung der Signalphasen und die entsprechende Auswertung wichtig, dass z. B. die thermische Diffusionszeit für Silizium bei einem thermischen Pfad von etwa 200 μm an der Position Chip
20 /Leadframe60 etwa 4 ms beträgt, wogegen die thermische Diffusionszeit für Silizium bei einem thermischen Pfad von 20 μm im Bereich Chip20 /Sourcebügel70 etwa 0,04 ms beträgt. -
2 zeigt ein elektrisches und/oder thermisches Schema, welches schematisch die Gegebenheiten der Anordnung des Halbleitermoduls10 aus1 repräsentiert. -
3 zeigt in Form eines Graphen den zeitlichen Verlauf der aufgebrachten thermischen Gesamtleistung P(t) als Funktion der Zeit t bei einer ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen eines Kontaktbereichs30 , bei welchem eine erste Ausgestaltung für den Heizstromfluss I' verwendet wird, wobei Letzterer gebildet wird von einem ersten Heizstrompuls I1 mit einer ersten Pulsdauer Δt1 = 1,5 ms und einer ersten elektrischen und/oder thermischen Leistung P1 = 160 W und einem zweiten Heizstrompuls I2 mit einer zweiten Pulsdauer Δt2 = 23 ms und einer zweiten elektrischen und/oder thermischen Leistung P2 = 40 W: I'(t) = I1(t) + I2(t). - Die
4A bis4D zeigen die Reaktion, z. B. des in1 dargestellten Leistungshalbleitermoduls10 , für verschiedene Qualitätsszenarien, wobei die Rückflussspannung UR oder Flussspannung UR einer Rückwärtsdiode der Schaltungsanordnung eines Halbleitermoduls10 als Messgröße UR dargestellt ist. - In den
4A bis4D sind jeweils die Verläufe der Rückflussspannung UR der Rückwärtsdiode des Halbleitermoduls10 als Funktion der Zeit t dargestellt. Zu sehen ist jeweils eine erste Phase Ph1, welche dem ersten Heizstrompuls I1 entspricht und diesem zugeordnet ist, sowie eine zweite Phase Ph2, welche dem zweiten Heizstrompuls I2 entspricht und diesem zugeordnet ist. Die erste Phase Ph1 repräsentiert die thermische Qualität des ersten Kontakts31 , also den Kontakt31 am Bügel70 . Die zweite Phase Ph2 repräsentiert die Qualität des zweiten Kontakts32 , also des Kontakts32 am Leadframe60 . Die erste Phase Ph1 und die zweite Phase Ph2 entsprechen jeweils in etwa exponentiellen Sättigungsfunktionen, wie man dies für thermische Ausgleichsvorgänge erwartet. - Je höher jeweils die Maximalamplituden der ersten Phase Ph1 und der zweiten Phase Ph2 sind, desto niedriger ist die jeweilige Qualität der ersten und zweiten Kontakte
31 bzw.32 zu bewerten, d. h., ein schlechter Kontakt31 ,32 führt zu einem erhöhten thermischen Budget, jeweils repräsentiert in der ersten Phase Ph1 bzw. in der zweiten Phase Ph2 für die Flussspannung UR der Rückwärtsdiode des Halbleiterschaltungsmoduls10 in Form einer erhöhten Signalphasenamplitude. -
4A zeigt eine Situation, bei welcher gute Lötverbindungen in Bezug auf den ersten Kontakt31 am Bügel70 und am zweiten Kontakt32 am Leadframe60 vorliegen. Die ersten und zweiten Phasen Ph1 und Ph2 der Flussspannung der Rückwärtsdiode des Halbleiterschaltungsmoduls10 haben bei guten Lötverbindungen in Bezug auf den Bügel70 und den Leadframe60 bestimmte Maximalamplituden. - Die
4B zeigt eine Situation, bei welcher der thermische Übergangswiderstand Rth für die Lötung am Leadframe60 verdoppelt ist, was einer Verschlechterung der thermischen Qualität des zweiten Kontakts32 entspricht. Unbeeinflusst ist dabei die erste Phase Ph1 der Flussspannung UR der Rückwärtsdiode des Moduls10 , welche ja den ersten Kontakt31 am Bügel70 beschreibt. Dagegen ist im Vergleich zu der Situation aus4A die Maximalamplitude der zweiten Phase Ph2 der Flussspannung UR der Rückwärtsdiode, durch welche die Qualität des zweiten Kontakts32 am Leadframe60 beschrieben wird, messbar erhöht. Zum Vergleich ist in4B die Messkurve aus4A gepunktet angedeutet. - Bei der Situation der
4C liegt dagegen eine Verschlechterung am ersten Kontakt31 am Bügel70 vor, nämlich durch Verdopplung des dort vorliegenden thermischen Übergangswiderstands Rth, wogegen die Verbindung am zweiten Kontakt32 am Leadframe60 eine hohe Qualität besitzt. Die Veränderung des thermischen Kontakts am ersten Kontakt31 am Bügel70 beeinflusst ausschließlich die erste Phase Ph1 der Flussspannung UR der Rückwärtsdiode des Moduls10 , und zwar ist die Amplitude dieser ersten Phase Ph1 erhöht, wogegen die zweite Phase Ph2 der Flussspannung UR der Rückwärtsdiode des Moduls10 unbeeinflusst bleibt. Im Vergleich zu1 ist die Amplitude der ersten Phase Ph1 der Flussspannung UR der Rück wärtsdiode des Moduls10 , durch welche die thermische Qualität des ersten Kontakts31 am Bügel70 beschrieben wird, messbar erhöht, entsprechend einer Qualitätseinbuße durch Verdopplung des thermischen Übergangswiderstands Rth im Bereich des Bügels70 . Zum Vergleich ist in4C die Messkurve aus4A gepunktet angedeutet. - Bei der
4D schließlich sind sowohl der erste Kontakt31 am Bügel70 und der zweite Kontakt32 am Leadframe60 des Moduls10 jeweils durch eine Verdopplung des jeweils vorliegenden thermischen Übergangswiderstands Rth verschlechtert, so dass sich im Vergleich zur Situation der4A eine deutliche Erhöhung der Maximalamplituden für die erste Phase Ph1 und für die zweite Phase Ph2 ergeben. Zum Vergleich ist in4D die Messkurve aus4A gepunktet angedeutet. - Es lässt sich also festhalten, dass sich durch Messung der Maximalamplituden der ersten Phase Ph1 und der zweiten Phase Ph2 der Flussspannung UR der Rückwärtsdiode des Moduls
10 die Qualität der ersten und zweiten Kontakte31 bzw.32 am Kontaktbügel70 bzw. am Leadframe60 ermitteln lässt. -
5 zeigt in Form eines Graphen den zeitlichen Verlauf der vermittelten elektrischen und/oder thermischen Leistung P(t) für eine andere Variante des Heizstromflusses I', wobei die vermittelte elektrische und/oder thermische Leistung P(t) als Funktion der Zeit t dargestellt ist. Der zeitliche Verlauf der vermittelten elektrischen und/oder thermischen Leistung P(t) ergibt aus einem Heizstromfluss I' als Überlagerung oder Wiederholung eines elektrischen Heizstrompulses I mit einer Pulsdauer Δt = 1,5 ms und einer vermittelten elektrischen und/oder thermischen Leistung P = 100 W, wobei die Einzelheizstrompulse I zeitlich aufeinander folgend angewandt werden und wobei zwischen zeitlich direkt aufeinander folgenden Heizstrompulsen I eine Unterbrechungszeitspanne ΔT = 0,5 ms liegt, in welcher keine elektrische und/oder thermische Leistung aktiv vermittelt wird. - In Antwort auf die in
5 dargestellte Heizpulsfolge für den Heizstromfluss I' und dem damit vermittelten Verlauf für die aufgebrachte elektrische und/oder thermische Leistung P zeigt bei einer anderen bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Testen eines Kontaktbereichs eines Halbleitermoduls10 dieses Halbleitermodul10 in Abhängigkeit von den thermischen und/oder elektrischen Qualitäten der ersten und zweiten Kontakte31 bzw.32 unterschiedlicher Verhaltensweisen in Bezug auf die Flussspannung UR einer Rückwärtsdiode der Schaltungsanordnung eines Halbleitermoduls10 als Messgröße UR, diese sind in den6A bis6C dargestellt. - In
6A sind in Form eines Graphen in ähnlicher Art und Weise wie bei der4A die normalen Verhältnisse gezeigt, bei welchen die elektrische und/oder thermische Qualität des ersten Kontakts31 und des zweiten Kontakts32 des Kontaktbereichs30 des Halbleitermoduls10 normal oder gut ausgebildet sind. - Korrespondierend mit jedem der Einzelheizstrompulse I aus
5 entsteht dabei zugeordnet eine erste Phase Ph1 der Flussspannung UR der Rückwärtsdiode, und zwar wiederum etwa in Form einer exponentiellen Sättigungskurve, die qualitativ in wesentlichen Zügen dem Verlauf der ersten Phase Ph1 für die Flussspannung UR der Rückwärtsdiode des Halbleitermoduls10 aus4A entspricht. Die Repetition oder Wiederholung des einzelnen Heizstrompulses I im Verlauf des Heizstromflusses I' führt entsprechend zu einer Repetition oder Wiederholung der ersten Phase Ph1, wobei sich jedoch im Ge samtverlauf des Signals für die Flussspannung UR der Rückwärtsdiode im Mittel oder als Einhüllende ebenfalls eine exponentielle Sättigungsfunktion in Form einer zweiten Phase Ph2 für die Flussspannung UR der Rückwärtsdiode des Halbleitermoduls10 ergibt. - Wie bei der vorangehenden Ausführungsform gemäß den
4A bis4D beschreibt die erste Phase Ph1 das thermische und/oder elektrische Verhalten und somit die entsprechende thermische und/oder elektrische Qualität des ersten Kontakts31 an der Oberseite20a des Chips20 zum entsprechenden Bügel70 hin. Die zweite Phase Ph2 der Flussspannung UR der Rückwärtsdiode beschreibt dagegen wiederum die elektrische und/oder thermische Qualität des zweiten Kontakts32 auf der Unterseite20b des Chips20 zum Leadframe60 hin. - Im Gegensatz zu den in
6A gezeigten normalen Verhältnissen liegen bei der Ausführungsform der6B im Bereich des zweiten Kontakts32 zwischen Chip20 und Leadframe60 schlechtere Kontaktbedingungen im Sinne eines verdoppelten thermischen Übergangswiderstands Rth vor. Dies äußert sich darin, dass die zweite Phase Ph2 für die Flussspannung UR der Rückwärtsdiode des Halbleitermoduls10 im Hinblick auf die maximale Amplitude verglichen mit6A erhöht ist. Die Amplitude der ersten Phasen Ph1, die die elektrische und/oder thermische Qualität im Bereich des ersten Kontakts31 zwischen Chip20 und Kontaktbügel70 beschreiben, sind im Wesentlichen unbeeinflusst. Zum Vergleich ist in6B die Messkurve aus6A gepunktet angedeutet. - Im Gegensatz dazu zeigt
6C Verhältnisse, bei welchen zwar die elektrische und/oder thermische Qualität des zweiten Kontakts32 zwischen Chip20 und Leadframe60 normal sind, aber die elektrische und/oder thermische Qualität im Bereich des ersten Kontakts31 zwischen Chip20 und Kontaktbügel70 durch Verdopplung des thermischen Übergangswiderstands Rth verschlechtert ausgebildet sind. Dies äußert sich darin, dass die Amplituden der ersten Phasen Ph1 der Flussspannung UR der Rückwärtsdiode des Halbleitermoduls10 gegenüber den in den6A und6B gezeigten Verhältnissen gesteigert sind. Davon unbeeinflusst ist jedoch die Amplitude der zweiten Phase Ph2 der Flussspannung UR der Rückwärtsdiode des Halbleitermoduls10 , also die Einhüllende oder gemittelte Kurve des Verlaufs der Flussspannung UR der Rückwärtsdiode des Halbleitermoduls10 . Zum Vergleich ist in6C die Messkurve aus6A gepunktet angedeutet. - So können aus den in den
6A bis6C gezeigten Verhältnissen aus den Amplituden der ersten Phase Ph1 und der zweiten Phase Ph2 die elektrischen und/oder thermischen Qualitäten im Bereich des ersten Kontakts31 zwischen Chip20 und Kontaktbügel70 bzw. im Bereich des zweiten Kontakts31 zwischen Chip20 und Leadframe60 ermittelt werden, wobei eine gesteigerte Amplitude jeweils zu einer verschlechterten thermischen und/oder elektrischen Qualität korrespondiert. -
- 10
- Halbleitermodul, Leistungshalbleitermodul
- 20
- Chip
- 20a
- Oberflächenbereich, Oberseite
- 20b
- Unterseite
- 21
- erster
Abschnitt des Chips
20 - 22
- elektronisch aktive Struktur,
- Halbleiterschaltungsanordnung
- 30
- Kontaktbereich
- 31
- erster oder oberer Kontakt
- 31'
- Erste Kontaktart
- 32
- zweiter oder unterer Kontakt
- 32'
- Zweite Kontaktart
- 41
- erste oder obere Verbindungsschicht
- 42
- zweite oder untere Verbindungsschicht
- 51
- erstes oder oberes Kontaktelement,
- Kontaktbereich
zwischen Chip
20 und - Sourcebügel
70 - 52
- zweites oder unteres Kontaktelement,
- Kontaktbereich
zwischen Chip
20 und - Leadframe
60 - 60
- Chipträger, Leadframe, Leiterrahmen
- 70
- Bügel, Kontaktbügel, Sourcebügel
- 80
- Pressmasse
- 90
- Rückwärtsdiode
- I
- Heizstrompuls
- I'
- Heizstromfluss
- I1
- erster Heizstrompuls
- I2
- zweiter Heizstrompuls
- Ph1
- erste Phase
- Ph2
- zweite Phase
- UR
- Messgröße, Flussspannung
- W1
- Wärmefluss
- W2
- Wärmefluss
- Δt
- Pulsdauer, Pulszeitspanne
- Δt1
- Pulsdauer, Pulszeitspanne des ersten
- Heizstrompulses I1
- Δt2
- Pulsdauer, Pulszeitspanne des zweiten
- Heizstrompulses I2
- ΔT
- Unterbrechungszeitspanne
Claims (39)
- Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs (
30 ) mit einer Mehrzahl Kontakte (31 ,32 ) eines Halbleitermoduls (10 ) mit einer Schaltungsanordnung, – bei welchem das Halbleitermodul (10 ) aktiv durch elektrischen Heizstromfluss (I') geheizt wird, – bei welchem eine temperaturabhängige physikalische Größe des Halbleitermoduls (10 ) oder der Schaltungsanordnung des Halbleitermoduls (10 ) und/oder deren zeitlicher Verlauf als Messgrößen (UR) gemessen und/oder ausgewertet werden, – bei welchem die elektrische und/oder thermische Qualität der Kontakte (31 ,32 ) ermittelt wird aus der Messgröße (UR) des Halbleitermoduls (10 ) und/oder aus deren zeitlichem Verlauf, – bei welchem der Heizstromfluss (I') gebildet wird von einer Mehrzahl Heizstrompulse (I, I1, I2), – bei welchem durch die Anwendung der Heizstrompulse (I, I1, I2) unterschiedliche Phasen (Ph1, Ph2) der Messgröße (UR) des Halbleitermoduls (10 ) und/oder in deren zeitlichem Verlauf erzeugt werden und – bei welchem die unterschiedlichen Phasen (Ph1, Ph2) der Messgröße (UR) des Halbleitermoduls (10 ) und/oder in deren zeitlichem Verlauf unterschiedlichen Kontakten (31 ,32 ) zugeordnet und für die Ermittlung der elektrischen und/oder thermischen Qualität der Kontakte (31 ,32 ) entsprechend ausgewertet werden. - Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem eine elektrische physikalische Größe und/oder deren zeitlicher Verlauf als Messgrößen (UR) gemessen und/oder ausgewertet werden.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welchem eine Schwellenspannung, eine Durchbruchsspannung oder eine Flussspannung (UR) des Halbleitermoduls (
10 ) und/oder deren zeitliche Verläufe als Messgrößen (UR) gemessen und/oder ausgewertet werden. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welchem eine Mehrzahl physikalischer Größen des Halbleitermoduls (
10 ) und/oder deren zeitliche Verläufe als Messgrößen (UR) zur Ermittlung der elektrischen und/oder thermischen Qualität der Kontakte (31 ,32 ) gemessen und/oder ausgewertet werden. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welchem die Flussspannung (UR) einer Rückwärtsdiode des Halbleitermoduls (
10 ) und/oder deren zeitlicher Verlauf als Messgrößen (UR) gemessen und/oder ausgewertet werden. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welchem zeitlich getrennte und/oder zeitlich aufeinander folgende Heizstrompulse (I, I1, I2) verwendet werden.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welchem zeitlich überlagerte oder überlagernde Heizstrompulse (I, I1, I2) verwendet werden.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welchem eine Mehrzahl identischer Heizstrompulse (I) verwendet wird.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welchem eine Mehrzahl unterschiedlicher Heizstrompulse (I1, I2) verwendet wird.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welchem eine Mehrzahl Heizstrompulse (I1, I2) aus einem ersten Heizstrompuls (I1) und aus einem zweiten Heizstrompuls (I2) verwendet wird.
- Verfahren nach Anspruch 10, bei welchem der zweite Heizstrompuls (I2) zeitlich direkt im Anschluss an den ersten Heizstrompuls (I1) angewandt wird.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 10 oder 11, bei welchem der erste Heizstrompuls (I1) eine geringere erste Pulsdauer (Δt1) aufweist als die zweite Pulsdauer (Δt2) des zweiten Heizstrompulses (I2).
- Verfahren nach Anspruch 12, bei welchem die erste Pulsdauer (Δt1) etwa 10 % der zweiten Pulsdauer (Δt2) oder weniger beträgt.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 12 oder 13, bei welchem die erste Pulsdauer (Δt1) etwa 1,5 ms beträgt.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 12 bis 14, bei welchem die zweite Pulsdauer (Δt2) etwa 23 ms beträgt.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 12 bis 15, bei welchem durch den ersten Heizstrompuls (I1) eine höhere erste elektrische und/oder thermische Leistung (P1) vermittelt wird als eine zweite elektrische und/oder thermische Leistung (P2) für den zweiten Heizstrompuls (I2).
- Verfahren nach Anspruch 16, bei welchem der Wert für die erste elektrische und/oder thermische Leistung (P1) etwa das Vierfache des Werts der zweiten elektrischen und/oder thermischen Leistung (P2) beträgt.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 16 oder 17, bei welchem der Wert für die erste elektrische und/oder thermische Leistung (P1) etwa 160 W beträgt.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 16 bis 18, bei welchem der Wert für die zweite elektrische und/oder thermische Leistung (P2) etwa 40 W beträgt.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 6 bis 19, bei welchem durch den oder mit dem ersten Heizstrompuls (I1) eine erste Phase (Ph1) der Messgröße (UR) und insbesondere der Flussspannung (UR) der Rückwärtsdiode erzeugt und/oder zugeordnet wird, insbesondere mit einem zeitlichen Verlauf etwa im zeitlichen Bereich der ersten Pulsdauer (Δt1).
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 6 bis 20, bei welchem durch den oder mit dem zweiten Heizstrompuls (I2) eine zweite Phase (Ph2) der Messgröße (UR) und insbesondere der Flussspannung (UR) der Rückwärtsdiode erzeugt und/oder zugeordnet wird, insbesondere mit einem zeitlichen Verlauf etwa im zeitlichen Bereich der zweiten Pulsdauer (Δt2).
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 6 bis 21, bei welchem der erste Heizstrompuls (I1) und/oder die erste Phase (Ph1) der Messgröße (UR) und insbesondere der Flussspannung (UR) der Rückwärtsdiode einem ersten Kontakt (
31 ) und/oder einer ersten Kontaktart (31' ) zugeordnet und/oder entsprechend ausgewertet werden. - Verfahren nach Anspruch 22, bei welchem der erste Kontakt (
31 ) und/oder die erste Kontaktart (31' ) einen Kontakt beschreiben oder darstellen zwischen einem Chip (20 ) und einem Kontaktbügel (70 ), insbesondere eines Leistungshalbleitermoduls (10 ). - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 6 bis 23, bei welchem der zweite Heizstrompuls (I2) und/oder die zweite Phase (Ph2) der Messgröße (UR) und insbesondere der Flussspannung (UR) der Rückwärtsdiode einem zweiten Kontakt (
32 ) und/oder einer zweiten Kontaktart (32' ) zugeordnet und/oder entsprechend ausgewertet werden. - Verfahren nach Anspruch 24, bei welchem der zweite Kontakt (
32 ) und/oder die zweite Kontaktart (32' ) einen Kontakt beschreiben oder darstellen zwischen einem Chip (20 ) und einem Leadframe (60 ) oder einem Leiterrahmen (60 ), insbesondere eines Leistungshalbleitermoduls (10 ). - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei welchen die Mehrzahl Heizpulse (I) gebildet wird durch ein mehrmaliges und zeitlich aufeinander folgendes Anwenden eines gegebenen Heizstrompulses (I) mit einer gegebenen Pulsdauer (Δt) und einer gegebenen zu vermittelnden elektrischen und/oder thermischen Leistung (P).
- Verfahren nach Anspruch 26, bei welchem das mehrmalige und zeitlich aufeinander folgende Anwenden der Heizstrompulse (I) jeweils unterbrochen wird durch eine Unterbrechungszeitspanne (ΔT) zwischen zwei zeitlich direkt aufeinander folgenden Heizstrompulsen (I).
- Verfahren nach Anspruch 27, bei welchem die Unterbrechungszeitspanne (ΔT) zwischen zwei zeitlich direkt aufeinander folgenden Heizstrompulsen (I) jeweils gleich ist.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 27 oder 28, bei welchem die Unterbrechungszeitspanne (ΔT) zwischen zwei zeitlich direkt aufeinander folgenden Heizstrompulsen (I) jeweils geringer ist als die Pulsdauer (Δt) der Heizstrompulse (I).
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 27 bis 29, bei welchem die Unterbrechungszeitspanne (ΔT) zwischen zwei zeitlich direkt aufeinander folgenden Heizstrompulsen (I) etwa ein Drittel der Pulsdauer (Δt) beträgt.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 27 bis 30, bei welchem die Unterbrechungszeitspanne (ΔT) zwischen zwei zeitlich direkt aufeinander folgenden Heizstrompulsen (I) etwa 0,5 ms beträgt.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 26 bis 21, bei welchem die Pulsdauer (Δt) der Heizstrompulse (I) etwa 1,5 ms beträgt.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 26 bis 32, bei welchem die vermittelte elektrische und/oder thermische Leistung (P) der Heizstrompulse (I) etwa 100 W beträgt.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 26 bis 33, bei welchem durch den Heizstrompuls (I) jeweils eine erste Phase (Ph1) der Messgröße (UR) und insbesondere der Flussspannung (UR) der Rückwärtsdiode erzeugt und/oder dieser zugeordnet wird, insbesondere mit einem zeitlichen Verlauf im zeitlichen Bereich der Pulsdauer (Δt) des Heizpulses (I).
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 26 bis 34, bei welchem durch die Gesamtheit der Mehrzahl der Heizpulse (I) eine zweite Phase (Ph2) der Messgröße (UR) und insbesondere der Flussspannung (UR) der Rückwärtsdiode erzeugt und/oder dieser zugeordnet wird, insbesondere in Form einer Mittelnden oder Einhüllenden der entsprechenden Mehrzahl erster Phasen (Ph1) im Verlauf der Messgröße (UR) und insbesondere der Flussspannung (UR) der Rückwärtsdiode und/oder insbesondere mit einem zeitlichen Verlauf im zeitlichen Bereich, welcher in etwa der Gesamtheit der Mehrzahl der angewandten Heizstrompulse (I) entspricht.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 26 bis 35, bei welchem der einzelne Heizstrompuls (I) und/oder die erste Phase (Ph1) der Messgröße (UR) und insbesondere der Flussspannung (UR) der Rückwärtsdiode einem ersten Kontakt (
31 ) und/oder einer ersten Kontaktart (31' ) zugeordnet und/oder entsprechend ausgewertet werden. - Verfahren nach Anspruch 36, bei welchem der erste Kontakt (
31 ) und/oder die zweite Kontaktart (31' ) einen Kontakt beschreiben oder darstellen zwischen einem Chip (20 ) und einem Kontaktbügel (70 ), insbesondere eines Leistungshalbleitermoduls (10 ). - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 26 bis 37, bei welchem die Gesamtheit der Mehrzahl Heizstrompulse (I) und/oder die zweite Phase (Ph2) der Messgröße (UR) und insbesondere der Flussspannung (UR) der Rückwärtsdiode einem zweiten Kontakt (
32 ) und/oder einer zweiten Kontaktart (32' ) zugeordnet und/oder entsprechend ausgewertet werden. - Verfahren nach Anspruch 38, bei welchem der zweite Kontakt (
32 ) und/oder die zweite Kontaktart (32' ) einen Kontakt beschreiben oder darstellen zwischen einem Chip (20 ) und einem Leadframe (60 ) oder einem Leiterrahmen (60 ), insbesondere eines Leistungshalbleitermoduls (10 ).
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004046800.1A DE102004046800B4 (de) | 2004-09-27 | 2004-09-27 | Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs eines Halbleitermoduls |
US11/233,348 US7265564B2 (en) | 2004-09-27 | 2005-09-22 | Method for testing a contact region of a semiconductor module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004046800.1A DE102004046800B4 (de) | 2004-09-27 | 2004-09-27 | Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs eines Halbleitermoduls |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102004046800A1 true DE102004046800A1 (de) | 2006-04-06 |
DE102004046800B4 DE102004046800B4 (de) | 2016-07-21 |
Family
ID=36061995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102004046800.1A Expired - Fee Related DE102004046800B4 (de) | 2004-09-27 | 2004-09-27 | Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs eines Halbleitermoduls |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7265564B2 (de) |
DE (1) | DE102004046800B4 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8380451B2 (en) * | 2009-07-14 | 2013-02-19 | Ford Global Technologies, Llc | System and method for monitoring the state of health of a power electronic system |
CN103235993B (zh) * | 2013-04-24 | 2017-06-06 | 江苏大学 | 用于企业用户侧的电能质量评估系统及其方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19726534A1 (de) * | 1997-06-23 | 1998-12-24 | Asea Brown Boveri | Leistungshalbleitermodul mit geschlossenen Submodulen |
DE19824064A1 (de) * | 1998-05-29 | 1999-12-09 | Semikron Elektronik Gmbh | Schaltungsanordnung mit kennfeldorientierter Überlastbewertung |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5502390A (en) * | 1994-03-15 | 1996-03-26 | International Business Machines Corporation | Adiabatic conductor analyzer method and system |
US6909271B2 (en) * | 2001-12-05 | 2005-06-21 | Kenneth C. Sloneker | Devices, systems, and methods for measuring differential temperature |
-
2004
- 2004-09-27 DE DE102004046800.1A patent/DE102004046800B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-09-22 US US11/233,348 patent/US7265564B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060066336A1 (en) | 2006-03-30 |
US7265564B2 (en) | 2007-09-04 |
DE102004046800B4 (de) | 2016-07-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R082 | Change of representative | ||
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