DE102004022932A1

DE102004022932A1 - Halbleiterherstellungssystem und Verfahren zum Ausbilden eines Dünnfilms auf einem Wafer unter Verwendung desselben

Info

Publication number: DE102004022932A1
Application number: DE102004022932A
Authority: DE
Inventors: Myung-Koo Suwon Jeong; Jeong-Ho Suwon Yoo
Original assignee: Terasemicon Co Ltd
Current assignee: Terasemicon Co Ltd
Priority date: 2003-12-15
Filing date: 2004-05-10
Publication date: 2005-07-21
Also published as: JP4086242B2; KR100568456B1; US20050126482A1; KR20050060161A; JP2005183908A

Abstract

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterherstellungssystem und auf ein Verfahren zum Ausbilden eines Dünnfilmes auf einem Wafer unter Verwendung desselben. Das Halbleiterherstellungssystem weist Folgendes auf: ein Reaktionsrohr zum Bereitstellen eines abgedichteten Raumes zum Verarbeiten eines Wafers; Waferladedoppelschiffe, die aus einem ersten Waferladeschiff und einem zweiten Waferladeschiff bestehen, wobei das erste Waferladeschiff innerhalb des abgedichteten Raumes des Reaktionsrohres angebracht ist, und das zweite Waferladeschiff so aufgebaut ist, dass es an einer Innenseite oder an einer Außenseite des ersten Waferladeschiffes angrenzt; eine Spalteinstelleinheit, die an einem unteren Abschnitt der Waferladedoppelschiffe angebracht ist; und eine Gaszuführungseinheit zum Zuführen von zumindest einem Prozessgas zu der Reaktionskammer.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterherstellungssystem und auf ein Verfahren zum Ausbilden eines Dünnfilmes auf einem Wafer unter Verwendung desselben, bei dem eine Vielzahl Wafer verarbeitet werden, und insbesondere auf ein Stapelwafer- Halbleiterherstellungssystem und auf ein Verfahren zum Ausbilden eines Dünnfilmes auf einem Wafer bei relativ hoher Temperatur unter Verwendung desselben.
Als allgemeine Halbleiterherstellungssysteme zum Verarbeiten eines Wafers gibt es ein Stapelwafer-Halbleiterherstellungssystem einschließlich eines Ladeschiffes zum Laden einer Vielzahl Wafer darin, um so die Prozesseigenschaften zu verbessern, und ein Einfachwafer-Halbleiterherstellungssystem zum Reduzieren einer Prozesszeit zum Verarbeiten des Wafers Stück bei Stück.

1A zeigt eine schematische Schnittansicht eines herkömmlichen Stapel-Halbleiterherstellungssystems, und 1B zeigt eine Draufsicht von der 1A, und zwar eine vergrößerte Schnittansicht von einem Teil "A" aus der 1A.

Unter Bezugnahme auf die 1A und 1B hat ein herkömmliches Stapelwafer-Halbleiterherstellungssystem ein röhrenartiges Reaktionsrohr 110 mit einem unteren Öffnungsabschnitt zum Ausbilden eines Innenraums, der darin angeordnet ist; ein Waferladeschiff 120, das innerhalb des Reaktionsrohres 110 untergebracht ist und Schlitze 120 zum Laden einer Vielzahl Wafer aufweist, die in einer Hoch/Runter-Richtung geschichtet sind; eine Heizvorrichtung (150), die das Reaktionsrohr 100 umgibt, um den Innenraum des Reaktionsrohres 110 zu erwärmen; und eine Schiffabdeckung 140 des Waferladeschiffes 120 an dessen unterem Abschnitt, und das zum Öffnen und Schließen des Öffnungsabschnittes des Reaktionsrohres 110 betrieben wird. Dabei hat das Waferladeschiff 120 eine Vielzahl Stützsäulen (Bezugszeichen 121 in der 1B), die säulenförmig sind, und die Schlitze 120a sind so angebracht, dass sie voneinander entlang der Stützsäule 121 beabstandet sind. Hierbei bezeichnen die Bezugszeichen 160 beziehungsweise 170 eine Gaseinspritzeinheit zum Einspritzen eines Prozessgases und eine Gasauslasseinheit zum Auslassen des Prozessgases zur Außenseite.

Bei dem gemäß der vorstehenden Beschreibung aufgebauten herkömmlichen Stapelwafer-Halbleiterherstellungssystem wird ein Dünnfilm an beiden Seiten des Wafers 100, dem Ladeschiff und den Schlitzen zum Stützen des Wafers an deren unterem Abschnitt und dergleichen ausgebildet, wenn der Prozess durchgeführt wird, wie dies in der 1B gezeigt ist, da der Schlitz den Wafer 100 an dessen Kantenabschnitt (P) örtlich stützt, wie zum Beispiel in einer CVD-Vorrichtung (chemische Dampfabscheidung) zum Ausbilden des Dünnfilmes.

Nachdem ein CVD-Prozess abgeschlossen wurde, werden dementsprechend relativ viele Partikel (Unreinheitspartikel) von einer hinteren Fläche des Wafers erzeugt. Da des weiteren eine Filmregelmäßigkeit der hinteren Fläche des Wafers außerdem bedeutend reduziert ist verglichen mit einer Filmregelmäßigkeit einer vorderen Fläche des Wafers, werden viele Nachteile beim Prozess hinsichtlich eines nachfolgenden Prozesses insbesondere bei einer Photolithografie hervorgerufen. Da der Wafer einen großen Durchmesser aufweist (zum Beispiel 200 mm und 300 mm) und eine Mustergröße verfeinert ist (zum Beispiel unter 0,15 Mikrometer), ist der an der hinteren Fläche des Wafers abgelagerte Film eine Hauptursache für ernsthafte Fehler beim Prozess bei der nachfolgenden Photolithografie und dergleichen. Des weiteren wird der Film, der an der vorderen Fläche des Wafers ausgebildet ist, fast weggeätzt, außer einem Abschnitt des Filmes, der auch bei den nachfolgenden Photolithografie- und Ätzprozessen erforderlich ist, wohingegen der an der hinteren Fläche des Wafers ausgebildete Film so wie er ist verarbeitet wird, und zwar auch bei den nachfolgenden Prozessen, falls ein spezieller Prozess zum Beseitigen des Filmes von der hinteren Fläche nicht individuell durchgeführt wird. Dabei wird bei einem nachfolgenden Wärmebehandlungsprozess mit hoher Temperatur eine Filmspannung aufgrund des Filmes an der hinteren Fläche des Wafers erzeugt, und in Folge dessen wird der gesamte Wafer verformt, wodurch der Fehler hervorgerufen wird.

Des weiteren bewirkt der an der hinteren Fläche des Wafers ausgebildete Film eine Änderung des Emessionsgrades auch bei einem schnellen thermischen Prozess (RTP) zum Messen einer Temperatur unter Verwendung des Emissionsgrades der hinteren Fläche des Wafers, wodurch es schließlich unmöglich ist, die Temperatur exakt zu messen, und der Fehler beim Prozess wird hervorgerufen.

Dementsprechend richtet sich die vorliegende Erfindung auf ein Halbleiterherstellungssystem und- Verfahren zum Ausbilden eines Dünnfilmes auf einen Wafer unter Verwendung des selben, das eines oder mehrere Probleme aufgrund der Beschränkungen und Nachteile des dazugehörigen Standes der Technik im Wesentlichen beseitigt.

Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Halbleiterherstellungssystem und- Verfahren zum Ausbilden eines Dünnfilmes auf einem Wafer unter Verwendung des selben vorzusehen, bei dem der Film ausschließlich an einer vorderen Fläche eines Wafers mit großem Durchmesser ausgebildet wird, ohne dass er an der hinteren Fläche ausgebildet wird, zum Beispiel bei einem CVD-Prozess und dergleichen, um im Wesentlichen einen Nachteil beim Prozess zu beseitigen, der durch die hintere Fläche des Wafers hervorgerufen werden würde, wodurch die Produktivität des gesamten Halbleiterherstellungsprozesses bedeutend verbessert wird.

Zusätzliche Vorteile, Aufgaben und Merkmale der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung für einen Fachmann ersichtlich. Die Vorteile der Erfindung können durch den Aufbau verwirklicht und erreicht werden, der insbesondere in der Beschreibung und den Ansprüchen sowie den beigefügten Zeichnungen dargelegt ist.

Um die Aufgabe zu lösen und weitere Vorteile gemäß dem Zweck der Erfindung zu erhalten, wie diese hierbei im breiten Rahmen beschrieben wird, ist ein Halbleiterherstellungssystem vorgesehen, das folgendes aufweist: Ein Reaktionsrohr zum Bereitstellen eines abgedichteten Raumes zum Verarbeiten eines Wafers; Ein Waferladedoppelschiff, das aus einem ersten Waferladeschiff und einem zweiten Waferladeschiff besteht, wobei das erste Waferladeschiff innerhalb des abgedichteten Raumes des Reaktionsrohres zum Laden von zumindest einem Wafer darin angebracht ist und einen Waferhalter zum Stützen stützt, um keinen Film an der hinteren Fläche des Wafers abzulagern, wobei das zweite Waferladeschiff so aufgebaut ist, dass es an einer Innenseite oder einer Außenseite des ersten Waferladeschiffes angrenzt, um sich hinsichtlich des ersten Waferladeschiffes genau hoch und runter zu bewegen, und das eine zweite Waferstütze zum unabhängigen Stützen eines Kantenabschnittes des Wafers aufweist; Eine Spalteinstelleinheit, die an einem unteren Abschnitt des Waferladedoppelschiffes zum jeweiligen unabhängigen Stützen der unteren Abschnitte des ersten Waferladeschiffes und des zweiten Waferladeschiffes angebracht ist, während sie einen von dem ersten Waferladeschiff und dem zweiten Waferladeschiff anhebt und herabfallen lässt, um dadurch einen Stützzustand des Wafers relativ einzustellen; und eine Gaszuführungseinheit zum Zuführen von zumindest einem Prozessgas zu der Reaktionskammer.

Hierbei weist das erste Waferladeschiff folgendes auf: erste Stützsäulen, die parallel angebracht sind, um einen runden säulenförmigen Innenraum auszubilden, von dem eine Seitenwand tatsächlich offen ist; und einen ersten oberen Verbindungsabschnitt und einen ersten unteren Verbindungsabschnitt zum Stützen der ersten Stützsäulen an den oberen und unteren Seiten als eine Fläche, wobei die Halterstützen an den ersten Stützsäulen so angebracht sind, dass sie den Kantenabschnitt des Waferhalters in einer Längsrichtung teilweise stützen.

Das zweite Waferladeschiff weist folgendes auf: Zweite Stützsäulen, die parallel angebracht sind, um einen runden säulenförmigen Innenraum auszubilden, wobei eine Seitenwand tatsächlich offen ist; und einen zweiten oberen Verbindungsabschnitt und einen zweiten unteren Verbindungsabschnitt zum Stützen der zweiten Stützsäulen an der oberen und der unteren Seite als eine Fläche, wobei die Waferstützen an den zweiten Stützsäulen so angebracht sind, dass sie den Kantenabschnitt des Wafers in einer Längsrichtung stützen.

Dabei ist die erste Stützsäule konkav, so dass sie im Querschnitt einen mittleren vertieften Raum aufweist, und der vertiefte Raum nimmt zumindest einen Teil der zweiten Stützsäule darin auf.

Die erste Stützsäule kann im "⊂"-förmig sein, oder sie kann zylinderförmig sein, so dass sie im Querschnitt eine offene Seite aufweist. Die zweite Stützsäule kann polygonalstangenförmig sein, so dass sie einen polygonalen Querschnitt aufweist, oder säulen-stangenförmig, so dass sie einen runden Querschnitt aufweist.

Der Waferhalter weist folgendes auf: Einen runden flachen Halterkörper; einen Waferseitensicherungsabschnitt, der an einer ebenen Fläche des Halterkörpers zum Abschneiden eines Seitenabschnittes des Wafers angebracht ist, so dass das Prozessgas nicht hindurchtritt; und einen Ausschnittsabschnitt, der an der ebenen Fläche des Halterkörpers entsprechend einer zweiten Waferstütze so angebracht ist, dass die zweite Waferstütze hindurchtreten kann.

Der Waferseitensicherungsabschnitt kann taschenförmig sein, wobei die ebene Fläche des Halterkörpers bei einer bestimmten Tiefe vertieft ist, oder er kann von einer oberen Fläche des Halterkörpers entlang einem Umfangskantenabschnitt des Wafers um seine Dicke vorstehen, wobei er eine Ringform aufweist. Der Waferseitensicherungsabschnitt kann an einem Kantenendabschnitt des Halterkörpers angebracht sein, und er kann an einer Innenseite von einem Kantenabschnitt des Halterkörpers entfernt angebracht sein.

Andererseits hat die Spalteinstelleinheit des weiteren eine Drehantriebseinheit, die mit einem von dem ersten Waferladeschiff und dem zweiten Waferladeschiff zum Antreiben verbunden ist, um das eine von diesem zu drehen, so dass der Wafer um seine eigene Achse gedreht werden kann, wodurch eine Prozessregelmäßigkeit verbessert werden kann, indem der Wafer während des Prozesses gedreht wird.

Ein Verfahren zum Ausbilden des Dünnfilmes aus dem Wafer bei dem vorstehend beschriebenen Halbleiterherstellungssystem wird z.B. bei der CVD-Vorrichtung in den folgenden Schritten durchgeführt.

a) Der Wafer wird an dem Waferhalter in Doppelschiffen geladen, die ein erstes Waferladeschiff und ein zweites Waferladeschiff aufweisen. Hierbei hat das erste Waferladeschiff eine Halterstütze, die längs in einer Hoch- und Runterrichtung regelmäßig und mit einem Abstand zum Stützen eines Waferhalters angebracht ist, und das zweite Waferladeschiff hat eine Waferstütze, die in einer Längsrichtung zum Stützen des Wafers regelmäßig angebracht ist, der an dem Waferhalter angeordnet ist.
b) Die Doppelschiffe werden in ein Reaktionsrohr eingefügt, um einen Prozessraum abzudichten und ein Prozessgas zum Fortschreiten eines Prozesses zuzuführen.
c) Nach Verstreichen einer vorbestimmten Zeit wird der Wafer zumindest einmal und intermittierend von dem Waferhalter für eine vorbestimmte Zeit und über eine vorbestimmte Höhe entfernt.
d) Falls der Prozess abgeschlossen ist, werden die Doppelschiffe zurückgenommen, um den Wafer zu entladen.

Hierbei ist bei dem Schritt b) das Prozessgas ein Gas für einen Siliziumnitritfilm, einen Siliziumoxidfilm, Polysilizium und epitaktisches Silizium.

Bei dem Schritt c) ist die Höhe zum Trennen des Wafers von einem Halterkörper nicht größer als ein Spalt zwischen Waferstützen. Bei dem Schritt c) wird ein Edelgas zugeführt, während der Wafer von dem Halterkörper getrennt ist.

Des weiteren ist bei dem Schritt c) die Trennzeit durch eine Filmdicke bestimmt.

Währenddessen beinhaltet der Schritt c) des weiteren einen Schritt zum Drehen des Wafers, so dass die Regelmäßigkeit beim Ausbilden des Dünnfilmes des Wafers verbessert werden kann.

Das erfindungsgemäße Verfahren zum Ausbilden des Dünnfilmes auf dem Wafer kann durch die folgenden Schritte durchgeführt werden.

a) Ein zweites Waferladeschiff wird von einem ersten Ladeschiff zum Stützen eines Waferhalters getrennt, um den Wafer auf das zweite Waferladeschiff zu laden.
b) Während ein Prozess durchgeführt wird, wird das zweite Waferladeschiff zumindest einmal oder mehrmals fallen gelassen oder angehoben, um den Wafer an einem Waferhalter anzuordnen.
c) Falls der Prozess abgeschlossen ist, dann wird das zweite Waferladeschiff von dem Waferhalter getrennt, um nur den Wafer zu entladen.

Wie dies bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterherstellungssystem vorstehend beschrieben ist, ist der Waferseitige Sicherungsabschnitt an dem Waferhalter angebracht, an dem der Wafer so angeordnet ist, dass das Prozessgas nicht zu der hinteren Fläche des Wafers dringt, wodurch eine Ausbildung des Filmes an der hinteren Fläche des Wafers verhindert wird. Dementsprechend kann der Prozessfehler stark reduziert werden, der bei dem nachfolgenden Prozess auftreten würde, da der Film in unerwünschter Weise an der hinteren Fläche des Wafers abgelagert werden würde.

Da zusätzlich das erfindungsgemäße Filmausbildungsverfahren den Wafer von dem Waferhalter in einem vorbestimmten Zeitintervall trennen kann, während der Film abgelagert wird, kann verhindert werden, dass das Waferhaftungsphänomen während der Ausbildung des Filmes erzeugt wird. Dementsprechend kann die Erzeugung eines Partikels unterdrückt werden, während der Wafer geladen (entladen) wird, und zwar aufgrund der Haftung des Kantenabschnittes des Wafers an dem Waferhalter, wenn ein Dickfilm ausgebildet wird.

Es ist klar, dass sowohl die vorstehende allgemeine Beschreibung als auch die nachfolgende detaillierte Beschreibung der vorliegenden Erfindung beispielhaft sind und die Erfindung entsprechend den Ansprüchen weiter beschreiben soll.

Die beigefügten Zeichnungen, die zum besseren Verständnis der Erfindung beigefügt sind, bilden einen Bestandteil dieser Anmeldung, und sie stellen ein Ausführungsbeispiel (Ausführungsbeispiele) der Erfindung zusammen mit der Beschreibung dar, und sie dienen zum Erläutern des Prinzips der Erfindung. Zu den Zeichnungen:

1A zeigt eine schematische Schnittansicht eines herkömmlichen Stapel-Halbleiterherstellungssystems;

1B zeigt eine obere Draufsicht gemäß der 1A und eine vergrößerte Schnittansicht eines Abschnittes -A- aus der 1A;

2 zeigt eine schematische Schnittansicht eines Halbleiterherstellungssystems gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

3A und 3B zeigen eine seitliche Schnittansicht und eine Draufsicht als vergrößerte Ansichten eines Abschnittes -B- aus der 2, und sie zeigen einen Waferhalter, der bei einem Halbleiterherstellungssystem gemäß der vorliegenden Erfindung angebracht ist;

4A und 4B zeigen eine Draufsicht und eine Schnittansicht eines Waferhalters gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

5A und 5B zeigen eine Draufsicht und eine Schnittansicht eines Waferhalters gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

6A und 6B zeigen eine Draufsicht und eine Schnittansicht des Waferhalters gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;

7A und 7B zeigen eine Draufsicht und eine Schnittansicht des Waferhalters gemäß eines vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und

8 zeigt ein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Ausbilden eines Dünnfilmes auf einem Wafer gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.

Nun wird auf die bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung im einzelnen eingegangen, die als Beispiele in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind.

Die 2 zeigt eine schematische Schnittansicht eines Halbleiterherstellungssystems gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Unter Bezugname auf die 2 hat das erfindungsgemäße Halbleiterherstellungssystem ein Reaktionsrohr 30 zum Bereitstellen eines bestimmten abgedichteten Raumes zum Durchführen eines Prozesses darin; Waferladedoppelschiffe 10 und 20, die aus einem ersten Waferladeschiff 10 und einem zweiten Waferladeschiff 20 bestehen, wobei das erste Waferladeschiff 10 einen Waferhalter 25 zum Laden einer Vielzahl Wafer 100 daran stützt, während es in das Reaktionsrohr 30 eingefügt und aus diesem herausgenommen wird, wobei das zweite Waferladeschiff 20 eine Waferstütze 26a zum unabhängigen Stützen des an dem Waferhalter 25 geladenen Wafers 100 aufweist; und eine Spalteinstelleinheit 70 (oder eine Schiffsantriebseinheit), die an den unteren Seiten der Waferladedoppelschiffe 10 und 20 angebracht ist, um das erste und das zweite Ladeschiff 10 und 20 an ihren unteren Abschnitten unabhängig zu stützen. Zusätzlich hat sie eine Heizeinheit 60, die so angebracht ist, dass sie das Reaktionsrohr 30 an dessen Außenabschnitt umschließt, um einen Innenraum des Reaktionsrohres 30 auf eine vorbestimmte Temperatur zu erwärmen; und eine Türplatte 50, die sich nach oben und nach unten bewegt, während sie die Waferladedoppelschiffe 10 und 20 an ihren unteren Abschnitten stützt, damit sie in das Reaktionsrohr 30 eingefügt werden oder daraus entnommen werden.
Die Spalteinstelleinheit 70 ist so aufgebaut, dass sie das erste und das zweite Waferladeschiff 10 und 20 gleichzeitig und getrennt stützt, und dass sie genau nach oben und nach oben bewegbar ist. Dementsprechend kann die Spalteinstelleinheit 70 zum Laden und Entladen des Wafers 100 an dem Waferhalter 25 verwendet werden. Ein Kontaktzustand des Wafers 100 kann beliebig an dem Waferhalter 25 eingestellt werden. Zusätzlich kann sie je nach Bedarf eine Drehantriebseinheit (nicht gezeigt) zum Drehen der Waferladedoppelschiffe 10 und 20 aufweisen, um den Wafer 100 um seine eigene Achse zu drehen.
Die 3A und 3B zeigen eine seitliche Schnittansicht und eine Draufsicht als vergrößerte Ansichten eines Abschnittes "B" aus der 2, und sie zeigen einen Waferhalter, der bei einem Halbleiterherstellungssystem gemäß der vorliegenden Erfindung angebracht ist.
Unter Bezugnahme auf die 3A und 3B haben die Waferladedoppelschiffe 10 und 20 das erste Waferladeschiff 10 und das zweite Waferladeschiff 20, die jeweils parallel an ihren und äußeren Seiten angebracht sind. Das erste Waferladeschiff 10 stützt den Waferhalter 25, und das zweite Waferladeschiff 20 stützt teilweise einen Kantenabschnitt des Wafers 100.
Das erste Waferladeschiff 10 hat zumindest drei erste Stützsäulen 15. Ihre inneren Abschnitte sind rund und säulenförmig, und ihre Seitenwände sind parallel angeordnet, um offene Räume auszubilden. An einem oberen und einem unteren Endabschnitt der ersten Stützsäule sind jeweils ein erster oberer Verbindungsabschnitt (Bezugszeichen 11 in der 2) und ein erster unterer Verbindungsabschnitt (Bezugszeichen 13 in der 2) angebracht, um das Stützen und Befestigen der ersten Stützsäulen 15 an der selben Ebene zu ermöglichen. Zusätzlich ist an einer Innenseite der ersten Stützsäule 15 eine Halterstütze 15a zum Stützen des Waferhalters 25 an seinem Kantenabschnitt angebracht. Eine Vielzahl der Halterstützen 15a ist in einer Längsrichtung und über eine Distanz entlang der ersten Stützsäule 15 angebracht. Die Halterstütze 15a kann schlitzartig geformt sein, und sie kann so geformt sein, dass sie so vorsteht, wie dies gezeigt ist.
Das zweite Waferladeschiff 20 hat zumindest drei zweite Stützsäulen 26 ähnlich wie das erste Waferladeschiff 10, und deren innere Abschnitte sind säulenförmig, und ihre Seitenwände sind parallel angeordnet, um offene Räume zu bilden. Ein oberer und ein unterer Endabschnitt der zweiten Stützsäule 26 ist jeweils an einem zweiten oberen Verbindungsabschnitt 21 und einem zweiten unteren Verbindungsabschnitt 23 angebracht, um das Stützen und Befestigen der zweiten Stützsäulen 26 an der selben Ebene zu ermöglichen. Zusätzlich ist an einer Innenseite der zweiten Stützsäule 26 die Waferstütze 26a so angebracht, dass sie einen Kantenabschnitt des Wafers 100 teilweise stützt, der an dem Waferhalter 25 angeordnet ist. Die Waferstütze 26a ist in einer Längsrichtung und über eine Distanz entlang der zweiten Stützsäule 26 entsprechend einer Position der Halterstütze 15a angebracht. Die Waferstütze 26a kann schlitzartig geformt sein, und sie kann so geformt sein, dass sie vorsteht.
Währenddessen ist es wünschenswert, dass die erste und die zweite Stützsäule 15 und 26 an unterschiedlichen Positionen und nicht an der selben geometrischen Ebene und dem selben Umfang angebracht sind. Dies ist dadurch begründet, dass ein Stützpunkt der Halterstütze 15a von dem Waferhalter 25 in jenem Fall verschwindet, wenn sich ein Abschnitt der Halterstütze 15a und ein Abschnitt der Waferstütze 26a des Waferhalters 25 überlappen, wie dies später beschrieben ist.
Unter Bezugnahme auf die 3B ist die zweite Stützsäule 26, die eine polygonale Stangenform aufweist, in einem konkaven Raum der Stützsäule 15 untergebracht, falls die erste Stützsäule 15 konkav im Querschnitt ist und innerhalb der Waferladedoppelschiffe angebracht ist. Dementsprechend kann die Waferstütze 26a oder die Halterstütze 15a jeweils so angebracht sein, ohne dass sich der Stützpunkt überlappt, auch wenn die erste und die zweite Stützsäule 15 und 26 an der gleichen Position angebracht sind. Dabei ist die zweite Stützsäule 26 so geformt, dass sie eine runde Säule ist, oder dass sie ein Polygon wie zum Beispiel ein Dreieck, ein Quadrat oder ein Sechseck ist, und die Waferstütze 26a ragt in einen inneren Bereich der Waferladedoppelschiffe 10 und 20 hinein und ist entlang einer Längsrichtung der zweiten Stützsäule 26 angebracht. Des weiteren kann die erste Stützsäule 15 im Querschnitt zum Beispiel mit einer "⊂"-Form konkav sein, und sie kann zu einer zylindrischen Form abgewandelt werden, wobei eine Seite offen ist.
Die 4A und 4B zeigen eine Draufsicht und eine Schnittansicht eines Waferhalters gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Unter Bezugnahme auf die 4A und 4B hat der Waferhalter 25 einen runden plattenförmigen Halterkörper 25-1; einen Ausschnittsabschnitt 25a, der durch Ausschneiden eines Überlappungsabschnittes des Abschnittes der Waferstütze 26a zu einer bestimmten Form ausgebildet wird; und einen Waferseitensicherungsabschnitt 25-2, der an einer ebenen Fläche des Halterkörpers 25-1 so angebracht ist, dass er nahezu an einem Seitenkantenabschnitt des Wafers 100 angebracht ist, um das Fließen des Prozessgases dazwischen zu verhindern. Hierbei ist der Waferseitenabschnittssicherungsabschnitt 25-2 ringförmig, wobei er von der ebenen Fläche des Halterkörpers 25 um eine Höhe vorsteht, die einer Dicke des Wafers 100 entlang einem Kantenendabschnitt des Wafers 100 entspricht. Dementsprechend ist der Wafer 100 innerhalb des ringförmigen Waferseitenabschnittssicherungsabschnittes 25-2 untergebracht. Dementsprechend verhindert der Waferseitenabschnittssicherungsabschnitt 25-2, dass der Seitenabschnitt des Wafers 100 dem Prozessgas direkt ausgesetzt wird, und er verhindert das Eintreten des Prozessgases zwischen der hinteren Fläche des Wafers 100 und dem Waferhalter 25, der damit in Kontakt ist. Daher ist die vordere Fläche des Wafers 100 vollständig dem Prozessgas ausgesetzt, so dass der Film an der vorderen Fläche des Wafers 100 ausgebildet wird. Die hintere Fläche des Wafers 100 hat keinen Film, der daran abgelagert ist, und zwar aufgrund des Waferseitenabschnittssicherungsabschnittes 25-2. Wie dies in der vergrößerten Ansicht gezeigt ist, kann dabei ein Spalt (d) zwischen der Seitenfläche des Wafers 100 und dem Waferseitenabschnittssicherungsabschnitt 25-2 in Abhängigkeit von einer Strömungsrate des Prozessgases bestimmt werden. Eine Größe des Spaltes (d) wird nämlich eingestellt, um zu verhindern, dass das Prozessgas in den Spalt (d) eintritt, um zu der hinteren Fläche des Wafers 100 zu strömen. Um den Wafer 100 zu laden, soll der Spalt (d) auf ein bestimmtes Maß gesichert werden. Ist er kleiner als ein vorbestimmter Spalt, dann wird eine Fluidströmungscharakteristik verwendet, bei der, auch wenn das Prozessgas mit dem unteren Abschnitt des Wafers 100 kollidiert, es nicht hydromechanisch in den unteren Abschnitt des Wafers 100 eindringen kann.
Die 5A und 5B zeigen eine Draufsicht und eine Schnittansicht des Waferhalters gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Unter Bezugnahme auf die 5A und 5B ist ein Waferseitenabschnittssicherungsabschnitt 25-2 zum Ausschneiden eines Seitenabschnittes eines Wafers 100 taschenförmig ausgebildet, und zwar anders als bei den 4A und 4B. Es ist nämlich ein vertiefter Abschnitt, der durch Vertiefen einer ebenen Fläche eines Halterkörpers 25-1 angepasst ausgebildet ist, um den Wafer 100 so zu formen, dass der Wafer 100 in den vertieften Abschnitt eingesetzt ist. Dementsprechend ist es wünschenswert, dass die ebene Flächenhöhe eines Halterkörpers 25-1 die gleiche Höhe oder mehr als die Höhe des Wafers 100 ist.
Währenddessen ist es bei den Ausführungsbeispielen der 5A und 5B und bei den Ausführungsbeispielen der 6A und 6B wünschenswert, dass ein Waferseitenabschnittssicherungsabschnitt 25-2, bei dem der Wafer 100 angeordnet ist, eine Differenz aufweist, die größer ist als der Halterkörper 25-1. Es ist wünschenswert, dass ein Durchmesser des ringförmigen oder des taschenförmigen Waferseitenabschnittssicherungsabschnittes 25-2 entsprechend einem regelmäßigen Gasstrahlbereich ausgebildet ist, der tatsächlich dann beobachtet wird, wenn das Prozessgas zu dem Waferhalter 25 gestrahlt wird. Dementsprechend kann der Waferseitenabschnittssicherungsabschnitt 25-2, bei dem der Wafer 100 tatsächlich angeordnet ist, einen sehr kleinen Durchmesser im Vergleich mit dem Durchmesser des Waferhalters 25 aufweisen, und dementsprechend kann eine Filmregelmäßigkeit des Wafers 100 stark verbessert werden.
Die 6A und 6B zeigen eine Draufsicht und eine Schnittansicht des Waferhalters gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Unter Bezugnahme auf die 6A und 6B hat ein Waferhalter 25 einen runden plattenförmigen Halterkörper 25-1; und einen Waferseitenabschnittssicherungsabschnitt 25-2, der hinsichtlich einer ebenen Fläche entlang eines Kanteneckenbereiches des Halterkörpers 25-1 nach oben vorsteht. Zusätzlich ist ein Ausschnittsabschnitt 25a an der ebenen Fläche des Halterkörpers 25-1 dadurch ausgebildet, dass ein Abschnitt der ebenen Fläche des Halterkörpers 25-1 ausgeschnitten ist, um zu ermöglichen, dass das zweite Waferladeschiff 20 und die Waferstütze 26a nach oben und nach unten passieren können.
Der Waferhalter 25 hat den Vorteil, dass der Waferhalter 25 in ähnlicher Größe wie der Wafer 100 hergestellt werden kann, damit die Waferladedoppelschiffe 10 und 20 eine kompakte Größe haben.
Die 7A und 7B zeigen eine Draufsicht und eine Schnittansicht des Waferhalters gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Unter Bezugnahme auf die 7A und 7B sind andere Bauteile ähnlich, wie dies vorstehend beschrieben ist, aber ein Waferseitenabschnittssicherungsabschnitt 25-2 ist an einem Kontaktabschnitt mit einem Wafer 100 abgeschrägt. Falls der Wafer an dem Halterkörper 25-1 gesetzt wird, ist dementsprechend eine Ecke des Wafers 100 mit einer Seitenwand des Waferseitenabschnittssicherungsabschnittes 25-2 in Kontakt, um so wirksam zu verhindern, dass ein Prozessgas zu einer hinteren Fläche des Wafers 100 strömt.
Die 8 zeigt ein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Ausbilden des Dünnfilmes an dem Wafer gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Unter Bezugnahme auf die 8 wird der Wafer 100 an dem Waferhalter 25 gemäß der 2 geladen (S1). Nachdem der Prozessraum abgedichtet wurde, wird das Prozessgas innerhalb des Reaktionsrohres 30 eingeführt, um den Prozess zu starten (S2). Dabei ist das eingeführte Gas ein Gas für den CVD-Prozess, und es ist ein Gas zum Ausbilden eines Siliziumnitritfilmes, eines Siliziumnitritfilmes, Polysilizium und epitaktisches Silizium.
Falls der Prozess gestartet ist, nachdem eine vorbestimmte Prozesszeit verstrichen ist, wird der Wafer 100 von dem Waferhalter 25 in einem vorbestimmten Zeitintervall getrennt, und zwar zumindest einmal und über eine vorbestimmte Höhe (S3). Dabei werden das Zeitintervall und die Anzahl der Vorgänge in Abhängigkeit von einer Dicke des Filmes bestimmt, der durch einen Filmbindungsprozess ausgebildet ist. Falls die Filmdicke dick ist, dann ist nämlich die Anzahl der Trennungen des Wafers 100 von dem Waferhalter 25 erhöht. Falls die Filmdicke dünn ist, dann ist sogar eine einmalige Trennung ausreichend. Falls der Prozess abgeschlossen ist, dann wird der Wafer 100 von dem Waferhalter 25 der Waferladedoppelschiffe 10 und 20 entladen (S4).
Bei dem Wafertrennschritt wird zunächst die Waferstütze 26a des zweiten Waferladeschiffes 20 so angehoben, dass der Wafer 100 um eine vorbestimmte Höhe angehoben wird, um ihn von dem Waferhalter 25 zu trennen, falls die Spalteinstelleinheit 70 eines von dem ersten und dem zweiten Waferladeschiff 10 und 20 über einen kleinen Abstand nach oben und nach unten bewegt, der kleiner ist als eine Teilung der Waferstütze 26a. Nachdem eine vorbestimmte Zeit verstrichen ist, wird die Spalteinstelleinheit 70 betrieben, so dass sie eines von dem ersten und dem zweiten Waferladeschiff 10 und 20 ein wenig nach oben und nach unten bewegt, so dass ein Roh-Wafer 100 an dem Waferhalter 25 geladen wird. Dementsprechend wird die Waferstütze 26a des zweiten Waferladeschiffes 20 nach unten fallen gelassen, so dass der Wafer 100 erneut an dem Waferhalter 25 gesetzt wird. Dabei ist es wünschenswert, dass ein Edelgas anstelle des Prozessgases zugeführt wird, während der Wafer 100 von dem Waferhalter 25 getrennt wird. Dies ist dadurch begründet, dass das Prozessgas einer freiliegenden hinteren Fläche des Wafers 100 zugeführt wird, wobei der Film an der hinteren Fläche des Wafers 100 ausgebildet werden würde.
Während das Prozessgas zum Ablagern des Filmes zugeführt wird, besteht die Tendenz, dass der Film auch an dem Kontaktabschnitt des Wafers 100 mit dem Waferhalter 25 abgelagert wird, wodurch diese aneinander haften, da der Film nicht nur an dem Wafer 100 abgelagert wird, sondern der Film auch an jenen Teilen abgelagert wird, die innerhalb des Reaktionsrohres 30 angebracht sind, insbesondere an dem Waferhalter 25, der den Wafer 100 stützt, auch wenn dies nur in geringem Umfang geschieht. Um dieses Phänomen zu verhindern, wird der Wafer 100 von dem Waferhalter 25 getrennt. Dementsprechend kann ein Nachteil hinsichtlich der Partikel oder ein Nachteil hinsichtlich der Lebensdauer der Bauteile beseitigt werden, die durch das Haften des Wafers 100 an dem Waferhalter 25 hervorgerufen werden würden.
Zusätzlich werden bei dem Startschritt (S2) die Waferladedoppelschiffe 10 und 20 unter Verwendung der Drehantriebseinheit gedreht, die zusätzlich an der Spalteinstelleinheit 70 angebracht ist, so dass der Wafer gedreht werden kann. Dementsprechend wird der Wafer 100 während des Prozesses gedreht, wodurch die Regelmäßigkeit des an dem Wafer 100 ausgebildeten Filmes stark verbessert wird. Hierbei wird zumindest eines von dem ersten und dem zweiten Waferladeschiff 10 und 20 unter Verwendung der Spalteinstelleinheit 70 gedreht, um so den Wafer 100 zu drehen.
Währenddessen ist es wünschenswert, dass das erste und das zweite Waferladeschiff 10 und 20 sowie der Waferhalter 25 aus einem Quarz oder einem Siliziumkarbit ausgebildet sind, und zwar hinsichtlich der Haltbarkeit bei hohen Temperaturen. Insbesondere ist es wünschenswert, dass der Waferhalter 25 auf einem Siliziumkarbit ausgebildet ist, der zur Verarbeitung bei hohen Temperaturen von mehr als 1200°C verwendet wird.
Eine Gaszuführungsvorrichtung (nicht gezeigt) hat eine Vielzahl Prozessgasbehälter (nicht gezeigt), um das Prozessgas zuzuführen, dass innerhalb des Reaktionsrohres 30 eingeführt wird, und zwar durch die Gaszuführungseinheit. Falls der CVD-Prozess durchgeführt wird, können andere Prozessgase eingespritzt werden. Zum Beispiel werden die Gase für den CVD-Prozess zugeführt, um einen Siliziumoxidfilm (SiO₂) oder einen Siliziumnitritfilm (SiN) und einen Film aus Polysilizium und dergleichen auszubilden. Insbesondere können bei einem Epitaxie-Ablagerungsprozess, der einer von den chemischen Dampfabscheidungsprozessen unter hoher Temperatur ist, ein Siliziumquellengas und ein Prozessgasträgergas sowie ein Spülgas gleichzeitig zugeführt werden. Gase auf der Grundlage von DSC (SiH₂Cl₂), TCS (SiHCl₃) und SiCl₄, Si_xH_y und dergleichen können als das Siliziumquellengas verwendet werden, und H₂ wird als das Trägergas verwendet. N₂ oder Ar, He und dergleichen werden als das Edelgas und auch als das Spülgas verwendet.
Wie dies vorstehend beschrieben ist, wird der Film nicht an der hinteren Fläche des Wafers abgelagert (das heißt die Ablagerung an der hinteren Fläche kann im Wesentlichen verhindert werden), da das erfindungsgemäße Halbleiterherstellungssystem den Waferseitenabschnittssicherungsabschnitt aufweist, um zu verhindern, dass der Dünnfilm an der hinteren Fläche des Wafers abgelagert wird. Dementsprechend kann verhindert werden, dass der Film unregelmäßig an der hinteren Fläche des Wafers 100 ausgebildet wird, nachdem der Filmablagerungsprozess abgeschlossen ist, wodurch ein Prozessfehler durch eine Fehlausrichtung bei der nachfolgenden Fotolithografie hervorgerufen werden könnte.
Während der erfindungsgemäße Ausbildungsprozess des Dünnfilmes durchgeführt wird, stellt die Spalteinstelleinheit 70 zusätzlich das erste Waferladeschiff 10 oder das zweite Waferladeschiff 20 nach oben und nach unten genau ein, um den Wafer 100 von dem Waferhalter 25 beliebig zu trennen, um dadurch zum Beispiel einen Vorfall zu verhindern, bei dem der Wafer an dem Waferhalter haftet, während der Dünnfilm während des Ausbildungsprozesses des CVD-Filmes ausgebildet wird.
Wie dies bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterherstellungssystem vorstehend beschrieben ist, ist der Waferseitenabschnittsicherungsabschnitt an dem Waferhalter angebracht, an dem der Wafer so gesetzt wird, dass das Prozessgas nicht zu der hinteren Fläche des Wafers dringen kann, oder der Wafer ist mit dem Waferseitenabschnittssicherungsabschnitt in Kontakt, der mit einem vorbestimmten Winkel abgeschrägt ist, um dadurch zu verhindern, dass der Film an der hinteren Fläche des Wafers ausgebildet wird. Dementsprechend kann der Prozesswähler im Wesentlichen verhindert werden, der bei dem nachfolgenden Prozess aufgrund des Filmes auftreten würde, der in unerwünschter Weise an der hinteren Fläche des Wafers abgelagert wäre.
Da zusätzlich das erfindungsgemäße Filmausbildungsverfahren den Wafer von dem Waferhalter in einem vorbestimmten Zeitintervall trennen kann, während der Film abgelagert wird, kann verhindert werden, dass das Phänomen der Waferhaftung während der Ausbildung des Filmes auftritt, wodurch eine Partikelquelle an der hinteren Fläche reduziert werden kann und eine Stabilität des Prozesses stark verbessert wird.
Dem Fachmann ist offensichtlich, dass verschiedene Abwandlungen und Änderungen der vorliegenden Erfindung möglich sind. Es ist beabsichtigt, dass die vorliegende Erfindung die Abwandlungen und Änderungen dieser Erfindung abdeckt, die innerhalb des Umfanges der beigefügten Ansprüche und deren Äquivalente liegen.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterherstellungssystem und auf ein Verfahren zum Ausbilden eines Dünnfilmes auf einem Wafer unter Verwendung desselben. Das Halbleiterherstellungssystem weist folgendes auf: Ein Reaktionsrohr zum Bereitstellen eines abgedichteten Raumes zum Verarbeiten eines Wafers; Waferladedoppelschiffe, die aus einem ersten Waferladeschiff und einem zweiten Waferladeschiff bestehen, wobei das erste Waferladeschiff innerhalb des abgedichteten Raumes des Reaktionsrohres angebracht ist, und das zweite Waferladeschiff so aufgebaut ist, dass es an einer Innenseite oder an einer Außenseite des ersten Waferladeschiffes angrenzt; eine Spalteinstelleinheit, die an einem unteren Abschnitt der Waferladedoppelschiffe angebracht ist; und eine Gaszuführungseinheit zum Zuführen von zumindest einem Prozessgas zu der Reaktionskammer.

Claims

Halbleiterherstellungssystem mit: einem Reaktionsrohr zum Bereitstellen eines abgedichteten Raumes zum Verarbeiten eines Wafers; Waferladedoppelschiffe, die aus einem ersten Waferladeschiff und einem zweiten Waferladeschiff bestehen, wobei das erste Waferladeschiff innerhalb des abgedichteten Raumes des Reaktionsrohres zum Laden von zumindest einem Wafer darin angebracht ist und einen Waferhalter so stützt, dass kein Film an einer Rückseite des Wafers abgelagert wird, und das zweite Waferladeschiff angrenzend an einer Innenseite oder einer Außenseite des ersten Waferladeschiffes so angebracht ist, dass es sich hinsichtlich des ersten Waferladeschiffes exakt nach oben und unten bewegt und die zweite Waferstütze zum unabhängigen Stützen eines Kantenabschnittes des Wafers aufweist; einer Spalteinstelleinheit, die an einem unteren Abschnitt der Waferladedoppelschiffe angebracht ist, um die unteren Abschnitte des ersten Waferladeschiffes und des zweiten Waferladeschiffes jeweils unabhängig zu stützen, während eines von dem ersten Waferladeschiff und dem zweiten Waferladeschiff angehoben wird und fallen gelassen wird, um einen relativen Stützzustand des Wafers einzustellen; und einer Gaszuführungseinheit zum Zuführen von zumindest einem Prozessgas zu der Reaktionskammer.
Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 1, wobei das erste Waferladeschiff folgendes aufweist: erste Stützsäulen, die parallel angebracht sind, um einen runden säulenförmigen Innenraum auszubilden, wobei eine Seitenwand tatsächlich offen ist; und einen ersten oberen Verbindungsabschnitt und einen ersten unteren Verbindungsabschnitt zum Stützen der ersten Stützsäulen an der oberen und unteren Seite als eine Fläche, wobei die Halterstützen an den ersten Stützsäulen so angebracht sind, dass sie den Kantenabschnitt des Waferhalters in einer Längsrichtung teilweise stützen.
Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 1, wobei das zweite Waferladeschiff folgendes aufweist: zweite Stützsäulen, die parallel angebracht sind, um einen runden säulenförmigen Innenraum auszubilden, wobei eine Seitenwand tatsächlich offen ist; und einen zweiten oberen Verbindungsabschnitt und einen zweiten unteren Verbindungsabschnitt zum Stützen der zweiten Stützsäulen an der oberen und unteren Seite als eine Fläche, wobei die Waferstützen an den zweiten Stützsäulen so angebracht sind, dass sie den Kantenabschnitt des Wafers in einer Längsrichtung stützen.
Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 2 oder 3, wobei die erste Stützsäule konkav ist, so dass sie einen mittleren vertieften Raum im Querschnitt aufweist, und der vertiefte Raum nimmt zumindest einen Teil der zweiten Stützsäule darin auf.
Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 4, wobei die erste Stützsäule im Querschnitt eine '⊂'-Form aufweist.
Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 4, wobei die erste Stützsäule zylinderförmig ist, so dass sie im Querschnitt eine offene Seite aufweist.
Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 4, wobei die zweite Stützsäule eine polygonale Stangenform aufweist, so dass sie einen polygonalen Querschnitt hat.
Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 4, wobei die zweite Stützsäule eine säulenartige Stangenform aufweist, so dass sie einen runden Querschnitt hat.
Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 1, wobei der Waferhalter folgendes aufweist: einen runden flach geformten Halterkörper; einen Waferseitenabschnittssicherungsabschnitt, der an einer ebenen Fläche des Halterkörpers angebracht ist, um einen Seitenabschnitt des Wafers so abzuschirmen, dass das Prozessgas nicht passiert; und einen Ausschnittsabschnitt, der an der ebenen Fläche des Halterkörpers entsprechend einer zweiten Waferstütze so angebracht ist, dass die zweite Waferstütze hindurch treten kann.
Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 9, wobei der Waferseitenabschnittsicherungsabschnitt taschenförmig ist, wobei die ebene Fläche des Halterkörpers mit einer bestimmten Tiefe vertieft ist.
Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 9, wobei der Waferseitenabschnittssicherungsabschnitt von einer oberen Fläche des Halterkörpers entlang einem Umfangskantenabschnitt des Wafers durch seine Dicke vorsteht, so dass er eine Ringform aufweist.
Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 9, wobei der Waferseitenabschnittssicherungsabschnitt an einem Kantenendabschnitt des Halterkörpers angebracht ist.
Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 9, wobei der Waferseitenabschnittssicherungsabschnitt an einer Innenseite angebracht ist, die von einem Kantenabschnitt des Halterkörpers beabstandet ist.
Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 9, wobei der Waferseitenabschnittssicherungsabschnitt so abgeschrägt ist, dass er mit dem Kantenabschnitt des Wafers in Kontakt treten kann, und zwar in einem vorbestimmten Schrägungswinkel an der ebenen Fläche des Halterkörpers.
Halbleiterherstellungssystem gemäß Anspruch 1, wobei die Spalteinstelleinheit des weiteren eine Drehantriebseinheit aufweist, die mit einem von dem ersten Waferladeschiff und dem zweiten Waferladeschiff verbunden ist, um dieses drehend anzutreiben, so dass sich der Wafer um seine eigene Achse drehen kann.
Verfahren zum Ausbilden eines Dünnfilmes auf einem Wafer, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: a) Laden des Wafers an dem Waferhalter in Doppelschiffen, die aus einem ersten Waferladeschiff und einem zweiten Waferladeschiff bestehen, wobei das erste Waferladeschiff eine Halterstütze aufweist, die längs in einer Hoch- und Runterrichtung und mit einem regelmäßigen Abstand zum Stützen eines Waferhalters angebracht ist, und wobei das zweite Waferladeschiff eine Waferstütze aufweist, die in einer Längsrichtung zum Stützen des Wafers angebracht ist, der an dem Waferhalter gesetzt ist; b) Einfügen der Doppelschiffe in ein Reaktionsrohr zum Abdichten eines Prozessraums und Zuführen eines Prozessgases zum Beschleunigen eines Prozesses; c) Trennen des Wafers von dem Waferhalter für eine vorbestimmte Zeit und um eine vorbestimmte Höhe zumindest einmal und intermittierend, nachdem eine vorbestimmte Zeit verstrichen ist; und d) Herausnehmen der Doppelschiffe, um die Wafer zu entladen, falls der Prozess abgeschlossen ist.
Verfahren gemäß Anspruch 16, wobei bei dem Schritt b) das Prozessgas ein Gas für einen Siliziumnitritfilm, einen Siliziumoxidfilm, Polysilizium oder epitaktisches Silizium ist.
Verfahren gemäß Anspruch 16, wobei bei dem Schritt c) eine Höhe zum Trennen des Wafers von einem Halterkörper nicht größer ist als ein Spalt zwischen Waferstützen.
Verfahren gemäß Anspruch 16, wobei bei dem Schritt c) ein Edelgas zugeführt wird, während der Wafer von dem Halterkörper getrennt wird.
Verfahren gemäß Anspruch 16, wobei bei dem Schritt c) die Trennzeiten durch eine Filmdicke bestimmt sind.
Verfahren gemäß Anspruch 16, wobei der Schritt c) des weiteren einen Schritt zum Drehen des Wafers aufweist.
Verfahren zum Ausbilden eines Dünnfilmes auf einem Wafer, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: Trennen eines zweiten Waferladeschiffes von einem ersten Ladeschiff zum Stützen eines Waferhalters, um den Wafer an dem zweiten Waferladeschiff zu laden; Fallenlassen oder Anheben des zweiten Waferladeschiffes zumindest einmal oder mehrmals, um den Wafer an einem Waferhalter anzuordnen, während ein Prozess durchgeführt wird; und Trennen des zweiten Waferladeschiffes von dem Waferhalter, um ausschließlich den Wafer zu entladen, falls der Prozess abgeschlossen ist.