DE102004004864A1 - Gate-Struktur für einen Transistor und Verfahren zur Herstellung der Gate-Struktur - Google Patents

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Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Gate-Struktur (1), die einen Gate-Elektrodenschichtstapel (2) umfasst, und die Gate-Struktur (1) zur Verfügung gestellt. Der Gate-Elektrodenschichtstapel (2) enthält eine dotierte Polysiliziumschicht (5) und eine Gate-Metallschicht (8). Dazwischen befindet sich eine Barrierenschicht (7) aus Metallnitrid zur Unterdrückung einer chemischen Reaktion zwischen Metall und Silizium. Auf der Polysiliziumschicht (5) wird eine die Polysiliziumschicht (5) abdeckende Kontaktschicht (6) aus Metall vorgesehen. Auf diese Weise wird eine Nitridierung der Polysiliziumschicht (5) verhindert und dadurch ein Kontaktwiderstand verringert. Die Kontaktschicht (6) besteht aus Titan und die Barrierenschicht aus Titannitrid. Da Titannitrid chemisch und thermisch stabil ist, bleibt der Stickstoff in der Barrierenschicht (7) fest gebunden. Dadurch wird die Wahrscheinlichkeit für eine Nitridierung der Polysiliziumschicht (5) zusätzlich verringert.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Gate-Struktur eines in einem Halbleitersubstrat ausgebildeten Transistors, bei dem ein Gate-Elektrodenschichtstapel strukturiert wird, wobei zur Ausbildung des Gate-Elektrodenschichtstapels
    • – auf einer auf dem Halbleitersubstrat vorgesehenen Gate-Dielektrikumsschicht eine Polysiliziumschicht aufgebracht,
    • – eine Barrierenschicht aus einem Metallnitrid vorgesehen und
    • – auf der Barrierenschicht eine Gate-Metallschicht aufgebracht wird, wobei durch die Barrierenschicht eine einen Kontaktwiderstand zwischen der Polysiliziumschicht und der Gate-Metallschicht erhöhende Wechselwirkung zwischen dem Silizium in der Polysiliziumschicht und dem Metall der Gate-Metallschicht verhindert wird.
  • Außerdem betrifft die Erfindung eine Gate-Struktur.
  • Transistoren bilden ein zentrales Bauelement integrierter Schaltungen und sind beispielsweise in Flash- oder in DRAM (Dynamic Random Access Memory) – Speicherbausteinen enthalten. DRAM-Speicherbausteine weisen in jeder Speicherzelle einen Transistor und mindestens einen Speicherkondensator auf. Gate-Elektroden der Transistoren von Speicherbausteinen sind üblicherweise integraler Bestandteil einer Wortleitung, die mehrere Transistoren miteinander verbindet. Eine die Gate-Elektrode ausbildende Gate-Struktur umfasst im Allgemeinen einen strukturierten Gate-Elektrodenschichtstapel, der eine dotierte Polysiliziumschicht, die auf einer Gate- Dielektrikumsschicht vorgesehen ist, und eine Gate-Metallschicht aufweist. Die Gate-Metallschicht ist Bestandteil der Wortleitung und besteht aus einem Metall oder aus Metallverbindungen.
  • Eine übliche Gate-Struktur setzt sich aus einer Polysiliziumschicht und einer aufliegenden Wolframsilizidschicht zusammen. Die Wolframsilizidschicht bildet die Gate-Metallschicht aus. Die Anforderungen an die Gate-Metallschicht sind ein geringer Bahnwiderstand in Längsrichtung und ein geringer Kontaktwiderstand zur darunter liegenden Polysiliziumschicht.
  • In der 1 ist eine herkömmliche Gate-Struktur 1 dargestellt. Die Gate-Struktur 1 weist einen Gate-Elektrodenschichtstapel 2 auf, dessen Seitenwände mit einer isolierenden Schicht 3 umgeben sind. Der Gate-Elektrodenschichtstapel 2 liegt auf einer Gate-Dielektrikumsschicht 9 auf, die auf einem Halbleitersubstrat 10, in dem der Transistor ausgebildet wird, angeordnet ist. In diesem Beispiel besteht der Gate-Elektrodenschichtstapel 2 aus einer dotierten Polysiliziumschicht 5, auf der eine Wolframsilizidschicht 81 vorgesehen ist. Mit der Wolframsilizidschicht 81 wird die Gate-Metallschicht ausgebildet. Die Wolframsilizidschicht 81 ist mit einer isolierenden Kappe 4 abgedeckt. An den Seitenwänden der Polysiliziumschicht 5 befindet sich das Seitenwandoxid 32 und auf dem Seitenwandoxid eine isolierende Spacernitrid- 31 oder Spaceroxidschicht, die Seitenwände des Elektrodenschichtstapels 2 und der isolierenden Kappe 4 einhüllt.
  • Im Vergleich zu einer Metallschicht weist eine Metallsilizidschicht einen höheren spezifischen Widerstand auf. Da der Widerstand der Wortleitung möglichst gering sein sollte, um eine geringe RC-Verzögerung und dadurch einen schnellen Speicherzugriff auf die in den Speicherzellen enthaltene Informa tion zu ermöglichen, darf die Querschnittsfläche der Metallsilizidschicht nicht beliebig klein werden. Aus diesem Grunde sind einer Reduktion des Elektrodenschichtstapels in seiner Höhe Grenzen gesetzt. Die Reduzierung der Höhe des Elektrodenschichtstapels ist aus prozesstechnischen Gründen jedoch wünschenswert, da so die Planarität der integrierten Schaltung verbessert werden kann, wodurch sich wiederum die Qualität der eingesetzten photolithographischen Prozesse verbessert. Ein hoher Elektrodenschichtstapel wirkt sich außerdem negativ für eine Schrägimplantation von Source/Drain-Gebieten des Transistors aus.
  • Da die Betriebsgeschwindigkeit einer Schaltung auch von der Leitfähigkeit der Wortleitungen und der die Wortleitungen teilweise ausbildenden Gate-Elektroden abhängt, ist es erstrebenswert, Materialien mit geringem spezifischen Widerstand zu verwenden. Der Bahnwiderstand wird reduziert, wenn die Metallsilizidschicht durch eine Metallschicht ersetzt wird.
  • Eine weitere herkömmliche Gate-Struktur 1 mit einer Gate-Metallschicht 8 aus einem Metall, in diesem Beispiel Wolfram, ist in der 1b dargestellt. Die Gate-Struktur 1 unterscheidet sich von der in der 1a dargestellten Gate-Struktur 1 durch geringere Schichtdicken der Polysiliziumschicht 5 und der Gate-Metallschicht 8. Ein weiterer Unterschied ist durch die auf der Polysiliziumschicht 5 vorgesehene Barrierenschicht (7), die aus einem Wolframnitrid besteht, gegeben. Wie aus der 1b ersichtlich, ist der Gate-Elektrodenschichtstapel 2 in seiner Höhe im Vergleich zu dem Gate-Elektrodenschichtstapel 2 der 1a, deutlich reduziert, da die Gate-Metallschicht (8) aus Wolfram bei gleichem Bahnwiderstand mit wesentlich geringerer Schichtdicke vorgegeben werden kann als das Metallsilizid.
  • Das Wolfram der Gate-Metallschicht wird nicht direkt auf die Polysiliziumschicht aufgebracht, da es sonst an einer Grenzfläche zwischen der Gate-Metallschicht und der Polysiliziumschicht zu einer Entstehung von Wolframsilizid bei nachfolgenden Hochtemperaturschritten kommen würde. Das Wolframsilizid an der Grenzfläche würde den Kontaktwiderstand zwischen der Gate-Metallschicht und der Polysiliziumschicht erhöhen und möglicherweise zur Ablösung des Gate-Elektrodenschichtstapels führen. Je geringer jedoch der Kontaktwiderstand ist, desto kürzer sind auch die Schaltzeiten die erreicht werden können. Es wird daher die Barrierenschicht aus Wolframnitrid zwischen der Gate-Metallschicht und der Polysiliziumschicht vorgesehen. Das Wolframnitrid verhindert eine Wechselwirkung zwischen Wolfram und Silizium.
  • Ein wesentlicher Nachteil bei der herkömmlichen Barrierenschicht aus Wolframnitrid besteht darin, dass der Stickstoff im Wolframnitrid nicht fest genug gebunden ist, so dass der Stickstoff beispielsweise nach Temperaturschritten, die im weiteren Prozessverlauf erfolgen, mehrere Nanometer weit in das unterliegende Polysilizium hineindiffundiert. Dort kommt es zur nachteiligen Bildung von Siliziumnitrid, das den Kontaktwiderstand wiederum erhöht.
  • In der 2 sind zwei Messkurven a und b dargestellt, die den beschriebenen Sachverhalt verdeutlichen. Die Messkurve a beschreibt das Vorkommen von Wolfram und die Messkurve b das Vorkommen von Stickstoff in Abhängigkeit von der Position im Gate-Elektrodenschichtstapel. Es ist jeweils auf der Abszisse der Abstand von einer Oberkante des Gate-Elektrodenschichtstapels in Nanometern und auf der Ordinate die Anzahl der Zählereignisse für Wolfram bzw. Stickstoff, aufgetragen. Im Abschnitt 8 auf der Abszisse befindet sich die Wolframschicht, im Abschnitt 7 die Barrierenschicht aus Wolframnit rid und im Abschnitt 5 die Polysiliziumschicht. Die beiden Messkurven wurden nach einem Temperaturschritt von ungefähr 800ºC aufgenommen. Wie man der Kurve a entnehmen kann, ist Wolfram nur in geringem Maße in das Polysilizium hineindiffundiert. Die Kurve b zeigt hingegen einen deutlichen Stickstoffanteil im Polysilizium.
  • Die Elektronenmikroskopaufnahme in der 3 zeigt einen Längsschnitt durch den Gate-Elektrodenschichtstapel, der auch den Messkurven in der 2 zugrunde liegt. Auf der Polysiliziumschicht 5 liegt die dünne Barrierenschicht 7 aus Wolframnitrid und auf der dünnen Barrierenschicht 7 die Gate-Metallschicht 8 aus Wolfram auf.
  • Stickstoff diffundiert mehrere Nanometer tief in die Polysiliziumschicht hinein und bildet dort isolierendes Siliziumnitrid.
    •
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein einfaches Verfahren zur Herstellung einer Gate-Struktur mit einem im Vergleich zu herkömmlichen Gate-Strukturen niedrigen Kontaktwiderstand zur Verfügung zu stellen. Von der Aufgabe wird ferner eine Gate-Struktur umfasst.
  • Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs genannten Art durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 genannten Merkmale gelöst. Eine die Aufgabe lösende Gate-Struktur ist im Patentanspruch 10 angegeben. Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den jeweiligen Unteransprüchen.
  • Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Gate-Struktur eines in einem Halbleitersubstrat ausgebildeten Transistors, bei dem ein Gate-Elektrodenschichtstapel strukturiert wird, zur Verfügung gestellt. Dabei wird zur Ausbildung des Gate-Elektrodenschichtstapels auf einer auf dem Halbleitersubstrat vorgesehenen Gate-Dielektrikumsschicht eine Polysiliziumschicht aufgebracht. Es werden eine Barrierenschicht aus einem Metallnitrid und eine Gate-Metallschicht vorgesehen, wobei durch die Barrierenschicht eine einen Kontaktwiderstand zwischen der Polysiliziumschicht und der Gate-Metallschicht erhöhende Wechselwirkung zwischen dem Silizium in der Polysiliziumschicht und dem Metall der Gate-Metallschicht verhindert wird.
  • Erfindungsgemäß wird zwischen der Polysiliziumschicht und der Barrierenschicht eine Kontaktschicht zur Vermeidung einer Wechselwirkung zwischen dem Stickstoff in der Barrierenschicht und dem Silizium in der Polysiliziumschicht vorgesehen.
  • Eine Nitridierung der Polysiliziumschicht kann nicht nur durch eine Diffusion von Stickstoff aus der Barrierenschicht verursacht werden. Wird die aus einem Metallnitrid bestehende Barrierenschicht etwa im Zuge eines PVD (physical vapor deposition) – Verfahrens direkt auf das Polysilizium abgeschieden, so kommt es in der stickstoffhaltigen Prozessatmosphäre während der PVD-Abscheidung ebenfalls zur Nitridierung der Oberfläche der Polysiliziumschicht.
  • Die Ausbildung einer Siliziumnitridschicht, die den Kontaktwiderstand von der Gate-Metallschicht zur Polysiliziumschicht in nachteiliger Weise erhöht, erfolgt demnach sowohl durch das Abscheiden der stickstoffhaltigen Barrierenschicht, als auch durch einen Temperaturschritt in der nachfolgenden Prozessierung.
  • Erfindungsgemäß werden daher auf die Polysiliziumschicht nacheinander die Kontaktschicht aus Metall unter Ausschluss von Stickstoff und auf die Kontaktschicht die Barrierenschicht aufgebracht. Dadurch, dass die Polysiliziumschicht in einem ersten Schritt vollständig mit einem Metall abgedeckt wird, wird eine Wechselwirkung zwischen dem Stickstoff in der Prozessatmosphäre beim Aufbringen der Barrierenschicht, zum Beispiel mit einem PVD-Verfahren, und dem Silizium in der Polysiliziumschicht vermieden. Die Kontaktschicht wirkt außerdem als eine Diffusionsbarriere, die ein hineindiffundieren von Stickstoff, beispielsweise nach einem Temperaturschritt, in die Polysiliziumschicht unterbindet. Durch das erfindungsgemäße Aufbringen der Kontaktschicht wird eine Entstehung von Siliziumnitrid an einer Grenzfläche zwischen der Polysiliziumschicht und der Barrierenschicht, verhindert. Die Vermeidung von Siliziumnitrid an der Grenzfläche führt zu einer deutlichen Verringerung des Kontaktwiderstandes zwischen der Polysiliziumschicht und der Gate-Metallschicht, gegenüber herkömmlich prozessierten Gate-Strukturen. Durch eine Verringerung des Kontaktwiderstandes werden Schaltzeiten verkürzt und dadurch beispielsweise in einer Speicherzelle schnellere Zugriffszeiten auf Dateninhalte ermöglicht.
  • Vorzugsweise wird die Barrierenschicht auf der Kontaktschicht als chemisch, thermisch und mechanisch stabile Schicht vorgesehen. Der Stickstoff in der Barrierenschicht, sollte zum Beispiel auch bei hohen Temperaturen, die im weiteren Prozessverlauf angewendet werden, noch fest gebunden bleiben, um eine Diffusion von Stickstoff zu verhindern und um Wechselwirkungen, die den Kontaktwiderstand negativ beeinflussen zu vermeiden.
  • In vorteilhafter Weise wird als Material für die Kontaktschicht das Refraktärmetall Titan und für die Barrieren schicht Titannitrid vorgesehen. Durch die Verwendung von Titannitrid als Material für die Barrierenschicht wird sichergestellt, dass kein Stickstoff in das Polysilizium eintreten kann. Denn der Stickstoff im Titannitrid befindet sich auch bei Temperaturen von über 1000ºC noch im gebundenen Zustand. Es konnte nachgewiesen werden, dass mit der Schichtenfolge Titan/Titannitrid ein Kontaktwiderstand zwischen der Gate-Metallschicht und der Polysiliziumschicht von kleiner als 10 Ohm Quadratmikrometer ausgebildet werden kann. Gegenüber einer herkömmlichen mit Wolframnitrid als Barrierenschicht vorgesehenen Gate-Struktur, die einen Kontaktwiderstand von größer als 10.000 Ohm Quadratmikrometer aufweist, wird mit der erfindungsgemäßen Schichtenfolge Titan/Titannitrid eine deutliche Verringerung des Kontaktwiderstandes erzielt.
  • Vorzugsweise wird die Kontaktschicht mit einer Dicke von 1 bis 5 nm vorgesehen.
  • In vorteilhafter Weise wird als Material für die Gate-Metallschicht Wolfram vorgesehen.
  • Die Gate-Metallschicht kann vorzugsweise auch als eine Schichtenfolge bestehend aus Wolframnitrid und Wolfram vorgesehen werden.
  • In vorteilhafter Weise wird die Kontaktschicht auf die Polysiliziumschicht mit einem PVD (Physical Vapor Deposition) – oder einem CVD (Chemical Vapor Deposition) – oder einem RLD (Atomic Layer Deposition) – Verfahren aufgebracht. Bei dem PVD-Verfahren wird in einem Plasma das aufzubringende Material zerstäubt. Das zerstäubte Material lagert sich dann auf einem Substrat, auf dem die Schicht aufgebracht werden soll, ab. Das CVD-Verfahren ist ein Abscheideverfahren aus der Gas phase heraus. Mit dem ALD-Verfahren lassen sich Schichten atomlagenweise aufwachsen.
  • Vorzugsweise wird die Barrierenschicht mit einem CVD- oder einem PVD-Verfahren abgeschieden. Das Abscheiden der Barrierenschicht kann vorzugsweise in derselben Anlage erfolgen, wie das Abscheiden der Kontaktschicht. Handelt es sich bei dem Abscheideverfahren zum Beispiel um ein CVD-Verfahren, so wird um die Kontaktschicht aufzubringen zunächst nur eine Gaskomposition zur Abscheidung der Kontaktschicht in die Prozesskammer eingelassen. Wichtig ist dabei, dass die Abscheidung der Kontaktschicht unter Ausschluss von Stickstoff erfolgt, denn das Polysilizium soll mit dem Metall der Kontaktschicht abgedeckt werden, um eine Wechselwirkung zwischen Stickstoff und Silizium zu vermeiden. Nachdem die Kontaktschicht aufgebracht wurde, wird in die Prozesskammer das stickstoffhaltige Gas für die Abscheidung der Barrierenschicht eingelassen. Es lassen sich also in vorteilhafter Weise sowohl Kontaktschicht als auch Barrierenschicht ohne Vakuumunterbrechung in ein und derselben Anlage aufbringen.
  • Auf die Barrierenschicht wird die Gate-Metallschicht vorzugsweise mit einem PVD- oder einem CVD-Verfahren abgeschieden.
  • Es wird eine Gate-Struktur eines Transistors zur Verfügung gestellt. Die Gate-Struktur umfasst einen Gate-Elektrodenschichtstapel mit einer dotierten Polysiliziumschicht, die auf einer Gate-Dielektrikumsschicht angeordnet ist, einer oberhalb der Polysiliziumschicht angeordneten Gate-Metallschicht und einer zwischen der Polysiliziumschicht und der Gate-Metallschicht angeordneten Barrierenschicht aus einem Metallnitrid. Die Barrierenschicht hat den Zweck eine einen Kontaktwiderstand zwischen der Polysiliziumschicht und der Gate-Metallschicht negativ beeinflussende Wechselwirkung zwi schen dem Silizium der Polysiliziumschicht und dem Metall der Gate-Metallschicht zu verhindern. Erfindungsgemäß ist zwischen der Polysiliziumschicht und der Barrierenschicht eine Kontaktschicht aus Metall zur Vermeidung einer Wechselwirkung zwischen dem Stickstoff in der Barrierenschicht und dem Silizium in der Polysiliziumschicht aufgebracht.
  • Durch das vollständige Abdecken der Polysiliziumschicht mit der Kontaktschicht wird eine Entstehung während des Prozessierens von den Kontaktwiderstand erhöhendem Siliziumnitrid wirkungsvoll verhindert. Durch die erfindungsgemäße Kontaktschicht wird ein im Vergleich zu herkömmlichen Gate-Strukturen niederohmiger Kontaktwiderstand zwischen der Gate-Metallschicht und der Polysiliziumschicht hergestellt. Durch einen geringen Kontaktwiderstand können Schaltzeiten verkürzt werden. Bei Transistoren in Speicherzellen hätte dies den Vorteil, dass ein schnellerer Zugriff auf Speicherzelleninhalte möglich ist.
  • Vorzugsweise ist die Barrierenschicht auf der Kontaktschicht als chemisch, thermisch und mechanisch stabile Schicht vorgesehen. Eine Nitridierung der Polysiliziumschicht wird noch wirkungsvoller verhindert, wenn die Barrierenschicht, die aus einem Metallnitrid besteht, den Stickstoff fest gebunden hat. Auch bei hohen Temperaturen über 8004 C sollte der Stickstoff an das Metall in der Barrierenschicht gebunden bleiben. Auf diese Weise wird ein Diffundieren von Stickstoff in die Polysiliziumschicht verhindert.
  • In vorteilhafter Weise ist die Kontaktschicht aus Titan und die Barrierenschicht aus Titannitrid vorgesehen. Das Titannitrid bildet eine chemisch, thermisch und mechanisch stabile Barrierenschicht aus.
  • Vorzugsweise ist die Kontaktschicht mit einer Dicke von 1 bis 5 nm vorgesehen.
  • In vorteilhafter Weise ist als Material für die Gate-Metallschicht Wolfram vorgesehen.
  • Die Gate-Metallschicht kann auch als eine Schichtenfolge bestehend aus Wolframnitrid und Wolfram vorgesehen sein.
    •
  • Nachfolgen wir die Erfindung anhand der Figuren näher er läutert. Es zeigen:
  • 1 Längsschnitte durch gemäß dem Stand der Technik ausgeführte Gate-Strukturen,
  • 2 Messkurven zur Beschreibung des Vorkommens von Wolfram und Stickstoff im herkömmlichen Gate-Elektrodenschichtstapel,
  • 3 Elektronenmikroskopaufnahme eines herkömmlichen Gate-Elektrodenschichtstapels,
  • 4 Längsschnitt durch eine Gate-Struktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung.
  • Die 1 bis 3 sind bereits in der Beschreibungseinleitung näher erläutert worden.
  • Zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Gate-Struktur 1 wird auf einer Dielektrikumsschicht 9, die auf einem Halbleitersubstrat 10 vorgesehen ist, ein Gate-Elektrodenschichtstapel 2 strukturiert. Der Gate-Elektrodenschichtstapel 2 enthält eine dotierte Polysiliziumschicht 5, die auf der Gate-Dielektrikumsschicht 9 angeordnet wird. Auf der Polysilizium schicht 5 wird eine Kontaktschicht 6 und auf der Kontaktschicht 6 eine Barrierenschicht 7 vorgesehen. Die Kontaktschicht 6 besteht aus Titan und die Barrierenschicht 7 aus Titannitrid. Auf die Barrierenschicht 7 wird die Gate-Metallschicht 8 aufgebracht. Die Gate-Metallschicht 8 besteht in diesem Beispiel aus Wolfram. Auf der Gate-Metallschicht 8 wird eine isolierende Kappe 4 vorgesehen. An Seitenwänden des Gate-Elektrodenschichtstapels 2 und der isolierenden Kappe befinden sich isolierende Schichten 3, die aus einem Spacernitrid 31 und einem Seitenwandoxid 32 bestehen können.
  • Die Kontaktschicht 6 deckt die Polysiliziumschicht 5 vollständig ab und verhindert so eine Wechselwirkung von Stickstoff, das in der Barrierenschicht 7 enthalten ist, mit dem Silizium der Polysiliziumschicht 5. Dadurch wird ein Ausbilden von einen Kontaktwiderstand zwischen der Gate-Metallschicht 8 und der Polysiliziumschicht 5 erhöhendem Siliziumnitrid verhindert. Die Kontaktschicht 6 kann mit einem PVD-, einem CVD- oder einem ALD-Verfahren aufgebracht werden. Bei der Aufbringung der Kontaktschicht 6 ist es wichtig, dass beispielsweise bei einer CVD- oder PVD-Abscheidung die Kontaktschicht 6 unter Ausschluss von Stickstoff aufgebracht wird. Dann lässt sich nach der Aufbringung der Kontaktschicht 6 insitu, also in derselben Anlage in der auch die Kontaktschicht 6 abgeschieden wurde, die Barrierenschicht 7 abscheiden.
  • Die Barrierenschicht 7, die erfindungsgemäß aus Titannitrid, anstelle von Wolframnitrid, besteht, hat den Vorteil, dass der Stickstoff im Titannitrid fester gebunden ist, als im Wolframnitrid. Auch bei Temperaturschritten mit hohen Temperaturen, die während der Prozessierung des Transistors angewendet werden, findet keine Zerlegung des Titannitrids statt. Sowohl die Kontaktschicht (6) aus Titan als auch die Barrie renschicht (7) aus Titannitrid, in der der Stickstoff fest gebunden ist, verhindern eine Wechselwirkung von Stickstoff mit dem Silizium in der Polysiliziumschicht 5. Ein Eindringen von Metall aus der Gate-Metallschicht 8 in das Polysilizium 5 wird durch die Barrierenschicht 7 unterbunden. Mit dem erfindungsgemäßen Aufbau der Gate-Struktur 1 wird die Entstehung von Siliziumnitrid und Metallsilizid, die beide den Kontaktwiderstand verschlechtern, wirkungsvoll unterbunden. Mit der erfindungsgemäßen Kontakt- 6 und Barrierenschicht 7 lässt sich ein niederohmiger Kontakt zwischen der Gate-Metallschicht 8 und der Polysiliziumschicht 5 realisieren.
  • In dem 4 ist die Gate-Struktur 1 mit dem Gate-Elektrodenschichtstapel 2, der sich auf der Gate-Dielektrikumsschicht 9 befindet, die auf dem Halbleitersubstrat 10 angeordnet ist, dargestellt. Der Gate-Elektrodenschichtstapel 2 enthält die Polysiliziumschicht 5, die Kontaktschicht 6, die Barrierenschicht 7 und die Gate-Metallschicht 8. Auf der Gate-Metallschicht ist die isolierende Kappe 4 vorgesehen. Dargestellt sind auch isolierende Schichten 3, die die Seitenwände umgeben. Die isolierenden Schichten 3 bestehen aus einer Spacernitridschicht 31 und einer Seitenwandoxidschicht 32.
    • 1
    Gate-Struktur
    2
    Gate-Elektrodenschichtstapel
    3
    isolierende Schicht
    31
    Spacernitridschicht
    32
    Seitenwandoxidschicht
    4
    isolierende Kappe
    5
    Polysiliziumschicht
    6
    Kontaktschicht
    7
    Barrierenschicht
    8
    Gate-Metallschicht
    81
    Gate-Metallsilizidschicht
    9
    Gate-Dielektrikumsschicht
    10
    Halbleitersubstrat

Claims (15)

  1. Verfahren zur Herstellung einer Gate-Struktur (1) eines in einem Halbleitersubstrat (10) ausgebildeten Transistors, bei dem ein Gate-Elektrodenschichtstapel (2) strukturiert wird, wobei zur Ausbildung des Gate-Elektrodenschichtstapels (2) – auf einer auf dem Halbleitersubstrat (10) vorgesehenen Gate-Dielektrikumsschicht (9) eine Polysiliziumschicht (5) aufgebracht, – eine Barrierenschicht (7) aus einem Metallnitrid vorgesehen und – auf die Barrierenschicht (7) eine Gate-Metallschicht (8) aufgebracht wird, wobei durch die Barrierenschicht (7) eine einen Kontaktwiderstand zwischen der Polysiliziumschicht (5) und der Gate-Metallschicht (8) erhöhende Wechselwirkung zwischen dem Silizium in der Polysiliziumschicht (5) und dem Metall der Gate-Metallschicht (8) verhindert wird, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Polysiliziumschicht (5) und der Barrierenschicht (7) eine Kontaktschicht (6) aus einem Metall zur Vermeidung einer Wechselwirkung zwischen dem Stickstoff in der Barrierenschicht (7) und dem Silizium in der Polysiliziumschicht (5) vorgesehen wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Barrierenschicht (7) als chemisch, thermisch und mechanisch stabile Schicht auf der Kontaktschicht (6) vorgesehen wird.
  3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass als Material der Kontaktschicht (6) Titan und als Material der Barrierenschicht (7) Titannitrid vorgesehen werden.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktschicht (6) mit einer Dicke von 1 bis 5 Nanometern vorgesehen wird.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass als Material für die Gate-Metallschicht (5) Wolfram vorgesehen wird.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Gate-Metallschicht (8) als eine Schichtenfolge bestehend aus Wolframnitrid und Wolfram vorgesehen wird.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktschicht (6) auf die Polysiliziumschicht (5) mittels eines PVD-, eines CVD-, oder eines ALD-Verfahrens aufgebracht wird.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Barrierenschicht (7) mittels eines CVD-, oder eines PVD- Verfahrens abgeschieden wird.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Gate-Metallschicht (8) mittels eines PVD- oder eines CVD-Verfahrens auf die Barrierenschicht (7) abgeschieden wird.
  10. Gate-Struktur (1) eines Transistors umfassend einen Gate-Elektrodenschichtstapel (2) mit einer dotierten Polysiliziumschicht (5), einer oberhalb der Polysiliziumschicht (5) angeordneten Gate-Metallschicht (8) und einer zwischen der Polysiliziumschicht (5) und der Gate-Metallschicht (8) angeordneten Barrierenschicht (7) aus einem Metallnitrid zur Verhinderung einer einen Kontaktwiderstand zwischen der Polysiliziumschicht (5) und der Gate-Metallschicht (8) erhöhenden Wechselwirkung zwischen dem Silizium in der Polysiliziumschicht (5) und dem Metall der Gate-Metallschicht (8), dadurch gekennzeichnet, dass auf der Polysiliziumschicht (5) eine Kontaktschicht (6) aus Metall zur Unterdrückung einer Wechselwirkung zwischen dem Stickstoff in der Barrierenschicht (7) und dem Silizium in der Polysiliziumschicht (5) aufgebracht ist.
  11. Gate-Struktur nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Barrierenschicht (7) als chemisch, thermisch und mechanisch stabile Schicht auf der Kontaktschicht (6) vorgesehen ist.
  12. Gate-Struktur nach einem der Ansprüche 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktschicht (6) aus Titan und die Barrierenschicht (7) aus Titanitrid vorgesehen ist.
  13. Gate-Struktur nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktschicht (6) mit einer Dicke von 1 bis 5 Nanometern vorgesehen ist.
  14. Gate-Struktur nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass als Material für die Gate-Metallschicht (8) Wolfram vorgesehen ist.
  15. Gate-Struktur nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Gate-Metallschicht (8) als eine Schichtenfolge bestehend aus Wolframnitrid und Wolfram vorgesehen ist.
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