DE10191688B4 - Sensorbaustein und ein Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

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Abstract

Sensorbaustein zum Messen eines Temperaturunterschieds mit einem Halbleitersubstrat (1) und mindestens einem, auf dem Halbleitersubstrat (1) angeordneten Temperaturdifferenzsensor (2), gekennzeichnet durch mindestens ein Wärmeleitelement (11, 12) zum thermischen Verbinden des Sensorbausteins mit einem zu messenden Objekt, wobei das Wärmeleitelement (11, 12) an mindestens einem Kontaktort in thermischem Kontakt mit dem Temperaturdifferenzsensor (2) steht.

Description

  • Hinweis auf verwandte Anmeldungen
  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der Schweizer Patentanmeldung 0871/00, die am 4. Mai 2000 eingereicht wurde und deren ganze Offenbarung hiermit durch Bezug aufgenommen wird.
  • Hintergrund
  • Die Erfindung betrifft einen Sensorbaustein, ein Verfahren zu dessen Herstellung und einen Flussensor gemäss Oberbegriff der unabhängigen Ansprüche.
  • Stand der Technik
  • Es gibt Sensorbausteine zum Messen eines Temperaturunterschieds, bei denen ein Temperaturdifferenzsensor auf einem Halbleitersubstrat integriert ist, wie dies z. B. in DE 195 27 861 A1 offenbartist. Beispielsweise kann auf dem Halbleitersubstrat eine Thermosäule integriert werden, die eine Spannung abhängig vom Temperaturunterschied zwischen ihren Kontaktreihen abgibt.
  • Derartige Bausteine eignen sich jedoch nur für Messungen, wo der Halbleiterbaustein direkt in Kontakt mit dem zu messenden Substrat gebracht werden kann. Liegen z. B. die Punkte, über denen der Temperaturunterschied gemessen werden soll, weit auseinander, so müssen diskrete Temperaturdifferenzsensoren verwendet werden. Auch zur Messung an besonders aggressiven Medien sind konventionelle Halbleiterbausteine nicht gut geeignet.
  • DE 42 41 333 A1 beschreibt einen Flusssensor mit einem Heizelement und einem daneben angeordneten Temperatursensor, die direkt in den zu messenden Gasstrom eingebracht werden.
  • DE 195 16 480 C1 beschreibt einen Mirkosensor zur Bestimmung von Wärmestromdichten mittels Thermoelementen, der direkt auf eine zu untersuchende Wand aufgesetzt wird.
  • Darstellung der Erfindung
  • Es stellt sich deshalb die Aufgabe, einen Sensorbaustein bereitzustellen, der diese Probleme vermeidet.
  • Diese Aufgabe wird vom Sensorbaustein gemäss Anspruch 1 gelöst.
  • Erfindungsgemäss ist also ein Wärmeleitelement vorgesehen, welches in thermischem Kontakt mit dem Temperaturdifferenzsensor steht, und über den der Sensorbaustein mit dem zu messenden Objekt verbunden wird. Dies erlaubt es, die Temperatur vom zu Messenden Objekt an den Ort des bzw. der Temperaturdifferenzsensoren zu führen. Somit können die eigentlichen Messpunkte und der Sensorbaustein örtlich getrennt werden. Dennoch bleiben die vorteilhaften Eigenschaften, wie z. B. geringe Störanfälligkeit, eines Sensorbausteins mit integriertem Temperaturdifferenzsensor erhalten.
  • Vorzugsweise ist das Wärmeleitelement teilweise in ein Gehäuse eingegossen, welches auch das Halbleitersubstrat umschliesst, so dass sich ein mechanisch stabiler Aufbau ergibt.
  • Vorzugsweise ist der Temperaturdifferenzsensor eine Thermosäule, deren Kontaktreihen bzw. -enden mit dem bzw. den Wärmeleitelementen thermisch verbunden sind. Da eine derartige Thermosäule einen hohen elektrischen Innenwiderstand besitzt, kann durch deren Integration auf einem Halbleiterbaustein im Vergleich zu einem Aufbau aus diskreten Teilen die Störempfindlichkeit reduziert werden.
  • In einer bevorzugten Ausführung weist das Halbleitersubstrat zwischen den Punkten, mit denen das bzw. die Wärmeleitelemente verbunden sind, eine Vertiefung oder Öffnung auf. Dadurch wird der Wärmefluss durch das Substrat reduziert und die Empfindlichkeit des Sensors verbessert. Die Vertiefung bzw. Öffnung kann mit ei ner Membran überzogen sein, so dass es möglich bleibt, direkte Leitungen zwischen den Kontaktorten zu ziehen.
  • Der Wärmefluss durch das Halbleitersubstrat kann auch reduziert werden, indem dessen Dicke sehr gering gewählt wird. Hierzu kann die oben erwähnte Vertiefung z. B. bis auf weniger als 200 μm an die Gegenseite des Substrats herangeführt werden, oder das Substrat kann generell eine Dicke von weniger als 200 μm besitzen.
  • Auf dem Halbleitersubstrat kann auch eine Wärmequelle integriert sein. Diese kann ebenfalls mit einem geeigneten Wärmeleitelement, in den Ansprüchen Heizleistungs-Leitelement genannt, verbunden sein, um die Heizwärme zum auszumessenden Objekt zu führen.
  • Vorzugsweise wird auf dem Halbleitersubstrat eine Auswerteelektronik integriert. Dank der kurzen Leitungswege zum Temperaturdifferenzsensor kann eine sehr genaue und störungsfreie Messung erreicht werden.
  • Bei der Herstellung des Sensorbausteins wird zuerst der Temperaturdifferenzsensor auf dem Halbleitersubstrat integriert. Sodann kann er mit dem bzw. den Wärmeleitelementen verbunden werden. Vorzugsweise geschieht dies in einem Lead-Frame. In diesem Fall werden das Wärmeleitelement und Anschlussleitungen im Lead-Frame ausgeformt, dann mit dem Halbleitersubstrat verbunden und in bekannter Technik in ein gemeinsamen Gehäuse eingegossen.
  • Der Sensorbaustein eignet sich besonders zur Anwendung in einem Flusssensor.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Weitere Ausgestaltungen, Vorteile und Anwendungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen und aus der nun folgenden Beschreibung anhand der Figuren. Dabei zeigen:
  • 1 eine Draufsicht auf ein Halbleitersubstrat mit Thermosäule und Auswerteelektronik,
  • 2 das Halbleitersubstrat nach 1 mit Metallbumps,
  • 3 das Halbleitersubstrat nach 2 mit Anschlussleitungen und Wärmeleitelementen,
  • 4 der Baustein nach 3 in einem Gehäuse,
  • 5 einen Schnitt entlang Linie V-V von 3,
  • 6 ein vergrössertes Detail aus 5,
  • 7 eine alternative Ausführung zu 4,
  • 8 eine dritte Ausführung des Sensorbauteils,
  • 9 eine vierte Ausführung des Sensorbauteils,
  • 10 eine fünfte Ausführung des Sensorbauteils,
  • 11 eine Ausführung des Sensorbausteins als Flusssensor,
  • 12 eine Draufsicht auf den Sensorbaustein nach 11,
  • 13 eine zweite Ausführung eines Flusssensors,
  • 14 eine dritte Ausführung eines Flusssensors und
  • 15 eine vierte Ausführung eines Flusssensors.
  • Wege zur Ausführung der Erfindung
  • Eine erste Ausführung der Erfindung in verschiedenen Stufen ihres Herstellungsprozesses ist in 16 dargestellt. Es handelt sich hierbei um einen Sensorbaustein, der auf einem Halbleitersubstrat 1 basiert, wie es in 1 dargestellt ist. Auf dem Halbleitersubstrat 1 ist als Temperaturdifferenzsensor eine Thermosäu le 2 integriert. Diese weist zwei Kontaktreihen 3, 4 auf, die deren thermische Kontaktorte bilden, und erzeugt eine Spannung abhängig vom Temperaturunterschied zwischen diesen beiden Kontaktreihen. Die Thermosäule ist über Leiter 5 mit einer Auswerteelektronik 6 verbunden. Die Auswerteelektronik 6 umfasst z. B. einen Vorverstärker, einen Analog-Digital-Wandler und eine digitale Verarbeitungsstufe, z. B. um das Signal der Thermosäule zu linearisieren und zu skalieren. Zur elektrischen Verbindung mit der Aussenwelt sind Anschlusspads 7 vorgesehen.
  • Wie in 2 gezeigt, werden auf dem fertigen Halbleitersubstrat 1 „Metallbumps” 8, 9 aufgebracht. Dabei handelt es sich um Erhebungen aus Metall, vorzugsweise aus Gold oder Kupfer, die über den Kontaktreihen 3, 4 liegen und mit diesen einen thermischen Kontakt bilden.
  • Sodann wird, wie in 3 dargestellt, das Halbleitersubstrat 1 mit elektrischen Anschlussleitungen 10 und Wärmeleitelementen 11, 12 verbunden. Die Anschlussleitungen 10 kontaktieren die Anschlusspads 7 und stellen die elektrischen Anschlüsse des Bausteins dar. Die Wärmeleitelemente 11, 12 sind aus Metall mit hohem Wärmeleitwert, stehen in thermischem und vorzugsweise auch physikalischem Kontakt mit den Metallpumps 8, 9 und stellen die thermischen Anschlüsse des Bausteins dar.
  • Die Anschlussleitungen 10 und die Wärmeleitelemente 11, 12 sind vorzugsweise gemeinsam in einem Lead-Frame angeordnet, so dass sie in einem Schritt mit dem Halbleitersubstrat 1 in der in 3 dargestellten Weise verbunden werden können.
  • In einem nächsten Schritt wird die Anordnung nach 3 in ein Kunststoffgehäuse 14 eingegossen, wie dies in 4 dargestellt ist. Wie daraus ersichtlich ist, wird ein erster Teil der Wärmeleitelemente 11, 12 in das Gehäuse eingegossen, während ein zweiter Teil je eine Anschlusszunge 11a bzw. 12a bildet. In der vorliegenden Ausführungen sind diese mit Schraublöchern 16 ausgerü stet. Das Gehäuse 14 vermittelt den Wärmeleitelementen 11, 12 mechanischen Halt.
  • Es ist auch denkbar, den Sensorbaustein in „Flip-Chip” Technologie aufzubauen.
  • Der fertige Baustein nach 4 erlaubt es, einen Temperaturunterschied zwischen den Anschlusszungen 11a und 12a zu detektieren. Hierzu werden die Anschlusszungen thermisch mit zwei Messstellen eines auszumessenden Objekts verbunden. Ein Temperaturunterschied zwischen diesen Messstellen erzeugt einen Temperaturunterschied über den Kontaktreihen 3, 4 der Thermosäule und somit eine messbare Spannung.
  • Die über den Kontaktreihen 3, 4 abfallende Spannung ist abhängig von der Wärmeleitfähigkeit der Wärmeleitelemente 11, 12 und der Wärmeleitfähigkeit von Substrat 1 und Gehäuse 14. Während das Gehäuse aus Kunststoff ist und geringe Wärmeleitung aufweist, ist die Wärmeleitung des Substrats 1 relativ hoch. Vorzugsweise wird deshalb im Substrat 1 zwischen den Kontaktreihen 3, 4 eine Vertiefung oder eine durchgehende Öffnung vorgesehen.
  • Dies ist in 5 dargestellt. Hier ist zwischen den Kontaktreihen 3, 4 eine sich durch das Substrat 1 erstreckende Öffnung 20 vorgesehen, über die sich eine dünne Membran 21 erstreckt. Eine derartige Struktur kann hergestellt werden, indem das Substrat zuerst mit der Membran 21 beschichtet und sodann die Öffnung 20 ausgeätzt wird. Entsprechende Techniken sind dem Fachmann bekannt.
  • Anstelle der Öffnung 20 kann von der Unterseite des Substrats auch eine Vertiefung ausgeätzt werden, die oben von einer Substratschicht einer Dicke von höchsten 200 μm, vorzugsweise ca. 50 μm, bedeckt ist.
  • Es ist auch denkbar, ein Substrat zu verwenden, dessen Gesamtdicke im Bereich von 200 μm oder weniger (z. B. 50 μm) liegt, um den Wärmefluss zwischen den Kontaktreihen 3, 4 zu reduzieren.
  • In 6 ist ein Schnitt durch eine Kontaktreihe 3 in Vergrösserung dargestellt. Wie daraus ersichtlich, bilden im Bereich der Kontaktreihe die beiden Materialien 22, 23 der Thermosäule 2 eine Kontaktstelle. Sie sind von einer Passivierungsschicht 24, z. B. aus Siliziumnitrid, bedeckt, auf der der Metallbump 8 bzw. 9 aufgebracht wird.
  • Die in 4 dargestellte Ausführung der Erfindung kann, wie bereits erwähnt, über die Schraublöcher 16 mit einem zu messenden Objekt oder mit geeigneten Wärmeleitern verbunden werden. Es ist jedoch auch denkbar, die Anschlusszungen 11a und 12a in anderer Weise auszugestalten.
  • So zeigt 7 eine in Spitzen zulaufende Ausführung der Anschlusszungen 11a, 12a, wie sie z. B. für ein Handmessgerät geeignet wäre.
  • Eine weitere Ausführung ist in 8 dargestellt. Hier ragen die Wärmeleitelemente seitlich aus dem Gehäuse 14, wobei ihr erster, vom Gehäuse 14 umschlossener Teil gestrichelt dargestellt ist.
  • Eine weitere Ausführung nach 9 für grosse Temperaturdifferenzen ist aufgebaut wie jene nach 8, wobei jedoch die beiden Wärmeleitelemente miteinander verbunden sind, so dass ein einziges Wärmeleitelement 12' entsteht. Es ist also ein gemeinsames Wärmeleitelement für beide Kontaktreihen 3, 4 der Thermosäule 2 vorgesehen, das seitliche Anschlusszungen 12'a, 12'b besitzt. Im Bereich 12'c zwischen den Kontaktreihen 3, 4 weist das Wärmeleitelement 12' einen kleineren Querschnitt auf als im Bereich der Anschlusszungen 12'a, 12'b, so dass der thermische Widerstand pro Länge zwischen den Kontaktreihen 3, 4 grösser ist als in den Anschlusszungen. Dadurch wird der Temperaturabfall zwischen den Kontaktreihen 3, 4 erhöht.
  • In den bisher gezeigten Ausführungen wurde der Sensorbaustein in ein Gehäuse 14 eingegossen und die Wärmeleitelemente ragten aus diesem Gehäuse heraus. Es ist jedoch auch denkbar, dass die Wärmeleitelemente nur bis zur Oberfläche des Gehäuses führen, falls die Messung direkt am Gehäuse durchgeführt werden soll.
  • Eine weitere Ausführung ist in 10 dargestellt. Hier ist das Halbleitersubstrat 1 über die Wärmeleitelemente 11, 12 direkt an einer Leitung bzw. einem Rohr 25 befestigt. Die Wärmeleitelemente 11, 12 können in diesem Fall z. B. von den oben erwähnten Metallbumps gebildet werden. Mit dieser Anordnung ist es möglich, einen Temperaturgradienten in dem im Rohr 25 fliessenden Medium festzustellen. Dennoch ist das Halbleitersubstrat 1 gut vor dem Medium geschützt.
  • Eine ähnliche Ausführung des Sensorbausteins ist in 11 dargestellt. Hier ist auf dem Halbleitersubstrat 1 zusätzlich ein Wärmequelle 26, z. B. in Form eines integrierten Widerstands, angeordnet. Auf der Wärmequelle 26 ist ein Heizleistungs-Leitelement 27 angeordnet, das mit dieser thermisch in Kontakt steht. Das Heizleistungs-Leitelement 27 kann ebenfalls als Metallbump ausgestaltet sein. Es leitet die Wärme der Wärmequelle 26 an das Rohr 25 weiter, wo sie einen Temperaturgradienten im zu messenden Medium zwischen den Wärmeleitelementen 11, 12 erzeugt.
  • Der Aufbau des Sensorbausteins nach 11 ist aus 12 ersichtlich, wobei hier das Rohr 25 nicht dargestellt ist und die Wärmeleitelemente 11, 12 und das Heizleistungs-Leitelement 27 gestrichelt erscheinen. Er besitzt zwei Thermosäulen 2a, 2b, zwischen denen die Wärmequelle 26 angeordnet ist. Die inneren Kontaktreihen der Thermosäulen 2a, 2b liegen neben der Wärmequelle, die äusseren am Rand des Halbleitersubstrats 1.
  • Um die Empfindlichkeit jeder Thermosäule 2a bzw. 2b zu erhöhen, können wiederum geeignete Vertiefungen bzw. Öffnungen zwischen ihren Kontaktreihen vorgesehen sein, wie dies in 5 dargestellt ist. Ebenso können zwischen den inneren Kontaktreihen und der Wärmequelle 26 derartige Vertiefungen oder Öffnungen vorgesehen sein, um die Wärmequelle 26 von den Thermosäulen 2a, 2b zu trennen.
  • Die Auswerteelektronik 6 ist ausgestaltet, um die Wärmequelle mit konstantem Strom, konstanter Temperatur oder konstanter Spannung zu betreiben und enthält die dazu notwendigen Schaltelemente. Ferner misst sie den Unterschied Δ der Temperaturdifferenzen über den Thermosäulen 2a, 2b. Da die mittleren Kontaktreihen der Thermosäulen 2a, 2b im wesentlichen auf gleicher Temperatur liegen, entspricht der Unterschied Δ im wesentlichen dem Temperaturunterschied an den äusseren Kontaktreihen.
  • Mit einer Anordnung nach 11 und 12 kann also eine Asymmetrie in der durch die Wärmequelle 26 erzeugten Wärmeverteilung gemessen werden, woraus über geeignete Eichung die Flussgeschwindigkeit des Mediums im Rohr 25 ermittelt werden kann. Entsprechende Messtechniken sind dem Fachmann bekannt.
  • Die Wärmequelle 26 muss nicht unbedingt auf dem Halbleitersubstrat 1 integriert sein. Sie kann auch extern angeordnet werden, wie dies in den Ausführungen nach 13 und 14 dargestellt ist.
  • In der Ausführung nach 13 ist die Wärmequelle als resistive Wicklung 26' ausgeführt, die zwischen den Wärmeleitelementen 11, 12 um das Rohr 25 herum gewickelt ist. Es ist auch denkbar, zusätzlich oder alternativ zur Wicklung 26' zwischen den Wärmeleitelementen 11, 12 eine Wicklung 26'' vor den Wärmeleitelementen 11, 12 vorzusehen.
  • In der Ausführung nach 14 ist das Rohr 25 gebogen, um mehr Platz für die Wicklung 26' vorzusehen. Wie gestrichelt angedeutet, kann die Wicklung 26' auch am Scheitel des U-förmig gebogenen Rohrs angeordnet werden oder sich sowohl über den Scheitel als auch die beiden Schenkel erstrecken.
  • Die Steuerschaltungen zum Betreiben der Wärmequellen der Ausführungen gemäss 13 und 14 können auf dem Halbleitersubstrat 1 integriert werden, wobei ein Leistungstreiber gegebenenfalls als externes Bauteil vorgesehen sein kann.
  • Eine Kombination der Ausführungen nach 11 und 14 ist in 15 dargestellt. Auch hier ist das Rohr 25 U-förmig gebogen, wobei die Wärmeleitelemente 11, 12 mit den Schenkeln des Rohrs 25 in Verbindung stehen. Zum Heizen ist eine Wärmequelle auf dem Halbleitersubstrat 1 integriert und steht über ein Heizleistungs-Leitelement 27 mit dem Scheitel des Rohrs 25 in Verbindung.
  • Die Ausführungen gemäss 1115 kann der Temperaturunterschied jeweils auch nur von einer einzigen Thermosäule gemessen werden.
  • In den soweit beschriebenen Ausführungsbeispielen sind jeweils Thermosäulen als Temperaturdifferenzsensoren vorgesehen. Es können jedoch auch einfache Thermoelemente verwendet werden. Auch der Einsatz von anderen Sensoren ist möglich, z. B. von PTC-Widerständen. Thermosäulen sind jedoch bevorzugt, da sie es erlauben, Temperaturdifferenzen im Bereich von mK aufzulösen und im wesentlichen ohne Drift und Alterungseffekte zu messen.
  • Während in der vorliegenden Anmeldung bevorzugte Ausführungen der Erfindung beschrieben sind, ist klar darauf hinzuweisen, dass die Erfindung nicht auf diese Beschränkt ist und in auch anderer Weise innerhalb des Umfangs der folgenden Ansprüche ausgeführt werden kann.

Claims (16)

  1. Sensorbaustein zum Messen eines Temperaturunterschieds mit einem Halbleitersubstrat (1) und mindestens einem, auf dem Halbleitersubstrat (1) angeordneten Temperaturdifferenzsensor (2), gekennzeichnet durch mindestens ein Wärmeleitelement (11, 12) zum thermischen Verbinden des Sensorbausteins mit einem zu messenden Objekt, wobei das Wärmeleitelement (11, 12) an mindestens einem Kontaktort in thermischem Kontakt mit dem Temperaturdifferenzsensor (2) steht.
  2. Sensorbaustein nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass er ein Gehäuse (14) aufweist, welches das Halbleitersubstrat (1) umschliesst, wobei ein erster Teil des Wärmeleitelements (11, 12) im Gehäuse (14) eingegossen ist und ein zweiter Teil des Wärmeleitelements (11, 12) aus dem Gehäuse (14) nach aussen führt, und dass der zweite Teil eine aus dem Gehäuse (14) heraustretende Anschlusszunge (11a, 12a) bildet.
  3. Sensorbaustein nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass am Kontaktort zwischen dem Temperaturdifferenzsensor (2) und dem Wärmeleitelement (11, 12) eine Passivierungsschicht (24) für den Temperaturdifferenzsensor (2) angeordnet ist.
  4. Sensorbaustein nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Temperaturdifferenzsensor (2) und unter dem Wärmeleitelement (11, 12) eine Erhebung (8, 9) aus Metall angeordnet ist.
  5. Sensorbaustein nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Temperaturdifferenzsensor (2) mindestens eine Thermosäule mit zwei Kontaktreihen (3, 4) aufweist und eine Spannung abhängig von einem Temperaturunterschied zwischen den Kontaktreihen erzeugt, mindestens eine der Kontaktreihen (3, 4) mit dem Wärmeleitelement (11, 12) oder mit einem der Wärmeleitelemente (11, 12) in thermischem Kontakt steht.
  6. Sensorbaustein nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass auf jeder Kontaktreihe (3, 4) je ein Wärmeleitelement (11, 12) angeordnet ist.
  7. Sensorbaustein nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass er zwei voneinander getrennte Wärmeleitelemente (11, 12) aufweist, wobei jedes Wärmeleitelement je einer Kontaktreihe (3, 4) zugeordnet ist.
  8. Sensorbaustein nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet dass er ein gemeinsames Wärmeleitelement (12', 12a', 12c') für beide Kontaktreihen (3, 4) aufweist, wobei das Wärmeleitelement (12', 12a', 12c') zwei Anschlusszungen (12'a) bildet, zwischen denen ein Mittelbereich (12'c) angeordnet ist, der die Kontaktreihen (3, 4) kontaktiert.
  9. Sensorbaustein nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass er mindestens zwei Kontaktorte aufweist, wobei im Halbleitersubstrat zwischen den beiden Kontaktorten eine Vertiefung oder Öffnung (20) angeordnet ist, und dass die Vertiefung oder Öffnung (20) von einer Membran (21) überzogen ist.
  10. Sensorbaustein nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Halbleitersubstrat (1) eine Wärmequelle (26) angeordnet ist und dass der Sensorbaustein ein Heizleistungs-Leitelement (27) zum thermischen Verbinden der Wärmequelle (26) mit dem Objekt aufweist, wobei das Heizleistungs-Leitelement (27) in thermischem Kontakt mit der Wärmequelle (26) steht.
  11. Sensorbaustein nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Halbleitersubstrat (1) eine Auswerteelektronik (6) integriert ist zum Auswerten von Signalen des mindestens einen Temperaturdifferenzsensors (2).
  12. Sensorbaustein nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitersubstrat (1) eine Dicke von höchstens 200 μm, vorzugsweise ca. 50 μm, aufweist.
  13. Verfahren zum Herstellen eines Sensorbausteins nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei auf einem Halbleitersubstrat (1) mindestens ein Temperaturdifferenzsensor (2) integriert wird, mittels welchem eine Temperaturdifferenz zwischen zwei Orten auf dem Halbleitersubstrat (1) gemessen werden kann, dadurch gekennzeichnet, dass an mindestens einem der Orte mindestens ein Wärmeleitelement (11, 12) thermisch mit dem Temperaturdifferenzsensor verbunden wird.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitersubstrat (1) zusammen mit einem Teil des Wärmeleitelements (11, 12) in einem Gehäuse (14) eingegossen wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das mindestens eine Wärmeleitelement (11, 12) zusammen mit elektrischen Anschlussleitungen (10) in einem Lead-Frame angeordnet wird, dass das Halbleitersubstrat (1) mit dem Wärmeleitelement (11, 12) und den Anschlussleitungen (10) verbunden wird, und dass es sodann im Gehäuse eingegossen wird.
  16. Flusssensor mit einem Sensorbaustein nach einem der Ansprüche 10–12, dadurch gekennzeichnet, dass er eine Leitung (25) für ein zu messendes Medium aufweist, welche an zwei Punkten mit zwei Wärmeleitelementen (11, 12) des Sensorbausteins verbunden ist und die Wärmequelle (26, 26', 26'') einen Temperaturgradienten im Medium erzeugt.
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