DE10161202C1 - Verfahren zur Reduktion der Dicke eines Silizium-Substrates - Google Patents

Verfahren zur Reduktion der Dicke eines Silizium-Substrates

Info

Publication number
DE10161202C1
DE10161202C1 DE10161202A DE10161202A DE10161202C1 DE 10161202 C1 DE10161202 C1 DE 10161202C1 DE 10161202 A DE10161202 A DE 10161202A DE 10161202 A DE10161202 A DE 10161202A DE 10161202 C1 DE10161202 C1 DE 10161202C1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
porous
silicon
substrate
thickness
silicon substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE10161202A
Other languages
English (en)
Inventor
Thorsten Pannek
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE10161202A priority Critical patent/DE10161202C1/de
Priority to US10/318,529 priority patent/US6746932B2/en
Application granted granted Critical
Publication of DE10161202C1 publication Critical patent/DE10161202C1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02016—Backside treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
    • G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
    • G01F1/6845—Micromachined devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3063—Electrolytic etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/96—Porous semiconductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Reduktion der Dicke eines insbesondere bereichsweise einseitig oberflächlich porösifizierten Silizium-Substrates (10) vorgeschlagen. Dabei ist vorgesehen, dass eine der porösifizierten Vorderseite (11) gegenüberliegende Rückseite (12) des Silizium-Substrates (10) derart insbesondere ganzflächig porösifiziert und das erzeugte poröse Material danach entfernt wird, dass die verbleibende Dicke des Substrates (10) zumindest in dem Bereich, in dem das poröse Material von der Rückseite entfernt wurde, einer gegenüber der ursprünglichen Dicke des Substrates (10) reduzierten vorgegebenen Dicke entspricht. Das vorgeschlagene Verfahren eignet sich besonders bei der Herstellung eines thermisch arbeitenden Sensors auf Basis einer Technik mit porösem Silizium, eines Temperatursensors, eines Massenflusssensors, eines Luftgütesensors oder eines Gassensors.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reduktion der Dicke eines insbesondere bereichsweise oberflächlich porösifizier­ ten Silizium-Substrates, sowie dessen Verwendung nach der Gattung des Hauptanspruches.
Stand der Technik
In der Mikromechanik wird poröses Silizium vor allem als Op­ ferschicht eingesetzt, um beispielsweise, wie in DE 197 52 208 A1 beschrieben, in oberflächenmikromechanischen Prozes­ sen Kavitäten zu erzeugen, die einer thermischen Entkopplung von darauf aufgebrachten Sensorstrukturen dienen. Daneben kann poröses Silizium oder oxidiertes poröses Silizium auf­ grund seiner niedrigen Wärmeleitfähigkeit auch selbst zur thermischen Entkopplung von Sensorstrukturen dienen. In die­ sem Fall wird auf das Herauslösen des erzeugten porösen Si­ liziums bzw. oxidierten porösen Siliziums zu Gunsten einer erhöhten Stabilität des Gesamtsystems verzichtet. Eine der­ artige Vorgehensweise ist beispielsweise in der nicht vorveröffent­ lichten Anmeldung DE 100 58 009 A1 beschrieben.
In der US 5,650,042 wird ein Verfahren beschrieben, bei dem zum Dünnen eines Silizium-Substrates dieses zunächst porösifiziert wird und danach das poröse Material durch Ätzen entfernt wird.
Generell wird zur Erzeugung von porösem Silizium vielfach eine elektrochemische Reaktion zwischen einem Flusssäure- Elektrolyten und Silizium eingesetzt, mittels der eine schwammartige Struktur in dem Silizium, beispielsweise im Bereich der Oberfläche eines Siliziumwafers, erzeugt wird. Dazu wird der Siliziumwafer in den Flusssäureelektrolyten eingebracht bzw. eingetaucht, und die zu porösifizierende Oberfläche des Wafers gegenüber dem Elektrolyten anodisch gepolt.
Zur Herstellung von porösem Silizium eignen sich vor allem dotierte Silizium-Wafer, wobei durch die Art und Stärke der Dotierung die nach dem Porösifizieren erhaltenen Struktur­ größen innerhalb des porösen Siliziums bestimmt werden. Be­ vorzugt werden p-dotierte Silizium-Wafer mit unterschiedli­ chen Dotierungsgraden eingesetzt.
Poröses Silizium zeichnet sich gegenüber herkömmlichem Sili­ zium vor allem durch eine große innere Oberfläche aus, und weist dadurch wesentlich andere chemische und physikalische Eigenschaften, beispielsweise eine andere Ätzrate, eine an­ dere Wärmeleitfähigkeit und eine andere Wärmekapazität, auf. Insbesondere wird durch die Porösifizierung von Silizium dessen Reaktivität deutlich gesteigert, wodurch ein selekti­ ves Lösen von porösem Silizium mit hohen Ätzraten gegenüber Bulk-Silizium möglich wird, und es werden auch andere chemi­ sche Reaktionen innerhalb des porösen Siliziums ermöglicht bzw. begünstigt, wie beispielsweise dessen Oxidation.
Bei thermischen Sensoren auf Basis einer Silizium- Technologie kommt es vor allem auf eine möglichst gute ther­ mische Entkopplung der Sensorstrukturen von einem darunter befindlichen Silizium-Substrat an. Wird bei einem solchen thermischen Sensor poröses Silizium oder oxidiertes poröses Silizium in einem Oberflächenbereich des Silizium-Wafers beispielsweise zur thermischen Entkopplung erzeugt, bestim­ men neben der Dicke dieser thermisch isolierenden Schicht auch die Dicke und die Wärmeleitfähigkeit des darunter lie­ genden Silizium-Substrates die Güte der thermischen Entkopp­ lung. Ist die Dicke der thermisch isolierenden porösen Schicht zu niedrig oder die Dicke des Silizium-Substrates zu hoch, kann es zu thermischen Kurzschlüssen kommen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung war es zunächst, mit Hil­ fe einer Technik auf Basis von porösem Silizium die Schicht­ dicke des thermisch nicht isolierenden Substrates bzw. der unterhalb des porösen Bereiches befindlichen Schicht zu mi­ nimieren, ohne dabei aufwändige zusätzliche Prozessschritte einzuführen. Daneben ist es bei der Herstellung von mikrome­ chanischen Strukturen vielfach wünschenswert, den ursprüng­ lich vergleichsweise dicken Siliziumwafer aus Verpackungs­ gründen abzudünnen. Insofern war es auch Aufgabe der vorlie­ genden Erfindung, diesen zusätzlichen Abdünnungsschritt in einen der ohnehin zur Herstellung von mikromechanischen Strukturen bzw. Sensorelementen notwendigen Prozessschritte zu integrieren.
Vorteile der Erfindung
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Reduktion der Dicke eines insbesondere bereichsweise oberflächlich porösifizierten Si­ lizium-Substrates hat gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil, dass es sich sehr einfach in bestehende Fertigungs­ verfahren integrieren lässt, und dass zu dessen Durchführung auf übliche Vorrichtungen zur Porösifizierung von Silizium zurückgegriffen werden kann.
Insofern erfordert das erfindungsgemäße Verfahren weder In­ vestitionen in Anlagentechnik noch wesentliche Eingriffe in bestehende Fertigungsverfahren, d. h. mit dem erfindungsgemä­ ßen Verfahren können Silizium-Substrate ohne größeren zu­ sätzlichen Aufwand abgedünnt werden, um auf diese Weise bei­ spielsweise Wärmeverluste durch die Wärmeleitung des Silizi­ um-Substrates zu reduzieren.
Bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist schließlich vorteilhaft, dass dieses gegenüber bisher übli­ chen Verfahren zur Abdünnung von Silizium-Substraten ledig­ lich eine sehr geringe Zeit zum Abätzen des erzeugten porö­ sen Siliziums bzw. des oxidierten porösen Siliziums benö­ tigt. Insbesondere werden aufgrund der hohen Reaktivität des erzeugten porösen Materials auch dicke Schichten in wenigen Sekunden bis Minuten, je nach Dicke und Porösität, abgeätzt.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den in den Unteransprüchen genannten Maßnahmen.
So ist besonders vorteilhaft, wenn das Silizium-Substrat auf der Vorderseite bereichsweise und auf der Rückseite ganzflä­ chig in poröses Silizium oder poröses Siliziumoxid überführt wird. Die Vorderseite ist dabei in der Regel dadurch defi­ niert, dass auf ihr insbesondere in Oberflächenmikromechanik hergestellte Sensorelemente oder Strukturen erzeugt oder an­ geordnet werden.
Weiter ist vorteilhaft, wenn das Porösifizieren der Rücksei­ te durch Umpolen der Spannung während des ohnehin eingesetz­ ten elektrochemischen Prozesses zur Erzeugung des Bereiches aus porösem Silizium oder porösem Siliziumoxid auf der Vor­ derseite des Silizium-Substrates eingesetzt wird. Dieses Um­ polen kann dabei einmalig erfolgen, so dass Vorderseite und Rückseite nacheinander porösifiziert werden, oder abwech­ selnd, d. h. die Porösifizierung von Vorderseite und Rück­ seite des Silizium-Substrates erfolgt in kleinen Schritten abwechselnd. Im Übrigen kann in bekannter Weise über die Dauer und den Grad der Porösifizierung der Rückseite des Si­ lizium-Substrates die gewünschte Dicke der rückseitigen Schicht aus porösem Silizium sehr einfach eingestellt wer­ den, so dass dadurch eine definierte und über die Parameter beim rückseitigen Porösifizieren einfach voreinstellbare Dicke der rückseitig entfernten Schicht aus porösem Material gegeben ist, was nach dem rückseitigen Entfernen des erzeug­ ten porösen Materials zu einer entsprechend definierten Re­ duktion der ursprünglichen Dicke des Silizium-Substrates führt.
Im Übrigen ist vorteilhaft, dass auf der Vorderseite des Si­ lizium-Substrates, beispielsweise über dem dort durch eine Deckschicht oder Passivierschicht abgedeckten porösen Be­ reich, alle denkbaren Formen von Mikrostrukturen zur Ausbil­ dung von Sensorelementen, insbesondere von thermischen Sen­ sorelementen, erzeugt werden können. Insofern eignet sich das erfindungsgemäße Verfahren zum Einsatz bei der Herstel­ lung von allen thermisch arbeitenden Sensoren auf der Basis einer Technik mit porösem Silizium, insbesondere bei der Herstellung von Temperatursensoren, Massenflusssensoren, Luftgütesensoren oder Gassensoren.
Zeichnung
Die Erfindung wird anhand der Zeichnung und in der nachfol­ genden Beschreibung näher erläutert. Es zeigt Fig. 1 einen Schnitt durch ein Silizium-Substrat mit einem vorderseitig ausgebildeten porösen Bereich und einer rückseitig ausgebil­ deten porösen Schicht, Fig. 2 in Weiterführung von Fig. 1 eine zusätzlich aufgebrachte Deckschicht und Fig. 3 in Wei­ terführung von Fig. 2 das abgedünnte Silizium-Substrat nach Entfernen der porösen Schicht auf der Rückseite.
Ausführungsbeispiele
Die Erfindung geht zunächst aus von dem aus DE 198 03 852 A1 bekannten Verfahren und der dort beschriebenen Vorrichtung zur Porösifizierung eines Silizium-Wafers auf dessen Vorder­ seite und Rückseite.
Fig. 1 zeigt ein übliches Silizium-Substrat 10, das bei­ spielsweise aus p-dotiertem Silizium besteht, und das auf seiner Vorderseite 11 bereichsweise mit Hilfe einer Maskier­ schicht 16 maskiert worden ist.
Dieses Silizium-Substrat 10 wird dann in die Ätzvorrichtung gemäß DE 198 03 852 A1 eingebracht, wobei zunächst die Vor­ derseite 11 gegenüber dem in der Ätzvorrichtung befindlichen Flusssäureelektrolyten anodisch gepolt ist, so dass im Be­ reich der Vorderseite 11 des Silizium-Substrates 10 ein po­ röser Bereich 13 entsteht, der aus porösem Silizium besteht.
Anschließend erfolgt ein Umpolen der beim Porösifizieren im Rahmen des elektrochemischen Prozesses gemäß DE 198 03 852 A1 eingesetzten elektrischen Spannung, so dass nunmehr die Rückseite 12 des Silizium-Substrates 10 gegenüber dem Fluss­ säure-Elektrolyten anodisch gepolt ist, was dazu führt, dass nun die Rückseite 12 des Silizium-Substrates 10 in poröses Silizium überführt wird. Gleichzeitig stoppt durch das Umpo­ len der elektrischen Spannung auch die Porösifizierung der Vorderseite 11 des Silizium-Substrates 10 zumindest weitge­ hend.
Da auf der Rückseite 12 des Silizium-Substrates 10 keine Maskierschicht 16 vorgesehen ist, wird die Rückseite 12 im erläuterten Beispiel ganzflächig porösifiziert.
Die Dicke der auf der Rückseite 12 entstehenden porösen Schicht 14 ergibt sich in üblicher Weise durch die zeitliche Dauer des elektrochemischen Ätzens, die Flusssäurekonzentra­ tion im Elektrolyten und die Stromdichte. Eine geeignete Wahl dieser Parameter ist ausführlich in DE 198 03 852 A1 beschrieben, so dass auf deren Wiederholung hier verzichtet werden kann.
Im Übrigen sei noch betont, dass das Umpolen der beim elek­ trochemischen Ätzen des Silizium-Substrates in dem Flusssäu­ re-Elektrolyten in einer Vorrichtung gemäß DE 198 03 852 A1, bei der Vorderseite 11 und Rückseite 12 mit dem Flusssäure- Elektrolyten in Kontakt sind, sowohl einmalig als mehrfach erfolgen kann. Im letzteren Fall entsteht dann der poröse Bereich 13 auf der Vorderseite 11 und die poröse Schicht 14 auf der Rückseite 12 des Silizium-Substrates 10 allmählich in kleinen Schritten. Weiter ist wichtig, dass zwischen dem sich gegenüber liegenden porösen Bereich 13 und der porösen Schicht 14 stets ein Restbereich 17 aus Silizium verbleibt, der nicht porösifiziert worden ist, und der aus Stabilitäts­ gründen eine Dicke von mindestens 10 µm aufweist.
Nachdem die Vorderseite 11 und die Rückseite 12 des Silizi­ um-Substrates 10, wie mit Hilfe der Fig. 1 erläutert, porö­ sifiziert worden sind, kann das erzeugte poröse Silizium op­ tional durch eine nachfolgende Oxidation zunächst stabili­ siert werden, d. h. in oxidiertes poröses Silizium überführt wird.
Die Fig. 2 erläutert in Weiterführung von Fig. 1, wie der poröse Bereich 13 auf der Vorderseite 11 des Silizium- Substrates 10 durch eine übliche Deckschicht oder Passivier­ schicht 15 abgedeckt wird. Die Deckschicht 15 ist beispiels­ weise eine Siliziumnitrid-Schicht, die über ein CVD-Ver­ fahren ("Chemical Vapour Deposition") abgeschieden worden ist.
Die Fig. 3 zeigt schließlich, wie, ausgehend von Fig. 2, die poröse Schicht 14 auf der Rückseite 12 des Silizium- Substrates 10 entfernt wird, um auf diese Weise eine Abdün­ nung des Silizium-Substrates 10 auf eine vorgegebene ge­ wünschte Dicke zu erreichen. Dabei ist offensichtlich, dass sich das Ausmaß der Reduktion der Dicke des Silizium- Substrates 10 unmittelbar aus der Dicke der porösen Schicht 14 ergibt, die entfernt worden ist.
Das rückseitige, gemäß Fig. 3 ganzflächige Entfernen der porösen Schicht 14, die entweder aus porösem Silizium oder oxidiertem porösem Silizium besteht, erfolgt entweder durch Ätzen des porösen Siliziums in einer KOH-Lösung oder durch Ätzen des erzeugten porösen Siliziumoxides in einer Fluss­ säure-Lösung. Im Bereich des Überganges der porösen Schicht 14 zum Silizium-Substrat 10 kommt es dabei aufgrund der deutlich verminderten Ätzrate beim Ätzen mit der KOH-Lösung oder der HF-Lösung zu einer starken Verlangsamung der Ätzung bzw. sogar zu einem vollständigen Ätzstopp, so dass die nicht porösifizierten Bereiche des Silizium-Substrates 10 zumindest nicht nennenswert angegriffen werden. Daneben wird beim rückseitigen Entfernen der porösen Schicht 14 aufgrund der Passivierschicht bzw. Deckschicht 15 auch die Vordersei­ te 11 des Silizium-Substrates 10 nicht angegriffen.

Claims (10)

1. Verfahren zur Reduktion der Dicke eines bereichsweise oder ganzflächig einseitig o­ berflächlich porösifizierten Silizium-Substrates (10), dadurch gekennzeichnet, dass die einer porösifizierten Vorderseite (11) gegenüber liegende Rückseite (12) des Sili­ zium-Substrates (10) derart ganzflächig oder bereichsweise porösifiziert und das er­ zeugte poröse Material danach entfernt wird, dass die verbleibende Dicke des Sub­ strates (10) zumindest in dem Bereich, in dem das poröse Material von der Rückseite entfernt wurde, einer gegenüber der ursprünglichen Dicke des Substrates (10) redu­ zierten vorgegebenen Dicke entspricht.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Silizium-Substrat (10) bereichsweise auf der Vorderseite (11) und/oder bereichsweise oder ganzflächig auf der Rückseite (12) in poröses Silizium oder poröses Siliziumoxid überführt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorderseite (11) und die Rückseite (12) nacheinander oder abwechselnd porösifiziert werden.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass ein Wechsel zwischen der Porösifizierung der Vorderseite (11) und der Porösifizierung der Rückseite (12) durch Umpolen einer beim Porösifizieren im Rahmen eines elektrochemischen Prozesses eingesetzten elektrischen Spannung erfolgt.
5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das insbesondere bereichsweise Porösifizie­ ren der Vorderseite (11) und das insbesondere ganzflächige Porö­ sifizieren der Rückseite (12) des Substrates (10) derart er­ folgt, dass zwischen zwei sich gegenüber liegenden porösen Be­ reichen (13, 14) stets ein Bereich (17) aus Silizium mit einer Dicke von mindestens 10 µm verbleibt.
6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Vorderseite (11) und/oder der Rück­ seite (12) erzeugtes poröses Silizium in oxidiertes poröses Si­ lizium überführt wird.
7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der vorderseitig erzeugte porösifizierte Bereich (13) vor dem Entfernen des rückseitig erzeugten porösen Materials (14) oder Bereiches mit einer Deck- oder Passivier­ schicht (15), insbesondere einer Siliziumnitridschicht, abge­ deckt wird.
8. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorderseite (11) bereichsweise mit Hil­ fe einer Maskierschicht (16), insbesondere einer Siliziumnitrid­ schicht, maskiert wird.
9. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das rückseitig erzeugte poröse Material (14) durch Ätzen mit einer KOH-Lösung oder Flußsäure-Lösung ent­ fernt wird.
10. Verwendung des Verfahrens nach einem der vorangehenden Ansprüche bei der Herstellung eines thermisch arbeitenden Sen­ sors auf Basis einer Technik mit porösem Silizium, eines Tempe­ ratursensors, eines Massenflußsensors, eines Luftgütesensors oder eines Gassensors.
DE10161202A 2001-12-13 2001-12-13 Verfahren zur Reduktion der Dicke eines Silizium-Substrates Expired - Fee Related DE10161202C1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10161202A DE10161202C1 (de) 2001-12-13 2001-12-13 Verfahren zur Reduktion der Dicke eines Silizium-Substrates
US10/318,529 US6746932B2 (en) 2001-12-13 2002-12-13 Method of reducing the thickness of a silicon substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10161202A DE10161202C1 (de) 2001-12-13 2001-12-13 Verfahren zur Reduktion der Dicke eines Silizium-Substrates

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10161202C1 true DE10161202C1 (de) 2003-05-08

Family

ID=7709041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10161202A Expired - Fee Related DE10161202C1 (de) 2001-12-13 2001-12-13 Verfahren zur Reduktion der Dicke eines Silizium-Substrates

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6746932B2 (de)
DE (1) DE10161202C1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009004560B3 (de) * 2009-01-14 2010-08-26 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes, insbesondere einer Solarzelle, auf Basis einer Germaniumdünnschicht
WO2014090900A1 (fr) * 2012-12-14 2014-06-19 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Pompe equipee d'un ensemble de mesure de la temperature ou du debit d'un fluide

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10138759A1 (de) * 2001-08-07 2003-03-06 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements sowie Halbleiterbauelement, insbesondere Membransensor
CN101156284B (zh) * 2004-12-21 2011-02-02 Eles半导体设备股份公司 用于接触电子设备的系统及其生产方法
KR20070104158A (ko) * 2006-04-21 2007-10-25 삼성전자주식회사 전자소자용 보호막 및 그 제조방법
CA2685544C (en) * 2007-04-27 2016-08-09 Board Of Regents Of The University Of Texas System Porous particles and methods of making thereof
WO2009013307A2 (en) * 2007-07-26 2009-01-29 Universität Konstanz Method for producing a silicon solar cell with a back-etched emitter as well as a corresponding solar cell
WO2011010260A1 (en) 2009-07-22 2011-01-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Thermal flow sensor integrated circuit with low response time and high sensitivity
CN102469956B (zh) 2009-07-22 2014-09-24 皇家飞利浦电子股份有限公司 跌倒检测器和检测跌倒的方法
DE102018129594A1 (de) 2018-11-23 2020-05-28 Infineon Technologies Ag Teilweises entfernen eines halbleiterwafers
CN112530798A (zh) * 2020-12-04 2021-03-19 广东省科学院半导体研究所 一种半导体结构及其制作、减薄方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5231878A (en) * 1991-12-23 1993-08-03 Ford Motor Company Mass air flow sensor
DE4310205C1 (de) * 1993-03-29 1994-06-16 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Lochstruktur in einem Substrat aus Silizium
US5650042A (en) * 1994-09-27 1997-07-22 Nec Corporation Method for thinning a semiconductor film on an insulating film
DE19752208A1 (de) * 1997-11-25 1999-06-02 Bosch Gmbh Robert Thermischer Membransensor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19803852A1 (de) * 1998-01-31 1999-08-12 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung beidseitig oxidierter Siliziumwafer
DE10058009A1 (de) * 2000-11-23 2002-06-06 Bosch Gmbh Robert Strömungssensor

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3191972B2 (ja) * 1992-01-31 2001-07-23 キヤノン株式会社 半導体基板の作製方法及び半導体基板
JP3237888B2 (ja) * 1992-01-31 2001-12-10 キヤノン株式会社 半導体基体及びその作製方法
FR2741194B1 (fr) * 1995-11-13 1998-01-30 Photowatt Int Cellule solaire comportant du silicium multicristallin et procede de texturisation de la surface du silicium multicristallin de type p
JP3250721B2 (ja) * 1995-12-12 2002-01-28 キヤノン株式会社 Ｓｏｉ基板の製造方法
KR100434537B1 (ko) * 1999-03-31 2004-06-05 삼성전자주식회사 다공질 실리콘 혹은 다공질 산화 실리콘을 이용한 두꺼운 희생층을 가진 다층 구조 웨이퍼 및 그 제조방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5231878A (en) * 1991-12-23 1993-08-03 Ford Motor Company Mass air flow sensor
DE4310205C1 (de) * 1993-03-29 1994-06-16 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Lochstruktur in einem Substrat aus Silizium
US5650042A (en) * 1994-09-27 1997-07-22 Nec Corporation Method for thinning a semiconductor film on an insulating film
DE19752208A1 (de) * 1997-11-25 1999-06-02 Bosch Gmbh Robert Thermischer Membransensor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19803852A1 (de) * 1998-01-31 1999-08-12 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung beidseitig oxidierter Siliziumwafer
DE10058009A1 (de) * 2000-11-23 2002-06-06 Bosch Gmbh Robert Strömungssensor

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009004560B3 (de) * 2009-01-14 2010-08-26 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes, insbesondere einer Solarzelle, auf Basis einer Germaniumdünnschicht
WO2014090900A1 (fr) * 2012-12-14 2014-06-19 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Pompe equipee d'un ensemble de mesure de la temperature ou du debit d'un fluide
FR2999704A1 (fr) * 2012-12-14 2014-06-20 Commissariat Energie Atomique Ensemble de mesure de la temperature ou du debit d'un fluide

Also Published As

Publication number Publication date
US6746932B2 (en) 2004-06-08
US20030199148A1 (en) 2003-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10063991B4 (de) Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Bauelementen
EP1810947B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement
DE4401999C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines kapazitiven Absolutdrucksensors durch Mikrobearbeitung einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats sowie solchermaßen hergestellter Absolutdrucksensor
EP0700524B1 (de) Verfahren zur herstellung oberflächen-mikromechanischer strukturen
DE4410631A1 (de) Kapazitiver Sensor bzw. Wandler sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE10161202C1 (de) Verfahren zur Reduktion der Dicke eines Silizium-Substrates
DE4331798A1 (de) Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Bauelementen
DE19843984B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Strahlungssensoren
DE102005032635A1 (de) Mikromechanische Vorrichtung mit zwei Sensorstrukturen, Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Vorrichtung
WO2002076880A2 (de) Verfahren zur herstellung von mikromechanischen sensoren und damit hergestellte sensoren
EP2170762A2 (de) Korrosionsbeständiges mems-bauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE102020125660B4 (de) Bosch-tiefenätzung mit hohem seitenverhältnis und halbleitervorrichtung
DE4215722C2 (de) Sensorsubstrat mit einer Membran und Verfahren zu deren Herstellung
DE10323559A1 (de) Mikromechanische Vorrichtung, Drucksensor und Verfahren
EP1594799A2 (de) Verfahren zur herstellung einer mikromechanischen vorrichtung und vorrichtung
DE19603829A1 (de) Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Strukturen aus Silizium
EP0621355A2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Lochstruktur in einem Substrat aus Silizium
EP1306348B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Membransensoreinheit sowie Membransensoreinheit
DE19940512A1 (de) Verfahren zur Verkappung eines Bauelementes mit einer Kavernenstruktur und Verfahren zur Herstellung der Kavernenstruktur
DE10105187A1 (de) Verfahren zum Erzeugen von Oberflächenmikromechanikstrukturen und Sensor
EP1716070B1 (de) Mikromechanischer sensor
DE4017265A1 (de) Mikromechanisches bauelement und verfahren zur herstellung desselben
DE102006028916A1 (de) Verfahren zur Herstellung poröser Partikel, nach diesem Verfahren hergestellte poröse Partikel sowie deren Verwendung
DE102008003453A1 (de) Verfahren zur Herstellung poröser Mikrostrukturen, nach diesem Verfahren hergestellte poröse Mikrostrukturen sowie deren Verwendung
EP1546027A2 (de) Verfahren und mikromechanisches bauelement

Legal Events

Date Code Title Description
8100 Publication of the examined application without publication of unexamined application
8304 Grant after examination procedure
8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee