DE10153187C1 - Herstellungsverfahren zum Herstellen einer räumlichen Struktur in einem Halbleitersubstrat und Halbleitersubstrat mit einer Einrichtung zum Ätzen einer räumlichen Struktur in dem Halbleitersubstrat - Google Patents

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für ein Halbleitersubstrat (1) aus einem Halbleitermaterial mit räumlich geätzten Strukturen, insbesondere von Trench-Strukturen für Halbleiterspeicherzellen. Zunächst wird eine Tiefenstruktur in einer Oberfläche (2) des Halbleitersubstrats (1) erzeugt. Anschließend wird eine ätzresistente Schicht (5) in einem Bereich (4) einer Seitenwand der Tiefenstruktur abgeschieden, so dass bei nachfolgenden Ätzschritten die Seitenwand im Wesentlichen nicht geätzt wird. Anschließend wird ein Ätzmittel in die Tiefenstruktur eingebracht und ein Potenzialfeld in dem Halbleitersubstrat (1) angelegt. Dadurch wird eine räumliche Struktur, ausgehend von einem nicht von der ätzresistenten Schicht (5) bedeckten Bereich der Tiefenstruktur, geätzt, wobei die räumliche Struktur abhängig von dem Potenzialfeld ist.

Description

Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für ein Halbleitersubstrat aus einem Halbleitermaterial mit räumlich geätzten Strukturen. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Halbleitersubstrat mit einer Einrichtung zum Ätzen einer räumlichen Struktur in dem Halbleitersubstrat.

Dynamische Speicherzellen weisen üblicherweise eine in die Tiefe gehende Speicherkapazität und an der Oberfläche des Halbleitersubstrats angeordnete Schaltelemente auf. Die in die Tiefe gehende Kapazität wird in so genannten Trenches an­ geordnet, die zuvor mit Hilfe eines Tiefenätzverfahrens in die Oberfläche des Halbleitersubstrats hineingeätzt worden sind. Der Trench wird dabei als Projektion einer zweidimensi­ onalen Maskierung in die Tiefe projiziert, so dass in der Re­ gel halbkugel- oder zylinderförmige Strukturen entstehen. Der Wert der Trench-Kapazität wird dabei üblicherweise durch die Tiefe und Umfang der Struktur bestimmt, da die dadurch ge­ bildete Fläche maßgeblich ist.

Insbesondere Speicherschaltungen sind besonders kompakt, d. h. mit möglichst geringer Fläche aufgebaut. Daher sollte die Ausdehnung der Trench-Struktur an der Halbleiteroberfläche möglichst klein sein, da dort neben der Trench-Struktur Schalt- und Steuerstrukturen ebenfalls Platz finden müssen. Die Tiefe der Trench-Struktur ist jedoch durch den verwende­ ten Prozess beschränkt. Dadurch ist die gesamte Größe des Trenches, und damit die Speicherkapazität des dadurch gebil­ deten Kondensators beschränkt, da die Größe im wesentlichen von der Projektion der Ätzöffnung in die Tiefe bestimmt ist. Eine Vergrößerung der Kapazität ist möglich, wenn die Trench- Struktur vergrößert wird. Dies sollte jedoch möglichst ohne eine Vergrößerung der Oberflächenöffnung erfolgen, um die ge­ samte Fläche für eine Speicherzelle nicht zu vergrößern.

Aus der Druckschrift JP 2000-124 465 A ist ein Verfahren bekannt, um räumlich geätzte Strukturen in einem Halbleitersubstrat herzustellen. Die räumliche Struktur wird dabei ausgehend von einer Tiefenstruktur mithilfe eines Ätzmittels, insbesondere KOH, hergestellt. KOH ätzt Halbleitermaterial üblicherweise anisotrop, so dass abhängig von den Kristallrichtungen des Halbleitersubstrats eine unterschiedliche Ätzung erfolgt.

Weiterer Stand der Technik findet sich auch in den Druckschriften EP 0 987 743 A1, EP 0 041 101 A1, EP 0 018 556 B1, WO 99/25026 A1 und US 6,015,985.

Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfah­ ren und eine Vorrichtung zur Verfügung zu stellen, mit dem bzw. der räumliche Strukturen in einem Halbleitersubstrat hergestellt werden können, wobei die Ausdehnung der Struktur auf der Halbleiteroberfläche möglichst klein sein soll.

Die Aufgabe wird durch das Herstellungsverfahren nach An­ spruch 1 und durch das Halbleitersubstrat nach Anspruch 7 ge­ löst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.

Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Herstellungsverfahren für ein Halbleitersubstrat aus einem Halbleitermaterial vorgesehen, das im Halbleitersubstrat lie­ gende räumlich geätzte Strukturen aufweist, insbesondere Trench-Strukturen für Halbleiterspeicherzellen. Bei dem Her­ stellungsverfahren wird zunächst eine Tiefenstruktur, z. B. ein Graben, in einer Oberfläche des Halbleitersubstrats er­ zeugt. Unter einer Tiefenstruktur wird eine Strukturierung des Halbleitersubstrates verstanden, die ausgehend von einer Oberfläche des Substrates in die Tiefe des Substrates reicht. In die Tiefenstruktur wird eine ätzresistente Schicht in ei­ nem Kragenbereich der Seitenwand der Tiefenstruktur abge­ schieden, so dass bei nachfolgenden Ätzschritten der mit der ätzresistente Schicht bedeckte Bereich der Seitenwand im We­ sentlichen nicht geätzt wird. In die Tiefenstruktur wird an­ schließend ein Ätzmittel eingebracht und ein Potenzialfeld in dem Halbleitersubstrat angelegt. Ausgehend von einem nicht von der ätzresistente Schicht bedeckten Bereich des Grabens wird eine räumliche Struktur geätzt, wobei die räumliche Struktur abhängig von dem Potenzialfeld ist.

Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren hat den Vorteil, dass über die Tiefenstruktur ein Ätzmittel, dessen Ätzrich­ tung von einem Potentialfeld abhängt, in tiefer liegende Be­ reiche des Halbleitersubstrats eingebracht werden kann. Da eine Seitenwand des vorzugsweise oberflächennahen Bereiches der Tiefenstruktur durch eine ätzresistente Schicht so gegen­ über dem Ätzmittel geschützt ist, dass in diesem Bereich die Seitenwände der Tiefenstruktur nicht durch das Ätzmittel ver­ ändert werden, findet die Ätzung nur in einem unteren, bezüg­ lich der Oberfläche im tief liegenden Inneren des Halbleiter­ substrats befindlichen Teil der Tiefenstruktur statt. Auf diese Weise kann man Abmessungen der räumlichen Struktur er­ reichen, insbesondere ihrer seitlichen, d. h. oberflächenpa­ rallelen Ausdehnung, die erheblich größer sind als die ur­ sprüngliche Ausdehnung der entsprechenden Tiefenstruktur. Insbesondere die Verwendung eines Ätzmittels, dessen Ätzrate durch ein Potenzialfeld beeinflusst werden kann, ermöglicht es, die schließlich Ausdehnung, Form und Richtung der räumli­ chen Struktur zu bestimmen.

Eine solche räumliche Struktur im Inneren eines Halbleiter­ substrates kann dann dazu benutzt werden, z. B. bei Halblei­ terspeichern eine Kondensatorstruktur mit hohem Kapazitäts­ wert zu bilden, ohne dass die Fläche an der Oberfläche des Halbleitersubstrates der Kondensatorstruktur vergrößert wer­ den muss. Die Fläche, die für den Kapazitätswert maßgeblich ist, kann die gesamte Grenzfläche einer solchen Struktur im Inneren des Substrates sein. Durch die Größe der Tiefenstruk­ tur und durch die Länge der ätzresistente Schicht auf der Seitenwand der Tiefenstruktur kann bestimmt werden, wie tief die räumliche Struktur im Inneren des Halbleitersubstrats liegen soll und welche Abmessungen in vertikaler Richtung sie haben soll. Dadurch ist es möglich, die räumliche Struktur in ausreichendem Abstand von der Oberfläche des Halbleitersub­ strates anzuordnen, damit die Funktionsfähigkeit von an der Oberfläche angeordneten elektronischen Schaltkreise im We­ sentlichen unbeeinflusst bleibt.

In einer bevorzugten Ausführungsform ist vorgesehen, dass beim Ätzen der räumlichen Struktur ein erstes Ätzmittel ver­ wendet wird, wodurch das Halbleitermaterial zu einer porösen (schwammartigen) Form geätzt wird. In einem nachfolgenden Ätzschritt kann mit Hilfe eines zweiten Ätzmittels das poröse (schwammartige) Halbleitermaterial selektiv gegenüber dem ursprünglichen Halbleitermaterial geätzt werden, so dass das poröse und/oder schwammartige Halbleitermaterial in einem Raumbereich ganz oder teilweise entfernt wird. Als erstes Ätzmittel ist beispielsweise ein Ätzmittel geeignet, das Flusssäure (HF) enthält. Ätzen von Silizium mit Flusssäure kann in besonders geeigneter Weise mit einem Potenzialfeld bzw. einem Stromlinienfeld beeinflusst werden. Insbesondere ist es bei einer nur teilweisen Entfernung des porösen und/oder schwammartigen Halbleitermaterials aus der tief lie­ genden räumlichen Struktur möglich, das poröse Halbleiterma­ terial für geeignete elektronische Bauelemente, z. B. Laserdi­ oden, zu verwenden.

Vorzugsweise wird das Erzeugen der Tiefenstruktur in die Oberfläche des Halbleitersubstrats mit Hilfe eines Ätzvor­ gangs mit einem dritten Ätzmittel durchgeführt. Alternativ ist es jedoch auch möglich, eine solche Tiefenstruktur mit Hilfe eines mechanischen Verfahrens, z. B. einem Laser-Bohr­ verfahren zu erzeugen. Auch das Halbleitersubstrat durchdrin­ gende Strukturen können vorgesehen sein.

Um vielgestaltige Strukturen zu erhalten, kann das Potenzial­ feld während des Ätzens der räumlichen Struktur geändert wer­ den. D. h., die Stärke des Potenzialfelds sowie die Richtung des Potenzialfelds kann geändert werden, um die gewünschte Ausgestaltung der räumlichen Struktur zu erhalten.

Vorzugsweise ist vorgesehen, dass die ätzresistente Schicht auf einer Seitenwand der Tiefenstruktur nur in einem oberen Teil ausgebildet wird, der in der Nähe der Oberfläche des Halbleitersubstrates liegt. Dadurch bleibt eine Seitenwand der Tiefenstruktur im unteren Teil, d. h. von der der Oberflä­ che abgewandten Seite, ohne ätzresistente Schicht bestehen, so dass dort ein Ätzvorgang mit Hilfe des Ätzmittels einsetz­ en kann. Auf diese Weise kann eine längliche Ausgestaltung der räumlichen Struktur in einer Richtung senkrecht zur Ober­ flächenrichtung als Anfangszustand vorgegeben werden.

Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Halbleitersubstrat mit einer Einrichtung zum Ätzen einer räumlichen Struktur in dem Halbleitersubstrat vorgesehen. Das Halbleitersubstrat weist eine Tiefenstruktur auf, wobei eine Seitenwand der Tiefenstruktur zumindest in einem der Oberflä­ che des Halbleitersubstrats nahen Bereich eine ätzresistente Schicht aufweist, um dort ein Ätzen durch ein Ätzmittel zu verhindern. Auf gegenüberliegenden Oberflächen des Halbleitersubstrats und/oder in dem Halbleitersubstrat sind Elektroden angeordnet, wobei an jede der Elektroden ein bestimmtes Spannungspotenzial anlegbar ist, so dass in dem Halbleitersubstrat ein Potenzialfeld und ein Stromlinienfeld bestehen, um auf einen Ätzvorgang in der Tiefenstruktur einzuwirken.

Ein solches Halbleitersubstrat hat den Vorteil, dass es ge­ eignet ist, um damit eine räumliche Struktur innerhalb eines Halbleitersubstrats zu erzeugen, wobei die Öffnung der Tie­ fenstruktur an der Oberfläche des Halbleitersubstrats mög­ lichst klein ist.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand der bevorzugten Aus­ führungsbeispiele in Verbindung mit den beigefügten Zeichnun­ gen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 einen Querschnitt durch ein Halbleitersubstrat vor einem Ätzvorgang für eine räumliche Struktur;

Fig. 2 einen Querschnitt durch das Halbleitersubstrat nach dem Ätzvorgang, und

Fig. 3 einen horizontalen Querschnitt A-B durch das Halblei­ tersubstrat nach dem Ätzvorgang.

Fig. 1 zeigt einen nicht maßstabsgetreuen Querschnitt durch ein Halbleitersubstrat 1, vorzugsweise aus kristallinem Sili­ ziummaterial. Selbstverständlich können auch beliebige andere Halbleitermaterialien Verwendung finden. Vorzugsweise wird das erfindungsgemäße Verfahren bei räumlichen Strukturen mit elektrischen Schaltkreisen eingesetzt, die gemeinsam integ­ riert werden sollen. Die Verfahren sind gleichsam auch mit anderen Nicht-Halbleitermaterialien durchführbar.

Ausgehend von einer ersten Oberfläche 2 des Halbleitersub­ strats 1 wird eine Tiefenstruktur 3 eingebracht. Die Tiefen­ struktur 3 verläuft vorzugsweise senkrecht zur Oberfläche 2 in das Innere des Halbleitersubstrates 1. Dies wird bei­ spielsweise mit Hilfe eines Ätzvorgangs durchgeführt. Dazu wird zunächst eine Maskierungsschicht auf der Oberfläche 2 aufgebracht und an der Stelle, an der die Tie­ fenstruktur 3 eingebracht werden soll, geöffnet, so dass die Oberfläche 2 für den nachfolgenden Ätzschritt freiliegt. Der Querschnitt der Öffnung der Maskierungsschicht kann kreisför­ mig, rechtwinklig oder mehreckig sein oder eine sonstige Form aufweisen.

Nachfolgend wird nun ein Ätzvorgang durchgeführt, wobei Halb­ leitermaterial an der freiliegenden Oberfläche 2 weggeätzt wird. Durch die Wahl eines geeigneten Ätzprozesses lässt sich dem Ätzprozess eine bevorzugte Ätzrichtung möglichst senk­ recht zur Oberfläche 2 geben, so dass eine Tiefenätzung durchgeführt werden kann, bei der nicht oder nur in geringem Maße eine seitliche Unterätzung unter den maskierten Bereich auf der Oberfläche 2 erfolgt. Eine seitliche Unterätzung ist unerwünscht, da dadurch die Ausdehnung der Tiefenstruktur an der Oberfläche des Halbleitersubstrates vergrößert wird, so dass mehr Chip-Fläche benötigt wird.

Die Tiefe der Tiefenätzung ist so gewählt, dass die spätere räumliche Struktur in ausreichendem Abstand zur Oberfläche 2 des Halbleitersubstrates 1, in jedem Fall in ausreichendem Abstand zu in der Nähe der Oberfläche angeordneten elektroni­ schen Bauelementen, gebildet wird. In einen oberen Bereich 4, vorzugsweise einem Kragenbereich der Tiefenstruktur 3 wird an der Seitenwand der Tiefenstruktur 3 eine ätzresistente Schicht 5 aufgebracht, die die Tiefenstruktur 3 gegenüber einem nachfolgenden Ätzvorgang passiviert, so dass ein Ätzan­ griff dort nicht erfolgen kann. In einem weiteren Bereich 6 der Tiefenstruktur wird dagegen keine ätzresistente Schicht aufgebracht, so dass dieser Bereich 6 durch einen nachfolgen­ den Ätzvorgang bearbeitet werden kann. Der Ätzvorgang kann mit einem Trockenätzprozess oder mit einem Nassätzprozess mit Hilfe eines ersten Ätzmittels durchgeführt werden. Am Ende des Ätzvorgangs wird, falls erforderlich, die geätzte Struk­ tur einem Reinigungsschritt unterworfen.

Auf die Oberfläche 2 wird ein zweites Ätzmittel so aufge­ bracht, dass es in die Tiefenstruktur 3 eindringt und mög­ lichst vollständig ausfüllt. Das zweite Ätzmittel ist so ge­ wählt, dass es in einem Potenzialfeld das Halbleitermaterial anisotrop ätzt, d. h. die Ätzrate ist richtungsabhängig. Das zweite Ätzmittel kann beispielsweise Flusssäure (HF) enthal­ ten.

Ein derartiger Ätzvorgang ist in Fig. 2 dargestellt. Das Po­ tenzialfeld wird durch Elektroden 7 erzeugt, an die mit Hilfe einer Spannungsquelle 8 ein bestimmtes Spannungspotenzial V angelegt ist. Die Elektroden 7 sind auf dem Halbleitersub­ strat 1 auf gegenüberliegenden Oberflächen angeordnet. Die Elektroden 7 können sich jedoch auch im Inneren des Halblei­ tersubstrats 1 befinden, z. B. auf einer Seitenwand einer durchgehenden Öffnung z. B. einer Bohrung in dem Halbleiter­ substrat. Damit die Ätzung in Richtung des Potenzialfeldes verläuft, muss dabei dem zweiten Ätzmittel ein anderes, von dem Spannungspotenzial der Elektrode 7 verschiedenes Spannungspotenzial zugewiesen wer­ den. Dazu wird in geeigneter Weise eine weitere Elektrode 9 vorgesehen, die sich in leitender Verbindung zu dem zweiten Ätzmittel befindet. Das zweite Ätzmittel ist dazu vorzugs­ weise leitend ausgewählt.

Beim Ätzen mit Flusssäure wird Silizium als Halbleitermate­ rial nicht vollständig geätzt, sondern es entsteht eine po­ röse, schwammartige Struktur. Diese schwammartige Struktur wird vorzugsweise wie zuvor beschrieben in Richtung eines Po­ tenzialfeldes bzw. eines Stromlinienfeldes ausgebildet, in den das kristalline Halbleitermaterial in Material mit einer schwammartigen Struktur umgewandelt wird.

Wie man in Fig. 2 erkennen kann, befinden sich die Elektroden 7 an den beiden gegenüberliegenden Oberflächen des Halblei­ tersubstrats 1, so dass die Ätzung im Inneren des Halbleiter­ substrats vorzugsweise in Richtung der Elektroden 7 verläuft. Das kristalline Siliziummaterial wird dann beim Ätzen mit Flusssäure in poröses Silizium verwandelt.

In einem nachfolgenden Ätzschritt mit einem dritten Ätzmittel lässt sich das poröse Siliziummaterial selektiv aus dem Halb­ leitersubstrat 1 ganz oder teilweise herauslösen, so dass man die zuvor mit Hilfe der Flusssäure geätzte Struktur im Inne­ ren des Halbleitersubstrats 1 erhält. Die Auswahl des dritten Ätzmittels richtet sich nach der Selektivität des Ätzvor­ gangs, d. h. das dritte Ätzmittel ist so gewählt, dass vor­ zugsweise das poröse Silizium geätzt und das solide, kristal­ line Silizium und vorzugsweise auch die Isolationsschicht im wesentlichen unverändert bleibt.

Zur Beeinflussung der Ätzrichtungen kann während des Ätzvor­ gangs mit Flusssäure das Spannungspotenzial an den Elektroden 7 einzeln so verändert werden, dass man die Richtung des Ätz­ verlaufes auch während des Ätzvorgangs, d. h. nachdem sich die Ätzfront in eine bestimmte Richtung bewegt hat, ändern kann.

Dadurch lassen sich auch komplexere räumliche Strukturen im Inneren des Halbleitersubstrats 1 formen. Insbesondere durch die Anordnung von weiteren Elektroden im Inneren des Halblei­ tersubstrates kann die räumliche Ausdehnung in Richtungen pa­ rallel zur Oberfläche 2 beschleunigt werden. Elektroden kön­ nen beispielsweise im Inneren des Halbleitersubstrats mit Hilfe einer Tiefenätzung und anschließendem Einbringen eines leitenden Materials gebildet werden.

Durch das Anlegen von veränderlichen Spannungen oder Wechsel­ spannungen an einzelne der Elektroden 7 können gegenüber je­ weils anderen Elektroden die Ätzgeschwindigkeiten in die ent­ sprechende Ätzrichtung beeinflusst, d. h. reduziert, werden. Liegt beispielsweise an einer Elektrode ein Spannungspoten­ zial an, so lässt sich durch eine gepulste veränderliche Spannung die Ätzgeschwindigkeit in die entsprechende Ätzrich­ tung reduzieren oder beschleunigen.

In Fig. 3 ist ein horizontaler Querschnitt durch die Tiefen­ struktur nach Fig. 2 gezeigt. Man erkennt deutlich die schmetterlingsförmige Querschnittsfläche, die dadurch ent­ steht, dass die Ätzrate in Richtung der Elektroden 7 größer ist als in anderen Richtungen.

Die in der vorangehenden Beschreibung, den Ansprüchen und den Zeichnungen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination für die Verwirkli­ chung der Erfindung in ihren verschiedenen Ausführungsformen wesentlich sein.

Bezugszeichenliste

1

Halbleitersubstrat

2

Oberfläche des Halbleitersubstrats

3

Tiefenstruktur

4

Erster Bereich der Tiefenstruktur

5

Ätzresistente Schicht

6

Zweiter Bereich der Tiefenstruktur

7

Elektroden

8

Spannungsquelle

9

Elektrode für das Ätzmittel

Claims (5)

1. Verfahren zum Herstellen von räumlich geätzten Struktu­ ren in einem Halbleitersubstrat (1) aus einem Halbleitermate­ rial, insbesondere von Trench-Strukturen für Halbleiterspei­ cherzellen, mit folgenden Schritten:
Erzeugen einer Tiefenstruktur (3) ausgehend von einer Ober­ fläche des Halbleitersubstrates (1);
Aufbringen einer ätzresistenten Schicht (5) in einem Kragen­ bereich (4) einer Seitenwand der Tiefenstruktur (3), so dass bei nachfolgenden Ätzschritten die mit der ätzresistenten Schicht (3) bedeckte Seitenwand im Wesentlichen nicht geätzt wird;
Ausbilden eines Potenzialfeldes in dem Halbleitersubstrat (1) um die Tiefenstruktur herum;
Ätzen einer räumlichen Struktur mithilfe eines in die Tiefen­ struktur (3) eingebrachten Ätzmittels, ausgehend von einem nicht von der ätzresistenten Schicht (5) bedeckten Bereich der Tiefenstruktur (3), wobei das Ätzmittel so gewählt ist, dass die Ätzrichtung von dem Potenzialfeld abhängig ist, so dass die Form der geätzten räumlichen Struktur von dem Poten­ zialfeld abhängt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Ätzmittel Flusssäure enthält, so dass beim Schritt des Ätzens der räumlichen Struktur das Halbleitermaterial eine poröse und/oder schwammartige Gestalt annimmt, wobei das poröse (schwammartige) Halbleitermaterial in einem nachfolgenden Schritt mit Hilfe eines zweiten Ätzmittels se­ lektiv gegenüber dem Halbleitermaterial geätzt wird, so dass das poröse (schwammartige) Halbleitermaterial ganz oder teil­ weise entfernt wird.

3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, dass das Potenzialfeld während des Ätzens der räumlichen Struktur verändert wird.

4. Halbleitersubstrat (1) mit einer Einrichtung zum Ätzen einer räumlichen Struktur in das Halbleitersubstrat,
wobei das Halbleitersubstrat (1) eine Tiefenstruktur (3) aufweist,
wobei eine Seitenwand der Tiefenstruktur zumindest in einem der Oberfläche des Halbleitersubstrats nahen Be­ reich eine ätzresistente Schicht (5) aufweist,
wobei die Einrichtung Elektroden (7) aufweist, die auf sich gegenüberliegenden Oberflächen (2) des Halbleiter­ substrats (1) und/oder in dem Halbleitersubstrat (1) angeordnet sind, wobei während eines Ätzvorgangs an die Elektroden ein bestimmtes Spannungspotenzial anlegbar ist, so dass in dem Halbleitersubstrat (1) ein Potenzi­ alfeld besteht, das den Ätzvorgang in der Tiefenstruktur (3) beeinflusst.

5. Halbleitersubstrat (1) nach Ansprüch 4, wobei die Elektroden (7) gegenüber dem Halbleitersubstrat isoliert sind, um einen Stromfluss durch die Elektroden (7) im wesent­ lichen zu vermeiden.