DE10145362C2 - Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats

Info

Publication number
DE10145362C2
DE10145362C2 DE10145362A DE10145362A DE10145362C2 DE 10145362 C2 DE10145362 C2 DE 10145362C2 DE 10145362 A DE10145362 A DE 10145362A DE 10145362 A DE10145362 A DE 10145362A DE 10145362 C2 DE10145362 C2 DE 10145362C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
stack
powder
layers
pressing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE10145362A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10145362A1 (de
Inventor
Christian Hoffmann
Klaus-Dieter Aichholzer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Electronics AG
Original Assignee
Epcos AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epcos AG filed Critical Epcos AG
Priority to DE10145362A priority Critical patent/DE10145362C2/de
Priority to PCT/DE2002/002963 priority patent/WO2003028085A2/de
Publication of DE10145362A1 publication Critical patent/DE10145362A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10145362C2 publication Critical patent/DE10145362C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B18/00Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4803Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
    • H01L21/4807Ceramic parts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H01L23/49894Materials of the insulating layers or coatings
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • H05K3/4629Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32Ceramic
    • C04B2237/34Oxidic
    • C04B2237/341Silica or silicates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32Ceramic
    • C04B2237/34Oxidic
    • C04B2237/343Alumina or aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32Ceramic
    • C04B2237/34Oxidic
    • C04B2237/345Refractory metal oxides
    • C04B2237/346Titania or titanates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32Ceramic
    • C04B2237/34Oxidic
    • C04B2237/345Refractory metal oxides
    • C04B2237/348Zirconia, hafnia, zirconates or hafnates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32Ceramic
    • C04B2237/36Non-oxidic
    • C04B2237/365Silicon carbide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32Ceramic
    • C04B2237/36Non-oxidic
    • C04B2237/366Aluminium nitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/56Using constraining layers before or during sintering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/62Forming laminates or joined articles comprising holes, channels or other types of openings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/68Forming laminates or joining articles wherein at least one substrate contains at least two different parts of macro-size, e.g. one ceramic substrate layer containing an embedded conductor or electrode
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C04B2237/702Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the constraining layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/30Details of processes not otherwise provided for in H05K2203/01 - H05K2203/17
    • H05K2203/308Sacrificial means, e.g. for temporarily filling a space for making a via or a cavity or for making rigid-flexible PCBs

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats, wobei ein Grundkörper bereitgestellt wird, der einen Stapel von übereinanderliegenden Schichten aufweist. Die Schichten des Stapels enthalten ein ungesinter­ tes Keramikmaterial. In einem darauffolgenden Schritt wird der Stapel gesintert.
Verfahren der eingangs genannten Art werden verwendet zur Herstellung von keramischen Vielschichtsubstraten, in die passive Bauelemente integriert werden können. Aus der Druck­ schrift DE 197 10 187 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Keramikmehrschichtsubstrats bekannt, bei dem mehrere Rohlagen eines Keramikmaterials übereinandergestapelt und miteinander verpresst werden. Zwischen den Rohlagen ist ein Leitermuster gebildet. Dieses Leitermuster kann beispielswei­ se ein passives Bauelement repräsentieren.
Auf der Oberfläche des Substrats können mittels Verbindungs­ technologien, wie SMD, Wire-Bonding oder auch Flip-Chip- Montage aktive Bauelemente montiert werden. Dadurch entstehen aus den keramischen Substraten multifunktionale Module, die insbesondere geeignet sind, Platz einzusparen.
Aufgrund des geringen Platzbedarfs finden die genannten Modu­ le insbesondere Anwendungen auf dem Gebiet der Endgeräte des Mobilfunksektors. Das eingangs genannte Verfahren hat den Nachteil, daß die ungesintertes Keramikmaterial enthaltenden Schichten während des Sinterns parallel zur Schichtebene schrumpfen. Zusätzlich tritt der Effekt des Schrumpfens in Richtung der Schichtdicke auf. Das Schrumpfen der Schichten hat den Nachteil, daß das Bauelement nach dem Sintern Endab­ messungen aufweist, die nur sehr eingeschränkt durch die An­ fangsabmessungen des bereitgestellten Stapels vorgegeben werden können. Daraus resultiert eine relativ starke Streuung der Dimensionen der keramischen Substrate.
Es wird das Ziel verfolgt, für die Schichten des Stapels auch unterschiedliche Keramikmaterialien zu verwenden. Da unter­ schiedliche Keramikmaterialien im allgemeinen unterschiedlich stark beim Sintern schrumpfen, resultiert daraus das Problem, daß bei unterschiedlichem Schrumpfen der Schichten eine mechanische Instabilität des keramischen Substrats auftreten kann. Analog dem Bimetalleffekt kann es zum Beispiel passieren, daß das keramische Substrat sich verbiegt. Desweiteren ist es möglich, daß sich bei stark unterschiedlichem Schrumpfungsverhalten die einzelnen Schichten voneinander ablösen (Delamination). Da die Formstabilität des keramischen Substrats beziehungsweise die mechanische Stabilität des keramischen Substrats darunter stark leidet, ist ein solches Verhalten unerwünscht.
Aus der Druckschrift DE 691 06 830 T2 ist ein Verfahren der eingangs genannten Art bekannt, mit dessen Hilfe das Schrumpfen der Schichten des Stapels in lateraler Richtung vermindert werden soll. Dazu wird vor dem Sintern des Stapels eine flexible Zwangsschicht auf der Oberfläche des Stapels angewandt, wobei die flexible Zwangsschicht fein verteilte Teilchen aus anorganischen Feststoffen umfaßt, die in einem verdampfbaren polymeren Bindemittel dispergiert sind. Die Schichten des in der Entgegenhaltung verwendeten Schichtstapels enthalten ebenfalls ein polymeres Bindemittel und zusätzlich ein anorganisches Bindemittel. Aus der obersten Schicht des Schichtstapels dringt das anorganische Bindemittel in die Zwangsschicht ein. Durch die Flexibilität der Zwangsschicht soll erreicht werden, daß sich die Zwangsschicht der jeweiligen Oberflächentopologie der obersten Schicht des Stapels gut anpaßt. Dies gelingt jedoch im Bereich von Vertiefungen (Kavitäten) nur unvollkommen, so daß an diesen Stellen trotzdem eine erhebliche Änderung der geometrischen Abmessungen des keramischen Substrats während des Sinterns auftritt. Durch das Eindringen des anorganischen Bindemittels von der obersten Schicht des Schichtstapels in die Zwangsschicht wird dafür Sorge getragen, daß eine ausreichende mechanische Haftung der Zwangsschicht auf der obersten Schicht des Schichtstapels gewährleistet ist. Da die Zwangsschicht zur Bildung ihrer Flexibilität ein polymeres Bindemittel enthält, das während des Sinterns beziehungsweise vor dem Sintern des Keramiksubstrats verflüchtigt werden muß, wird auch das Verflüchtigen des in den Schichten des Schichtstapels vorhandenen polymeren Bindemittels behindert. Um überhaupt ein Verflüchtigen des polymeren Bindemittels, das im Schichtstapel vorhanden ist, zu ermöglichen, wird die Zwangsschicht als poröse Schicht ausgebildet. Die Durchdringung der Zwangsschicht mit dem anorganischen Bindemittel des keramischen Körpers darf nicht mehr als 50 µm betragen, da ansonsten das Entfernen der Zwangsschicht im Anschluß an das Sintern des Grundkörpers stark erschwert wird. Eine zu geringe Durchdringung der Zwangsschicht mit dem anorganischen Bindemittel ist allerdings auch nicht erwünscht, da ansonsten die Zwangsschicht nicht ausreichend fest auf der Oberfläche des Schichtstapels haftet. Für die Zwangsschicht wird ein Material verwendet, das während der Sinterung des Schichtstapels nicht mitsintert und somit auch keiner Schrumpfung, insbesondere in lateraler Richtung, unterliegt. Dieses fehlende Schrumpfen der Zwangsschicht überträgt sich unmittelbar auf die oberste Schicht des Schichtstapels, die aufgrund der relativ festen Anbindung an die Zwangsschicht am Schrumpfen gehindert wird. Durch die oberste Schicht des Schichtstapels werden auch die im folgenden weiter unterhalb der obersten Schicht des Schichtstapels angeordneten Schichten am Schrumpfen gehindert, und zwar in dem Maße, wie die Schichtdicke der einzelnen Schichten und die Festigkeit ihrer mechanischen Anbindung untereinander dies zulassen. Je stärker die mechanische Kopplung zwischen den Schichten des Schichtstapels ist, um so geringer ist die laterale Schrumpfung der einzelnen Schichten.
Das bekannte Verfahren hat den Nachteil, daß die Zwangsschicht aufgrund ihres Gehaltes an einem polymeren Bindemittel das Verflüchtigen des polymeren Bindemittels aus den Schichten des Schichtstapels behindert. Darüber hinaus hat das bekannte Verfahren den Nachteil, daß die Zwangsschicht zwar flexibel ist, jedoch nicht so flexibel, daß sie sich allen möglichen Vertiefungen und Oberflächenstrukturen der obersten Schicht des Schichtstapels gut anpassen kann. Dadurch wird an kritischen Stellen der obersten Schicht des Schichtstapels ein erhebliches Schrumpfen in lateraler Richtung nicht verhindert.
Ziel der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats bereitzustellen, mit dessen Hilfe das Schrumpfen des Schichtstapels während des Sinterns auch an Vertiefungen der obersten Schicht des Schichtstapels vermindert werden kann.
Die Erfindung gibt ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats an, das folgende Schritte enthält:
  • a) Bereitstellen eines Grundkörpers, der einen Stapel von übereinanderliegenden Schichten aufweist. Die übereinanderliegenden Schichten enthalten ein ungesintertes Keramikmaterial
  • b) Bilden einer Zwangsschicht durch Aufpressen eines Pulvers auf der Oberfläche der obersten Schicht des Stapels
  • c) Sintern des Stapels
  • d) Entfernen der Zwangsschicht.
Die Zwangsschicht wird gemäß der Erfindung gebildet durch Aufpressen eines Pulvers auf der Oberfläche der obersten Schicht des Stapels. Ein Pulver ist bezüglich seiner Form sehr beweglich und kann auch in Hohlräume beziehungsweise in Vertiefungen leicht eindringen oder sich anderen Oberflächenstrukturen des Stapels leicht anpassen und so einen durchgehenden Schutz vor zu starker Schrumpfung in lateraler Richtung während des Sinterns des Schichtstapels bewirken.
Desweiteren hat das erfindungsgemäße Verfahren den Vorteil, daß die Festigkeit der Zwangsschicht durch Pressen hergestellt wird, wodurch auf ein polymeres Bindemittel in der Zwangsschicht verzichtet werden kann. Der Verzicht auf ein polymeres Bindemittel in der Zwangsschicht hat zur Folge, daß das Verflüchtigen von gegebenenfalls in den Schichten des Schichtstapels vorhandenen polymeren Bindemitteln nicht stark behindert wird.
In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung erfolgt das Bilden der Zwangsschicht unter Anwendung einer Abfolge von Schritten, die die folgenden beiden Schritte beinhaltet:
  • a) Herstellen einer Pulverschüttung auf der Oberfläche der obersten Schicht des Stapels
  • b) Pressen der Pulverschüttung auf die oberste Schicht des Stapels.
Durch dieses Verfahren kann der Vorteil erzielt werden, daß während der Herstellung der Pulverschüttung, also so lange das Pulver noch ohne äußeren Druck und damit sehr beweglich ist, alle möglichen Oberflächenstrukturen der obersten Schicht des Stapels mit dem Pulver ausgefüllt werden können, wodurch besonders effektiv ein durchgehender Schutz vor zu starkem lateralen Schrumpfen der obersten Schicht des Schichtstapels und damit der weiteren Schichten des Schichtstapels bewirkt werden kann. Erst nachdem die Pulverschüttung hergestellt worden ist und nachdem alle Vertiefungen der obersten Schicht des Schichtstapels mit Pulver aufgefüllt sind, erfolgt das Pressen der Pulverschüttung und damit das Verhärten der Zwangsschicht beziehungsweise das Erzielen einer mechanischen Stabilität der Zwangsschicht.
Die Zwangsschicht entsteht im Normalfall als poröse Schicht. Eine poröse Zwangsschicht hat den Vorteil, daß gegebenenfalls in den Schichten des Schichtstapels vorhandene flüchtige Bestandteile leicht ausgetrieben werden können, da sie durch die Poren der Zwangsschicht vom Inneren des Schichtstapels nach außen dringen können.
Um die oberste Schicht des Schichtstapels beim Pressen des Pulvers möglichst geringen mechanischen Belastungen auszusetzen, und um insbesondere eine ungleichmäßige Verteilung des beim Pressen der Pulverschüttung auftretenden Drucks zu vermeiden, ist es vorteilhaft, wenn dem Pulver vor dem Pressen ein Preßhilfsmittel beigefügt wird. Ein solches Preßhilfsmittel hat die Eigenschaft, daß es die Reibung zwischen den einzelnen Körnern des Pulvers herabsetzt, wodurch die innere Reibung des Pulvers vermindert wird. Gleichzeitig wird dadurch ein Druckausgleich während des Pressens erreicht, wodurch die Oberfläche der obersten Schicht des Schichtstapels während des Pressens gleichmäßig mit dem Preßdruck belastet wird.
Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform des Verfahrens kann ein Stapel verwendet werden, dessen Schichten ein Bindemittel enthalten, während die Zwangsschicht frei von Bindemitteln ist. Dadurch kann insbesondere Sorge dafür getragen werden, daß das in dem Innern des Stapels vorhandene Bindemittel leicht durch die von Bindemittel freie Zwangsschicht aus dem Stapel ausgetrieben werden kann.
Die Dicke der Zwangsschicht kann beispielsweise zwischen 0,1 mm und 5 mm betragen. Vorteilhafterweise beträgt die Dicke der Zwangsschicht zwischen 0,3 und 0,7 mm.
Das Aufpressen des Pulvers kann mit einem Druck von 50 bis 200 MPa erfolgen. Durch einen solchen Druck kann erreicht werden, daß die Körner des Pulvers zusammenbacken und eine Zwangsschicht mit ausreichender mechanischer Stabilität entsteht, um das Schrumpfen der Schichten des Schichtstapels während des Sinterns zu vermindern. Mit üblichen Pressvorrichtungen erreichbare Drücke liegen zwischen 60 und 150 MPa.
Besonders vorteilhaft ist das Verfahren anzuwenden bei Keramiksubstraten, bei denen die oberste Schicht des Schichtstapels eine Vertiefung aufweist. Durch die Verwendung von einer Zwangsschicht, die aus einem gepreßten Pulver hervorgeht, können Vertiefungen und weitere Oberflächenstrukturen leicht mit dem Pulver und damit mit der Zwangsschicht vollständig aufgefüllt werden.
Desweiteren wird vorteilhaft ein Pulver mit einer Korngröße zwischen 0,1 µm und 2 µm verwendet.
Das Pulver kann beispielsweise Körner aus Al2O3 enthalten. Ebenfalls können die Schichten des Schichtstapels als Keramikmaterial Al2O3 enthalten. Als Sinterhilfsmittel kann vorzugsweise Glas verwendet werden.
Die Schichten des Schichtstapels können jedoch auch als keramische Feststoff-Komponente Bariumtitanat, Kalziumtitanat, Strontiumtitanat, Bleititanat, CaZrO3, BaZrO3, BaSnO3, Metallcarbide wie Siliziumcarbid, Metallnitride wie Aluminiumnitrid, Mineralien wie Mullit und Kyanit, Zirkoniumdioxid oder auch verschiedene Arten von Siliziumdioxid enthalten. Selbst Gläser mit hohem Erweichungspunkt können als die keramische Komponente verwendet werden, vorausgesetzt, daß sie ausreichend hohe Erweichungspunkte haben. Weiterhin können Mischungen derartiger Materialien für die keramische Feststoff- Komponente der Schichten des Schichtstapels verwendet werden.
Als Sinterhilfsmittel können die Schichten des Stapels Glas, beispielsweise SiO2 mit Ca zur Bildung von Anorthit (CaAl2Si2O8) in Verbindung mit Al2O3 als keramischem Bestandteil der Schichten enthalten.
Die Verwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung von keramischen Substraten ermöglicht insbesondere die Verwendung von Schichtstapeln, die die Form einer Platte aufweisen, wobei die Platte eine Grundfläche von wenigstens 18 cm × 18 cm und eine Höhe von 0,5 bis 3 mm aufweist. Mittels einer solchen Platte können in einem einzigen Herstellungsschritt ein großflächiges, oder durch nachfolgendes Zerteilen des großflächigen Substrates, eine Vielzahl von kleinen Substraten hergestellt werden.
Es ist darüber hinaus besonders vorteilhaft, wenn das Sintern des Schichtstapels bei einer Temperatur von weniger als 1000°C erfolgt, da in diesem Fall ein LTCC-Sinterprozeß vorliegt, der die Verwendung von Silberverbindungen für Leiterstrukturen im Innern des Substrats ermöglicht, was zu niedrigeren Verlusten innerhalb des Bauelements führt. Die Verwendung von Silber hat darüber hinaus den Vorteil, daß es im Gegensatz zu dem bei höheren Sintertemperaturen erforderlichen Platin leichter und billiger verfügbar ist.
Besonders vorteilhaft ist es desweiteren, wenn bei der Sintertemperatur, bei der der Stapel gesintert wird, die Zwangsschicht nicht sintert. Dies bedeutet, daß die Zwangsschicht ihre ursprüngliche Form weitgehend beibehält und somit wirksam das Schrumpfen der Schichten des Stapels in lateraler Richtung vermindern kann.
Das Entfernen der Zwangsschicht im Anschluß an das Sintern des Stapels kann beispielsweise durch Abkratzen, Absputtern oder Sandstrahlen erfolgen.
Es ist desweiteren vorteilhaft, wenn zusätzlich zur Oberseite des Schichtstapels auch auf der Unterseite des Schichtstapels durch Aufpressen eines Pulvers eine zweite Zwangsschicht auf der Oberfläche der untersten Schicht des Schichtstapels gebildet wird. Dadurch kann das Schrumpfen der Schichten des Schichtstapels von zwei Seiten her vermindert werden, was insgesamt eine noch geringere Schrumpfung zur Folge hat.
Es kommt insbesondere in Betracht, als Stapel einen Schichtstapel zu verwenden, bei dem zwischen zwei Schichten Leiterbahnen angeordnet sind. Diese Leiterbahnen können verwendet werden zur Herstellung einer Verdrahtung zwischen auf der Oberfläche des Keramiksubstrats angeordneten aktiven Bauelementen und im Innern des Keramiksubstrats angeordneten passiven Bauelementen. Die Leiterbahnen beziehungsweise elektrisch leitenden Flächen zwischen zwei Schichten des Schichtstapels können auch dazu verwendet werden, passive Bauelemente, beispielsweise Kondensatoren oder Spulen zu realisieren.
Um die zwischen den Schichten angeordneten Leiterbahnen miteinander zu kontaktieren, ist es vorteilhaft, wenn eine Schicht im Stapel eine Durchführung enthält, die elektrisch leitfähig ist und die auf zwei verschiedenen Seiten der Schicht angeordnete Leiterbahnen miteinander verbindet.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert.
Fig. 1 zeigt das Aufpressen eines Pulvers auf die Oberfläche der obersten Schicht im Rahmen des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines keramischen Substrats anhand einer Anordnung zum Aufpressen des Pulvers in einem schematischen Querschnitt.
Die Fig. 2 und 3 zeigen ein keramisches Substrat hergestellt nach dem erfindungsgemäßen Verfahren nach dem Sintern, einmal mit zwei Zwangsschichten, jeweils eine davon auf der Unterseite und eine auf der Oberseite (Fig. 2) und einmal mit nur einer Zwangsschicht auf der Oberseite des Substrats (Fig. 3).
Fig. 4 zeigt ein LTCC-Substrat in einem schematischen Querschnitt, hergestellt mit dem erfindungsgemäßen Verfahren.
Fig. 1 zeigt einen Grundkörper 2 mit einem Stapel 2a von übereinanderliegenden Schichten 3. Die Schichten 3 enthalten ungesintertes Keramikmaterial. Der Grundkörper 2 ist in eine Preßform eingelegt, die einen Boden 21 und Seitenwände 22 aufweist. Zwischen dem Boden 21 und dem Grundkörper 2 ist ein Pulver 5 in Form einer Schüttung angeordnet, das zu einer zweiten Zwangsschicht 12 zu verpressen ist. Die Oberfläche 13 der untersten Schicht 14 des Stapels 2a liegt direkt auf der Pulverschüttung auf. Auf der Oberfläche 6 der obersten Schicht 7 des Stapels 2a ist wiederum eine Schüttung 8 aus Pulver 5 angeordnet, die zu einer Zwangsschicht 4 zu verpressen ist. Das Verpressen des Pulvers 5 unterhalb des Schichtstapels 2a beziehungsweise des Pulvers 5 oberhalb des Schichtstapels 2a mit dem Schichtstapel 2a geschieht durch Aufpressen eines Stempels 23, der mit einer Kraft F gegen den Boden 21 der Preßkammer gepreßt wird. Dabei wird ein Druck von 60 bis 150 MPa angewendet.
Eine in der obersten Schicht 7 angeordnete Vertiefung 9 kann mit dem Pulver 5 auf leichte Art und Weise einfach durch Einschütten des Pulvers 5 in die Vertiefung 9 vollständig aufgefüllt werden, wodurch die aus dem Pulver 5 auf der Oberseite des Schichtstapels 2 des Stapels 2a zu bildende Zwangsschicht 4 die Vertiefung 9 vollständig ausfüllt, und wodurch insbesondere an der Stelle der Vertiefung eine erhöhte Maßhaltigkeit des herzustellenden Substrats während des Sinterns erwartet werden kann.
Die Fig. 2 und 3 zeigen jeweils einen Stapel 2a von übereinanderliegenden Schichten 3, wobei das keramische Substrat 1 bereits durch Sintern des Stapels 2a fast fertiggestellt ist. Der während des Sinterns auftretende Schrumpf der einzelnen Schichten 3 erzeugt die in Fig. 2 gezeigte gekrümmte Außenkontur des keramischen Substrats 1. Da sich gemäß Fig. 2 auf der Oberseite eine Zwangsschicht 4 und auf der Unterseite eine zweite Zwangsschicht 12 befindet, ist der maximale Schrumpf bei der Herstellung des Substrats 1 in der Region der mittleren Schichten 3 aufgetreten. Demgegenüber ist gemäß Fig. 3 die größte Veränderung der Außenkontur beziehungsweise das maximale Schrumpfen der das Substrat 1 bildenden Schichten 3 in dem Bereich der unteren Schichten 3 aufgetreten, da in diesem Fall nur auf der Oberfläche der obersten Schicht 7 eine Zwangsschicht 4 angeordnet ist.
Die Fig. 2 und 3 zeigen, daß es vorteilhaft ist, sowohl auf der Oberseite als auch auf der Unterseite des Stapels 2a jeweils eine Zwangsschicht 4, 12 vorzusehen, da dadurch eine Veränderung der geometrischen Abmessungen des herzustellenden Substrats während des Sinterns am meisten vermindert werden kann.
Fig. 4 zeigt ein mit dem erfindungsgemäßen Verfahren fertig hergestelltes keramisches Substrat 1, bei dem die Zwangsschichten bereits entfernt worden sind. Das Substrat 1 ist hergestellt aus einem Stapel 2a von übereinanderliegenden Schichten 3, die ein ungesintertes Keramikmaterial enthalten, wobei das ungesinterte Keramikmaterial durch Sintern in ein gesintertes Keramikmaterial übergeführt worden ist. Auf der Oberseite der obersten Schicht 3 des keramischen Substrats 1 sind Bauelemente 18, 19 angeordnet, wobei das erste Bauelemente 18 durch Drahtbonden und anschließendes Vergießen und das zweite Bauelement 19 durch Flip-Chip-Montage auf der Oberfläche des keramischen Substrats befestigt ist. Die beiden Bauelemente 18, 19 können beispielsweise keramische Mikrowellenfilter sein. Auf der Unterseite des keramischen Substrats 1 sind Metallisierungen 20 angeordnet, an denen das Substrat 1 auf eine Leiterplatte gelötet und mithin mit weiteren elektronischen Bauelementen elektrisch in Kontakt gebracht werden kann. Auch auf der Oberseite des Substrats 1 sind Metallisierungen 20 angeordnet, auf denen die Bauelemente 18, 19 befestigt werden können. Das Substrat 1 weist eine Höhe H von 1 mm auf. Die Zahl der Schichten 3 beträgt sechs.
Im Innern des Substrats 1 befinden sich Verdrahtungsebenen, die durch Leiterbahnen 10 realisiert werden. Dabei befindet sich eine Verdrahtungsebene immer an der Grenzfläche zwischen zwei Schichten 3. Die Leiterbahnen 10 können beispielsweise durch eine silberhaltige Siebdruckpaste gebildet werden. Darüber hinaus weist eine Schicht 3 auch Durchführungen 11 auf, die Leiterbahnen 10 miteinander kontaktiert, die auf zwei gegenüberliegenden Seiten der Schicht 3 liegen. In den Durchführungen 11 sind elektrisch leitende Materialien angeordnet, die vorteilhafterweise die Durchführungen 11 auffüllen.
Im oberen Bereich des Substrats 1 sind zwei der Schichten 3 als Schichten 15 mit hohem ∈ (= Dielektrizitätskonstante) ausgebildet. Ein solches ∈ kann beispielsweise ∈ = 20 sein. Durch entsprechend ausgebildete Leiterbahnen 10 beziehungsweise elektrisch leitende Flächen 24 in den Verdrahtungsebenen können passive Komponenten wie Kondensatoren 17 in das Substrat 1 integriert sein. Gemäß Fig. 4 sind elektrisch leitende Flächen 24 an den Grenzschichten zwischen zwei Schichten 3 so angeordnet und durch Durchführungen 11 miteinander verbunden, daß ineinandergreifende Kammstrukturen, wie sie aus Vielschichtkondensatoren bekannt sind, entstehen. Durch das Aufdrucken einer Widerstandspaste 25 vor dem Verstapeln der Schichten 3 an der Grenzflächen zwischen den Schichten 3 können auch integrierte Widerstände als Passivkomponenten im Substrat 1 hergestellt werden. Durch Ausbilden von Leiterbahnen 10 in Form von spiralförmigen Bahnen und durch Aneinanderreihen von übereinander gestapelten spiralförmigen Bahnen können auch integrierte Spulen 16 in dem Substrat 1 hergestellt werden.
Die dargestellte Erfindung wird vorzugsweise für Stapel 2a verwendet, die aus im wesentlichen entlang von Ebenen verlaufenden Schichten 3 hergestellt sind. Es ist jedoch auch denkbar, die Erfindung auf gekrümmte Substrate anzuwenden, wobei die Schichten 3 dann nicht entlang einer Ebene sondern entlang von gekrümmten Kurven verlaufen.

Claims (17)

1. Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats (1) mit folgenden Schritten:
  • a) Bereitstellen eines Grundkörpers (2) mit einem Stapel (2a) von übereinanderliegenden Schichten (3), die ein ungesintertes Keramikmaterial enthalten
  • b) Bilden einer Zwangsschicht (4) durch Aufpressen eines Pulvers (5) auf der Oberfläche (6) der obersten Schicht (7) des Stapels (2a)
  • c) Sintern des Stapels (2a)
  • d) Entfernen der Zwangsschicht (4)
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bilden der Zwangsschicht (4) folgende Schritte beinhaltet:
  • a) Herstellen einer Pulverschüttung (8) auf der Oberfläche (6) der obersten Schicht (7) des Stapels (2a)
  • b) Pressen der Pulverschüttung (8) auf die oberste Schicht (7) des Stapels (2a).
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 2, wobei eine poröse Zwangsschicht (4) gebildet wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Pulver (5) vor dem Pressen mit einem Preßhilfsmittel versetzt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei ein Stapel (2a) verwendet wird, dessen Schichten (3) ein Bindemittel enthalten und wobei eine Zwangsschicht (4) gebildet wird, die frei von Bindemittel ist.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei eine Zwangsschicht (4) gebildet wird, die eine Dicke zwischen 0,1 mm und 5 mm aufweist.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei das Aufpressen des Pulvers (5) mit einem Druck von 50 bis 200 MPa erfolgt.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
wobei ein Stapel (2a) von Schichten (3) verwendet wird, dessen oberste Schicht (7) an ihrer Oberfläche (6) eine Vertiefung (9) aufweist,
und wobei das Pulver (5) in die Vertiefung (9) gepreßt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei ein Pulver (5) mit einer Korngröße zwischen 0,1 und 2 µm verwendet wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei ein Pulver (5) verwendet wird, das Al2O3 enthält.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei zur Bildung des Stapels (2a) Schichten (3) verwendet werden, die als Keramikmaterial Al2O3 und als Sinterhilfsmittel Glas enthalten.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei ein Stapel (2a) verwendet wird, der die Form einer Platte aufweist, wobei die Platte eine Grundfläche von wenigstens 18 cm × 18 cm und eine Höhe (H) von 0,5 bis 3 mm aufweist.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei das Sintern bei einer Temperatur erfolgt, die kleiner als 1000°C ist, und wobei die Zwangsschicht (4) während des Sinterns des Stapels (2a) nicht sintert.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei das Entfernen der Zwangsschicht (4) durch Abkratzen, Absputtern oder Sandstrahlen erfolgt.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei ein Stapel (2a) verwendet wird, bei dem zwischen zwei Schichten (3) Leiterbahnen (10) angeordnet sind.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei eine Schicht (3) eine elektrisch leitfähige Durchführung (11) enthält, die zwei auf verschiedenen Seiten der Schicht (3) angeordnete Leiterbahnen (10) miteinander verbindet.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, wobei eine zweite Zwangsschicht (12) durch Aufpressen eines Pulvers (5) auf die Oberfläche (13) der untersten Schicht (14) des Stapels (2a) gebildet wird.
DE10145362A 2001-09-14 2001-09-14 Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats Expired - Lifetime DE10145362C2 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10145362A DE10145362C2 (de) 2001-09-14 2001-09-14 Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats
PCT/DE2002/002963 WO2003028085A2 (de) 2001-09-14 2002-08-13 Verfahren zur herstellung eines keramischen substrats

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10145362A DE10145362C2 (de) 2001-09-14 2001-09-14 Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10145362A1 DE10145362A1 (de) 2003-04-17
DE10145362C2 true DE10145362C2 (de) 2003-10-16

Family

ID=7699048

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10145362A Expired - Lifetime DE10145362C2 (de) 2001-09-14 2001-09-14 Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE10145362C2 (de)
WO (1) WO2003028085A2 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6714433B2 (ja) * 2016-06-02 2020-06-24 日本碍子株式会社 多孔質セラミック構造体及びその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69106830T2 (de) * 1990-10-04 1995-08-31 Du Pont Verfahren zum Vermindern des Schrumpfens beim Brennen keramischer Körper.
DE19710187A1 (de) * 1996-03-13 1997-09-18 Sumitomo Metal Smi Electronics Verfahren zum Herstellen eines Keramikmehrschichtsubstrats

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2785544B2 (ja) * 1991-10-04 1998-08-13 松下電器産業株式会社 多層セラミック基板の製造方法
US6228196B1 (en) * 1998-06-05 2001-05-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of producing a multi-layer ceramic substrate
JP3656484B2 (ja) * 1999-03-03 2005-06-08 株式会社村田製作所 セラミック多層基板の製造方法
JP3687484B2 (ja) * 1999-06-16 2005-08-24 株式会社村田製作所 セラミック基板の製造方法および未焼成セラミック基板
JP2001230548A (ja) * 2000-02-21 2001-08-24 Murata Mfg Co Ltd 多層セラミック基板の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69106830T2 (de) * 1990-10-04 1995-08-31 Du Pont Verfahren zum Vermindern des Schrumpfens beim Brennen keramischer Körper.
DE19710187A1 (de) * 1996-03-13 1997-09-18 Sumitomo Metal Smi Electronics Verfahren zum Herstellen eines Keramikmehrschichtsubstrats

Also Published As

Publication number Publication date
DE10145362A1 (de) 2003-04-17
WO2003028085A2 (de) 2003-04-03
WO2003028085A3 (de) 2003-11-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60011515T2 (de) Herstellung von Keramiksubstraten und ungesintertes Keramiksubstrat
DE3738343C2 (de)
DE69733714T2 (de) Verfahren zur kontrolle der kavitätabmessungen gebrannter vielschichtschaltungsplatinen auf einem träger
DE10042909C2 (de) Mehrlagiges Keramiksubstrat und Verfahren zur Herstellung desselben
DE69835659T2 (de) Mehrschichtiges keramisches Substrat mit einem passiven Bauelement, sowie Herstellungsverfahren
DE3612084C2 (de)
DE19628680A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines mehrschichtigen Keramiksubstrats
DE2264943B2 (de) Mehrlagiger Schaltungsaufbau und Verfahren zur Herstellung desselben
EP1208573B1 (de) Anode für elektrolytkondensatoren, elektrolyt-kondensator und verfahren zur herstellung der anode
DE112006000519B4 (de) Integrierter Dünnschicht-Kondensator mit optimierter Temperaturkennlinie
WO2000004577A1 (de) Verfahren zur herstellung eines keramischen körpers mit einem integrierten passiven elektronischen bauelement, derartiger körper und verwendung des körpers
DE2451236A1 (de) Verfahren zum herstellen keramischer dialektrika
DE10120517B4 (de) Elektrischer Vielschicht-Kaltleiter und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1425167B1 (de) Verfahren zur herstellung eines keramischen substrats und keramisches substrat
DE19609221C1 (de) Verfahren zur Herstellung von keramischen Mehrschichtsubstraten
DE60111302T2 (de) Laminiertes elektronisches Bauteil, Verfahren zur Herstellung und elektronische Einrichtung
DE10145362C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats
DE2461996A1 (de) Mehrschichtige schaltkreisstrukturmatrix und verfahren zu ihrer herstellung
DE10038429C2 (de) Verbundlaminat und Verfahren zur Herstellung desselben
DE10039649B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines keramischen Vielschichtbauelements und entsprechendes Vielschichtbauelement
DE102004047007B4 (de) Verfahren für das Herstellen eines Keramiksubstrats für elektronische Dünnschicht-Bauelemente
DE10218154A1 (de) PTC-Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1445795B1 (de) Verfahren zum Herstellen von Schaltungsträgern mit integrierten passiven Bauelementen
DE10145364A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats
DE102016214265B4 (de) Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung einer solchen Leiterplatte

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8304 Grant after examination procedure
8364 No opposition during term of opposition
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: TDK ELECTRONICS AG, DE

Free format text: FORMER OWNER: EPCOS AG, 81669 MUENCHEN, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHA, DE

R071 Expiry of right