DE10145362C2 - Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines
keramischen Substrats, wobei ein Grundkörper bereitgestellt
wird, der einen Stapel von übereinanderliegenden Schichten
aufweist. Die Schichten des Stapels enthalten ein ungesinter
tes Keramikmaterial. In einem darauffolgenden Schritt wird
der Stapel gesintert.
Verfahren der eingangs genannten Art werden verwendet zur
Herstellung von keramischen Vielschichtsubstraten, in die
passive Bauelemente integriert werden können. Aus der Druck
schrift DE 197 10 187 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung
eines Keramikmehrschichtsubstrats bekannt, bei dem mehrere
Rohlagen eines Keramikmaterials übereinandergestapelt und
miteinander verpresst werden. Zwischen den Rohlagen ist ein
Leitermuster gebildet. Dieses Leitermuster kann beispielswei
se ein passives Bauelement repräsentieren.
Auf der Oberfläche des Substrats können mittels Verbindungs
technologien, wie SMD, Wire-Bonding oder auch Flip-Chip-
Montage aktive Bauelemente montiert werden. Dadurch entstehen
aus den keramischen Substraten multifunktionale Module, die
insbesondere geeignet sind, Platz einzusparen.
Aufgrund des geringen Platzbedarfs finden die genannten Modu
le insbesondere Anwendungen auf dem Gebiet der Endgeräte des
Mobilfunksektors. Das eingangs genannte Verfahren hat den
Nachteil, daß die ungesintertes Keramikmaterial enthaltenden
Schichten während des Sinterns parallel zur Schichtebene
schrumpfen. Zusätzlich tritt der Effekt des Schrumpfens in
Richtung der Schichtdicke auf. Das Schrumpfen der Schichten
hat den Nachteil, daß das Bauelement nach dem Sintern Endab
messungen aufweist, die nur sehr eingeschränkt durch die An
fangsabmessungen des bereitgestellten Stapels vorgegeben werden
können. Daraus resultiert eine relativ starke Streuung
der Dimensionen der keramischen Substrate.
Es wird das Ziel verfolgt, für die Schichten des Stapels auch
unterschiedliche Keramikmaterialien zu verwenden. Da unter
schiedliche Keramikmaterialien im allgemeinen unterschiedlich
stark beim Sintern schrumpfen, resultiert
daraus das Problem, daß bei unterschiedlichem Schrumpfen der
Schichten eine mechanische Instabilität des keramischen
Substrats auftreten kann. Analog dem Bimetalleffekt kann es
zum Beispiel passieren, daß das keramische Substrat sich
verbiegt. Desweiteren ist es möglich, daß sich bei stark
unterschiedlichem Schrumpfungsverhalten die einzelnen
Schichten voneinander ablösen (Delamination). Da die
Formstabilität des keramischen Substrats beziehungsweise die
mechanische Stabilität des keramischen Substrats darunter
stark leidet, ist ein solches Verhalten unerwünscht.
Aus der Druckschrift DE 691 06 830 T2 ist ein Verfahren der
eingangs genannten Art bekannt, mit dessen Hilfe das
Schrumpfen der Schichten des Stapels in lateraler Richtung
vermindert werden soll. Dazu wird vor dem Sintern des Stapels
eine flexible Zwangsschicht auf der Oberfläche des Stapels
angewandt, wobei die flexible Zwangsschicht fein verteilte
Teilchen aus anorganischen Feststoffen umfaßt, die in einem
verdampfbaren polymeren Bindemittel dispergiert sind. Die
Schichten des in der Entgegenhaltung verwendeten
Schichtstapels enthalten ebenfalls ein polymeres Bindemittel
und zusätzlich ein anorganisches Bindemittel. Aus der
obersten Schicht des Schichtstapels dringt das anorganische
Bindemittel in die Zwangsschicht ein. Durch die Flexibilität
der Zwangsschicht soll erreicht werden, daß sich die
Zwangsschicht der jeweiligen Oberflächentopologie der
obersten Schicht des Stapels gut anpaßt. Dies gelingt jedoch
im Bereich von Vertiefungen (Kavitäten) nur unvollkommen, so
daß an diesen Stellen trotzdem eine erhebliche Änderung der
geometrischen Abmessungen des keramischen Substrats während
des Sinterns auftritt. Durch das Eindringen des anorganischen
Bindemittels von der obersten Schicht des Schichtstapels in
die Zwangsschicht wird dafür Sorge getragen, daß eine
ausreichende mechanische Haftung der Zwangsschicht auf der
obersten Schicht des Schichtstapels gewährleistet ist. Da die
Zwangsschicht zur Bildung ihrer Flexibilität ein polymeres
Bindemittel enthält, das während des Sinterns beziehungsweise
vor dem Sintern des Keramiksubstrats verflüchtigt werden muß,
wird auch das Verflüchtigen des in den Schichten des
Schichtstapels vorhandenen polymeren Bindemittels behindert.
Um überhaupt ein Verflüchtigen des polymeren Bindemittels,
das im Schichtstapel vorhanden ist, zu ermöglichen, wird die
Zwangsschicht als poröse Schicht ausgebildet. Die
Durchdringung der Zwangsschicht mit dem anorganischen
Bindemittel des keramischen Körpers darf nicht mehr als 50 µm
betragen, da ansonsten das Entfernen der Zwangsschicht im
Anschluß an das Sintern des Grundkörpers stark erschwert
wird. Eine zu geringe Durchdringung der Zwangsschicht mit dem
anorganischen Bindemittel ist allerdings auch nicht
erwünscht, da ansonsten die Zwangsschicht nicht ausreichend
fest auf der Oberfläche des Schichtstapels haftet. Für die
Zwangsschicht wird ein Material verwendet, das während der
Sinterung des Schichtstapels nicht mitsintert und somit auch
keiner Schrumpfung, insbesondere in lateraler Richtung,
unterliegt. Dieses fehlende Schrumpfen der Zwangsschicht
überträgt sich unmittelbar auf die oberste Schicht des
Schichtstapels, die aufgrund der relativ festen Anbindung an
die Zwangsschicht am Schrumpfen gehindert wird. Durch die
oberste Schicht des Schichtstapels werden auch die im
folgenden weiter unterhalb der obersten Schicht des
Schichtstapels angeordneten Schichten am Schrumpfen
gehindert, und zwar in dem Maße, wie die Schichtdicke der
einzelnen Schichten und die Festigkeit ihrer mechanischen
Anbindung untereinander dies zulassen. Je stärker die
mechanische Kopplung zwischen den Schichten des
Schichtstapels ist, um so geringer ist die laterale
Schrumpfung der einzelnen Schichten.
Das bekannte Verfahren hat den Nachteil, daß die
Zwangsschicht aufgrund ihres Gehaltes an einem polymeren
Bindemittel das Verflüchtigen des polymeren Bindemittels aus
den Schichten des Schichtstapels behindert. Darüber hinaus
hat das bekannte Verfahren den Nachteil, daß die
Zwangsschicht zwar flexibel ist, jedoch nicht so flexibel,
daß sie sich allen möglichen Vertiefungen und
Oberflächenstrukturen der obersten Schicht des Schichtstapels
gut anpassen kann. Dadurch wird an kritischen Stellen der
obersten Schicht des Schichtstapels ein erhebliches
Schrumpfen in lateraler Richtung nicht verhindert.
Ziel der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Verfahren
zur Herstellung eines keramischen Substrats bereitzustellen,
mit dessen Hilfe das Schrumpfen des Schichtstapels während
des Sinterns auch an Vertiefungen der obersten Schicht des
Schichtstapels vermindert werden kann.
Die Erfindung gibt ein Verfahren zur Herstellung eines
keramischen Substrats an, das folgende Schritte enthält:
- a) Bereitstellen eines Grundkörpers, der einen Stapel von übereinanderliegenden Schichten aufweist. Die übereinanderliegenden Schichten enthalten ein ungesintertes Keramikmaterial
- b) Bilden einer Zwangsschicht durch Aufpressen eines Pulvers auf der Oberfläche der obersten Schicht des Stapels
- c) Sintern des Stapels
- d) Entfernen der Zwangsschicht.
Die Zwangsschicht wird gemäß der Erfindung gebildet durch
Aufpressen eines Pulvers auf der Oberfläche der obersten
Schicht des Stapels. Ein Pulver ist bezüglich seiner Form
sehr beweglich und kann auch in Hohlräume beziehungsweise in
Vertiefungen leicht eindringen oder sich anderen
Oberflächenstrukturen des Stapels leicht anpassen und so
einen durchgehenden Schutz vor zu starker Schrumpfung in
lateraler Richtung während des Sinterns des Schichtstapels
bewirken.
Desweiteren hat das erfindungsgemäße Verfahren den Vorteil,
daß die Festigkeit der Zwangsschicht durch Pressen
hergestellt wird, wodurch auf ein polymeres Bindemittel in
der Zwangsschicht verzichtet werden kann. Der Verzicht auf
ein polymeres Bindemittel in der Zwangsschicht hat zur Folge,
daß das Verflüchtigen von gegebenenfalls in den Schichten des
Schichtstapels vorhandenen polymeren Bindemitteln nicht stark
behindert wird.
In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung erfolgt
das Bilden der Zwangsschicht unter Anwendung einer Abfolge
von Schritten, die die folgenden beiden Schritte beinhaltet:
- a) Herstellen einer Pulverschüttung auf der Oberfläche der obersten Schicht des Stapels
- b) Pressen der Pulverschüttung auf die oberste Schicht des Stapels.
Durch dieses Verfahren kann der Vorteil erzielt werden, daß
während der Herstellung der Pulverschüttung, also so lange
das Pulver noch ohne äußeren Druck und damit sehr beweglich
ist, alle möglichen Oberflächenstrukturen der obersten
Schicht des Stapels mit dem Pulver ausgefüllt werden können,
wodurch besonders effektiv ein durchgehender Schutz vor zu
starkem lateralen Schrumpfen der obersten Schicht des
Schichtstapels und damit der weiteren Schichten des
Schichtstapels bewirkt werden kann. Erst nachdem die
Pulverschüttung hergestellt worden ist und nachdem alle
Vertiefungen der obersten Schicht des Schichtstapels mit
Pulver aufgefüllt sind, erfolgt das Pressen der
Pulverschüttung und damit das Verhärten der Zwangsschicht
beziehungsweise das Erzielen einer mechanischen Stabilität
der Zwangsschicht.
Die Zwangsschicht entsteht im Normalfall als poröse Schicht.
Eine poröse Zwangsschicht hat den Vorteil, daß gegebenenfalls
in den Schichten des Schichtstapels vorhandene flüchtige
Bestandteile leicht ausgetrieben werden können, da sie durch
die Poren der Zwangsschicht vom Inneren des Schichtstapels
nach außen dringen können.
Um die oberste Schicht des Schichtstapels beim Pressen des
Pulvers möglichst geringen mechanischen Belastungen
auszusetzen, und um insbesondere eine ungleichmäßige
Verteilung des beim Pressen der Pulverschüttung auftretenden
Drucks zu vermeiden, ist es vorteilhaft, wenn dem Pulver vor
dem Pressen ein Preßhilfsmittel beigefügt wird. Ein solches
Preßhilfsmittel hat die Eigenschaft, daß es die Reibung
zwischen den einzelnen Körnern des Pulvers herabsetzt,
wodurch die innere Reibung des Pulvers vermindert wird.
Gleichzeitig wird dadurch ein Druckausgleich während des
Pressens erreicht, wodurch die Oberfläche der obersten
Schicht des Schichtstapels während des Pressens gleichmäßig
mit dem Preßdruck belastet wird.
Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform des Verfahrens kann
ein Stapel verwendet werden, dessen Schichten ein Bindemittel
enthalten, während die Zwangsschicht frei von Bindemitteln
ist. Dadurch kann insbesondere Sorge dafür getragen werden,
daß das in dem Innern des Stapels vorhandene Bindemittel
leicht durch die von Bindemittel freie Zwangsschicht aus dem
Stapel ausgetrieben werden kann.
Die Dicke der Zwangsschicht kann beispielsweise zwischen 0,1 mm
und 5 mm betragen. Vorteilhafterweise beträgt die Dicke
der Zwangsschicht zwischen 0,3 und 0,7 mm.
Das Aufpressen des Pulvers kann mit einem Druck von 50 bis
200 MPa erfolgen. Durch einen solchen Druck kann erreicht
werden, daß die Körner des Pulvers zusammenbacken und eine
Zwangsschicht mit ausreichender mechanischer Stabilität
entsteht, um das Schrumpfen der Schichten des Schichtstapels
während des Sinterns zu vermindern. Mit üblichen
Pressvorrichtungen erreichbare Drücke liegen zwischen 60 und
150 MPa.
Besonders vorteilhaft ist das Verfahren anzuwenden bei
Keramiksubstraten, bei denen die oberste Schicht des
Schichtstapels eine Vertiefung aufweist. Durch die Verwendung
von einer Zwangsschicht, die aus einem gepreßten Pulver
hervorgeht, können Vertiefungen und weitere
Oberflächenstrukturen leicht mit dem Pulver und damit mit der
Zwangsschicht vollständig aufgefüllt werden.
Desweiteren wird vorteilhaft ein Pulver mit einer Korngröße
zwischen 0,1 µm und 2 µm verwendet.
Das Pulver kann beispielsweise Körner aus Al2O3 enthalten.
Ebenfalls können die Schichten des Schichtstapels als
Keramikmaterial Al2O3 enthalten. Als Sinterhilfsmittel kann
vorzugsweise Glas verwendet werden.
Die Schichten des Schichtstapels können jedoch auch als
keramische Feststoff-Komponente Bariumtitanat,
Kalziumtitanat, Strontiumtitanat, Bleititanat, CaZrO3,
BaZrO3, BaSnO3, Metallcarbide wie Siliziumcarbid,
Metallnitride wie Aluminiumnitrid, Mineralien wie Mullit und
Kyanit, Zirkoniumdioxid oder auch verschiedene Arten von
Siliziumdioxid enthalten. Selbst Gläser mit hohem
Erweichungspunkt können als die keramische Komponente
verwendet werden, vorausgesetzt, daß sie ausreichend hohe
Erweichungspunkte haben. Weiterhin können Mischungen
derartiger Materialien für die keramische Feststoff-
Komponente der Schichten des Schichtstapels verwendet werden.
Als Sinterhilfsmittel können die Schichten des Stapels Glas,
beispielsweise SiO2 mit Ca zur Bildung von Anorthit
(CaAl2Si2O8) in Verbindung mit Al2O3 als keramischem
Bestandteil der Schichten enthalten.
Die Verwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens zur
Herstellung von keramischen Substraten ermöglicht
insbesondere die Verwendung von Schichtstapeln, die die Form
einer Platte aufweisen, wobei die Platte eine Grundfläche von
wenigstens 18 cm × 18 cm und eine Höhe von 0,5 bis 3 mm
aufweist. Mittels einer solchen Platte können in einem
einzigen Herstellungsschritt ein großflächiges, oder durch
nachfolgendes Zerteilen des großflächigen Substrates, eine
Vielzahl von kleinen Substraten hergestellt werden.
Es ist darüber hinaus besonders vorteilhaft, wenn das Sintern
des Schichtstapels bei einer Temperatur von weniger als
1000°C erfolgt, da in diesem Fall ein LTCC-Sinterprozeß
vorliegt, der die Verwendung von Silberverbindungen für
Leiterstrukturen im Innern des Substrats ermöglicht, was zu
niedrigeren Verlusten innerhalb des Bauelements führt. Die
Verwendung von Silber hat darüber hinaus den Vorteil, daß es
im Gegensatz zu dem bei höheren Sintertemperaturen
erforderlichen Platin leichter und billiger verfügbar ist.
Besonders vorteilhaft ist es desweiteren, wenn bei der
Sintertemperatur, bei der der Stapel gesintert wird, die
Zwangsschicht nicht sintert. Dies bedeutet, daß die
Zwangsschicht ihre ursprüngliche Form weitgehend beibehält
und somit wirksam das Schrumpfen der Schichten des Stapels in
lateraler Richtung vermindern kann.
Das Entfernen der Zwangsschicht im Anschluß an das Sintern
des Stapels kann beispielsweise durch Abkratzen, Absputtern
oder Sandstrahlen erfolgen.
Es ist desweiteren vorteilhaft, wenn zusätzlich zur Oberseite
des Schichtstapels auch auf der Unterseite des Schichtstapels
durch Aufpressen eines Pulvers eine zweite Zwangsschicht auf
der Oberfläche der untersten Schicht des Schichtstapels
gebildet wird. Dadurch kann das Schrumpfen der Schichten des
Schichtstapels von zwei Seiten her vermindert werden, was
insgesamt eine noch geringere Schrumpfung zur Folge hat.
Es kommt insbesondere in Betracht, als Stapel einen
Schichtstapel zu verwenden, bei dem zwischen zwei Schichten
Leiterbahnen angeordnet sind. Diese Leiterbahnen können
verwendet werden zur Herstellung einer Verdrahtung zwischen
auf der Oberfläche des Keramiksubstrats angeordneten aktiven
Bauelementen und im Innern des Keramiksubstrats angeordneten
passiven Bauelementen. Die Leiterbahnen beziehungsweise
elektrisch leitenden Flächen zwischen zwei Schichten des
Schichtstapels können auch dazu verwendet werden, passive
Bauelemente, beispielsweise Kondensatoren oder Spulen zu
realisieren.
Um die zwischen den Schichten angeordneten Leiterbahnen
miteinander zu kontaktieren, ist es vorteilhaft, wenn eine
Schicht im Stapel eine Durchführung enthält, die elektrisch
leitfähig ist und die auf zwei verschiedenen Seiten der
Schicht angeordnete Leiterbahnen miteinander verbindet.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von
Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher
erläutert.
Fig. 1 zeigt das Aufpressen eines Pulvers auf die
Oberfläche der obersten Schicht im Rahmen des
erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines
keramischen Substrats anhand einer Anordnung zum
Aufpressen des Pulvers in einem schematischen
Querschnitt.
Die Fig. 2 und 3 zeigen ein keramisches Substrat
hergestellt nach dem erfindungsgemäßen Verfahren
nach dem Sintern, einmal mit zwei Zwangsschichten,
jeweils eine davon auf der Unterseite und eine auf
der Oberseite (Fig. 2) und einmal mit nur einer
Zwangsschicht auf der Oberseite des Substrats
(Fig. 3).
Fig. 4 zeigt ein LTCC-Substrat in einem schematischen
Querschnitt, hergestellt mit dem erfindungsgemäßen
Verfahren.
Fig. 1 zeigt einen Grundkörper 2 mit einem Stapel 2a von
übereinanderliegenden Schichten 3. Die Schichten 3 enthalten
ungesintertes Keramikmaterial. Der Grundkörper 2 ist in eine
Preßform eingelegt, die einen Boden 21 und Seitenwände 22
aufweist. Zwischen dem Boden 21 und dem Grundkörper 2 ist ein
Pulver 5 in Form einer Schüttung angeordnet, das zu einer
zweiten Zwangsschicht 12 zu verpressen ist. Die Oberfläche 13
der untersten Schicht 14 des Stapels 2a liegt direkt auf der
Pulverschüttung auf. Auf der Oberfläche 6 der obersten
Schicht 7 des Stapels 2a ist wiederum eine Schüttung 8 aus
Pulver 5 angeordnet, die zu einer Zwangsschicht 4 zu
verpressen ist. Das Verpressen des Pulvers 5 unterhalb des
Schichtstapels 2a beziehungsweise des Pulvers 5 oberhalb des
Schichtstapels 2a mit dem Schichtstapel 2a geschieht durch
Aufpressen eines Stempels 23, der mit einer Kraft F gegen den
Boden 21 der Preßkammer gepreßt wird. Dabei wird ein Druck
von 60 bis 150 MPa angewendet.
Eine in der obersten Schicht 7 angeordnete Vertiefung 9 kann
mit dem Pulver 5 auf leichte Art und Weise einfach durch
Einschütten des Pulvers 5 in die Vertiefung 9 vollständig
aufgefüllt werden, wodurch die aus dem Pulver 5 auf der
Oberseite des Schichtstapels 2 des Stapels 2a zu bildende
Zwangsschicht 4 die Vertiefung 9 vollständig ausfüllt, und
wodurch insbesondere an der Stelle der Vertiefung eine
erhöhte Maßhaltigkeit des herzustellenden Substrats während
des Sinterns erwartet werden kann.
Die Fig. 2 und 3 zeigen jeweils einen Stapel 2a von
übereinanderliegenden Schichten 3, wobei das keramische
Substrat 1 bereits durch Sintern des Stapels 2a fast
fertiggestellt ist. Der während des Sinterns auftretende
Schrumpf der einzelnen Schichten 3 erzeugt die in Fig. 2
gezeigte gekrümmte Außenkontur des keramischen Substrats 1.
Da sich gemäß Fig. 2 auf der Oberseite eine Zwangsschicht 4
und auf der Unterseite eine zweite Zwangsschicht 12 befindet,
ist der maximale Schrumpf bei der Herstellung des Substrats 1
in der Region der mittleren Schichten 3 aufgetreten.
Demgegenüber ist gemäß Fig. 3 die größte Veränderung der
Außenkontur beziehungsweise das maximale Schrumpfen der das
Substrat 1 bildenden Schichten 3 in dem Bereich der unteren
Schichten 3 aufgetreten, da in diesem Fall nur auf der
Oberfläche der obersten Schicht 7 eine Zwangsschicht 4
angeordnet ist.
Die Fig. 2 und 3 zeigen, daß es vorteilhaft ist, sowohl
auf der Oberseite als auch auf der Unterseite des Stapels 2a
jeweils eine Zwangsschicht 4, 12 vorzusehen, da dadurch eine
Veränderung der geometrischen Abmessungen des herzustellenden
Substrats während des Sinterns am meisten vermindert werden
kann.
Fig. 4 zeigt ein mit dem erfindungsgemäßen Verfahren fertig
hergestelltes keramisches Substrat 1, bei dem die
Zwangsschichten bereits entfernt worden sind. Das Substrat 1
ist hergestellt aus einem Stapel 2a von übereinanderliegenden
Schichten 3, die ein ungesintertes Keramikmaterial enthalten,
wobei das ungesinterte Keramikmaterial durch Sintern in ein
gesintertes Keramikmaterial übergeführt worden ist. Auf der
Oberseite der obersten Schicht 3 des keramischen Substrats 1
sind Bauelemente 18, 19 angeordnet, wobei das erste
Bauelemente 18 durch Drahtbonden und anschließendes Vergießen
und das zweite Bauelement 19 durch Flip-Chip-Montage auf der
Oberfläche des keramischen Substrats befestigt ist. Die
beiden Bauelemente 18, 19 können beispielsweise keramische
Mikrowellenfilter sein. Auf der Unterseite des keramischen
Substrats 1 sind Metallisierungen 20 angeordnet, an denen das
Substrat 1 auf eine Leiterplatte gelötet und mithin mit
weiteren elektronischen Bauelementen elektrisch in Kontakt
gebracht werden kann. Auch auf der Oberseite des Substrats 1
sind Metallisierungen 20 angeordnet, auf denen die
Bauelemente 18, 19 befestigt werden können. Das Substrat 1
weist eine Höhe H von 1 mm auf. Die Zahl der Schichten 3
beträgt sechs.
Im Innern des Substrats 1 befinden sich Verdrahtungsebenen,
die durch Leiterbahnen 10 realisiert werden. Dabei befindet
sich eine Verdrahtungsebene immer an der Grenzfläche zwischen
zwei Schichten 3. Die Leiterbahnen 10 können beispielsweise
durch eine silberhaltige Siebdruckpaste gebildet werden.
Darüber hinaus weist eine Schicht 3 auch Durchführungen 11
auf, die Leiterbahnen 10 miteinander kontaktiert, die auf
zwei gegenüberliegenden Seiten der Schicht 3 liegen. In den
Durchführungen 11 sind elektrisch leitende Materialien
angeordnet, die vorteilhafterweise die Durchführungen 11
auffüllen.
Im oberen Bereich des Substrats 1 sind zwei der Schichten 3
als Schichten 15 mit hohem ∈ (= Dielektrizitätskonstante)
ausgebildet. Ein solches ∈ kann beispielsweise ∈ = 20 sein.
Durch entsprechend ausgebildete Leiterbahnen 10
beziehungsweise elektrisch leitende Flächen 24 in den
Verdrahtungsebenen können passive Komponenten wie
Kondensatoren 17 in das Substrat 1 integriert sein. Gemäß
Fig. 4 sind elektrisch leitende Flächen 24 an den
Grenzschichten zwischen zwei Schichten 3 so angeordnet und
durch Durchführungen 11 miteinander verbunden, daß
ineinandergreifende Kammstrukturen, wie sie aus
Vielschichtkondensatoren bekannt sind, entstehen. Durch das
Aufdrucken einer Widerstandspaste 25 vor dem Verstapeln der
Schichten 3 an der Grenzflächen zwischen den Schichten 3
können auch integrierte Widerstände als Passivkomponenten im
Substrat 1 hergestellt werden. Durch Ausbilden von
Leiterbahnen 10 in Form von spiralförmigen Bahnen und durch
Aneinanderreihen von übereinander gestapelten spiralförmigen
Bahnen können auch integrierte Spulen 16 in dem Substrat 1
hergestellt werden.
Die dargestellte Erfindung wird vorzugsweise für Stapel 2a
verwendet, die aus im wesentlichen entlang von Ebenen
verlaufenden Schichten 3 hergestellt sind. Es ist jedoch auch
denkbar, die Erfindung auf gekrümmte Substrate anzuwenden,
wobei die Schichten 3 dann nicht entlang einer Ebene sondern
entlang von gekrümmten Kurven verlaufen.
Claims (17)
1. Verfahren zur Herstellung eines keramischen Substrats (1)
mit folgenden Schritten:
- a) Bereitstellen eines Grundkörpers (2) mit einem Stapel (2a) von übereinanderliegenden Schichten (3), die ein ungesintertes Keramikmaterial enthalten
- b) Bilden einer Zwangsschicht (4) durch Aufpressen eines Pulvers (5) auf der Oberfläche (6) der obersten Schicht (7) des Stapels (2a)
- c) Sintern des Stapels (2a)
- d) Entfernen der Zwangsschicht (4)
2. Verfahren nach Anspruch 1,
wobei das Bilden der Zwangsschicht (4) folgende Schritte
beinhaltet:
- a) Herstellen einer Pulverschüttung (8) auf der Oberfläche (6) der obersten Schicht (7) des Stapels (2a)
- b) Pressen der Pulverschüttung (8) auf die oberste Schicht (7) des Stapels (2a).
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 2,
wobei eine poröse Zwangsschicht (4) gebildet wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
wobei das Pulver (5) vor dem Pressen mit einem
Preßhilfsmittel versetzt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
wobei ein Stapel (2a) verwendet wird, dessen Schichten (3)
ein Bindemittel enthalten und wobei eine Zwangsschicht (4)
gebildet wird, die frei von Bindemittel ist.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
wobei eine Zwangsschicht (4) gebildet wird, die eine Dicke
zwischen 0,1 mm und 5 mm aufweist.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
wobei das Aufpressen des Pulvers (5) mit einem Druck von 50
bis 200 MPa erfolgt.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
wobei ein Stapel (2a) von Schichten (3) verwendet wird, dessen oberste Schicht (7) an ihrer Oberfläche (6) eine Vertiefung (9) aufweist,
und wobei das Pulver (5) in die Vertiefung (9) gepreßt wird.
wobei ein Stapel (2a) von Schichten (3) verwendet wird, dessen oberste Schicht (7) an ihrer Oberfläche (6) eine Vertiefung (9) aufweist,
und wobei das Pulver (5) in die Vertiefung (9) gepreßt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
wobei ein Pulver (5) mit einer Korngröße zwischen 0,1 und 2 µm
verwendet wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9,
wobei ein Pulver (5) verwendet wird, das Al2O3 enthält.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
wobei zur Bildung des Stapels (2a) Schichten (3) verwendet
werden, die als Keramikmaterial Al2O3 und als
Sinterhilfsmittel Glas enthalten.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11,
wobei ein Stapel (2a) verwendet wird, der die Form einer
Platte aufweist, wobei die Platte eine Grundfläche von
wenigstens 18 cm × 18 cm und eine Höhe (H) von 0,5 bis 3 mm
aufweist.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12,
wobei das Sintern bei einer Temperatur erfolgt, die kleiner
als 1000°C ist, und wobei die Zwangsschicht (4) während des
Sinterns des Stapels (2a) nicht sintert.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13,
wobei das Entfernen der Zwangsschicht (4) durch Abkratzen,
Absputtern oder Sandstrahlen erfolgt.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14,
wobei ein Stapel (2a) verwendet wird, bei dem zwischen zwei
Schichten (3) Leiterbahnen (10) angeordnet sind.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15,
wobei eine Schicht (3) eine elektrisch leitfähige
Durchführung (11) enthält, die zwei auf verschiedenen Seiten
der Schicht (3) angeordnete Leiterbahnen (10) miteinander
verbindet.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16,
wobei eine zweite Zwangsschicht (12) durch Aufpressen eines
Pulvers (5) auf die Oberfläche (13) der untersten Schicht
(14) des Stapels (2a) gebildet wird.
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6714433B2 (ja) * | 2016-06-02 | 2020-06-24 | 日本碍子株式会社 | 多孔質セラミック構造体及びその製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69106830T2 (de) * | 1990-10-04 | 1995-08-31 | Du Pont | Verfahren zum Vermindern des Schrumpfens beim Brennen keramischer Körper. |
DE19710187A1 (de) * | 1996-03-13 | 1997-09-18 | Sumitomo Metal Smi Electronics | Verfahren zum Herstellen eines Keramikmehrschichtsubstrats |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2785544B2 (ja) * | 1991-10-04 | 1998-08-13 | 松下電器産業株式会社 | 多層セラミック基板の製造方法 |
US6228196B1 (en) * | 1998-06-05 | 2001-05-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing a multi-layer ceramic substrate |
JP3656484B2 (ja) * | 1999-03-03 | 2005-06-08 | 株式会社村田製作所 | セラミック多層基板の製造方法 |
JP3687484B2 (ja) * | 1999-06-16 | 2005-08-24 | 株式会社村田製作所 | セラミック基板の製造方法および未焼成セラミック基板 |
JP2001230548A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-24 | Murata Mfg Co Ltd | 多層セラミック基板の製造方法 |
-
2001
- 2001-09-14 DE DE10145362A patent/DE10145362C2/de not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-08-13 WO PCT/DE2002/002963 patent/WO2003028085A2/de not_active Application Discontinuation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69106830T2 (de) * | 1990-10-04 | 1995-08-31 | Du Pont | Verfahren zum Vermindern des Schrumpfens beim Brennen keramischer Körper. |
DE19710187A1 (de) * | 1996-03-13 | 1997-09-18 | Sumitomo Metal Smi Electronics | Verfahren zum Herstellen eines Keramikmehrschichtsubstrats |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10145362A1 (de) | 2003-04-17 |
WO2003028085A2 (de) | 2003-04-03 |
WO2003028085A3 (de) | 2003-11-06 |
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