DE10142682A1 - Modul mit Speicherbausteinen und einer zentralen Schaltung zur Erzeugung von Spannungen - Google Patents
Modul mit Speicherbausteinen und einer zentralen Schaltung zur Erzeugung von SpannungenInfo
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Abstract
Es wird ein Modul beschrieben, das Speicherbausteine und eine externe Schaltung zum Erzeugen von Spannungen aufweist. Die externe Schaltung generiert aus der Versorgungsspannung verschiedene interne Spannungen, die den Speicherbausteinen zur Verfügung gestellt werden. Da die Spannungserzeugung außerhalb der Speicherbausteine erfolgt, wird im Speicherbaustein keine Verlustleistung erzeugt.
Description
Die Erfindung betrifft ein Modul mit Speicherbausteinen gemäß
dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Module mit Speicherbausteinen werden in verschiedensten Aus
führungsformen eingesetzt, um beispielsweise bei einem Compu
ter über ein einziges Modul eine Vielzahl von Speicherbau
steinen betreiben zu können. Dazu weist das Modul Anschlüsse
für die Versorgungsspannung, die Masse, Datenanschlüsse und
Steueranschlüsse auf. Das Modul wird in einen entsprechenden
Steckplatz beispielsweise eines Computers oder Mobiltelefons
eingesetzt. Damit wird eine kompakte und einfach zu handha
bende Bauform bereitgestellt, mit der mehrere Speicherbau
steine verbaut werden können.
Ein Speicherbaustein benötigt für seinen Betrieb verschiedene
interne Spannungen. Die Spannungen werden im Speicherbaustein
mit Hilfe von Spannungsgeneratoren aus extern angelegten
Spannungen wie der Versorgungsspannung und dem Massepotenzial
erzeugt. Die fortschreitende Erhöhung der Speicherdichte bei
Speicherbausteinen führt insgesamt zu einer Erhöhung der ab
gegebenen Verlustleistung, die beispielsweise auch durch die
Spannungsgeneratoren erzeugt wird.
Zur Reduzierung der Verlustleistung ist es bekannt, den Spei
cherbaustein mit geringeren Spannungen zu betreiben, verlust
ärmere Bauteile einzusetzen und die Spannungsversorgung in
einem Betriebszustand, in dem die Funktionsfähigkeit des
Speicherbausteins nicht erforderlich ist, weitgehend abzu
schalten. Damit wird insgesamt die Verlustleistung im Spei
cherbaustein reduziert.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Weiterentwick
lung des Speicherbausteins bereitzustellen, so dass die Ver
lustleistung auf dem Speicherbaustein weiter reduziert wird.
Die Aufgabe der Erfindung wird durch die Merkmale des An
spruchs 1 gelöst.
Ein wesentlicher Vorteil der Erfindung besteht darin, dass
eine externe Schaltung zur Erzeugung von Spannungen vorgese
hen ist, die den Speicherbaustein mit wenigstens einer Span
nung versorgt. Damit kann das Betreiben von Spannungsgenera
toren oder die Anordnung von Spannungsgeneratoren auf dem
Speicherbaustein vermieden werden. Somit wird die Erzeugung
von Verlustleistung auf dem Speicherbaustein reduziert. Zudem
wird Fläche auf dem Speicherbaustein eingespart. Somit wird
der Speicherbaustein zudem kostengünstiger.
Weitere vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in
den abhängigen Ansprüchen angegeben. In einer bevorzugten
Ausführungsform sind mehrere Speicherbausteine vorgesehen,
die über eine zentrale, externe Schaltung zur Erzeugung von
Spannungen mit verschiedenen Spannungen versorgt werden. Die
se Ausführungsform bietet den Vorteil, dass eine Schaltung
für mehrere Speicherbausteine verwendet werden kann. Damit
wird die Anordnung insgesamt kostengünstiger und benötigt we
niger Bauraum.
Vorzugsweise wird von der externen Schaltung neben den aus
der Versorgungsspannung generierten Spannungen zusätzlich die
Versorgungsspannung selbst und ein Massepotenzial an die
Speicherbausteine weitergeleitet. Somit ist es je nach Aus
führungsform des Speicherbausteins möglich, dass auf dem
Speicherbaustein wiederum ein Spannungsgenerator vorgesehen
ist, der aus der Versorgungsspannung in Abhängigkeit von der
Anwendung des Speicherbausteins oder dem Betriebszustand des
Speicherbausteins eine benötigte Spannung erzeugt.
Je nach Ausführungsform des Speicherbausteins ist es vorteil
haft, weniger Spannungsgeneratoren, vorzugsweise keine Span
nungsgeneratoren auf dem Speicherbaustein zur Erzeugung in
terner Spannungen vorzusehen. Damit wird der Aufbau des Spei
cherbausteins vereinfacht, Kosten werden eingespart und die
Erzeugung von Verlustleistung auf dem Speicherbaustein redu
ziert.
Eine besonders vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung be
steht darin, Speicherbausteine, die beispielsweise in mobilen
Geräten wie z. B. einem Laptop eingesetzt werden, in einen
Low-Power-Modus zu schalten, wenn die Funktionsweise des
Speicherbausteins nicht oder nur in reduzierter Funktion be
nötigt wird. Der Speicherbaustein wird im Low-Power-Modus
über die externe Schaltung mit den noch benötigten internen
Spannungen versorgt.
Eine erhöhte Flexibilität beim Einsatz von Spannungsgenerato
ren wird dadurch erreicht, dass der Speicherbaustein Span
nungsgeneratoren aufweist, die über Schalter aktivierbar
sind. Als Schalter können beispielsweise Bond-Drahtverbin
dungen verwendet werden.
In einer bevorzugten Ausführungsform wird von der Spannungs
quelle eine Spannung für den Speicherbaustein bereitgestellt,
die einen niedrigeren Wert als die Versorgungsspannung auf
weist. In dieser Ausführungsform kann vorzugsweise eine di
rekte Versorgung des Speicherbausteins mit der Versorgungs
spannung vorgesehen sein.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Figuren näher er
läutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Modul mit mehreren Speicherbausteinen,
Fig. 2 einen Speicherbaustein mit einem aktivierbaren Span
nungsgenerator,
Fig. 3 eine zweite Ausführungsform eines Speicherbausteins
und
Fig. 4 eine dritte Ausführungsform eines Speicherbausteins.
Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung eines Speichermo
duls 1, das mehrere Speicherbausteine 2 aufweist. Das Spei
chermodul ist auf einer Leiterplatte 3 aufgebaut. Die Leiter
platte weist Steckanschlüsse 4, 5, 16, 15 auf, mit denen die
Leiterplatte in eine entsprechend ausgebildete Steckleiste
zum elektrischen Kontaktieren eingesteckt werden kann. Die
Leiterplatte 3 weist einen ersten Steckanschluss 4 zum An
schluss der Versorgungsspannung VCC und einen zweiten Steck
anschluss 5 zum Anschluss eines Massepotenzials VSS auf. Der
erste und der zweite Steckanschluss 4, 5 sind über Leiterbah
nen mit einer externen Schaltung 6 zur Erzeugung von Spannun
gen verbunden. Die Schaltung 6 weist wiederum Ausgangsleitun
gen 7, 8, 9, 10 auf, die parallel zueinander entlang einer
Längskante der Leiterplatte geführt sind. Vorzugsweise ist
das Ende einer ersten Ausgangsleitung 7 mit dem Ende einer
zweiten Ausgangsleitung 8 über einen Kondensator 11 verbun
den. Ebenso ist vorzugsweise das Ende einer dritten Ausgangs
leitung 9 mit einem Ende einer vierten Ausgangsleitung 10
über einen weiteren Kondensator 11 verbunden. Mit den Kapazi
täten der Kondensatoren 11 werden die auf den Ausgangsleitun
gen 7, 8, 9, 10 anliegenden Spannungen stabilisiert und grö
ßere Spannungsschwankungen ausgeglichen.
In dem gewählten Ausführungsbeispiel sind vier Speicherbau
steine angeordnet, die vorzugsweise an jeweils ein Paar der
Ausgangsleitungen 7, 8, 9, 10 angeschlossen sind. Eine Lei
tung 7, 9 eines Paares ist dabei mit einer positiven Spannung
und die zweite Leitung 8, 10 des Paares mit einem Massepoten
zial beaufschlagt. Je nach Ausführungsform können die Spei
cherbausteine 2 mit einer unterschiedlichen Anzahl der Aus
gangsleitungen 7 bis 10 verbunden sein.
Die Speicherbausteine 2 weisen zudem Steuerleitungen 12 auf,
die an entsprechende Kontaktanschlüsse zum Zuführen von Steu
ersignalen angeschlossen sind. Weiterhin weisen die Speicher
bausteine 2 Datenleitungen 13 auf, die zum Austausch von Da
ten verwendet werden und an entsprechende Steckanschlüsse ge
führt sind. Die Steuerleitungen 12 und die Datenleitungen 13
sind mit weiteren Steckanschlüssen 16 der Leiterplatte 3 ver
bunden. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel sind alle
Speicherbausteine 2 über die gleichen Steuerleitungen 12 an
die Kontaktanschlüsse angeschlossen. Je nach Ausführungsform
des Speicherbausteins 2 kann es jedoch auch erforderlich
sein, dass für jeden Speicherbaustein 2 separate Steuerlei
tungen vorgesehen sind.
Abhängig von der Ausführungsform des Speicherbausteins 2 kann
es vorteilhaft sein, zusätzlich einen Versorgungsanschluss 15
an der Leiterplatte 3 vorzusehen, über den der Speicherbau
stein 2 direkt über eine Spannungsleitung 14 mit der Versor
gungsspannung VCC über den Kontaktanschluss versorgt wird. In
diesem Fall wird die Versorgungsspannung nicht über Schaltung
6 geleitet. Diese Ausführungsform ist im Speicherbaustein 2
dargestellt, der im rechten Randbereich des Speichermoduls 1
angeordnet ist. Entsprechend wird in diesen Ausführungen auch
das Massepotenzial VSS über einen Massekontakt 20 und eine
Masseleitung 19 direkt an den Speicherbaustein 2 geführt wer
den.
Die Schaltung 6 generiert aus der zugeführten Versorgungs
spannung VCC und dem Massepotenzial VSS je nach Ausführungs
form verschiedene Ausgangsspannungen, die über die Ausgangs
leitungen 7, 8, 9, 10 ausgegeben werden. Dabei kann auch die
Versorgungsspannung VCC und das Massepotenzial VSS über die
Schaltung 6 an Ausgangsleitungen 7, 8, 9, 10 weitergeleitet
werden. Die Anzahl der Ausgangsleitungen hängt von der Anzahl
der Spannungen ab, die die Schaltung 6 den Speicherbausteinen
2 zur Verfügung stellen soll.
Ein Vorteil des beschriebenen Speichermoduls besteht darin,
dass verschiedene interne Spannungen nicht in den Speicher
bausteinen 2, sondern extern in der Schaltung 6 erzeugt wer
den und einem oder mehreren Speicherbausteinen 2 zur Verfü
gung gestellt werden. Vorzugsweise wird neben den generierten
internen Spannungen auch die Versorgungsspannung VCC und das
Massepotenzial VSS von der Schaltung 6 den Speicherbaustei
nen 2 über die Ausgangsleitungen 7 bis 10 zur Verfügung ge
stellt.
In dem dargestellten Ausführungsbeispiel wird in der ersten
Ausgangsleitung 7 eine erste interne Versorgungsspannung V1
und über die zweite Ausgangsleitung 8 ein zur ersten internen
Versorgungsspannung V1 komplementäres Massepotenzial VSS-1
zur Verfügung gestellt. Über die dritte Ausgangsleitung 9
wird eine zweite interne Versorgungsspannung V2 und über die
vierte Ausgangsleitung 10 ein zur zweiten internen Versor
gungsspannung V2 komplementäres Massepotenzial VSS-2 bereit
gestellt.
In manchen Anwendungsfällen kann es vorteilhaft sein, den
Speicherbaustein 2 zusätzlich oder nur über eine separate
Spannungsleitung 14 über den Versorgungsanschluss 15 mit der
Versorgungsspannung VCC und/oder mit dem Massepotenzial VSS
zu versorgen. Damit ist eine von der Schaltung 6 unabhängige
Versorgung des Speicherbausteins 2 mit der Versorgungsspan
nung gegeben.
In einer bevorzugten Ausführungsform wird von der Schaltung 6
die Versorgungsspannung VCC und das Massepotenzial VSS durch
geschleift an zwei Ausgangsleitungen 7, 8. Über die dritte
und die vierte Ausgangsleitung 9, 10 wird eine zweite, z. B.
gegenüber der Versorgungsspannung deutlich niedrigere Span
nung an die Speicherbausteine 2 weitergeleitet. In dieser
Ausführungsform weisen die Speicherbausteine 2 Spannungsgene
ratoren auf, die aus der zugeführten zweiten Spannung weitere
interne Spannungen generieren, die deutlich unter der Versor
gungsspannung VCC liegen.
Somit wird wenigstens ein Teil der Verlustleistung im Spei
cherbaustein 2 reduziert, da von der Schaltung 6 wenigstens
eine zweite Spannung bereitgestellt wird. Folglich sind zur
weiteren Verarbeitung der zweiten Spannung Spannungsgenerato
ren mit geringerer Leistung ausreichend. Damit wird eine ge
ringere Verlustleistung auf dem Speicherbaustein erzeugt.
Fig. 2 zeigt schematisch eine Anordnung eines Speicherbau
steins 2, der neben den üblichen Schaltungsanordnungen eines
DRAM-Speicherbausteins einen Spannungsgenerator 17 aufweist,
der über zwei Leitungen und zwei Schalter 18 an eine Span
nungsleitung 14 des Speicherbausteins 2 angeschlossen werden
kann. Der in Fig. 2 dargestellte Speicherbaustein weist den
Vorteil auf, dass ein Spannungsgenerator 17 über die Schalter
18 an eine Spannungsleitung 14 schaltbar ist, wenn es der
Einsatz und/oder die Betriebsweise des Speicherbausteins 2
als vorteilhaft erscheinen lässt. Die Schalter 18 sind entwe
der in Form eines Transistors oder einer Fuse-Schaltung aus
gebildet. Zudem können die Schalter 18 in einer einfachen
Ausführungsform als Bond-Drahtverbindung ausgebildet werden,
so dass über eine Verdrahtung ein Anschluss des Spannungsge
nerators 17 an die Spannungsleitung 14 ermöglicht wird.
Fig. 3 zeigt eine weitere Ausführungsform eines Speicherbau
steins 2, der Anschlusspins 21 aufweist. Die Anschlusspins 21
dienen zum Zuführen verschiedenster Signale, wie z. B. Daten
signale, Steuersignale und Versorgungsspannungen. In dem ge
wählten Ausführungsbeispiel weist der Speicherbaustein 2 eine
erste Schaltung 22 und eine zweite Schaltung 23 auf. Die ers
te und die zweite Schaltung 22, 23 können beliebige Schaltun
gen darstellen und beispielsweise in Form eines Adressdeco
ders oder Auswahldecoders für eine redundante Ersatzleitung
ausgebildet sein. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel
werden die erste und die zweite Schaltung 22, 23 nur über ex
terne Spannungen, V1, V2, V3 versorgt, die über Anschlusspins
21 und über entsprechende Spannungsleitungen 14 die erste und
die zweite Schaltung 22, 23 geführt werden. Des weiteren wer
den die erste und die zweite Schaltung 22, 23 über einen wei
teren Anschlusspin 21 und eine entsprechende Masseleitung mit
dem Massepotenzial VSS versorgt.
Fig. 4 zeigt eine weitere bevorzugte Ausführungsform eines
Speicherbausteins, der eine erste und eine zweite Schaltung
22, 23 aufweist. Neben der ersten und zweiten Schaltung 22,
23 ist ein Spannungsgenerator 17 vorgesehen, der über eine
erste Leitung 25 mit einem ersten Bondpad 26 verbunden ist,
das auf dem Speicherbaustein 2 ausgebildet ist. Dem ersten
Bondpad 26 ist ein erster Anschlusspin 27 zugeordnet.
Zudem steht der Spannungsgenerator 17 über weitere Spannungs
leitungen 28 mit der ersten und der zweiten Schaltung 22, 23
in Verbindung. Jede weitere Spannungsleitung 28 ist mit einem
weiteren Bondpad 29 verbunden. Dem weiteren Bondpad 29 sind
weitere Anschlusspins 30 zugeordnet.
Der Speicherbaustein 2 gemäß Fig. 4 bietet den Vorteil, dass
die erste und die zweite Schaltung 22, 23 sowohl von dem
Spannungsgenerator 17 und/oder über externe Spannungen über
die weiteren Anschlusspins 30 mit festgelegten Spannungen V1,
V2, V3 versorgt werden können. Je nach Anwendungsfall werden
das erste Bondpad 26 über einen Bonddraht 35 mit dem ersten
Anschlusspin 27 und/oder die weiteren Bondpads 29 über Bond
drähte mit den weiteren Anschlusspins 30 elektrisch leitend
verbunden.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist ein Aus
wahlschalter 31 auf dem Speicherbaustein 2 angeordnet, der
mit einem zweiten Bondpad 32 elektrisch leitend verbunden
ist. Dem zweiten Bondpad 32 ist ein zweiter Anschlusspin 33
zugeordnet. Das zweite Bondpad 32 und der zweite Anschlusspin
33 sind über einen Bonddraht elektrisch leitend miteinander
verbunden. Der Auswahlschalter 31 ist über eine elektrische
Leitung mit dem Spannungsgenerator 17 verbunden. Der Auswahl
schalter 31 gibt in Abhängigkeit von dem über das zweite
Bondpad 32 zugeführten Signal ein Aktiv- oder Passivsignal an
den Spannungsgenerator 17. Beim Aktivsignal generiert der
Spannungsgenerator 17 die Spannungen V1, V2, V3 für die erste
und zweite Schaltung 22, 23. Beim Passivsignal ist der Span
nungsgenerator 17 abgeschaltet. In diesem Ausführungsbeispiel
werden die Spannungen V1, V2, V3 von extern über die weiteren
Anschlusspins 30 zugeführt.
In Abhängigkeit von einem über den zweiten Anschlusspin 33
zugeführten Steuersignales gibt der Auswahlschalter 31 ein
Aktiv- oder Passivsignal an den Spannungsgenerator 17 ab.
Beispielsweise wird bei einem High-Pegel am zweiten An
schlusspin 33 und damit am Eingang des Auswahlschalters 31
vom Auswahlschalter 31 ein Aktivsignal an den Spannungsgene
rator 17 weitergegeben. Erhält der Auswahlschalter 31 kein
High-Signal, sondern ein Low-Signal über seinen Eingang, so
gibt der Auswahlschalter 31 ein Passivsignal an den Span
nungsgenerator 17.
Die Ausführungsform der Fig. 4 weist den Vorteil auf, dass
je nach Ausführungsformen alle Spannungen von extern über die
weiteren Anschlusspins 30 dem Speicherbaustein 2 und insbe
sondere der ersten und/oder der zweiten Schaltung 22, 23 zur
Verfügung gestellt werden. Dazu sind entsprechende Bondver
bindungen zwischen den weiteren Bondpads 29 und den weiteren
Anschlusspins 30 notwendig. In einer weiteren Ausbildungsform
werden vorzugsweise alle Spannungen vom Spannungsgenerator 17
erzeugt und über die weiteren Leitungen 28 dem Speicherbau
stein 2, insbesondere der ersten und/oder der zweiten Schal
tung 22, 23 zur Verfügung gestellt.
Der Spannungsgenerator 17 steht über eine Leitung 36 mit ei
nem Massepin 34 in Verbindung, über den das Massepotenzial am
Speicherbaustein 2 angelegt wird. Mit dem Massepin 34 sind
auch die erste und die zweite Schaltung 22, 23 elektrisch
leitend verbunden.
Je nach Ausführungsform des Speicherbausteins kann es vor
teilhaft sein, einen Teil der Spannungen von extern über die
weiteren Anschlusspins 30 und einen anderen Teil der Spannun
gen von intern über den Spannungsgenerator 17 bereitzustel
len. Beispielsweise wird die dritte Spannung V3 vom Span
nungsgenerator 17 erzeugt und die erste und die zweite Span
nung V1, V2 über zwei weitere Anschlusspins 30 zugeführt.
Die Verwendung des Auswahlschalters 31 bietet den Vorteil,
dass der Spannungsgenerator 17 abschaltbar ist und somit je
nach Ausführungsform des Speicherbausteins 2 oder abhängig
von der Betriebsweise des Speicherbausteins 2 der Spannungs
generator 17 zur Erzeugung von Spannungen verwendet wird oder
nicht. Beispielsweise kann der Spannungsgenerator 17 in einem
Low-Power-Modus, in dem wenig oder nur geringe Spannungen zum
Betreiben der ersten oder zweiten Schaltung 22, 23 benötigt
werden, vom Auswahlschalter 31 abgeschaltet werden. Dazu muss
über den zweiten Anschlusspin 33 ein entsprechendes Abschalt
signal an die Auswahlschaltung 31 geführt werden.
1
Speichermodul
2
Speicherbaustein
3
Leiterplatte
4
erster Steckanschluss
5
zweiter Steckanschluss
6
Schaltung zur Erzeugung von Spannungen
7
erste Ausgangsleitung
8
zweite Ausgangsleitung
9
dritte Ausgangsleitung
10
vierte Ausgangsleitung
11
Kondensator
12
Steuerleitung
13
Datenleitung
14
Spannungsleitung
15
Versorgungsanschluss
16
weitere Steckanschlüsse
17
Spannungsgenerator
18
Schalter
19
Masseleitung
20
Massekontakt
21
Anschlusspin
22
erste Schaltung
23
zweite Schaltung
25
erste Leitung
26
erstes Bondpad
27
erster Anschlusspin
28
weitere Spannungsleitungen
29
weiteres Bondpad
30
weitere Anschlusspins
31
Auswahlschalter
32
zweites Bondpad
33
zweiter Anschlusspin
34
Massepin
35
Bonddraht
36
Leitung
Claims (11)
1. Modul (1) mit einem Speicherbaustein (2), mit einem Kon
taktanschluss (4, 5, 15, 16) zur Zuführung einer Spannung,
dadurch gekennzeichnet,
dass eine Schaltung (6) zum Erzeugen mindestens einer Span nung auf dem Modul angeordnet ist,
dass die Schaltung (6) über wenigstens einen Kontaktanschluss (4, 5) mit einer Spannung versorgt wird,
dass die Schaltung wenigstens eine Ausgangsleitung (7, 8, 9, 10) aufweist,
dass die Ausgangsleitung (7, 8, 9, 10) mit einem Spannungs eingang des Speicherbausteins (2) verbunden ist, und
dass die Schaltung (6) aus der zugeführten Spannung eine in terne Spannung erzeugt und über die Ausgangsleitung dem Spei cherbaustein zuführt.
dass eine Schaltung (6) zum Erzeugen mindestens einer Span nung auf dem Modul angeordnet ist,
dass die Schaltung (6) über wenigstens einen Kontaktanschluss (4, 5) mit einer Spannung versorgt wird,
dass die Schaltung wenigstens eine Ausgangsleitung (7, 8, 9, 10) aufweist,
dass die Ausgangsleitung (7, 8, 9, 10) mit einem Spannungs eingang des Speicherbausteins (2) verbunden ist, und
dass die Schaltung (6) aus der zugeführten Spannung eine in terne Spannung erzeugt und über die Ausgangsleitung dem Spei cherbaustein zuführt.
2. Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass mehrere Speicherbausteine (2) auf dem Modul (1) angeord net sind, und
dass die Speicherbausteine (2) über Ausgangsleitungen (7, 8, 9, 10) von der Schaltung (6) mit internen Spannungen versorgt werden.
dass mehrere Speicherbausteine (2) auf dem Modul (1) angeord net sind, und
dass die Speicherbausteine (2) über Ausgangsleitungen (7, 8, 9, 10) von der Schaltung (6) mit internen Spannungen versorgt werden.
3. Modul nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, dass die Schaltung (6) über zwei getrennte Aus
gangsleitungen (7, 8) eine positive Spannung und ein der po
sitiven Spannung zugeordnetes Massepotenzial bereitstellt.
4. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekenn
zeichnet, dass ein Speicherbaustein keinen Spannungsgenerator
(17) zur Erzeugung einer internen Spannung aufweist.
5. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekenn
zeichnet, dass in einem Betriebszustand, in dem der Speicher
baustein weniger Strom benötigt, die Schaltung (6) dem Spei
cherbaustein eine interne Spannung zur Verfügung stellt.
6. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekenn
zeichnet,
dass der Speicherbaustein (2) einen Spannungsgenerator (17) aufweist,
dass der Spannungsgenerator (17) zusätzlich zu den von der Schaltung (6) abgegebenen Spannung zur Versorgung des Spei cherbausteins (2) mit Spannungen verwendet wird.
dass der Speicherbaustein (2) einen Spannungsgenerator (17) aufweist,
dass der Spannungsgenerator (17) zusätzlich zu den von der Schaltung (6) abgegebenen Spannung zur Versorgung des Spei cherbausteins (2) mit Spannungen verwendet wird.
7. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekenn
zeichnet, dass der Speicherbaustein (2) über eine Spannungs
leitung (14) mit einem Anschluss (15) verbunden ist, über den
die Versorgungsspannung zuführbar ist.
8. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekenn
zeichnet,
dass der Speicherbaustein (2) mindestens einen Spannungsan schluss (27) aufweist, über den eine Spannung zuführbar ist, die deutlich niedriger als die Versorgungsspannung ist,
dass der Spannungsanschluss mit einem Spannungsgenerator (17) verbunden ist, und
dass der Spannungsgenerator (17) zum Erzeugen verschiedener Spannungen vorgesehen ist.
dass der Speicherbaustein (2) mindestens einen Spannungsan schluss (27) aufweist, über den eine Spannung zuführbar ist, die deutlich niedriger als die Versorgungsspannung ist,
dass der Spannungsanschluss mit einem Spannungsgenerator (17) verbunden ist, und
dass der Spannungsgenerator (17) zum Erzeugen verschiedener Spannungen vorgesehen ist.
9. Speicherbaustein zum Einsatz in einem Modul nach einem
der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet,
dass der Speicherbaustein (2) an eine Spannungsleitung (14, 28) angeschlossen ist, die interne Schaltungen (22, 23) mit Spannungen versorgt,
dass über eine Schalteinheit (18, 31) ein Spannungsgenerator (17) aktivierbar ist, der anstelle der Schaltung (6) die in terne Spannung bereitstellt.
dass der Speicherbaustein (2) an eine Spannungsleitung (14, 28) angeschlossen ist, die interne Schaltungen (22, 23) mit Spannungen versorgt,
dass über eine Schalteinheit (18, 31) ein Spannungsgenerator (17) aktivierbar ist, der anstelle der Schaltung (6) die in terne Spannung bereitstellt.
10. Speicherbaustein nach Anspruch 8, dadurch gekennzeich
net, dass die Schalteinheit (18) durch einen irreversibel zu
schaltenden Schalter, insbesondere durch einen gebondeten
Draht (35), dargestellt ist.
11. Speicherbaustein (2) für ein Modul nach einem der An
sprüche 1 bis 8 mit einem Spannungsgenerator (17) zur Erzeu
gung einer internen Spannung für den Speicherbaustein (2),
dadurch gekennzeichnet,
dass der Spannungsgenerator (17) mit einem Schalter (18, 31) verbunden ist,
dass abhängig von der Schaltposition des Schalters (18, 31) der Spannungsgenerator (17) aktiviert oder wenigstens teil weise abgeschaltet ist.
dass der Spannungsgenerator (17) mit einem Schalter (18, 31) verbunden ist,
dass abhängig von der Schaltposition des Schalters (18, 31) der Spannungsgenerator (17) aktiviert oder wenigstens teil weise abgeschaltet ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2001142682 DE10142682A1 (de) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | Modul mit Speicherbausteinen und einer zentralen Schaltung zur Erzeugung von Spannungen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2001142682 DE10142682A1 (de) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | Modul mit Speicherbausteinen und einer zentralen Schaltung zur Erzeugung von Spannungen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10142682A1 true DE10142682A1 (de) | 2002-11-14 |
Family
ID=7697247
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2001142682 Ceased DE10142682A1 (de) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | Modul mit Speicherbausteinen und einer zentralen Schaltung zur Erzeugung von Spannungen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10142682A1 (de) |
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US5440519A (en) * | 1994-02-01 | 1995-08-08 | Micron Semiconductor, Inc. | Switched memory expansion buffer |
US6122215A (en) * | 1995-01-20 | 2000-09-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | DRAM having a power supply voltage lowering circuit |
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2001
- 2001-08-31 DE DE2001142682 patent/DE10142682A1/de not_active Ceased
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OAV | Applicant agreed to the publication of the unexamined application as to paragraph 31 lit. 2 z1 | ||
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |