DE10142682A1 - Modul mit Speicherbausteinen und einer zentralen Schaltung zur Erzeugung von Spannungen - Google Patents

Modul mit Speicherbausteinen und einer zentralen Schaltung zur Erzeugung von Spannungen

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DE10142682A1 DE2001142682 DE10142682A DE10142682A1 DE 10142682 A1 DE10142682 A1 DE 10142682A1 DE 2001142682 DE2001142682 DE 2001142682 DE 10142682 A DE10142682 A DE 10142682A DE 10142682 A1 DE10142682 A1 DE 10142682A1
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Abstract

Es wird ein Modul beschrieben, das Speicherbausteine und eine externe Schaltung zum Erzeugen von Spannungen aufweist. Die externe Schaltung generiert aus der Versorgungsspannung verschiedene interne Spannungen, die den Speicherbausteinen zur Verfügung gestellt werden. Da die Spannungserzeugung außerhalb der Speicherbausteine erfolgt, wird im Speicherbaustein keine Verlustleistung erzeugt.

Description

Die Erfindung betrifft ein Modul mit Speicherbausteinen gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Module mit Speicherbausteinen werden in verschiedensten Aus­ führungsformen eingesetzt, um beispielsweise bei einem Compu­ ter über ein einziges Modul eine Vielzahl von Speicherbau­ steinen betreiben zu können. Dazu weist das Modul Anschlüsse für die Versorgungsspannung, die Masse, Datenanschlüsse und Steueranschlüsse auf. Das Modul wird in einen entsprechenden Steckplatz beispielsweise eines Computers oder Mobiltelefons eingesetzt. Damit wird eine kompakte und einfach zu handha­ bende Bauform bereitgestellt, mit der mehrere Speicherbau­ steine verbaut werden können.
Ein Speicherbaustein benötigt für seinen Betrieb verschiedene interne Spannungen. Die Spannungen werden im Speicherbaustein mit Hilfe von Spannungsgeneratoren aus extern angelegten Spannungen wie der Versorgungsspannung und dem Massepotenzial erzeugt. Die fortschreitende Erhöhung der Speicherdichte bei Speicherbausteinen führt insgesamt zu einer Erhöhung der ab­ gegebenen Verlustleistung, die beispielsweise auch durch die Spannungsgeneratoren erzeugt wird.
Zur Reduzierung der Verlustleistung ist es bekannt, den Spei­ cherbaustein mit geringeren Spannungen zu betreiben, verlust­ ärmere Bauteile einzusetzen und die Spannungsversorgung in einem Betriebszustand, in dem die Funktionsfähigkeit des Speicherbausteins nicht erforderlich ist, weitgehend abzu­ schalten. Damit wird insgesamt die Verlustleistung im Spei­ cherbaustein reduziert.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Weiterentwick­ lung des Speicherbausteins bereitzustellen, so dass die Ver­ lustleistung auf dem Speicherbaustein weiter reduziert wird.
Die Aufgabe der Erfindung wird durch die Merkmale des An­ spruchs 1 gelöst.
Ein wesentlicher Vorteil der Erfindung besteht darin, dass eine externe Schaltung zur Erzeugung von Spannungen vorgese­ hen ist, die den Speicherbaustein mit wenigstens einer Span­ nung versorgt. Damit kann das Betreiben von Spannungsgenera­ toren oder die Anordnung von Spannungsgeneratoren auf dem Speicherbaustein vermieden werden. Somit wird die Erzeugung von Verlustleistung auf dem Speicherbaustein reduziert. Zudem wird Fläche auf dem Speicherbaustein eingespart. Somit wird der Speicherbaustein zudem kostengünstiger.
Weitere vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben. In einer bevorzugten Ausführungsform sind mehrere Speicherbausteine vorgesehen, die über eine zentrale, externe Schaltung zur Erzeugung von Spannungen mit verschiedenen Spannungen versorgt werden. Die­ se Ausführungsform bietet den Vorteil, dass eine Schaltung für mehrere Speicherbausteine verwendet werden kann. Damit wird die Anordnung insgesamt kostengünstiger und benötigt we­ niger Bauraum.
Vorzugsweise wird von der externen Schaltung neben den aus der Versorgungsspannung generierten Spannungen zusätzlich die Versorgungsspannung selbst und ein Massepotenzial an die Speicherbausteine weitergeleitet. Somit ist es je nach Aus­ führungsform des Speicherbausteins möglich, dass auf dem Speicherbaustein wiederum ein Spannungsgenerator vorgesehen ist, der aus der Versorgungsspannung in Abhängigkeit von der Anwendung des Speicherbausteins oder dem Betriebszustand des Speicherbausteins eine benötigte Spannung erzeugt.
Je nach Ausführungsform des Speicherbausteins ist es vorteil­ haft, weniger Spannungsgeneratoren, vorzugsweise keine Span­ nungsgeneratoren auf dem Speicherbaustein zur Erzeugung in­ terner Spannungen vorzusehen. Damit wird der Aufbau des Spei­ cherbausteins vereinfacht, Kosten werden eingespart und die Erzeugung von Verlustleistung auf dem Speicherbaustein redu­ ziert.
Eine besonders vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung be­ steht darin, Speicherbausteine, die beispielsweise in mobilen Geräten wie z. B. einem Laptop eingesetzt werden, in einen Low-Power-Modus zu schalten, wenn die Funktionsweise des Speicherbausteins nicht oder nur in reduzierter Funktion be­ nötigt wird. Der Speicherbaustein wird im Low-Power-Modus über die externe Schaltung mit den noch benötigten internen Spannungen versorgt.
Eine erhöhte Flexibilität beim Einsatz von Spannungsgenerato­ ren wird dadurch erreicht, dass der Speicherbaustein Span­ nungsgeneratoren aufweist, die über Schalter aktivierbar sind. Als Schalter können beispielsweise Bond-Drahtverbin­ dungen verwendet werden.
In einer bevorzugten Ausführungsform wird von der Spannungs­ quelle eine Spannung für den Speicherbaustein bereitgestellt, die einen niedrigeren Wert als die Versorgungsspannung auf­ weist. In dieser Ausführungsform kann vorzugsweise eine di­ rekte Versorgung des Speicherbausteins mit der Versorgungs­ spannung vorgesehen sein.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Figuren näher er­ läutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Modul mit mehreren Speicherbausteinen,
Fig. 2 einen Speicherbaustein mit einem aktivierbaren Span­ nungsgenerator,
Fig. 3 eine zweite Ausführungsform eines Speicherbausteins und
Fig. 4 eine dritte Ausführungsform eines Speicherbausteins.
Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung eines Speichermo­ duls 1, das mehrere Speicherbausteine 2 aufweist. Das Spei­ chermodul ist auf einer Leiterplatte 3 aufgebaut. Die Leiter­ platte weist Steckanschlüsse 4, 5, 16, 15 auf, mit denen die Leiterplatte in eine entsprechend ausgebildete Steckleiste zum elektrischen Kontaktieren eingesteckt werden kann. Die Leiterplatte 3 weist einen ersten Steckanschluss 4 zum An­ schluss der Versorgungsspannung VCC und einen zweiten Steck­ anschluss 5 zum Anschluss eines Massepotenzials VSS auf. Der erste und der zweite Steckanschluss 4, 5 sind über Leiterbah­ nen mit einer externen Schaltung 6 zur Erzeugung von Spannun­ gen verbunden. Die Schaltung 6 weist wiederum Ausgangsleitun­ gen 7, 8, 9, 10 auf, die parallel zueinander entlang einer Längskante der Leiterplatte geführt sind. Vorzugsweise ist das Ende einer ersten Ausgangsleitung 7 mit dem Ende einer zweiten Ausgangsleitung 8 über einen Kondensator 11 verbun­ den. Ebenso ist vorzugsweise das Ende einer dritten Ausgangs­ leitung 9 mit einem Ende einer vierten Ausgangsleitung 10 über einen weiteren Kondensator 11 verbunden. Mit den Kapazi­ täten der Kondensatoren 11 werden die auf den Ausgangsleitun­ gen 7, 8, 9, 10 anliegenden Spannungen stabilisiert und grö­ ßere Spannungsschwankungen ausgeglichen.
In dem gewählten Ausführungsbeispiel sind vier Speicherbau­ steine angeordnet, die vorzugsweise an jeweils ein Paar der Ausgangsleitungen 7, 8, 9, 10 angeschlossen sind. Eine Lei­ tung 7, 9 eines Paares ist dabei mit einer positiven Spannung und die zweite Leitung 8, 10 des Paares mit einem Massepoten­ zial beaufschlagt. Je nach Ausführungsform können die Spei­ cherbausteine 2 mit einer unterschiedlichen Anzahl der Aus­ gangsleitungen 7 bis 10 verbunden sein.
Die Speicherbausteine 2 weisen zudem Steuerleitungen 12 auf, die an entsprechende Kontaktanschlüsse zum Zuführen von Steu­ ersignalen angeschlossen sind. Weiterhin weisen die Speicher­ bausteine 2 Datenleitungen 13 auf, die zum Austausch von Da­ ten verwendet werden und an entsprechende Steckanschlüsse ge­ führt sind. Die Steuerleitungen 12 und die Datenleitungen 13 sind mit weiteren Steckanschlüssen 16 der Leiterplatte 3 ver­ bunden. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel sind alle Speicherbausteine 2 über die gleichen Steuerleitungen 12 an die Kontaktanschlüsse angeschlossen. Je nach Ausführungsform des Speicherbausteins 2 kann es jedoch auch erforderlich sein, dass für jeden Speicherbaustein 2 separate Steuerlei­ tungen vorgesehen sind.
Abhängig von der Ausführungsform des Speicherbausteins 2 kann es vorteilhaft sein, zusätzlich einen Versorgungsanschluss 15 an der Leiterplatte 3 vorzusehen, über den der Speicherbau­ stein 2 direkt über eine Spannungsleitung 14 mit der Versor­ gungsspannung VCC über den Kontaktanschluss versorgt wird. In diesem Fall wird die Versorgungsspannung nicht über Schaltung 6 geleitet. Diese Ausführungsform ist im Speicherbaustein 2 dargestellt, der im rechten Randbereich des Speichermoduls 1 angeordnet ist. Entsprechend wird in diesen Ausführungen auch das Massepotenzial VSS über einen Massekontakt 20 und eine Masseleitung 19 direkt an den Speicherbaustein 2 geführt wer­ den.
Die Schaltung 6 generiert aus der zugeführten Versorgungs­ spannung VCC und dem Massepotenzial VSS je nach Ausführungs­ form verschiedene Ausgangsspannungen, die über die Ausgangs­ leitungen 7, 8, 9, 10 ausgegeben werden. Dabei kann auch die Versorgungsspannung VCC und das Massepotenzial VSS über die Schaltung 6 an Ausgangsleitungen 7, 8, 9, 10 weitergeleitet werden. Die Anzahl der Ausgangsleitungen hängt von der Anzahl der Spannungen ab, die die Schaltung 6 den Speicherbausteinen 2 zur Verfügung stellen soll.
Ein Vorteil des beschriebenen Speichermoduls besteht darin, dass verschiedene interne Spannungen nicht in den Speicher­ bausteinen 2, sondern extern in der Schaltung 6 erzeugt wer­ den und einem oder mehreren Speicherbausteinen 2 zur Verfü­ gung gestellt werden. Vorzugsweise wird neben den generierten internen Spannungen auch die Versorgungsspannung VCC und das Massepotenzial VSS von der Schaltung 6 den Speicherbaustei­ nen 2 über die Ausgangsleitungen 7 bis 10 zur Verfügung ge­ stellt.
In dem dargestellten Ausführungsbeispiel wird in der ersten Ausgangsleitung 7 eine erste interne Versorgungsspannung V1 und über die zweite Ausgangsleitung 8 ein zur ersten internen Versorgungsspannung V1 komplementäres Massepotenzial VSS-1 zur Verfügung gestellt. Über die dritte Ausgangsleitung 9 wird eine zweite interne Versorgungsspannung V2 und über die vierte Ausgangsleitung 10 ein zur zweiten internen Versor­ gungsspannung V2 komplementäres Massepotenzial VSS-2 bereit­ gestellt.
In manchen Anwendungsfällen kann es vorteilhaft sein, den Speicherbaustein 2 zusätzlich oder nur über eine separate Spannungsleitung 14 über den Versorgungsanschluss 15 mit der Versorgungsspannung VCC und/oder mit dem Massepotenzial VSS zu versorgen. Damit ist eine von der Schaltung 6 unabhängige Versorgung des Speicherbausteins 2 mit der Versorgungsspan­ nung gegeben.
In einer bevorzugten Ausführungsform wird von der Schaltung 6 die Versorgungsspannung VCC und das Massepotenzial VSS durch­ geschleift an zwei Ausgangsleitungen 7, 8. Über die dritte und die vierte Ausgangsleitung 9, 10 wird eine zweite, z. B. gegenüber der Versorgungsspannung deutlich niedrigere Span­ nung an die Speicherbausteine 2 weitergeleitet. In dieser Ausführungsform weisen die Speicherbausteine 2 Spannungsgene­ ratoren auf, die aus der zugeführten zweiten Spannung weitere interne Spannungen generieren, die deutlich unter der Versor­ gungsspannung VCC liegen.
Somit wird wenigstens ein Teil der Verlustleistung im Spei­ cherbaustein 2 reduziert, da von der Schaltung 6 wenigstens eine zweite Spannung bereitgestellt wird. Folglich sind zur weiteren Verarbeitung der zweiten Spannung Spannungsgenerato­ ren mit geringerer Leistung ausreichend. Damit wird eine ge­ ringere Verlustleistung auf dem Speicherbaustein erzeugt.
Fig. 2 zeigt schematisch eine Anordnung eines Speicherbau­ steins 2, der neben den üblichen Schaltungsanordnungen eines DRAM-Speicherbausteins einen Spannungsgenerator 17 aufweist, der über zwei Leitungen und zwei Schalter 18 an eine Span­ nungsleitung 14 des Speicherbausteins 2 angeschlossen werden kann. Der in Fig. 2 dargestellte Speicherbaustein weist den Vorteil auf, dass ein Spannungsgenerator 17 über die Schalter 18 an eine Spannungsleitung 14 schaltbar ist, wenn es der Einsatz und/oder die Betriebsweise des Speicherbausteins 2 als vorteilhaft erscheinen lässt. Die Schalter 18 sind entwe­ der in Form eines Transistors oder einer Fuse-Schaltung aus­ gebildet. Zudem können die Schalter 18 in einer einfachen Ausführungsform als Bond-Drahtverbindung ausgebildet werden, so dass über eine Verdrahtung ein Anschluss des Spannungsge­ nerators 17 an die Spannungsleitung 14 ermöglicht wird.
Fig. 3 zeigt eine weitere Ausführungsform eines Speicherbau­ steins 2, der Anschlusspins 21 aufweist. Die Anschlusspins 21 dienen zum Zuführen verschiedenster Signale, wie z. B. Daten­ signale, Steuersignale und Versorgungsspannungen. In dem ge­ wählten Ausführungsbeispiel weist der Speicherbaustein 2 eine erste Schaltung 22 und eine zweite Schaltung 23 auf. Die ers­ te und die zweite Schaltung 22, 23 können beliebige Schaltun­ gen darstellen und beispielsweise in Form eines Adressdeco­ ders oder Auswahldecoders für eine redundante Ersatzleitung ausgebildet sein. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel werden die erste und die zweite Schaltung 22, 23 nur über ex­ terne Spannungen, V1, V2, V3 versorgt, die über Anschlusspins 21 und über entsprechende Spannungsleitungen 14 die erste und die zweite Schaltung 22, 23 geführt werden. Des weiteren wer­ den die erste und die zweite Schaltung 22, 23 über einen wei­ teren Anschlusspin 21 und eine entsprechende Masseleitung mit dem Massepotenzial VSS versorgt.
Fig. 4 zeigt eine weitere bevorzugte Ausführungsform eines Speicherbausteins, der eine erste und eine zweite Schaltung 22, 23 aufweist. Neben der ersten und zweiten Schaltung 22, 23 ist ein Spannungsgenerator 17 vorgesehen, der über eine erste Leitung 25 mit einem ersten Bondpad 26 verbunden ist, das auf dem Speicherbaustein 2 ausgebildet ist. Dem ersten Bondpad 26 ist ein erster Anschlusspin 27 zugeordnet.
Zudem steht der Spannungsgenerator 17 über weitere Spannungs­ leitungen 28 mit der ersten und der zweiten Schaltung 22, 23 in Verbindung. Jede weitere Spannungsleitung 28 ist mit einem weiteren Bondpad 29 verbunden. Dem weiteren Bondpad 29 sind weitere Anschlusspins 30 zugeordnet.
Der Speicherbaustein 2 gemäß Fig. 4 bietet den Vorteil, dass die erste und die zweite Schaltung 22, 23 sowohl von dem Spannungsgenerator 17 und/oder über externe Spannungen über die weiteren Anschlusspins 30 mit festgelegten Spannungen V1, V2, V3 versorgt werden können. Je nach Anwendungsfall werden das erste Bondpad 26 über einen Bonddraht 35 mit dem ersten Anschlusspin 27 und/oder die weiteren Bondpads 29 über Bond­ drähte mit den weiteren Anschlusspins 30 elektrisch leitend verbunden.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist ein Aus­ wahlschalter 31 auf dem Speicherbaustein 2 angeordnet, der mit einem zweiten Bondpad 32 elektrisch leitend verbunden ist. Dem zweiten Bondpad 32 ist ein zweiter Anschlusspin 33 zugeordnet. Das zweite Bondpad 32 und der zweite Anschlusspin 33 sind über einen Bonddraht elektrisch leitend miteinander verbunden. Der Auswahlschalter 31 ist über eine elektrische Leitung mit dem Spannungsgenerator 17 verbunden. Der Auswahl­ schalter 31 gibt in Abhängigkeit von dem über das zweite Bondpad 32 zugeführten Signal ein Aktiv- oder Passivsignal an den Spannungsgenerator 17. Beim Aktivsignal generiert der Spannungsgenerator 17 die Spannungen V1, V2, V3 für die erste und zweite Schaltung 22, 23. Beim Passivsignal ist der Span­ nungsgenerator 17 abgeschaltet. In diesem Ausführungsbeispiel werden die Spannungen V1, V2, V3 von extern über die weiteren Anschlusspins 30 zugeführt.
In Abhängigkeit von einem über den zweiten Anschlusspin 33 zugeführten Steuersignales gibt der Auswahlschalter 31 ein Aktiv- oder Passivsignal an den Spannungsgenerator 17 ab. Beispielsweise wird bei einem High-Pegel am zweiten An­ schlusspin 33 und damit am Eingang des Auswahlschalters 31 vom Auswahlschalter 31 ein Aktivsignal an den Spannungsgene­ rator 17 weitergegeben. Erhält der Auswahlschalter 31 kein High-Signal, sondern ein Low-Signal über seinen Eingang, so gibt der Auswahlschalter 31 ein Passivsignal an den Span­ nungsgenerator 17.
Die Ausführungsform der Fig. 4 weist den Vorteil auf, dass je nach Ausführungsformen alle Spannungen von extern über die weiteren Anschlusspins 30 dem Speicherbaustein 2 und insbe­ sondere der ersten und/oder der zweiten Schaltung 22, 23 zur Verfügung gestellt werden. Dazu sind entsprechende Bondver­ bindungen zwischen den weiteren Bondpads 29 und den weiteren Anschlusspins 30 notwendig. In einer weiteren Ausbildungsform werden vorzugsweise alle Spannungen vom Spannungsgenerator 17 erzeugt und über die weiteren Leitungen 28 dem Speicherbau­ stein 2, insbesondere der ersten und/oder der zweiten Schal­ tung 22, 23 zur Verfügung gestellt.
Der Spannungsgenerator 17 steht über eine Leitung 36 mit ei­ nem Massepin 34 in Verbindung, über den das Massepotenzial am Speicherbaustein 2 angelegt wird. Mit dem Massepin 34 sind auch die erste und die zweite Schaltung 22, 23 elektrisch leitend verbunden.
Je nach Ausführungsform des Speicherbausteins kann es vor­ teilhaft sein, einen Teil der Spannungen von extern über die weiteren Anschlusspins 30 und einen anderen Teil der Spannun­ gen von intern über den Spannungsgenerator 17 bereitzustel­ len. Beispielsweise wird die dritte Spannung V3 vom Span­ nungsgenerator 17 erzeugt und die erste und die zweite Span­ nung V1, V2 über zwei weitere Anschlusspins 30 zugeführt.
Die Verwendung des Auswahlschalters 31 bietet den Vorteil, dass der Spannungsgenerator 17 abschaltbar ist und somit je nach Ausführungsform des Speicherbausteins 2 oder abhängig von der Betriebsweise des Speicherbausteins 2 der Spannungs­ generator 17 zur Erzeugung von Spannungen verwendet wird oder nicht. Beispielsweise kann der Spannungsgenerator 17 in einem Low-Power-Modus, in dem wenig oder nur geringe Spannungen zum Betreiben der ersten oder zweiten Schaltung 22, 23 benötigt werden, vom Auswahlschalter 31 abgeschaltet werden. Dazu muss über den zweiten Anschlusspin 33 ein entsprechendes Abschalt­ signal an die Auswahlschaltung 31 geführt werden.
Bezugszeichenliste
1
Speichermodul
2
Speicherbaustein
3
Leiterplatte
4
erster Steckanschluss
5
zweiter Steckanschluss
6
Schaltung zur Erzeugung von Spannungen
7
erste Ausgangsleitung
8
zweite Ausgangsleitung
9
dritte Ausgangsleitung
10
vierte Ausgangsleitung
11
Kondensator
12
Steuerleitung
13
Datenleitung
14
Spannungsleitung
15
Versorgungsanschluss
16
weitere Steckanschlüsse
17
Spannungsgenerator
18
Schalter
19
Masseleitung
20
Massekontakt
21
Anschlusspin
22
erste Schaltung
23
zweite Schaltung
25
erste Leitung
26
erstes Bondpad
27
erster Anschlusspin
28
weitere Spannungsleitungen
29
weiteres Bondpad
30
weitere Anschlusspins
31
Auswahlschalter
32
zweites Bondpad
33
zweiter Anschlusspin
34
Massepin
35
Bonddraht
36
Leitung

Claims (11)

1. Modul (1) mit einem Speicherbaustein (2), mit einem Kon­ taktanschluss (4, 5, 15, 16) zur Zuführung einer Spannung, dadurch gekennzeichnet,
dass eine Schaltung (6) zum Erzeugen mindestens einer Span­ nung auf dem Modul angeordnet ist,
dass die Schaltung (6) über wenigstens einen Kontaktanschluss (4, 5) mit einer Spannung versorgt wird,
dass die Schaltung wenigstens eine Ausgangsleitung (7, 8, 9, 10) aufweist,
dass die Ausgangsleitung (7, 8, 9, 10) mit einem Spannungs­ eingang des Speicherbausteins (2) verbunden ist, und
dass die Schaltung (6) aus der zugeführten Spannung eine in­ terne Spannung erzeugt und über die Ausgangsleitung dem Spei­ cherbaustein zuführt.
2. Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass mehrere Speicherbausteine (2) auf dem Modul (1) angeord­ net sind, und
dass die Speicherbausteine (2) über Ausgangsleitungen (7, 8, 9, 10) von der Schaltung (6) mit internen Spannungen versorgt werden.
3. Modul nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekenn­ zeichnet, dass die Schaltung (6) über zwei getrennte Aus­ gangsleitungen (7, 8) eine positive Spannung und ein der po­ sitiven Spannung zugeordnetes Massepotenzial bereitstellt.
4. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekenn­ zeichnet, dass ein Speicherbaustein keinen Spannungsgenerator (17) zur Erzeugung einer internen Spannung aufweist.
5. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekenn­ zeichnet, dass in einem Betriebszustand, in dem der Speicher­ baustein weniger Strom benötigt, die Schaltung (6) dem Spei­ cherbaustein eine interne Spannung zur Verfügung stellt.
6. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekenn­ zeichnet,
dass der Speicherbaustein (2) einen Spannungsgenerator (17) aufweist,
dass der Spannungsgenerator (17) zusätzlich zu den von der Schaltung (6) abgegebenen Spannung zur Versorgung des Spei­ cherbausteins (2) mit Spannungen verwendet wird.
7. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekenn­ zeichnet, dass der Speicherbaustein (2) über eine Spannungs­ leitung (14) mit einem Anschluss (15) verbunden ist, über den die Versorgungsspannung zuführbar ist.
8. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekenn­ zeichnet,
dass der Speicherbaustein (2) mindestens einen Spannungsan­ schluss (27) aufweist, über den eine Spannung zuführbar ist, die deutlich niedriger als die Versorgungsspannung ist,
dass der Spannungsanschluss mit einem Spannungsgenerator (17) verbunden ist, und
dass der Spannungsgenerator (17) zum Erzeugen verschiedener Spannungen vorgesehen ist.
9. Speicherbaustein zum Einsatz in einem Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet,
dass der Speicherbaustein (2) an eine Spannungsleitung (14, 28) angeschlossen ist, die interne Schaltungen (22, 23) mit Spannungen versorgt,
dass über eine Schalteinheit (18, 31) ein Spannungsgenerator (17) aktivierbar ist, der anstelle der Schaltung (6) die in­ terne Spannung bereitstellt.
10. Speicherbaustein nach Anspruch 8, dadurch gekennzeich­ net, dass die Schalteinheit (18) durch einen irreversibel zu schaltenden Schalter, insbesondere durch einen gebondeten Draht (35), dargestellt ist.
11. Speicherbaustein (2) für ein Modul nach einem der An­ sprüche 1 bis 8 mit einem Spannungsgenerator (17) zur Erzeu­ gung einer internen Spannung für den Speicherbaustein (2), dadurch gekennzeichnet,
dass der Spannungsgenerator (17) mit einem Schalter (18, 31) verbunden ist,
dass abhängig von der Schaltposition des Schalters (18, 31) der Spannungsgenerator (17) aktiviert oder wenigstens teil­ weise abgeschaltet ist.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5440519A (en) * 1994-02-01 1995-08-08 Micron Semiconductor, Inc. Switched memory expansion buffer
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