DE10135966A1 - Verfahren zum On-Chip-Testen von Speicherzellen einer integrierten Speicherschaltung - Google Patents
Verfahren zum On-Chip-Testen von Speicherzellen einer integrierten SpeicherschaltungInfo
- Publication number
- DE10135966A1 DE10135966A1 DE10135966A DE10135966A DE10135966A1 DE 10135966 A1 DE10135966 A1 DE 10135966A1 DE 10135966 A DE10135966 A DE 10135966A DE 10135966 A DE10135966 A DE 10135966A DE 10135966 A1 DE10135966 A1 DE 10135966A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- data
- pattern
- word register
- data pattern
- different
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/10—Test algorithms, e.g. memory scan [MScan] algorithms; Test patterns, e.g. checkerboard patterns
Landscapes
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum On-Chip-Testen von Speicherzellen eines Zellenfelds einer integrierten Speicherschaltung, insbesondere eines RAM- bzw. DRAM-Speichers, bei dem zu Testzwecken unterschiedliche Datenmuster in Speicherzellen geschrieben und aus diesen gelesen werden, von denen ein Datengrundmuster in einem Datenwortregister abgelegt und durch Anlegen eines Datenkontrollsignals ausgelesen wird, das von einer Datenkontrollsteuerung bereitgestellt wird.
- Auf Halbleiter-Chips realisierte, integrierte Speicherschaltungen werden bereits auf der Wafer-Ebene Tests und Reparaturprozessen unterzogen, um die Qualität des Chips zu ermitteln, und um Chips gegebenenfalls vor der weiteren Produktion auszuschließen oder zu reparieren. Zu diesem Zweck werden die Zellenfelder der Speicherschaltung in einem Testmodus mit Test-Datenmustern beschrieben, die daraufhin ausgelesen und hinsichtlich ihres Inhalts geprüft werden. Als kritisch kann sich beispielsweise Übersprechen zwischen benachbarten Speicherzellen erweisen, weshalb solche Speicherzellen beispielsweise mit unterschiedlichen Datenmustern beschrieben werden.
- Das eingangs genannte Verfahren ist beispielsweise in Gestalt des sogenannten March-Tests bekannt, der vorsieht, dass das Datengrundmuster in einem Datenregister abgelegt und gezielt in eine zu testende Speicherzelle geschrieben wird. Im nächsten Schritt wird das Datengrundmuster zunächst invertiert und als invertiertes Datengrundmuster in eine andere zu testende Speicherzelle, beispielsweise in diejenige Zelle geschrieben, die eine Nachbarzelle der erstgenannten, und mit dem Datengrundmuster beschriebenen Speicherzelle ist. Dieser Testablauf ist aufgrund der erforderlichen Zugriffs- und Umladeschritte relativ zeitaufwändig. Außerdem gestattet er auf der Basis des Datengrundmusters lediglich die Erzeugung eines hierzu inversen Datenmusters für Testzwecke, so dass die für den Test verfügbare Datentopologie stark eingeschränkt und damit lediglich beschränkt aussagekräftig ist.
- Eine Aufgabe der Erfindung besteht darin, das Verfahren zum On-Chip-Testen der eingangs genannten Art so auszugestalten, dass der Test schneller und aussagekräftiger als bislang abläuft.
- Gelöst wird diese Aufgabe durch die Merkmale des Anspruchs 1. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
- Im Gegensatz zum Verfahren gemäß dem Stand der Technik, das einen Testablauf mit Invertieren und häufigem Umladen des Datengrundmusters vorsieht, arbeitet das erfindungsgemäße Verfahren auf der Basis mehrerer Datenmuster, auf die jederzeit ohne Invertieren und Umladen direkt zugegriffen werden kann. Dies ist zum einen in zeitlicher Hinsicht und zum anderen wegen der dadurch verfügbaren komplexen Datentopologie von Vorteil. Vorteilhaft ist ferner, dass der Zugriff auf die relativ komplexe Datentopologie einfach mittels des Datenkontrollsignals erfolgen kann, das bislang unter anderem zum Invertieren des Datengrundmusters genutzt wurde.
- Im einzelnen sieht die Erfindung bei dem eingangs genannten Testverfahren vor, dass durch das Datenkontrollsignal zusätzlich zu dem Datengrundmuster gezielt auf zumindest ein weiteres vom Datengrundmuster unterschiedliches Datenmuster zugegriffen wird, das in einer Datenwortregister-Sektion abgelegt ist.
- Ausgehend von dem bisherigen Verfahrensablauf mit Invertierung des Datengrundmusters ist der erfindungsgemäße Verfahrensablauf abwärts kompatibel, da die Funktionalität des bisherigen Verfahrensablaufs bzw. der zugehörigen Hardware beibehalten wird, wenn das Datenkontrollsignal das vom Datengrundmuster unterschiedliche Datenmuster nicht lädt.
- Die Komplexität der erfindungemäß erzielbaren Testdaten-Topologie kann beliebig ausgedehnt werden, ohne hierdurch die Testzeitdauer zu erhöhen. Ausgehend von der erfindungsgemäßen Grundidee, ein weiteres vom Datengrundmuster unabhängiges Datenmuster zugreifbar durch das Datenkontrollsignal bereitzustellen, ist hierzu vorgesehen, dass eine Mehrzahl von vom Datengrundmuster unterschiedlichen sowie unter Bezug aufeinander unterschiedlichen Datenmustern in einer entsprechenden Mehrzahl von Datenwortregister-Sektionen abgelegt ist.
- Die in Rede stehenden Datenwortregister-Sektionen können in unterschiedlicher Weise hardwaremäßig implementiert sein. So kann zum einen vorgesehen sein, dass das Datengrundmuster und das bzw. die von diesem unterschiedlichen Datengrundmuster in getrennten Datenwortregistern abgelegt sind. Alternativ hierzu kann vorgesehen sein, dass das Datengrundmuster und das bzw. die von diesem unterschiedlichen Datengrundmuster in Datenwortregister-Sektionen eines gemeinsamen komplexen Datenwortregisters abgelegt sind.
- In dem Fall, dass die Datenwortregister-Sektionen in getrennten Datenwortregistern implementiert sind, ist vorteilhafterweise ein Multiplexer-Schaltkreis vorgesehen, dessen Eingänge mit den Ausgängen der Datenwortregister verbunden sind, um die Datenmuster gezielt an zu testende Speicherzellen anzulegen.
- Im Fall, dass die Datenwortregister-Sektionen in einem gemeinsamen komplexen Datenwortregister implementiert sind, ist vorteilhafterweise vorgesehen, dass das komplexe Datenwortregister eine Mehrzahl von Ausgängen entsprechend der Mehrzahl von Datenmustern zum getrennten Ausgeben der Datenmuster aufweist, und dass das Datenkontrollsignal an einen Multiplexer- Schaltkreis angelegt wird, dessen Eingänge mit den Ausgängen des komplexen Datenwortregisters verbunden sind, um die Datenmuster gezielt an zu testende Speicherzellen anzulegen.
- Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung beispielhaft näher erläutert; die einzige Figur der Zeichnung zeigt schematisch ein erfindungsgemäß vorgesehenes komplexes Datenwortregister 10 mit zwei Ausgängen 11 und 12, die mit zwei Eingängen eines Multiplexer-Schaltkreises 13 verbunden sind, der einen Ausgang 14 und einen Steuereingang 15 aufweist.
- Das komplexe Datenwortregister 10 umfasst eine erste Sektion 16, die ein Datengrundmuster enthält, und eine zweite Sektion 17, die ein zum Datengrundmuster unterschiedliches Datenmuster enthält, bei dem es sich grundsätzlich auch um das zum Grundmuster inverse Muster handeln kann. Bei Anlegen eines entsprechenden Ladesignals am Steuereingang 15 des Multiplexerschaltkreises 13, das vom Datenkontrollsignal DCTL abgeleitet ist, das durch eine nicht gezeigte Datenkontrollsteuerung bereitgestellt wird, wird einer der Inhalte der ersten Sektion 16 oder der zweiten Sektion 17, die parallel an den Eingängen des Multiplexer-Schaltkreises 13 anliegen, wahlweise aus diesem und über dessen Ausgang 14 ausgegeben und in eine Speicherzelle eines Zellenfelds einer nicht gezeigten Speicherschaltung ausgelesen. Der andere Inhalt wird dann beim nächsten Zugriff in eine weitere Speicherzelle ausgelesen, usw.
- Die Datenkontrollsteuerung, die das Datenkontrollsignal DCTL bereitstellt, ist On-Chip in der Speicherschaltung realisiert und wurde bislang dazu genutzt, das einzige Datengrundmuster aus dem Datenwortregister auszulesen und in einem zweiten Schritt zu invertieren. Diese Funktionalität bleibt bei Implementierung des erfindungsgemäßen Verfahrens beibehalten, was der Abwärtskompatibilität zu der bisherigen Verfahrensführung zugute kommt, indem das Datenkontrollsignal DCTL entweder erfindungsgemäß die Inhalte der Sektionen 16 und 17 aus dem komplexen Datenwortregister 10 parallel ausliest, oder alternativ hierzu lediglich den Inhalt von beispielsweise der ersten Sektion 16, der daraufhin invertiert wird. Bezugszeichenliste 10 komplexes Datenwortregister
11 Ausgang
12 Ausgang
13 Multiplexer-Schaltkreis
14 Ausgang
15 Steuereingang
16 erste Sektion
17 zweite Sektion
Claims (6)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10135966.7A DE10135966B4 (de) | 2001-07-24 | 2001-07-24 | Verfahren und Vorrichtung zum On-Chip-Testen von Speicherzellen einer integrierten Speicherschaltung |
US10/202,690 US6728147B2 (en) | 2001-07-24 | 2002-07-24 | Method for on-chip testing of memory cells of an integrated memory circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10135966.7A DE10135966B4 (de) | 2001-07-24 | 2001-07-24 | Verfahren und Vorrichtung zum On-Chip-Testen von Speicherzellen einer integrierten Speicherschaltung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10135966A1 true DE10135966A1 (de) | 2003-02-20 |
DE10135966B4 DE10135966B4 (de) | 2015-06-03 |
Family
ID=7692873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10135966.7A Expired - Fee Related DE10135966B4 (de) | 2001-07-24 | 2001-07-24 | Verfahren und Vorrichtung zum On-Chip-Testen von Speicherzellen einer integrierten Speicherschaltung |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6728147B2 (de) |
DE (1) | DE10135966B4 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10223167A1 (de) * | 2002-05-24 | 2003-12-11 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Testen von Speichereinheiten in einer digitalen Schaltung |
DE10338677B3 (de) * | 2003-08-22 | 2005-04-21 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit und Testvorrichtung |
DE102006007993A1 (de) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Infineon Technologies Ag | Testhilfseinrichtung in einem Speicherbaustein |
DE112006002842B4 (de) * | 2005-11-14 | 2017-06-01 | Mitsubishi Electric Corp. | Speicher-Diagnose-Vorrichtung |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110002169A1 (en) * | 2009-07-06 | 2011-01-06 | Yan Li | Bad Column Management with Bit Information in Non-Volatile Memory Systems |
US8725935B2 (en) | 2009-12-18 | 2014-05-13 | Sandisk Technologies Inc. | Balanced performance for on-chip folding of non-volatile memories |
US9342446B2 (en) | 2011-03-29 | 2016-05-17 | SanDisk Technologies, Inc. | Non-volatile memory system allowing reverse eviction of data updates to non-volatile binary cache |
US8681548B2 (en) | 2012-05-03 | 2014-03-25 | Sandisk Technologies Inc. | Column redundancy circuitry for non-volatile memory |
US10032524B2 (en) | 2015-02-09 | 2018-07-24 | Sandisk Technologies Llc | Techniques for determining local interconnect defects |
US11430504B2 (en) * | 2020-08-27 | 2022-08-30 | Micron Technology, Inc. | Row clear features for memory devices and associated methods and systems |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4757503A (en) * | 1985-01-18 | 1988-07-12 | The University Of Michigan | Self-testing dynamic ram |
US4805093A (en) * | 1986-10-14 | 1989-02-14 | Ward Calvin B | Content addressable memory |
JP2000132997A (ja) | 1998-10-26 | 2000-05-12 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
-
2001
- 2001-07-24 DE DE10135966.7A patent/DE10135966B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-07-24 US US10/202,690 patent/US6728147B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10223167A1 (de) * | 2002-05-24 | 2003-12-11 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Testen von Speichereinheiten in einer digitalen Schaltung |
US7343532B2 (en) | 2002-05-24 | 2008-03-11 | Infineon Technologies Ag | Testing memory units in a digital circuit |
DE10223167B4 (de) * | 2002-05-24 | 2015-11-05 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Testen von Speichereinheiten in einer digitalen Schaltung |
DE10338677B3 (de) * | 2003-08-22 | 2005-04-21 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit und Testvorrichtung |
DE112006002842B4 (de) * | 2005-11-14 | 2017-06-01 | Mitsubishi Electric Corp. | Speicher-Diagnose-Vorrichtung |
DE102006007993A1 (de) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Infineon Technologies Ag | Testhilfseinrichtung in einem Speicherbaustein |
DE102006007993B4 (de) * | 2006-02-21 | 2007-11-08 | Infineon Technologies Ag | Testhilfseinrichtung in einem Speicherbaustein |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10135966B4 (de) | 2015-06-03 |
US20030021169A1 (en) | 2003-01-30 |
US6728147B2 (en) | 2004-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69019555T2 (de) | Technik für die serielle Prüfung eingebauter Speicher. | |
DE19851861B4 (de) | Fehleranalysespeicher für Halbleiterspeicher-Testvorrichtungen und Speicherverfahren unter Verwendung des Fehleranalysespeichers | |
DE3702408C2 (de) | ||
DE10330593A1 (de) | Integrierter Taktversorgungsbaustein für ein Speichermodul, Speichermodul, welches den integrierten Taktversorgungsbaustein umfasst, sowie Verfahren zum Betreiben des Speichermoduls unter Testbedingungen | |
EP1113362A2 (de) | Integrierter Halbleiterspeicher mit einer Speichereinheit zum Speichern von Adressen fehlerhafter Speicherzellen | |
DE10135966A1 (de) | Verfahren zum On-Chip-Testen von Speicherzellen einer integrierten Speicherschaltung | |
DE10134985A1 (de) | Test eines Halbleiterspeichers mit mehreren Speicherbänken | |
DE10052211A1 (de) | Integrierte Schaltung mit Testbetriebsart und Verfahren zum Testen einer Vielzahl solcher integrierter Schaltungen | |
DE10296828T5 (de) | Halbleiterspeichertestgerät und Adressgenerator zur Defektanalyse | |
DE19819570C2 (de) | Anordnung zum Testen mehrerer Speicherchips auf einem Wafer | |
DE10123582B4 (de) | Mustergenerator für ein Halbleiterprüfsystem sowie Verfahren zur Prüfmustererzeugung | |
DE2242279C3 (de) | Schaltungsanordnung zur Ermittlung von Fehlern in einer Speichereinheit eines programmgesteuerten Datenvermittlungssystems | |
DE10134654A1 (de) | Verfahren zur Fehleranalyse von Speichermodulen | |
DE102004010783A1 (de) | Verfahren und Schaltungsanordnung zum Testen elektrischer Bausteine | |
DE10223167B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Testen von Speichereinheiten in einer digitalen Schaltung | |
EP0459001B1 (de) | Integrierter Halbleiterspeicher | |
WO1988009554A1 (en) | Process and arrangement for self-checking of a word-oriented ram | |
DE10011180B4 (de) | Digitale Speicherschaltung | |
DE10338678B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Testen von zu testenden Schaltungseinheiten | |
DE102008034346B4 (de) | Verfahren zum Zugriff auf einen Speicherchip | |
DE10119869B4 (de) | Schaltungsanordnung und Verfahren zum selektiven Übertragen von Informationen zu Chips auf einem Wafer | |
DE10338677B3 (de) | Verfahren zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit und Testvorrichtung | |
DE69826727T2 (de) | Automatische generierung von anwenderdefinierbarem speicher-bist-kreislauf | |
DE2025864C2 (de) | Verfahren zur elektrischen Funktionsprüfung von elektrischen Grundbausteinen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE10234944A1 (de) | Verfahren zum Testen eines Halbleiterspeichers mit mehreren Speicherbänken |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, DE Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: WILHELM & BECK, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 85579 NEUBIBERG, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: WILHELM & BECK, DE |
|
R020 | Patent grant now final | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |