DE10134240A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Auswertung einer Halbleiter-Wafer Strukturform - Google Patents

Abstract

Zum Erhalt von SEM-Liniensegmentdaten DC einer auszuwertenden Struktur wird eine Liniensegmentextraktion der betreffenden Struktur auf Basis von SEM-Bilddaten DBL ausgeführt. Erzielt werden Überlagerungsverschiebungsabstände auf der Grundlage von CAD-Liniensegmentdaten DD, welche der betreffenden Struktur und SEM-Liniensegmentdaten DC entsprechen, wobei die Auswertung der betreffenden Struktur in zwei Dimensionen durchgeführt und resultierende Beurteilungswertdaten DE graphisch dargestellt werden.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vor­ richtung zur Auswertung einer Halbleiter-Strukturform, insbe­ sondere eine Verfahren und Vorrichtung zur zweidimensionalen Auswertung einer Strukturform durch Vergleichen einer tatsäch­ lich ausgebildeten und einer geplanten Strukturform auf einem Halbleiter-Wafer.

Bestand die Notwendigkeit, Untersuchungen dahingehend durchzu­ führen, ob die Form von Strukturen auf einem Wafer der vorher­ gesagten Form entspricht oder nicht, wurde im Stand der Technik unter Nutzung kritischer Abmessungen SEM - Scanning Electron Microscope (CDSEM - Critical Dimension Scanning Electron Microscope) die Weite von Strukturen und die Länge von Inter­ vallen zwischen Strukturen gemessen. Die Form einer fertigen Struktur wurde dann auf Basis der Messergebnisse dieser Längen ausgewertet.

Die oben beschriebene Technologie wertet fertige Produkte auf eindimensionale Art und Weise durch Messen der Weiten und der Intervalle zwischen den auf einem Wafer ausgebildeten Struktu­ ren aus. Tatsächlich gefordert ist allerdings eine zweidimen­ sionale Auswertung von Formen, bei der bei Abschluss einer ge­ wünschten Strukturform der Grad der Übereinstimmung der fertig­ gestellten Struktur bewertet werden kann.

Verlässliche Technologie zum Auswerten einer auf einem Wafer ausgebildeten fertigen Struktur muss bislang jedoch entwickelt werden.

Weiterhin kann die Auswertung einer Struktur unter Nutzung kri­ tischer Dimensionen SEM (CDSEM) nur auf begrenzte Bereiche ei­ nes Wafers angewendet, und das Überprüfen der fertigen Struktur nicht an beliebigen Stellen ausgeführt werden.

Es ist deshalb Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Auswertung einer Halbleiter-Struktur­ form bereitzustellen, welche zur zweidimensionalen Auswertung der fertigen, auf einem Wafer ausgebildeten Struktur an belie­ bigen Stellen geeignet sind.

Als ein Merkmal der vorliegenden Erfindung zur Lösung der oben genannten Probleme ist ein Gerät zur Auswertung der gemäß CAD- Daten auf einem Halbleiter-Wafer ausgebildeten Strukturform vorgesehen, welches folgendes aufweist:
Bezeichnungsmittel zum Bezeichnen einer entsprechend auszuwer­ tenden Struktur unter Nutung von CAD-Daten;
Erfassungsmittel für CAD-Liniensegmentdaten entsprechend der SEM-Bilddaten für die betreffende Struktur und für die betref­ fende Struktur in Erwiderung zu den Bezeichnungsmitteln;
Mittel, um für die auf SEM-Bilddaten beruhende Strukturform eine Liniensegmentextraktion zum Gewinnen von SEM-Linienseg­ mentdaten durchzuführen;
Verfahrensmittel zur Auswertung, um die Strukturform einem zweidimensionalen Auswertungsprozess auf der Basis von CAD-Li­ niensegmentdaten und SEM-Liniensegmentdaten zu unterziehen; und
Anzeigemittel zum Anzeigen von Auswertungsergebnissen des Ver­ fahrensmittels zur Auswertung.

Auswertungspunkte können Strukturendpunkte, Weiten, Abstände oder Flächenbereiche etc. sein. Das zweidimensionale Auswer­ tungsverfahren beinhaltet einen Ablauf zum Berechnen von Über­ lagerungs-Verschiebungsabständen zwischen CAD-Liniensegmentda­ ten und SEM-Liniensegmentdaten für markierte Liniensegmente ei­ ner betreffenden Struktur. In diesem Fall werden die erhaltenen Überlagerungs-Verschiebungsabstände mit vorgegebenen Werten verglichen, und Beurteilungswerte entsprechend dieser Überlage­ rungs-Verschiebungsabstände gewonnen.

Werden Beurteilungswerte mit durch das Verfahrensmittel zur Auswertung zugeordneten Schwellen erhalten, können die Beurtei­ lungswerte unter Nutzung von Farben oder Mustern etc., welche für jede Schwelle vordefiniert sind, auf einem Anzeigemittel dargestellt werden. In diesem Fall können Beurteilungswerte für jede Stelle einer Strukturform an entsprechenden Stellen auf einer Wafer-Karte angezeigt werden. Durch diese Auslegung kön­ nen problematische Stellen und deren zugeordneten Beurteilungs­ werte so angezeigt werden, dass sie auf einen Blick verstanden werden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Auswer­ tung der Form einer auf einem Halbleiter-Wafer ausgebildeten Struktur im Zusammenhang mit CAD-Daten bereitgestellt, welches Schritte des Extrahierens von Liniensegmenten einer auf SEM- Bilddaten beruhenden betreffenden Struktur einer auszuwertenden betreffenden Struktur und des Bereitstellens von SEM-Linienseg­ mentdaten, und des zweidimensionalen Auswertens der betreffen­ den Struktur auf Basis von CAD-Liniensegmentdaten entsprechend der betreffenden Struktur und SEM-Liniensegmentdaten aufweist.

Auswertungspunkte können Strukturendpunkte, Weiten, Abstände oder Flächenbereiche etc. sein. Das zweidimensionale Auswer­ tungsverfahren basiert auf Überlagerungs-Verschiebungsabständen zwischen CAD-Liniensegmentdaten und SEM-Liniensegmentdaten für markierte Liniensegmente einer betreffenden Struktur. In diesem Fall werden die erhaltenen Überlagerungs-Verschiebungsabstände mit vorgegebenen Werten verglichen, wodurch Beurteilungswerte entsprechend dieser Überlagerungs-Verschiebungsabstände erhal­ ten werden können.

Die in der oben genannten Art erzielten Beurteilungswerte sind zugeteilte Schwellen, und die Beurteilungswerte können unter Nutzung Farben und Mustern, welche für jede Schwelle vordefi­ niert werden, angezeigt werden. In diesem Fall können Beurtei­ lungswerte für jede Stelle der betreffenden Struktur an den entsprechenden Stellen auf einer Wafer-Karte dargestellt wer­ den.

Im folgenden wird die Erfindung anhand einiger Ausführungsbei­ spiele näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 zeigt ein Blockschaltbild eines Ausführungsbeispiels eines Gerätes zum Auswerten der Strukturform eines Halbleiter-Wafers gemäß der vorliegenden Erfindung;

Fig. 2 zeigt einen Ablaufplan des Navigationsprogramms der Fig. 1;

Fig. 3 zeigt ein Blockschaltbild die Konfiguration der Auswertungsberechnungseinheit der Fig. 1;

Fig. 4 zeigt ein Beispiel eines Anzeigezustandes an der Anzeigeeinheit der Fig. 1; und

Fig. 5 zeigt ein weiteres Beispiel eines Anzeigezustandes an der Anzeigeeinheit der Fig. 1.

Fig. 1 zeigt ein Blockschaltbild eines Ausführungsbeispiels ei­ nes Gerätes zum Auswerten der Strukturform eines Halbleiter-Wa­ fers gemäß der vorliegenden Erfindung. Ein Gerät 1 zur Auswer­ tung einer Strukturform dient zur Bestimmung, ob die auf einem Halbleiter-Wafer 3, welcher auf einer Plattform 2 montiert ist, auf Grund von CAD-Daten ausgebildete Form einer Struktur (nicht gezeigt) mit den CAD-Daten übereinstimmt.

Bezugsziffer 4 zeigt, dass ein Eingabegerät zur Eingabe von Be­ zeichnungsdaten zum Bezeichnen der betreffenden Struktur des Halbleiter-Wafers 3, welche ausgewertet werden soll, vorgesehen ist, und Bezeichnungsdaten DA unter Nutzung des Eingabegerätes 4 zum CAD-Navigationsgerät 5 übertragen werden. Das CAD-Naviga­ tionsgerät 5 dient zur Gewinnung von SEM-Bilddaten der betref­ fenden Struktur von einem Strukturüberprüfungsgerät 6 durch Ausrichten des Überprüfungssichtfeldes des Strukturüberprü­ fungsgerätes 6 mit einer durch die Bezeichnungsdaten DA vorge­ sehenen Position der betreffenden Struktur auf dem Halbleiter- Wafer 3. Es besteht aus einem vorgehend beschriebenen Navigati­ onsprogramm, welches auf einer hinlänglich bekannten, einen Mi­ krocomputer umfassenden Rechnereinheit, installiert ist. Das CAD-Navigationsgerät 5 arbeitet entsprechend diesem Navigati­ onsprogramm.

Die notwendige automatische Positionsausrichtung des Sichtfel­ des des Strukturüberprüfungsgerätes 6 zum Überwachen wird auf diese Art durch Vergrößern der auf einem Halbleiter-Wafer 3 ausgebildeten betreffenden Struktur mit hoher Präzision mehrere Male ausgeführt.

Fig. 2 zeigt einen Ablaufplan des Navigationsprogramms. Im Fol­ genden wird das Vorgehen zum automatischen Positionieren des Überprüfungssichtfeldes unter Nutzung des CAD-Navigationsgerä­ tes 5 im Hinblick auf Fig. 2, beschrieben.

Ist die betreffende Struktur einer Struktur für einen Halblei­ ter-Wafer 3 mit Hilfe des Eingabegerätes 4 bezeichnet worden, wird ein Positionseinstellsignal S1 von dem CAD-Navigationsge­ rät 5 als Reaktion auf die Bezeichnung der betreffenden Struk­ tur (Schritt 11) ausgegeben. In Schritt 12 bewegt ein Positi­ onssteuergerät 7 die Plattform 2 als Reaktion auf das Positi­ onseinstellsignal S1. Der Halbleiter-Wafer 3 wird dann relativ zu dem Strukturüberprüfungsgerät 6 in der Art positioniert, dass das Zentrum des Überprüfungssichtfeldes des Strukturüber­ prüfungsgerätes 6 mit dem Zentrum der Überprüfung der betref­ fenden, zu dieser Zeit bezeichneten Struktur zusammenfällt.

Im nächsten Schritt 13 wird die Vergrößerung des Strukturüber­ prüfungsgerätes 6 auf eine angemessen kleine Vergrößerung ein­ gestellt, so dass das Zentrum der Überprüfung der betreffend bezeichneten Struktur innerhalb des Überprüfungssichtfensters des Strukturüberwachungsgerätes 6 liegt, wie durch das von dem CAD-Navigationsgerät 5 ausgegebenen Vergrößerungseinstellsignal S3 eingestellt wurde. Hinsichtlich des niedrigen Vergrößerungs­ faktors kann, z. B. selbst wenn ein Positionseinstellfehler in der Positionierung der Plattform 2 vorausberechnet wird, der Vergrößerungsfaktor durch Einbeziehen der Plattformpräzision der Plattform 2 bestimmt werden, so dass das Überprüfungszen­ trum der betreffend bezeichneten Struktur in der Überprüfungs­ sichtlinie des Strukturüberprüfungsgerätes 6 platziert ist.

In Schritt 14 werden Bilddaten DBS, welche ein unter den vorstehenden Überwachungsbedingungen von dem Strukturüberprü­ fungsgerät 6 erhaltenes SEM-Bild niedriger Auflösung der be­ treffenden Struktur darstellen, an dem CAD-Navigationsgerät 5 aufgenommen und in dem Pufferspeicher 51 innerhalb des CAD-Na­ vigationsgerät 5 abgelegt.

In Schritt 15 werden die in dem Pufferspeicher abgelegten Bild­ daten DBS mit einem hinlänglich bekannten Verfahren zum Durch­ führen von Kantenextraktionen verarbeitet. Als Ergebnis werden Kantenliniensegmentdaten der betreffenden Struktur auf Basis der Bilddaten DBS erhalten.

Als nächstes werden in Schritt 16 CAD-Graphikdaten entsprechend der in Schritt 14 erhaltenen Bilddaten DBS aus dem Speicher M1, welcher die CAD-Daten speichert, gelesen und in dem Pufferspei­ cher 51 abgelegt. Die CAD-Graphikdaten beschreiben die Struk­ turauslegungszeichnung, welche ihren Mittelpunkt am Überprü­ fungszentrum des Strukturüberprüfungsgerätes 6 hat. Die CAD-Li­ niensegmentdaten werden auf Basis der ausgelesenen CAD-Graphik­ daten gewonnen. Die CAD-Liniensegmentdaten beschreiben das Li­ niensegment der Struktur gemäß der CAD-Daten.

Zusätzlich wird in Schritt 17 eine Übereinstimmungsverarbeitung ausgeführt, bei der die Kantenliniensegmentdaten mit den CAD- Liniensegmentdaten verglichen werden. Als Ergebnis wird der Versatzbetrag zwischen dem Überprüfungszentrum und dem Zentrum des Überprüfungssichtfensters des Strukturüberprüfungsgerätes 6 berechnet. Der Versatzbetrag wird als Betrag der Bildverlage­ rung innerhalb der Überprüfungsebene berechnet.

Im Schritt 18 wird, gemäß des in Schritt 17 erhaltenen Versatz­ betrages, ein Positionskorrektursignal S2 zum Bewegen der Plattform 2 ausgegeben um das Überprüfungszentrum und das Zen­ trum des Überprüfungssichtfensters des Strukturüberprüfungsge­ räts 6 auszurichten. Das Positionssteuergerät 7 arbeitet gemäß des Positionskorrektursignals S2, wodurch als Ergebnis das Überprüfungszentrum mit dem Zentrum des Überprüfungssichtfen­ sters des Strukturüberprüfungsgerätes 6 ausgerichtet wird.

Wie vorgehend beschrieben, wird als erstes unter Nutzung des CAD-Navigationsgerätes 5 der Versatzbetrag zwischen dem Über­ prüfungszentrum des niedrig vergrößerten SEM-Bildes und dem ak­ tuellen Zentrum des Überprüfungssichtfensters des Strukturüber­ prüfungsgerätes 6 berechnet. Hinsichtlich des Versatzbetrages als Positionierungsfehler gemäß der Plattformpräzision, wird die Plattform 2 um den Versatzbetrag bewegt, weshalb das Über­ prüfungssichtfenster des Strukturüberprüfungsgerätes 6 exakt an die betreffende Struktur der Struktur des Halbleiter-Wafers 3 positioniert werden kann. Zusätzlich kann jeder oben beschrie­ bener Vorgang zum Positionieren durch Bewegen des Strukturüber­ prüfungsgerätes 6 ausgeführt werden.

Nachdem das Überprüfungssichtfenster des Strukturüberprüfungs­ gerätes 6 exakt an der betreffenden Struktur der auf einem Halbleiter-Wafer 3 ausgebildeten Struktur positioniert ist, setzt das CAD-Navigationsgerät 5 die Überprüfungsvergrößerung des Strukturüberprüfungsgerätes 6 unter Nutzung des Vervielfäl­ tigungseinstellsignals S3 auf einen notwendig hohen Vergröße­ rungsgrad. Die SEM-Bilddaten DBL für die betreffende Struktur werden in diesem Zustand dann von dem Strukturüberprüfungsgerät 6 ausgegeben, und die SEM-Bilddaten DBL an ein SEM-Bildlinien­ segmentextraktionsgerät 8 übermittelt.

Dann wird eine Liniensegmentextraktionsverarbeitung der durch die SEM-Bilddaten DBL dargestellten betreffenden Struktur, wel­ che in das SEM-Bildliniensegmentextraktionsgerät 8 eingespeist wurden, durchgeführt, und Liniensegmentdaten der betreffenden Struktur bildende SEM-Liniensegmentdaten DC ausgegeben.

Das CAD-Navigationsgerät 5 liest dann in dem Speicher M1 abge­ legte CAD-Daten, und berechnet auf Basis dieser CAD-Daten CAD- Liniensegmentdaten DD entsprechend der betreffenden Struktur und gibt diese aus. SEM-Liniensegmentdaten DC und CAD-Linien­ segmentdaten DD werden in eine Auswertungsberechnungseinheit 9 eingespeist, und eine zweidimensionale Auswertungsverarbeitung zum Auswerten dieser betreffenden Struktur wird in zwei Dimen­ sionen ausgeführt.

Ein Blockschaltbild des Aufbaus der Auswertungsberechnungsein­ heit 9 ist in Fig. 3 gezeigt. Die Auswertungsberechnungseinheit 9 umfasst eine Liniensegmentüberlagerungsverarbeitungseinheit 91 zum Empfangen und Ausführen einer Überlagerungsverarbeitung auf CAD-Liniensegmentdaten DD und SEM-Liniensegmentdaten DC, und eine Überlagerungsverschiebungsabstandsberechnungseinheit 92 zum Berechnen von Überlagerungsverschiebungsabständen für Auswertungselemente, wobei Endpunkte der betreffenden Struktur, Weiten, und Abstände zwischen benachbarten Strukturen auf der Grundlage von Überlagerungsdaten S91 der Liniensegmentüberlage­ rungsverarbeitungseinheit 91 als Auswertungselemente herangezo­ gen werden.

Die Auswertungsberechnungsergebnisse der Überlagerungsverschie­ bungsabstandsberechnungseinheit 92 für jedes Auswertungselement werden als numerisch dargestellte Auswertungsergebnisdaten S92 ausgegeben, und in die Beurteilungswerteberechnungseinheit 93 eingespeist. Im Speicher M2 werden die Auswertungsergebnisdaten S92 als numerische Werte in einer Verschiebungsbeurteilungswer­ tetabelle zum Ausführen einer Auswertung in fünf Schwellen ab­ gelegt. In der Auswertungsberechnungseinheit 9 wird dann eine Auswertung für jedes Auswertungselements der betreffenden Struktur in fünf Schwellen durch Vergleichen des eingespeisten numerischen Wertes mit der Verschiebungsbeurteilungswerteta­ belle ausgeführt. Beurteilungswertedaten DE, welche diese Aus­ wertungsergebnisse zeigen, werden dann ausgegeben.

Auf Fig. 1 zurückkommend, werden an der Auswertungsberechnungs­ einheit 9 die wie oben beschrieben erfassten Auswertungsdaten DE zu einer Anzeige 10 gesandt. Ergebnisse zur Auswertung der Struktur des Halbleiter-Wafers 3 werden dann auf der Grundlage der Beurteilungswertedaten DE an der Anzeigeeinheit 10 ange­ zeigt.

Fig. 4 zeigt ein Beispiel einer Bildschirmanzeige, welche an der Anzeigeeinheit 10 dargestellt wird. Bezugsziffer 21 be­ zeichnet eine schematische Ansicht, welche die Strukturform der Oberfläche des Halbleiter-Wafers 3 zeigt. In der schematischen Ansicht der Struktur 21 ist beispielhaft ein in 26 Segmente un­ terteilter Halbleiter-Wafer 3 gezeigt. Eine vorgesehene Struk­ tur gemäß der CAD-Daten ist an jedem der Segmente ausgebildet. Diese Strukturen sind in Fig. 4 jedoch nicht dargestellt. Mit den Auswertungsergebnissen der an jedem Segment des Halbleiter- Wafers 3 ausgebildeten Struktur werden Muster, welche so vor­ eingestellt sind, dass die mit den in Fig. 4 gezeigten fünf Aus­ wertungsschwellen korrespondieren, entsprechend der Auswer­ tungsergebnisse an entsprechenden Stellen innerhalb der schema­ tischen Ansicht der Struktur 21 dargestellt. Eine mögliche Kon­ figuration sieht auch vor, dir Anzeige so zu gestalten, dass statt der fünf Typen von Mustern entsprechend gestaltete Mar­ kierungen durch Verwenden von fünf Farben benutzt, werden.

Ein Beispiel einer separaten Anzeige an der Anzeigeeinheit 10 ist in Fig. 5 dargestellt. Dort werden Auswertungsergebnisse jedes Teiles P1 bis P4 der betreffenden Struktur P unter Benut­ zung des fünfschwelligen Anzeigemusters der Fig. 4 angezeigt, wobei die Anzeige so gestaltet ist, dass die Auswertungsergeb­ nisse mit einem jedem der Teile P1 bis P4 zugeteilten Muster dargestellt werden. Auf dem Design ist dann eine dünne Linie L gemäß der CAD-Daten dargestellt.

Von Vorteil ist es, dass, entsprechend dem Anzeigezustand der Fig. 4 und Fig. 5, problematische Stellen und deren zugehörige Beurteilungswerte auf eine auf einen Blick verständliche Art und Weise angezeigt werden können. Im Ergebnis führt dies zu einer wesentlichen Verringerung von Defekten und fehlerhaften Bestätigungen.

Mit dem Gerät zur Auswertung einer Strukturform 1 kann das Übereinstimmen etc. einer auf einem Wafer ausgebildeten Struk­ tur quantitativ ausgewertet werden. Zusätzlich zur Verbesserung der Verlässlichkeit des Qualitätsmanagements im Produktionspro­ zess kann eine verbesserte Auslegung in jedem der Prozesse De­ sign, Maskenherstellung, Belichtungsgeräte, Defekterkennungsge­ räte und Prozesse etc. erreicht werden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung, kann die Übereinstimmung etc. der auf einem Halbleiter-Wafer 3 ausgebildeten Struktur quanti­ tativ ausgewertet werden. Zusätzlich zur Verbesserung der Ver­ lässlichkeit des Qualitätsmanagements im Produktionsprozess kann eine verbesserte Auslegung in jedem der Prozesse Design, Maskenherstellung, Belichtungsgeräte, Defekterkennungsgeräte und Prozesse etc. erreicht werden.

Weiterhin können problematische Stellen und deren zugehörige Beurteilungswerte durch eine leicht verständliche Art der An­ zeige unter Benutzung von Mustern und Farben auf einen Blick bequem erfasst werden. Dadurch wird eine hohe Benutzerfreund­ lichkeit und eine erhebliche Verringerung von Defekten und feh­ lerhaften Bestätigungen sichergestellt.

Claims (16)

1. Vorrichtung zur Auswertung einer gemäß CAD-Daten auf einem Halbleiter-Wafer ausgebildeten Halbleiter-Wafer- Strukturform, welche folgendes aufweist:
Bezeichnungsmittel zum Bezeichnen einer entsprechend auszuwertenden Struktur unter Nutung von CAD-Daten;
Erfassungsmittel für CAD-Liniensegmentdaten entsprechend der SEM-Bilddaten für die betreffende Struktur und für die betreffende Struktur in Erwiderung zu den Bezeichnungsmitteln;
Mittel, um für die auf SEM-Bilddaten beruhende Strukturform eine Liniensegmentextraktion zum Gewinnen von SEM- Liniensegmentdaten durchzuführen;
Verfahrensmittel zur Auswertung, um die Strukturform einem zweidimensionalen Auswertungsprozess auf der Basis von CAD- Liniensegmentdaten und SEM-Liniensegmentdaten zu unterziehen; und
Anzeigemittel zum Anzeigen von Auswertungsergebnissen des Verfahrensmittels zur Auswertung.

2. Vorrichtung zur Auswertung einer Halbleiter-Wafer- Strukturform gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die CAD-Liniensegmentdaten auf der Grundlage von Daten bereitgestellt werden, welche der betreffenden Struktur der CAD-Daten entsprechen.

3. Vorrichtung zur Auswertung einer Halbleiter-Wafer- Strukturform gemäß Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass im zweidimensionalen Auswertungsverfahren auftretende Auswertungspunkte wenigstens einen der Strukturendpunkte, Weite, Abstand und Oberflächenbereich umfassen.

4. Vorrichtung zur Auswertung einer Halbleiter-Wafer- Strukturform gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der zweidimensionale Auswertungsprozess einen Prozess zum Berechnen der Überlagerungsverschiebungsabstände zwischen CAD-Liniensegmentdaten und SEM-Liniensegmentdaten für markierte Liniensegmente einer betreffenden Struktur umfasst.

5. Vorrichtung zur Auswertung einer Halbleiter-Wafer- Strukturform gemäß Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Überlagerungsverschiebungsabstand mit einem vorgegebenen Referenzwert verglichen wird, wobei Beurteilungswerte entsprechend den Überlagerungsverschiebungsabständen als die dargestellten Auswertungsergebnisse benutzt werden.

6. Vorrichtung zur Auswertung einer Halbleiter-Wafer- Strukturform gemäß Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Überlagerungsverschiebungsabstand mit einem vorgegebenen Referenzwert verglichen wird, wobei Beurteilungswerte entsprechend den Überlagerungsverschiebungsabständen Schwellen zugeordnet sind und als die dargestellten Auswertungsergebnisse benutzt werden.

7. Vorrichtung zur Auswertung einer Halbleiter-Wafer- Strukturform gemäß einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Überlagerungsverschiebungsabstand mit einem vorgegebenen Referenzwert verglichen wird, Beurteilungswerte entsprechend den Überlagerungsverschiebungsabständen zugeordnete Schwellen sind, und wobei die Beurteilungswerte an dem Anzeigemittel unter Benutzung von Farben oder Mustern etc., welche für jede Schwelle vordefiniert sind, dargestellt werden.

8. Vorrichtung zur Auswertung einer Halbleiter-Wafer- Strukturform gemäß einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass Beurteilungswerte für jede Stelle des betreffenden Struktur an entsprechenden Stellen auf der Wafer-Karte dargestellt werden.

9. Verfahren zur Auswertung einer gemäß CAD-Daten auf einem Halbleiter-Wafer ausgebildeten Halbleiter-Wafer- Strukturform, welche folgende Schritte aufweist:
Extrahieren von Liniensegmenten einer auf SEM-Bilddaten beruhenden betreffenden Struktur einer auszuwertenden betreffenden Struktur und Bereitstellen von SEM- Liniensegmentdaten, und zweidimensionales Auswerten der betreffenden Struktur auf Basis von CAD-Liniensegmentdaten entsprechend der betreffenden Struktur und SEM- Liniensegmentdaten.

10. Verfahren zur Auswertung einer Halbleiter-Wafer- Strukturform gemäß Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die CAD-Liniensegmentdaten auf der Grundlage von Daten bereitgestellt werden, welche der betreffenden Struktur der CAD-Daten entsprechen.

11. Verfahren zur Auswertung einer Halbleiter-Wafer- Strukturform gemäß Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass im zweidimensionalen Auswertungsverfahren auftretende Auswertungspunkte wenigstens einen der Strukturendpunkte, Weite, Abstand und Oberflächenbereich umfassen.

12. Verfahren zur Auswertung einer Halbleiter-Wafer- Strukturform gemäß einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass der zweidimensionale Auswertungsprozess einen Prozess zum Berechnen der Überlagerungsverschiebungsabstände zwischen CAD-Liniensegmentdaten und SEM-Liniensegmentdaten für markierte Liniensegmente einer betreffenden Struktur umfasst.

13. Verfahren zur Auswertung einer Halbleiter-Wafer- Strukturform gemäß Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Überlagerungsverschiebungsabstand mit einem vorgegebenen Referenzwert verglichen wird, wobei Beurteilungswerte entsprechend den Überlagerungsverschiebungsabständen als die dargestellten Auswertungsergebnisse benutzt werden.

14. Verfahren zur Auswertung einer Halbleiter-Wafer- Strukturform gemäß Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Überlagerungsverschiebungsabstand mit einem vorgegebenen Referenzwert verglichen wird, wobei Beurteilungswerte entsprechend den Überlagerungsverschiebungsabständen Schwellen zugeordnet sind und als die dargestellten Auswertungsergebnisse benutzt werden.

15. Verfahren zur Auswertung einer Halbleiter-Wafer- Strukturform gemäß einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Überlagerungsverschiebungsabstand mit einem vorgegebenen Referenzwert verglichen wird, Beurteilungswerte entsprechend den Überlagerungsverschiebungsabständen zugeordnete Schwellen sind, und wobei die Beurteilungswerte an dem Anzeigemittel unter Benutzung von Farben oder Mustern etc., welche für jede Schwelle vordefiniert sind, dargestellt werden.

16. Verfahren zur Auswertung einer Halbleiter-Wafer- Strukturform gemäß einem der Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass Beurteilungswerte für jede Stelle des betreffenden Struktur an entsprechenden Stellen auf der Wafer-Karte dargestellt werden.