DE10115816B4 - Integrierter dynamischer Speicher und Verfahren zum Betrieb eines integrierten dynamischen Speichers - Google Patents

Integrierter dynamischer Speicher und Verfahren zum Betrieb eines integrierten dynamischen Speichers Download PDF

Info

Publication number
DE10115816B4
DE10115816B4 DE10115816A DE10115816A DE10115816B4 DE 10115816 B4 DE10115816 B4 DE 10115816B4 DE 10115816 A DE10115816 A DE 10115816A DE 10115816 A DE10115816 A DE 10115816A DE 10115816 B4 DE10115816 B4 DE 10115816B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
memory
clock
memory cell
clock signal
word lines
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE10115816A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10115816A1 (de
Inventor
Andreas TÄUBER
Jean-Marc Dr. Dortu
Paul Dr. Schmölz
Robert Feurle
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qimonda AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE10115816A priority Critical patent/DE10115816B4/de
Priority to US10/113,413 priority patent/US6707705B2/en
Publication of DE10115816A1 publication Critical patent/DE10115816A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10115816B4 publication Critical patent/DE10115816B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • G11C7/222Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4076Timing circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/408Address circuits
    • G11C11/4085Word line control circuits, e.g. word line drivers, - boosters, - pull-up, - pull-down, - precharge
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

Integrierter dynamischer Speicher,
– mit einem Speicherzellenfeld (2) mit Bitleitungen (BL) und Wortleitungen (WL),
– mit einer Steuerschaltung (4, 5) zur Steuerung eines Speicherzugriffs auf das Speicherzellenfeld,
– bei dem die Steuerschaltung (4, 5) mit einem Anschluß für ein Taktsignal (CK1, CK2) verbunden ist,
– bei dem mehrere durch die Steuerschaltung (4, 5) für einen Speicherzugriff auszuführende Einzelaktionen von der Aktivierung einer der Wortleitungen (WL) bis zur Vorladung der Wortleitungen (WL) synchronisiert mit dem Taktsignal (CK1, CK2) gesteuert werden,
– bei dem die Steuerschaltung (4, 5) eine programmierbare Einheit (3, 6) aufweist, über die eine definierte Anzahl an Taktzyklen zwischen wenigstens zwei Einzelaktionen einstellbar ist,
– der mehrere getrennte Speicherzellenfelder (B0 bis B7) aufweist, wobei die Anzahl an Taktzyklen in der programmierbaren Einheit (6) derart eingestellt ist, daß die Zykluszeit (tRC) für einen Wortleitungszugriff eine Anzahl Taktperioden des Taktsignals (CK2) umfaßt, wobei die Anzahl...

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen integrierten dynamischen Speicher mit einem Speicherzellenfeld mit Bitleitungen und Wortleitungen und mit einer Steuerschaltung zur Steuerung eines Speicherzugriffs auf das Speicherzellenfeld sowie ein Verfahren zum Betrieb eines integrierten dynamischen Speichers.
  • Integrierte Speicherchips weisen oftmals synchron betriebene Schaltungsteile oder Anschlüsse zu synchron betriebenen externen Baugruppen auf sowie asynchron betriebene Schaltungsteile, die beispielsweise für einen Datenaustausch miteinander verbunden sind. Die synchron betriebenen Schaltungsteile sind dabei taktgesteuert, das heißt es ist im allgemeinen ein global verfügbares Taktsignal vorhanden, über das der Betrieb des synchronen Schaltungsteils zeitsynchron gesteuert wird. Im Gegensatz dazu ist ein asynchron betriebener Schaltungsteil nicht taktgesteuert. Beispielsweise weist ein Speicherchip eine DRAM-Speicherschaltung auf, die ein Speicherzellenfeld mit Bitleitungen und Wortleitungen sowie eine Steuerschaltung zur Steuerung eines Speicherzugriffs auf das Speicherzellenfeld aufweist. Die Schaltungsteile der DRAM-Speicherschaltung arbeiten im wesentlichen asynchron.
  • Werden in einem Datenverarbeitungssystem unterschiedliche Schaltungen eingesetzt, die synchron zu einem Takt beziehungsweise asynchron arbeiten, so ist notwendig, daß zwischen den betreffenden unterschiedlichen Schaltungen definierte Schnittstellen geschaffen sind. Dafür werden üblicherweise taktgesteuerte Registerschaltungen verwendet. Dabei werden Daten von einer synchronen Schaltung mit beispielsweise der steigenden Flanke des Taktsignals in einer Eingangsregisterschaltung gespeichert. Die Daten werden von der Eingangsregi sterschaltung in die betreffende DRAN-Schaltung übertragen, die Daten in der DRAN-Schaltung verarbeitet und nach einer asynchronen Zeitspanne an eine Ausgangsregisterschaltung weitergegeben, in die die Daten bei der nächsten steigenden Flanke des Taktsignals übernommen werden. Die Daten des Ausgangsregisters werden zur Weiterverarbeitung an eine synchrone Schaltung übertragen.
  • Dabei können insbesondere Schwierigkeiten auftreten, wenn die Periodendauer des Taktsignals variabel ist und mit der Datenverarbeitungsdauer des asynchron arbeitenden dynamischen Speichers nicht korreliert. Für einen ordnungsgemäßen Betrieb des dynamischen Speichers ist es erforderlich, daß die Eingangsdaten während der gesamten Bearbeitungszeit des Speichers gleich bleiben, um eine korrekte Bearbeitung durch den Speicher zu gewährleisten. Um die Eingangsdaten für mehrere Takte zu halten, ist beispielsweise ein zusätzliches Register vorzusehen.
  • Ist in einem solchen Fall beispielsweise festgelegt, daß die synchrone Schaltung die Daten aus der Ausgangsregisterschaltung des Speichers erst nach einer festgelegten Anzahl von Takten weiterverarbeitet, kann dies dazu führen, daß die synchrone Schaltung unnötig lange auf die verarbeiteten Daten des dynamischen Speichers zur Weiterverarbeitung warten muß (Einführung sogenannter Wait States). Dies kann vor allem bei veränderbaren Taktfrequenzen der synchronen Schaltung eintreten und den Datendurchsatz begrenzen.
  • DE 33 33 862 A1 betrifft eine Datenspeichereinheit einer Datenverarbeitungseinrichtung, bei der eine Zeitsteuerschaltung zur Erzeugung einer Vielzahl von internen Zeitsteuersignalen für die Datenspeichereinheit dient. Die Zeitsteuerschaltung enthält einen schreibbaren Steuerspeicher, wobei die Zeitsteuersignale während jedes Taktschlags eines Taktsignals durch den Ausgang des schreibbaren Steuerspeichers bestimmt sind.
  • Der Artikel "A Pseudo Multi-Bank DRAM with Categorized Access Sequence" von Shiratake, S. et al., veröffentlicht auf den Seiten 127 bis 130 der Druckschrift 1999 Symposium an VLSI Circuits Digest of Technical Papers, betrifft einen DRAM-Speicher mit mehreren Speicherzellenfeldern, bei dem die Zykluszeit für einen Wortleitungszugriff eine Anzahl an Taktperioden umfasst, die einem Mehrfachen der Anzahl an Speicherzellenfelder entspricht.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen integrierten dynamischen Speicher anzugeben, der mit einer taktgesteuerten synchronen Schaltung kommunizieren kann und bei dem in diesem Fall ein vergleichsweise hoher Datendurchsatz auch bei variablen Taktfrequenzen ermöglicht ist.
  • Weiterhin ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Betrieb eines dynamischen Speichers anzugeben, das in Verbindung mit einer taktgesteuerten Schaltung einen vergleichsweise hohen Datendurchsatz auch bei variablen Taktfrequenzen ermöglicht.
  • Die Aufgabe betreffend den integrierten Speicher wird gelöst durch einen integrierten dynamischen Speicher der eingangs genannten Art, bei dem die Steuerschaltung mit einem Anschluß für ein Taktsignal verbunden ist, bei dem mehrere durch die Steuerschaltung für einen Speicherzugriff auszuführende Einzelaktionen von der Aktivierung einer der Wortleitungen bis zur Vorladung der Wortleitungen synchronisiert mit dem Taktsignal gesteuert werden, bei dem die Steuerschaltung eine programmierbare Einheit aufweist, über die eine definierte Anzahl an Taktzyklen zwischen wenigstens zwei Einzelaktionen einstellbar ist und der mehrere getrennte Speicherzellenfelder aufweist, wobei die Anzahl an Taktzyklen in der programmierbaren Einheit derart eingestellt ist, daß die Zykluszeit für einen Wortleitungszugriff eine Anzahl Taktperioden des Taktsignals umfaßt, wobei die Anzahl der Taktperioden der Anzahl der Speicherzellenfelder entspricht.
  • Die Aufgabe betreffend das Verfahren wird gelöst durch ein Verfahren zum Betrieb eines integrierten dynamischen Speichers, der ein Speicherzellenfeld mit Bitleitungen und Wortleitungen aufweist, bei dem mehrere für einen Speicherzugriff auszuführende Einzelaktionen von der Aktivierung einer der Wortleitungen bis zur Vorladung der Wortleitungen synchronisiert mit einem Taktsignal gesteuert werden, bei dem zu Beginn ein Wert zur Festlegung einer definierten Anzahl an Taktzyklen zwischen wenigstens zwei Einzelaktionen programmiert wird, wobei der Speicher mehrere getrennte Speicherzellenfelder aufweist und die Programmierung des Werts abhängig von der Anzahl der Speicherzellenfelder erfolgt.
  • Bei dem erfindungsgemäßen dynamischen Speicher ist es ermöglicht, die Durchführung eines Speicherzugriffs mit einem Taktsignal, das beispielsweise von einer mit dem Speicher kommunizierenden synchronen Schaltung zur Verfügung gestellt wird, so zu steuern, daß zwischen der synchronen Schaltung und dem dynamischen Speicher ein hoher Datendurchsatz ermöglicht ist. Da die für einen Speicherzugriff auszuführenden Einzelaktionen von der Aktivierung einer der Wortleitungen bis zur Vorladung der Wortleitungen synchronisiert mit dem Taktsignal gesteuert werden, können sogenannte Wait States insbesondere bei variabler Taktfrequenz vermieden werden. Da über die Steuerschaltung beziehungsweise über die programmierbare Einheit eine definierte Anzahl an Taktzyklen zwischen wenigstens zwei Einzelaktionen einstellbar ist, kann der Zeitablauf eines Speicherzugriffs an variable Taktfrequenzen angepaßt werden.
  • Die Programmierung des Werts zur Festlegung einer definierten Anzahl an Taktzyklen erfolgt erfindungsgemäß zu Beginn eines Betriebs des dynamischen Speichers. Für den Fall, daß die Anzahl der Taktperioden für einen Wortleitungszugriff der An zahl der Speicherzellenfelder entspricht, ist es ermöglicht, jeweilige Speicherzugriffe auf jedes der Speicherzellenfelder so zu steuern, daß innerhalb der Wortleitungszugriffszeit (sogenannte Row Cycle Time) auf jedes der Speicherzellenfelder ein Speicherzugriff ausgelöst wird. Beispielsweise werden die einzelnen Speicherzugriffe auf die einzelnen Speicherzellenfelder bei jeder Taktperiode des Taktsignals nacheinander ausgelöst. Nachdem der Speicherzugriff auf das letzte der Speicherzellenfelder ausgelöst wurde, kann mit der nächsten Taktperiode ein auszulesendes Datum des als erstes angesprochenen Speicherzellenfeldes ausgelesen werden. Bei einem derartigen sogenannten Multi-Bank-System ist daher eine optimale Nutzung eines Datenbusses ermöglicht. Die Anzahl der Taktzyklen bei einem sogenannten Random Access des dynamischen Speichers wird auf die Anzahl der im Speicher vorhandenen Speicherzellenfelder, beispielsweise in Form von Speicherbänken, angepaßt.
  • In einer Ausführungsform der Erfindung ist die Anzahl an Taktzyklen in der programmierbaren Einheit derart eingestellt, daß die Zykluszeit für einen Wortleitungszugriff einem ganzzahligen Vielfachen der Taktperiode des Taktsignals entspricht. Damit ist ein Speicherzugriff beziehungsweise die Zykluszeit optimal an die Taktfrequenz angepaßt, so daß ein hoher Datendurchsatz erzielbar ist.
  • Weitere vorteilhafte Aus- und Weiterbildungen sind in Unteransprüchen angegeben.
  • Die Erfindung wird im folgenden anhand der in der Zeichnung dargestellten Figuren, die Ausführungsbeispiele der Erfindung darstellen, näher erläutert. Es zeigen
  • 1 und 2 Ausführungsformen eines erfindungsgemäßen integrierten dynamischen Speichers,
  • 3 ein Signaldiagramm für einen Speicherzugriff bei einem Speicher gemäß 2.
  • 1 zeigt einen integrierten dynamischen Speicher 1, der ein Speicherzellenfeld 2 aufweist. Dieses enthält in einer matrixförmigen Anordnung Bitleitungen BL und Wortleitungen WL, in deren Kreuzungspunkten Speicherzellen MC angeordnet sind. Die Speicherzellen MC des hier gezeigten Speichers beinhalten jeweils einen nicht dargestellten Auswahltransistor und einen Speicherkondensator. Dabei sind Steuereingänge der Auswahltransistoren mit einer der Wortleitungen WL verbunden, während ein Hauptstrompfad der Auswahltransistoren zwischen dem Speicherkondensator der jeweiligen Speicherzelle MC und einer der Bitleitungen BL angeordnet ist. Die Speicherzellen MC sind jeweils über ein Adreßsignal ADR1 adressierbar.
  • Der dynamische Speicher 1 weist außerdem eine Steuerschaltung 4 zur Steuerung eines Speicherzugriffs auf das Speicherzellenfeld 2 auf. Die Steuerschaltung 4 ist mit einem Anschluß für ein Taktsignal CK1 verbunden, das beispielsweise von einer angeschlossenen synchronen taktgesteuerten Schaltung zur Verfügung gestellt wird. Die Steuerschaltung 4 weist eine programmierbare Einheit 3 auf, über die eine definierte Anzahl an Taktzyklen zwischen wenigstens zwei Einzelaktionen, die bei einem Speicherzugriff auszuführen sind, einstellbar ist. Die Steuerschaltung 4 wird für einen Speicherzellenzugriff von Steuersignalen S1 angesteuert. Diese zeigen beispielsweise einen Beginn und die Art (Lesen, Schreiben) eines Speicherzugriffs an.
  • Die Steuerschaltung 4 ist derart ausgeführt, daß mehrere für den Speicherzugriff auszuführende Einzelaktionen von der Aktivierung einer der Wortleitungen WL bis zur Vorladung der Wortleitungen WL synchronisiert mit dem Taktsignal CK1 gesteuert werden. Beispielsweise wird bei einer ersten Taktflanke die betreffende Wortleitung WL aktiviert, bei einer weiteren Taktflanke ein lokaler Leseverstärker aktiviert, bei einer darauffolgenden Taktflanke eine Spaltenadresse übertragen und, nach weiteren notwendigen auszuführenden Einzelaktionen, bei einer der darauffolgenden Taktflanken die Vorladung der Wortleitungen vorgenommen.
  • Erfindungsgemäß wird zu Beginn des Betriebs des dynamischen Speichers ein Wert zu Festlegung einer definierten Anzahl an Taktzyklen zwischen wenigstens zwei Einzelaktionen programmiert. Dadurch ist es ermöglicht, einen Speicherzugriff bei variablen Taktfrequenzen des Taktsignals CK1 entsprechend an die neuen Gegebenheiten anzupassen. Beispielsweise wird die programmierbare Einheit 3 derart programmiert, daß bei Erhöhung der Taktfrequenz des Taktsignals CK1 die Anzahl an Taktzyklen zwischen zwei Einzelaktionen entsprechend erhöht wird. Am Ende eines Speicherzugriffs werden die Daten in Form von Datensignalen DQ1 aus dem Speicherzellenfeld 2 ausgelesen.
  • Diese werden auf einen Datenbus DB1 übertragen, der aufgrund der synchronisierten Zugriffssteuerung auf den dynamischen Speicher optimal genutzt werden kann.
  • In 2 ist eine weitere Ausführungsform eines dynamischen Speichers 10 dargestellt, der mehrere Speicherzellenfelder in Form von Speicherbänken B0 bis B7 aufweist. Der Speicher 10 weist eine Steuerschaltung 5 auf, die ähnlich zum Speicher gemäß 1 eine programmierbare Einheit 6 aufweist. Die Steuerschaltung 5 generiert aus den Steuersignalen S2 die Signale CS, A und BA. Ein Speicherzugriff wird anhand des Taktsignals CK2 und des Adreßsignals ADR2 gesteuert. Aus dem Speicher werden die Datensignale DQ2 ausgelesen und auf einen Datenbus DB2 ausgegeben.
  • In 3 ist ein Signaldiagramm für einen beispielhaften Speicherzugriff auf die Speicherbänke B0 bis B7 des Speichers 10 gemäß 2 gezeigt. Mit jeder neuen Taktperiode des Taktsignals CK2 werden das Steuersignal /CS, das Adreßsignal A (mit einer Breite von 19 Bit) und die Bankadresse BA (mit einer Breite von 3 Bit) jeweils für die Speicherbänke B0 bis B7 nacheinander übertragen. Die Zykluszeit tRC (Row Cycle Time) für einen Wortleitungszugriff umfaßt die Anzahl von 8 Taktperioden. Das heißt, die Anzahl der Taktperioden entspricht der Anzahl der Speicherbänke B0 bis B7. Innerhalb der sechsten Taktperiode werden für die Speicherbank B0 die Daten DQ2 ausgelesen. Der Zugriffszyklus für die Speicherbank B0 ist mit Ende der Zeit tRC mit Vorladung der entsprechenden Wortleitungen abgeschlossen.
  • Die Row Cycle Time tRC setzt sich zusammen aus der Zeit tRAC (Row Access Time; Wortleitungen werden aktiviert) und der Zeit tRP (Row Precharge Time; Wortleitungen werden vorgeladen). Diese Zeiten entsprechen jeweils einem ganzzahligen Vielfachen der Taktperiode des Taktsignals CK2.
  • Für den Fall, daß sich die Taktfrequenz des Taktsignals CK2 ändert, können die Zeiten tRAC und tRP über eine entsprechende Programmierung der Anzahl der Taktzyklen entsprechend mit dem Taktsignal CK2 synchronisiert werden. Bei einer Erhöhung der Taktfrequenz des Taktsignals CK2 können die Zeiten tRAC und tRP so programmiert werden, daß sie mehr Taktperioden als in 3 dargestellt umfassen. Da in dem vorliegenden Beispiel die Anzahl der Taktperioden des Taktsignals CK2 für die Zeit tRC genau der Anzahl der Speicherbänke entspricht, kann am Datenbus DB2 gemäß 2 ein kontinuierlicher Datenstrom mit hohem Datendurchsatz übertragen werden.
  • 1
    Speicher
    2
    Speicherzellenfeld
    3
    programmierbare Einheit
    4
    Steuerschaltung
    5
    Steuerschaltung
    6
    programmierbare Einheit
    10
    Speicher
    MC
    Speicherzellen
    BL
    Bitleitungen
    WL
    Wortleitungen
    S1, S2
    Steuersignale
    CK1, CK2
    Taktsignal
    ADR1, ADR2
    Adreßsignal
    DQ1, DQ2
    Datensignal
    DB1, DB2
    Datenbus
    CS
    Steuersignal
    A
    Adreßsignal
    BA
    Bankadresse
    B0 bis B7
    Speicherbank
    tRAC, tRP, tRC
    Zeit

Claims (5)

  1. Integrierter dynamischer Speicher, – mit einem Speicherzellenfeld (2) mit Bitleitungen (BL) und Wortleitungen (WL), – mit einer Steuerschaltung (4, 5) zur Steuerung eines Speicherzugriffs auf das Speicherzellenfeld, – bei dem die Steuerschaltung (4, 5) mit einem Anschluß für ein Taktsignal (CK1, CK2) verbunden ist, – bei dem mehrere durch die Steuerschaltung (4, 5) für einen Speicherzugriff auszuführende Einzelaktionen von der Aktivierung einer der Wortleitungen (WL) bis zur Vorladung der Wortleitungen (WL) synchronisiert mit dem Taktsignal (CK1, CK2) gesteuert werden, – bei dem die Steuerschaltung (4, 5) eine programmierbare Einheit (3, 6) aufweist, über die eine definierte Anzahl an Taktzyklen zwischen wenigstens zwei Einzelaktionen einstellbar ist, – der mehrere getrennte Speicherzellenfelder (B0 bis B7) aufweist, wobei die Anzahl an Taktzyklen in der programmierbaren Einheit (6) derart eingestellt ist, daß die Zykluszeit (tRC) für einen Wortleitungszugriff eine Anzahl Taktperioden des Taktsignals (CK2) umfaßt, wobei die Anzahl der Taktperioden der Anzahl der Speicherzellenfelder entspricht.
  2. Integrierter Speicherchip nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anzahl an Taktzyklen in der programmierbaren Einheit (6) derart eingestellt ist, daß die Zykluszeit (tRC) für einen Wortleitungszugriff einem ganzzahligen Vielfachen der Taktperiode des Taktsignals (CK2) entspricht.
  3. Verfahren zum Betrieb eines integrierten dynamischen Speichers, der ein Speicherzellenfeld (2) mit Bitleitungen (BL) und Wortleitungen (WL) aufweist, – bei dem mehrere für einen Speicherzugriff auszuführende Einzelaktionen von der Aktivierung einer der Wortleitungen (WL) bis zur Vorladung der Wortleitungen (WL) synchronisiert mit einem Taktsignal (CK1, CK2) gesteuert werden, – bei dem zu Beginn ein Wert zur Festlegung einer definierten Anzahl an Taktzyklen zwischen wenigstens zwei Einzelaktionen programmiert wird, – wobei der Speicher (10) mehrere getrennte Speicherzellenfelder (B0 bis B7) aufweist und die Programmierung des Werts abhängig von der Anzahl der Speicherzellenfelder erfolgt.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Programmierung des Werts derart erfolgt, daß die Zykluszeit (tRC) für einen Wortleitungszugriff einem ganzzahligen Vielfachen der Taktperiode des Taktsignals (CK2) entspricht.
  5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Programmierung des Werts derart erfolgt, daß die Zykluszeit (tRC) für einen Wortleitungszugriff eine Anzahl Taktperioden des Taktsignals (CK2) umfaßt, wobei die Anzahl der Taktperioden der Anzahl der Speicherzellenfelder entspricht.
DE10115816A 2001-03-30 2001-03-30 Integrierter dynamischer Speicher und Verfahren zum Betrieb eines integrierten dynamischen Speichers Expired - Fee Related DE10115816B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10115816A DE10115816B4 (de) 2001-03-30 2001-03-30 Integrierter dynamischer Speicher und Verfahren zum Betrieb eines integrierten dynamischen Speichers
US10/113,413 US6707705B2 (en) 2001-03-30 2002-04-01 Integrated dynamic memory device and method for operating an integrated dynamic memory

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10115816A DE10115816B4 (de) 2001-03-30 2001-03-30 Integrierter dynamischer Speicher und Verfahren zum Betrieb eines integrierten dynamischen Speichers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10115816A1 DE10115816A1 (de) 2002-10-10
DE10115816B4 true DE10115816B4 (de) 2008-02-28

Family

ID=7679704

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10115816A Expired - Fee Related DE10115816B4 (de) 2001-03-30 2001-03-30 Integrierter dynamischer Speicher und Verfahren zum Betrieb eines integrierten dynamischen Speichers

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6707705B2 (de)
DE (1) DE10115816B4 (de)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3333862A1 (de) * 1982-10-12 1984-04-12 International Computers Ltd., London Datenspeichereinheit

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0328911A (ja) * 1989-06-26 1991-02-07 Mitsubishi Electric Corp マイクロプロセッサ
JP3579461B2 (ja) * 1993-10-15 2004-10-20 株式会社ルネサステクノロジ データ処理システム及びデータ処理装置
TW367656B (en) * 1994-07-08 1999-08-21 Hitachi Ltd Semiconductor memory device
JPH10228773A (ja) * 1997-02-14 1998-08-25 Hitachi Ltd ダイナミック型ram

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3333862A1 (de) * 1982-10-12 1984-04-12 International Computers Ltd., London Datenspeichereinheit

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Shiratake, S. et al.: A Pseudo Multi-Bank DRAM with Categorized Access Sequence. In: 1999 Sym- posium on VLSI Circuits Digest of Technical Papers, S. 127-130
Shiratake, S. et al.: A Pseudo Multi-Bank DRAM with Categorized Access Sequence. In: 1999 Symposium on VLSI Circuits Digest of Technical Papers, S. 127-130 *

Also Published As

Publication number Publication date
US20020141229A1 (en) 2002-10-03
US6707705B2 (en) 2004-03-16
DE10115816A1 (de) 2002-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69104498T2 (de) Synchrone auffrischung eines dynamischen ram-speichers.
DE69422120T2 (de) Synchroner dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff
DE69804108T2 (de) Zweischritt-befehlspuffer für speicheranordnung und verfahren und speicheranordnung und rechnersystem unter verwendung desselben
DE69018112T2 (de) Hochleistungsspeichersystem.
DE19830111A1 (de) Integrierter Speicher
DE19951677B4 (de) Halbleiterspeichervorrichtung
DE102009020758B4 (de) Halbleiterspeicherbauelement und zugehöriges Zugriffsverfahren
DE69330819T2 (de) Synchrone LSI-Speicheranordnung
DE10350865A1 (de) Speicherbaustein mit variabel verzögerter Spaltenauswahl
DE4428647B4 (de) Halbleiterspeicherbauelement mit einer Struktur zur Ansteuerung von Eingabe/Ausgabeleitungen mit hoher Geschwindigkeit
DE10125724B4 (de) Speichersystem, Speicherbauelement und Speicherdatenzugriffsverfahren
DE3783666T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung.
DE102006030373A1 (de) Halbleiterspeichervorrichtung
DE19954564B4 (de) Steuerungsschaltung für die CAS-Verzögerung
DE69712660T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit einer Adressübergangsdetektionsschaltung zur Steuerung von Lese- und Verriegelungsbetrieb
DE69616710T2 (de) Halbleiterspeicher
DE19756929A1 (de) Zellenarray und Leseverstärkerstruktur mit verbesserten Rauscheigenschaften und verringerter Größe
DE10029887A1 (de) Synchrone Halbleiterspeichervorrichtung
DE69616626T2 (de) Direktspeicherzugriffssteuerung
DE10015253A1 (de) Halbleiter-Speichervorrichtung und Schreibdaten-Maskierungsverfahren dafür
DE60210871T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung
DE69421156T2 (de) Steuerverfahren für eine Halbleiterspeicherschaltung
DE10115816B4 (de) Integrierter dynamischer Speicher und Verfahren zum Betrieb eines integrierten dynamischen Speichers
DE10255085A1 (de) Synchrones Halbleiterspeicherbauelement vom Mehrbanktyp
DE69323715T2 (de) Elektronisches Speichersystem und -verfahren

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee