DE10111803A1 - Anordnung und Verfahren zum rückseitigen Kontaktieren eines Halbleitersubstrats - Google Patents
Anordnung und Verfahren zum rückseitigen Kontaktieren eines HalbleitersubstratsInfo
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Abstract
Die Anordnung umfaßt ein Substrat (1), das eine erste Hauptfläche (2) und eine zweite Hauptfläche (3) aufweist. Auf der ersten Hauptfläche (2) ist eine leitfähige Schicht (5) angeordnet. Auf der leitfähigen Schicht (5) ist eine erste isolierende Schicht (6) angeordnet, die eine Oberfläche (9) aufweist, die von der leitfähigen Schicht (5) abgewandt ist. Eine erste Kontaktnadel ist, ausgehend von der Oberfläche (9) durch die erste isolierende Schicht (6) bis in die leitfähige Schicht (5) eingebracht. Hierdurch wird ein elektrischer Kontakt zwischen der ersten Kontaktnadel (10) und der leitfähigen Schicht (5), die das Substrat (1) kontaktiert, gewährleistet.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung und ein
Verfahren zum rückseitigen Kontaktieren eines Halbleitersub
strats.
Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen werden Verfah
rensschritte verwendet, die eine elektrische Kontaktierung zu
dem zu bearbeitenden Substrat erfordern. Dies ist zum Bei
spiel bei elektrischen beziehungsweise elektrochemischen Pro
zeßschritten der Fall. Um sehr viele gleichartige Bauelemente
parallel auf einem Halbleitersubstrat herstellen zu können,
ist es erforderlich, daß das Substrat durch den Prozeßschritt
gleichmäßig bearbeitet wird. Dies erfordert Kontaktierungs
verfahren, die einen bezüglich des Substrats möglichst homo
genen elektrischen Kontakt herstellen. Ist kein homogener
elektrischer Kontakt gewährleistet, so ergibt sich eine Va
riation des elektrischen Potentials über das Substrat, was
sich in einer inhomogenen Prozeßführung bemerkbar machen kann
und eine gleichmäßige Durchführung des Prozeßschrittes ver
hindert. Die Schwankung des Potentials über die Substratober
fläche führt zu einer ungleichmäßigen galvanischen Abschei
dung (bei negativem Substratpotential) und einer ungleichmä
ßigen anodischen Auflösung (bei positivem Substratpotential).
Bei der anodischen Auflösung des Substrats bilden sich zum
Beispiel bei geeignet gewählter Dotierung und Elektrolytzu
sammensetzung bei einem niedrigen anodischen Potential Poren
aus und bei einem hohen anodischen Potential elektropolierte
Flächen. Dies stellt eine gravierende Abhängigkeit der zu
bildenden Halbleiterbauelemente von dem anliegenden Potential
dar und kann die Bildung funktionierender Halbleiterbauele
mente verhindern.
Die Bildung von Poren in Silizium ist zum Beispiel für die
Herstellung von Grabenkondensatoren interessant, da durch die
Porenbildung eine erhebliche Oberflächenvergrößerung und eine
damit verbundene Kapazitätsvergrößerung eines Speicherkonden
sators realisiert werden kann. Als Poren sind sogenannten
Mesoporen mit einem Porendurchmesser im Bereich von 20 bis 50
nm besonders geeignet. Da - wie bereits oben erwähnt - die
Bildung von Poren von dem elektrischen Potential abhängt, ist
es von großer Bedeutung, das Potential möglichst gleichmäßig
über das Substrat anzulegen.
Ein bekanntes Verfahren, einen gleichmäßigen ganzflächigen
Substrat-Rückseitenkontakt, herzustellen, ist zum Beispiel in
dem Patent US 5,209,833 beschrieben. Dabei wird ein Elektro
lytkontakt zu der Substratrückseite hergestellt, der eine
sehr geringe Schwankung des Kontaktwiderstands zwischen Sub
strat und Elektrolyt gewährleistet.
Das Verfahren des ganzflächigen Elektrolytrückseitenkontakts
ist allerdings prozeßtechnisch aufwendig, da der Elektrolyt
stets eine Naßzelle erfordert.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine verbesser
te Anordnung und ein verbessertes Verfahren zur gleichmäßigen
Kontaktierung eines Halbleitersubstrats anzugeben.
Die Aufgabe wird gelöst durch eine Anordnung zur Kontaktie
rung eines Halbleitersubstrats mit:
- - einem Substrat, das eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche aufweist, die der ersten Hauptfläche gegenüber liegt;
- - einer leitfähigen Schicht, die auf der ersten Hauptfläche angeordnet ist;
- - einer ersten isolierenden Schicht, die auf der leitfähigen Schicht angeordnet ist und eine Oberfläche aufweist, die von der leitfähigen Schicht abgewandt ist;
- - einer ersten Kontaktnadel, die ausgehend von der Oberfläche durch die erste isolierende Schicht bis in die leitfähige Schicht eingebracht ist.
Der Vorteil der erfindungsgemäßen Anordnung besteht darin,
daß auf einen Elektrolytkontakt verzichtet werden kann, der
eine aufwendige Naßzelle erfordern würde. Statt dessen wird
die elektrische Verbindung durch eine Kontaktnadel gebildet,
die bis in die leitfähige Schicht eingebracht wird. Obwohl
die Kontaktnadel nur einen punktuellen Kontakt zu der leitfä
higen Schicht herstellt, so sorgt die leitfähige Schicht auf
grund ihrer guten Leitfähigkeit dafür, daß die Rückseite des
Substrats gleichmäßig elektrisch kontaktiert ist.
Eine Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Anordnung sieht vor,
daß eine zweite Kontaktnadel ausgehend von der Oberfläche
durch die erste Isolationsschicht bis in die leitfähige
Schicht eingebracht ist. Die zweite Kontaktnadel weist den
Vorteil auf, daß die leitfähige Schicht durch den weiteren
Kontaktierungspunkt eine verbesserte homogene Strom- und Po
tentialverteilung ermöglicht. Durch die zweite Kontaktnadel
kann der in das Substrat eingeprägte Strom erhöht werden.
Weiterhin ist vorgesehen, daß die erste Kontaktnadel einen
ersten elektrischen Anschluß aufweist und eine elektrisch
leitfähige Verbindung zwischen der leitfähigen Schicht und
dem ersten elektrischen Anschluß bildet.
Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung sieht
vor, daß zwischen dem Substrat und der leitfähigen Schicht
eine Barrierenschicht angeordnet ist. Bei der Barrieren
schicht handelt es sich beispielsweise um eine Diffusionsbar
riere, die eine Kontamination des Substrats durch Materialien
verhindert, die beispielsweise in der leitfähigen Schicht an
geordnet sind.
Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, daß auf
der ersten Isolationsschicht eine zweite Isolationsschicht
angeordnet ist, welche die Oberfläche aufweist. Diese Ausge
staltung sieht vor, daß die auf der leitfähigen Schicht ange
ordneten Isolationsschichten aus einem Schichtsystem von zwei
oder mehr Isolationsschichten bestehen. Die Isolationsschich
ten werden beispielsweise bei einer Schichtabscheidung auf
dem Wafer sowohl auf der Wafervorderseite als auch auf der
Waferrückseite gebildet. Hierdurch kann eine aufwendige Rück
seitenfreiätzung eingespart werden.
Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, daß eine
weitere Schicht auf der ersten isolierenden Schicht angeord
net ist, welche die Oberfläche aufweist. Bei der weiteren
Schicht handelt es sich beispielsweise ebenfalls um eine auf
die Waferrückseite abgeschiedene Schicht, die ebenfalls von
der ersten Kontaktnadel durchstochen werden muß, um die leit
fähige Schicht zu kontaktieren.
Eine weitere Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Anordnung
sieht vor, daß die leitfähige Schicht hoch dotiertes Silizi
um, Wolfram, Wolframnitrid, Wolframsilizid oder Titannitrid
umfaßt. Die genannten Materialien sind in vorteilhafter Weise
dazu geeignet, eine hoch leitfähige Schicht zu bilden. Diese
kann dann den Stromfluß homogen über die Rückseite des Sub
strats verteilen. Bei dem hoch dotierten Silizium kann es
sich beispielsweise um eine einkristalline dotierte Silizium
schicht oder um eine polykristalline dotierte Siliziumschicht
handeln.
Bezüglich des Verfahrens wird die Aufgabe gelöst durch ein
Verfahren zur Kontaktierung eines Halbleitersubstrats mit den
Schritten:
- - Bereitstellen eines Substrats, das eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche aufweist, die der ersten Hauptfläche gegenüberliegt;
- - Anordnen einer leitfähigen Schicht auf der ersten Hauptflä che;
- - Anordnen einer ersten isolierenden Schicht auf der leitfä higen Schicht, wobei die erste isolierende Schicht mit ei ner Oberfläche gebildet wird, die der leitfähigen Schicht abgewandt ist;
- - Durchstechen der ersten isolierenden Schicht ausgehend von der Oberfläche mit einer ersten Kontaktnadel, wobei die er ste Kontaktnadel bis in die leitfähige Schicht hineingesto chen wird.
Der Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin,
daß auf einen Elektrolytkontakt verzichtet werden kann, der
üblicherweise eine aufwendige Naßzelle erfordern würde. Eben
so kann in vorteilhafter Weise auf die Freiätzung der Sub
stratrückseite verzichtet werden. Diese wäre üblicherweise
erforderlich, um das Substrat an seiner Rückseite von den
während der Prozeßschritte aufgebrachten Schichten zu befrei
en. Statt dessen werden die Isolationsschichten mittels einer
Kontaktnadel durchstochen, die eine auf der Substratrückseite
aufgebrachte leitfähige Schicht kontaktiert.
Eine vorteilhafte Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfah
rens sieht vor, daß die erste isolierende Schicht ausgehend
von der Oberfläche mit einer zweiten Kontaktnadel durchsto
chen wird, wobei die zweite Kontaktnadel bis in die leitfähi
ge Schicht hineingestochen wird. Die zweite Kontaktnadel bie
tet den Vorteil, daß ein größerer Strom in die leitfähige
Schicht einprägbar ist. Darüber hinaus gewährleistet die
zweite Kontaktnadel einen homogeneren elektrischen Kontakt zu
der leitfähigen Schicht.
Ein weiterer Verfahrensschritt sieht vor, daß die erste Kon
taktnadel einen ersten elektrischen Anschluß und die zweite
Kontaktnadel einen zweiten elektrischen Anschluß aufweisen
und ein Stromfluß von dem ersten elektrischen Anschluß durch
die erste Kontaktnadel die leitfähige Schicht und die zweite
Kontaktnadel in den zweiten elektrischen Anschluß ermittelt
wird. Die Ermittlung des Stromflusses von der ersten Kon
taktnadel zu der zweiten Kontaktnadel weist den Vorteil auf,
daß eine ordnungsgemäße Kontaktierung der leitfähigen Schicht
mit der ersten Nadel und der zweiten Nadel mittels des Strom
flusses überprüft werden kann.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Ge
genstand der jeweiligen Unteransprüche.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispie
len und einer Figur näher erläutert.
Die Figur zeigt ein Substrat, das mittels Kontaktnadeln kon
taktiert wird.
In der Figur ist ein Substrat 1 dargestellt, das eine erste
Hauptfläche 2 und eine zweite Hauptfläche 3 aufweist. Bei
spielsweise handelt es sich bei der ersten Hauptfläche 2 um
eine Substratrückseite und bei der zweiten Hauptfläche 3 um
eine Substratvorderseite, in der elektrische Bauelemente ge
bildet werden können. Auf der ersten Hauptfläche 2 des Sub
strats 1 ist eine Barrierenschicht 4 angeordnet. Die Barrie
renschicht 4 ist eine diffusionshemmende Schicht, die eine
Kontamination des Substrats 1 verhindern soll. Die Barrieren
schicht 4 kann beispielsweise aus Wolframnitrid oder Titanni
trid oder Wolframsilizid gebildet werden. Bevorzugt ist hier
bei eine Barrierenschicht 4, die einen niedrigen Widerstand
aufweist. Auf der Barrierenschicht 4 ist eine leitfähige
Schicht 5 angeordnet. Die leitfähige Schicht 5 dient dazu,
ein elektrisches Potential gleichmäßig über die Rückseite des
Substrats zu verteilen. Die leitfähige Schicht 5 enthält bei
spielsweise Metalle oder hoch dotiertes Silizium. Die Metalle
umfassen beispielsweise Titan und Wolfram, wobei ebenfalls
Wolframnitrid und Wolframsilizid und Titannitrid geeignet
sind.
Auf der leitfähigen Schicht 5 ist eine erste Isolations
schicht 6 angeordnet. Beispielsweise handelt es sich bei der
ersten Isolationsschicht 6 um eine Siliziumoxidschicht. In
Abhängigkeit der zur Bildung von Halbleiterbauelementen auf
der zweiten Hauptfläche 3 des Substrats 1 werden auf der er
sten Hauptfläche 2 ebenfalls Schichten abgeschieden. Bei
spielsweise kann die erste Isolationsschicht 6 als 8 nm dicke
Siliziumoxidschicht gebildet sein. Auf der ersten Isolations
schicht 6 ist beispielsweise eine zweite Isolationsschicht 7
angeordnet. Bei der zweiten Isolationsschicht 7 kann es sich
beispielsweise um eine 220 nm dicke Siliziumnitridschicht
handeln. Auf der zweiten Isolationsschicht 7 ist beispiels
weise eine weitere Schicht 8 angeordnet. Bei der weiteren
Schicht 8 kann es sich beispielsweise um eine 300 nm dicke
polykristalline Siliziumschicht handeln. Sowohl die Schicht
dicken der Schichten 6, 7 und 8 sowie die Materialien der
Schichten 6, 7 und 8 können in ihrer Reihenfolge vertauscht
sein.
In dem in der Figur dargestellten Ausführungsbeispiel weist
die weitere Schicht 8 eine Oberfläche 9 auf, die von dem Sub
strat 1 abgewandt ist. In einem Ausführungsbeispiel, welches
ohne die Schicht 8 gebildet ist, weist die zweite Isolations
schicht 7 die Oberfläche 9 auf. In einem weiteren Ausfüh
rungsbeispiel, in dem weder die zweite Isolationsschicht 7
noch die weitere Schicht 8 gebildet sind, weist die erste
Isolationsschicht 6 die Oberfläche 9 auf. Die Oberfläche 9
bildet dabei einen Übergang zwischen einem Festkörper zu ei
ner gasförmigen Umgebung.
Mit Bezug auf die Figur ist eine erste Kontaktnadel 10 durch
die weitere Schicht 8, durch die zweite Isolationsschicht 7
und durch die erste Isolationsschicht 6 bis in die leitfähige
Schicht 5 hineingestochen, so daß die erste Kontaktnadel 10
ausgehend von der Oberfläche 9 bis in die leitfähige Schicht
5 hineinragt. Weiterhin ist eine zweite Kontaktnadel 11 dar
gestellt, die ebenfalls ausgehend von der Oberfläche 9 durch
die weitere Schicht 8, durch die zweite Isolationsschicht 7
und durch die erste Isolationsschicht 6 bis in die leitfähige
Schicht 5 hinein gestochen ist und somit ebenfalls die leit
fähige Schicht 5 kontaktiert. Die erste Kontaktnadel 10 weist
einen ersten elektrischen Anschluß 12 und die zweite Kon
taktnadel 11 weist einen zweiten elektrischen Anschluß 13
auf.
Je nach Schichtdicke der Schichten 5, 6, 7 und 8 dringen die
Kontaktnadeln etwa einen Mikrometer tief, ausgehend von der
Oberfläche 9, ein und kontaktieren die leitfähige Schicht 5.
Die einwandfreie Kontaktierung der leitfähigen Schicht 5
durch die erste Kontaktnadel 10 und die zweite Kontaktnadel
11 kann beispielsweise dadurch überprüft werden, daß zwischen
die erste Kontaktnadel 10 und die zweite Kontaktnadel 11 eine
Spannung angelegt wird und der Stromfluß zwischen den beiden
Kontaktnadeln gemessen wird. Bei einem niedrigen Widerstand
ist ein guter Kontakt zwischen den Kontaktnadeln und der
leitfähigen Schicht 5 gewährleistet. Da üblicherweise im
Randbereich des Substrats die auf der Rückseite aufgewachse
nen Schichten im Regelfall eine deutlich reduzierte Dicke
aufweisen, ist der Randbereich der Waferrückseite besonders
dafür geeignet, diesen mittels Nadeln zu kontaktieren, da die
Schichtdicke der zu durchstechenden Isolationsschichten rela
tiv geringer im Vergleich zum Zentrum des Substrats ausgebil
det ist.
Die Kontaktnadeln enthalten beispielsweise Wolfram oder Wolf
ramkarbid. Die Nadeln können beispielsweise mit einer Feder
gelagert sein und das Hineinstechen der Nadeln in die leitfä
hige Schicht 5 könnte beispielsweise mittels der Federkraft
durchgeführt werden. Ebenfalls ist ein pneumatisches Einste
chen der Nadeln in die leitfähige Schicht 5 möglich.
Weiterhin kann zwischen der leitfähigen Schicht 5 und dem
Substrat 1 eine Haftvermittlerschicht beispielsweise aus Ti
tan vorgesehen werden, die ein Ablösen der leitfähigen
Schicht 5 verhindert.
Weiterhin ist vorgesehen, daß eine Vielzahl von Kontaktnadeln
beispielsweise in einem regelmäßigen Raster über das Substrat
verteilt angeordnet wird oder beispielsweise ringartig in der
Nähe des Scheibenrands angeordnet wird.
1
Substrat
2
erste Hauptfläche
3
zweite Hauptfläche
4
Barrierenschicht
5
leitfähige Schicht
6
erste Isolationsschicht
7
zweite Isolationsschicht
8
weitere Schicht
9
Oberfläche
10
erste Kontaktnadel
11
zweite Kontaktnadel
12
erster elektrische Anschluß
13
zweiter elektrischer Anschluß
Claims (10)
1. Anordnung zur Kontaktierung eines Halbleitersubstrats
mit:
einem Substrat (1), das eine erste Hauptfläche (2) und eine zweite Hauptfläche (3) aufweist, die der ersten Hauptfläche (2) gegenüber liegt;
einer leitfähigen Schicht (5), die auf der ersten Hauptflä che (2) angeordnet ist;
einer ersten isolierenden Schicht (6), die auf der leitfä higen Schicht (5) angeordnet ist und eine Oberfläche (9) aufweist, die von der leitfähigen Schicht (5) angewandt ist;
einer ersten Kontaktnadel (10), die ausgehend von der Ober fläche (9) durch die erste isolierende Schicht (6) bis in die leitfähige Schicht (5) eingebracht ist.
einem Substrat (1), das eine erste Hauptfläche (2) und eine zweite Hauptfläche (3) aufweist, die der ersten Hauptfläche (2) gegenüber liegt;
einer leitfähigen Schicht (5), die auf der ersten Hauptflä che (2) angeordnet ist;
einer ersten isolierenden Schicht (6), die auf der leitfä higen Schicht (5) angeordnet ist und eine Oberfläche (9) aufweist, die von der leitfähigen Schicht (5) angewandt ist;
einer ersten Kontaktnadel (10), die ausgehend von der Ober fläche (9) durch die erste isolierende Schicht (6) bis in die leitfähige Schicht (5) eingebracht ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
eine zweite Kontaktnadel (11) ausgehend von der Oberfläche
(9) durch die erste isolierende Schicht (6) bis in die leit
fähige Schicht (5) eingebracht ist.
3. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
die erste Kontaktnadel (10) einen ersten elektrischen An
schluß (12) aufweist und eine elektrisch leitfähige Verbin
dung zwischen der leitfähigen Schicht (5) und dem ersten
elektrischen Anschluß (12) bildet.
4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
zwischen dem Substrat (1) und der leitfähigen Schicht (5) ei
ne Barrierenschicht (4) angeordnet ist.
5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß
auf der ersten Isolationsschicht (6) eine zweite Isolations
schicht (7) angeordnet ist, welche die Oberfläche (9) auf
weist.
6. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß
eine weitere Schicht (8) auf der ersten Isolationsschicht (6)
angeordnet ist, welche die Oberfläche (9) aufweist.
7. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß
die leitfähige Schicht (5) hoch dotiertes Silizium, Wolfram,
Wolframnitrid, Wolframsilizid oder Titannitrid umfaßt.
8. Verfahren zur Kontaktierung eines Halbleitersubstrats
mit den Schritten:
- - Bereitstellen eines Substrats (1), das eine erste Hauptflä che (2) und eine zweite Hauptfläche (3) aufweist, die der ersten Hauptfläche (2) gegenüberliegt;
- - Anordnen einer leitfähigen Schicht (5) auf der ersten Hauptfläche (2);
- - Anordnen einer ersten isolierenden Schicht (6) auf der leitfähigen Schicht (5), wobei die erste isolierende Schicht (6) mit einer Oberfläche (9) gebildet wird, die der leitfähigen Schicht (5) abgewandt ist;
- - Durchstechen der ersten isolierenden Schicht (6) ausgehend von der Oberfläche (9) mit einer ersten Kontaktnadel (10), wobei die erste Kontaktnadel (10) bis in die leitfähige Schicht (5) hineingestochen wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet, daß
die erste Isolationsschicht (6) ausgehend von der Oberfläche
(9) mit einer zweiten Kontaktnadel (11) durchstochen wird,
wobei die zweite Kontaktnadel (11) bis in die leitfähige
Schicht (5) hineingestochen wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, daß
die erste Kontaktnadel (10) einen ersten elektrischen An
schluß (12) und die zweite Kontaktnadel (11) einen zweiten
elektrischen Anschluß (13) aufweist und ein Stromfluß von dem
ersten elektrischen Anschluß (12) durch die erste Kontaktna
del (10), die leitfähige Schicht (5) und die zweite Kon
taktnadel (11) in den zweiten elektrischen Anschluß (13) er
mittelt wird.
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ID=7677136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE10111803A Ceased DE10111803A1 (de) | 2001-03-12 | 2001-03-12 | Anordnung und Verfahren zum rückseitigen Kontaktieren eines Halbleitersubstrats |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE10111803A1 (de) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1981000646A1 (en) * | 1979-08-30 | 1981-03-05 | Western Electric Co | Device manufacture involving pattern delineation in thin layers |
| JPS61280622A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-11 | Sigma Gijutsu Kogyo Kk | 電極の接続方法 |
| DE4003472A1 (de) * | 1989-09-22 | 1991-04-04 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum anisotropen aetzen von siliziumplatten |
| US5024746A (en) * | 1987-04-13 | 1991-06-18 | Texas Instruments Incorporated | Fixture and a method for plating contact bumps for integrated circuits |
-
2001
- 2001-03-12 DE DE10111803A patent/DE10111803A1/de not_active Ceased
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1981000646A1 (en) * | 1979-08-30 | 1981-03-05 | Western Electric Co | Device manufacture involving pattern delineation in thin layers |
| JPS61280622A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-11 | Sigma Gijutsu Kogyo Kk | 電極の接続方法 |
| US5024746A (en) * | 1987-04-13 | 1991-06-18 | Texas Instruments Incorporated | Fixture and a method for plating contact bumps for integrated circuits |
| DE4003472A1 (de) * | 1989-09-22 | 1991-04-04 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum anisotropen aetzen von siliziumplatten |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JP 11-181 600 A. In: Patent Abstracts of Japan * |
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