DE10105186A1

DE10105186A1 - Halbleiteranordnung, Strommesser und Kraftfahrzeug

Info

Publication number: DE10105186A1
Application number: DE10105186A
Authority: DE
Inventors: Stephan Ernst; Wolfgang Feiler; Ning Qu
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 2001-02-06
Filing date: 2001-02-06
Publication date: 2002-08-29
Also published as: DE50202713D1; EP1360510B1; EP1360510A1; WO2002063316A1

Abstract

Es wird eine Halbleiteranordnung, ein Stromsensor und ein Kraftfahrzeug vorgeschlagen, wobei die Halbleiteranordnung Sensormittel (300, 400) aufweist, derart, dass ein Magnetfeld durch die Sensormittel (300, 400) sensierbar ist, das durch einen stromdurchflossenen Leiter (408, 202) hervorgerufen wird, wobei der Sensorort (508, 504, 503) den elektrischen Leiter (408, 202) vollständig umschließt.

Description

Stand der Technik

Zur Messung der elektrischen Stromstärke an vielen Stellen, insbesondere im Kraftfahrzeug, werden bisher sogenannte Shunt-Widerstände eingesetzt, wobei solche Shunt-Widerstände als in dem zu messenden Stromzweig eingebrachte Ohmsche Widerstände ausgebildet sind. Nachteilig hierbei ist, dass keine Potentialtrennung zwischen Meßkreis und Nutzkreis besteht.

Solche Nachteile werden teilweise vermieden, wenn nicht die Stromstärke direkt gemessen wird, sondern ihre Magnetfeldwirkung um den stromführenden Leiter herum. Dies kann mit Hall-Elementen geschehen oder auch mit sogenannten LMT-Elementen (lateraler Magneto-Transistor).

Zur Bestimmung des Stromes in einem Leiter beliebigen Querschnittes ist die Messung des Magnetfeldes an einem Ort im allgemeinen jedoch nicht ausreichend. Gemäss den Maxwellschen Gleichungen existiert nämlich keine für alle denkbaren Anordnungen gültige Verknüpfung zwischen dem Stromfluß im Leiter und dem Magnetfeld in seiner Umgebung. Erst das den stromdurchflossenen Leiter umschließende Umlaufintegral über die magnetische Feldstärke liefert unter Vernachlässigung des Verschiebungsstromes eindeutig für alle Anordnungen den Strom im Leiter.

Um diesem Umstand Rechnung zu tragen, setzt man hochpermeable Magnetfeldkonzentratoren ein, in deren Luftspalt ein Hall-Element plaziert ist und die mit diesen eine den Strom führenden Leiter vollständig umschließende Schleife bilden. Nachteilig an einer solchen Anordnung ist das notwendige Bauvolumen für den Magnetfeldkonzentrator, die aufwendige Aufbau- und Verbindungstechnik und gegebenenfalls ihr Gewicht. Außerdem kann der hochpermeable Magnetfeldkonzentrator bei grösseren Magnetfeldern Nichtlinearitäten bzw. Hystereseeffekte zeigen, die für hochgenaue Messungen nicht tolerierbar sind und mittels aufwendiger Kompensationsverfahren korrigiert werden müssen.

Vorteile der Erfindung

Die erfindungsgemäße Halbleiteranordnung, der Strommesser und das Kraftfahrzeug mit den Merkmalen der nebengeordneten Patentansprüche haben demgegenüber den Vorteil, dass die Bestimmung des elektrischen Stromflusses in einem Stromleiter mit beliebigem Querschnitt durch Messung des ihn umgebenden Magnetfeldes ermöglicht wird, wobei ein geringes Bauvolumen, ein geringes Gewicht und die Abwesenheit von Sättigungseffekten, insbesondere durch Nichtlinearitäten oder Hystereseeffekte, erreicht werden.

Vorteilhaft ist insbesondere, dass das Sensormittel selbst ein dem Umlaufintegral der magnetischen Feldstärke und damit dem von ihm durchflossenen Strom proportionales Signal ohne Magnetfeldkonzentrator liefert.

Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen der in den nebengeordneten Ansprüchen angegebenen Halbleiteranordnung des Strommessers und des Kraftfahrzeugs möglich.

Zeichnung

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeige

Fig. 1 eine einfache Ausführungsform eines Hall-Elementes,

Fig. 2 einen Stromsensor unter Verwendung eines Hall- Elementes,

Fig. 3 eine Draufsicht auf eine erste Ausführungsform der erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung,

Fig. 4 einen Querschnitt durch die erste Ausführungsform der erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung,

Fig. 5 ein Applikationsbeispiel für die erste Ausführungsform der erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung,

Fig. 6 eine Draufsicht auf eine zweite Ausführungsform der erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung,

Fig. 7 einen Querschnitt durch die zweite Ausführungsform der erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung,

Fig. 8 ein Applikationsbeispiel für die zweite Ausführungsform der erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung.

Beschreibung der Ausführungsbeispiele

In Fig. 1 ist ein Hall-Element 100 dargestellt. Das Hall- Element 100 besteht im wesentlichen aus einem Halbleiterplättchen 101, das von einem die Zeichenebene senkrecht durchsetzenden Strom I_h durchflossen wird. Das Halbleiterplättchen umfasst an beiden Seiten jeweils eine Elektrode, nämlich eine erste Meßelektrode 102 und eine zweite Meßelektrode 103. Bei Anwesenheit einer senkrecht zum Strom I_h weisenden Komponente eines Magnetfeldes H bewirkt die Lorenzkraft eine Ablenkung der den Strom tragenden Ladungen in die Richtung, die auf der von dem Strom I_h und der wirksamen Magnetfeldkomponente H aufgespannten Ebene senkrecht steht. Dies führt dazu, dass zwischen den Elektroden 102, 103 eine dem Magnetfeld H, bzw. eine der Komponente des Magnetfeldes H, die senkrecht auf dem Strom I_h steht, proportionale, sogenannte Hall-Spannung U_H messbar ist. Damit ist die Messung der Magnetfeldkomponente H am Ort des Hall-Elementes möglich.

Zur Messung der Stromstärke eines stromdurchflossenen Leiters über die Messung des den stromdurchflossenen Leiter umgebenen Magnetfeldes führt jedoch im allgemeinen erst das den stromdurchflossenen Leiter umschließende Umlauf-Integral über die magnetische Feldstärke (unter Vernachlässigung des Verschiebungsstromes) zu einer korrekten Messung der Stromstärke im stromdurchflossenen Leiter. In Fig. 2 ist eine Anordnung 200 zur Messung der Stromstärke eines stromdurchflossenen Leiters unter Verwendung des Hall elementes 100 dargestellt, wobei die Anordnung 200 einen hochpermeablen Magnetfeldkonzentrator 201 aufweist, der den magnetischen Fluß um den im stromführenden Leiter 202 fließenden Strom konzentriert und in einen Luftspalt weiterleitet, in dem sich das Hallelement 100 befindet. Hierbei ist wiederum das Halbleiterplättchen 101, die beiden Meßelektroden 102, 103 des Hallsensors 100 und der für die Hallspannung U_H notwendige senkrecht zum Magnetfeld H fließende Strom I_h erkennbar.

In Fig. 3 ist eine Draufsicht auf eine erste Ausführungsform der der erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung dargestellt. In Fig. 3 bezeichnet das Bezugszeichen 301 einen Halbleiterchip, in dem ein erfindungsgemäßer lateraler Magneto-Transistor 300 realisiert ist, der erfindungsgemäß ringförmig in der folgendermaßen beschriebenen Aufbauart vorgesehen ist und daher als Ring-LMT 300 bezeichnet wird. Der erfindungsgemäße Ring-LMT 300 bzw. der Halbleiterchip 301, in dem er realisiert ist, weist ein Loch 308 auf, das der Ring-LMT 300 in einer beliebigen, überkreuzungsfreien Kontur vollständig umschließt. Die Kontur kann dabei beispielsweise quadratisch, rund, rechteckig, sechseckig oder dergleichen vorgesehen sein. Durch das Loch 308 führt der den Strom I_M führende Leiter 202. Eine halbseitige Querschnittslinie durch den Ring-LMT 300 ist in Fig. 3 durch die Buchstaben A-A' bezeichnet und verläuft vom inneren Rand des Ring-LMT 300, d. h. der Rand, der an das Loch 308 angrenzt, bis zum äußeren Rand des Ring-LMT 300. Ein Querschnitt durch die erste Ausführungsform des erfindungsgemäßen Ring-LMT 300 entlang der Schnittlinie A-A' ist in Fig. 4 dargestellt.

In Fig. 4 ist die Schnittlinie A-A' noch einmal eingezeichnet. Ansonsten ist in Fig. 4 die eine Seite des Ring-LMT 300 dargestellt, wobei wiederum das Loch 308 auf der einen Seite, nämlich am Buchstaben A der Schnittlinie A- A' und der äußere Rand des Ring-LMT 300 beim Buchstaben A' erkennbar ist. Der Querschnitt durch die eine Seite des Ring-LMT 300 unterscheidet sich nicht von einem herkömmlichen lateralen Magneto-Transistor.

Der grundlegende Aufbau eines LMT entspricht dem in W. Allegreto et al., IEEE Trans.-CAD, Vol. 10, No. 4, 1991, Seiten 501-511 vorgeschlagenen Querschnitt eines ebenen LMT. Prinzipiell sind aber auch abgewandelte LMT denkbar.

Wie bei lateralen Magneto-Transistoren üblich, ist eine Emittermetallisierung 304 in der Mitte vorgesehen, unterhalb der sich ein im Beispiel n-dotiertes Emittergebiet 503 befindet. Das Emittergebiet 503 ist in ein im Beispiel p- dotiertes Basisgebiet 504 eingebettet, auf dem sich symmetrisch zur Emittermetallisierung 304 die lateralen Basismetallisierungen 303 und 305 befinden. Das im Beispiel p-dotierte Basisgebiet 504 ist seinerseits in eine im Beispiel n-dotierte Schicht 508 eingebettet, die in ein im Beispiel pdotiertes Substrat 505 eingebracht ist. In die n- dotierte Schicht 508 sind symmetrisch zum Emittergebiet 503 und abgetrennt vom Basisgebiet 504 die lateralen Kollektorgebiete 501 und 502 im Beispiel als n-dotierte Gebiete eingebettet. Oberhalb der Kollektorgebiete 501, 502 befinden sich jeweils ein Kollektoranschluß 302, 306, die als Metallisierungen ausgebildet sind. Symmetrisch um das Emittergebiet 503 und seitlich außerhalb der Kollektorgebiete 501, 502 wird die im Beispiel n-dotierte Schicht 508 von jeweils einer im Beispiel p-dotierten Isolationsstruktur 506, 507 begrenzt. Erfindungsgemäß ist insbesondere vorgesehen, dass der Querschnitt einer Seite eines solchen Ring-LMT 300 bzgl. einer senkrecht durch den Emitterbereich 503 verlaufenden gedachten Linie symmetrisch ist. Die "innere" Seite, d. h., die Seite, die zu dem Loch 308 weist, wird im folgenden auch als die erste Seite, umfassend die erste Basis 305 und den ersten Kollektor 306, bezeichnet und die äußere Seite wird als die zweite Seite, umfassend die zweite Basis 303 und den zweiten Kollektor 302, bezeichnet. Im Betrieb werden gleiche Kollektorbasisspannungen zwischen dem ersten Kollektor 306 und der ersten Basis 305 (erste Kollektorbasisspannung) und der zweiten Basis 303 und dem zweiten Kollektor 302 (zweite Kollektorbasisspannung) angelegt. Weiterhin sind auch die Basisemitterspannungen, nämlich die Spannung zwischen der ersten Basis 305 und dem Emitter 304 (erste Basisemitterspannung) und die Spannung zwischen der zweiten Basis 303 und dem Emitter 304 (zweite Basisemitterspannung) gleich. Durch den symmetrischen Aufbau stellen sich ohne angelegtes Magnetfeld gleiche Kollektorströme zwischen dem ersten Kollektor 306 und dem Emitter 304 (erster Kollektorstrom) und zwischen dem zweiten Kollektor 302 und dem Emitter 304 (zweiter Kollektorstrom) ein. Es gilt also für den Fall ohne Magnetfeld, dass die Differenz des ersten Kollektorstroms zum zweiten Kollektorstroms verschwindet. Die Kollektorströme fliessen über die Metallisierungen 302, 306 der Kollektorgebiete 501, 502, die auch als Kollektordiffusionen 501, 502 bezeichnet werden, in das im Beispiel n-dotierte Gebiet 508, treten im wesentlichen unterhalb des Emitterbereichs 503 in das Basisgebiet 504 ein und fließen zuzüglich der kleinen, über die Basismetallisierungen 303, 305 in den Basisbereich 504 eintretenden Basisströme vertikal in den Emitterbereich 503 ein und fließen über die Emittermetallisierung 304 ab. Wird nun ein Magnetfeld senkrecht zur Zeichenebene angelegt, so werden die vertikal von dem Gebiet 508 über das Basisgebiet 504 zum Emittergebiet 503 fließenden Ströme derart durch die Lorenzkraft abgelenkt, dass die Differenz der Kollektorströme nicht mehr verschwindet, d. h., von Null verschieben wird. Die Differenz der Kollektorströme ist dabei proportional zu der senkrecht zur Zeichenebene den LMT durchsetzenden Magnetfeldkomponente.

Umschließt man demnach erfindungsgemäß einen stromführenden Leiter 202 vollständig durch einen Ring-LMT 300, werden gewissermaßen die Kollektorströme aller senkrecht zum umfahrenen Weg auftretenden Querschnitte integriert, so dass die Differenz der solchermaßen gewonnen Kollektorströme dem Umlaufintegral des Magnetfeldes um den in dem Loch 308 sich befindenden Leiter 202 entspricht und daher zur Strommessung verwendet werden kann. Das Signal des Ring-LMT 300, nämlich die Differenz der Kollektorströme, ist proportional zu einem solchen Umlaufintegral des Magnetfeldes um den stromführenden Leiter.

Durch die zur Fig. 4 vorgenommene Beschreibung werden auch die im Zusammenhang mit Fig. 3 noch nicht definierten Bezugszeichen näher bestimmt. Das Bezugszeichen 302 bezeichnet die in Fig. 3 ringförmig sichtbare Metallisierung des zweiten Kollektorgebietes 502, wobei das zweite Kollektorgebiet 502 in Fig. 3 nicht dargestellt ist. Das Bezugszeichen 303 bezeichnet die in Fig. 3 ringförmig angeordnete Metallisierung der zweiten Basis des Ring-LET 300. Das Bezugszeichen 304 bezeichnet die ringförmig angeordnete Metallisierung oberhalb des Emittergebietes 503, das in Fig. 3 nicht dargestellt ist. Das Bezugszeichen 305 bezeichnet die ringförmig angeordnete Metallisierung der ersten Basis und das Bezugszeichen 306 bezeichnet die ringförmig angeordnete Metallisierung des zweiten Kollektorgebietes 501, wobei das zweite Kollektorgebiet 501 in Fig. 3 nicht dargestellt ist. Wie oben bereits gesagt, ist die Form der Konturen der Metallisierungen 302-306 erfindungsgemäß beispielsweise viereckig, vieleckig, oval oder kreisförmig vorgesehen. Bei der Wahl der Kontur sollte aus Gründen eines möglichst geringen Offsets zwischen dem ersten Kollektorgebiet 501 und dem zweiten Kollektorgebiet 502 und zwischen dem inneren Teilbasisgebiet des Basisgebiets 504, das dem ersten Basisanschluß 305 entspricht, und dem äußeren Teilbasisgebiet des Basisgebiets 504, das dem zweiten Basisanschluß 303 entspricht, die Umlauflängen der beiden Kollektorgebiete, bzw. des Basisgebiets 504, des Ring-LMT 300, möglichst gleich sein. Im in Fig. 3 gezeigten Beispiel fließt der zu messende Strom I_M in die Zeichenebene hinein und erzeugt ein ihn umschließendes und in der Zeichenebene liegendes Magnetfeld, wobei das Magnetfeld nicht dargestellt ist.

Fig. 5 zeigt ein Applikationsbeispiel für den Ring-IMT 300 gemäss der ersten Ausführungsform. Der Ring-LMT 300 wird hierzu mittels einer Kleberschicht 701 Sourceseitig auf einem PowerMOS fixiert. Der stark schematisch dargestellte PowerMOS umfasst dabei einen Halbleiter 704, eine Drainmetallisierung 705, eine Sourcemetallisierung 703 und eine üblicherweise vorhandene Nitridpassivierung 702. Die Nitridpassivierung 702 verläuft ebenfalls ringförmig und bildet ein Fenster, das die Sourcemetallisierung 703 nach oben hin zumindest teilweise freigibt. Auf dem PowerMOS befindet sich der erfindungsgemäße Ring-LMT 300, der oberhalb des Fensters in der Nitritpassivierung 702, das in Fig. 3 und 4 bereits dargestellte Loch 308 umfasst. Durch das Fenster in der Nitridpassivierung 702 und das Loch 308 im Ring-LMT 300 führt ein Sourcebond 700, der die Sourcemetallisierung 703 kontaktiert, der als der stromführende Leiter 202 gemäss der Fig. 3 aufzufassen ist, der den zu messenden Strom I_M trägt. Diese durch den Sourcebond 700 fliessende und zu messende Strom I_M wird im Applikationsbeispiel vom PowerMOS gesteuert.

Alternativ ist ebenso erfindungsgemäß vorstellbar, dass der Ring-LMT 300 prinzipiell auch Drainseitig am PowerMOS angebracht werden kann. Statt eines PowerMOS kann der Ring- LMT 300 auch auf einer metallisierten Leiterplatte (nicht dargestellt) oder Keramik (ebenfalls nicht dargestellt) angebracht werden. In diesem Fall würde das Bezugszeichen 704 als die isolierende Leiterplatte bzw. Keramik angesehen werden und die Bezugszeichen 703 bzw. 705 als die als Leiterbahnen ausgeführten Ober- bzw. Unterseitenmetallisierungen der Leiterplatte bzw. Keramik angesehen werden. Das Bezugszeichen 702 würde dann als eine isolierende Schicht angesehen werden, durch deren Öffnungen der den Strom führenden Bond auch die Leiterbahn geführt ist und das Bezugszeichen 701 würde als eine ringförmige Kleberschicht ausgeführt werden.

In Fig. 6 ist eine Draufsicht auf eine zweite Ausführungsform des erfindergemäßen Ring-LMT, wobei die zweite Ausführungsform des erfindergemäßen Ring-LMT mit dem Bezugszeichen 400 versehen wird. Gleiche Bezugszeichen aus der Fig. 3 entsprechen gleichen Teilen des Ring-LMT 400. In Fig. 6 ist eine zweite Querschnittlinie B-B' durch eine Seite des wiederum ringförmig angeordneten Ring-LMT 400 eingezeichnet. Im Gegensatz zur ersten Ausführungsform des Ring-LMT 300 beinhaltet die zweite Ausführungsform des Ring- LMT 400 bereits ein Leitungsstück, das den Strom I_M durch den Ring-LMT 400 führt. Dies kann vorteilhaft für die Aufbau- und Verbindungstechnik genutzt werden. Das Leitungsstück besteht aus einer z. B. gesputterten Metallschicht 408, die über mindestens 1 Kontaktierungsloch 407 die Chip-Vorder- und Chip-Rückseite des Ring-LMT 400 niederohmig miteinander verbindet. Zur elektrischen Isolation des Ring-LMT 400 vom Leitungsstück 407 wird ein z. B. thermisch erzeugtes Dielektrikum 601 verwendet, das in Fig. 6 noch nicht dargestellt ist. Wesentlich ist, dass auch bei dieser zweiten Ausführungsform des Ring-LMT 400, das den zu messenden Strom I_M führende Leitungsstück von dem Ring-LMT 400 auf einer vollständig geschlossenen, kreuzungsfreien Kontur umschlossen ist. Neben der gezeigten viereckigen Kontur sind wiederum auch vieleckige, ovale oder kreisförmige Konturen möglich. Bei der Wahl der Kontur sollten wiederum aus Gründen eines möglichst geringen Offsets die Umlauflängen der beiden Kollektorgebiete 501, 502 des Ring-LMT 400 möglichst gleich sein. Die Kollektorgebiete 501, 502 sind wiederum in Fig. 6 nicht dargestellt, entsprechen jedoch denen in Fig. 4 dargestellten Gebieten.

In Fig. 7 ist ein Querschnitt durch die zweite Ausführungsform des erfindungsgemäßen Ring-LMT 400 entlang der Schnittlinie B-B' aus der Fig. 6 dargestellt. Gleiche Bezugszeichen aus der Fig. 4 bezeichnen wiederum gleich Teile des Ring-LMT 400. In Fig. 7 ist das Durchkontaktierungsloch 407, das die Vorder- und Rückseite des Ring-LMT 400 niederohmig miteinander verbindet, gut zu erkennen. Weiterhin ist das beispielsweise thermisch erzeugte Dielektrikum 601 erkennbar, das den ringförmig, das Durchkontaktierungsloch 407 umschließende "Sensorgebiet", bestehend aus den Kollektorgebieten 501, 502, dem Basisgebiet 504 und dem Emittergebiet 503 sowie dem Bereich 508, ringförmig umschließt.

In Fig. 8 ist ein Applikationsbeispiel für die zweite Ausführungsform des erfindungsgemäßen Ring-LMT 400 dargestellt. Der Ring-LMT wird hierzu mittels einer Kleber- oder Lotschicht 701 Sourceseitig auf einem PowerMOS fixiert. Der PowerMOS umfasst in schematischer Darstellung einen Halbleiter 704, eine Drainmetallisierung 705 und eine Sourcemetallisierung 703. Der von der Oberseite des Ring-LMT 400 zugeführte, die Metallisierung 408 kontaktierende Sourcebond 700 führt den zu messenden Strom IM, der vom PowerMOS gesteuert werden kann. Alternativ zum Bond 700 können selbstverständlich auch andere Kontaktierungsverfahren (z. B. Druckkontaktierung) für den Ring-LMT genutzt werden. Alternativ ist außerdem denkbar, dass der Ring-LMT 400 prinzipiell auch drainseitig am PowerMOS angebracht werden kann. Statt eines PowerMOS kann der Ring-LMT 400 auch auf einer metallisierten Leiterplatte oder Keramik, wie im Zusammenhang mit Fig. 5 dargestellt, angebracht werden.

Prinzipiell sind bei den beschriebenen Ring-LMT 300, 400 alle p-Dotierungen bzw. Elektronenakzeptoren-Dotierungen durch entsprechende n-Dotierungen bzw. Elektronendonatoren- Dotierungen und umgekehrt ersetzbar; die zugehörigen Potentiale sind dann sinngemäß zu verändern. Erfindungsgemäß ist es insbesondere vorgesehen, mehrere Ring-LMT 300, 400 auf einem Chip 301 monolithisch zu integrieren. Auch eine monolithische Integration einer Verstärker- und Auswertungsschaltung ist denkbar.

Ein erfindungsgemäßer Strommesser umfasst insbesondere einen oder mehrere erfindungsgemäße Ring-LMT 300, 400 mit einer Auswerteschaltung. Der Einsatz der erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung ist insbesondere zur Benutzung im Kraftfahrzeug sinnvoll, weil sich durch den ringförmigen Schluß des Sensorortes 508, 504, 503 eine besonders gute Unempfindlichkeit gegen elektromagnetische Störfelder ergibt, die im Kraftfahrzeugbereich besonders häufig und intensiv auftreten und besonders schwerwiegende Konsequenzen nach sich ziehen können.

Claims

1. Halbleiteranordnung mit einem elektrischen Leiter (408), wobei die Halbleiteranordnung Sensormittel (400) aufweist derart, dass ein Magnetfeld durch die Sensormittel (400) sensierbar ist, welches durch einen durch den Leiter (408) fließenden Strom (I_M) bewirkt wird, wobei die Sensormittel (400) vorgesehen sind das Magnetfeld an einem Sensorort (503, 504, 508) zu sensieren, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensorort (503, 504, 508) den elektrischen Leiter (408) vollständig umschließt.

2. Halbleiteranordnung mit einer Ausnehmung (308), wobei in der Ausnehmung (308) ein elektrischer Leiter (202) vorsehbar ist, wobei die Halbleiteranordnung Sensormittel (300) aufweist derart, dass ein Magnetfeld durch die Sensormittel (300) sensierbar ist, welches durch einen durch den vorsehbaren Leiter (202) fließenden Strom (I_M)bewirkt wird, wobei die Sensormittel (300) vorgesehen sind das Magnetfeld an einem Sensorort (503, 504, 508) zu sensieren, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensorort (503, 504, 508) die Ausnehmung (308) vollständig umschließt.

3. Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiteranordnung im wesentlichen eben ist.

4. Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiteranordnung einen lateralen Magnetotransistor (300, 400) aufweist.

5. Halbleiteranordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der laterale Magnetotransistor (300, 400) ringförmig vorgesehene Anschlußgebiete (302, 303, 304, 305, 306) aufweist.

6. Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere laterale Magnetotransistoren monolithisch integriert sind.

7. Strommesser mit einer Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche.

8. Kraftfahrzeug mit einer Halbleiteranordnung oder einem Strommesser nach einem der vorhergehenden Ansprüche.