DE10104575A1 - Verfahren zum Testen eines integrierten Speichers - Google Patents
Verfahren zum Testen eines integrierten SpeichersInfo
- Publication number
- DE10104575A1 DE10104575A1 DE2001104575 DE10104575A DE10104575A1 DE 10104575 A1 DE10104575 A1 DE 10104575A1 DE 2001104575 DE2001104575 DE 2001104575 DE 10104575 A DE10104575 A DE 10104575A DE 10104575 A1 DE10104575 A1 DE 10104575A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- data
- signal
- memory
- reference signal
- dqs
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/50—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Ein integrierter Speicher weist wenigstens einen Anschluß zur Ausgabe eines Datensignals (DQx) und einen Anschluß zur Ausgabe eines Datenreferenzsignals (DQS) auf, die vom Speicher (1) bei einem Speicherzugriff innerhalb eines Zugriffszyklus in einem aktiven Zustand (A) geschaltet werden. In einem Verfahren zum Testen des Speichers werden das Datensignal (DQx) und das Datenreferenzsignal (DQS) innerhalb des Zugriffszyklus parallel gemessen und bewertet. Das Verfahren ist vorzugsweise in einem an den Speicher angeschlossenen Testgerät (2) implementiert. Mit dem Verfahren ist ein weitgehend genaues und applikationsnahes Messen eines Timing-Parameters ermöglicht, der sich auf das vom Speicher generierte Datenreferenzsignal bezieht.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Testen
eines integrierten Speichers mit wenigstens einem Anschluß
zur Ausgabe eines Datensignals und einem Anschluß zur Ausgabe
eines Datenreferenzsignals.
Integrierte Speicher wie beispielsweise sogenannte DRAM-
Speicher in sogenannter Double-Data-Rate-Architektur (DDR
DRAM Speicher) weisen vergleichsweise hohe Schalt- und Zu
griffsgeschwindigkeiten auf. Derartige integrierte Speicher
weisen im allgemeinen neben einem Taktsignal, das üblicher
weise von extern zugeführt ist, ein Datenreferenzsignal be
ziehungsweise Daten-Taktsignal ("Data-Strobe") auf, das zum
Auslesen von Daten des integrierten Speichers an einem exter
nen Anschluß anliegt. Dieses Data-Strobe-Signal wird während
eines Lesezugriffs zusammen mit auszugebenden Datensignalen
vom integrierten Speicher nach extern übertragen und dient
als Referenzsignal der auszulesenden Daten.
In einem Normalbetrieb des Speichers ist beispielsweise ein
Controller an den Anschluß zur Ausgabe eines Datensignals und
an den Anschluß zur Ausgabe des Datenreferenzsignals ange
schlossen. Ein Lesezugriff des Controllers auf den Speicher
wird dabei durch das Datenreferenzsignal gesteuert. Insbeson
dere wird durch das Datenreferenzsignal dem Controller ange
zeigt, zu welchem Zeitpunkt auszulesende Daten an einem Da
tenanschluß anliegen. Dazu ist im allgemeinen ein sogenannter
Timing-Parameter spezifiziert, der die maximale zulässige
zeitliche Abweichung zwischen dem vom Speicher generierten
Datenreferenzsignal und den anliegenden Ausgangsdaten dar
stellt.
Insbesondere dieser Timing-Parameter ist vor Auslieferung des
Speichers an den Kunden möglichst genau und applikationsnah
zu testen, um die Ausfallrate eines Speichers möglichst nied
rig zu halten. Ein solcher Test wird im allgemeinen mittels
eines externen Testsystems vorgenommen. Herkömmliche Meßme
thoden basieren in der Regel insbesondere darauf, daß Timing-
Parameter in Bezug auf ein vordefiniertes von außen angeleg
tes Referenz-Taktsignal (zum Beispiel sogenannter System
clock) bezogen werden.
Soll bei der Messung die Referenz-Taktsignal ein vom Speicher
erzeugtes Signal sein, wie beispielsweise das eingangs be
schriebene Datenreferenzsignal, so können in Standardtestsy
stemen das Datenreferenzsignal und ein oder mehrere Datensi
gnale jeweils nur getrennt voneinander in Bezug auf einen vom
Testsystem vorgegebenen festen Systemclock gemessen werden.
Die Relation zwischen diesen einzelnen Messungen gibt Auf
schluß über den zu testenden Timing-Parameter. Der Nachteil
dieser Methode liegt insbesondere darin, daß die Messung
zeitlich seriell abläuft. Das Meßergebnis entspricht somit
nicht den realen Bedingungen der Applikation.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren
zum Testen eines integrierten Speichers der eingangs genann
ten Art anzugeben, das ein weitgehend genaues und applikati
onsnahes Messen eines Timing-Parameters ermöglicht, der sich
auf das vom Speicher generierte Datenreferenzsignal bezieht.
Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zum Testen eines
integrierten Speichers mit wenigstens einem Anschluß zur Aus
gabe eines Datensignals und einem Anschluß zur Ausgabe eines
Datenreferenzsignals, die vom Speicher bei einem Speicherzu
griff innerhalb eines Zugriffszyklus in einen aktiven Zustand
geschaltet werden, bei dem das Datensignal und das Datenrefe
renzsignal innerhalb das Zugriffszyklus parallel gemessen und
bewertet werden.
Durch die Erfindung ist es ermöglicht, durch eine parallele
Messung von zwei vom Speicher erzeugten Signalen eine applikationsbezogene
Auswertung des eingangs beschriebenen Timing-
Parameters durchzuführen, da diese Signale beispielsweise am
genannten Controller ebenfalls parallel anliegen. Dadurch er
hält man ein applikationsnahes Meßergebnis, das Aufschluß
über eine Ausfallrate des Speichers in einem Normalbetrieb
einer Applikation gibt.
Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist,
daß die Testzeit aufgrund der Parallelmessung des Datensi
gnals und des Datenreferenzsignals reduziert werden kann. Das
erfindungsgemäße Verfahren ist darüber hinaus in jedem Stan
dardtestsystem implementierbar, das zum Zwecke der Messung
mit dem Anschluß zur Ausgabe des Datensignals und mit dem An
schluß zur Ausgabe des Datenreferenzsignals verbunden wird.
Werden beispielsweise mehrere Speicher mit Hilfe jeweils ei
nes sogenannten Testsockels parallel getestet, so werden auf
grund der jeweiligen parallelen Messung des Datensignals und
des Datenreferenzsignals des jeweiligen Speichers systemati
sche Abweichungen aufgrund unterschiedlicher Sockelanordnun
gen vermieden. Dadurch ist eine gewisse Unabhängigkeit von
unterschiedlichen Sockelanordnungen unterschiedlicher soge
nannter Testboards erreicht.
In einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens
werden das Datensignal und das Datenreferenzsignal jeweils in
einem diskreten Meßschritt abgetastet und gemessen. Dabei
werden ein Abtastwert des Datenreferenzsignals und ein Ab
tastwert des Datensignals zueinander in Relation gesetzt.
In einer Weiterbildung der Erfindung werden der Abtastwert
des Datenreferenzsignals in einem ersten Meßschritt und der
zugehörige Abtastwert des Datensignals in einem zweiten Meß
schritt gemessen, der unterschiedlich zum ersten Meßschritt
ist. Durch eine entsprechend zeitlich genaue Einstellung des
ersten und zweiten Meßschritts in Relation zueinander ist es
ermöglicht, den Timing-Parameter, der die maximale zulässige
zeitliche Abweichung zwischen dem vom Speicher generierten
Datenreferenzsignal und den Ausgangsdaten darstellt, ver
gleichsweise genau zu messen.
In einer vorteilhaften Ausführungsform wird dazu der zeitli
che Abstand des ersten und zweiten Meßschritts so einge
stellt, daß dieser der genannten in einem Normalbetrieb des
Speichers maximal zulässigen zeitlichen Abweichung des akti
ven Zustandes des Datenreferenzsignals von einem aktiven Zu
stand des Datensignals entspricht.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird der
Speicher mittels eines periodischen Taktsignals betrieben.
Das Datensignal und das Datenreferenzsignal werden in mehre
ren Taktperioden jeweils in einem diskreten Meßschritt abge
tastet und gemessen. In einer ersten Taktperiode wird der
Meßschritt für das Datenreferenzsignal relativ zum Taktsignal
zu einem ersten Zeitpunkt ausgeführt, der Meßschritt für das
Datensignal relativ zum Taktsignal zu einem zweiten Zeit
punkt. In einer zweiten Taktperiode wird der Meßschritt für
das Datenreferenzsignal relativ zum Taktsignal zu einem drit
ten Zeitpunkt ausgeführt, der gegenüber dem ersten Zeitpunkt
verschoben ist. Der Meßschritt für das Datensignal wird in
der zweiten Taktperiode relativ zum Taktsignal zu einem vier
ten Zeitpunkt ausgeführt, der gegenüber dem zweiten Zeitpunkt
verschoben ist.
Das heißt, in jeder dieser Taktperioden wird jeweils ein Meß
schritt für das Datenreferenzsignal und ein Meßschritt für
das Datensignal ausgeführt, wobei die einzelnen Zeitpunkte
relativ zum Taktsignal verschoben werden. Dadurch ist es er
möglicht, über eine begrenzte Anzahl von Taktperioden den ge
nauen Übergang des Datenreferenzsignals und des Datensignals
in den aktiven Zustand zu detektieren.
Sobald ein Abtastwert des Datenreferenzsignals den aktiven
Zustand aufweist, wird in einer Ausführungsform der Erfindung
der zugehörige Abtastwert des Datensignals bewertet. Dabei
wird beispielsweise überprüft, ob der zugehörige Abtastwert
des Datensignals ebenfalls den aktiven Zustand aufweist. An
hand dieser Bewertung kann eine sogenannte Pass-/Fail-
Information ausgegeben werden. Diese Pass-/Fail-Information
gibt Aufschluß darüber, ob der zu messende Timing-Parameter
die jeweilige Spezifikation verletzt.
Weitere vorteilhafte Aus- und Weiterbildungen der Erfindung
sind in Unteransprüchen angegeben.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der in der Zeichnung
dargestellten Figuren, die Ausführungsbeispiele der Erfindung
darstellen, näher erläutert. Es zeigen
Fig. 1 ein Zeitablaufdiagramm eines erfindungsgemäßen
Testverfahrens,
Fig. 2 eine schematische Darstellung einer zugehörigen Te
stanordnung,
Fig. 3 ein Flußdiagramm eines erfindungsgemäßen Testver
fahrens.
In Fig. 2 ist eine Testanordnung dargestellt, die einen in
tegrierten Speicher 1 in Form eines DDR DRAM Speichers und
ein mit dem Speicher 1 verbundenes Testgerät 2 aufweist. Der
Speicher 1 weist Anschlüsse für ein periodisches Taktsignal
CLK, für ein Datenreferenzsignal oder sogenanntes Data-
Strobe-Signal DQS und für Datensignale DQO, DQx und DQn auf.
Der Anschluß für das Data-Strobe-Signal DQS ist mit einem
Eingang 21 des Testgeräts 2 verbunden. Die Datenanschlüsse
für die Datensignale DQ0 bis DQn sind mit einem weiteren Ein
gang 22 des Testgeräts 2 verbunden.
Die Datensignale DQ0 bis DQn werden für einen Speicherzugriff
je nach Zustand der auszulesenden Daten in einen aktiven Zu
stand geschaltet. Ebenso wird für den Speicherzugriff das Data-Strobe-Signal
DQS in einen aktiven Zustand geschaltet. Die
Datensignale DQ0 bis DQn und das Data-Strobe-Signal DQS wer
den vom Testgerät 2 innerhalb eines Speicherzugriffs parallel
gemessen und bewertet. Dabei dient das Signal DQS als Refe
renzsignal, anhand dessen ein Timing-Parameter in Bezug auf
die Datensignale DQ0 bis DQn gemessen wird. Das Signal DQS
wird dabei nicht von dem Testgerät 2 beispielsweise in Form
eines Systemclocks erzeugt, sondern vom Speicher 1 zur Verfü
gung gestellt.
Anhand des Zeitablaufdiagramms aus Fig. 1 und des Flußdia
gramms gemäß Fig. 3 wird im folgenden beispielhaft eine Aus
führungsform eines erfindungsgemäßen Testverfahrens näher er
läutert.
Die Signale DQS und DQx werden in einem Speicherzugriff in
nerhalb des Zugriffszyklus jeweils in einen aktiven Zustand A
geschaltet. Dabei werden das Datensignal DQx und das Data-
Strobe-Signal DQS jeweils in diskreten Meßschritten abgeta
stet und gemessen.
Mit dem erfindungsgemäßen Testverfahren soll insbesondere der
Timing-Parameter tDQSQ gemessen werden, der die zeitliche Ab
weichung zwischen dem vom Speicher generierten Signal DQS und
den Ausgangsdaten DQx darstellt. Die Signale DQS und DQx wer
den mit Hilfe sogenannter Tester-Strobes des Testgeräts 2
parallel gemessen.
In einer ersten Taktperiode T0 wird der Meßschritt für das
Signal DQS relativ zum Taktsignal CLK zum Zeitpunkt t0 ausge
führt. Der zugehörige Meßschritt für das Datensignal DQx wird
relativ zum Taktsignal CLK zu einem Zeitpunkt t1 ausgeführt,
der gegenüber dem Zeitpunkt t0 verschoben ist. Der zeitliche
Abstand tDQSQ dieser beiden Meßschritte beträgt hier die ma
ximal zulässige zeitliche Abweichung, die im Normalbetrieb
des Speichers zwischen einem aktiven Zustand des Signals DQS
und einem aktiven Zustand des Datensignals DQx auftreten
darf. Mithin beträgt der zeitliche Unterschied zwischen den
beiden Tester-Strobes dem Maximum-Spezifikationswert von
tDQSQ. Da beide Signale DQS und DQx zu den Zeitpunkten t0 be
ziehungsweise t1 einen passiven Zustand aufweisen, wird eine
entsprechende Fail-Information ausgegeben.
Für eine erneute Messung in einer weiteren Taktperiode werden
die Zeitpunkte der jeweiligen Meßschritte relativ zu dem
Taktsignal CLK um Δx verschoben. Das heißt, in einer weiteren
Taktperiode T1 wird der Meßschritt für das Signal DQS relativ
zum Taktsignal CLK zu einem Zeitpunkt t2 ausgeführt, der ge
genüber dem Zeitpunkt t0 in der vorhergehenden Taktperiode
verschoben ist. Entsprechend wird der Meßschritt für das Da
tensignal DQx in der Taktperiode T1 relativ zum Taktsignal
CLK zu einem Zeitpunkt t3 ausgeführt, der gegenüber dem Zeit
punkt t1 der vorhergehenden Taktperiode T0 verschoben ist.
Dabei beträgt die Verschiebung zwischen den Zeitpunkten t2
und t0 beziehungsweise t3 und t1 den Wert Δx. Das heißt, die
Tester-Strobes werden parallel mit Δx für einen jeweiligen
neuen Meßdurchlauf "durchgeschoben".
Sobald der Abtastwert des Signals DQS den aktiven Zustand A
aufweist (Zeitpunkt t10 in Taktperiode T10), wird der zugehö
rige Abtastwert des Datensignals DQx bewertet. In diesem Fall
wird eine Pass-Information bezüglich des Signals DQS ausgege
ben und anschließend bewertet, ob zum Zeitpunkt t11 das Si
gnal DQx ebenfalls im aktiven Zustand ist. Ist dies der Fall,
wird eine Pass-Information ausgegeben, die Information dar
über enthält, daß der Parameter tDQSQ gemäß Spezifikation
eingehalten ist. Ist die Signal DQx hingegen nicht im aktiven
Zustand, so wird eine entsprechende Fail-Information ausgege
ben.
Durch das diskrete "Herantasten" an den Abtastwert zum Zeit
punkt t10 ist eine vergleichsweise gute Auflösung der Messung
erreichbar. Mit dem parallelen Messen der Signals DQS und DQx
wird eine applikationsnahe Messung durchgeführt (an einem
Controller liegen in einem Normalbetrieb die Signale DQS und
DQx ebenfalls parallel an), wodurch eine applikationsbezogene
Auswertung beziehungsweise Sortierung des zu testenden Spei
chers ermöglicht wird.
1
Integrierter Speicher
2
Testgerät
21
,
22
Eingang
DQS Data-Strobe-Signal
DQ0, DQx, DQn Datensignal
CLK Taktsignal
T0 bis T10 Taktperiode
A aktiver Zustand
t0 bis t11 Zeitpunkt
tDQSQ Timing-Parameter
Δx Verschiebung
DQS Data-Strobe-Signal
DQ0, DQx, DQn Datensignal
CLK Taktsignal
T0 bis T10 Taktperiode
A aktiver Zustand
t0 bis t11 Zeitpunkt
tDQSQ Timing-Parameter
Δx Verschiebung
Claims (8)
1. Verfahren zum Testen eines integrierten Speichers mit we
nigstens einem Anschluß zur Ausgabe eines Datensignals (DQx)
und einem Anschluß zur Ausgabe eines Datenreferenzsignals
(DQS), die vom Speicher (1) bei einem Speicherzugriff inner
halb eines Zugriffszyklus in einen aktiven Zustand (A) ge
schaltet werden, bei dem das Datensignal (DQx) und das Daten
referenzsignal (DQS) innerhalb des Zugriffszyklus parallel
gemessen und bewertet werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Verfahren in einem Testgerät (2) abläuft, das mit dem An
schluß zur Ausgabe des Datensignals (DQx) und mit dem An
schluß zur Ausgabe des Datenreferenzsignals (DQS) verbunden
wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Datensignal (DQx) und das Datenreferenzsignal (DQS) je weils in einem diskreten Meßschritt (t10, t11) abgetastet und gemessen werden,
ein Abtastwert des Datenreferenzsignals (DQS) und ein Ab tastwert des Datensignals (DQx) zueinander in Relation ge setzt werden.
das Datensignal (DQx) und das Datenreferenzsignal (DQS) je weils in einem diskreten Meßschritt (t10, t11) abgetastet und gemessen werden,
ein Abtastwert des Datenreferenzsignals (DQS) und ein Ab tastwert des Datensignals (DQx) zueinander in Relation ge setzt werden.
4. Verfahren nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Abtastwert des Datenreferenzsignals (DQS) in einem ersten
Meßschritt (t10) und der zugehörige Abtastwert des Datensi
gnals (DQx) in einem zweiten Meßschritt (t11), der unter
schiedlich zum ersten Meßschritt ist, gemessen werden.
5. Verfahren nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß
ein zeitlicher Abstand (tDQSQ) des ersten und zweiten Meß
schritts (t10, t11) einer in einem Normalbetrieb des Spei
chers maximal zulässigen zeitlichen Abweichung des aktiven
Zustandes des Datenreferenzsignals (DQS) von einem aktiven
Zustand des Datensignals (DQx) entspricht.
6. Verfahren nach einen der Ansprüche 3 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Speicher mittels eines periodischen Taktsignals (CLK) betrieben wird,
in einer ersten Taktperiode (T0) der Meßschritt für das Da tenreferenzsignal (DQS) relativ zum Taktsignal zu einem er sten Zeitpunkt (t0) und der Meßschritt für das Datensignal (DQx) relativ zum Taktsignal zu einem zweiten Zeitpunkt (t1) ausgeführt wird,
in einer zweiten Taktperiode (T1) der Meßschritt für das Datenreferenzsignal (DQS) relativ zum Taktsignal zu einem dritten Zeitpunkt (t2), der gegenüber dem ersten Zeitpunkt (t0) verschoben ist, und der Meßschritt für das Datensignal (DQx) relativ zum Taktsignal zu einem vierten Zeitpunkt (t3) ausgeführt wird, der gegenüber dem zweiten Zeitpunkt (t1) verschoben ist.
der Speicher mittels eines periodischen Taktsignals (CLK) betrieben wird,
in einer ersten Taktperiode (T0) der Meßschritt für das Da tenreferenzsignal (DQS) relativ zum Taktsignal zu einem er sten Zeitpunkt (t0) und der Meßschritt für das Datensignal (DQx) relativ zum Taktsignal zu einem zweiten Zeitpunkt (t1) ausgeführt wird,
in einer zweiten Taktperiode (T1) der Meßschritt für das Datenreferenzsignal (DQS) relativ zum Taktsignal zu einem dritten Zeitpunkt (t2), der gegenüber dem ersten Zeitpunkt (t0) verschoben ist, und der Meßschritt für das Datensignal (DQx) relativ zum Taktsignal zu einem vierten Zeitpunkt (t3) ausgeführt wird, der gegenüber dem zweiten Zeitpunkt (t1) verschoben ist.
7. Verfahren nach einen der Ansprüche 3 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß
sobald der Abtastwert des Datenreferenzsignals (DQS) den ak
tiven Zustand aufweist, der zugehörige Abtastwert des Daten
signals (DQx) bewertet wird.
8. Verfahren nach einen der Ansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Speicher (1) als DRAM Speicher ausgeführt ist und gemäß
einer Double-Data-Rate-Architektur betrieben wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2001104575 DE10104575A1 (de) | 2001-02-01 | 2001-02-01 | Verfahren zum Testen eines integrierten Speichers |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2001104575 DE10104575A1 (de) | 2001-02-01 | 2001-02-01 | Verfahren zum Testen eines integrierten Speichers |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10104575A1 true DE10104575A1 (de) | 2002-08-29 |
Family
ID=7672522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2001104575 Ceased DE10104575A1 (de) | 2001-02-01 | 2001-02-01 | Verfahren zum Testen eines integrierten Speichers |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10104575A1 (de) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10340917A1 (de) * | 2003-09-05 | 2005-04-07 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Überprüfen von Ausgangssignalen einer integrierten Schaltung |
DE102004020866A1 (de) * | 2004-04-28 | 2005-11-24 | Infineon Technologies Ag | Halbleiter-Bauelement-Test-Verfahren, sowie Daten-Zwischenspeicher-Bauelement |
DE102004020030A1 (de) * | 2004-04-23 | 2005-11-24 | Infineon Technologies Ag | Testvorrichtung zum Testen einer integrierten Schaltung |
DE102004020867A1 (de) * | 2004-04-28 | 2005-11-24 | Infineon Technologies Ag | Halbleiter-Bauelement-Test-Verfahren, sowie Daten-Zwischenspeicher-Bauelement |
DE102007029752A1 (de) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Qimonda Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Test eines Halbleiter-Speicherbauelements |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4849973A (en) * | 1986-09-19 | 1989-07-18 | Fujitsu Limited | Test system for random access memory |
-
2001
- 2001-02-01 DE DE2001104575 patent/DE10104575A1/de not_active Ceased
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4849973A (en) * | 1986-09-19 | 1989-07-18 | Fujitsu Limited | Test system for random access memory |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
WINDECK, Christof: Dopplereffekt. In: c't Magazin für Computertechnik, Heft 23, Nov. 2000,S.162-166 * |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10340917A1 (de) * | 2003-09-05 | 2005-04-07 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Überprüfen von Ausgangssignalen einer integrierten Schaltung |
US7380182B2 (en) | 2003-09-05 | 2008-05-27 | Infineon Technologies Ag | Method and apparatus for checking output signals of an integrated circuit |
DE10340917B4 (de) * | 2003-09-05 | 2012-03-22 | Qimonda Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Überprüfen von Ausgangssignalen einer integrierten Schaltung |
DE102004020030A1 (de) * | 2004-04-23 | 2005-11-24 | Infineon Technologies Ag | Testvorrichtung zum Testen einer integrierten Schaltung |
DE102004020866A1 (de) * | 2004-04-28 | 2005-11-24 | Infineon Technologies Ag | Halbleiter-Bauelement-Test-Verfahren, sowie Daten-Zwischenspeicher-Bauelement |
DE102004020867A1 (de) * | 2004-04-28 | 2005-11-24 | Infineon Technologies Ag | Halbleiter-Bauelement-Test-Verfahren, sowie Daten-Zwischenspeicher-Bauelement |
DE102007029752A1 (de) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Qimonda Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Test eines Halbleiter-Speicherbauelements |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3516755C2 (de) | ||
DE2340547B2 (de) | Schaltungsanordnung zum testen logischer schaltungen | |
DE10101899A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Testen von Halbleiterbauelementen | |
DE3700251A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur diagnose logischer schaltungen | |
EP1176606B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Einlesen und zur Überprüfung der zeitlichen Lage von aus einem zu testenden Speicherbaustein ausgelesenen Datenantwortsignalen | |
DE60307297T2 (de) | Verfahren und einrichtung zur ruhestrombestimmung | |
DE102005055836B4 (de) | Leistungstestplatte | |
DE112008000937T5 (de) | Prüfgerät und elektronische Vorrichtung | |
DE2615787A1 (de) | Schaltungsanordnung zur pruefung der wechselstromeigenschaften von monolithisch integrierten halbleiterschaltungen | |
DE10104575A1 (de) | Verfahren zum Testen eines integrierten Speichers | |
DE69828877T2 (de) | Testsystem für integrierte schaltkreise mit wenigstens einem quasi-autonomen testinstrument | |
DE10219916A1 (de) | Testanordnung mit Testautomat und integriertem Schaltkreis sowie Verfahren zur Ermittlung des Zeitverhaltens eines integrierten Schaltkreises | |
DE60112211T2 (de) | Halbleitervorrichtung zum Bereitstellen einer zuverlässigen Datenanalyse von Signalen | |
DE10034900C2 (de) | System zum Test schneller synchroner Digitalschaltungen, insbesondere Halbleiterspeicherbausteinen | |
DE60124008T2 (de) | Verfahren zum lesen der information von halbleiter-wafern bei einem parallelen test- und einbrenn-system | |
DE10392393T5 (de) | Halbleiterprüfvorrichtung und Zeitmessverfahren hierfür | |
DE102004052246B3 (de) | Halbleiterbauelement, Anordnung und Verfahren zur Charakterisierung eines Prüfgerätes für Halbleiterbauelemente | |
DE10133689C2 (de) | Testverfahren und Testvorrichtung für elektronische Speicher | |
EP0966743B1 (de) | Verfahren zum prüfen einer integrierten schaltung | |
WO2022069233A1 (de) | Verfahren zum testen eines sensors und elektronische schaltung | |
DE10006236C2 (de) | Anordnung zum Generieren von Signalimpulsen mit definierten Pulslängen in einem Baustein mit BIST-Funktion | |
DE10112311A1 (de) | Verfahren und Einrichtung zum Kalibrieren zur Korrektur von Impulsbreitenzeitfehlern beim Testen integrierter Schaltungen | |
DE19917336C2 (de) | Schaltungsanordnung zum Burn-In-Test eines Halbleiterbausteins | |
DE10127656B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Untersuchung des Signalverhaltens von Halbleiterschaltungen | |
DE112004001124T5 (de) | Prüfvorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE |
|
8131 | Rejection |