DE10064456B4 - Verfahren zur maskenlosen Formation von Metall-Nanostrukturen in dünnen dielektrischen Schichten mittels Bestrahlung mit ultrakurzen Laserimpulsen - Google Patents

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    • G02B5/3058—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state comprising electrically conductive elements, e.g. wire grids, conductive particles

Abstract

Verfahren zur maskenlosen Formation von Metallnanostrukturen, dadurch gekennzeichnet, dass Metallnanostrukturen in dünnen Schichten, bestehend aus Mehrlagenschichtsystemen dielektrischer Schichten mit darin befindlichen Metallnanopartikeln oder dünnen Metallschichten, durch Bestrahlung mit ultrakurzen Laserimpulsen in Fernfeldanordnung hergestellt werden, wobei die Wellenlänge der Laserstrahlung so gewählt wird, dass sie innerhalb der Extinktionsbande liegt, die durch die Plasmonenresonanz des metallischen Materials erzeugt wird.

Description

  • Der Bedarf an immer leistungsfähigeren elektronischen Bauteilen bei zunehmender Integrationsdichte führt zu immer kleineren, elektrisch leitenden Strukturen, deren charakteristische Größen beim gegenwärtigen Stand der Technik bereits unterhalb von 1 μm liegen. Für die anspruchsvolle und aufwendige Fertigung von Strukturen mit Abmessungen im Nanometerbereich werden derzeit lithographische Verfahren mit Maskentechniken verwendet. Die optische Lithographie erfordert einen aufwendigen Mehrschrittprozess und es werden spezielle photoempfindliche Schichten benötigt, die vor dem lithographischen Prozess aufgebracht werden müssen. Diese aufzubringenden lithographischen Schichten haben für das elektronische Bauelement keine Funktion und werden während und nach dem lithographischen Prozesses wieder entfernt. Durch die Maskentechnik sind die zu erzeugenden Strukturen in ihrer Dimension und in ihrer Funktion festgelegt. Strukturen mit anderen geometrischen Abmessungen können nur mittels neuer Masken hergestellt werden, wobei die Maskenherstellung sehr aufwendig und kostenintensiv ist.
  • Eine weitere Möglichkeit der Erzeugung von leitfähigen Strukturen zur Anwendung für elektronische Bauteile besteht in der gezielten Strukturveränderung durch Laser- und Elektronenbestrahlung, wobei die Struktur des durch die Laser- bzw. Elektronenbestrahlung erreichten Probenbereiches verändert wird (z.B. US-Patent 4794087).
  • Des Weiteren ist bekannt, durch Bestrahlung mit ultrakurzen, linear polarisierten Laserpulsen submikroskopische Metallpartikel, die sich in einer dielektrischen Matrix befinden, dahingehend zu verändern, dass sich ihre Form von ursprünglich sphärisch zu rotationsellipsoidisch ändert, wobei die Formänderung der Metallpartikel eine Änderung der optischen Eigenschaften bewirkt (von isotrop zu anisotrop) ( DE 198 23 257 A1 )
  • Gleichfalls durch Laserbestrahlung können Informationen in einem Mehrschichtsystem, welches aus einer für das Laserlicht transparenten Schicht, einer das Laserlicht absorbierenden Zwischenschicht und einer das Laserlicht nicht absorbierenden Schicht besteht, gespeichert werden. Dabei werden in der absorbierenden Zwischenschicht durch Laserablationsprozesse gezielt modifizierte Bereiche geschaffen, die zur Speicherung von Informationen genutzt werden können (WO 98/45827).
  • Weitere Möglichkeiten stellen Methoden der Bauelementefertigung auf Siliziumsubstraten, insbesondere der Herstellung ultradünner Opferschichten in sub-250nm Bauelementen durch „selbst-ausgerichtete" Silicidbildung (engt.: self-aligned silicide formation oder salicide) unter Einbeziehung einer Laserbestrahlung dar, wobei eine Excimer-Laserbestrahlung (XeCl oder KrF) die Dickenhomogenität über den gesamten Halbleiter-Wafer verbessert sowie das lokale Aufheizen metallischer Bereiche bei der Herstellung mikroelektronischer Bauelementen gewährleistet, was zur Verbesserung der initialen Silicid-Bildung und zu einer höheren Reaktionseffiziens zwischen Titan und Silizium führt ( US6156654A ).
  • Bekannt ist auch ein Laser-basiertes Verfahren zur Planarisierung metallischer Schichten, die als Verbindungselemente in Mehrlagensystemen mikroelektronischer Bauelemente fungieren, in welchem die Schichten durch Bestrahlung mit Laserpulsen zum Aufschmelzen gebracht werden, um Irregularitäten und Diskontinuitäten zwischen den aufeinander folgenden Lagen zu eliminieren ( EP 0 208 463 A1 ).
  • Auch Strukturmanipulationen mit Hilfe der Rastertunnelmikroskopie (US-Patent 5763933) und mit optischen Nahfeldmethoden wurden schon beschrieben (V.V. Polonsksi et. al., Journal of Microscopy, 194 (1999) pp. 545 – 551; K. Lieberman et. al, ibid. 194 (1999) pp. 537 – 541; M. Tang et. al., Optics Communications 146 (1998), pp. 21 – 24).
    •
  • Der Erfindung liegt das Problem zugrunde unter Umgehung der aufwendigen und kostenintensiven Maskenherstellung Strukturen im Nanometerbereich, die z.B. elektrisch leitend sein können, in einem einzelnen Fertigungsschritt zu erzeugen. Erfindungsgemäß wurde ein gepulster Laser in Fernfeldanordnung verwendet. Die Dünnschicht, in der die Strukturveränderung erzeugt wird, kann für das elektronische Bauelement eine Funktion übernehmen, z. B. als elektrische Leitbahn. Weiterhin ergeben sich neuartige optische Eigenschaften. Die strukturierte Schicht kann aber auch im Bedarfsfall ähnlich wie beim lithographischen Prozess wieder entfernt werden.
  • Die im folgenden beschriebene Strukturierungsmethode hat gegenüber den bisher verwendeten Arten der Strukturierung folgende Vorteile: Es kann auf eine aufwendige Fertigungsanlage, wie sie für die optische Lithographie mittels Masken notwendig ist, verzichtet werden. Ein einfacher optischer Aufbau ist ausreichend. Weiterhin sind keine Vorlagen (Masken) für die zu erzeugenden Strukturen mehr nötig, jede geforderte Bauelementestruktur kann allein durch geometrische Bewegung der Schicht oder des Lasers gefertigt werden. Die strukturierte Schicht muss nicht wieder von der Oberfläche des Bauelements entfernt werden. Die Herstellung der für das Verfahren notwendigen Schichtsysteme als auch der Strukturierungsprozess ist mit anderen Verfahren zur Herstellung von elektronischen Bauelementen kompatibel.
  • Als Ausgangsmaterial werden dünne Schichten verwendet, bei denen metallische Partikel mit Größen im Nanometerbereich (Nanopartikel) in eine dielektrische Matrix, z. B. aus Polymerdünnschichten, eingebettet sind. Eine Möglichkeit der Herstellung solcher Schichten wurde z.B. in A. Heilmann et. al. Prog. Surf. Coll. Polym. Sci. 85 (1991), 102-110 beschrieben. Dazu wird auf ein Substrat zunächst eine dünne dielektrische Schicht durch ein Beschichtungsverfahren (Plasmapolymerisation oder Plasmagestützte chemische Gasphasenabscheidung, Polymersputtern, reaktives Ionensputtern, Eintauch- und Schleuderbeschichtung) aufgebracht. Diese aufgebrachte dünne dielektrische Schicht beeinflusst die Auswachsbedingungen der darauf abgeschiedenen Metallnanopartikel und damit deren Größen- und Formverteilung sowie die Nanostruktur der dünnen Metallschicht. Bei einem geeigneten Substrat kann auf diese dielektrische Schicht im Einzelfall auch verzichtet werden. Auf die dielektrische Schicht oder auf das Substrat werden durch einen typischen Metallbeschichtungsprozess (Verdampfen, Sputtern) danach Nanopartikel oder dünne Metallschichten aus relevanten Metallen (Gold, Silber, Kupfer o.ä.) aufgebracht, wobei die Größen- und Formverteilung der Metallnanopartikel durch den Beschichtungsprozess bestimmt wird. Im Anschluss wird eine weitere dielektrische Schicht nach den bereits benannten Beschichtungsprozessen aufgebracht, die zu einer Langzeitstabilisierung des Mehrlagensystems führt und thermisch induzierte Diffusionsprozesse zwischen oder innerhalb der Metallpartikel unterdrückt. Bei hinreichend stabilen Metallpartikelanordnungen kann auf die zweite dielektrische Schicht verzichtet werden. Das gesamte Mehrlagensystem hat eine Schichtdicke im Submikrometerbereich. Die Fläche der mit diesen Verfahren herstellbaren Mehrlagensysteme wird durch die Geometrie der Herstellungsreaktoren bestimmt und ist nicht limitiert.
  • Neben der Herstellung der beschriebenen Mehrlagenschichtsysteme besteht die Möglichkeit, mehrere Beschichtungsvorgänge zusammenzufassen und durch gleichzeitige Deposition des Dielektrikums und des Metalls (z.B. simultane Plasmapolymerisation und Metallverdampfung, simultane Plasmapolymerisation und Metallsputtern, Co-Sputtern von zwei Materialien, reaktive Sputtern vom Mischtarget und andere) Schichtstrukturen zu erzeugen, die vergleichbare Eigenschaften aufweisen, jedoch nicht in mehrere einzelne übereinanderliegende Schichten unterteilt werden können, da die Metallnanopartikel oder die dünne Metallschicht sich nicht mehr vorzugsweise nur in einer Ebene befinden. Weiterhin ist es möglich, verschiedene Teilprozesse der Schichtbildung zu wiederholen und so auch Mehrlagensysteme mit zwei verschiedenen Metallen oder zwei verschiedenen Dielektrika zu erhalten.
  • Das Aufwachsen von dünnen Metallschichten wird hauptsächlich durch die Grenzflächenenergie des Metalls und des Substrats bestimmt. Bei metallischen Schichten mit sehr geringen Dicken entstehen bei dieser Herstellungsweise zunächst kleine Nanopartikel mit charakteristischen Größen von wenigen Nanometern bis zu 200 ... 500 nm lateraler Größenausdehnung, die mit zunehmendem Materialangebot zu einer diskontinuierlichen dünnen metallischen Schicht zusammenwachsen und im weiteren eine geschlossene metallische Schicht bilden. Sehr einfach kann der Volumenanteil der Metallpartikel an dem Mehrlagensystem durch den Volumenfüllfaktor beschrieben werden, wobei nur der Anteil des Mehrlagensystems, in dem Metallpartikel zu finden sind, berücksichtigt wird. Der Flächenbedeckungsgrad (Flächenfüllfaktor f) der metallischen Bereiche kann durch Transmissionselektronenmikroskopie bestimmt werden. Die optischen und elektrischen Eigenschaften der Mehrlagenschichten werden bestimmt durch die Größen- und Formverteilung der Metallnanopartikel bzw. durch den Flächenfüllfaktor der dünnen Metallschicht.
  • Bei Nanopartikelanordnungen bzw. diskontinuierlichen Metallschichten wird bei Flächenfüllfaktoren unterhalb der sogenannten Perkolationsschwelle (f < fp) dielektrisches Verhalten beobachtet (Bereich geringer elektrischer Leitfähigkeit σ < 10–6 Ω–1cm–1). Bei Flächenfüllfaktoren oberhalb der Percolationschwelle (f > fp) wird metallähnliche oder metallische Leitfähigkeit (σ > 10–2 Ω–1cm–1) festgestellt.
  • In Abhängigkeit von der Art und Schichtdicke des Dielektrikums und von der Größen- und Formverteilung der Metallnanopartikel bzw. dem Flächenfüllfaktor der Metalldünnschicht ergeben sich charakteristische optische Extinktions- und Reflexionsspektren. Das Extinktionsmaximum, das aus der Oberflächen-Plasmonenresonanz der Metallnanopartikel resultiert, ist bei Wellenlängen im sichtbaren Spektralbereich oder in benachbarten Spektralbereichen zu finden. Ein typisches Absorptionsspektrum von Gold in einer Plasmapolymerschicht aus Hexamethyldisilazan ist in 3 dargestellt. Eine wesentliche Anforderung an das Matrixmaterial ist hier, daß es im Bereich der optischen Plasmonenresonanzabsorption des Metalls nur eine geringe optische Absorption zeigt.
  • Das nachfolgend beschriebene erfindungsgemäße Verfahren ermöglich eine berührungslose Strukturierung der beschriebenen Mehrschichtanordnungen mittels ultrakurzer Laserimpulse. Durch eine derartige Bestrahlung entstehen geordnete Strukturen mit charakteristischen Strukturbreiten im Submikrometerbereich. Insbesondere sind auch charakteristische Strukturbreiten möglich, die unterhalb der Wellenlänge des verwendeten Lasers liegen.
  • Ausgangsmaterial sind die beschriebenen Mehrschichtanordnungen, die normalerweise zunächst eine rein isotrope laterale Verteilung der Metallpartikel aufweisen. Diese werden mit mindestens einem, normalerweise aber mehreren ultrakurzen, linear polarisierten Laserimpulsen bestrahlt, d.h. mit Impulsen, deren Impulsdauer bei 10 ps oder darunter liegt. Im Gegensatz zu bereits beschriebenen Methoden findet diese Bestrahlung in Fernfeldanordnung statt. Die Wellenlänge des Lasers sollte so gewählt werden, daß sie innerhalb der Extinktionsbande liegt, die durch die Plasmonenresonanz der Metallpartikel erzeugt wird. Typische Leistungsdichten des Lasers liegen im Bereich von 1011 W/cm2.
  • Allein durch diese Art der Bestrahlung wird auf den Schichtstrukturen eine lokale Veränderung der Dichte und Größe der Metallpartikel erzeugt, aus der dann eine periodische, richtungsabhängige Überstruktur entsteht, wie sie beispielhaft in 2 wiedergegeben ist.
  • Diese Überstruktur besteht aus aneinanderliegenden Metallpartikeln, die in einer Flächenrichtung einen kontinuierlich zusammenhängenden Nanodraht bilden, während in der dazu senkrechten Richtung eine periodische Abfolge von metallreichen und fast metallfreien Streifen auftritt. Der Abstand der Nanodrähte kann hierbei Werte annehmen, die unterhalb der Wellenlänge des verwendeten Lasers liegen. Die Ausrichtung der Nanodrähte auf der Fläche wird nicht durch geometrische Faktoren der experimentellen Anordnung bestimmt, sondern ist ausschließlich auf die Richtung der Polarisation des elektrischen Feldvektors des Lasers zurückzuführen. Die Richtung der Nanodrähte und der elektrische Feldvektor sind dabei parallel zueinander ausgerichtet.
  • Wird das Substrat während der Laserbestrahlung relativ zum Laserstrahl bewegt, können ausgedehntere Bereiche homogener Strukturierung erzeugt werden, wenn die Mittelpunkte der einzelnen Laserimpulse einen deutlich kleineren Abstand aufweisen als der Durchmesser des durch einen Laserimpuls bestrahlten Bereichs. Die geometrische Form der hierdurch erzeugten Bereiche wird dabei durch die relative Bewegungsrichtung zwischen Laser und Substrat vorgegeben.
  • Insbesondere ist es möglich, hierdurch ausdehnte Linien zu erzeugen (vgl. 1), die aus nebeneinander liegenden Nanodrähten bestehen. Auch hier ist die Ausrichtung der Drähte in der „geschriebenen" Linie durch den Winkel zwischen der Vorschubrichtung des Substrats und der Laserpolarisation vorgegeben. Nahe beieinander liegende Linien ergeben ausgedehnte Flächen einheitlicher Nanodrähte. Verschiedene Kombinationen von Bestrahlungsparametern (Wellenlänge des Lasers, Polarisation, Impulsdauer, Impulswiederholrate, Probenvorschubgeschwindigkeit) können hier zu vergleichbaren Ergebnissen führen. Typische Laserparameter sind dabei folgende: Lineare Polarisation, Impulsdauer < 10 ps, Intensitäten im Bereich 1011 bis 1012 W/cm2, 10 bis 1000 Impulse pro Ortseinheit.
  • Durch die dargestellte Bildung von Nanodrähten ändern sich die optischen und elektrischen Eigenschaften der Mehrlagenschichtsysteme. Die strukturelle Anisotropie wird auch in der Leitfähigkeit der Schichtsysteme in verschiedenen Richtungen sowie deren Extinktions- und Reflexionsverhalten widergespiegelt.
  • Verglichen mit der isotropen Leitfähigkeit einer unbestrahlten Schicht steigt die Leitfähigkeit der Schicht nach der Bestrahlung, wenn entlang der Nanodrähte gemessen wird. Senkrecht zu den Nanodrähten sinkt die Leitfähigkeit im Vergleich zum unbestrahlten Mehrschichtsystem (Anwendungsbeispiel 1).
  • 3 zeigt optische Extinktionsspektren eines Mehrlagenschichtsystems, das Goldpartikel enthält, vor der Bestrahlung, sowie zwei Spektren, die nach der Bestrahlung mit linear polarisiertem Licht aufgenommen wurden (Anwendungsbeispiel 2). Diese Spektren wurden ebenfalls mit polarisiertem Licht gemessen, wobei einmal die Messpolarisation parallel und einmal orthogonal zu der Richtung der erzeugten Nanodrähte ausgerichtet war. Auch hier ist Anisotropie zu erkennen: Beide Spektren unterscheiden sich voneinander sowie vom Spektrum der Schicht vor der Bestrahlung in der Lage der jeweiligen Maxima, in der Extinktionsstärke und in der Breite der jeweiligen Extinktionsbanden.
  • Kompliziertere Strukturen kann man erzeugen, wenn man entweder die Bestrahlung ein zweites Mal durchführt oder indem man gleichzeitig einen zweiten Strahl verwendet. Dabei sollte es sich jeweils auch um Laserstrahlung mit linearer Polarisation handeln. Die Polarisationsrichtungen der beiden verwendeten Strahlen können dabei einen beliebigen Winkel zueinander einnehmen.
  • In diesem Fall entstehen Strukturen, die man als Nanostreifen bezeichnet. Dabei hängt die Länge und Ausrichtung dieser Streifen vom Winkel ab, den die beiden Polarisationen miteinander einschließen. Beträgt dieser Winkel genau 90°, können Nanopunkte erzeugt werden. In diesem Fall wird die Leitfähigkeit der Schicht in allen Meßrichtungen deutlich herabgesetzt. Dieses Verfahren zur Erzeugung von Quantenpunkten unterscheidet sich damit deutlich von einem bereits früher beschriebenen Verfahren zur Herstellungen von punktförmigen Quantenbauelementen durch Elektronenbestrahlung ( DE 4200193 C2 ). Bei diesem Verfahren wird das punktförmige Bauelement durch punktförmige Elektronenbestrahlung erzeugt und die Strukturabmessungen sind an die bestrahlte Fläche gekoppelt.
    •
  • Anwendungsbeispiel 1:
  • Folgende Parameter bei der Bestrahlung führen zu den angegebenen elektrischen Leitfähigkeiten:
    Schicht: – plasmapolymerisiertes Hexamethyldisilasan
    – Einlagerungsmetall: Gold
    – Schichtdicke: 100 nm
    Laserparameter:
    Wellenlänge: λ = 800 nm
    Impulsdauer: τ = 150 fs
    Impulsenergie: E = 230 μJ
    Polarisation: linear
    Wiederholfrequenz: f = 1 kHz
    Probengeschw. v = 1 mm/s
  • Die Probe, bestehend aus Substrat, Metall-Dünnschichtelektroden und abgeschiedener Schicht, wird gemäß 1 Laser-behandelt.
  • spezifische elektrische Leitfähigkeit σ der Schichbereiche:
    • – vor der Laserbehandlung: σ ≈ 101 Ω–1cm–1
    • – nach der Laserbehandlung: σ ≈ 102 Ω–1cm–1 (parallel zu den metallischen Nanodrähten) σ10V ≈ 10–7 Ω–1cm–1 (orthogonal zu den Nanodrähten)
  • Anwendungsbeispiel 2:
  • Die in 2 gezeigten Strukturen, sowie die in 3 gezeigten optischen Spektren wurden durch folgende Bestrahlungsparameter und auf folgenden Schichten erzeugt:
    Schicht: – plasmapolymerisiertes Hexamethyldisilasan
    – Einlagerungsmetall: Gold
    – Schichtdicke: 100 nm
    Wellenlänge: λ = 800 nm
    Impulsdauer: τ = 150 fs
    Impulsenergie: E = 100 μJ
    Polarisation: linear
    Wiederholfrequenz: f = 1 kHz
    Probengeschw. v = 1 mm/s
  • Figurenbeschreibung
  • 1
    Darstellung einer typischen Produktionsanlage für die Erzeugung von Nanodrähten mit Hilfe linear polarisierter Laserimpulse.
  • Die dargestellten Elektroden dienen der Messung der elektrischen Leitfähigkeit der Schicht vor und nach der Bestrahlung.
  • 2
    Abbildung einer Schicht, bestehend aus Goldnanopartikeln, die in einem Plasmapolymer aus dem Monomer Hexamethyldisilasan (HMDSN) eingelagert sind, aufgenommen mit einem Rasterelektronenmikroskop nach der Bestrahlung mit Laserimpulsen folgender Parameter: Wellenlänge 800 nm, Impulsdauer 150 fs, Wiederholfrequenz des Lasers 1 kHz, Verfahrgeschwindigkeit der Probe 1 mm/s, Impulsenergie ca. 100 μJ.
  • 3
    Optische Extinktionsspektren, gemessen an der in 2 abgebildeten Schicht. Die durchgezogene Linie wurde vor der Laserbestrahlung aufgenommen, die beiden durchbrochenen Linien wurden mit linear polarisiertem Licht nach der Bestrahlung aufgenommen, wobei die Polarisation einmal parallel und einmal senkrecht zu den in 2 dargestellten Nanodrähten ausgerichtet war.

Claims (13)

  1. Verfahren zur maskenlosen Formation von Metallnanostrukturen, dadurch gekennzeichnet, dass Metallnanostrukturen in dünnen Schichten, bestehend aus Mehrlagenschichtsystemen dielektrischer Schichten mit darin befindlichen Metallnanopartikeln oder dünnen Metallschichten, durch Bestrahlung mit ultrakurzen Laserimpulsen in Fernfeldanordnung hergestellt werden, wobei die Wellenlänge der Laserstrahlung so gewählt wird, dass sie innerhalb der Extinktionsbande liegt, die durch die Plasmonenresonanz des metallischen Materials erzeugt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1), gekennzeichnet dadurch, dass linear polarisierte Laserimpulse zur Erzeugung von Nanodrähten, deren Größen in einer Raumrichtung innerhalb der Schicht im Nanometerbereich liegen, in der anderen Raumrichtung jedoch keiner Einschränkung unterliegen, verwendet werden.
  3. Verfahren nach Anspruch 1) und 2), gekennzeichnet dadurch, dass eine zweifache Bestrahlung mit linear polarisierten Laserimpulsen, deren Polarisationsrichtung gegeneinander verdreht ist, durchgeführt wird, um Nanostreifen zu erzeugen, die innerhalb der Schicht in einer Raumrichtung charakteristische Breiten im Nanometerbereich besitzen und in der anderen Richtung charakteristische Längen im Nanometer- oder Mikrometerbereich aufweisen, die durch den Winkel zwischen den Bestrahlungen bestimmt werden, wobei die Bestrahlung gleichzeitig oder nacheinander erfolgt.
  4. Verfahren nach Anspruch 3), gekennzeichnet dadurch, dass die Ausrichtung der Polarisationsrichtungen der Bestrahlungen senkrecht zueinander erfolgt, um Nanopunkte zu erzeugen, die innerhalb der Schichten in beiden Raumrichtungen Größen im Nanometerbereich aufweisen.
  5. Verfahren nach Anspruch 1) und 2), gekennzeichnet dadurch, dass eine mehr als zweifache Bestrahlung durchgeführt wird, um komplexe geometrische Nanostrukturen zu erzeugen.
  6. Verwendung des Verfahrens nach Anspruch 1) und 2) zur Erzeugung dichroitischen Verhaltens der Metallnanostrukturen.
  7. Verwendung des Verfahrens nach Anspruch 1) und 2) zur Erzeugung erhöhter und verringerter Leitfähigkeiten in der Schicht parallel bzw. senkrecht zur linearen Polarisation des Lasers.
  8. Verwendung des Verfahrens nach Anspruch 1) und 3) zur Veränderung der Leitfähigkeit der Schicht, wobei das Maß der Veränderung von der relativen Ausrichtung der beiden Polarisationsrichtungen sowie der Meßrichtung bestimmt wird.
  9. Verwendung des Verfahrens nach Anspruch 1) und 3) zur Veränderung der optischen Extinktions- und Reflexionsspektren, wobei das Maß der Veränderung von der relativen Ausrichtung der beiden Polarisationsrichtungen sowie der Messrichtung bestimmt wird.
  10. Verwendung des Verfahrens nach Anspruch 1) und 5) zur Erzeugung veränderter optischer Extinktions- und Reflexionsspektren in Abhängigkeit von der Ausrichtung der jeweiligen Laserpolarisation sowie der Beobachtungsrichtung.
  11. Verwendung des Verfahrens nach Anspruch 1) und 5) zur Erzeugung veränderter Leitfähigkeiten in Abhängigkeit von der Ausrichtung der jeweiligen Laserpolarisation sowie der Messrichtung.
  12. Verwendung des Verfahrens nach Anspruch 1) zur Erzeugung von Veränderungen der Schichtoberfläche durch die erhaltenen Strukturen.
  13. Verwendung des Verfahrens nach Anspruch 1) und 12) zur Erzeugung einer Veränderung der Haftung eines weiteren Materials an der Oberfläche und/oder einer Veränderung der Aufwachsbedingungen für eine weitere Schicht und/oder einer Vergrößerung der funktionalen Oberfläche und/oder einer Veränderung der geometrischen Funktionalität durch die gebildeten Oberflächenstrukturen.
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