DE10061298A1 - Signalüberträger auf der Basis von organischem Material, Herstellungsverfahren dazu und Verwendungen - Google Patents
Signalüberträger auf der Basis von organischem Material, Herstellungsverfahren dazu und VerwendungenInfo
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- 238000004891 communication Methods 0.000 title claims abstract description 4
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 title claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title abstract description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 4
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract description 5
- 239000003814 drug Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003270 Cymel® Polymers 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
- H01L31/173—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02322—Optical elements or arrangements associated with the device comprising luminescent members, e.g. fluorescent sheets upon the device
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft einen Signalüberträger auf der Basis von organischem Material, insbesondere einen Optokoppler. Außerdem betrifft die Erfindung ein Herstellungsverfahren zur Herstellung eines Signalüberträgers und neue Verwendungen eines Signalüberträgers.
Description
Die Erfindung betrifft einen Signalübertrager, insbesondere
einen Optokoppler. Außerdem betrifft die Erfindung ein Her
stellungsverfahren zur Herstellung eines Signalüberträgers
und Verwendungen eines Signalüberträgers.
Bei vielen Geräten, wie z. B. Computer, Automatisierungsgerä
te, Medizintechnische Geräte, Kommunikationsgeräte etc., ist
es nötig, dass digitale und/oder analoge Signale galvanisch
in der Übertragung zumindest einmal getrennt werden. Dazu
gibt es magnetisch induktive Koppler, bei denen das elektri
sche Signal durch eine Spule geschickt wird, damit dort durch
Induktion ein elektromagnetischer Impuls erzeugt wird. Dieser
Puls wird von einer zweiten Spule empfangen wobei zwar wieder
ein elektrischer Puls entsteht, der jedoch vom ursprünglichen
Puls galvanisch getrennt erzeugt ist. Die Übertragung des
Pulses an dieser Stelle hat dann galvanisch getrennt stattge
funden. Außerdem gibt es kapazitive Koppler und Optokoppler.
Auf dem Gebiet dieser Signalüberträger ist bislang nur der
Einsatz herkommlicher, also anorganisch-halbleitender Techno
logie üblich. Dabei wird z. B. bei einem Optokoppler ein e
lektrisches Signal durch eine Leuchtdiode in einen Lichtpuls
gewandelt, der bei der Übertragung von einer galvanisch ge
trennten Photozelle aufgenommen wird.
Die bekannten Signalüberträger der herkömmlichen Halbleiter-
Technologie haben den Nachteil, dass sie in komplizierten Ar
beitsschritten mit Strukturierung über Photolackmasken, Rück
ätzen etc. und/oder in einem Hybridaufbau hergestellt werden.
Bei den Optokopplern werden z. B. eine Leuchtdiode und eine
Photozelle als getrennte Bauteile hergestellt und dann durch
ein lichtdurchlässiges und isolierendes Medium verbunden, in
ein Gehäuse eingebaut. Die Herstellung dieser Optokoppler ist
deswegen aufwendig und teuer, ist aber für manche Zwecke un
umgänglich, weil diese Koppler hohe Zuverlässigkeit und Qua
lität haben. Für einen Massen-Einsatz in integrierten Schal
tungen von Wegwerf-Produkten wie Verpackungen, Tickets, Sen
soren, Identity tags, Sensoren etc. sind diese Signalüberträ
ger jedoch nur bedingt geeignet. Bei diesen Anwendungen wäre
es aber möglich, auf die ausgesprochene Zuverlässigkeit der
herkömmlichen anorganischen Halbleiter (Silizium, Germanium,
Gallium Arsenid, . . .) enthaltenden Signalüberträger zugunsten
billigerer Signalüberträger zu verzichten.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen Signalüberträger und/oder
einen Optokoppler zur Verfügung zu stellen, der für den Ein
satz in Massenprodukten geeignet und zudem preiswert, einfach
herstellbar und/oder entsorgbar ist.
Gegenstand der Erfindung ist ein Signalüberträger im Schicht
aufbau, der ein ankommendes Signal galvanisch getrennt wei
terleitet und bei dem zumindest eine Funktionsschicht organi
sches Material umfasst. Weiterhin ist Gegenstand der Erfin
dung ein Optokoppler, der zumindest ein erstes Element, in
dem ein elektrischer Puls in einen Lichtpuls gewandelt wird
und zumindest ein zweites Element umfasst, in dem der Licht
puls wieder in einen elektrischen Puls gewandelt wird, wobei
die zumindest zwei Elemente aus zumindest einer Funktions
schicht aufgebaut, elektrisch isolierend und lichtdurchlässig
durch eine Zwischenschicht verbunden sind und zumindest eines
dieser Elemente und/oder die Zwischenschicht zumindest teil
weise organisches Material umfasst. Außerdem ist Gegenstand
der Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Opto
kopplers im Vielfachschichtsystem. Schließlich sind Gegen
stand der Erfindung Verwendungen von Signalüberträgern auf
Basis organischen Materials.
Der Begriff "organisches Material" umfasst hier alle Arten
von organischen, metallorganischen und/oder anorganischen
Kunststoffen, die im Englischen z. B. mit "plastics" bezeichnet
werden. Es handelt sich um alle Arten von Stoffen mit
Ausnahme der Halbleiter, die die klassischen Optokoppler bil
den (Germanium, Silizium), und der typischen metallischen
Leiter. Eine Beschrankung im dogmatischen Sinn auf organi
sches Material als Kohlenstoff-enthaltendes Material ist dem
nach nicht vorgesehen, vielmehr ist auch an den breiten Ein
satz von z. B. Siliconen gedacht. Weiterhin soll der Term kei
ner Beschrankung im Hinblick auf die Molekülgröße, insbeson
dere auf polymere und/oder oligomere Materialien unterliegen,
sondern es ist durchaus auch der Einsatz von "small molecu
les" denkbar.
Als "Funktionsschlicht" wird eine Schicht des Optokopplers be
zeichnet, die eine Funktion wie z. B. Elektrode, Halbleiter,
Isolator erfüllt. Reine Zwischenschichten, die beispielsweise
nach einem Strukturierungsschritt als Photolackschichten übe
rigbleiben werden hier nicht als Funktionsschicht bezeichnet,
weil sie für keine Funktion bei der Signalübertragung über
nehmen.
Bevorzugt ist das erste Element eines Optokopplers eine
Leuchtdiode, insbesondere bevorzugt eine organische Leuchtdi
ode (OLED).
Bevorzugt ist das zweite Element des Optokopplers eine Photo
zelle, insbesondere bevorzugt eine, die vorwiegend aus orga
nischem Material besteht. Die Photozelle kann prinzipiell
denselben Aufbau haben wie die Leuchtdiode, nur muss in der
optisch aktiven Schicht eine Ladungstrennung durch Lichtein
fluss geschehen, wobei Ladung unterschiedlichen Vorzeichens
zu den entgegengesetzten Kontakten (Elektroden) wandert (Pho
tospannung).
Bevorzugt wird ein organischer Optokoppler durch ein Viel
fachschichtsystem aufgebaut, insbesondere so, dass sich die
OLED und die organische Photozelle voneinander weder im Auf
bau noch in den Materialien unterscheiden. Dieser Aufbau ist
besonders kostengünstig und für eine Massenfertigung geeig
net.
Ein typischer Vielfachschichtaufbau ist folgender:
Auf einem Substrat wird eine Photozelle, die aus einer unte ren Elektroden enthaltenden Schicht und einer entsprechenden oberen Elektroden enthaltenden Schicht besteht mit dazwischen einer optisch aktiven, z. B. photosensitiven Schicht.
Auf einem Substrat wird eine Photozelle, die aus einer unte ren Elektroden enthaltenden Schicht und einer entsprechenden oberen Elektroden enthaltenden Schicht besteht mit dazwischen einer optisch aktiven, z. B. photosensitiven Schicht.
Auf der Photozelle befindet sich die transparente Isolations
schicht auf der wieder eine Elektrodenschicht eine optisch
aktive Schicht (diesmal Bestandteil der OLED, d. h. z. B. eine
fluoreszierende Schicht) und schließlich die obere Elektro
denschicht der OLED.
Dabei kann jeder einzelne Schichttyp wieder aus einer Kombi
nation mehrerer Schichten bestehen und/oder mehrere Schichten
können aus identischem Material sein. Die Schichten können
auch lateral strukturiert sein.
Die Herstellung kann durch Drucken, Laminieren, Spin-Coaten,
Aufdampfen, Aufsputtern, Abscheiden aus der Gasphase gesche
hen und schließlich sind noch Verwendungen eines Optokopplers
z. B. in Sensoren oder in Kombination mit konventioneller E
lektronik, z. B. eingebaut in Leiterplatten oder auf Gehäusen
aufgebracht.
Bevorzugt haben die einzelnen Schichten des Optokopplers eine
Schichtdicke von maximal 2 µm insbesondere bevorzugt von klei
ner 1 µm (typischerweise wenige 100 nm). Die Elektroden kön
nen dicker sein, im Bereich mehrerer µm. Die Dicke der Isola
torschicht hängt ab von der benötigten Isolation bzw. Durch
bruchspannung und kann auch mehrere µm betragen, so dass der
gesamte Optokoppler bei reinem Schichtaufbau mit organischem
Material sehr flach wird und damit für viele Anwendungen, für
die bisher aus Platzgründen ein konventioneller Optokoppler
nicht geeignet war, einsetzbar wird. Beispielsweise lassen
sich derartige Optokoppler leicht in Schaltungen integrieren
oder im einfachsten Fall lässt sich der Optokoppler direkt
auf eine integrierte Schaltung prozessieren, in dem einfach
der Schichtaufbau erhöht wird. Damit kann sogar ein zusätzli
ches Substrat oder ein Träger für den Optokoppler eingespart
werden.
Die an den Optokoppler angeschlossene Ansteuerungs- und Aus
werteelektronik kann auch zumindest teilweise aus organischen
Materialien aufgebaut sein, so dass diese Elektronik sich
auch mit dem Optokoppler im selben Herstellungsverfahren her
stellen lässt.
Die Zwischenschicht zwischen dem ersten Element, das bevor
zugt eine OLED ist und dem zweiten Element, das bevorzugt ei
ne organische Photozelle ist, ist aus elektrisch isolierendem
aber lichtdurchlässigem Material. Bevorzugt bei der Auswahl
dieses Materials ist, dass es sich in der Dünnschichttechnik
verarbeiten lässt.
Im folgenden wird eine Ausführungsform der Erfindung noch an
hand einer Figur, die einen Querschnitt durch einen Opto
koppler zeigt, erläutert.
Das Aufbaubeispiel ist schematisch dargestellt, wobei der
Aufbau der OLED und der Photozelle sehr ähnlich oder ver
schieden sein kann. Die Materialien können variiert werden.
Die organische Leuchtdiode 1 und die Photozelle 2 haben einen
sehr ähnlichen Aufbau. Zwischen zwei Elektroden 3a und 4a
bzw. 3b und 4b befinden sich p- und n-leitende organische
Halbleiterschichten (5a, 5b, 6a, 6b), die beim Anlegen von
Spannung an die Elektroden Licht erzeugen (LED) oder beim
Einwirken von Licht Spannung an den Elektroden erzeugen (Pho
tozelle). Die beiden Elemente sind durch eine isolierende a
ber lichtdurchlässige Schicht 7 getrennt. Der Lichtpuls, der
von der Leuchtdiode erzeugt wird, kann durch die Schicht 7
(vgl. Pfeil) treten und auf die Photozelle 2 auftreffen. Da
mit wirkt dieser Aufbau als Optokoppler, also als galvanisch
getrennter Signalübertrager.
Die Elektronik zur Ansteuerung und/oder Auswertung des
Kopplers umfasst bevorzugt Bauelemente mit organischer Elekt
ronik ("Polymerelektronik"), wie z. B. organische Feldeffekt-
Transistoren, kann aber auch konventionelle Si-Halbleiter-
Elektronik beinhalten.
Der Vorteil eines zumindest zum Teil aus organischem Material
bestehenden Optokopplers besteht darin, dass er sehr einfach
als aufeinanderfolgendes Schichtpaket mit geringem Struktu
rierungsaufwand oder ohne Strukturierungsaufwand hergestellt
und z. B. auf einen fertigen Chip, der z. B. seinerseits im
Dünnschichtverfahren hergestellt wurde (z. B. Polymerelektro
nik-Chip) aufgebracht werden kann.
Die Herstellung im Dünnschichtverfahren bedeutet, dass die
Schichten z. B. wenige µm oder weniger als 1 µm dich sind. Dün
ne homogene Schichten können durch "Spin-Coating", Rakeln,
Laminieren, Drucken (z. B. Tampon, Tintenstrahl, Offset, Mic
rocontactprinting, Siebdruck), Aufdampfen, Aufsputtern, Chemi
sches Abscheiden, usw. erzeugt werden. Vielfachschicht heißt,
dass mehrere Schichten übereinander gebracht werden können,
wobei zu beachten ist, dass es keine oder wenig Vermischung
der einzelnen Schichten gibt.
Die Materialauswahl hängt vom speziellen Verfahren ab, z. B.
spielt beim Drucken oder Spin-Coaten eine wichtige Rolle,
dass sich die Materialien in einem Lösungsmittel lösen las
sen, dass nach dem Aufbringen der Schicht wieder entweichen
kann. Bei der Verwendung von Lösungsmittel kommen eher Poly
mere als Small molecules in Frage, weil, die aufgedampft wer
den. Es können natürlich auch small molecules so behandelt
werden, dass sie löslich sind. Für dünne Schichten ist es
auch wichtig, dass die Materialien keine Klumpen enthalten,
die die Schicht inhomogen werden lassen.
Beispiele für bevorzugte Materialien sind:
Leiter: z. B. Polyanilin, PEDOT;
Isolatoren: z. B. Polyhydroxystyrrol, Cymel;
Halbleiter z. B. Polytiophen, Pentacen, Polyfluoren.
Substrat: z. B. PET, PEN
Leiter: z. B. Polyanilin, PEDOT;
Isolatoren: z. B. Polyhydroxystyrrol, Cymel;
Halbleiter z. B. Polytiophen, Pentacen, Polyfluoren.
Substrat: z. B. PET, PEN
Ein organischer Signalübertrager ist beispielsweise ein Opto
koppler, der eine Kombination einer organischen Leuchtdiode
mit einer organischen Photozelle umfasst. Diese Elemente kön
nen durch eine isolierende, lichtdurchlässige Schicht vonein
ander galvanisch getrennt sein. Die sonstige Funktionsweise
entspricht der herkömmlicher Optokoppler.
Claims (13)
1. Signalübertrager auf der Basis von organischem Material im
Schichtaufbau, der ein ankommendes Signal galvanisch getrennt
weiterleitet und bei dem zumindest eine Funktionsschicht or
ganisches Material umfasst.
2. Optokoppler, der zumindest ein erstes Element, in dem ein
elektrischer Puls in einen Lichtpuls gewandelt wird und zu
mindest ein zweites Element umfasst, in dem der Lichtpuls
wieder in einen elektrischen Puls gewandelt wird, wobei die
zumindest zwei Elemente aus zumindest einer Funktionsschicht
aufgebaut, elektrisch isolierend und lichtdurchlässig durch
eine Zwischenschicht verbunden sind und zumindest eines die
ser Elemente und/oder die Zwischenschicht zumindest teilweise
organisches Material umfasst.
3. Optokoppler nach Anspruch 2, bei dem zumindest eine Funk
tionsschicht vorwiegend organisches Material umfasst.
4. Optokoppler nach Anspruch 2 oder 3, bei dem das erste Ele
ment eine organische Leuchtdiode ist.
5. Optokoppler nach einem der Anspruche 2 bis 4, bei dem das
zweite Element eine organische Photozelle ist.
6. Optokoppler nach einem der Anspruche 2 bis 5, bei dem zu
mindest ein Element und/oder die elektrisch isolierende Zwi
schenschicht im Vielfachschichtsystem aufgebaut ist.
7. Optokoppler nach einem der Anspruche 2 bis 6, bei dem zu
mindest die Bestandteile aus organischem Material und/oder
die elektrisch isolierende Zwischenschicht als einfache
Schichten aufgebaut sind.
8. Optokoppler nach einem der Anspruche 2 bis 7, bei dem zu
mindest eine der Schichten in Dünnschichttechnik aufbringbar
ist.
9. Optokoppler nach einem der Anspruche 2 bis 8, bei dem zu
mindest eine der Schichten und/oder eine der Funktionsschich
ten eine Dicke von maximal 2 µm hat.
10. Verfahren zur Herstellung eines Signalüberträgers im
Vielfachschichtsystem.
11. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem der Signalübertrager
im Vielfachschichtsystem auf einen Chip aufgebracht wird.
12. Verfahren nach einem der Anspruche 10 oder 11, bei dem
der Signalübertrager in der Dünnschichttechnik aufgebracht
wird.
13. Verwendung eines Signalüberträgers auf der Basis von or
ganischem Material in einem Computer, einem Automatisierungs
gerät, einem medizintechnischen Gerät und/oder einem Kommuni
kationsgerät.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10061298A DE10061298A1 (de) | 2000-12-08 | 2000-12-08 | Signalüberträger auf der Basis von organischem Material, Herstellungsverfahren dazu und Verwendungen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10061298A DE10061298A1 (de) | 2000-12-08 | 2000-12-08 | Signalüberträger auf der Basis von organischem Material, Herstellungsverfahren dazu und Verwendungen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10061298A1 true DE10061298A1 (de) | 2002-06-27 |
Family
ID=7666422
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10061298A Ceased DE10061298A1 (de) | 2000-12-08 | 2000-12-08 | Signalüberträger auf der Basis von organischem Material, Herstellungsverfahren dazu und Verwendungen |
Country Status (1)
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DE (1) | DE10061298A1 (de) |
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- 2000-12-08 DE DE10061298A patent/DE10061298A1/de not_active Ceased
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