DE1005647B - Verfahren zum Verhindern negativer Leitungskanaele in der p-leitenden Zone eines Germaniumtransistorelementes und ein nach diesem Verfahren hergestelltes Germaniumtransistorelement - Google Patents

Verfahren zum Verhindern negativer Leitungskanaele in der p-leitenden Zone eines Germaniumtransistorelementes und ein nach diesem Verfahren hergestelltes Germaniumtransistorelement

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NL100884C (US20100268047A1-20101021-C00003.png) * 1953-05-28 1900-01-01
BE553205A (US20100268047A1-20101021-C00003.png) * 1955-03-10
NL203528A (US20100268047A1-20101021-C00003.png) * 1955-03-24
US2994810A (en) * 1955-11-04 1961-08-01 Hughes Aircraft Co Auxiliary emitter transistor
US2953729A (en) * 1956-05-26 1960-09-20 Philips Corp Crystal diode
BE563190A (US20100268047A1-20101021-C00003.png) * 1956-09-10
US2905873A (en) * 1956-09-17 1959-09-22 Rca Corp Semiconductor power devices and method of manufacture
DE1072323B (US20100268047A1-20101021-C00003.png) * 1957-04-16
US3145328A (en) * 1957-04-29 1964-08-18 Raytheon Co Methods of preventing channel formation on semiconductive bodies
US2977515A (en) * 1958-05-07 1961-03-28 Philco Corp Semiconductor fabrication
US3002135A (en) * 1958-06-11 1961-09-26 Hughes Aircraft Co Semiconductor device
DE1126513B (de) * 1958-08-19 1962-03-29 Intermetall Verfahren zur Bearbeitung von Halbleiteranordnungen
JPS612371A (ja) * 1984-06-14 1986-01-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体受光装置
US4891730A (en) * 1989-05-10 1990-01-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Monolithic microwave integrated circuit terminal protection device

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