DE10056475A1 - Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis mit verbesserter p-Leitfähigkeit und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis mit verbesserter p-Leitfähigkeit und Verfahren zu dessen Herstellung

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Abstract

Die Erfindung beschreibt ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit erhöhter p-Leitfähigkeit. Der Halbleiterkörper des Bauelements weist ein SiC-basierendes Substrat (1) auf, auf dem eine Mehrzahl von GaN-basierenden Schichten ausgebildet ist. Der aktive Bereich dieser Schichten ist zwischen mindestens einer n-leitenden Schicht (2) und einer p-leitenden Schicht (4) angeordnet, wobei die p-leitende Schicht (4) zugverspannt aufgewachsen ist. Als p-Dotierung wird vorzugsweise Mg verwendet.

Description

Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis mit verbesserter p-Leitfähigkeit und Verfahren zu dessen Her­ stellung.
Die Erfindung bezieht sich auf ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 sowie ein Herstellungsverfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 13.
Strahlungsemittierende Bauelemente auf GaN-Basis sind bei­ spielsweise aus US 5,874,747 bekannt. Solche Halbleiterbau­ elemente enthalten eine Halbleiterkörper mit einer Mehrzahl von Schichten, die aus GaN oder einem darauf basierenden Ma­ terial bestehen. Gemäß der genannten Druckschrift ist die Mehrzahl von GaN-basierenden Schichten auf ein SiC-Substrat aufgebracht.
Auf GaN-basierende Materialien sind von GaN abgeleitete oder mit GaN verwandte Materialien sowie darauf aufbauende ternäre oder quaternäre Mischkristalle. Insbesondere fallen hierunter die Materialien AlN, InN, AlGaN (Al1-xGaxN, 0 ≦ x ≦ 1), InGaN (In1-xGaxN, 0 ≦ x ≦ 1 ), InAlN (In1-xAlxN, 0 ≦ x ≦ 1) und AlInGaN (Al1-x-yInxGayN, 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1).
Im folgenden bezieht sich die Bezeichnung "GaN-basierend" auf diese ternären oder quaternären Mischkristalle, auf von GaN abgeleitete oder mit GaN verwandte Verbindungen sowie GaN selbst. Weiterhin umfaßt diese Bezeichnung Materialien, die zur Ausbildung von Pufferschichten bei der epitaktischen Her­ stellung von Schichten der angeführten Materialsysteme ver­ wendet werden.
Aus US 5,874,747 ist bekannt, in dem Halbleiterkörper einen aktiven, der Strahlungserzeugung dienenden Bereich auszubilden, der von mindestens einer n-leitenden und einer p-leiten­ den Schicht umgeben ist.
Die Herstellung von p-leitenden Schichten auf GaN-Basis mit einer ausreichend hohen Leitfähigkeit bringt eine Vielzahl von technischen Problemen mit sich. Als Dotierung wird in der Regel Mg, Zn oder C verwendet. Die Energieniveaus dieser Ak­ zeptoren liegen zwischen 200 meV und 300 meV über der Valenz­ bandkante, so daß bei einem Bandabstand in der Größenordnung von 3,4 eV, wie er bei GaN vorliegt, nur ein sehr geringer Teil der Akzeptoren ionisiert ist.
Eine Erhöhung der Löcherkonzentration durch Steigerung der chemischen Akzeptorkonzentration wird durch Selbstkompensati­ onseffekte begrenzt. Bei zu starker Akzeptordotierung bilden sich beispielsweise Fehlstellen im Kristall, die als Donator wirken und daher die Akzeptordotierung kompensieren.
Da die energetische Lage der Akzeptorniveaus und die chemi­ sche Maximalkonzentration nur unzureichend beeinflußbar ist, ist für eine möglichst hohe p-Leitfähigkeit ein effizienter Einbau der Akzeptoratome auf elektrisch aktive Plätze des Wirtsgitters erforderlich. Die Einbaueffizient bemißt sich in erster Linie an der resultierenden Löcherkonzentration sowie deren Beweglichkeit.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein strahlungsemit­ tierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis mit verbesserter p-Leitfähigkeit zu schaffen. Weiterhin ist es Aufgabe der Er­ findung, ein Herstellungsverfahren hierfür anzugeben.
Diese Aufgabe wird durch ein Halbleiterbauelement nach Pa­ tentanspruch 1 bzw. ein Herstellungsverfahren nach Patenan­ spruch 13 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche 2 bis 12 und 14 bis 23.
Erfindungsgemäß ist vorgesehen, auf einem SiC-basierenden Substrat eine Mehrzahl von GaN-basierenden Schichten auszu­ bilden, wobei ein Teil dieser Schichten den aktiven, d. h. der Strahlungserzeugung dienenden Bereich bildet. Dieser aktive Bereich ist zwischen mindestens einer n-leitenden und minde­ stens einer p-leitenden Schicht angeordnet, wobei die minde­ stens eine p-leitende Schicht zugverspannt aufgewachsen ist und die Zugspannungsrichtung im wesentlichen parallel zur Schichtebene liegt. Mit Vorteil wird durch diese Verspannung des Kristallgitters der Einbau der Akzeptoratome gegenüber einem druckverspannten Gitter erhöht.
Unter einem SiC-basierenden Substrat ist hierbei ein Substrat zu verstehen, das aus SiC besteht oder SiC enthält und dessen thermische Eigenschaften im wesentlichen durch SiC bestimmmt werden. Dabei können Teilbereiche des Substrats, insbesondere die zur Aufbringung der GaN-Schichten verwendete Grenzfläche, eine von SiC abweichende Zusammensetzung aufweisen.
Vorzugsweise wird als p-Dotierung Mg, Zn und/oder C, da sich diese Dotierungen bei der epitaktischen Herstellung bewährt haben und daher ohne großen technischen Aufwand verwendet werden können.
Bei einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung enthält die mindestens eine p-leitende Schicht AlGaN. Solche Schichten dienen als Elektronenbarriere und steigern damit die Quan­ teneffizient strahlungsemittierender Halbleiterbauelemente. Weiterhin zeichen sich AlGaN-Schichten durch gute epitakti­ sche Wachstumseigenschaften aus. Auch eignen sich solche Schichten aufgrund ihres Brechungsindexunterschieds bezüglich GaN und InGaN zur Ausbildung von Wellenleiterstrukturen.
Eine bevorzugte Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, daß die p-leitende Schicht auf einer Schicht aufgewachsen ist, deren Gitterkonstante größer ist als die Gitterkonstante der p-leitenden Schicht im unverspannten Zustand, so daß sich mit Vorteil der oben beschriebene Zustand einer zugverspann­ ten p-leitenden Schicht ergibt.
Die n-leitende Schicht ist vorzugsweise zwischen dem SiC-ba­ sierenden Substrat und dem aktiven Bereich und die p-leiten­ den Schicht auf der dem SiC-Substrat abgewandten Seite des aktiven Bereichs angeordnet. Weiterhin enthält die n-leitende Schicht bevorzugt ebenfalls AlGaN, da dieses Material im Ge­ gensatz zu GaN ein SiC-basierendes Substrat besser benetzt und so eine epitaktische Herstellung von GaN-Schichten hoher Qualität auf dem Substrat ermöglicht.
Besonders bevorzugt ist hierbei eine n-leitende Schicht, die wie die p-leitende Schicht AlGaN enthält, wobei der Al-Gehalt der n-leitenden Schicht geringer ist als der Al-Gehalt der p- leitenden Schicht und der dazwischenliegende aktive Bereich so dünn gebildet ist, daß die Gitterkonstante von der n-lei­ tenden Schicht festgelegt wird. Da die Gitterkonstante von AlGaN-Schichten mit sinkendem Al-Gehalt steigt, kann so durch den niedrigeren Al-Gehalt der n-leitenden Schicht eine grö­ ßere Gitterkonstante unter der p-leitenden Schicht realisiert werden. Dies bewirkt wiederum die vorteilhafte Zugverspannung in der p-leitenden Schicht.
Bei einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist der aktive Bereich als Quantentopfstruktur, bevorzugt als Mehr­ fachquantentopfstruktur (MQW, multiple quantum well) ausge­ bildet. Diese Strukturen zeichnen sich durch eine besonders hohe Quanteneffizienz aus. Bevorzugt ist der aktive Bereich durch eine Abfolge von GaN- und InGaN-Quantenschichten gebil­ det.
Eine weitere bevorzugte Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, daß der aktive Bereich von einer Wellenleiterstruktur umschlossen ist. Diese Ausgestaltung ist besonders für GaN- basierende Halbleiterlaser von Vorteil, um das Strahlungsfeld auf den aktiven Bereich einzugrenzen und so den Pumpstrom des Lasers niedrig zu halten. Bevorzugt besteht die Wellenleiter­ struktur aus einer n-dotierten und einer p-dotierten GaN- Schicht, die zwischen dem aktiven Bereich und der entspre­ chend dotierten GaN-basierenden Schicht angeordnet ist.
Bei dem erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren einer p-lei­ tenden, GaN-basierenden Schicht ist vorgesehen, eine GaN-ba­ sierende Schicht auf eine Kristallfläche aufzubringen, deren Gitterkonstante größer ist als die Gitterkonstante der GaN­ basierenden Schicht (im unverspannten Zustand). Die GaN-ba­ sierende Schicht wird mit einem Akzeptor dotiert, wobei die Dotierung während des Aufwachsens oder nach dem Aufwachsen erfolgen kann.
Aufgrund der Gitterfehlanpassung wird die GaN-basierende Schicht zugverspannt, wobei die Zugspannungsrichtung im we­ sentlichen parallel zur Schichtebene liegt. Dieser Spannungs­ zustand führt zu einem verbesserten Einbau der Akzeptoratome, vorzugsweise Mg-, Zn- oder C-Atome, in das Wirtskristallgit­ ter. Der verbesserte Einbau äußert sich vor allem in einer Erhöhung der Löcherkonzentration und der Löcherbeweglichkeit und bewirkt daher mit Vorteil eine Erhöhung der p-Leitfähig­ keit.
Vorzugsweise wird die GaN-basierende Schicht epitaktisch auf­ gebracht. Mit Vorteil kann dabei während des Aufwachsens die GaN-basierende Schicht gleichzeitig p-dotiert werden, wobei aufgrund der Gitterfehlanpassung die GaN-basierende Schicht zugverspannt aufwächst und so die p-Dotierung mit großer Ef­ fizienz hinsichtlich ihrer elektrischen Eigenschaften in das GaN-basierende Kristallgitter eingebaut wird. Als Ausgangs­ stoffe können zur Dotierung beispielsweise Cp2Mg (Magnesium­ biscyclopentadienyl), DMZ (Dimethylzink) bzw. CCl4(Tetrachlorkohlenstoff) verwendet werden.
Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens enthält die p-leitende GaN-basierende Schicht AlGaN. Vorzugsweise wird vor der Aufbringung dieser p-leitenden AlGaN-Schicht in dem Halbleiterkörper eine AlGaN- Schicht ausgebildet, deren Al-Gehalt niedriger ist als der Al-Gehalt der p-leitenden AlGaN-Schicht. Da die Gitterkon­ stante einer AlGaN-Schicht mit sinkendem Al-Gehalt steigt, wird so die vorteilhafte Zugverspannung in der p-leitenden Schicht hervorgerufen und die damit einhergehende verbesserte p-Leitfähigkeit erzielt.
Bei einer bevorzugten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens variiert der Al-Gehalt in der zuvor gebildeten AlGaN-Schicht in Richtung der Schichtnormale, wo­ bei der Al-Gehalt an der der p-AlCaN-Schicht zugewandten Grenzfläche geringer ist als der Al-Gehalt der p-AlGaN- Schicht.
Ein substratseitig hoher Al-Gehalt ist von Vorteil für die epitaktische Aufbringung der Zwischenschicht auf Si- und SiC- Substrate, da AlGaN-Schichten mit hohem Al-Gehalt das Sub­ strat besser benetzen und leichter planare Schichten hoher Kristallqualität bilden. Durch ein Al-Konzentrationsprofil mit sinkendem Al-Gehalts bei zunehmender Entfernung vom Sub­ strat wird substratseitig ein für die Epitaxie günstiger ho­ her Al-Gehalt und zugleich eine Zugverspannung der p-AlGaN- Schicht erreicht.
Weitere Merkmale, Vorteile und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von drei Aus­ führungsbeispielen in Verbindung mit den Fig. 1 bis 3.
Es zeigen
Fig. 1 eine schematische Schnittdarstellung eines Ausfüh­ rungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements,
Fig. 2 eine schematische Schnittdarstellung eines ersten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Herstellungsver­ fahrens und
Fig. 3 eine schematische Schnittdarstellung eines zweiten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Herstellungsver­ fahrens.
Gleiche oder gleichwirkende Elemente sind dabei mit den sel­ ben Bezugszeichen versehen.
Das in Fig. 1 gezeigte Ausführungsbeispiel zeigt den Aufbau eines Halbleiterlasers auf GaN-Basis. Als Substrat 1 dient ein SiC-Substrat, auf das eine 700 nm dicke n-leitende AlGaN- Schicht 2 aufgebracht ist (die jeweiligen Schichtdicken sind nicht maßstabsgetreu dargestellt). Der Al-Gehalt dieser Schicht 2 sinkt von 17% an der SiC-Grenzfläche auf 9% an der gegenüberliegenden Hauptfläche der Schicht 2 ab. Auf die­ ser n-leitenden Schicht 2 ist eine 120 nm dicke, Si-dotierte GaN-Schicht 8 gebildet, an die sich der aktive Bereich 3 in Form einer MQW-Struktur anschließt. Diese MQW-Struktur be­ steht aus einer vierfachen Abfolge einer 2 nm dicken InGaN- Schicht und einer 12 nm dicken GaN-Schicht im Wechsel, die von einer 2 nm dicken InGaN-Schicht abgeschlossen wird.
Hierauf folgt eine p-leitende GaN-basierende Doppelschicht 7 mit einer Gesamtdicke von 120 nm, die aus einer Mg-dotierten AlGaN-Schicht 7a und einer Mg-dotierten GaN-Schicht 7b be­ steht. Diese Doppelschicht 7 und die unter dem aktiven Be­ reich angeordnete, n-leitende GaN-Schicht 8 bildet zusammen einen symmetrischen Wellenleiter, der das generierte Strah­ lungsfeld eingrenzt und auf den strahlungsaktiven Bereich 3 konzentriert. Da die Schichtdicke der p-leitenden Doppel­ schicht 7 vergleichsweise gering ist, ist eine Zugverspannung dieser Schicht zur Erhöhung der p-Leitfähigkeit nicht erfor­ derlich.
Auf der zweiten Wellenleiterschicht 7 ist eine 400 nm dicke p-leitende Schicht 4 ausgebildet, die aus Mg-dotierten AlGaN mit einem Al-Anteil von 12% besteht. Abgeschlossen wird die Halbleiterstruktur von einer hoch p-dotierten GaN-Kontakt­ schicht 5 von 100 nm Dicke.
Die Gitterkonstante einer Epitaxieschicht wird vor allem durch die Gitterkonstante der Schicht im unverspannten Zu­ stand, die Dicke der Schicht und die Gitterkonstante der da­ runterliegenden Schichten festgelegt. Bei dem gezeigten Aus­ führungsbeispiel wird die Gitterkonstante der unter der p- leitenden Schicht 4 liegenden Schichten im wesentlichen von der n-leitende AlGaN-Schicht 2 bestimmt, deren Dicke mit 700 nm weitaus größer ist als die Dicke des aktiven MQW-Be­ reichs 3 einschließlich der Wellenleiterstruktur 7, 8. Die Al- Konzentration der p-leitenden Schicht 4 ist größer als die Al-Konzentration der n-leitenden 2 Schicht gewählt, so daß die Mg-dotierte, p-leitende Schicht 4 zugverspannt aufgewach­ sen ist. Mit Vorteil führt dieser Verspannungszustand zu ei­ ner erhöhten p-Leitfähigkeit gegenüber einer druckverspannten p-leitfähigen Schicht.
Die angegebene Verspannung der p-leitenden Schicht 4 bezieht sich insbesondere auf den Zustand bei bzw. unmittelbar nach der Herstellung des Halbleiterkörpers, d. h. noch vor der Ab­ kühlung des Bauelements. Bei der Abkühlung kann sich der Ver­ spannungszustand des Halbleiterkörpers je nach Ausdehnungs­ koeffiezient des Substrat ändern oder sogar umkehren. Im Falle eines SiC-Substrats bleibt der beschriebene Verspan­ nungszustand im wesentlichen erhalten. Eine Änderung der Ver­ spannung bei der Abkühlung beeinflußt die Effizient der be­ reits in das Wirtsgitter eingebauten Akzeptoratome nur unmaß­ geblich.
In Fig. 2 ist in zwei Schritten ein Ausführungsbeispiel ei­ nes erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens dargestellt.
Zunächst wird auf einem Epitaxiesubstrat 10, vorzugsweise ein SiC-basierendes Substrat, eine dünne n-AlGaN-Pufferschicht 6 aufgebracht. Für die Epitaxie (MOVPE) werden die üblichen organometallischen Verbindungen wie TMGa (Trimethylgallium) oder TEGa (Triethylgallium), TMAl (Trimethylaluminium) und TMIn (Trimethylindium) verwendet. Zur n-Dotierung dient SiH4 (Silan), zur p-Dotierung Cp2Mg.
Zur Erhöhung der Leitfähigkeit der Pufferschicht 6 können in dieser zusätzlich elektrisch leitfähige Kanäle 9 ausgebildet werden. Dazu kann beispielsweise zunächst auf das Epitaxie­ substrat 10 eine dünne GaN- oder InGaN-Schicht aufgewachsen werden. Da diese Verbindungen Si und SiC nur geringfügig be­ netzen, entsteht eine unzusammenhängende Schicht aus mehreren gut leitfähigen GaN- bzw. InGaN-Inseln, die die elektrisch leitfähigen Kanäle 9 bilden. Die Ausbildung der Pufferschicht 6 wird abgeschlossen durch die Aufbringung einer planarisie­ renden AIGaN-Füllschicht mit hohem Al-Gehalt, die die Zwi­ schenräume zwischen den Leitungskanälen 9 füllt und eine aus­ reichend homogene Oberfläche zur Aufbringung weiterer Schich­ ten ausbildet. Eine solche Pufferschicht mit leitfähigen Ka­ nälen kann auch bei den anderen beiden Ausführungsbeispielen gebildet bzw. verwendet werden.
Auf der Pufferschicht 6 wird eine Si-dotierte GaN-Schicht 2 mit einer Dicke im µm-Bereich und ein aktiver Bereich 3 in Form einer GaN/InGaN-MQW-Struktur abgeschieden, Fig. 2a. Aufgrund der geringen Dicke der Quantenschichten wird die Gitterkonstante im wesentlichen von der darunterliegenden GaN-Schicht 2 festgelegt.
Auf den aktiven Bereich wird eine Mg-dotierte und damit p- leitende AlGaN-Schicht 4 aufgebracht, Fig. 2b. Die Gitter­ konstante einer AlGaN-Schicht steigt mit sinkendem Al-Gehalt und ist maximal für einer reine GaN-Schicht. Da die GaN- Schicht 2 die Gitterkonstante festlegt, wächst die AlGaN- Schicht 4 auf einer Kristallfläche auf, deren Gitterkonstante größer ist als die Gitterkonstante der AlGaN-Schicht 4. Damit entsteht eine zugverspannte AlGaN-Schicht 4, die sich durch einen verbesserten Einbau der Mg-Dotierung und somit durch eine erhöhte p-Leitfähigkeit auszeichnet.
Auf diese Schicht können in nachfolgenden, nicht dargestell­ ten Schritten weitere Schichten, beispielsweise eine p-lei­ tende, hochdotierte GaN-Kontaktschicht, aufgebracht werden.
Das in Fig. 3 dargestellte Ausführungsbeispiel eines Her­ stellungsverfahrens unterscheidet sich von dem in Fig. 2 dargestellten Beispiel darin, daß anstelle der GaN-Schicht 2 eine AlGaN-Schicht 7 ausgebildet wird. Eine Pufferschicht (nicht dargestellt) wie im vorigen Ausführungsbeispiel kann ebenfalls vorgesehen sein. Auf der AlGaN-Schicht 7 ist wie­ derum der aktive Bereich 3 ausbildet, Fig. 3a. Der aktive Bereich kann auch in nicht dargestellter Weise von einer Wel­ lenleiterstruktur wie in Fig. 1 umgeben sein.
Auf dem aktiven Bereich wird eine Mg-dotierte AlGaN-Schicht 4 abgeschieden, Fig. 3b. Der Al-Gehalt der Schicht 4 ist dabei geringer als der Al-Gehalt der AlGaN-Schicht 2 an der Grenz­ fläche zu dem Bereich 3. Da die Schicht 2 wiederum aufgrund ihrer Dicke gegenüber der MQW-Struktur die Gitterkonstante festlegt, wächst die Mg-dotierte AlGaN-Schicht 4 auf einer Kristallfläche mit höherer Gitterkonstante zugverspannt auf. Somit wird wiederum die verbesserte p-Leitfähigkeit erreicht.
Die Erläuterung der Erfindung anhand der beschriebenen Aus­ führungsbeispiele ist selbstverständlich nicht als Beschrän­ kung der Erfindung hierauf zu verstehen. Insbesondere können die gezeigten Halbleiterstrukturen zusätzlich mit bekannten und üblichen Verfahren mit Kontaktflächen versehen, auf Trä­ ger montiert und in Gehäuse eingebaut werden.

Claims (23)

1. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Ba­ sis mit einem Halbleiterkörper, der ein SiC-basierendes Sub­ strat (1) aufweist, auf das eine Mehrzahl GaN-basierender Schichten aufgebracht ist, wobei diese Mehrzahl mindestens einen aktiven Bereich (3) enthält, der zwischen mindestens einer n-leitenden Schicht (2) und mindestens einer p-leiten­ den Schicht (4) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die p-leitende Schicht zugverspannt aufgewachsen ist.
2. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach An­ spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die mindestens eine p-leitende Schicht mit Mg, Zn und/oder C dotiert ist.
3. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die mindestens eine p-leitende Schicht AlGaN enthält.
4. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die mindestens eine p-leitende Schicht (4) auf einer Schicht aufgewachsen ist, deren Gitterkonstante größer als die Git­ terkonstante der p-leitenden Schicht (4) ist.
5. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die mindestens eine n-leitende Schicht (2) zwischen dem SiC- basierenden Substrat (1) und dem aktiven Bereich (3) angeord­ net ist.
6. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach An­ spruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die mindestens eine n-leitende Schicht (2) AlGaN enthält.
7. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach An­ spruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Al-Gehalt der n-leitenden Schicht (2) kleiner ist als der Al-Gehalt der p-leitenden Schicht (4) und die zwischen n-lei­ tender Schicht (2) und p-leitender Schicht (4) angeordneten Schichten so dünn sind, daß die Gitterkonstante dieser Schichten von der n-leitenden Schicht (2) festgelegt wird.
8. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach An­ spruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Al-Gehalt in der n-leitenden Schicht (2) in Richtung des SiC-basierenden Substrats (1) zunimmt.
9. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8 dadurch gekennzeichnet, daß der aktive Bereich (3) als Einfachquantentopfstruktur oder Mehrfachquantentopfstruktur ausgebildet ist.
10. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach An­ spruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Quantentopfstruktur durch eine Abfolge von GaN- und InGaN-Schichten gebildet ist.
11. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der aktive Bereich (3) von einer Wellenleiterstruktur (7, 8) umgeben ist.
12. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement nach An­ spruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Wellenleiterstruktur aus je mindestens einer GaN-basie­ renden Schicht (7, 8) besteht, die zwischen dem aktiven Be­ reich (3) und der n-leitenden Schicht (2) bzw. der p-leiten­ den Schicht (4) angeordnet ist.
13. Herstellungsverfahren für einen Halbleiterkörper mit mindestens einer p-leitenden GaN-basierenden Schicht (4), gekennzeichnet durch die Schritte:
  • - Bereitstellung einer Kristallfläche, deren Gitterkon­ stante größer ist als die Gitterkonstante der p-leitenden GaN-basierende Schicht (4),
  • - Aufbringung der GaN-basierende Schicht (4) auf die Kri­ stallfläche,
  • - Dotierung der GaN-basierende Schicht (4) mit einem Ak­ zeptormaterial.
14. Herstellungsverfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß als Akzeptor Mg, Zn und/oder C verwendet wird.
15. Herstellungsverfahren nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß die p-leitende GaN-basierende Schicht (4) epitaktisch herge­ stellt wird.
16. Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die p-leitende GaN-basierende (4) Schicht AlGaN enthält.
17. Herstellungsverfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Halbleiterkörper vor der Aufbringung der p-leitenden GaN-basierenden Schicht (4) eine zweite Schicht (2) ausgebildet wird, die AlGaN enthält und deren Al-Gehalt geringer ist als der Al-Gehalt der p-leitenden GaN-basierenden Schicht (4).
18. Herstellungsverfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß in der zweiten Schicht (2) der Al-Gehalt in Richtung der Schichtnormale variiert und der Al-Gehalt an der der p-lei­ tenden GaN-basierenden Schicht (4) zugewandten Seite der zweiten Schicht (2) geringer ist als der Al-Gehalt der p-lei­ tenden GaN-basierenden Schicht (4).
19. Herstellungsverfahren nach Anspruch 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Schicht (2) n-leitend ist.
20. Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß die zwischen der zweiten Schicht (2) und der p-leitenden, GaN-basierenden Schicht (4) ein aktiver, der Strahlungserzeu­ gung dienender Bereich (3) ausgebildet wird.
21. Herstellungsverfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß der aktive Bereich (3) eine oder mehrere Schichten auf GaN- Basis enthält, die so dünn sind, daß die Gitterkonstante der Kristalloberfläche, auf der die p-leitende GaN-basierende Schicht (4) ausgebildet wird, im wesentlichen von der zweiten Schicht (2) festgelegt wird.
22. Herstellungsverfahren nach Anspruch 21 oder 22, dadurch gekennzeichnet, daß der aktive Bereich (3) als Einfachquantentopfstruktur oder Mehrfachquantentopfstruktur ausgebildet wird.
23. Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß als Epitaxiesubstrat (1) ein SiC-basierendes Substrat verwen­ det wird.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008021659A1 (de) 2008-04-30 2009-11-05 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Element mit Dünnschicht-Halbleiterbauelement auf Galliumnitrid-Basis
DE112014002779B4 (de) 2013-06-11 2022-09-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements
CN116344689A (zh) * 2023-05-26 2023-06-27 中诚华隆计算机技术有限公司 一种具有涂层的发光芯片及其制作方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009060749B4 (de) * 2009-12-30 2021-12-30 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
JP5319810B2 (ja) * 2012-03-08 2013-10-16 株式会社東芝 窒化物半導体層の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996036080A1 (en) * 1995-05-08 1996-11-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
US5874747A (en) * 1996-02-05 1999-02-23 Advanced Technology Materials, Inc. High brightness electroluminescent device emitting in the green to ultraviolet spectrum and method of making the same
WO2000021144A2 (en) * 1998-09-16 2000-04-13 Cree Inc. VERTICAL GEOMETRY InGaN LED
EP1049178A2 (de) * 1999-03-31 2000-11-02 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung bestehend aus einer III-V Nitridverbindung

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5290393A (en) * 1991-01-31 1994-03-01 Nichia Kagaku Kogyo K.K. Crystal growth method for gallium nitride-based compound semiconductor
US5679152A (en) * 1994-01-27 1997-10-21 Advanced Technology Materials, Inc. Method of making a single crystals Ga*N article
US6900465B2 (en) * 1994-12-02 2005-05-31 Nichia Corporation Nitride semiconductor light-emitting device
US5777350A (en) * 1994-12-02 1998-07-07 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting device
US5585648A (en) * 1995-02-03 1996-12-17 Tischler; Michael A. High brightness electroluminescent device, emitting in the green to ultraviolet spectrum, and method of making the same
JP2839077B2 (ja) * 1995-06-15 1998-12-16 日本電気株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US6072197A (en) * 1996-02-23 2000-06-06 Fujitsu Limited Semiconductor light emitting device with an active layer made of semiconductor having uniaxial anisotropy
US5903017A (en) * 1996-02-26 1999-05-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Compound semiconductor device formed of nitrogen-containing gallium compound such as GaN, AlGaN or InGaN
JP3090057B2 (ja) * 1996-08-07 2000-09-18 昭和電工株式会社 短波長発光素子
EP0908988A3 (de) * 1997-10-06 2001-10-17 Sharp Kabushiki Kaisha Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren
US6194742B1 (en) * 1998-06-05 2001-02-27 Lumileds Lighting, U.S., Llc Strain engineered and impurity controlled III-V nitride semiconductor films and optoelectronic devices
JP2000156544A (ja) 1998-09-17 2000-06-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体素子の製造方法
JP3833848B2 (ja) 1999-05-10 2006-10-18 パイオニア株式会社 ３族窒化物半導体素子製造方法
US6613143B1 (en) * 2001-07-06 2003-09-02 Technologies And Devices International, Inc. Method for fabricating bulk GaN single crystals

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996036080A1 (en) * 1995-05-08 1996-11-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
US5874747A (en) * 1996-02-05 1999-02-23 Advanced Technology Materials, Inc. High brightness electroluminescent device emitting in the green to ultraviolet spectrum and method of making the same
WO2000021144A2 (en) * 1998-09-16 2000-04-13 Cree Inc. VERTICAL GEOMETRY InGaN LED
EP1049178A2 (de) * 1999-03-31 2000-11-02 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung bestehend aus einer III-V Nitridverbindung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
KURAMATA, A. et al.: Room-Temperature Continuous Wave Operation of InGaN Laer Diodes with Vertical Conducting Structure on SiC Substrate. In: Jpn.J. Appl.Phys., Vol. 37, Part 2, No. 11B, 1998, S. L1373-L1375 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008021659A1 (de) 2008-04-30 2009-11-05 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Element mit Dünnschicht-Halbleiterbauelement auf Galliumnitrid-Basis
DE112014002779B4 (de) 2013-06-11 2022-09-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements
DE112014002779B8 (de) 2013-06-11 2022-12-15 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements
CN116344689A (zh) * 2023-05-26 2023-06-27 中诚华隆计算机技术有限公司 一种具有涂层的发光芯片及其制作方法
CN116344689B (zh) * 2023-05-26 2023-07-21 中诚华隆计算机技术有限公司 一种具有涂层的发光芯片及其制作方法

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WO2002041411A1 (de) 2002-05-23
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